JPH08262849A - 画像形成装置の現像方法 - Google Patents

画像形成装置の現像方法

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JPH08262849A
JPH08262849A JP7064175A JP6417595A JPH08262849A JP H08262849 A JPH08262849 A JP H08262849A JP 7064175 A JP7064175 A JP 7064175A JP 6417595 A JP6417595 A JP 6417595A JP H08262849 A JPH08262849 A JP H08262849A
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Japan
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developing
surface potential
photoconductor
bias voltage
potential sensor
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JP7064175A
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Inventor
Akio Tsujita
明夫 辻田
Tsuneaki Kawanishi
恒明 川西
Yoji Hirose
洋二 広瀬
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Koki Holdings Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Koki Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、複写機及びプリンタ等の静
電プロセスを利用する画像形成装置において、光疲労に
より感光体ドラムの表面電位低下(暗減衰)が大きくな
った感光体やAs2Se3を母材とする感光層を有する感
光体、アモルファスシリコン感光体等の表面電位の暗減
衰が大きい感光体を使用した場合でも、カブリ等の印刷
不良を発生することなく、高い印刷品質が安定して得ら
れる現像方法を提供するものである。 【構成】 多段式現像機3の前後に設置された表面電位
センサ13、14により感光体ドラム1の表面電位を計
測し、それによって現像バイアス電圧を制御することに
より、カブリ等の印刷不良を発生することなく、高い印
刷品質が安定して得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複写機及びプリンタ等
の静電印加方式を用いた画像形成装置の現像方法に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】磁気ブラシ現像方式は、静電潜像を現像
する現像方式の中で最も良く知られた方式の一つであ
る。近年、印刷速度の高速化や装置の小型化が意図され
るようになり従来の磁気ブラシ現像方式では、印刷プロ
セスを高速化した場合、画質の低下が生じるようになっ
た。これは、印刷プロセス速度を高速化した場合、充分
な画像濃度を得るための静電潜像と現像剤との接触時間
が得られないためである。以上の問題を解決するため
に、多段式磁気ブラシ現像方式が特公昭59−5340
号により提案された。また、多段式磁気ブラシ現像方式
における現像ロールのバイアス電圧の制御に関しては、
磁気ブラシ表面電位の安定化や画像濃度向上に関する提
案が特公昭62−46868号や実公昭58−1435
3号によりなされている。この現像ロールへの現像バイ
アス印加方式は、OPCや純Se系感光体、SeTe系
感光体等の表面電荷保持性が良い感光体を採用した場合
には、高画像濃度が得られ印刷品質向上に大きな効果が
ある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】一方、最近では装置の
小型化・低コスト化のため書き込み露光光源に半導体レ
ーザやLEDの近赤外光源が採用されるようになり、そ
れに伴い近赤外光に感度を有するセレン系感光体(三セ
レン化砒素感光体を母材とする感光体や増感層を有する
セレンテルル系感光体)やアモルファスシルコン感光体
が採用されている。しかし、これらの感光体は比誘電率
が約10以上と大きく、電荷保持性が低い(暗減衰が大
きい)ため、上記した現像バイアス印加方式を適用した
場合カブリ等の画質不良が生じやすいという欠点があっ
た。
【0004】また、各現像ロールの現像バイアス電圧
を、使用する感光体の暗減衰特性に対し適当な値に設定
