JPH0827296B2 - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
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- JPH0827296B2 JPH0827296B2 JP1114772A JP11477289A JPH0827296B2 JP H0827296 B2 JPH0827296 B2 JP H0827296B2 JP 1114772 A JP1114772 A JP 1114772A JP 11477289 A JP11477289 A JP 11477289A JP H0827296 B2 JPH0827296 B2 JP H0827296B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体基板上にピエゾ抵抗素子（又は層）
を形成し、弾性変化時に発生する前記ピエゾ抵抗層の抵
抗値変化を電気信号として出力する半導体加速度センサ
に関するもので、特に該センサの出力特性のバラツキを
改善した構造の加速度センサに係るものである。
を形成し、弾性変化時に発生する前記ピエゾ抵抗層の抵
抗値変化を電気信号として出力する半導体加速度センサ
に関するもので、特に該センサの出力特性のバラツキを
改善した構造の加速度センサに係るものである。
（従来の技術） 半導体加速度センサは、半導体装置の微細加工技術を
用いて、極めて小型に形成されると共に集積回路として
他の素子と同一基板上に搭載することができる。このた
め、例えば自動車の安全走行に関連した電子的アンチス
キッド制御（Electronic Skid Controll、ESC）等にお
ける加速度検出に使用されている。
用いて、極めて小型に形成されると共に集積回路として
他の素子と同一基板上に搭載することができる。このた
め、例えば自動車の安全走行に関連した電子的アンチス
キッド制御（Electronic Skid Controll、ESC）等にお
ける加速度検出に使用されている。
このような半導体加速度センサの従来技術の一例（特
開昭61−97572号）について図面を参照して以下説明す
る。第６図（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ該センサの模
式的な平面図及びOO´線断面図で、第７図（ａ）及び
（ｂ）は、該センサの製造工程を説明するためのそれぞ
れ平面図及びOO´線断面図である。両図において、ピエ
ゾ抵抗層、Al電極及び保護膜等の記載は省略してある。
開昭61−97572号）について図面を参照して以下説明す
る。第６図（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ該センサの模
式的な平面図及びOO´線断面図で、第７図（ａ）及び
（ｂ）は、該センサの製造工程を説明するためのそれぞ
れ平面図及びOO´線断面図である。両図において、ピエ
ゾ抵抗層、Al電極及び保護膜等の記載は省略してある。
第７図に示すように、第１導電型（以後Ｐ型とする）
のSi基板１上に第２導電型（以後Ｎ型とする）のSi層２
が形成されている。このＮ型Si層２の厚さは、Si片持ば
りの厚さと同一に設定する。次にSi片持ばり３及びSi重
り４（第６図参照）の形状を決定するために、Si層２中
に帯状にＰ型のSi領域５を形成する。このＰ型Si領域５
は、Si層２の表面からSi基板１に達するまで形成する。
この後、Si基板１の裏面に適当なマスク（例えばレジス
ト、SiO2、Si3N4等）６を形成する。
のSi基板１上に第２導電型（以後Ｎ型とする）のSi層２
が形成されている。このＮ型Si層２の厚さは、Si片持ば
りの厚さと同一に設定する。次にSi片持ばり３及びSi重
り４（第６図参照）の形状を決定するために、Si層２中
に帯状にＰ型のSi領域５を形成する。このＰ型Si領域５
は、Si層２の表面からSi基板１に達するまで形成する。
この後、Si基板１の裏面に適当なマスク（例えばレジス
ト、SiO2、Si3N4等）６を形成する。
次に第６図に示すように、マスク６を用いて、Ｐ型の
Si部分即ちSi基板１とSi領域５とを、後述のエレクトロ
