JPH08264590A - Ｔａｂ式半導体装置 - Google Patents
Ｔａｂ式半導体装置Info
- Publication number
- JPH08264590A JPH08264590A JP6775895A JP6775895A JPH08264590A JP H08264590 A JPH08264590 A JP H08264590A JP 6775895 A JP6775895 A JP 6775895A JP 6775895 A JP6775895 A JP 6775895A JP H08264590 A JPH08264590 A JP H08264590A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner lead
- semiconductor device
- tab
- diameter
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＡＢテープを用いた半導体装置の電極間の
短絡などの電気的不良の発生を防止する。 【構成】 透孔１ｂを有する絶縁フイルム１に積層した
導電箔をエッチングして前記透孔１ｂ内に延在するイン
ナリード６を含む導電パターン５を形成したＴＡＢテー
プの前記透孔１ｂ内に半導体ペレット４を配置し、イン
ナリード６と半導体ペレット４の電極４ａとを重合して
電気的に接合したＴＡＢ式半導体装置において、上記イ
ンナリード６の遊端部分を、その長手方向に異径としか
つ隣り合う部分の間隔をほぼ一定としたことを特徴とす
る。 【効果】 半導体ペレット上の電極間の短絡、耐電圧低
下などの不良発生を防止できる。
短絡などの電気的不良の発生を防止する。 【構成】 透孔１ｂを有する絶縁フイルム１に積層した
導電箔をエッチングして前記透孔１ｂ内に延在するイン
ナリード６を含む導電パターン５を形成したＴＡＢテー
プの前記透孔１ｂ内に半導体ペレット４を配置し、イン
ナリード６と半導体ペレット４の電極４ａとを重合して
電気的に接合したＴＡＢ式半導体装置において、上記イ
ンナリード６の遊端部分を、その長手方向に異径としか
つ隣り合う部分の間隔をほぼ一定としたことを特徴とす
る。 【効果】 半導体ペレット上の電極間の短絡、耐電圧低
下などの不良発生を防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透孔を有する絶縁フイル
ムに積層した導電箔をエッチングして前記透孔内に延在
するインナリードを含む導電パターンを形成しＴＡＢテ
ープの前記透孔内に半導体ペレットを配置し、インナリ
ードと半導体ペレットの電極とを重合して電気的に接合
したＴＡＢ式半導体装置に関する。
ムに積層した導電箔をエッチングして前記透孔内に延在
するインナリードを含む導電パターンを形成しＴＡＢテ
ープの前記透孔内に半導体ペレットを配置し、インナリ
ードと半導体ペレットの電極とを重合して電気的に接合
したＴＡＢ式半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢ式半導体装置は、半導体ペレット
の電極を外部に引き出すリードが導電箔から形成される
ため、微細リードが可能で、例えば液晶表示装置の駆動
用半導体集積回路装置など電極数の多い電子部品に用い
られている。この一例を図７及び図８から説明する。図
において１は両側に沿って送り用の穴１ａを等間隔で穿
設し、巾方向中間で長手方向に所定の間隔で矩形状の透
孔１ｂを穿設した絶縁フイルム、２は絶縁フイルム１に
積層した導電箔をエッチングして形成した導電パターン
で、透孔１ｂ内に延在する多数本のインナリード２ａを
含む。この絶縁フイルム１と導電パターン２とでＴＡＢ
テープ３を構成している。
の電極を外部に引き出すリードが導電箔から形成される
ため、微細リードが可能で、例えば液晶表示装置の駆動
用半導体集積回路装置など電極数の多い電子部品に用い
られている。この一例を図７及び図８から説明する。図
において１は両側に沿って送り用の穴１ａを等間隔で穿
設し、巾方向中間で長手方向に所定の間隔で矩形状の透
孔１ｂを穿設した絶縁フイルム、２は絶縁フイルム１に
積層した導電箔をエッチングして形成した導電パターン
で、透孔１ｂ内に延在する多数本のインナリード２ａを
含む。この絶縁フイルム１と導電パターン２とでＴＡＢ