した場合でも、長時間使用後の感光体の劣化(光劣化)
による経時的暗減衰の低下によりカブリ等の印刷不良が
発生しやすくなる。この感光体の劣化は書き込み露光光
源や除電光源に近赤外光を用いた場合に顕著に現れる問
題である。
【0005】従って本発明の目的は、誘電率が大きいた
め電荷保持能力が低い感光体や経時的光疲労等により暗
減衰率が大きくなった感光体を使用し、多段式磁気ブラ
シ現像方式により印刷を行っても、カブリ等の画質不良
を発生することなく、長期的に安定な印刷品質を実現す
ることのできる現像方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的は、一様に帯電
された感光体上に光を露光することにより形成された静
電潜像を、複数の現像ロールを配設した多段式磁気ブラ
シ現像装置を用いて反転現像する画像形成装置におい
て、前記現像装置に対し感光体移動方向上流側及び下流
側の近接した位置に感光体の非露光部の表面電位を検出
する第1の表面電位センサ、第2の表面電位センサをそ
れぞれ設け、前記表面電位センサにより検出された表面
電位に基づき前記複数の現像ロールへ印加するバイアス
電圧を制御することにより達成される。
【0007】
【作用】上記のように、表面電位センサにより検出され
た表面電位に基づき複数の現像ロールへ印加するバイア
ス電圧を制御することにより、感光体の暗減衰に応じた
バイアス電圧の制御が可能となり、感光体の劣化により
ドラム電位低下(暗減衰)が大きくなった感光体を利用
した場合でもカブリ等の印刷不良を起こすことがない。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1は本発明となる現像方法が適用される画像形
成装置の一例を示す概略図である。図中1は像担持体で
ある感光体ドラムであり、感光体ドラム1の周りには帯
電器2、現像機3、転写器4、イレーズランプ5及びク
リ−ニング装置6等の画像形成にあたってのプロセス機
器が配設されている。また、感光体ドラム1の図中右側
の9は露光光源、ポリゴンミラ−、レンズ等からなるス
キャナユニットであり、入力される画像入力信号に応じ
て変調したレーザビームを発生させる。また、転写器4
の下側には給紙用リトラクタ7が、上側には排紙用リト
ラクタ8が配設されている。
【0009】ここで、感光体ドラム1は帯電器2により
約+800V以上に一様に帯電される。次にスキャナユ
ニット9からレーザビームが出射されると、感光体ドラ
ム1には静電潜像が形成される。静電潜像は感光体ドラ
ム1の回転に伴い現像機3の方向に向けられ、現像機3
によりトナ−11が供給されて、トナ−像として現像さ
れる。感光体ドラム1上のトナ−像は転写器4により、
給紙用リトラクタ7及び排紙用リトラクタ8により搬送
される用紙10上に転写される。転写の終了した用紙1
0上のトナ−像は図示しない定着装置により永久像とし
て定着される。さらに、転写の終了した感光体ドラム1
はイレ−ズランプ5により表面を除電された後、残留ト
ナーをクリ−ニング装置6によりクリ−ニングし、次の
画像形成に備えられる。
【0010】13及び14は表面電位センサであり、感
光体表面電位の検出を行う。13はレーザビーム照射後
で現像機直前の位置に、14は現像機直後の位置に、感
光体ドラム1に近接して設けられている。15はA/D
変換器で、表面電位センサ13、14のアナログ出力を
デジタル信号に変換する。16はマイクロコンピュータ
で構成される電圧制御部で、データ記憶手段及び制御デ
ータ記憶手段となるCPU等から構成される。17はD
/A変換器で、電圧制御部16で決定された制御情報を
アナログデータに変換し、現像機3の各現像ロール10
0、101、102の現像バイアス電圧を制御する現像
バイアス制御回路300、301、302に現像バイア
スデータを転送する。
【0011】次に本発明となる現像方法について説明す
る。以下、感光体移動方向上流側から順に、現像ロール
100を第1現像ロール、現像ロール101を第2現像
ロール、現像ロール102を第3現像ロールとし、第1
現像ロール100へのバイアス電圧をVb1、第2現像ロ
ール101へのバイアス電圧をVb2、第2現像ロール1
02へのバイアス電圧をVb3とする。
【0012】図2に感光体ドラムの表面電位の減衰(暗
減衰)曲線を示す。通常、感光体表面電位の暗減衰は図
中の破線で示すように指数関数的に低下するが、この減
衰特性は環境条件(温度、湿度、オゾン濃度)や感光体
の種類、そしてイレーズ条件(イレーズ光の波長、光量
等)により大きく異なる。特に、書き込み光やイレーズ
光に長波長光を用いた場合、感光体への光劣化は大きく
なり、長時間使用による経時的光疲労が生じ、図中の実
線で示すように暗減衰特性の低下が顕著になる。 そこ
