JPH0826897A - ボロンウィスカーの製造方法 - Google Patents
ボロンウィスカーの製造方法Info
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- JPH0826897A JPH0826897A JP15977894A JP15977894A JPH0826897A JP H0826897 A JPH0826897 A JP H0826897A JP 15977894 A JP15977894 A JP 15977894A JP 15977894 A JP15977894 A JP 15977894A JP H0826897 A JPH0826897 A JP H0826897A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】危険性の高い原料ガスを用いることなく、安全
な製造設備で、極めて細い径の良質のボロンウィスカー
を得る新規な製造方法を提供する。 【構成】金属または合金を媒体として、ホウ化物にエネ
ルギー線を照射して加熱し、ホウ化物を分解もしくは昇
華させ、気相−液相−固相（ＶＬＳ）メカニズムでホウ
素ウィスカーを成長させる。照射するエネルギー線は、
赤外線、可視光、紫外線、Ｘ線、電子線、イオン線のう
ちの少なくとも１種を用いる。 【効果】ホウ化物に、エネルギー線を照射して分解また
は昇華させるだけで、細く（径が１０〜１０００ｎｍ程
度）、化学・物理的特性に優れた良質のボロンウィスカ
ーを製造することができる。さらに、従来法では得られ
なかった非晶質の優れた特性を持つボロンウィスカーが
得られる。
な製造設備で、極めて細い径の良質のボロンウィスカー
を得る新規な製造方法を提供する。 【構成】金属または合金を媒体として、ホウ化物にエネ
ルギー線を照射して加熱し、ホウ化物を分解もしくは昇
華させ、気相−液相−固相（ＶＬＳ）メカニズムでホウ
素ウィスカーを成長させる。照射するエネルギー線は、
赤外線、可視光、紫外線、Ｘ線、電子線、イオン線のう
ちの少なくとも１種を用いる。 【効果】ホウ化物に、エネルギー線を照射して分解また
は昇華させるだけで、細く（径が１０〜１０００ｎｍ程
度）、化学・物理的特性に優れた良質のボロンウィスカ
ーを製造することができる。さらに、従来法では得られ
なかった非晶質の優れた特性を持つボロンウィスカーが
得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はホウ素ウィスカー（ボロ
ンウィスカー）の新規な製造方法に係り、特に危険性の
高い原料ガスを用いることなく、安全な製造設備で、径
が細く、物理・化学的特性に優れたボロンウィスカーの
製造方法に関する。
ンウィスカー）の新規な製造方法に係り、特に危険性の
高い原料ガスを用いることなく、安全な製造設備で、径
が細く、物理・化学的特性に優れたボロンウィスカーの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属、セラミックスまたは有機物等の材
料からなる数μｍあるいはそれ以下の径の細いウィスカ
ーは、固相、液相または気相法によって合成される〔例
えば、A．P．Levitt，Whisker Technology，John Wiley
＆ Sons（1970）および大蔵明光：新素材プロセス総合
技術、Ｒ＆Ｄプラニング，124（1987）〕。すでに、Ｓi
Ｃ（炭化ケイ素）やＫ2Ｏ・６ＴiＯ2（チタン酸カリウ
ム）等のウィスカーは市販されており、高強度、高耐熱
性、高耐食性、高耐摩耗性を生かして、各種の複合素材
として利用されている。Ｓi（ケイ素）やＳiＣ等の材料
を用い、金（Ａｕ）等の金属を媒体としてウィスカーを
成長させる方法は古くから研究されており、そのウィス
カーの成長機構は、Vaper（気相）−Liquid（液相）−S
olid（固相）〔ＶＬＳ〕メカニズムと呼ばれる代表例の
一つである。また、ホウ素ウィスカーについては、ハロ
ゲン化ボロン（ＢＢr3、ＢＣｌ3等）の化学気相成長
（ＣＶＤ）法、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）のプラズマＣＶＤ法
等を用いて、ＶＬＳメカニズムにより、ウィスカーの径
が数μｍ以上のα、β型菱面晶系、正方晶系の単結晶ウ
ィスカーが得られることが知られている〔I．Ahmad and