・ケミカル・エッチング法により一度に除去し、Si片持
ばり３、Si重り４及びその回りの空隙７を形成する。
Si部分即ちSi基板１とSi領域５とを、後述のエレクトロ
・ケミカル・エッチング法により一度に除去し、Si片持
ばり３、Si重り４及びその回りの空隙７を形成する。
次に第８図を参照して、エレクトロ・ケミカル・エッ
チング法について説明する。Siウェーハ８及び電極板９
（一般にPt等を用いる）がエッチング浴槽10中のSiエッ
チング液11に浸される。Siウェーハ８の被エッチング面
と反対側の主面には酸化膜12と、Ｎ型Si層２に接する電
極膜13とが形成される。電極板９と電極膜13とには、電
極膜13側を正とする約0.6Vの電源14が接続される。この
電圧印加によりＮ型Si層２は、Ｐ型Si領域５及びＰ型Si
基板１より耐エッチング性が増す。そのためＰ型Si領域
５とＰ型Si基板１の部分ではエッチングが進み、Ｎ型Si
層２との境界で、実質的にエッチングは止まる。なお、
エッチング液としては、エチレンジアミン系やKOHの水
溶液が使用される。
チング法について説明する。Siウェーハ８及び電極板９
（一般にPt等を用いる）がエッチング浴槽10中のSiエッ
チング液11に浸される。Siウェーハ８の被エッチング面
と反対側の主面には酸化膜12と、Ｎ型Si層２に接する電
極膜13とが形成される。電極板９と電極膜13とには、電
極膜13側を正とする約0.6Vの電源14が接続される。この
電圧印加によりＮ型Si層２は、Ｐ型Si領域５及びＰ型Si
基板１より耐エッチング性が増す。そのためＰ型Si領域
５とＰ型Si基板１の部分ではエッチングが進み、Ｎ型Si
層２との境界で、実質的にエッチングは止まる。なお、
エッチング液としては、エチレンジアミン系やKOHの水
溶液が使用される。
上記構成の半導体加速度センサーにおいてSi片持ばり
３に垂直に加速度Ｇが加わったとき、Si片持ばりは偏位
する。これによりSi片持ばり３の固定端近傍の薄肉部に
設けられたピエゾ抵抗層（図示していない）の抵抗値Ｒ
が、Ｒ＋△Ｒに変化したとすると、一般に次式が成立す
る。
３に垂直に加速度Ｇが加わったとき、Si片持ばりは偏位
する。これによりSi片持ばり３の固定端近傍の薄肉部に
設けられたピエゾ抵抗層（図示していない）の抵抗値Ｒ
が、Ｒ＋△Ｒに変化したとすると、一般に次式が成立す
る。
ｍはSi片持ばり３及びSi重り４の合計質量、ｌは固定
端よりこれらSi層の重心Ｇまでの距離、ｈはSi片持ばり
３の薄肉部の厚さ、ｗはその幅、Ｋはピエゾ抵抗係数と
呼ばれ、ピエゾ抵抗層の結晶方位、不純物濃度等により
決まる定数である（第６図参照）。このピエゾ抵抗値の
変化の割合△R/Rは、例えばブリッジ回路等を用いて検
出される。
端よりこれらSi層の重心Ｇまでの距離、ｈはSi片持ばり
３の薄肉部の厚さ、ｗはその幅、Ｋはピエゾ抵抗係数と
呼ばれ、ピエゾ抵抗層の結晶方位、不純物濃度等により
決まる定数である（第６図参照）。このピエゾ抵抗値の
変化の割合△R/Rは、例えばブリッジ回路等を用いて検
出される。
上記の従来例においては、エレクトロ・ケミカル・エ
ッチング法に問題がある。即ちエッチング工程中、薄肉
部直下のＰ型Si基板１の被エッチング面とエッチング溶
液との界面付近の溶液濃度及び表面電界にバラツキがあ
ると、エッチングが停止した時点でＮ型Si層３の表面に
Ｐ型Siが点在するように残る。即ちSi片持ばり３の薄肉
部の厚さｈが不均一になり、半導体加速度センサとして
の出力特性、例えば△R/Rにバラツキが出てしまうとい
う欠点を有している。
ッチング法に問題がある。即ちエッチング工程中、薄肉
部直下のＰ型Si基板１の被エッチング面とエッチング溶
液との界面付近の溶液濃度及び表面電界にバラツキがあ
ると、エッチングが停止した時点でＮ型Si層３の表面に
Ｐ型Siが点在するように残る。即ちSi片持ばり３の薄肉
部の厚さｈが不均一になり、半導体加速度センサとして
の出力特性、例えば△R/Rにバラツキが出てしまうとい
う欠点を有している。
（発明が解決しようとする課題） これまで述べたように、Si片持ばりの薄肉部の板厚
は、半導体加速度センサの出力を決定する主要な因子で
ある。従って前記薄肉部の板厚は常に一定で均一である
