JPH08262038A - 微小開口プローブ及び微小開口プローブの製造方法 - Google Patents

微小開口プローブ及び微小開口プローブの製造方法

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JPH08262038A
JPH08262038A JP7061032A JP6103295A JPH08262038A JP H08262038 A JPH08262038 A JP H08262038A JP 7061032 A JP7061032 A JP 7061032A JP 6103295 A JP6103295 A JP 6103295A JP H08262038 A JPH08262038 A JP H08262038A
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JP
Japan
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probe
film
light
transparent substrate
resist
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JP7061032A
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English (en)
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Hiroyuki Sugimura
博之 杉村
Takuma Yamamoto
琢磨 山本
Nobuyuki Nakagiri
伸行 中桐
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 微小開口の形状を精度良く形成する。 【構成】 透明な透明基体1と、透明基体1上に形成さ
れた金属若しくは半導体からなる光遮蔽層2と、光遮蔽
層2の一部を酸化することによって設けられた光透過領
域3と、を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、微小な開口を試料表面
に接近させて、高い空間分解能で試料を観察することの
できる走査型近接場光学顕微鏡等に用いられる微小開口
プローブ及び微小開口プローブの製造方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】近年、生物学や半導体デバイス開発等広
い分野において、非接触、非破壊の高分解能顕微鏡の重
要性が高まっている。従来使用されてきた光学顕微鏡
は、非接触、非破壊という面では優れた特性を持ってい
たが、結像光学系を用いるという原理上、回折限界によ
る分解能の制限のため使用範囲が限られていた。
【0003】これらの問題を解決し、しかも試料の光学
的な性質が高い分解能で得られる技術に走査型近接場光
学顕微鏡がある。この走査型近接場光学顕微鏡は特開昭
59−121310号公報等に開示されている。この走
査型近接場光学顕微鏡の原理は、被測定物を照射すべく
光源から放射された照明光の波長よりも小さい開口によ
って被測定物の表面を走査し、表面形状、表面の光学的
性質等を測定するものであり、開口を被測定物から開口
径よりも短い距離において走査することから、走査型近
接場光学顕微鏡と呼ばれている。そのため、この走査型
近接場光学顕微鏡は微小開口を有する微小開口プローブ
を用いている。
【0004】この微小開口プローブの製造方法を以下に
説明する。まず、ガラス管を引き延ばして切断すること
によってガラスキャピラリーを作成する。このガラスキ
ャピラリーの切断面の開口は光の波長よりも小さい開口
となるようにする。その後、この開口部を残してガラス
キャピラリーに光反射膜を被覆する。このようにして微
小開口プローブは作成されていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
微小開口プローブは、微小な開口を形成するために、ガ
ラス管を引き延ばして切断するという製造方法を用いて
いたため、微小開口の形状を再現性良く形成することが
困難であるという問題点があった。そのため、良好なプ
ローブを作製するためには生産性が著しく悪かった。
【0006】走査型近接場光学顕微鏡はこの微小開口の
形状が測定結果に反映してしまうため、このように微小
開口の形状が不安定になると測定結果の精度が悪化して
しまうという問題点がある。本発明は上記問題点を鑑み
てなされたものであり、微小開口の形状を精度良く形成
することの可能な微小開口プローブ及び微小開口プロー
ブの製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明の微小
開口プローブは、透明な透明基体と、透明基体上に形成
された金属若しくは半導体からなる光遮蔽層と、光遮蔽
層の一部を酸化することによって設けられた光透過領域
と、を有する(請求項1)。また、この場合(請求項
1)に、光遮蔽層と、透明基体との間に、透明導電膜を
設けることは好ましい(請求項2)。
【0008】また、これらの場合(請求項1、2)に、
光遮蔽層の光透過領域を除く表面に第2の光遮蔽層を設
けることは好ましい(請求項3)。また、これらの場合
(請求項1、2、3)に、透明基体を光ファイバとし、
光遮蔽層を光ファイバの少なくとも一端の面に形成する
ことは好ましい(請求項4)。
【0009】また、本発明の微小開口プローブの製造方
法は、透明な透明基体上に金属若しくは半導体からなる
薄膜を形成し、薄膜の一部を酸化することからなる(請
求項5)。また、この場合(請求項5)に、陽極酸化法
によって薄膜の一部を酸化することは好ましい(請求項
6)。また、これらの場合(請求項5、6)に、薄膜を
形成する前に透明基体上に透明導電膜を形成することは
好ましい(請求項7)。
【0010】また、これらの場合(請求項5、6、7)
に、薄膜の一部を酸化した後に、酸化された領域を除く
薄膜上にメッキ法を用いて金属膜を形成することは好ま
しい(請求項8)。
【0011】
【作用】本発明による微小開口プローブの一例を図1に
示す。先端が平坦になっている石英ガラス製の四角錐1
の表面に、チタン膜2を真空蒸着によって形成してあ
る。また、四角錐1の先端に付着しているチタン膜2の
一部を陽極酸化によって酸化チタン3とした。チタン膜
の一部だけを陽極酸化するためには、例えば、特開平6
−252131号公報に開示されているような、高分解
能で金属、半導体薄膜を陽極酸化することのできる方法
を用いる。また、先端にレジストを塗布しそれを電子ビ
ームリソグラフィー等の手段を用いて露光/現像処理し
て作製したレジストパターンを陽極酸化のマスクとし、
レジストが除去された部分のチタン膜を通常の陽極酸化
の手法を用いて酸化してもよい。
【0012】酸化チタンは可視光に対して透明であり、
酸化された部分は光が透過するようになるが、チタンは
金属であるため酸化されていない部分では光は反射し透
過できない。その結果、陽極酸化された部分のみが光を
透過する微小開口が形成される。このように、陽極酸化
によって微小開口を形成することの可能な材料は、チタ
ン以外にも陽極酸化によって透明な酸化物となる金属、
半導体、もしくはそれらの間の合金や化合物ならば何で
もよい。例えばアルミニウム、タンタル、タングステ
ン、ニオブ、ニッケル、クロム、亜鉛、錫、インジウ
ム、シリコン、ガリウムヒ素、インジウムリン等の物質
が、本発明による微小開口を作製するための材料として
使用できる。
【0013】本発明では精密な微細加工技術に基づいて
微小開口を形成することができるため、形状精度の高い
微小開口を歩留りよく製造することができる。
【0014】
【実施例】以下、実施例により本発明をより具体的に説
明するが、本発明はこれに限るものではない。図1は、
本発明の第1実施例による微小開口プローブを示す概略
断面図である。
【0015】図1の微小開口プローブは石英ガラスから
なる透明基体1と、チタンからなる光遮蔽層2と、光遮
蔽層1の一部を陽極酸化することによって形成された光
透過領域3とを有する。尚、透明基体1は石英ガラスを
機械研磨加工を用いて加工することによって、図1のよ
うに一辺が数μm以内の平坦な領域を持つ四角錐状の形
状を有する。このように傾斜した面を形成することによ
って、実際に試料表面と微小開口プローブとを相対的に
走査する際に、プローブの先端部が試料と不必要に接触
することを防止することができる。
【0016】図2は、本発明の第1実施例による微小開
口プローブの製造工程を示す概略断面図である。尚、図
2では微小開口プローブの先端部のみを図示した。石英
ガラス製の透明基体1の表面に真空蒸着によって膜厚1
00nmのチタン膜2を蒸着する〔図2(a)〕。その
後、チタン膜2上にレジストを塗布し、電子ビーム露光
装置によってレジストを露光/現像し、レジストに直径
約200nmの開口部を形成する〔図2(b)〕。
【0017】その後、電源7に接続されているホルダー
8に透明基体1を装着し、チタン膜2と電源7とを電気
的に接続する。そして、図2Cの反応液5中に電源7に
接続されている対極6と、少なくともレジスト4の開口
部と、が浸されるように対極6とレジスト4の開口部と
を配置する。尚、第1実施例では反応液5として1mo
l/lの硫酸水溶液を用いた。その後、電源7を用い
て、チタン膜2が陽極、対極6が陰極となるようにチタ
ン膜2と対極6との間に60Vの直流電圧を印加して陽
極酸化を行い、レジスト4の開口部に位置するチタン膜
2のみを酸化チタンへと透明化する。この時、レジスト
が形成されている領域のチタン膜2はレジストによって
反応液5に接触しないため、レジスト4の開口部以外の
領域のチタン膜2は酸化されない。
【0018】以上のようにして、図1に示される酸化チ
タン3からなる微小開口を有する微小開口プローブを作
製した。このようにして作製されたプローブの微小開口
形状は第1実施例のような円形に限られるわけではな
く、レジストの開口部の形状を変えることによってスリ
ット状や格子状等の任意の形状にすることができた。
尚、形状精度の高い開口を作製するためには、印加電圧
はチタンの膜厚によって変化させる必要があり、膜厚が
薄いときは印加電圧を低く、厚いときは高くする必要が
あった。例えば、膜厚10nmに対して、5〜10V程
度の電圧が適当であった。
【0019】尚、第1実施例では、反応水溶液中に硫酸
を電解質として入れたが、硫酸以外の他の電解質を用い