W．J．Heffernan，J．Electrochem．Soc.，1181670（19
71）および S．Komatsuand Y．Moriyoshi，J．Cryst．G
rowth，108,63（1991）〕。
料からなる数μｍあるいはそれ以下の径の細いウィスカ
ーは、固相、液相または気相法によって合成される〔例
えば、A．P．Levitt，Whisker Technology，John Wiley
＆ Sons（1970）および大蔵明光：新素材プロセス総合
技術、Ｒ＆Ｄプラニング，124（1987）〕。すでに、Ｓi
Ｃ（炭化ケイ素）やＫ2Ｏ・６ＴiＯ2（チタン酸カリウ
ム）等のウィスカーは市販されており、高強度、高耐熱
性、高耐食性、高耐摩耗性を生かして、各種の複合素材
として利用されている。Ｓi（ケイ素）やＳiＣ等の材料
を用い、金（Ａｕ）等の金属を媒体としてウィスカーを
成長させる方法は古くから研究されており、そのウィス
カーの成長機構は、Vaper（気相）−Liquid（液相）−S
olid（固相）〔ＶＬＳ〕メカニズムと呼ばれる代表例の
一つである。また、ホウ素ウィスカーについては、ハロ
ゲン化ボロン（ＢＢr3、ＢＣｌ3等）の化学気相成長
（ＣＶＤ）法、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）のプラズマＣＶＤ法
等を用いて、ＶＬＳメカニズムにより、ウィスカーの径
が数μｍ以上のα、β型菱面晶系、正方晶系の単結晶ウ
ィスカーが得られることが知られている〔I．Ahmad and
W．J．Heffernan，J．Electrochem．Soc.，1181670（19
71）および S．Komatsuand Y．Moriyoshi，J．Cryst．G
rowth，108,63（1991）〕。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術にお
いて、ハロゲン化ボロンのＣＶＤ法あるいはジボランの
プラズマＣＶＤ法等を用いてホウ素ウィスカーを製造す
る方法は、使用するジボラン等の原料ガスは危険性が高
く、製造設備等において安全性が要求されることから、
製造工程における手間や製造装置に掛かるコストが高く
なり、また、従来法で得られるボロンウィスカーは結晶
性であり、その成長方位も＜１１１＞方向に限られてい
るため、物理的・化学的特性も、その範囲が限られると
いう欠点があった。また、従来法で得られるボロンウィ
スカーは、ミクロン（μｍ）以上の径を持ち、ウィスカ
ーとしては径（太さ）が比較的大きいという問題があっ
た。
いて、ハロゲン化ボロンのＣＶＤ法あるいはジボランの
プラズマＣＶＤ法等を用いてホウ素ウィスカーを製造す
る方法は、使用するジボラン等の原料ガスは危険性が高
く、製造設備等において安全性が要求されることから、
製造工程における手間や製造装置に掛かるコストが高く
なり、また、従来法で得られるボロンウィスカーは結晶
性であり、その成長方位も＜１１１＞方向に限られてい
るため、物理的・化学的特性も、その範囲が限られると
いう欠点があった。また、従来法で得られるボロンウィ
スカーは、ミクロン（μｍ）以上の径を持ち、ウィスカ
ーとしては径（太さ）が比較的大きいという問題があっ
た。
【０００４】本発明の目的は、上記従来技術における問
題点を解決し、危険性の高い原料ガスを用いることな
く、安全な製造設備で、極めて細い径の良質のボロンウ
ィスカーを容易に、かつ安価に作製することができる新
規なボロンウィスカーの製造方法を提供することにあ
る。
題点を解決し、危険性の高い原料ガスを用いることな
く、安全な製造設備で、極めて細い径の良質のボロンウ
ィスカーを容易に、かつ安価に作製することができる新
規なボロンウィスカーの製造方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
するために、本発明者らは、ボロンウィスカーの成長方
法について、従来法の危険な原料ガスを用いることな
く、安全な製造設備で、径が細く、物理・化学的特性に
優れたボロンウィスカーが得られる方法について種々検
討を重ねた結果、金属または合金等を媒体として、ホウ
化物にエネルギー線を照射して加熱し、ホウ化物を分解
もしくは昇華させて、いわゆるＶＬＳ成長メカニズムに
よりホウ素のウィスカーを成長させることにより、径が
細く、良質のボロンウィスカーが得られることを見出し