ことが必要である。エレクトロ・ケミカル・エッチング
法により、Si片持ばりを形成する従来技術では、前記薄
肉部の板厚を一定に制御する点に対して改善が得られる
が、前述の通りエッチングのバラツキがあり、未だ十分
とは言えない。又エレクトロ・ケミカル・エッチング法
はケミカル・エッチング法に比べ多くの手数を必要とす
る。
は、半導体加速度センサの出力を決定する主要な因子で
ある。従って前記薄肉部の板厚は常に一定で均一である
ことが必要である。エレクトロ・ケミカル・エッチング
法により、Si片持ばりを形成する従来技術では、前記薄
肉部の板厚を一定に制御する点に対して改善が得られる
が、前述の通りエッチングのバラツキがあり、未だ十分
とは言えない。又エレクトロ・ケミカル・エッチング法
はケミカル・エッチング法に比べ多くの手数を必要とす
る。
本発明は、上記のような点に鑑みなされたもので、よ
り簡単なエッチング法により、Si片持ばりの薄肉部の板
厚をエッチング条件の微妙な変化に影響されることなく
常に一定とし、出力特性にバラツキのない半導体加速度
センサを提供することである。
り簡単なエッチング法により、Si片持ばりの薄肉部の板
厚をエッチング条件の微妙な変化に影響されることなく
常に一定とし、出力特性にバラツキのない半導体加速度
センサを提供することである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の半導体加速度センサは、ピエゾ抵抗層を形成
した薄肉部の一端を固定し、薄肉部から延在する厚肉部
を自由端とする片持半導体部材を有し、この片持半導体
部材の偏位に応じて変化するピエゾ抵抗値により加速度
を検出する半導体加速度センサにおいて、前記半導体が
シリコンであるとともに、前記薄肉部の一方の主面に露
出して形成されるピエゾ抵抗層と、薄肉部の他方の主面
にエレクトロ・ケミカル・エッチングの際のストッパ層
として露出し、前記ピエゾ抵抗層に対抗する直下の領域
を含んで形成されるボロンのピーク不純物濃度が1019at
oms/cm3以上の半導体領域とを、具備することを特徴と
するものである。
した薄肉部の一端を固定し、薄肉部から延在する厚肉部
を自由端とする片持半導体部材を有し、この片持半導体
部材の偏位に応じて変化するピエゾ抵抗値により加速度
を検出する半導体加速度センサにおいて、前記半導体が
シリコンであるとともに、前記薄肉部の一方の主面に露
出して形成されるピエゾ抵抗層と、薄肉部の他方の主面
にエレクトロ・ケミカル・エッチングの際のストッパ層
として露出し、前記ピエゾ抵抗層に対抗する直下の領域
を含んで形成されるボロンのピーク不純物濃度が1019at
oms/cm3以上の半導体領域とを、具備することを特徴と
するものである。
（作用） 半導体加速度センサの薄肉部と厚肉部とを有する片持
半導体部材は、KOH水溶液等を用いたSi基板の異方性エ
ッチングにより形成される。
半導体部材は、KOH水溶液等を用いたSi基板の異方性エ
ッチングにより形成される。
本発明に係る半導体加速度センサにおいては、ピエゾ
抵抗層直下のSi基板領域に、予め高ピーク不純物濃度の
半導体領域を埋め込み、薄肉部形成のための前記異方性
エッチングに際し、エッチング・ストッパ層として機能
させる。これにより片持半導体部材の薄肉部の板厚はバ
ラツキなく均一に形成される。又前記埋め込み領域をエ
ッチング・ストッパ層として機能させるためには、不純
物濃度は勾配を有し、そのピーク不純物濃度は1019atom
s/cm3以上であることが必要である（第３図参照）。な
お、埋め込んだ高ピーク不純物濃度の半導体領域に、さ
らに素子としての電気回路機能が付与されるかどうか
は、本願発明にとって関連がない。
抵抗層直下のSi基板領域に、予め高ピーク不純物濃度の
半導体領域を埋め込み、薄肉部形成のための前記異方性
エッチングに際し、エッチング・ストッパ層として機能
させる。これにより片持半導体部材の薄肉部の板厚はバ
ラツキなく均一に形成される。又前記埋め込み領域をエ
ッチング・ストッパ層として機能させるためには、不純
物濃度は勾配を有し、そのピーク不純物濃度は1019atom
s/cm3以上であることが必要である（第３図参照）。な
