JPH08271154A - 真空加熱炉 - Google Patents
真空加熱炉Info
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- JPH08271154A JPH08271154A JP7320995A JP7320995A JPH08271154A JP H08271154 A JPH08271154 A JP H08271154A JP 7320995 A JP7320995 A JP 7320995A JP 7320995 A JP7320995 A JP 7320995A JP H08271154 A JPH08271154 A JP H08271154A
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- inert gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空加熱炉のシングルエンド型ラジアントチ
ュ−ブバ−ナの外管が破損して燃焼ガス又は燃焼用エア
が炉体内に侵入し、加熱室に置かれた処理品が酸化した
り、加熱室を区画する断熱材が焼損することを防止す
る。 【構成】 上記目的を果たす真空加熱炉は、炉体内の圧
力を検知する圧力センサ３１と、ガスの供給を制御する
ガス供給電磁弁３６と、エアの供給を制御するエア供給
電磁弁３７と、炉体内に不活性ガスを導入する不活性ガ
ス導入管と、その不活性ガス導入管から炉体内に導入さ
れる不活性ガスの供給を制御する不活性ガス供給電磁弁
３８と、圧力センサ３１からの信号に基づいて炉体内の
圧力が所定値を越えたと判断したときガス供給電磁弁３
６とエア供給電磁弁３７とを遮断制御するとともに、不
活性ガス供給電磁弁３８を開弁制御して不活性ガスを炉
体内に導入する電磁弁制御回路３９とを備えた構成にな
っている。
ュ−ブバ−ナの外管が破損して燃焼ガス又は燃焼用エア
が炉体内に侵入し、加熱室に置かれた処理品が酸化した
り、加熱室を区画する断熱材が焼損することを防止す
る。 【構成】 上記目的を果たす真空加熱炉は、炉体内の圧
力を検知する圧力センサ３１と、ガスの供給を制御する
ガス供給電磁弁３６と、エアの供給を制御するエア供給
電磁弁３７と、炉体内に不活性ガスを導入する不活性ガ
ス導入管と、その不活性ガス導入管から炉体内に導入さ
れる不活性ガスの供給を制御する不活性ガス供給電磁弁
３８と、圧力センサ３１からの信号に基づいて炉体内の
圧力が所定値を越えたと判断したときガス供給電磁弁３
６とエア供給電磁弁３７とを遮断制御するとともに、不
活性ガス供給電磁弁３８を開弁制御して不活性ガスを炉
体内に導入する電磁弁制御回路３９とを備えた構成にな
っている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シングルエンド型ラジ
アントチュ−ブバ−ナを用いた真空加熱炉に関する。
アントチュ−ブバ−ナを用いた真空加熱炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シングルエンド型ラジアントチュ
−ブバ−ナを用いた真空加熱炉として図３に示すような
ものがある。図３はシングルエンド型ラジアントチュ−
ブバ−ナを用いた真空加熱炉の側面図であり、内部の構
成が判るように図示している。真空加熱炉１は、水冷ジ
ャケット型の炉体２に複数のシングルエンド型のラジア
ントチュ−ブバ−ナ５が取着されており、炉体２内の加
熱室４内がラジアントチュ−ブバ−ナ５により加温され
る。
−ブバ−ナを用いた真空加熱炉として図３に示すような
ものがある。図３はシングルエンド型ラジアントチュ−
ブバ−ナを用いた真空加熱炉の側面図であり、内部の構
成が判るように図示している。真空加熱炉１は、水冷ジ
ャケット型の炉体２に複数のシングルエンド型のラジア
ントチュ−ブバ−ナ５が取着されており、炉体２内の加
熱室４内がラジアントチュ−ブバ−ナ５により加温され
る。
【０００３】加熱室４は、グラファイト製の断熱材３で
区画されており、加熱室４内に搬入された処理品が真空
状態で熱処理されるようになっている。一方、加熱室４
の外側には、ガスク−ラ−７と、ガスク−ラ−７を通過
する冷却エアを矢印で示すように循環させる冷却ファン
