JPH08265089A - 表面波素子及びその製造方法 - Google Patents
表面波素子及びその製造方法Info
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- JPH08265089A JPH08265089A JP6642995A JP6642995A JPH08265089A JP H08265089 A JPH08265089 A JP H08265089A JP 6642995 A JP6642995 A JP 6642995A JP 6642995 A JP6642995 A JP 6642995A JP H08265089 A JPH08265089 A JP H08265089A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】表面波素子のサイズを大きくすることなく、良
好な特性の表面波素子を提供する。 【構成】基板１上に、一対の反射器電極３、３と反射器
電極３、３の間に形成された２個のＩＤＴ電極２、２と
からなる表面波共振子フィルタが３段並列配置され、複
数の反射器電極３形成領域のそれぞれの外側には複数の
外部取出し電極４が形成され、複数の外部取出し電極４
が形成された領域を除く基板１の中央部には、複数のＩ
ＤＴ電極２及び複数の反射器電極３を覆うように、基板
１の対向する端面間に亘って、ＳｉＯ2 薄膜５が形成さ
れている。
好な特性の表面波素子を提供する。 【構成】基板１上に、一対の反射器電極３、３と反射器
電極３、３の間に形成された２個のＩＤＴ電極２、２と
からなる表面波共振子フィルタが３段並列配置され、複
数の反射器電極３形成領域のそれぞれの外側には複数の
外部取出し電極４が形成され、複数の外部取出し電極４
が形成された領域を除く基板１の中央部には、複数のＩ
ＤＴ電極２及び複数の反射器電極３を覆うように、基板
１の対向する端面間に亘って、ＳｉＯ2 薄膜５が形成さ
れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に選択的に薄膜
が形成された表面波素子及びその製造方法に関する。
が形成された表面波素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば温度特性改善等の目的のために、
表面波素子の外部取出し電極以外の部分にＳｉＯ2 薄膜
を選択的に形成する場合、図７に示すように、多数の表
面波素子１０が形成された母基板１１上に、従来、図８
に示すような各表面波素子１０毎に対応する、表面波素
子１０のサイズよりも小さめの四角形の窓２１が多数形
成された金属製（例えばステンレス製）のマスク２０を
載せて、マスク２０の上からＳｉＯ2 をスパッタリング
することにより各表面波素子１０の所定の部分に選択的
にＳｉＯ2 薄膜５を形成している。
表面波素子の外部取出し電極以外の部分にＳｉＯ2 薄膜
を選択的に形成する場合、図７に示すように、多数の表
面波素子１０が形成された母基板１１上に、従来、図８
に示すような各表面波素子１０毎に対応する、表面波素
子１０のサイズよりも小さめの四角形の窓２１が多数形
成された金属製（例えばステンレス製）のマスク２０を
載せて、マスク２０の上からＳｉＯ2 をスパッタリング
することにより各表面波素子１０の所定の部分に選択的
にＳｉＯ2 薄膜５を形成している。
【０００３】そして、ＳｉＯ2 薄膜形成後、上記母基板
１１をダイサー等により切断して、図９に示すような個
々の表面波素子１０が形成される。図において、点塗り
潰し部はＳｉＯ2 薄膜を示す。マスク２０の外周の直線
部は、母基板１１の表面波伝搬方向を示すいわゆるオリ
エンテーションフラットと重ねて位置合わせするための
ものである。
１１をダイサー等により切断して、図９に示すような個
々の表面波素子１０が形成される。図において、点塗り
潰し部はＳｉＯ2 薄膜を示す。マスク２０の外周の直線
部は、母基板１１の表面波伝搬方向を示すいわゆるオリ
エンテーションフラットと重ねて位置合わせするための
ものである。
【０００４】図９に示す従来の表面波素子１０は、縦結
合型の表面波共振子フィルタであり、図８に示すような
マスクによりＳｉＯ2 薄膜を形成したものである。図９
（ａ）は平面図、同図（ｂ）及び（ｃ）は、表面波伝搬
方向及び表面波伝搬方向と垂直な方向の略断面図であ
る。
合型の表面波共振子フィルタであり、図８に示すような
マスクによりＳｉＯ2 薄膜を形成したものである。図９
（ａ）は平面図、同図（ｂ）及び（ｃ）は、表面波伝搬
方向及び表面波伝搬方向と垂直な方向の略断面図であ
る。
【０００５】この表面波素子１０は、例えばＬｉＴａＯ
3 の基板１上に、２つのＩＤＴ電極２、２が近接して形
成され、ＩＤＴ２、２の外側には一対の反射器電極３、
３が形成され、それぞれのＩＤＴ電極２の電極指の接続
部からは外部取出し電極４が引出されて形成されてい
る。そして、外部取出し電極４、４が形成された周縁部
を除く基板１の中央部には、ＩＤＴ電極２、２及び反射
器電極３、３を覆うようにＳｉＯ2 薄膜５が形成されて
いる。外部取出し電極４、４には外部との電気的接続を
とるためのボンディングワイヤ等が接続される。
3 の基板１上に、２つのＩＤＴ電極２、２が近接して形
成され、ＩＤＴ２、２の外側には一対の反射器電極３、
３が形成され、それぞれのＩＤＴ電極２の電極指の接続
部からは外部取出し電極４が引出されて形成されてい
る。そして、外部取出し電極４、４が形成された周縁部
を除く基板１の中央部には、ＩＤＴ電極２、２及び反射
器電極３、３を覆うようにＳｉＯ2 薄膜５が形成されて
いる。外部取出し電極４、４には外部との電気的接続を
とるためのボンディングワイヤ等が接続される。
【０００６】なお、表面波伝搬方向とは、ＩＤＴ電極
２、２及び反射器電極３、３の配列方向である。
２、２及び反射器電極３、３の配列方向である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】通常、マスクの窓を通
してスパッタ等により薄膜を形成する場合、薄膜材料の
粒子は、マスクの窓の周縁部内側ではマスクの影になる
とともに、マスクと基板との間にはある程度ギャップが
ありマスクの窓の外側にも回り込むので、窓の周縁部近
傍の薄膜は、図９（ｂ）及び（ｃ）に示すように、傾斜
するように薄く形成され、不均一な膜厚となる。つま
り、マスクの窓に対応する部分に形成される薄膜は、中
央部では均一な膜厚で形成されるが、窓の周縁部近傍で
は外方向に向って漸減した状態に形成される。
してスパッタ等により薄膜を形成する場合、薄膜材料の
粒子は、マスクの窓の周縁部内側ではマスクの影になる
とともに、マスクと基板との間にはある程度ギャップが
ありマスクの窓の外側にも回り込むので、窓の周縁部近
傍の薄膜は、図９（ｂ）及び（ｃ）に示すように、傾斜
するように薄く形成され、不均一な膜厚となる。つま
り、マスクの窓に対応する部分に形成される薄膜は、中
央部では均一な膜厚で形成されるが、窓の周縁部近傍で
は外方向に向って漸減した状態に形成される。
【０００８】しかしながら、従来の図９に示す表面波素
子では、表面波伝搬方向及び表面波伝搬方向と垂直な方
向のいずれの方向にも、上記の不均一な膜厚となる薄膜
の縁端部が基板１内に形成されているので、所望の特性
が得られないという問題があった。
子では、表面波伝搬方向及び表面波伝搬方向と垂直な方
向のいずれの方向にも、上記の不均一な膜厚となる薄膜
の縁端部が基板１内に形成されているので、所望の特性
が得られないという問題があった。
【０００９】具体的には、図９に示す構成においては、
表面波伝搬方向の反射器電極３の近傍においてＳｉＯ2
薄膜５の膜厚が変化していることにより、反射器電極３
で反射される表面波の位相が乱れ、特に帯域内に不要な
リップルが生じる等の問題があった。また、図示しない
が、図９に示すＩＤＴ電極及び反射器電極の構成を表面
波伝搬方向と垂直な方向に複数段配置し、各段を縦続接
続してフィルタを形成した場合は、表面波伝搬方向と垂
直な方向においてＳｉＯ2 薄膜５の膜厚が変化すること
により、各段での音速、つまり各段の周波数が異なるた
めに所望のフィルタ特性が得られないという問題があっ
た。
表面波伝搬方向の反射器電極３の近傍においてＳｉＯ2
薄膜５の膜厚が変化していることにより、反射器電極３
で反射される表面波の位相が乱れ、特に帯域内に不要な
リップルが生じる等の問題があった。また、図示しない
が、図９に示すＩＤＴ電極及び反射器電極の構成を表面
波伝搬方向と垂直な方向に複数段配置し、各段を縦続接
続してフィルタを形成した場合は、表面波伝搬方向と垂
直な方向においてＳｉＯ2 薄膜５の膜厚が変化すること
により、各段での音速、つまり各段の周波数が異なるた
めに所望のフィルタ特性が得られないという問題があっ
た。
【００１０】ＩＤＴ電極及び反射器電極とＳｉＯ2 薄膜
の縁端部との距離が大きくなるようにＳｉＯ2 薄膜の形
成領域を大きく形成することで、上記問題を解決するこ
ともできるが、この場合は、表面波素子のサイズが大き
くなるので、小形化が困難となり、素子の取れ個数が少
なくなり、歩留りや生産性が悪くなる。
の縁端部との距離が大きくなるようにＳｉＯ2 薄膜の形
成領域を大きく形成することで、上記問題を解決するこ
ともできるが、この場合は、表面波素子のサイズが大き
くなるので、小形化が困難となり、素子の取れ個数が少
なくなり、歩留りや生産性が悪くなる。
【００１１】そこで、本発明の目的は、以上のような従
来の表面波素子が持つ問題点を解消し、表面波伝搬方向
または表面波伝搬方向と垂直な方向の表面波素子の対向
する端面間に亘って、均一な膜厚の薄膜を形成すること
により、表面波素子のサイズを大きくすることなく、良
好な特性の表面波素子を提供することにある。
来の表面波素子が持つ問題点を解消し、表面波伝搬方向
または表面波伝搬方向と垂直な方向の表面波素子の対向
する端面間に亘って、均一な膜厚の薄膜を形成すること
により、表面波素子のサイズを大きくすることなく、良
好な特性の表面波素子を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明は、基板上に、表面波素子を構
成する電極が形成され、前記電極の所定の部分を覆うよ
うに、前記基板上に選択的に薄膜が形成された表面波素
子において、前記薄膜は、マスクを用いて形成され、前
記基板の表面波伝搬方向または表面波伝搬方向と垂直な
方向のいずれか一方の対向する端面間に亘って、均一な
膜厚で形成されていることを特徴とするものである。
に、請求項１に係る発明は、基板上に、表面波素子を構
成する電極が形成され、前記電極の所定の部分を覆うよ
うに、前記基板上に選択的に薄膜が形成された表面波素
子において、前記薄膜は、マスクを用いて形成され、前
記基板の表面波伝搬方向または表面波伝搬方向と垂直な
方向のいずれか一方の対向する端面間に亘って、均一な
膜厚で形成されていることを特徴とするものである。
【００１３】請求項２に係る発明は、所定の電極を有す
る表面波素子が複数規則的に配列されて形成された母基
板上に、窓が設けられたマスクを配置し、前記マスクの
窓を通して、前記電極の所定の部分を覆うように前記母
基板上に選択的に薄膜を形成した後、前記母基板を切断
機により切断し、個々の表面波素子を切り出す表面波素
子の製造方法において、前記母基板の表面波伝搬方向ま
たは表面波伝搬方向と垂直な方向のいずれか一方の方向
において、複数の前記表面波素子に跨がって連続して形
成された窓を有するマスクを用いて、前記薄膜を形成す
ることにより、切断後の表面波素子の基板の表面波伝搬
方向または表面波伝搬方向と垂直な方向のいずれか一方
の対向する端面間に亘る薄膜を形成することを特徴とす
るものである。
る表面波素子が複数規則的に配列されて形成された母基
板上に、窓が設けられたマスクを配置し、前記マスクの
窓を通して、前記電極の所定の部分を覆うように前記母
基板上に選択的に薄膜を形成した後、前記母基板を切断
機により切断し、個々の表面波素子を切り出す表面波素
子の製造方法において、前記母基板の表面波伝搬方向ま
たは表面波伝搬方向と垂直な方向のいずれか一方の方向
において、複数の前記表面波素子に跨がって連続して形
成された窓を有するマスクを用いて、前記薄膜を形成す
ることにより、切断後の表面波素子の基板の表面波伝搬
方向または表面波伝搬方向と垂直な方向のいずれか一方
の対向する端面間に亘る薄膜を形成することを特徴とす
るものである。
【００１４】
【作用】請求項１に係る発明によれば、基板の表面波伝
搬方向または表面波伝搬方向と垂直な方向のいずれかの
一方の方向では、薄膜は端面間に亘って均一な膜厚で形
成されているので、この方向における膜厚の変化による
特性劣化が起こらない。なお、いずれの方向にするか
は、表面波素子の構成、要求特性により決定され、特性
に大きな影響を及ぼす方向が選定される。
搬方向または表面波伝搬方向と垂直な方向のいずれかの
一方の方向では、薄膜は端面間に亘って均一な膜厚で形
成されているので、この方向における膜厚の変化による
特性劣化が起こらない。なお、いずれの方向にするか
は、表面波素子の構成、要求特性により決定され、特性
に大きな影響を及ぼす方向が選定される。
【００１５】請求項２に係る発明によれば、個々の表面
波素子の基板の表面波伝搬方向または表面波伝搬方向と
垂直な方向のいずれかの一方の方向においては、対向す
る端面間に亘って、膜厚の変化のない均一な厚みの薄膜
を形成することができる。
波素子の基板の表面波伝搬方向または表面波伝搬方向と
垂直な方向のいずれかの一方の方向においては、対向す
る端面間に亘って、膜厚の変化のない均一な厚みの薄膜
を形成することができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて説明する。図において、従来例と同一または相当す
る部分、同一機能のものについては同一符号を付す。
いて説明する。図において、従来例と同一または相当す
る部分、同一機能のものについては同一符号を付す。
【００１７】図１は、本発明の第１実施例に係る表面波
素子の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
表面波伝搬方向の略断面図、（ｃ）は表面波伝搬方向と
垂直な方向の略断面図である。図２は本実施例において
用いたマスクの平面図である。
素子の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
表面波伝搬方向の略断面図、（ｃ）は表面波伝搬方向と
垂直な方向の略断面図である。図２は本実施例において
用いたマスクの平面図である。
【００１８】図１に示すように、本実施例の表面波素子
１０は、３６゜ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ3 基板１上
に、２個のＩＤＴ電極２、２及びＩＤＴ電極２、２の両
側に反射器電極３、３が形成された縦結合型共振子フィ
ルタを表面波伝搬方向と垂直な方向に３個並列配置し、
各段を縦続接続した３段構成の縦結合型共振子フィルタ
である。基板１の対向する端面側であって、反射器電極
３の形成位置よりも外側には、それぞれのＩＤＴ電極２
から引出された複数の外部取出し電極４が形成されてい
る。
１０は、３６゜ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ3 基板１上
に、２個のＩＤＴ電極２、２及びＩＤＴ電極２、２の両
側に反射器電極３、３が形成された縦結合型共振子フィ
ルタを表面波伝搬方向と垂直な方向に３個並列配置し、
各段を縦続接続した３段構成の縦結合型共振子フィルタ
である。基板１の対向する端面側であって、反射器電極
３の形成位置よりも外側には、それぞれのＩＤＴ電極２
から引出された複数の外部取出し電極４が形成されてい
る。
【００１９】外部取出し電極４が形成された両端面側を
除く、ＩＤＴ電極２及び反射器電極３が形成された中央
部には両端面間に亘って、各ＩＤＴ電極２及び各反射器
電極３を覆うようにＳｉＯ2 薄膜５が形成されている。
ＳｉＯ2 薄膜５は、表面波伝搬方向においては、図１
（ｂ）に示すように、基板１内に膜厚の不均一な縁端部
があり、不均一な厚みで形成されているが、表面波伝搬
方向と垂直な方向においては、図１（ｃ）に示すよう
に、両端面間に亘って均一な厚みで形成されている。
除く、ＩＤＴ電極２及び反射器電極３が形成された中央
部には両端面間に亘って、各ＩＤＴ電極２及び各反射器
電極３を覆うようにＳｉＯ2 薄膜５が形成されている。
ＳｉＯ2 薄膜５は、表面波伝搬方向においては、図１
（ｂ）に示すように、基板１内に膜厚の不均一な縁端部
があり、不均一な厚みで形成されているが、表面波伝搬
方向と垂直な方向においては、図１（ｃ）に示すよう
に、両端面間に亘って均一な厚みで形成されている。
【００２０】ＳｉＯ2 薄膜５は、図１に示す表面波素子
１０が多数形成された母基板（図示せず）上の所定の位
置に、図２に示すような一方の方向においてのみ多数の
表面波素子に跨がって連続する細長い窓２１が多数並列
されて形成された金属製のマスク２０を配置し、マスク
２０の窓２１を通して、ＳｉＯ2 をスパッタリングする
ことにより、窓２１に対応する部分にＳｉＯ2 を付着さ
せて形成される。
１０が多数形成された母基板（図示せず）上の所定の位
置に、図２に示すような一方の方向においてのみ多数の
表面波素子に跨がって連続する細長い窓２１が多数並列
されて形成された金属製のマスク２０を配置し、マスク
２０の窓２１を通して、ＳｉＯ2 をスパッタリングする
ことにより、窓２１に対応する部分にＳｉＯ2 を付着さ
せて形成される。
【００２１】そして、ＳｉＯ2 薄膜５形成後、上記母基
板をダイサー等により切断して、図１に示す個々の表面
波素子１０が形成される。つまり、一方の方向において
は、厚みの均一なＳｉＯ2 薄膜５が多数の表面波素子１
０に亘って形成され、個々の表面波素子１０の境界線で
基板１に対して垂直に切断されているので、基板１の対
向する端面間に亘って、均一な膜厚のＳｉＯ2 薄膜５が
形成される。
板をダイサー等により切断して、図１に示す個々の表面
波素子１０が形成される。つまり、一方の方向において
は、厚みの均一なＳｉＯ2 薄膜５が多数の表面波素子１
０に亘って形成され、個々の表面波素子１０の境界線で
基板１に対して垂直に切断されているので、基板１の対
向する端面間に亘って、均一な膜厚のＳｉＯ2 薄膜５が
形成される。
【００２２】次ぎに、図１に示す構成の表面波素子にお
ける膜厚分布及びフィルタ特性を従来のものと対比して
説明する。
ける膜厚分布及びフィルタ特性を従来のものと対比して
説明する。
【００２３】ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＳｉＯ
2 薄膜を約８．６μｍ形成したときの、表面波伝搬方向
と垂直な方向における膜厚分布を測定した結果を図３に
示す。図３において、本実施例のＳｉＯ2 薄膜の膜厚分
布を実線で、従来のものを破線で示す。破線で示すＳｉ
Ｏ2 薄膜がほぼ０μｍになる部分は、従来の図８に示す
マスクでの窓の仕切部に対応する位置であり、この部分
の間隔が表面波素子の表面波伝搬方向と垂直な方向の幅
に相当し、実施例では３５００μｍの寸法である。な
お、１段目〜３段目の各共振子フィルタに相当する部分
の幅をＡ，Ｂ，Ｃで示す。
2 薄膜を約８．６μｍ形成したときの、表面波伝搬方向
と垂直な方向における膜厚分布を測定した結果を図３に
示す。図３において、本実施例のＳｉＯ2 薄膜の膜厚分
布を実線で、従来のものを破線で示す。破線で示すＳｉ
Ｏ2 薄膜がほぼ０μｍになる部分は、従来の図８に示す
マスクでの窓の仕切部に対応する位置であり、この部分
の間隔が表面波素子の表面波伝搬方向と垂直な方向の幅
に相当し、実施例では３５００μｍの寸法である。な
お、１段目〜３段目の各共振子フィルタに相当する部分
の幅をＡ，Ｂ，Ｃで示す。
【００２４】図３に示すように、従来のマスクにより形
成したＳｉＯ2 薄膜の膜厚は不均一な分布となり、膜厚
分布の平坦な部分は中央部の約１５００μｍの幅であ
り、１段目及び３段目の共振子部Ａ，Ｃに比べ、２段目
の共振子部Ｂでの膜厚は平均で約０．３μｍ厚く形成さ
れ、１段目及び３段目の共振子部Ａ，Ｃ内では著しく不
均一な膜厚分布となっている。これに対し、本実施例に
係るＳｉＯ2 薄膜は幅の全長に亘って均一な膜厚分布と
なっている。
成したＳｉＯ2 薄膜の膜厚は不均一な分布となり、膜厚
分布の平坦な部分は中央部の約１５００μｍの幅であ
り、１段目及び３段目の共振子部Ａ，Ｃに比べ、２段目
の共振子部Ｂでの膜厚は平均で約０．３μｍ厚く形成さ
れ、１段目及び３段目の共振子部Ａ，Ｃ内では著しく不
均一な膜厚分布となっている。これに対し、本実施例に
係るＳｉＯ2 薄膜は幅の全長に亘って均一な膜厚分布と
なっている。
【００２５】また、従来の表面波素子ではマスクの位置
合わせのずれがあると、各段間及び各段内での膜厚がさ
らに大きく変化するが、本実施例の表面波素子ではマス
クの位置ずれがあっても、均一な膜厚分布を得ることが
できる。
合わせのずれがあると、各段間及び各段内での膜厚がさ
らに大きく変化するが、本実施例の表面波素子ではマス
クの位置ずれがあっても、均一な膜厚分布を得ることが
できる。
【００２６】図４は、ＩＤＴ電極の総電極指対数を１段
目及び３段目の共振子で１６対、２段目の共振子で１８
対、各段の反射器電極の電極指を各５０本で形成した場
合のフィルタ特性を示す図である。図４において、本実
施例のものを実線で、従来のものを破線で示す。
目及び３段目の共振子で１６対、２段目の共振子で１８
対、各段の反射器電極の電極指を各５０本で形成した場
合のフィルタ特性を示す図である。図４において、本実
施例のものを実線で、従来のものを破線で示す。
【００２７】図４に示すように、破線で示す従来の表面
波素子では、通過帯域内の低域側にリップルが生じ通過
帯域幅が狭くなり、通過帯域外にも不要なリップルが生
じ、また、群遅延特性にも大きなリップルが発生してい
る。これは、１段目及び３段目の共振子と２段目の共振
子でＳｉＯ2 薄膜の膜厚が異なるために音速差が生じ、
共振子の中心周波数が異なるとともに、各段の共振子内
においても音速に分布ができるためである。
波素子では、通過帯域内の低域側にリップルが生じ通過
帯域幅が狭くなり、通過帯域外にも不要なリップルが生
じ、また、群遅延特性にも大きなリップルが発生してい
る。これは、１段目及び３段目の共振子と２段目の共振
子でＳｉＯ2 薄膜の膜厚が異なるために音速差が生じ、
共振子の中心周波数が異なるとともに、各段の共振子内
においても音速に分布ができるためである。
【００２８】これに対し、実線で示す本実施例の表面波
素子では、各段の配置方向の全長に亘ってＳｉＯ2 薄膜
は均一な膜厚で形成されているので、通過帯域内にリッ
プル等のない良好なフィルタ特性が得られた。
素子では、各段の配置方向の全長に亘ってＳｉＯ2 薄膜
は均一な膜厚で形成されているので、通過帯域内にリッ
プル等のない良好なフィルタ特性が得られた。
【００２９】また、従来の表面波素子において、上記の
ような不具合を低減するためには、膜厚の均一な部分を
広げる必要があり、素子のサイズを大きくしなければな
らないが、本実施例の構成によれば、薄膜は端面間に亘
って均一な膜厚で形成され膜の端部は直角に形成されて
いるので、素子のサイズを大きくする必要はなく、より
小形化することが可能となる。
ような不具合を低減するためには、膜厚の均一な部分を
広げる必要があり、素子のサイズを大きくしなければな
らないが、本実施例の構成によれば、薄膜は端面間に亘
って均一な膜厚で形成され膜の端部は直角に形成されて
いるので、素子のサイズを大きくする必要はなく、より
小形化することが可能となる。
【００３０】図５は、本発明の第２実施例に係る表面波
素子の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
表面波伝搬方向の略断面図、（ｃ）は表面波伝搬方向と
垂直な方向の略断面図である。図６は本実施例において
用いたマスクの平面図である。
素子の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
表面波伝搬方向の略断面図、（ｃ）は表面波伝搬方向と
垂直な方向の略断面図である。図６は本実施例において
用いたマスクの平面図である。
【００３１】図５に示すように、本実施例の表面波素子
１０は、３６゜ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ3 基板１上
に、２個のＩＤＴ電極２、２及びＩＤＴ電極２、２の両
側に反射器電極３、３が形成された１段構成の縦結合型
共振子フィルタである。基板１の対向する端面側であっ
て、ＩＤＴ電極２、反射器電極３の形成位置よりも外側
には、それぞれのＩＤＴ電極２から引出された複数の外
部取出し電極４が形成されている。
１０は、３６゜ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ3 基板１上
に、２個のＩＤＴ電極２、２及びＩＤＴ電極２、２の両
側に反射器電極３、３が形成された１段構成の縦結合型
共振子フィルタである。基板１の対向する端面側であっ
て、ＩＤＴ電極２、反射器電極３の形成位置よりも外側
には、それぞれのＩＤＴ電極２から引出された複数の外
部取出し電極４が形成されている。
【００３２】外部取出し電極４が形成された両端面側を
除く、ＩＤＴ電極２及び反射器電極３が形成された中央
部には両端面間に亘って、ＩＤＴ電極２及び反射器電極
３を覆うようにＳｉＯ2 薄膜５が形成されている。
除く、ＩＤＴ電極２及び反射器電極３が形成された中央
部には両端面間に亘って、ＩＤＴ電極２及び反射器電極
３を覆うようにＳｉＯ2 薄膜５が形成されている。
【００３３】この表面波素子１０は、図５に示す表面波
素子１０が多数形成された母基板（図示せず）上に、図
６に示すような一方の方向においてのみ多数の表面波素
子に跨がって連続する細長い窓２１が多数並列するよう
に形成された金属製のマスク２０を配置し、マスク２０
の窓２１を通して、ＳｉＯ2 をスパッタリングすること
により、窓２１に対応する部分にＳｉＯ2 を付着させて
ＳｉＯ2 薄膜５を形成し、その後、母基板をダイサー等
により切断して形成されたものである。
素子１０が多数形成された母基板（図示せず）上に、図
６に示すような一方の方向においてのみ多数の表面波素
子に跨がって連続する細長い窓２１が多数並列するよう
に形成された金属製のマスク２０を配置し、マスク２０
の窓２１を通して、ＳｉＯ2 をスパッタリングすること
により、窓２１に対応する部分にＳｉＯ2 を付着させて
ＳｉＯ2 薄膜５を形成し、その後、母基板をダイサー等
により切断して形成されたものである。
【００３４】つまり、本実施例のＳｉＯ2 薄膜５は、表
面波伝搬方向においては、図５（ｂ）に示すように、両
端面間に亘って均一な厚みで形成され、表面波伝搬方向
と垂直な方向においては、図５（ｃ）に示すように、基
板１内に膜厚の不均一な縁端部があり、不均一な厚みで
形成されている。
面波伝搬方向においては、図５（ｂ）に示すように、両
端面間に亘って均一な厚みで形成され、表面波伝搬方向
と垂直な方向においては、図５（ｃ）に示すように、基
板１内に膜厚の不均一な縁端部があり、不均一な厚みで
形成されている。
【００３５】この構成によれば、表面波伝搬方向におけ
るＳｉＯ2 薄膜は端面間に亘って均一な膜厚で形成され
ており、膜厚の変化がないので、反射波の位相が乱れる
ことがない。つまり、薄膜の膜厚変化に起因する反射波
の位相乱れによる電気的特性の劣化が起こらず、良好な
電気的特性を得ることができる。
るＳｉＯ2 薄膜は端面間に亘って均一な膜厚で形成され
ており、膜厚の変化がないので、反射波の位相が乱れる
ことがない。つまり、薄膜の膜厚変化に起因する反射波
の位相乱れによる電気的特性の劣化が起こらず、良好な
電気的特性を得ることができる。
【００３６】さらに、薄膜は基板の端面間に亘って均一
な膜厚で形成され、膜の端部が直角に形成されているの
で、反射器を基板の端面近くに配置することができ、素
子のサイズを小形化することができる。
な膜厚で形成され、膜の端部が直角に形成されているの
で、反射器を基板の端面近くに配置することができ、素
子のサイズを小形化することができる。
【００３７】なお、上記各実施例では圧電基板上に形成
された反射器電極及びＩＤＴ電極を覆うようにＳｉＯ2
薄膜を形成した縦結合型共振子フィルタで説明したが、
基板の種類、薄膜の種類、表面波素子を構成する電極の
構成等は、これに限るものではなく、基板及び薄膜は圧
電性または他の絶縁性薄膜でもよく、表面波素子を構成
する電極としては、１つのＩＤＴ電極で構成されたもの
でもよい。
された反射器電極及びＩＤＴ電極を覆うようにＳｉＯ2
薄膜を形成した縦結合型共振子フィルタで説明したが、
基板の種類、薄膜の種類、表面波素子を構成する電極の
構成等は、これに限るものではなく、基板及び薄膜は圧
電性または他の絶縁性薄膜でもよく、表面波素子を構成
する電極としては、１つのＩＤＴ電極で構成されたもの
でもよい。
【００３８】例えば、ガラス等の絶縁基板上にＩＤＴ電
極等を形成し、この電極上に、ＺｎＯ等の圧電性薄膜を
選択的に形成する場合、あるいは、サファイア基板の全
面にＺｎＯ薄膜を形成した基板上にＩＤＴ電極等を形成
し、この電極上に、特性改善または電極保護のために絶
縁性または圧電性の薄膜を選択的に形成する場合にも本
発明を適用できる。
極等を形成し、この電極上に、ＺｎＯ等の圧電性薄膜を
選択的に形成する場合、あるいは、サファイア基板の全
面にＺｎＯ薄膜を形成した基板上にＩＤＴ電極等を形成
し、この電極上に、特性改善または電極保護のために絶
縁性または圧電性の薄膜を選択的に形成する場合にも本
発明を適用できる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板上で特性上重要な方向において、薄膜は対向する端
面間に亘って均一な膜厚で形成されているので、この方
向における膜厚の変化に起因する特性劣化がなく、良好
な特性を得ることができる。
基板上で特性上重要な方向において、薄膜は対向する端
面間に亘って均一な膜厚で形成されているので、この方
向における膜厚の変化に起因する特性劣化がなく、良好
な特性を得ることができる。
【００４０】また、表面波素子の寸法を小さく形成する
ことができるので、表面波素子を小形化するとともに、
１枚の母基板での取れ個数を多くすることができ、コス
トを低減することができる。
ことができるので、表面波素子を小形化するとともに、
１枚の母基板での取れ個数を多くすることができ、コス
トを低減することができる。
【図１】（ａ）は本発明の第１実施例に係る表面波素子
の平面図、（ｂ）は表面波伝搬方向の略断面図、（ｃ）
は表面波伝搬方向と垂直な方向の略断面図である。
の平面図、（ｂ）は表面波伝搬方向の略断面図、（ｃ）
は表面波伝搬方向と垂直な方向の略断面図である。
【図２】本発明の第１実施例に係るマスクの平面図であ
る。
る。
【図３】本発明及び従来の表面波素子のＳｉＯ2 薄膜の
膜厚分布を示す図である。
膜厚分布を示す図である。
【図４】本発明及び従来の表面波素子のフィルタ特性で
ある。
ある。
【図５】（ａ）は本発明の第２実施例に係る表面波素子
の平面図、（ｂ）は表面波伝搬方向の略断面図、（ｃ）
は表面波伝搬方向と垂直な方向の略断面図である。
の平面図、（ｂ）は表面波伝搬方向の略断面図、（ｃ）
は表面波伝搬方向と垂直な方向の略断面図である。
【図６】本発明の第２実施例に係るマスクの平面図であ
る。
る。
【図７】従来の表面波素子が多数形成された母基板の平
面図である。
面図である。
【図８】従来のマスクの平面図である。
【図９】（ａ）は従来の表面波素子の平面図、（ｂ）は
表面波伝搬方向の略断面図、（ｃ）は表面波伝搬方向と
垂直な方向の略断面図である。
表面波伝搬方向の略断面図、（ｃ）は表面波伝搬方向と
垂直な方向の略断面図である。
１ 基板 ２ ＩＤＴ電極 ３ 反射器電極 ４ 外部取出し電極 ５ ＳｉＯ2 薄膜 １０ 表面波素子 １１ 母基板 ２０ マスク ２１ 窓
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、表面波素子を構成する電極が
形成され、前記電極の所定の部分を覆うように、前記基
板上に選択的に薄膜が形成された表面波素子において、 前記薄膜は、前記基板の表面波伝搬方向または表面波伝
搬方向と垂直な方向のいずれか一方の対向する端面間に
亘って、均一な膜厚で形成されていることを特徴とする
表面波素子。 - 【請求項２】 所定の電極を有する表面波素子が複数規
則的に配列されて形成された母基板上に、窓が設けられ
たマスクを配置し、前記マスクの窓を通して、前記電極
の所定の部分を覆うように前記母基板上に選択的に薄膜
を形成した後、前記母基板を切断機により切断し、個々
の表面波素子を切り出す表面波素子の製造方法におい
て、 前記母基板の表面波伝搬方向または表面波伝搬方向と垂
直な方向のいずれか一方の方向において、複数の前記表
面波素子に跨がって連続して形成された窓を有するマス
クを用いて、前記薄膜を形成することにより、切断後の
表面波素子の基板の表面波伝搬方向または表面波伝搬方
向と垂直な方向のいずれか一方の対向する端面間に亘る
薄膜を形成することを特徴とする表面波素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06642995A JP3407462B2 (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 表面波素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06642995A JP3407462B2 (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 表面波素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08265089A true JPH08265089A (ja) | 1996-10-11 |
| JP3407462B2 JP3407462B2 (ja) | 2003-05-19 |
Family
ID=13315537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06642995A Expired - Lifetime JP3407462B2 (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 表面波素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3407462B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005069486A1 (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
| WO2007007462A1 (ja) * | 2005-07-14 | 2007-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-03-24 JP JP06642995A patent/JP3407462B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005069486A1 (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
| KR100850861B1 (ko) * | 2004-01-19 | 2008-08-06 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 경계파 장치 |
| US7486001B2 (en) | 2004-01-19 | 2009-02-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device |
| WO2007007462A1 (ja) * | 2005-07-14 | 2007-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置及びその製造方法 |
| US7522020B2 (en) | 2005-07-14 | 2009-04-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device and method for manufacturing boundary acoustic wave device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3407462B2 (ja) | 2003-05-19 |
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