お、埋め込んだ高ピーク不純物濃度の半導体領域に、さ
らに素子としての電気回路機能が付与されるかどうか
は、本願発明にとって関連がない。
（実施例） 第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の半導体加速度セン
サの一実施例のそれぞれ斜視図及びOO´線断面図であ
る。Ｐ型Si基板21上にＮ型Si層22が積層される。この積
層基板を加工して、片持半導体部材40が形成される。片
持半導体部材40は、薄肉部40a及び延在する厚肉部40bと
から成る。薄肉部40aは、Ｎ型Si層22と同体で、その一
端は基板21に固定され、他端は厚肉部40b内に延在し
て、Si片持ばり23を構成する。厚肉部40bと固定端を除
く薄肉部40aとは、その回りの空隙27によって基板21か
ら分離される。厚肉部40bはSi片持ばり23の前記延在部
分と、これに固着する基板21の分離された部分即ちSi重
り24とから成り、片持半導体部材40の自由端を形成す
る。
サの一実施例のそれぞれ斜視図及びOO´線断面図であ
る。Ｐ型Si基板21上にＮ型Si層22が積層される。この積
層基板を加工して、片持半導体部材40が形成される。片
持半導体部材40は、薄肉部40a及び延在する厚肉部40bと
から成る。薄肉部40aは、Ｎ型Si層22と同体で、その一
端は基板21に固定され、他端は厚肉部40b内に延在し
て、Si片持ばり23を構成する。厚肉部40bと固定端を除
く薄肉部40aとは、その回りの空隙27によって基板21か
ら分離される。厚肉部40bはSi片持ばり23の前記延在部
分と、これに固着する基板21の分離された部分即ちSi重
り24とから成り、片持半導体部材40の自由端を形成す
る。
薄肉部40aの一方の主面（図面では上面）に露出した
ピエゾ抵抗層（Ｐ型拡散層）28が形成されている。図面
では、代表例として、Si片持ばりの長手方向のピエゾ抵
抗層と幅方向のピエゾ抵抗層とを図示しているが、これ
に限定されない。薄肉部40aの他方の主面（下面）に露
出して、前記ピエゾ抵抗層に対向する直下の領域を含ん
で、ピーク不純物濃度が1019atoms/cm3以上、例えば５
×1019atoms/cm3のP+半導体領域（以後P+埋め込み層と
呼ぶ）25が形成されている。符号26は、SiO2膜とSi3N4
膜とから成るエッチング用マスクである。なおピエゾ抵
抗層のAl電極配線及びチップ表面の保護膜等の図示は省
略してある。
ピエゾ抵抗層（Ｐ型拡散層）28が形成されている。図面
では、代表例として、Si片持ばりの長手方向のピエゾ抵
抗層と幅方向のピエゾ抵抗層とを図示しているが、これ
に限定されない。薄肉部40aの他方の主面（下面）に露
出して、前記ピエゾ抵抗層に対向する直下の領域を含ん
で、ピーク不純物濃度が1019atoms/cm3以上、例えば５
×1019atoms/cm3のP+半導体領域（以後P+埋め込み層と
呼ぶ）25が形成されている。符号26は、SiO2膜とSi3N4
膜とから成るエッチング用マスクである。なおピエゾ抵
抗層のAl電極配線及びチップ表面の保護膜等の図示は省
略してある。
次に上記半導体加速度センサの製造工程の概略につい
て、図面を参照して説明する。第２図に示すようにまず
不純物濃度（ボロンの濃度）が1015atoms/cm3程度で厚
さ約300μｍの（100）面Ｐ型Si基板21を準備する。次に
Si基板21の表面に熱酸化膜を形成し、光蝕刻法により熱
酸化膜を開口し、Ｐ型不純物例えばボロンを選択的に拡
散して、エッチングストッパ層となるP+埋め込み層25を
形成する。次に熱酸化膜を除去した後、基板表面に、エ
ピタキシャル気相成長により、不純物濃度が1015atoms/
cm3程度、厚さ20μｍのＮ型Si層22を堆積する。エピタ
キシャル成長の間、Si基板21及びＮ型Si層22は約1100℃
の高温に加熱されるので、前記P+埋め込み層25は、不純
物が、基板21及びSi層22内へ更に拡散され、不純物濃度
勾配を持つ厚さ10μｍで、ピーク不純物濃度1019atoms/
cm3以上の層となる。次に通常のシリコンプロセスによ
り、P+埋め込み層25上のＮ型Si層22内に選択的にピエゾ
抵抗層28（Ｐ型拡散層）を形成し、引き続きこれとオー