８とを装備した冷却装置が設けられている。
区画されており、加熱室４内に搬入された処理品が真空
状態で熱処理されるようになっている。一方、加熱室４
の外側には、ガスク−ラ−７と、ガスク−ラ−７を通過
する冷却エアを矢印で示すように循環させる冷却ファン
８とを装備した冷却装置が設けられている。
【０００４】図４は真空加熱炉１の炉体２に装備された
シングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナ５の構成を
示した断面図である。シングルエンド型ラジアントチュ
−ブバ−ナ５は、主たる構成材料がセラミックであり、
内管１１、外管１２、バ−ナボディ１３を備え、内管１
１の内径部にはバ−ナノズル１４が装備されている。こ
のバ−ナノズル１４に接続されたガスパイプ１５はガス
入口１６に連通されており、このガス入口１６には、後
述のガス供給電磁弁（図２参照）が開弁制御されたとき
外部からガスが供給される。
シングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナ５の構成を
示した断面図である。シングルエンド型ラジアントチュ
−ブバ−ナ５は、主たる構成材料がセラミックであり、
内管１１、外管１２、バ−ナボディ１３を備え、内管１
１の内径部にはバ−ナノズル１４が装備されている。こ
のバ−ナノズル１４に接続されたガスパイプ１５はガス
入口１６に連通されており、このガス入口１６には、後
述のガス供給電磁弁（図２参照）が開弁制御されたとき
外部からガスが供給される。
【０００５】バ−ナボディ１３の上部にはガスボディ１
７が装着されており、そのガスボディ１７には、点火用
のスパ−クプラグ１８が装備されているとともに、前記
ガス入口１６が形成されている。また、バ−ナボディ１
３には、ガス入口１６から供給されたガスと混合される
エアの供給口となるエア入口１９が形成されているとと
もに、前記バ−ナノズル１４部で燃焼された燃焼ガスが
内管１１の先端で反転され外管１２と内管１１の間の空
隙２０を流れたあとに排出される排ガス出口２１が形成
されている。尚、上記エア入口１９には、後述のエア供
給電磁弁（図２参照）が開弁制御されたとき外部からエ
アが供給される。
７が装着されており、そのガスボディ１７には、点火用
のスパ−クプラグ１８が装備されているとともに、前記
ガス入口１６が形成されている。また、バ−ナボディ１
３には、ガス入口１６から供給されたガスと混合される
エアの供給口となるエア入口１９が形成されているとと
もに、前記バ−ナノズル１４部で燃焼された燃焼ガスが
内管１１の先端で反転され外管１２と内管１１の間の空
隙２０を流れたあとに排出される排ガス出口２１が形成
されている。尚、上記エア入口１９には、後述のエア供
給電磁弁（図２参照）が開弁制御されたとき外部からエ
アが供給される。
【０００６】また、シングルエンド型ラジアントチュ−
ブバ−ナ５の外管１２の基端部に形成された外管フラン
ジ１２Ａと水冷ジャケット２２との間に合成ゴム製のＯ
リング２３が装着されている。この水冷ジャケット２２
は、外管１２と内管１１の間の空隙２０を流れる高温の
燃焼ガスの熱影響を受けるＯリング２３を熱的な劣化か
ら保護するために外管フランジ１２Ａを冷却するもので
あり、必要に応じてバ−ナボディ１３と外管フランジ１
２Ａとの間にもう１個の水冷ジャケットを装備すること
もある。
ブバ−ナ５の外管１２の基端部に形成された外管フラン
ジ１２Ａと水冷ジャケット２２との間に合成ゴム製のＯ
リング２３が装着されている。この水冷ジャケット２２
は、外管１２と内管１１の間の空隙２０を流れる高温の
燃焼ガスの熱影響を受けるＯリング２３を熱的な劣化か
ら保護するために外管フランジ１２Ａを冷却するもので
あり、必要に応じてバ−ナボディ１３と外管フランジ１
２Ａとの間にもう１個の水冷ジャケットを装備すること
もある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の真空加熱炉
１において、シングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−
ナ５のセラミックで出来た外管１２が、何らかの原因で