テープ３を構成している。
【０００３】４は表面の周縁の沿って多数の電極４ａが
形成され、絶縁フイルム１の透孔１ｂ内に配置されてイ
ンナリード２ａの遊端部分と電極４ａとが重合されて電
気的に接続された半導体ペレットを示す。このＴＡＢ式
半導体装置の半導体ペレット４とインナリード２ａの接
続は、一般的に加熱したヒートツールにて電極４ａと重
合したインナリード２ａを加圧し接続する熱圧着法によ
り行われる。また、接続性を良好にするため、電極表面
には厚さ数百オングストロームの金めっき処理し、イン
ナリード２ａには厚さ０．３μｍ程度の錫めっき処理し
ている。ところで、半導体装置の高機能化、高集積化を
半導体ペレットの寸法を大きくすることなく実現するに
は、電極巾、電極間隔ともに微細にする必要があり、そ
れに対応してインナリードの巾、間隔ともに狭小にする
必要がある。例えば、電極巾が６０μｍ、電極長さ９０
μｍ、電極の配列間隔が７０μｍの液晶表示装置駆動用
半導体集積回路装置では、インナリードの巾を６０μ
ｍ、配列間隔を７０μｍに設定している。
形成され、絶縁フイルム１の透孔１ｂ内に配置されてイ
ンナリード２ａの遊端部分と電極４ａとが重合されて電
気的に接続された半導体ペレットを示す。このＴＡＢ式
半導体装置の半導体ペレット４とインナリード２ａの接
続は、一般的に加熱したヒートツールにて電極４ａと重
合したインナリード２ａを加圧し接続する熱圧着法によ
り行われる。また、接続性を良好にするため、電極表面
には厚さ数百オングストロームの金めっき処理し、イン
ナリード２ａには厚さ０．３μｍ程度の錫めっき処理し
ている。ところで、半導体装置の高機能化、高集積化を
半導体ペレットの寸法を大きくすることなく実現するに
は、電極巾、電極間隔ともに微細にする必要があり、そ
れに対応してインナリードの巾、間隔ともに狭小にする
必要がある。例えば、電極巾が６０μｍ、電極長さ９０
μｍ、電極の配列間隔が７０μｍの液晶表示装置駆動用
半導体集積回路装置では、インナリードの巾を６０μ
ｍ、配列間隔を７０μｍに設定している。
【０００４】また、より多電極に対応するには、電極及
びインナリードの巾、間隔をともに狭小にし、電極を千
鳥状に配列している。ところで、上記寸法の電極、イン
ナリードでは、それぞれの間隔が５μｍしかとれない。
この場合、半導体ペレットの電極は位置ずれの心配はな
いが、ＴＡＢテープ３はリールへの巻き取り、繰出の際
の湾曲変形しインナリードが変形する虞があるため取扱
を慎重にして、インナリードの変形に基づく接続不良、
短絡や耐電圧低下などの電気的不良が生じないようにし
ている。
びインナリードの巾、間隔をともに狭小にし、電極を千
鳥状に配列している。ところで、上記寸法の電極、イン
ナリードでは、それぞれの間隔が５μｍしかとれない。
この場合、半導体ペレットの電極は位置ずれの心配はな
いが、ＴＡＢテープ３はリールへの巻き取り、繰出の際
の湾曲変形しインナリードが変形する虞があるため取扱
を慎重にして、インナリードの変形に基づく接続不良、
短絡や耐電圧低下などの電気的不良が生じないようにし
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようにＴＡＢテー
プ３の取り扱いを慎重にしても、リード間の短絡、耐電
圧低下などの電気的不良を生じることがあった。これを
詳細に調べてみると、図９に示すように、電極４ａ上で
インナリード２ａを熱圧着する際の熱でその表面に形成
した金属や合金のめっき材が溶融し、加圧によって、リ
ード２ａ表裏面のめっき材が側面に押し出されて、隣り
合う電極４ａ、４ａ間にはみ出し、このはみ出し部分Ａ
が互いに近接あるいは橋絡していることが分かった。こ
れに対応するには、電極寸法、リード巾を狭小にして、
相互の間隔を開くようにすればよいが、電極の巾を狭め
るとリードとの重合位置合わせ、接続作業が困難とな
り、リード巾を狭めるとリードの強度が低下してＴＡＢ
テープの湾曲変形により曲りやすくなるため、直ちに適
用することができなかった。また、めっきの厚さに注目
し、電極４ａについては３００オングストローム程度の
めっき厚では問題にはならないことがわかったが、イン
ナリード２ａのめっき厚は導電パターン２全体のめっき
厚と同じで、０．３μｍより薄くするとめっき層にピン
ホールや厚さのむらを生じ部分的に導電パターン素地を