たのである。本発明は、請求項１に記載のように、特定
の金属または合金等を媒体として、ホウ化物にエネルギ
ー線を照射して加熱し、ホウ化物を分解もしくは昇華さ
せ、ＶＬＳ成長メカニズムによって、ホウ素ウィスカー
を成長させるボロンウィスカーの製造方法である。そし
て、照射するエネルギー線は、請求項２に記載のよう
に、赤外線、可視光、紫外線、Ｘ線、電子線およびイオ
ン線のうちから選択される少なくとも１種のエネルギー
線を用いるものである。本発明のボロンウィスカーの製
造方法において、請求項３に記載のように、金属等の媒
体またはホウ化物に照射するエネルギー線の種類および
照射量を調整して加熱温度を制御することにより、非晶
質で物理・化学的特性に優れたホウ素ウィスカーを効果
的に製造することも可能である。また、上記の金属等の
媒体またはホウ化物に照射するエネルギー線の種類や照
射量を調整して加熱温度を制御することにより、非晶質
と結晶質とが適宜混合された所望の物理・化学的特性に
優れたホウ素ウィスカーを得ることもできる。
するために、本発明者らは、ボロンウィスカーの成長方
法について、従来法の危険な原料ガスを用いることな
く、安全な製造設備で、径が細く、物理・化学的特性に
優れたボロンウィスカーが得られる方法について種々検
討を重ねた結果、金属または合金等を媒体として、ホウ
化物にエネルギー線を照射して加熱し、ホウ化物を分解
もしくは昇華させて、いわゆるＶＬＳ成長メカニズムに
よりホウ素のウィスカーを成長させることにより、径が
細く、良質のボロンウィスカーが得られることを見出し
たのである。本発明は、請求項１に記載のように、特定
の金属または合金等を媒体として、ホウ化物にエネルギ
ー線を照射して加熱し、ホウ化物を分解もしくは昇華さ
せ、ＶＬＳ成長メカニズムによって、ホウ素ウィスカー
を成長させるボロンウィスカーの製造方法である。そし
て、照射するエネルギー線は、請求項２に記載のよう
に、赤外線、可視光、紫外線、Ｘ線、電子線およびイオ
ン線のうちから選択される少なくとも１種のエネルギー
線を用いるものである。本発明のボロンウィスカーの製
造方法において、請求項３に記載のように、金属等の媒
体またはホウ化物に照射するエネルギー線の種類および
照射量を調整して加熱温度を制御することにより、非晶
質で物理・化学的特性に優れたホウ素ウィスカーを効果
的に製造することも可能である。また、上記の金属等の
媒体またはホウ化物に照射するエネルギー線の種類や照
射量を調整して加熱温度を制御することにより、非晶質
と結晶質とが適宜混合された所望の物理・化学的特性に
優れたホウ素ウィスカーを得ることもできる。
【０００６】
【作用】本発明のボロンウィスカーの製造方法の第１の
特徴は、請求項１に記載のように、従来のＣＶＤ法やプ
ラズマＣＶＤ法において用いられる危険な原料ガスを使
用することなく、金属等を媒体としてホウ化物にエネル
ギー線を照射して加熱し、ホウ化物を分解もしくは昇華
させると、媒体金属である金（Ａｕ）等の微粒子がボロ
ン蒸気を吸い込み、吐き出すような現象で、ホウ素ウィ
スカーを容易に成長させることができるので、安全性の
面で製造設備の大幅なコストダウンをはかることが可能
である。そして、請求項２に記載のように、ホウ化物を
分解もしくは昇華させるエネルギー線として、赤外線、
可視光、紫外線、Ｘ線、電子線、イオン線のうちから選
択される少なくとも１種のエネルギー線を使用すること
ができ、簡便なエネルギー線の照射装置を用いて良質の
ボロンウィスカーを容易に得ることができる。本発明の
ボロンウィスカーの製造方法の第２の特徴は、金属等の
媒体の種類、またはホウ化物に照射するエネルギー線の
種類および照射量を調整して加熱温度を制御することに
より、請求項３に記載のように、非晶質のホウ素ウィス
カーを製造することも可能である。 したがって、従来
のＣＶＤ法等により得られる＜１１１＞方位に成長した
結晶質のウィスカーとは異なる物理・化学的性質に優れ
た特性を持つボロンウィスカーを作製することができ
る。さらに、金属等の媒体の種類や、照射するエネルギ
ー線の種類や照射量を調整し、適宜、加熱温度を制御す
ることにより、非晶質と結晶質とが混合された所望の物
理・化学的特性を有するホウ素ウィスカーを得ることも
できる。本発明のボロンウィスカーの製造方法の第３の
特徴として、請求項１ないし請求項３のいずれか１項に
記載の方法で製造したボロンウィスカーは、従来法で得