ミック接触をするAl電極及びパッシベーション膜（図示
なし）を設ける。次に、Ｐ型Si基板21の裏面にSiO2膜と
Si3N4膜から成るエッチング用マスク26を形成する。
て、図面を参照して説明する。第２図に示すようにまず
不純物濃度（ボロンの濃度）が1015atoms/cm3程度で厚
さ約300μｍの（100）面Ｐ型Si基板21を準備する。次に
Si基板21の表面に熱酸化膜を形成し、光蝕刻法により熱
酸化膜を開口し、Ｐ型不純物例えばボロンを選択的に拡
散して、エッチングストッパ層となるP+埋め込み層25を
形成する。次に熱酸化膜を除去した後、基板表面に、エ
ピタキシャル気相成長により、不純物濃度が1015atoms/
cm3程度、厚さ20μｍのＮ型Si層22を堆積する。エピタ
キシャル成長の間、Si基板21及びＮ型Si層22は約1100℃
の高温に加熱されるので、前記P+埋め込み層25は、不純
物が、基板21及びSi層22内へ更に拡散され、不純物濃度
勾配を持つ厚さ10μｍで、ピーク不純物濃度1019atoms/
cm3以上の層となる。次に通常のシリコンプロセスによ
り、P+埋め込み層25上のＮ型Si層22内に選択的にピエゾ
抵抗層28（Ｐ型拡散層）を形成し、引き続きこれとオー
ミック接触をするAl電極及びパッシベーション膜（図示
なし）を設ける。次に、Ｐ型Si基板21の裏面にSiO2膜と
Si3N4膜から成るエッチング用マスク26を形成する。
次に第１図に示すように、薄肉部40a及び厚肉部40bを
形成するために、Si基板21の表面（上面）をワックス等
により保護し、裏面（下面）から約90℃程度のKOH水溶
液中にて異方性エッチングを行ない、空隙27を形成する
と同時に、薄肉部40a及び厚肉部40bの形状、寸法、即ち
Si片持ばり23及びSi重り24の形状、寸法を精度良く決定
し、半導体加速度センサが得られる。
形成するために、Si基板21の表面（上面）をワックス等
により保護し、裏面（下面）から約90℃程度のKOH水溶
液中にて異方性エッチングを行ない、空隙27を形成する
と同時に、薄肉部40a及び厚肉部40bの形状、寸法、即ち
Si片持ばり23及びSi重り24の形状、寸法を精度良く決定
し、半導体加速度センサが得られる。
KOH水溶液によるSi基板の異方性エッチングにおい
て、エッチング速度とSi基板のピーク不純物濃度との相
互依存性は第３図に示す通りである。横軸はSi基板のピ
ーク不純物濃度（atoms/cm3）、縦軸はエッチング速度
（任意目盛）である。同図によればSi基板のピーク不純
物濃度が1019atoms/cm3前後で、エッチング速度は階段
状に変化する。この特性は、KOH水溶液の濃度や、液温
等のエッチング条件の微妙な変化に影響されないで、ほ
ぼ一定である。従ってピーク不純物濃度が1019atoms/cm
3以上のP+埋め込み層25を薄肉部40a直下に設けておけ
ば、エッチングは該層25で実質的にストップする。他方
P+埋め込み層を設けていない空隙形成領域では引き続き
エッチングが行なわれ、空隙27が形成される。
て、エッチング速度とSi基板のピーク不純物濃度との相
互依存性は第３図に示す通りである。横軸はSi基板のピ
ーク不純物濃度（atoms/cm3）、縦軸はエッチング速度
（任意目盛）である。同図によればSi基板のピーク不純
物濃度が1019atoms/cm3前後で、エッチング速度は階段
状に変化する。この特性は、KOH水溶液の濃度や、液温
等のエッチング条件の微妙な変化に影響されないで、ほ
ぼ一定である。従ってピーク不純物濃度が1019atoms/cm
3以上のP+埋め込み層25を薄肉部40a直下に設けておけ
ば、エッチングは該層25で実質的にストップする。他方
P+埋め込み層を設けていない空隙形成領域では引き続き
エッチングが行なわれ、空隙27が形成される。
これにより、Si片持ばり23の板厚ｈは、エッチング条
件、即ちKOH水溶液の濃度及び温度、或いはエッチング
時間等の微妙なバラツキに関係なく、使用するSi基板の
P+埋め込み層及びエピタキシャル層の厚さにより決定さ
れる。従って△R/R値はバラツキが小さく、出力特性の
揃った半導体加速度センサが得られる。なお試行結果に