破損した場合、燃焼ガス又はエアが炉体２内に侵入す
る。この状態では、炉体２内の雰囲気が乱され、加熱室
４で熱処理される処理品が酸化したり、断熱材３が焼損
する恐れがある。
１において、シングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−
ナ５のセラミックで出来た外管１２が、何らかの原因で
破損した場合、燃焼ガス又はエアが炉体２内に侵入す
る。この状態では、炉体２内の雰囲気が乱され、加熱室
４で熱処理される処理品が酸化したり、断熱材３が焼損
する恐れがある。
【０００８】そこで本発明では、シングルエンド型ラジ
アントチュ−ブバ−ナ５の外管１２等が破損しても、加
熱室４内で熱処理される処理品の酸化や、炉体２内の断
熱材３の焼損を防止できるようにすることを解決すべき
課題とするものである。
アントチュ−ブバ−ナ５の外管１２等が破損しても、加
熱室４内で熱処理される処理品の酸化や、炉体２内の断
熱材３の焼損を防止できるようにすることを解決すべき
課題とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明では上記課題解決
のために、外管の基端部にバ−ナボディを取り付け、そ
のバ−ナボディを介して外部から供給されたガスとエア
とを内管内で燃焼させ、その燃焼ガスを内管先端で反転
させて外管と内管の間の空隙に流し、同空隙に連通され
たバ−ナボディ形成の排ガス出口から排出させるシング
ルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナを炉体に取着した
真空加熱炉において、前記炉体内の圧力を検知して検知
圧力対応の信号を出力する圧力センサと、前記ガスを供
給制御するガス用制御弁と、前記エアを供給制御するエ
ア用制御弁と、前記炉体内に不活性ガスを導入する不活
性ガス導入手段と、その不活性ガス導入手段から前記炉
体内に導入される不活性ガスを供給制御する不活性ガス
用制御弁と、前記圧力センサからの信号に対応した前記
炉体内の圧力が所定値を越えたときに前記ガス用制御弁
と前記エア用制御弁とを遮断制御するとともに、前記不
活性ガス用制御弁を開弁制御して前記不活性ガスを前記
炉体内に導入する制御手段とを備えることである。
のために、外管の基端部にバ−ナボディを取り付け、そ
のバ−ナボディを介して外部から供給されたガスとエア
とを内管内で燃焼させ、その燃焼ガスを内管先端で反転
させて外管と内管の間の空隙に流し、同空隙に連通され
たバ−ナボディ形成の排ガス出口から排出させるシング
ルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナを炉体に取着した
真空加熱炉において、前記炉体内の圧力を検知して検知
圧力対応の信号を出力する圧力センサと、前記ガスを供
給制御するガス用制御弁と、前記エアを供給制御するエ
ア用制御弁と、前記炉体内に不活性ガスを導入する不活
性ガス導入手段と、その不活性ガス導入手段から前記炉
体内に導入される不活性ガスを供給制御する不活性ガス
用制御弁と、前記圧力センサからの信号に対応した前記
炉体内の圧力が所定値を越えたときに前記ガス用制御弁
と前記エア用制御弁とを遮断制御するとともに、前記不
活性ガス用制御弁を開弁制御して前記不活性ガスを前記
炉体内に導入する制御手段とを備えることである。
【００１０】
【作用】請求項１の構成の真空加熱炉によれば、シング
ルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナの外管が何らかの
原因で破損し、燃焼ガス又はエアが炉体内に進入して炉
体内の圧力が上がると、圧力センサから圧力上昇に応じ
た信号が出力されるため制御手段は、この圧力が所定値
を越えると、ガス用制御弁とエア用制御弁とを遮断制御
してシングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナに対す
るガスとエアとの供給を停止し、シングルエンド型ラジ
アントチュ−ブバ−ナによる加熱を停止させるととも
に、不活性ガス用制御弁を開弁制御して不活性ガス導入
手段から不活性ガスを炉体内に導入させ、炉体内の処理
品の酸化や炉体内の断熱材の焼損を防止する。
ルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナの外管が何らかの
原因で破損し、燃焼ガス又はエアが炉体内に進入して炉
体内の圧力が上がると、圧力センサから圧力上昇に応じ
た信号が出力されるため制御手段は、この圧力が所定値
を越えると、ガス用制御弁とエア用制御弁とを遮断制御
してシングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナに対す
るガスとエアとの供給を停止し、シングルエンド型ラジ
アントチュ−ブバ−ナによる加熱を停止させるととも
に、不活性ガス用制御弁を開弁制御して不活性ガス導入
手段から不活性ガスを炉体内に導入させ、炉体内の処理
品の酸化や炉体内の断熱材の焼損を防止する。
【００１１】また、請求項２の構成の真空加熱炉によれ
ば、不活性ガス導入手段から不活性ガスが炉体内に導入
されるとき、炉体内に設けられた断熱材で区画された加
熱室の内側と外側の圧力がほぼ等しくなるように不活性
ガスが供給されるため、断熱材の内側と外側の圧力差に
伴う断熱材の破損あるいは変形が防止される。
ば、不活性ガス導入手段から不活性ガスが炉体内に導入
されるとき、炉体内に設けられた断熱材で区画された加
熱室の内側と外側の圧力がほぼ等しくなるように不活性
ガスが供給されるため、断熱材の内側と外側の圧力差に
伴う断熱材の破損あるいは変形が防止される。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。尚、本実施例で説明する真空加熱炉は、基本
的構成が前記従来の技術の欄で説明した図３の真空加熱
炉１と同じであるため、その重複説明を避ける。また、
シングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナの構成も前
記従来の技術の欄で説明した図４のシングルエンド型ラ
ジアントチュ−ブバ−ナ５と同じであるため、その構成
の説明を省略する。
説明する。尚、本実施例で説明する真空加熱炉は、基本
的構成が前記従来の技術の欄で説明した図３の真空加熱
炉１と同じであるため、その重複説明を避ける。また、
シングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナの構成も前
記従来の技術の欄で説明した図４のシングルエンド型ラ
ジアントチュ−ブバ−ナ５と同じであるため、その構成
の説明を省略する。
【００１３】図１は、前記従来の技術の欄で説明した図
３の真空加熱炉１のＡ−Ａ断面図であり、その真空加熱
炉１に対して、以下に示す制御用部品を装備した状態を
示したものである。図１に示すように、真空加熱炉１の
炉体２には、炉体２内の圧力を検知するための圧力セン
サ３１が取り付けられているとともに、シングルエンド
型ラジアントチュ−ブバ−ナ５の外管１２が何らかの原
因で破損し、燃焼ガス又はエアが炉体２内に侵入したと
き、加熱室４内に置かれた処理品Ｗの酸化や、断熱材３
の焼損を防止するため、窒素ガスあるいはアルゴンガス
などの不活性ガスを炉体２内に導入する不活性ガス導入
管３２が取り付けられている。また、真空加熱炉１の炉
体２には、温度センサとしての熱電対３３が取り付けら
れている。
３の真空加熱炉１のＡ−Ａ断面図であり、その真空加熱
炉１に対して、以下に示す制御用部品を装備した状態を
示したものである。図１に示すように、真空加熱炉１の
炉体２には、炉体２内の圧力を検知するための圧力セン
サ３１が取り付けられているとともに、シングルエンド
型ラジアントチュ−ブバ−ナ５の外管１２が何らかの原
因で破損し、燃焼ガス又はエアが炉体２内に侵入したと
き、加熱室４内に置かれた処理品Ｗの酸化や、断熱材３
の焼損を防止するため、窒素ガスあるいはアルゴンガス
などの不活性ガスを炉体２内に導入する不活性ガス導入
管３２が取り付けられている。また、真空加熱炉１の炉
体２には、温度センサとしての熱電対３３が取り付けら
れている。
【００１４】上記不活性ガス導入管３２は、炉体２の炉
壁を貫通されており、不活性ガスを炉体２内に吹き出す
吹き出し口３４，３５が不活性ガス導入管３２の端部に
開口されている。この吹き出し口３４は断熱材３で区画
された加熱室４内部に開口されており、別の吹き出し口