られるボロンウィスカーは径が１μｍ程度であるのに対
し、本発明のボロンウィスカーは従来の１／１０から１
／１００程度の細い径で、しかも特性に優れた良質のウ
ィスカーが得られる。本発明のボロンウィスカーの製造
方法において、媒体金属として金（Ａｕ）の他に、Ｖ、
Ｃr、Ｍn、Ｆe、Ｃo、Ｎi、Ｃu、Ｚn、Ｎb、Ｍo、Ｔc、
Ｒu、Ｒh、Ｐd、Ａg、Ｃd、Ｉn、Ｓn、Ｗ、ＲeまたはＰ
t等の単体金属、または上記の単体金属、および上記の
金属の酸化物、炭化物、その他の化合物のうちより選ば
れる少なくとも２種からなる合金を用いることができ
る。また、ホウ化物としては窒化ホウ素、ホウ酸または
酸化ホウ素等をボロンウィスカーの原料物質として用い
られる。
特徴は、請求項１に記載のように、従来のＣＶＤ法やプ
ラズマＣＶＤ法において用いられる危険な原料ガスを使
用することなく、金属等を媒体としてホウ化物にエネル
ギー線を照射して加熱し、ホウ化物を分解もしくは昇華
させると、媒体金属である金（Ａｕ）等の微粒子がボロ
ン蒸気を吸い込み、吐き出すような現象で、ホウ素ウィ
スカーを容易に成長させることができるので、安全性の
面で製造設備の大幅なコストダウンをはかることが可能
である。そして、請求項２に記載のように、ホウ化物を
分解もしくは昇華させるエネルギー線として、赤外線、
可視光、紫外線、Ｘ線、電子線、イオン線のうちから選
択される少なくとも１種のエネルギー線を使用すること
ができ、簡便なエネルギー線の照射装置を用いて良質の
ボロンウィスカーを容易に得ることができる。本発明の
ボロンウィスカーの製造方法の第２の特徴は、金属等の
媒体の種類、またはホウ化物に照射するエネルギー線の
種類および照射量を調整して加熱温度を制御することに
より、請求項３に記載のように、非晶質のホウ素ウィス
カーを製造することも可能である。 したがって、従来
のＣＶＤ法等により得られる＜１１１＞方位に成長した
結晶質のウィスカーとは異なる物理・化学的性質に優れ
た特性を持つボロンウィスカーを作製することができ
る。さらに、金属等の媒体の種類や、照射するエネルギ
ー線の種類や照射量を調整し、適宜、加熱温度を制御す
ることにより、非晶質と結晶質とが混合された所望の物
理・化学的特性を有するホウ素ウィスカーを得ることも
できる。本発明のボロンウィスカーの製造方法の第３の
特徴として、請求項１ないし請求項３のいずれか１項に
記載の方法で製造したボロンウィスカーは、従来法で得
られるボロンウィスカーは径が１μｍ程度であるのに対
し、本発明のボロンウィスカーは従来の１／１０から１
／１００程度の細い径で、しかも特性に優れた良質のウ
ィスカーが得られる。本発明のボロンウィスカーの製造
方法において、媒体金属として金（Ａｕ）の他に、Ｖ、
Ｃr、Ｍn、Ｆe、Ｃo、Ｎi、Ｃu、Ｚn、Ｎb、Ｍo、Ｔc、
Ｒu、Ｒh、Ｐd、Ａg、Ｃd、Ｉn、Ｓn、Ｗ、ＲeまたはＰ
t等の単体金属、または上記の単体金属、および上記の
金属の酸化物、炭化物、その他の化合物のうちより選ば
れる少なくとも２種からなる合金を用いることができ
る。また、ホウ化物としては窒化ホウ素、ホウ酸または
酸化ホウ素等をボロンウィスカーの原料物質として用い
られる。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げ、図面を用いて
さらに詳細に説明する。なお、本発明の技術的範囲は、
以下に示す実施例の技術的内容のみによって限定される
ものではない。スパッタ法により、岩塩上に形成した厚
さ約３００ｎｍの非晶質窒化ホウ素膜に、平均厚さ３ｎ
ｍの金を蒸着する。これを水面で剥離して、電子顕微鏡
用のグリッドにすくい上げ乾燥する。これを透過型電子
顕微鏡中で、２００kＶの加速電圧、電流密度１００Ａ
／cｍ2の電子線を１０秒間照射して、窒化ホウ素膜の１
部を分解・昇華させることにより、窒化ホウ素膜上にボ
ロンウィスカーを成長させた。これを電子顕微鏡像（２
０万倍）で捉え、そのスケッチ図を、図１に示す。図１
に示すように、窒化ホウ素膜の表面部３から、良質のボ
ロンウィスカー１が成長している状況が観察される。な
お、ボロンウィスカー１の先端部には金（Ａｕ）の微粒
子２が付着している。図１から、ウィスカーの最小径は
約１０ ｎｍであった。また、分析用電子顕微鏡による
分析の結果、ボロンウィスカー１は非晶質を示し、ボロ
ン（Ｂ）含有量は、少なくとも９０原子％以上であるこ
とが確認された。なお、上記の実施例において、媒体金