酸化させ、リードの外部接続の信頼性を低下させるた
め、めっき厚を薄くすることは限界があった。
プ３の取り扱いを慎重にしても、リード間の短絡、耐電
圧低下などの電気的不良を生じることがあった。これを
詳細に調べてみると、図９に示すように、電極４ａ上で
インナリード２ａを熱圧着する際の熱でその表面に形成
した金属や合金のめっき材が溶融し、加圧によって、リ
ード２ａ表裏面のめっき材が側面に押し出されて、隣り
合う電極４ａ、４ａ間にはみ出し、このはみ出し部分Ａ
が互いに近接あるいは橋絡していることが分かった。こ
れに対応するには、電極寸法、リード巾を狭小にして、
相互の間隔を開くようにすればよいが、電極の巾を狭め
るとリードとの重合位置合わせ、接続作業が困難とな
り、リード巾を狭めるとリードの強度が低下してＴＡＢ
テープの湾曲変形により曲りやすくなるため、直ちに適
用することができなかった。また、めっきの厚さに注目
し、電極４ａについては３００オングストローム程度の
めっき厚では問題にはならないことがわかったが、イン
ナリード２ａのめっき厚は導電パターン２全体のめっき
厚と同じで、０．３μｍより薄くするとめっき層にピン
ホールや厚さのむらを生じ部分的に導電パターン素地を
酸化させ、リードの外部接続の信頼性を低下させるた
め、めっき厚を薄くすることは限界があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題の解決
を目的として提案されたもので、透孔を有する絶縁フイ
ルムに積層した導電箔をエッチングして前記透孔内に延
在するインナリードを含む導電パターンを形成したＴＡ
Ｂテープの前記透孔内に半導体ペレットを配置し、電気
的に接合したＴＡＢ式半導体装置において、上記インナ
リードの遊端部分を、その長手方向に異径としかつ隣り
合う部分の間隔をほぼ一定としたことを特徴とするＴＡ
Ｂ式半導体装置を提供する。このＴＡＢ式半導体装置
は、より具体的にはインナリードの遊端部の径をその中
間部の径に比し小径に設定することにより実現できる。
また、インナリードの遊端部の表裏面の径を異径とする
ことによっても実現できる。さらにはインナリードの遊
端部の径をその長手方向に異径とし、かつインナリード
をその径大部と径小部とを隣り合わせて配列することも
できる。
を目的として提案されたもので、透孔を有する絶縁フイ
ルムに積層した導電箔をエッチングして前記透孔内に延
在するインナリードを含む導電パターンを形成したＴＡ
Ｂテープの前記透孔内に半導体ペレットを配置し、電気
的に接合したＴＡＢ式半導体装置において、上記インナ
リードの遊端部分を、その長手方向に異径としかつ隣り
合う部分の間隔をほぼ一定としたことを特徴とするＴＡ
Ｂ式半導体装置を提供する。このＴＡＢ式半導体装置
は、より具体的にはインナリードの遊端部の径をその中
間部の径に比し小径に設定することにより実現できる。
また、インナリードの遊端部の表裏面の径を異径とする
ことによっても実現できる。さらにはインナリードの遊
端部の径をその長手方向に異径とし、かつインナリード
をその径大部と径小部とを隣り合わせて配列することも
できる。
【０００７】
【作用】上記手段により、隣り合うインナリードの間隔
が充分確保でき、リード表面に形成しためっき材が溶融
しても、隣接する電極間の短絡、耐電圧低下が防止でき
る。
が充分確保でき、リード表面に形成しためっき材が溶融
しても、隣接する電極間の短絡、耐電圧低下が防止でき
る。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例を図１乃至図３から説
明する。図において図７と同一符号は同一物を示し重複
する説明を省略する。図中、図７に示すＴＡＢ式半導体
装置と相異するのは、絶縁フイルム１に積層形成した導
電パターン５のみで、そのうち透孔１ｂ内に延在するイ
ンナリード６の基部乃至中間部の巾６ａに対して遊端部
６ｂの巾を狭小にして異径としかつ隣り合う部分の間隔
をほぼ一定としたことを特徴とする。インナリード遊端
部の状態は図４に示すように、半導体ペレット４の電極
４ａの巾をＷ、遊端部６ｂの巾をＷ１、インナリード６
の厚さをｔ、めっき材７の厚さをｄとすると、インナリ
ード６の接続後にその表裏面のめっき材が両側に図示点
線状態に示すようにはみ出す。
明する。図において図７と同一符号は同一物を示し重複
する説明を省略する。図中、図７に示すＴＡＢ式半導体
装置と相異するのは、絶縁フイルム１に積層形成した導
電パターン５のみで、そのうち透孔１ｂ内に延在するイ
ンナリード６の基部乃至中間部の巾６ａに対して遊端部
６ｂの巾を狭小にして異径としかつ隣り合う部分の間隔
をほぼ一定としたことを特徴とする。インナリード遊端
部の状態は図４に示すように、半導体ペレット４の電極
４ａの巾をＷ、遊端部６ｂの巾をＷ１、インナリード６
の厚さをｔ、めっき材７の厚さをｄとすると、インナリ
ード６の接続後にその表裏面のめっき材が両側に図示点
線状態に示すようにはみ出す。
【０００９】そのため、はみ出しためっき材を含むイン
ナリードの巾は（Ｗ１＋２・ｄ＋２・Ｗ１・ｄ／ｔ）と
なり、これが電極４ａの巾Ｗと同じか、または小さくな
るようにＷ１は設定される。この結果溶融めっき材のは
み出しを考慮しない小径部の巾Ｗ１を（Ｗ−２・ｄ）／
（１＋２・ｄ／ｔ）とすることにより溶融めっき材のは
み出しを含む小径部の巾を電極４ａの巾以内に納めるこ
とができる。具体的にＷ＝６０μｍ、ｄ＝０．３μｍと
して、リード厚ｔ＝１５μｍとすると、小径部の巾Ｗ１
はおよそ５７μｍとなり、リード厚ｔ＝１０μｍではＷ
１＝５６μｍとなる。溶融しためっき材はインナリード
６の長手方向に均等にはみ出すわけではなく、また加圧
によってリードが圧潰されその巾Ｗ１が押し拡げられる
ため、各部の寸法が上記寸法の場合、小径部の巾Ｗ１は
５０μｍ程度に設定することが望ましい。
ナリードの巾は（Ｗ１＋２・ｄ＋２・Ｗ１・ｄ／ｔ）と
なり、これが電極４ａの巾Ｗと同じか、または小さくな
るようにＷ１は設定される。この結果溶融めっき材のは
み出しを考慮しない小径部の巾Ｗ１を（Ｗ−２・ｄ）／
（１＋２・ｄ／ｔ）とすることにより溶融めっき材のは
み出しを含む小径部の巾を電極４ａの巾以内に納めるこ
とができる。具体的にＷ＝６０μｍ、ｄ＝０．３μｍと
して、リード厚ｔ＝１５μｍとすると、小径部の巾Ｗ１
はおよそ５７μｍとなり、リード厚ｔ＝１０μｍではＷ
１＝５６μｍとなる。溶融しためっき材はインナリード
６の長手方向に均等にはみ出すわけではなく、また加圧
によってリードが圧潰されその巾Ｗ１が押し拡げられる
ため、各部の寸法が上記寸法の場合、小径部の巾Ｗ１は
５０μｍ程度に設定することが望ましい。
【００１０】このように、電極４ａに対してもインナリ
ード６の径を小径にすると、溶融してはみ出しためっき
材は電極４ａの露呈表面にも拡がり電極４ａ、４ａ間へ
のはみ出しを防止でき、短絡事故や耐電圧低下などの発
生を防止できる。図５は本発明の他の実施例を示す。図
示例では電極４ａ上に位置するインナリード６の遊端部
にその長手方向に径大部６ａと径小部６ｂとを設けると
ともに、隣り合うリード６、６の隣接部分に径大部６ａ
と径小部６ｂとを交互配置している。これにより、隣り
合う径大部６ａと径小部６ｂとが交互配置されるため、
インナリードのめっき材が溶融して側方にはみ出しても
インナリード相互の間隔が充分離隔しているため、はみ
出した溶融金属が橋絡する虞はない。
ード６の径を小径にすると、溶融してはみ出しためっき
材は電極４ａの露呈表面にも拡がり電極４ａ、４ａ間へ
のはみ出しを防止でき、短絡事故や耐電圧低下などの発
生を防止できる。図５は本発明の他の実施例を示す。図
示例では電極４ａ上に位置するインナリード６の遊端部
にその長手方向に径大部６ａと径小部６ｂとを設けると
ともに、隣り合うリード６、６の隣接部分に径大部６ａ
と径小部６ｂとを交互配置している。これにより、隣り
合う径大部６ａと径小部６ｂとが交互配置されるため、
インナリードのめっき材が溶融して側方にはみ出しても
インナリード相互の間隔が充分離隔しているため、はみ
出した溶融金属が橋絡する虞はない。
【００１１】この構造では電極４ａ上でインナリード６
の接続面積を充分確保でき、電極４ａとインナリード６
の電気的接続を確実にできる。また、径大部６ａと径小
部６ｂの接続部分をテーパ状に形成することにより、イ
ンナリード遊端部の側壁の縁面距離が長くなり、めっき
材の溶融金属がこの側壁にそって分散されるためはみ出
し量を最小限に抑えることができる。図６は本発明の他
の実施例を示す。図示例では電極４ａに接続されるイン
ナリード６の遊端部の両側壁をテーパ面に形成し、断面
形状を略台形状に形成している。これにより、インナリ
ード遊端部の表裏面の径は異径となり、径大の面側から
径小の面側に向かってインナリード遊端部の間隔は拡が
る。そのため、径小面からのめっき材の溶融量が少な
く、テーパ側壁の面積が拡がるため、インナリードから
の溶融金属のはみ出し量を抑えることができ、インナリ
ードに被覆しためっき材の溶融に基づく不良の発生を防
止することができる。
の接続面積を充分確保でき、電極４ａとインナリード６
の電気的接続を確実にできる。また、径大部６ａと径小
部６ｂの接続部分をテーパ状に形成することにより、イ
ンナリード遊端部の側壁の縁面距離が長くなり、めっき
材の溶融金属がこの側壁にそって分散されるためはみ出
し量を最小限に抑えることができる。図６は本発明の他
の実施例を示す。図示例では電極４ａに接続されるイン
ナリード６の遊端部の両側壁をテーパ面に形成し、断面
形状を略台形状に形成している。これにより、インナリ
ード遊端部の表裏面の径は異径となり、径大の面側から
径小の面側に向かってインナリード遊端部の間隔は拡が
る。そのため、径小面からのめっき材の溶融量が少な
く、テーパ側壁の面積が拡がるため、インナリードから
の溶融金属のはみ出し量を抑えることができ、インナリ
ードに被覆しためっき材の溶融に基づく不良の発生を防
止することができる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体ペ
レット上の電極間の短絡、耐電圧低下などの不良発生を
防止できる。
レット上の電極間の短絡、耐電圧低下などの不良発生を
防止できる。
【図１】 本発明の実施例を示すＴＡＢ式半導体装置の
一例を示す斜視図
一例を示す斜視図
【図２】 図１半導体装置の要部拡大平面図
【図３】 図２Ｂ−Ｂ断面図
【図４】 図１半導体装置の電極とインナリードの接続
状態を示す要部拡大断面図
状態を示す要部拡大断面図
【図５】 本発明の他の実施例を示すＴＡＢ式半導体装
置の要部拡大平面図
置の要部拡大平面図
【図６】 本発明の他の実施例を示すＴＡＢ式半導体装
置の要部拡大平面図
置の要部拡大平面図
【図７】 ＴＡＢ式半導体装置の一例を示す斜視図
【図８】 図７に示すＴＡＢ式半導体装置の側断面図
【図９】 図７半導体装置の課題を説明する要部拡大断
面図
面図
１ｂ 透孔 １ 絶縁フイルム ６ａ インナリード ５ 導電パターン ３ ＴＡＢテープ ４ 半導体ペレット ４ａ 電極 ６ａ 径大部 ６ｂ 径小部
Claims (4)
- 【請求項１】透孔を有する絶縁フイルムに積層した導電
箔をエッチングして前記透孔内に延在するインナリード
を含む導電パターンを形成したＴＡＢテープの前記透孔
内に半導体ペレットを配置し、インナリードと半導体ペ
レットの電極とを重合して電気的に接合したＴＡＢ式半
導体装置において、 上記インナリードの遊端部分を、その長手方向に異径と
しかつ隣り合う部分の間隔をほぼ一定としたことを特徴
とするＴＡＢ式半導体装置。 - 【請求項２】インナリード遊端部の径がその中間部の径
に比し小径に設定されたことを特徴とする請求項１に記
載のＴＡＢ式半導体装置。 - 【請求項３】インナリードの遊端部の表裏面の径が異径
であることを特徴とする請求項２に記載のＴＡＢ式半導
体装置。 - 【請求項４】インナリードの遊端部の径をその長手方向
に異径とし、かつインナリードをその径大部と径小部と
を隣り合わせて配列したことを特徴とする請求項１に記
載のＴＡＢ式半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6775895A JPH08264590A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | Ｔａｂ式半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6775895A JPH08264590A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | Ｔａｂ式半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264590A true JPH08264590A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13354168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6775895A