よれば、上述の実施例の半導体加速度センサの出力特性
のバラツキ幅は、従来の加速度センサのバラツキ幅の約
数分の１程度と大幅に改善することができた。
件、即ちKOH水溶液の濃度及び温度、或いはエッチング
時間等の微妙なバラツキに関係なく、使用するSi基板の
P+埋め込み層及びエピタキシャル層の厚さにより決定さ
れる。従って△R/R値はバラツキが小さく、出力特性の
揃った半導体加速度センサが得られる。なお試行結果に
よれば、上述の実施例の半導体加速度センサの出力特性
のバラツキ幅は、従来の加速度センサのバラツキ幅の約
数分の１程度と大幅に改善することができた。
なお上記実施例においては、（100）面でＰ型のSi基
板の場合について述べたが、（110）面であっても、Ｎ
型であっても、そしてこれらのどの組み合わせであって
も、本発明を適用することができる。
板の場合について述べたが、（110）面であっても、Ｎ
型であっても、そしてこれらのどの組み合わせであって
も、本発明を適用することができる。
上記実施例においては、P+埋め込み層が１個の場合に
について述べたが、形状及び位置が同じものが複数個の
場合や、形状及び位置が異なるもの複数個の場合でも差
し支えない。第４図はその一例を示すもので、Si基板41
とエピタキシャル層42との間の同じ深さの位置に、形状
の異なる２つのP+埋め込み層45a及び45bを設けたもので
ある。又第５図は他の一例で、Si基板51とエピタキシャ
ル層52から成る積層基板の異なる深さの位置に、形状の
同じP+埋め込み層55a、55bを設けたものである。このよ
うに、必要により複数個のP+埋め込み層を形成し、出力
特性の異なる多目的半導体加速度センサを容易に得るこ
とができる。
について述べたが、形状及び位置が同じものが複数個の
場合や、形状及び位置が異なるもの複数個の場合でも差
し支えない。第４図はその一例を示すもので、Si基板41
とエピタキシャル層42との間の同じ深さの位置に、形状
の異なる２つのP+埋め込み層45a及び45bを設けたもので
ある。又第５図は他の一例で、Si基板51とエピタキシャ
ル層52から成る積層基板の異なる深さの位置に、形状の
同じP+埋め込み層55a、55bを設けたものである。このよ
うに、必要により複数個のP+埋め込み層を形成し、出力
特性の異なる多目的半導体加速度センサを容易に得るこ
とができる。
［発明の効果］ 以上述べたように、本発明の半導体加速度センサにお
いては、薄肉部（片持ばり）の板厚を、使用する基板の
P+埋め込み層及びエピタキシャル層の厚さにより決定で
きるので、エッチング条件の微妙な変化に影響されるこ
となく板厚はほぼ一定で、出力特性の揃った半導体加速
度センサを容易に高歩留りで製造できる。
いては、薄肉部（片持ばり）の板厚を、使用する基板の
P+埋め込み層及びエピタキシャル層の厚さにより決定で
きるので、エッチング条件の微妙な変化に影響されるこ
となく板厚はほぼ一定で、出力特性の揃った半導体加速
度センサを容易に高歩留りで製造できる。
第１図（ａ）及び（ｂ）は、本発明の半導体加速度セン
サの一実施例のそれぞれ斜視図及び断面図、第２図
（ａ）及び（ｂ）は第１図の半導体加速度センサの製造
工程を説明するためのそれぞれ平面図及び断面図、第３
図はエッチング速度のピーク不純物濃度依存性を示す
図、第４図及び第５図は本発明の他の実施例に用いられ
る半導体基板の断面図、第６図（ａ）及び（ｂ）は従来
の半導体加速度センサの一例を示すそれぞれ平面図及び
断面図、第７図（ａ）及び（ｂ）は第６図の半導体加速
度センサの製造工程を説明するためのそれぞれ平面図及
び断面図、第８図はエレクトロ・ケミカル・エッチング
を説明するための図である。 1,21,41,51……半導体基板、2,22,42,52……エピタキシ
ャルSi層、3,23……Si片持ばり、4,24……Si重り、6,26
……マスク、7,27……空隙、25……ピーク不純物濃度が
1019atoms/cm3以上の半導体領域（P+埋め込み層）、28
……ピエゾ抵抗層、40……片持半導体部材、40a……薄
肉部、40b……厚肉部。
サの一実施例のそれぞれ斜視図及び断面図、第２図
（ａ）及び（ｂ）は第１図の半導体加速度センサの製造
工程を説明するためのそれぞれ平面図及び断面図、第３