属として金（Ａｕ）を使用した場合を例に挙げたが、こ
の金の代わりに、Ｖ、Ｃr、Ｍn、Ｆe、Ｃo、Ｎi、Ｃu、
Ｚn、Ｎb、Ｍo、Ｔc、Ｒu、Ｒh、Ｐd、Ａg、Ｃd、Ｉn、
Ｓn、Ｗ、ＲeまたはＰt等の単体金属、もしくは上記の
金属の酸化物、炭化物、その他の化合物のうちから選択
される少なくとも２種以上の成分からなる合金を用いた
場合においても、上記実施例と同様のボロンウィスカー
が得られることを確認している。また、上記実施例にお
いては、ホウ化物として、非晶質の窒化ホウ素膜を例に
挙げて説明したが、非晶質の窒化ホウ素膜の代わりに、
ホウ酸、酸化ホウ素等のホウ化物の膜を用いた場合にお
いても、上記実施例と同様の良質のボロンウィスカーが
得られることを確認している。また、上記実施例におい
て、ホウ化物の分解または昇華するための加熱方法とし
て、電子顕微鏡中での電子線照射のみを用いたが、その
他に、照射するエネルギー線として、赤外線、可視光、
紫外線、Ｘ線、イオン線のうちの少なくとも１種のエネ
ルギー線を照射しても、上記実施例と同様の良質のボロ
ンウィスカーが得られることを確認している。
さらに詳細に説明する。なお、本発明の技術的範囲は、
以下に示す実施例の技術的内容のみによって限定される
ものではない。スパッタ法により、岩塩上に形成した厚
さ約３００ｎｍの非晶質窒化ホウ素膜に、平均厚さ３ｎ
ｍの金を蒸着する。これを水面で剥離して、電子顕微鏡
用のグリッドにすくい上げ乾燥する。これを透過型電子
顕微鏡中で、２００kＶの加速電圧、電流密度１００Ａ
／cｍ2の電子線を１０秒間照射して、窒化ホウ素膜の１
部を分解・昇華させることにより、窒化ホウ素膜上にボ
ロンウィスカーを成長させた。これを電子顕微鏡像（２
０万倍）で捉え、そのスケッチ図を、図１に示す。図１
に示すように、窒化ホウ素膜の表面部３から、良質のボ
ロンウィスカー１が成長している状況が観察される。な
お、ボロンウィスカー１の先端部には金（Ａｕ）の微粒
子２が付着している。図１から、ウィスカーの最小径は
約１０ ｎｍであった。また、分析用電子顕微鏡による
分析の結果、ボロンウィスカー１は非晶質を示し、ボロ
ン（Ｂ）含有量は、少なくとも９０原子％以上であるこ
とが確認された。なお、上記の実施例において、媒体金
属として金（Ａｕ）を使用した場合を例に挙げたが、こ
の金の代わりに、Ｖ、Ｃr、Ｍn、Ｆe、Ｃo、Ｎi、Ｃu、
Ｚn、Ｎb、Ｍo、Ｔc、Ｒu、Ｒh、Ｐd、Ａg、Ｃd、Ｉn、
Ｓn、Ｗ、ＲeまたはＰt等の単体金属、もしくは上記の
金属の酸化物、炭化物、その他の化合物のうちから選択
される少なくとも２種以上の成分からなる合金を用いた
場合においても、上記実施例と同様のボロンウィスカー
が得られることを確認している。また、上記実施例にお
いては、ホウ化物として、非晶質の窒化ホウ素膜を例に
挙げて説明したが、非晶質の窒化ホウ素膜の代わりに、
ホウ酸、酸化ホウ素等のホウ化物の膜を用いた場合にお
いても、上記実施例と同様の良質のボロンウィスカーが
得られることを確認している。また、上記実施例におい
て、ホウ化物の分解または昇華するための加熱方法とし
て、電子顕微鏡中での電子線照射のみを用いたが、その
他に、照射するエネルギー線として、赤外線、可視光、
紫外線、Ｘ線、イオン線のうちの少なくとも１種のエネ
ルギー線を照射しても、上記実施例と同様の良質のボロ
ンウィスカーが得られることを確認している。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したごとく、本発明のボロンウ
ィスカーの製造方法によれば、従来のＣＶＤ法等の危険
な原料ガスを用いることなく、金属または合金を媒体と
してホウ化物にエネルギー線を照射して加熱し、ホウ化
物を分解または昇華するだけで、径が細く、化学・物理
的特性に優れた良質のボロンウィスカーを製造すること
ができる。そして、得られたボロンウィスカーの径は、
従来法で得られるボロンウィスカーよりも一段と径が細
く、例えば、径が１０〜１０００ｎｍ程度の良質のボロ
ンウィスカーが得られる。さらに、従来法では得られな
かった非晶質で優れた特性を持つボロンウィスカーを容
易に、かつ安価に製造することができる。
ィスカーの製造方法によれば、従来のＣＶＤ法等の危険
な原料ガスを用いることなく、金属または合金を媒体と
してホウ化物にエネルギー線を照射して加熱し、ホウ化
物を分解または昇華するだけで、径が細く、化学・物理
的特性に優れた良質のボロンウィスカーを製造すること
ができる。そして、得られたボロンウィスカーの径は、
従来法で得られるボロンウィスカーよりも一段と径が細
く、例えば、径が１０〜１０００ｎｍ程度の良質のボロ
ンウィスカーが得られる。さらに、従来法では得られな
かった非晶質で優れた特性を持つボロンウィスカーを容
易に、かつ安価に製造することができる。
【図１】本発明の実施例で作製したボロンウィスカーの
成長状況を示す透過型電子顕微鏡写真（２０万倍）のス
ケッチ図。
成長状況を示す透過型電子顕微鏡写真（２０万倍）のス
ケッチ図。
１…ボロンウィスカー ２…金（Ａｕ）の微粒子 ３…窒化ホウ素膜の表面部
Claims (3)
- 【請求項１】金属または合金を媒体としてホウ化物にエ
ネルギー線を照射して加熱し、該ホウ化物を分解もしく
は昇華させて、気相−液相−固相の成長メカニズムによ
ってホウ素ウィスカーを成長することを特徴とするボロ
ンウィスカーの製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、照射するエネルギー線
は、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線、電子線、イオン
線のうちから選択される少なくとも１種のエネルギー線
を用いることを特徴とするボロンウィスカーの製造方
法。 - 【請求項３】請求項１または請求項２において、非晶質
のホウ素ウィスカーを成長することを特徴とするボロン
ウィスカーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15977894A JPH0826897A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | ボロンウィスカーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15977894A JPH0826897A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | ボロンウィスカーの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0826897A true JPH0826897A (ja) | 1996-01-30 |
Family
ID=15701063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15977894A Pending JPH0826897A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | ボロンウィスカーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0826897A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1314801A1 (de) * | 2001-11-27 | 2003-05-28 | Finpar Holding S.A. | Verfahren zum Züchten fadenformiger Kristalle und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| JP2004196588A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 単結晶ホウ素ナノベルトの製造方法 |
| CN104241482B (zh) * | 2013-06-20 | 2017-02-08 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种具有ito纳米柱网状薄膜的led管芯及其制备方法 |
| CN107352577A (zh) * | 2017-06-28 | 2017-11-17 | 齐鲁工业大学 | 微纳网状结构In2O3/SnO2复合材料及其生长方法 |
-
1994
- 1994-07-12 JP JP15977894A patent/JPH0826897A/ja active Pending
Cited By (4)
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