Pending JPH08264590A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | Ｔａｂ式半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264590A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012152984A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドおよび液体吐出ヘッドの製造方法 |
-
1995
- 1995-03-27 JP JP6775895A patent/JPH08264590A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012152984A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドおよび液体吐出ヘッドの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5161009A (en) | Ic module having a folding junction structure | |
| JP2552822B2 (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
| EP0459493B1 (en) | A semiconductor device comprising a TAB tape and its manufacturing method | |
| TW525251B (en) | Flexible wiring board, thin film carrying body, stripe semiconductor device, semiconductor device and its manufacturing method, circuit board and electronic machine | |
| JP2857496B2 (ja) | Ｔａｂ回路の製造方法 | |
| JP3536023B2 (ja) | Ｃｏｆ用テープキャリアおよびこれを用いて製造されるｃｏｆ構造の半導体装置 | |
| US3786172A (en) | Printed circuit board method and apparatus | |
| JP3886513B2 (ja) | フィルム基板およびその製造方法 | |
| JPH0714887A (ja) | フィルムキャリヤ及びその製造方法 | |
| JP2904123B2 (ja) | 多層フィルムキャリアの製造方法 | |
| JPH08264590A (ja) | Ｔａｂ式半導体装置 | |
| JPH06177315A (ja) | 多層リードフレーム | |
| JPH04342148A (ja) | テープキャリア | |
| JP4973513B2 (ja) | 半導体装置用テープキャリア、半導体装置用テープキャリアの製造方法及び半導体装置 | |
| JP2953939B2 (ja) | 半導体装置用テープキャリア型パッケージ | |
| JP4724963B2 (ja) | 温度ヒューズ | |
| JP3010812B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6215810A (ja) | 絶縁被覆電線と端子の接続方法 | |
| JP2863424B2 (ja) | リード接続方法 | |
| JPH06252215A (ja) | フィルムキャリア | |
| JPH04291737A (ja) | Ｔａｂフィルムキャリアテープ | |
| JPH0992676A (ja) | Ｔａｂ式半導体装置 | |
| JPH11307594A (ja) | 電子部品実装用フィルムキャリアテープおよび半導体素子 | |
| JP3356341B2 (ja) | Ｔａｂテープ及びその製造方法並びに半導体装置 | |
| JPH0883798A (ja) | バンプ電極形成方法及びバンプ電極形成用細条部材 |