で本発明では、表面電位センサ13、14を用いて現像
機前後における表面電位から単位時間低下量:ΔV=
(VA−VB)/(TB−TA)を求め、各現像ロールの現像バ
イアス電圧:Vb(Vb1、Vb2、Vb3)を制御する。こ
こで、VAは表面電位センサ13によって検出された表
面電位、VBは表面電位センサ14によって検出された
表面電位、TAは帯電位置から表面電位センサ13の位
置までに感光体が移動する時間、TBは帯電位置から表
面電位センサ14の位置までに感光体が移動する時間で
ある。
【0013】ここで、本発明が対象とする印刷プロセス
は多段式磁気ブラシ現像方式を利用する比較的高速なプ
ロセスであり、更に、制御対象が現像ロール間のみの短
い時間であることから、本発明での現像バイアス制御に
利用する表面電位の単位時間低下量:△V(暗減衰)
は、直線的に低下すると仮定し求めた。
【0014】△Vによる各現像ロールのバイアス電圧の
設定方法について説明する。まず、各現像ロール相当位
置の感光体表面電位:VDを求める。第1現像ロール相
当位置の表面電位VD1は、VD1=VA−△V(T1−TA)
となる(T1は帯電位置から第1現像ロール位置までに
感光体が移動する時間)。第2現像ロール相当位置の表
面電位VD2は、VD2=VA−△V(T2−TA)となる(T2
は帯電位置から第2現像ロール位置までに感光体が移動
する時間)。第3現像ロール相当位置の表面電位V
D3は、VD3=VA−△V(T3−TA)となる(T3は帯電位
置から第3現像ロール位置までに感光体が移動する時
間)。
【0015】次に、各現像ロールのバイアス電圧V
bを、200V≦VD−Vb≦500Vの範囲に設定す
る。VD−Vb<200Vの場合には、表面電位とバイア
ス電位の差が小さいため非露光部(白紙部)へのトナー
付着が生じ、カブリ等の印刷不良が生じやすくなる。ま
た、VD−Vb>500Vの場合には、バイアス電圧の効
果が少なくなり、十分な画像濃度が得られにくく、エッ
ジ効果等の印刷不良が発生する恐れがある。このVD
bの電位差は、感光体と現像剤並びに現像条件によっ
て変わるため、使用する条件において最適画像が得られ
る電位とする。例えば、VD−Vb=300Vで最適な画
像が得られる現像機の場合、各現像ロールへのバイアス
電圧Vb1、Vb2、Vb3は、Vb1=VA−△V(T1−TA)−
300V、Vb2=VA−△V(T2−TA)−300V、V
b3=VA−△V(T3−TA)−300Vと制御される。
【0016】[実施例1]本実施例では図1に示す装置
において、光源にInGaAlP/GaAs系の半導体レ−ザを使用
し、半導体レ−ザの光波長を680nmとした。また、光
量は感光体表面部分において約200μW/cm2に設定
し、レーザ光は感光体ドラム1表面に直交入射するよう
に設定した。感光体ドラム1にはヨウ素添加型増感タイ
プ三セレン化砒素(形状:外径φ262mm×長さl43
0mm、膜厚:60μm、比誘電率:10)を用いた。ま
た、感光体ドラム1の回転数は60rpm、感光体初期表
面電位は現像機位置で非露光時に約+800Vとし、現
像バイアス電圧は感光体表面電位より約300V低く設
定(第1現像ロールバイアス電圧:約+500V)し
た。更に、除電用イレーズランプ5は15W白色蛍光灯
に赤色フィルタを介すことで、波長:約600nm、光
量:150μW/cm2の赤色光とした。
【0017】本実施例による画像形成は以下のようにし
て行った。まず、約+7.5kVの電圧を印加した帯電器
2により感光体ドラム1は帯電される。その直後に露光
光源(半導体レーザ)により像露光を行なう。この際、
レーザ露光スポットは一般的に直径40〜200μm、
200〜600dpiの解像度を有するものが用いられる
が、本実施例ではφ60μm、400dpiのものを用いて
画像作製を行った。帯電・露光を経て形成された静電潜
像に現像機3によりトナー像を形成する。ここで、実施
例で用いた現像機3は現像ロールを3本備えた多段式現
像機とし、現像ロール100、101、102の感光体
ドラム1に対する周速比は全て1.4とした。また、現
像バイアスは3台の高圧電源200、201、202を
使用し、各現像ロール100、101、102に対し別
々に電圧を印加した。現像機3で形成されたトナー像は
給紙用リトラクタ7から供給される用紙10に転写器4
により転写され、用紙10は定着器へ送られる。未転写
トナーが残留した感光体ドラム1はイレーズランプ5に
より除電され、クリーニング装置6によりトナーが掻き
取られた後、再び帯電・露光位置に復帰するようになっ
ている。
【0018】ここで印刷時における現像バイアス電圧の
制御について説明する。電源投入後のウォーミングアッ
プ時に感光体ドラム1の表面電位の検出を表面電位セン
サ13、14により行う。検出されたデータはA/D変