図はエッチング速度のピーク不純物濃度依存性を示す
図、第４図及び第５図は本発明の他の実施例に用いられ
る半導体基板の断面図、第６図（ａ）及び（ｂ）は従来
の半導体加速度センサの一例を示すそれぞれ平面図及び
断面図、第７図（ａ）及び（ｂ）は第６図の半導体加速
度センサの製造工程を説明するためのそれぞれ平面図及
び断面図、第８図はエレクトロ・ケミカル・エッチング
を説明するための図である。 1,21,41,51……半導体基板、2,22,42,52……エピタキシ
ャルSi層、3,23……Si片持ばり、4,24……Si重り、6,26
……マスク、7,27……空隙、25……ピーク不純物濃度が
1019atoms/cm3以上の半導体領域（P+埋め込み層）、28
……ピエゾ抵抗層、40……片持半導体部材、40a……薄
肉部、40b……厚肉部。
Claims (1)
- 【請求項１】ピエゾ抵抗層を形成した薄肉部の一端を固
定し、薄肉部から延在する厚肉部を自由端とする片持半
導体部材を有し、この片持半導体部材の偏位に応じて変
化するピエゾ抵抗値により加速度を検出する半導体加速
度センサにおいて、前記半導体がシリコンであるととも
に、前記薄肉部の一方の主面に露出して形成されるピエ
ゾ抵抗層と、薄肉部の他方の主面にエレクトロ・ケミカ
ル・エッチングの際のストッパ層として露出し、前記ピ
エゾ抵抗層に対向する直下の領域を含んで形成されるボ
ロンのピーク不純物濃度が1019atoms/cm3以上の半導体
領域とを、具備することを特徴とする半導体加速度セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1114772A JPH0827296B2 (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1114772A JPH0827296B2 (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 半導体加速度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02293669A JPH02293669A (ja) | 1990-12-04 |
| JPH0827296B2 true JPH0827296B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=14646306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1114772A Expired - Fee Related JPH0827296B2 (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0827296B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110262A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-26 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6459161A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-06 | Fujikura Ltd | Semiconductor acceleration sensor and manufacture thereof |
-
1989
- 1989-05-08 JP JP1114772A patent/JPH0827296B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110262A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-26 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02293669A (ja) | 1990-12-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |