JPH08260146A - ニトリドレニウムフタロシアニン薄膜、その作成方法及びそれを用いた有機デバイス - Google Patents
ニトリドレニウムフタロシアニン薄膜、その作成方法及びそれを用いた有機デバイスInfo
- Publication number
- JPH08260146A JPH08260146A JP7060364A JP6036495A JPH08260146A JP H08260146 A JPH08260146 A JP H08260146A JP 7060364 A JP7060364 A JP 7060364A JP 6036495 A JP6036495 A JP 6036495A JP H08260146 A JPH08260146 A JP H08260146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- phthalocyanine
- rhenium
- film
- nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 50
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 15
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 15
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title abstract 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 claims description 2
- QJVJFVMXVBNBAL-UHFFFAOYSA-N azanylidynerhenium Chemical compound [N].[Re] QJVJFVMXVBNBAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 5
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 4
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 abstract description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N phthalonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1C#N XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229920006391 phthalonitrile polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000944 Soxhlet extraction Methods 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- JACPFCQFVIAGDN-UHFFFAOYSA-M sipc iv Chemical compound [OH-].[Si+4].CN(C)CCC[Si](C)(C)[O-].C=1C=CC=C(C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=N3)C=1C3=CC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 JACPFCQFVIAGDN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】ニトリドレニウムフタロシアニン蒸着膜を適当
な有機溶剤の蒸気で暴露処理することにより、フタロシ
アニン分子が一次元にスタックした構造をとる薄膜を作
製でき、更に基板としてアルカリハライドを用いること
により、基板に対して垂直に一次元的にスタックした構
造の薄膜を容易に作製できる。 【効果】膜厚方向と膜平面に平行な方向の導電性が桁違
いに異なる、即ち導電性に異方性を持つ薄膜を容易に提
供できる。
な有機溶剤の蒸気で暴露処理することにより、フタロシ
アニン分子が一次元にスタックした構造をとる薄膜を作
製でき、更に基板としてアルカリハライドを用いること
により、基板に対して垂直に一次元的にスタックした構
造の薄膜を容易に作製できる。 【効果】膜厚方向と膜平面に平行な方向の導電性が桁違
いに異なる、即ち導電性に異方性を持つ薄膜を容易に提
供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導電性に異方性を有し
かつ諸物性に優れた導電性レニウムフタロシアニン薄
膜、その生成方法及びそれを用いた有機デバイスに関す
る。
かつ諸物性に優れた導電性レニウムフタロシアニン薄
膜、その生成方法及びそれを用いた有機デバイスに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、フタロシアニン分子を、その
分子面に垂直な方向に積み重ねた構造の薄膜を作り、一
次元導体としての機能を引き出そうとする試みがなされ
てきた。例えば、特開平1−255660 号公報に開示されて
いるようにシリコンフタロシアニン分子の中心金属原子
間を酸素原子等で橋渡しした構造をとる金属フタロシア
ニンポリマーや、特開昭63−244678号公報に開示されて
いるようにＬＢ法で積層したフタロシアニン薄膜等が知
られている。
分子面に垂直な方向に積み重ねた構造の薄膜を作り、一
次元導体としての機能を引き出そうとする試みがなされ
てきた。例えば、特開平1−255660 号公報に開示されて
いるようにシリコンフタロシアニン分子の中心金属原子
間を酸素原子等で橋渡しした構造をとる金属フタロシア
ニンポリマーや、特開昭63−244678号公報に開示されて
いるようにＬＢ法で積層したフタロシアニン薄膜等が知
られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フタロ
シアニン分子の中心金属原子間を酸素原子等で橋渡しし
た構造のフタロシアニンポリマーを作る製膜手段では、
モノマーのフタロシアニンを蒸着後に高温で加熱処理し
脱水重合させる必要があり、また一次元配向の方向を制
御することが極めて困難であるという欠点を有してい
た。また、ＬＢ法でフタロシアニン分子を積層する方法
では、厚い膜を得るには膨大な時間を要し、生産性が極
めて悪いという欠点を有しており、一次元導電性薄膜の
簡便な製作方法が求められていた。
シアニン分子の中心金属原子間を酸素原子等で橋渡しし
た構造のフタロシアニンポリマーを作る製膜手段では、
モノマーのフタロシアニンを蒸着後に高温で加熱処理し
脱水重合させる必要があり、また一次元配向の方向を制
御することが極めて困難であるという欠点を有してい
た。また、ＬＢ法でフタロシアニン分子を積層する方法
では、厚い膜を得るには膨大な時間を要し、生産性が極
めて悪いという欠点を有しており、一次元導電性薄膜の
簡便な製作方法が求められていた。
【０００４】本発明の目的はフタロシアニン分子を用い
た生産性の良い一次元導電性薄膜を得るための薄膜の製
造法とその構成及びそれを用いた有機デバイスを提供す
るにある。
た生産性の良い一次元導電性薄膜を得るための薄膜の製
造法とその構成及びそれを用いた有機デバイスを提供す
るにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、ニトリドレニウムフタロシアニン分子が、中心金属
のレニウム原子と窒素原子との結合方向を揃えて、一方
向に一次元的に積み重なった結晶構造をとり、そのスタ
ック軸を膜の面内方向よりも厚さ方向により多く並べて
いる構成としたものである。
め、ニトリドレニウムフタロシアニン分子が、中心金属
のレニウム原子と窒素原子との結合方向を揃えて、一方
向に一次元的に積み重なった結晶構造をとり、そのスタ
ック軸を膜の面内方向よりも厚さ方向により多く並べて
いる構成としたものである。
【０００６】また、その製作方法はハロゲン化アルカリ
金属基板上にニトリドレニウムフタロシアニン薄膜を蒸
着法により形成し、その薄膜を有機溶剤蒸気にて曝露処
理することにより、スタック軸が基板に対し垂直に配向
するようにしたものである。更に、ニトリドレニウムフ
タロシアニン分子が、中心金属のレニウム原子と窒素原
子との結合方向を揃えて、一方向に一次元的に積み重な
った結晶構造をとり、そのスタック軸を膜の面内方向よ
りも厚さ方向により多く並べたニトリドレニウムフタロ
シアニン薄膜を導電膜として用いた有機デバイスとした
ものである。発明者等は、中心金属にフタロシアネート
以外の配位子を持つ金属フタロシアニンを種々検討した
結果、ニトリドレニウムフタロシアニンの蒸着膜を適当
な有機溶剤で処理することにより、ニトリドレニウムフ
タロシアニン分子が、中心金属のレニウム原子と窒素原
子との結合の方向を揃えて、一方向に一次元的に積み重
なった結晶構造をとり、そのスタック軸を、膜の面内方
向よりも厚さ方向により多く並んでいるニトリドレニウ
ムフタロシアニン薄膜を得られることを見出した。ま
た、基板としてハロゲン化アルカリ金属板を用いてその
上にニトリドレニウムフタロシアニン薄膜を蒸着法によ
り形成し、その薄膜を適当な有機溶剤蒸気にて曝露処理
することにより、スタック軸が基板に対して垂直に配向
したニトリドレニウムフタロシアニン薄膜を製作できる
ことを見出した。更に、この薄膜は膜の面内方向より
も、膜厚方向に桁違いに大きな導電性を示すことを見出
すに至った。
金属基板上にニトリドレニウムフタロシアニン薄膜を蒸
着法により形成し、その薄膜を有機溶剤蒸気にて曝露処
理することにより、スタック軸が基板に対し垂直に配向
するようにしたものである。更に、ニトリドレニウムフ
タロシアニン分子が、中心金属のレニウム原子と窒素原
子との結合方向を揃えて、一方向に一次元的に積み重な
った結晶構造をとり、そのスタック軸を膜の面内方向よ
りも厚さ方向により多く並べたニトリドレニウムフタロ
シアニン薄膜を導電膜として用いた有機デバイスとした
ものである。発明者等は、中心金属にフタロシアネート
以外の配位子を持つ金属フタロシアニンを種々検討した
結果、ニトリドレニウムフタロシアニンの蒸着膜を適当
な有機溶剤で処理することにより、ニトリドレニウムフ
タロシアニン分子が、中心金属のレニウム原子と窒素原
子との結合の方向を揃えて、一方向に一次元的に積み重
なった結晶構造をとり、そのスタック軸を、膜の面内方
向よりも厚さ方向により多く並んでいるニトリドレニウ
ムフタロシアニン薄膜を得られることを見出した。ま
た、基板としてハロゲン化アルカリ金属板を用いてその
上にニトリドレニウムフタロシアニン薄膜を蒸着法によ
り形成し、その薄膜を適当な有機溶剤蒸気にて曝露処理
することにより、スタック軸が基板に対して垂直に配向
したニトリドレニウムフタロシアニン薄膜を製作できる
ことを見出した。更に、この薄膜は膜の面内方向より
も、膜厚方向に桁違いに大きな導電性を示すことを見出
すに至った。
【０００７】一次元導電性薄膜は一方向にのみ高い導電
性を示すため、方向性を制御できる導電材料として様々
な応用が可能である。例えば、有機薄膜トランジスタ，
有機感光体，有機電界発光素子等の有機デバイスを挙げ
ることができるがこれに限定されるものではない。
性を示すため、方向性を制御できる導電材料として様々
な応用が可能である。例えば、有機薄膜トランジスタ，
有機感光体，有機電界発光素子等の有機デバイスを挙げ
ることができるがこれに限定されるものではない。
【０００８】
【作用】発明者等は、フタロシアニン環を一方向に一次
元的に積み重なった結晶構造をとり、そのスタック軸
を、膜の面内方向よりも厚さ方向により多く並べた構造
のフタロシアニン薄膜の作製を鋭意検討した結果、中心
金属のレニウムに窒素原子が三重結合で結ばれたニトリ
ドレニウムフタロシアニンの薄膜がそのような結晶構造
であることを見出した。中心金属のレニウムに三重結合
で結ばれた窒素原子は、隣接するフタロシアニンの中心
金属のレニウムと強く相互作用するため、アモルファス
状態において溶剤蒸気で曝露処理により、分子が動きや
すい状態となると隣接するフタロシアニン同士が窒素原
子に橋渡しをされたように、一次元的にフタロシアニン
環が積み重なった構造をとるものと考えられる。
元的に積み重なった結晶構造をとり、そのスタック軸
を、膜の面内方向よりも厚さ方向により多く並べた構造
のフタロシアニン薄膜の作製を鋭意検討した結果、中心
金属のレニウムに窒素原子が三重結合で結ばれたニトリ
ドレニウムフタロシアニンの薄膜がそのような結晶構造
であることを見出した。中心金属のレニウムに三重結合
で結ばれた窒素原子は、隣接するフタロシアニンの中心
金属のレニウムと強く相互作用するため、アモルファス
状態において溶剤蒸気で曝露処理により、分子が動きや
すい状態となると隣接するフタロシアニン同士が窒素原
子に橋渡しをされたように、一次元的にフタロシアニン
環が積み重なった構造をとるものと考えられる。
【０００９】また、基板としてアルカリハライドを用い
ると、アルカリハライドとフタロシアニン環との強い相
互作用のため第一層のフタロシアニン環は分子面を基板
面に対して平行に付着すると理解される。そのため、ア
ルカリハライド基板上のアモルファス状のニトロドレニ
ウムフタロシアニン薄膜は、有機溶剤による曝露処理に
より第一層のフタロシアニン環上に一次元的にフタロシ
アニン環が積み重なった構造をとる。すなわち、基板面
に対して垂直に一次元的に積み重なった構造の膜が製作
されたものと解釈できる。従って、基板として用いる材
料は、第一層のフタロシアニンが分子面を基板面に対し
て平行に付着するものであれば何でも良く、アルカリハ
ライドに限るものではないことがわかる。曝露処理に用
いる有機溶剤も、アモルファス状の蒸着膜において、フ
タロシアニン分子の結晶化の動きを補助するようなもの
であれば何でも良いことが理解される。
ると、アルカリハライドとフタロシアニン環との強い相
互作用のため第一層のフタロシアニン環は分子面を基板
面に対して平行に付着すると理解される。そのため、ア
ルカリハライド基板上のアモルファス状のニトロドレニ
ウムフタロシアニン薄膜は、有機溶剤による曝露処理に
より第一層のフタロシアニン環上に一次元的にフタロシ
アニン環が積み重なった構造をとる。すなわち、基板面
に対して垂直に一次元的に積み重なった構造の膜が製作
されたものと解釈できる。従って、基板として用いる材
料は、第一層のフタロシアニンが分子面を基板面に対し
て平行に付着するものであれば何でも良く、アルカリハ
ライドに限るものではないことがわかる。曝露処理に用
いる有機溶剤も、アモルファス状の蒸着膜において、フ
タロシアニン分子の結晶化の動きを補助するようなもの
であれば何でも良いことが理解される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１１】過レニウム酸アンモニウム（和光純薬）４
重量部とフタロニトリル８重量部を混合し、混合物を３
００度で１０分間加熱した。その後、混合物を室温に戻
るまで放置し、再度撹拌して混合し３００度で３０分間
加熱した。その後、混合物を室温に戻るまで放置して粉
砕して粉末とし、５％水酸化カリウム水溶液で処理した
後、蒸留水で十分洗浄した。得られた暗黒色の個体を、
アセトンでソックスレー抽出し、ついでエタノールでソ
ックスレー抽出し精製した。得られたニトリドレニウム
フタロシアニンは、８.３重量部であった（収量０.７
８）。さらに、この粉末資料を減圧下（４Torr）窒素ガ
ス気流中で４５０度に加熱し昇華精製した。
重量部とフタロニトリル８重量部を混合し、混合物を３
００度で１０分間加熱した。その後、混合物を室温に戻
るまで放置し、再度撹拌して混合し３００度で３０分間
加熱した。その後、混合物を室温に戻るまで放置して粉
砕して粉末とし、５％水酸化カリウム水溶液で処理した
後、蒸留水で十分洗浄した。得られた暗黒色の個体を、
アセトンでソックスレー抽出し、ついでエタノールでソ
ックスレー抽出し精製した。得られたニトリドレニウム
フタロシアニンは、８.３重量部であった（収量０.７
８）。さらに、この粉末資料を減圧下（４Torr）窒素ガ
ス気流中で４５０度に加熱し昇華精製した。
【００１２】最終的に得られた試料の元素分析結果は、
Ｃ：５３.６％（５３.９３％），Ｈ：２.２％（２.２６
％），Ｎ：１８.４％（１７.６９％）であった（括弧内
は計算値）。
Ｃ：５３.６％（５３.９３％），Ｈ：２.２％（２.２６
％），Ｎ：１８.４％（１７.６９％）であった（括弧内
は計算値）。
【００１３】以上の方法で得られたニトリドレニウムフ
タロシアニン粉末試料をタンタル製ボードに入れ蒸着源
とし、７×１０-6Torrで抵抗加熱方式により基板に蒸着
した。基板にはＮａＣｌを用いた。蒸着速度はおよそ２
〜３ｎｍ／分程度の速度になるように調整した。得られ
た蒸着膜の膜厚は１５０ｎｍであった。この蒸着膜をテ
トラヒドロフランを入れたシャーレ上に固定して曝露処
理を８時間行った。曝露処理前後のＸ線回折パタンを図
１に示す。
タロシアニン粉末試料をタンタル製ボードに入れ蒸着源
とし、７×１０-6Torrで抵抗加熱方式により基板に蒸着
した。基板にはＮａＣｌを用いた。蒸着速度はおよそ２
〜３ｎｍ／分程度の速度になるように調整した。得られ
た蒸着膜の膜厚は１５０ｎｍであった。この蒸着膜をテ
トラヒドロフランを入れたシャーレ上に固定して曝露処
理を８時間行った。曝露処理前後のＸ線回折パタンを図
１に示す。
【００１４】図１に示すように、蒸着直後の膜はアモル
ファスに近いと考えられるが、曝露処理後では明確な回
折ピーク(回折面間隔０.３８ｎｍ）が現れ結晶状態にあ
ると判断される。
ファスに近いと考えられるが、曝露処理後では明確な回
折ピーク(回折面間隔０.３８ｎｍ）が現れ結晶状態にあ
ると判断される。
【００１５】上記蒸着膜の配向性を調べるため、テトラ
ヒドロフラン蒸気による曝露処理の前後の膜の赤外線吸
収スペクトルを透過型（モニタ光が膜に対して垂直に入
射するように配置）で測定した。その結果を図２に示
す。ＲｅＮの三重結合の振動による９７８cm-1のピーク
が曝露処理後に消失していることがわかる。また、曝露
処理により７３２cm-1付近の芳香環の面外ＣＨ振動によ
るピークが弱まり、逆に１０６７−１１２５cm-1付近の
芳香環の面内ＣＨ振動によるピークが強くなっているこ
とが分かる。以上の結果は、本発明で製作した膜では、
ニトリドレニウムフタロシアニン分子が分子面をＮａＣ
ｌ基板に対して平行に並べ、それが一元的に積み重なっ
た結晶構造ができていることを示している。結晶構造の
模式図を図３に示す。
ヒドロフラン蒸気による曝露処理の前後の膜の赤外線吸
収スペクトルを透過型（モニタ光が膜に対して垂直に入
射するように配置）で測定した。その結果を図２に示
す。ＲｅＮの三重結合の振動による９７８cm-1のピーク
が曝露処理後に消失していることがわかる。また、曝露
処理により７３２cm-1付近の芳香環の面外ＣＨ振動によ
るピークが弱まり、逆に１０６７−１１２５cm-1付近の
芳香環の面内ＣＨ振動によるピークが強くなっているこ
とが分かる。以上の結果は、本発明で製作した膜では、
ニトリドレニウムフタロシアニン分子が分子面をＮａＣ
ｌ基板に対して平行に並べ、それが一元的に積み重なっ
た結晶構造ができていることを示している。結晶構造の
模式図を図３に示す。
【００１６】上記方法で作製したニトリドレニウムフタ
ロシアニン薄膜の導電性を調べるため、ＮａＣｌ上に作
成した薄膜を基板ごと水中に入れ、浮遊した試料薄膜を
ガラスあるいはアルミニウム電極を形成したガラス上に
すくい取り、減圧乾燥後、櫛型電極あるいは対向電極に
より、膜上にアルミニウムを蒸着することにより作成し
た。櫛型電極の電極間隔は０.１mm である。これらのサ
ンドイッチ型セルを用いて、その電圧−電流特性の測定
から各セルの導電性を評価した。各セルの導電度は、各
々５×１０-8（Ω-1cm-1），１×１０-10(Ω-1cm-1）で
あった。薄膜の膜方向の導電度は、面内方向の導電度よ
りも二桁以上大きい。従って、この薄膜は導電性に異方
性を持つことが分かる。
ロシアニン薄膜の導電性を調べるため、ＮａＣｌ上に作
成した薄膜を基板ごと水中に入れ、浮遊した試料薄膜を
ガラスあるいはアルミニウム電極を形成したガラス上に
すくい取り、減圧乾燥後、櫛型電極あるいは対向電極に
より、膜上にアルミニウムを蒸着することにより作成し
た。櫛型電極の電極間隔は０.１mm である。これらのサ
ンドイッチ型セルを用いて、その電圧−電流特性の測定
から各セルの導電性を評価した。各セルの導電度は、各
々５×１０-8（Ω-1cm-1），１×１０-10(Ω-1cm-1）で
あった。薄膜の膜方向の導電度は、面内方向の導電度よ
りも二桁以上大きい。従って、この薄膜は導電性に異方
性を持つことが分かる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、簡便な方法で一次元導
電体薄膜を作成することができる。
電体薄膜を作成することができる。
【図１】本発明のニトリドレニウムフタロシアニン薄膜
のＸ線回折パタンを示したものである。
のＸ線回折パタンを示したものである。
【図２】本発明のニトリドレニウムフタロシアニン薄膜
の赤外線吸収スペクトルを示したものである。
の赤外線吸収スペクトルを示したものである。
【図３】本発明のニトリドレニウムフタロシアニン薄膜
の結晶構造を示したものである。
の結晶構造を示したものである。
Claims (3)
- 【請求項１】ニトリドレニウムフタロシアニン分子が、
中心金属のレニウム原子と窒素原子との結合方向を揃え
て、一方向に一次元的に積み重なった結晶構造をとり、
そのスタック軸を膜の面内方向よりも厚さ方向により多
く並べていることを特徴としたニトリドレニウムフタロ
シアニン薄膜。 - 【請求項２】ハロゲン化アルカリ金属基板上にニトリド
レニウムフタロシアニン薄膜を蒸着法により形成し、そ
の薄膜を有機溶剤蒸気にて曝露処理することにより、ス
タック軸が基板に対し垂直に配向したニトリドレニウム
フタロシアニン薄膜を作成する作成方法。 - 【請求項３】ニトリドレニウムフタロシアニン分子が、
中心金属のレニウム原子と窒素原子との結合方向を揃え
て、一方向に一次元的に積み重なった結晶構造をとり、
そのスタック軸を膜の面内方向よりも厚さ方向により多
く並べたニトリドレニウムフタロシアニン薄膜を導電膜
として用いたことを特徴とする有機デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7060364A JPH08260146A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | ニトリドレニウムフタロシアニン薄膜、その作成方法及びそれを用いた有機デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7060364A JPH08260146A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | ニトリドレニウムフタロシアニン薄膜、その作成方法及びそれを用いた有機デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08260146A true JPH08260146A (ja) | 1996-10-08 |
Family
ID=13140022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7060364A Pending JPH08260146A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | ニトリドレニウムフタロシアニン薄膜、その作成方法及びそれを用いた有機デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08260146A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1195265A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Chemiprokasei Kaisha Ltd | 電子輸送性積層膜またはホール輸送性積層膜、それを用いたエレクトロクロミック素子および有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JP2005268449A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Asahi Kasei Corp | 縮合多環芳香族化合物薄膜の改質方法，縮合多環芳香族化合物薄膜，及び有機半導体素子 |
-
1995
- 1995-03-20 JP JP7060364A patent/JPH08260146A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1195265A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Chemiprokasei Kaisha Ltd | 電子輸送性積層膜またはホール輸送性積層膜、それを用いたエレクトロクロミック素子および有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JP2005268449A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Asahi Kasei Corp | 縮合多環芳香族化合物薄膜の改質方法，縮合多環芳香族化合物薄膜，及び有機半導体素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2578442B2 (ja) | 分子配向性薄膜 | |
| JPH03170400A (ja) | ポリイミド薄膜の製造方法及びポリイミド液晶配向膜の製造方法 | |
| JP2016191156A (ja) | 透明導電フィルムおよびその製造方法 | |
| EP0973049B1 (en) | Composite material containing fine particles of metal dispersed in polysilylenemethylene and process for the preparation thereof | |
| JPH08260146A (ja) | ニトリドレニウムフタロシアニン薄膜、その作成方法及びそれを用いた有機デバイス | |
| JPS62273079A (ja) | 重層単位体及びその製造方法 | |
| CN115124432B (zh) | 基于手性锡铅混合钙钛矿圆偏振光电探测器及其制备方法 | |
| Suh et al. | Preparation and characterization of nitrogen and oxygen containing graphite-like pyropolymers from 5-(2-Pyridyl)-2, 4-pentadiyn-1-ol | |
| JP2002284874A (ja) | ポリイミド薄膜 | |
| CN109003889B (zh) | 一种柔性基底上ii-vi族半导体薄膜的制备方法 | |
| Tran et al. | Oriented Covalent Organic Framework Film Synthesis from Azomethine Compounds | |
| CA2193563C (en) | Method for manufacturing a pyroelectric mixture | |
| Isayama et al. | Template synthesis of a large, self‐supporting graphite film in montmorillonite | |
| JPH0820650A (ja) | 有機薄膜材料及びその製造方法 | |
| JP2762044B2 (ja) | 分子配向膜の製造方法及び装置 | |
| JP2003238490A (ja) | フラーレン誘導体及びそれを用いた構造体 | |
| JPH08176803A (ja) | 分子配向有機膜の製造法 | |
| JPS6320883A (ja) | 圧電フイルムおよびその製造方法 | |
| Yamamoto et al. | Oriented thin layer crystalline films of poly (1, 4-phenylene). | |
| JP2506988B2 (ja) | 液晶配向膜 | |
| CN111763277B (zh) | 二维共价聚合物碳骨架聚合物薄膜及其制备方法与应用 | |
| JP2016185920A (ja) | 広い吸収帯を示す薄膜とそれを含むデバイスとそれらの製法 | |
| JPS60166298A (ja) | 膜作製方法 | |
| JPH0426517A (ja) | 五酸化バナジウム薄膜の製造方法 | |
| CN113782683A (zh) | 一种钙钛矿薄膜制备方法 |