３５は断熱材３で区画された加熱室４外部に開口されて
いる。
壁を貫通されており、不活性ガスを炉体２内に吹き出す
吹き出し口３４，３５が不活性ガス導入管３２の端部に
開口されている。この吹き出し口３４は断熱材３で区画
された加熱室４内部に開口されており、別の吹き出し口
３５は断熱材３で区画された加熱室４外部に開口されて
いる。
【００１５】図２は、真空加熱炉１において、シングル
エンド型ラジアントチュ−ブバ−ナ５の外管１２が何ら
かの原因で破損し、燃焼ガス又はエアが炉体２内に侵入
したとき、処理品の酸化や、断熱材３の焼損を防止する
ため、ガスやエアの供給を停止するとともに、窒素ガス
あるいはアルゴンガスなどの不活性ガスを炉体２内に導
入するための制御ブロック図である。
エンド型ラジアントチュ−ブバ−ナ５の外管１２が何ら
かの原因で破損し、燃焼ガス又はエアが炉体２内に侵入
したとき、処理品の酸化や、断熱材３の焼損を防止する
ため、ガスやエアの供給を停止するとともに、窒素ガス
あるいはアルゴンガスなどの不活性ガスを炉体２内に導
入するための制御ブロック図である。
【００１６】前記従来の技術の欄で説明したように、前
述のガス入口１６に対してガスを供給したりガスを遮断
する電磁弁が設けられている。図２では、この電磁弁を
ガス供給電磁弁３６として図示している。また、前述の
エア入口１９に対してエアを供給したりエアを遮断する
電磁弁が設けられている。図２では、この電磁弁をエア
供給電磁弁３７として図示している。更に、前述の不活
性ガス導入管３２に対して不活性ガスを供給したり遮断
する電磁弁を、図２では、不活性ガス供給電磁弁３８と
して図示している。
述のガス入口１６に対してガスを供給したりガスを遮断
する電磁弁が設けられている。図２では、この電磁弁を
ガス供給電磁弁３６として図示している。また、前述の
エア入口１９に対してエアを供給したりエアを遮断する
電磁弁が設けられている。図２では、この電磁弁をエア
供給電磁弁３７として図示している。更に、前述の不活
性ガス導入管３２に対して不活性ガスを供給したり遮断
する電磁弁を、図２では、不活性ガス供給電磁弁３８と
して図示している。
【００１７】電磁弁制御回路３９は、上記ガス供給電磁
弁３６、エア供給電磁弁３７、及び不活性ガス供給電磁
弁３８を制御する回路であり、前述の圧力センサ３１か
ら出力される圧力検知信号に基づいて、上記それぞれの
電磁弁を開閉制御する。
弁３６、エア供給電磁弁３７、及び不活性ガス供給電磁
弁３８を制御する回路であり、前述の圧力センサ３１か
ら出力される圧力検知信号に基づいて、上記それぞれの
電磁弁を開閉制御する。
【００１８】以上のように構成された真空加熱炉１にお
いて、シングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナ５の
外管１２が何らかの原因で破損し、燃焼ガス又はエアが
炉体２内に侵入したとき、次のような制御が行われる。
即ち、炉体２内の圧力が上昇するため、圧力センサ３１
から出力される圧力検知信号は圧力上昇に対応した値に
なる。そのため、電磁弁制御回路３９は、圧力検知信号
のレベルが所定値を越えると、シングルエンド型ラジア
ントチュ−ブバ−ナ５から燃焼ガス又はエアが炉体２内
に侵入したと判断し、ガス供給電磁弁３６、及びエア供
給電磁弁３７を遮断制御してシングルエンド型ラジアン
トチュ−ブバ−ナ５による燃焼加熱を停止して断熱材３
の焼損を防止するとともに、不活性ガス供給電磁弁３８
を開弁制御して前述の不活性ガス導入管３２を介し、窒
素ガスあるいはアルゴンガス等の不活性ガスを吹き出し
口３４，３５から炉体２内に導入して加熱室４内部の処
理品Ｗの酸化を防止する。
いて、シングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナ５の
外管１２が何らかの原因で破損し、燃焼ガス又はエアが
炉体２内に侵入したとき、次のような制御が行われる。
即ち、炉体２内の圧力が上昇するため、圧力センサ３１
から出力される圧力検知信号は圧力上昇に対応した値に
なる。そのため、電磁弁制御回路３９は、圧力検知信号
のレベルが所定値を越えると、シングルエンド型ラジア
ントチュ−ブバ−ナ５から燃焼ガス又はエアが炉体２内
に侵入したと判断し、ガス供給電磁弁３６、及びエア供
給電磁弁３７を遮断制御してシングルエンド型ラジアン
トチュ−ブバ−ナ５による燃焼加熱を停止して断熱材３
の焼損を防止するとともに、不活性ガス供給電磁弁３８
を開弁制御して前述の不活性ガス導入管３２を介し、窒
素ガスあるいはアルゴンガス等の不活性ガスを吹き出し
口３４，３５から炉体２内に導入して加熱室４内部の処
理品Ｗの酸化を防止する。
【００１９】更に、吹き出し口３４から吹き出された不
活性ガスは、断熱材３で区画された加熱室４内部に充満
される一方、吹き出し口３５から吹き出された不活性ガ
スは、加熱室４の外部に充満されるため、断熱材３で区
画された加熱室４の内外の圧力差が殆ど無く、そのため
断熱材３が圧力差で破損したり変形することが防止され
る。
活性ガスは、断熱材３で区画された加熱室４内部に充満
される一方、吹き出し口３５から吹き出された不活性ガ
スは、加熱室４の外部に充満されるため、断熱材３で区
画された加熱室４の内外の圧力差が殆ど無く、そのため
断熱材３が圧力差で破損したり変形することが防止され
る。
【００２０】
【発明の効果】以上のように請求項１の構成の発明によ
れば、シングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナの外
管が何らかの原因で破損し、燃焼ガス又はエアが炉体内
に侵入して炉体内の圧力が上がると、圧力センサから圧
力上昇に応じた信号が出力されるため、制御手段は、炉
体内の圧力が所定値を越えると、ガス用制御弁とエア用
制御弁とを遮断制御してシングルエンド型ラジアントチ
ュ−ブバ−ナに対するガスとエアとの供給を停止し、シ
ングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナによる燃焼加
熱を停止させるとともに、不活性ガス用制御弁を開弁制
御して不活性ガス導入手段から不活性ガスを炉体内に導
入させることができるため、炉体内の処理品の酸化や炉
体内の断熱材の焼損を防止することができるという効果
がある。
れば、シングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナの外
管が何らかの原因で破損し、燃焼ガス又はエアが炉体内
に侵入して炉体内の圧力が上がると、圧力センサから圧
力上昇に応じた信号が出力されるため、制御手段は、炉
体内の圧力が所定値を越えると、ガス用制御弁とエア用
制御弁とを遮断制御してシングルエンド型ラジアントチ
ュ−ブバ−ナに対するガスとエアとの供給を停止し、シ
ングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナによる燃焼加
熱を停止させるとともに、不活性ガス用制御弁を開弁制
御して不活性ガス導入手段から不活性ガスを炉体内に導
入させることができるため、炉体内の処理品の酸化や炉
体内の断熱材の焼損を防止することができるという効果
がある。
【００２１】また、請求項２の構成の発明によれば、不
活性ガス導入時に、炉体内に設けられた断熱材区画の加
熱室の内側と外側の圧力がほぼ等しくなるように不活性
ガスが供給されるため、断熱材が圧力差で破損したり変
形することが防止される。
活性ガス導入時に、炉体内に設けられた断熱材区画の加
熱室の内側と外側の圧力がほぼ等しくなるように不活性
ガスが供給されるため、断熱材が圧力差で破損したり変
形することが防止される。
【図１】真空加熱炉の断面図である。
【図２】真空加熱炉の安全制御ブロック図である。
【図３】真空加熱炉の側面図である。
【図４】シングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナの
断面図である。
断面図である。
１ 真空加熱炉 ２ 炉体 ３ 断熱材 ４ 加熱室 ５ シングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナ ３１ 圧力センサ ３２ 不活性ガス導入管 ３４ 吹き出し口 ３５ 吹き出し口 ３６ ガス供給電磁弁 ３７ エア供給電磁弁 ３８ 不活性ガス供給電磁弁 ３９ 電磁弁制御回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｆ２７Ｄ 7/06 Ｆ２７Ｄ 7/06 Ｃ (72)発明者 丸井戸 茂樹 奈良県天理市嘉幡町229番地 光洋リンド バ−グ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 外管の基端部にバ−ナボディを取り付
け、そのバ−ナボディを介して外部から供給されたガス
とエアとを内管内で燃焼させ、その燃焼ガスを内管先端
で反転させて外管と内管の間の空隙に流し、同空隙に連
通されたバ−ナボディ形成の排ガス出口から排出させる
シングルエンド型ラジアントチュ−ブバ−ナを炉体に取
着した真空加熱炉において、前記炉体内の圧力を検知し
て検知圧力対応の信号を出力する圧力センサと、前記ガ
スの供給を制御するガス用制御弁と、前記エアの供給を
制御するエア用制御弁と、前記炉体内に不活性ガスを導
入する不活性ガス導入手段と、その不活性ガス導入手段
から前記炉体内に導入される不活性ガスの供給を制御す
る不活性ガス用制御弁と、前記圧力センサからの信号に
対応した前記炉体内の圧力が所定値を越えたときに前記
ガス用制御弁と前記エア用制御弁とを遮断制御するとと
もに、前記不活性ガス用制御弁を開弁制御して前記不活
性ガスを前記炉体内に導入する制御手段とを備えたこと
を特徴とする真空加熱炉。 - 【請求項２】 不活性ガス導入手段は、不活性ガス導入
時に、炉体内に設けられた断熱材区画の加熱室の内側と
外側の圧力がほぼ等しくなるように不活性ガスを供給す
ることを特徴とする請求項１記載の真空加熱炉。 - 【請求項３】 不活性ガスを窒素あるいはアルゴンとす
ることを特徴とする請求項１又は請求項２の真空加熱
炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7320995A JP2766213B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 真空加熱炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7320995A JP2766213B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 真空加熱炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08271154A true JPH08271154A (ja) | 1996-10-18 |
| JP2766213B2 JP2766213B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=13511545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7320995A Expired - Fee Related JP2766213B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 真空加熱炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2766213B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200453490Y1 (ko) * | 2008-10-31 | 2011-05-06 | (주) 태양기전 | 마그네슘합금 소재의 습/건식 표면처리장치 |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP7320995A patent/JP2766213B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200453490Y1 (ko) * | 2008-10-31 | 2011-05-06 | (주) 태양기전 | 마그네슘합금 소재의 습/건식 표면처리장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2766213B2 (ja) | 1998-06-18 |
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