ても良い。ただし、アルカリに弱いレジストを用いてい
る場合には、酸性もしくは中性の電解質を用いた方が好
ましい。また、本実施例では、直流電圧を印加したが、
交流もしくはパルス電圧を印加してもよい。また、陽極
酸化をしやすくするために、チタン膜と石英ガラスの間
に透明導電膜を挿入してもよい。
【0020】尚、第1実施例では陽極酸化法を用いたた
め、チタン膜2が酸化された領域はレジスト4の開口部
にほぼ等しい領域とすることができたが、酸化する領域
がレジスト4の開口部よりも広がっても良い場合や広が
りが問題とならないような場合は熱酸化等の他の酸化法
を用いても良い。図3は、第1実施例で作製された微小
開口プローブを実際に走査型近接場光学顕微鏡として用
いた概略構成図である。
【0021】微小開口プローブ101は、チューブ状の
ピエゾスキャナ102にプローブ取り付け部材103で
固定されている。また、ピエゾスキャナ102の開口部
から集光レンズ104を介してレーザ光105が入射さ
れている。また、光検出器109は試料からの透過光1
09を検出し、光検出器110は試料からの散乱光10
8を検出するように配置されている。
【0022】このような状態で微小開口プローブの先端
に形成されている酸化チタンの領域を試料106に接近
させることにより、酸化チタンの領域から発生している
エバネッセント光が試料に照射される。このエバネッセ
ント光は試料に照射されることによって透過光107及
び散乱光108を発生する。この透過光107及び散乱
光108を光検出器109、110で検出することによ
って試料の測定を行った。
【0023】このようにして、試料を測定した結果、第
1実施例による微小開口プローブでは微小開口の形状を
精度良く作製することができるため、従来の微小開口プ
ローブを用いた場合に比べて異なる微小開口プローブを
用いても測定結果の繰り返し再現性が向上されることが
確認できた。図4は、本発明の第2実施例による微小開
口プローブの製造工程を示す概略断面図である。尚、図
4では、微小開口プローブの先端部のみを図示した。
【0024】第2実施例における微小開口プローブは、
図4(c)に示すように、石英ガラスからなる透明基体
11と、透明基体11上に形成したITO膜12と、シ
リコンからなる光遮蔽層13と、光遮蔽層13の一部を
陽極酸化することによって形成された光透過領域15
と、第2の光遮蔽層16と、を有する。次に、第2実施
例における微小開口プローブの製造方法を図4を用いて
説明する。
【0025】透明基体11の表面に膜厚50nmのIT
O膜12をスパッタによって被覆し、さらにその上に膜
厚10nmのシリコン膜13をスパッタによって成膜し
た〔図4(a)〕。その後、シリコン膜13とITO膜
12とを被覆した透明基体11の表面を1%フッ酸水溶
液で1分間洗浄することによって、表面の自然酸化膜を
取り除く。そして、特開平6−252131号公報に開
示されている方法によって、加工用探針14を用いて吸
着水とシリコン膜との電気化学反応を誘起し直径50n
mの範囲だけを陽極酸化した〔図4(b)〕。このと
き、不図示ではあるが、探針14と、ITO膜12とは
電源を介して電気的に接続されており、不図示の電源か
らは探針14が陰極、ITO膜12が陽極となるように
電圧が印加されている。また、陽極酸化される面積が広
がらないように、試料と加工用探針14の周囲の雰囲気
の湿度を50%以下に、好ましくは30%以下に保つ必
要がある。本実施例では、加工用探針を試料表面に近接
させるため、原子間力顕微鏡用のカンチレバーに取り付
け、原子間力顕微鏡によって探針と試料間の距離を制御
した。この場合、探針と試料の間に吸着水分子の層が1
〜2層程度しか存在しない程度まで近接させて、実質的
には試料と探針を接触させても良い。
【0026】膜厚10nm程度のシリコン膜では、完全
に光を遮断することができない。そこで、陽極酸化した
試料表面にさらに金を無電解メッキすることによって、
開口部以外での遮光率を高めた〔図4(c)〕。試料
を、60℃にした無電解金メッキ溶液(高純度化学製:
K24−S)に5分間浸漬し、金メッキした。陽極酸化
された開口部は電気絶縁性となっているため、金は堆積
せず、残りの酸化されていないシリコン膜13だけに約
100nmの金が堆積し、開口部以外が遮光された。
【0027】第2実施例では、第2の光遮蔽層16であ
る金を形成するために、無電解金メッキを用いたが、金
以外でも、ニッケル、銅等の無電解メッキが利用でき
る。また無電解メッキでなくてもメッキ法であれば、電
気メッキ等による被覆も可能である。また、第2の光遮
蔽層16を形成するためには、固体物理 アグネ技術セ
ンター出版 Vol.29 No.7 1994 P599-605に開示されて
いる熱CVDを用いても良い。
【0028】以上のようにして、図4(c)に示される
酸化シリコン15からなる微小開口を有する微小開口プ
ローブを作製した。このようにして作製されたプローブ
の微小開口の形状は第1実施例と同様に、円形に限られ
るわけではなく、レジストの開口部の形状を変えること
によってスリット状や格子状等の任意の形状にすること
ができた。
【0029】尚、第2実施例では、シリコン膜13を効
果的に酸化させてシリコン酸化膜15を作製するために