換器15で、デジタル信号に変換される。電圧制御部1
6で各現像バイアス電圧Vb1、Vb2、Vb3が算出(本実
施例ではVb1=VA−△V(T1−TA)−300V、Vb2=
A−△V(T2−TA)−300V、Vb3=VA−△V(T3
−TA)−300Vとした)された後、D/A変換器17
で、この制御情報をアナログデータに変換し、現像バイ
アス制御回路300、301、302に送られる。本実
施例では暗減衰が大きい三セレン化砒素感光体を使用し
ており、VA=860V(TA=0.108s)、VB=5
80V(TB=0.393s)であった。また、各現像ロ
ール100、101、102までの時間:T1、T2、T
3はT1=0.168s、T2=0.226s、T3=0.2
82sとした。この条件下の現像バイアス電圧はVb1
501V、Vb2=444V、Vb3=389Vであり、この
現像条件において約500頁(A3用紙サイズ)の印刷
試験を行った。印刷品質の評価はカブリ評価(白紙印刷
サンプルと未印刷用紙の印刷濃度比評価、測定機:ハン
ター濃度計)並びに印刷濃度評価(ベタ黒印刷サンプル
の画像反射濃度測定、測定機:マクベス反射濃度計)に
より行った。結果は、カブリ濃度0.5%以下であり、
ベタ黒印刷濃度は全て1.2であり、良好な印刷品質が
得られた。
【0019】[実施例2]実施例1の印刷プロセス条件
で印刷試験を約10,000頁実施した際の感光体ドラ
ム1の表面電位:VA、VBの変化を図3に示す。印刷量
の増大に従いドラム表面電位(暗部電位):VA、VB
低下し、特に、暗減衰が大きくなっているためVBの低
下が大きい。これは、一般にはイレーズ光や書き込み光
による感光体の光疲労によるものであるが、連続紙を使
用した長時間印刷などでは、プリンタ機内温度の上昇で
感光体温度が上昇し、暗減衰の低下が生じる場合もあ
る。ここで、実施例として10,000頁印刷時の現像
バイアス電圧の制御について説明する。10,000頁
印刷時のVA、VBはVA=830V、VB=480Vであっ
た。よって、△Vは△V=(VA−VB)/(TB−TA)=1
228V/sであり、実施例1と同様の過程で各現像ロー
ル100、101、102の現像バイアス電圧はVb1
456V、Vb2=385V、Vb3=316Vに制御され、
印刷結果は、カブリ濃度0.5%以下であり、ベタ黒印
刷濃度は全て1.2であり、良好な印刷品質が得られる
ことを確認した。
【0020】[実施例3]印写条件を実施例1と同一と
し、現像バイアス電圧を感光体表面電位より約200V
低く設定(第1現像ロールバイアス電圧:約+600
V)した。つまり、電圧制御部16では各現像バイアス
電圧Vb1、Vb2、Vb3はVb1=VA−△V(T1−TA)−
200V、Vb2=VA−△V(T2−TA)−200V、Vb3
=VA−△V(T3−TA)−200Vで制御される。この条
件で10,000頁の印刷試験を実施したところカブリ
濃度は0.6%以下であり、ベタ黒印刷濃度は約1.3
以上となり良好な印刷品質が安定して得られた。
【0021】[実施例4]印写条件を実施例1と同一と
し、現像バイアス電圧を感光体表面電位より約500V
低く設定(第1現像ロールバイアス電圧:約+300
V)した。つまり、電圧制御部16では各現像バイアス
電圧Vb1、Vb2、Vb3はVb1=VA−△V(T1-TA)−5
00V、Vb2=VA−△V(T2−TA)−500V、Vb3
A−△V(T3−TA)−500Vで制御される。この条件
で10,000頁の印刷試験を実施したところカブリ濃
度は0.4%以下であり、ベタ黒印刷濃度は約1.1以
上となり良好な印刷品質が安定して得られた。
【0022】[実施例5]光源に光波長が720nmのL
EDを使用し、光量は感光体表面部分において約250
μW/cm2に設定し、LED光は感光体1表面に直交入射
するように設定した。感光体ドラム1にはアモルファス
シリコン感光体(形状:外径φ262mm×長さl430
mm、膜厚:50μm、比誘電率:12)を用いた。ま
た、感光体ドラム1の回転数は60rpm、感光体初期表
面電位は現像機部分で非露光時に約+700Vとし、現
像バイアス電圧は感光体表面電位より約300V低く設
定(第1現像ロールバイアス電圧:約+400V)し
た。更に、除電用イレーズランプ5は赤色LED(波
長:約680nm、光量:200μW/cm2)を用いた。そ
の他の条件は実施例1と同一として印刷試験を行なっ
た。印刷時における現像バイアス電圧は電圧制御部16
で各現像バイアス電圧Vb1、Vb2、Vb3がVb1=VA
△V(T1−TA)−300V、Vb2=VA−△V(T2−TA)
−300V、Vb3=VA−△V(T3−TA)−300Vで制
御される。本実施例では感光体にアモルファスシリコン
感光体を採用しているため暗減衰が大きく、VA=71
0V(TA=0.108s)、VB=380V(TB=0.3
93s)であった。また、各現像ロール100、10
1、102までの時間:T1、T2、T3はT1=0.16
8s、T2=0.226s、T3=0.282sとした。こ
の条件下の現像バイアス電圧はVb1=341V、Vb2
273V、Vb3=209Vであり、この現像条件において
約500頁(A3用紙サイズ)の印刷試験を行った。印
刷品質の評価はカブリ評価及び印刷濃度評価(白紙印刷
ならびにベタ黒印刷のサンプルの画像濃度測定)により
行った。その結果、カブリ濃度は0.6%以下であり、
ベタ黒印刷濃度は全て1.3であり、良好な印刷品質が
得られた。
【0023】
【発明の効果】以上述べたように、多段式現像機の現像
ロールのバイアス電圧を現像機前後の感光体の表面電位
を計測し制御することにより、誘電率が大きく電荷保持
能力が小さい感光体や光疲労等により経時的に暗減衰が
大きくなった感光体を使用し印刷を行なっても、カブリ
等の画質不良を生じることがなく、長期的に安定な印刷
品質が得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明となる現像方法が適用される画像形成
装置の一例を示す概略図である。
【図2】 帯電後の時間と感光体ドラム表面電位の関係
図である。
【図3】 印刷枚数と感光体ドラム表面電位の関係図で
ある。
【符号の説明】
1は感光体ドラム、2は帯電器、3は現像機、4は転写
器、5はイレーズランプ、6はクリ−ニング装置、9は
スキャナユニット、10は用紙、13、14は感光体ド
ラム表面電位センサ、14はA/D変換器、16は電圧
制御部、17はD/A変換器、100は第1現像ロー
ル、101は第2現像ロール、102は第3現像ロー
ル、300、301、302は現像バイアス電圧制御回
路である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一様に帯電された感光体上に光を露光す
    ることにより形成された静電潜像を、複数の現像ロール
    を配設した多段式磁気ブラシ現像装置を用いて現像する
    画像形成装置において、 前記現像装置に対し感光体移動方向上流側及び下流側の
    近接した位置に感光体の非露光部の表面電位を検出する
    第1の表面電位センサ、第2の表面電位センサをそれぞ
    れ設け、前記表面電位センサにより検出された表面電位
    に基づき前記複数の現像ロールへ印加するバイアス電圧
    を制御することを特徴とする画像形成装置の現像方法。
  2. 【請求項2】 前記第1の表面電位センサによって検出
    された表面電位をVA、前記第2の表面電位センサによ
    って検出された表面電位をVB、帯電位置から前記第1
    の表面電位センサ位置までの感光体移動時間をTA、帯
    電位置から前記第2の表面電位センサ位置までの感光体
    移動時間をTBとしたとき、 前記複数の現像ロールへのバイアス電圧は、感光体移動
    方向最上流側に配置された現像ロールから順次、感光体
    表面電位の単位時間低下量△V=(VA−VB)/(TB−T
    A)に比例して低下することを特徴とする請求項1記載の
    画像形成装置の現像方法。
  3. 【請求項3】 各現像ロールへのバイアス電圧Vbと各
    現像ロールに対向した位置の感光体表面電位VDの差VD
    −Vbを、200V≦VD−Vb≦500Vと設定したこ
    とを特徴とする請求項1記載の画像形成装置の現像方
    法。
JP7064175A 1995-03-23 1995-03-23 画像形成装置の現像方法 Pending JPH08262849A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6151460A (en) * 1998-05-21 2000-11-21 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Image recording device having a developing bias voltage output circuit

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US6151460A (en) * 1998-05-21 2000-11-21 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Image recording device having a developing bias voltage output circuit

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