ITO膜12を設けたが、第1実施例と同様にしてシリ
コン膜13を陽極にし、探針14を陰極にすることによ
って、探針14がシリコン膜13上を走査した領域のみ
を陽極酸化しても良い。また、第1、2実施例では透明
基体として石英ガラスを用いたが、これは使用する光に
対して透明な材料であればどのような材料を用いても良
い。また、透明基体としては光ファイバを用いて、光フ
ァイバの一端の面にチタン膜を形成し、光ファイバの光
が伝播する領域であるコアの部分に形成されているチタ
ン膜の一部を酸化して用いても良い。
【0030】
【発明の効果】上記のように、本発明では金属あるいは
半導体等の光を遮蔽する材料の一部を酸化することによ
って、その酸化された領域を光が透過する領域とするた
め、プローブに安定した微小開口を形成することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例による微小開口プローブを
示す概略構成図である。
【図2】本発明の第1実施例による微小開口プローブの
製造工程を示す概略断面図である。
【図3】本発明の第1実施例による微小開口プローブを
用いた近接場光学顕微鏡を示す概略構成図である。
【図4】本発明の第2実施例による微小開口プローブの
製造工程を示す概略断面図である。
【符号の簡単な説明】
1、11・・・透明基体 2・・・チタン膜 3・・・酸化チタン 4・・・レジスト 5・・・反応液 6・・・対極 7・・・電源 12・・・ITO膜 13・・・シリコン膜 14・・・探針 15・・・酸化シリコン 16・・・金層 101・・・微小開口プローブ 102・・・チューブスキャナ 103・・・プローブ取り付け部材 104・・・集光レンズ 105・・・レーザ光 106・・・試料 107・・・透過光 108・・・散乱光 109、110・・・光検出器

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明な透明基体と、前記透明基体上に形
    成された金属若しくは半導体からなる光遮蔽層と、前記
    光遮蔽層の一部を酸化することによって設けられた光透
    過領域と、を有することを特徴とする微小開口プロー
    ブ。
  2. 【請求項2】 前記光遮蔽層と、透明基体との間に、透
    明導電膜を設けたことを特徴とする請求項1に記載の微
    小開口プローブ。
  3. 【請求項3】 前記光遮蔽層の前記光透過領域を除く表
    面に第2の光遮蔽層を設けたことを特徴とする請求項1
    または2に記載の微小開口プローブ。
  4. 【請求項4】 前記透明基体は光ファイバであり、前記
    光遮蔽層は前記光ファイバの少なくとも一端の面に形成
    されていることを特徴とする請求項1または2または3
    に記載の微小開口プローブ。
  5. 【請求項5】 透明な透明基体上に金属若しくは半導体
    からなる薄膜を形成し、 前記薄膜の一部を酸化することを特徴とする微小開口プ
    ローブの製造方法。
  6. 【請求項6】 陽極酸化法によって前記薄膜の一部を酸
    化することを特徴とする請求項5に記載の微小開口プロ
    ーブの製造方法。
  7. 【請求項7】 前記薄膜を形成する前に前記透明基体上
    に透明導電膜を形成することを特徴とする請求項5また
    は6に記載の微小開口プローブの製造方法。
  8. 【請求項8】 前記薄膜の一部を酸化した後に、前記酸
    化された領域を除く前記薄膜上にメッキ法を用いて金属
    膜を形成することを特徴とする請求項5または6または
    7に記載の微小開口プローブの製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7297933B2 (en) 2002-06-14 2007-11-20 Canon Kabushiki Kaisha Probe, near-field light generation apparatus including probe, exposure apparatus, and exposing method using probe
JP2007333497A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Hitachi High-Technologies Corp 蛍光検出デバイスおよび装置
JP2019501394A (ja) * 2016-01-08 2019-01-17 センター ナショナル ド ラ ルシェルシュ サイエンティフィーク サンプルの電磁場を撮像するための装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7297933B2 (en) 2002-06-14 2007-11-20 Canon Kabushiki Kaisha Probe, near-field light generation apparatus including probe, exposure apparatus, and exposing method using probe
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