JPH0426517A - 五酸化バナジウム薄膜の製造方法 - Google Patents

五酸化バナジウム薄膜の製造方法

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JPH0426517A
JPH0426517A JP12665490A JP12665490A JPH0426517A JP H0426517 A JPH0426517 A JP H0426517A JP 12665490 A JP12665490 A JP 12665490A JP 12665490 A JP12665490 A JP 12665490A JP H0426517 A JPH0426517 A JP H0426517A
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JP
Japan
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vanadium pentoxide
reducing agent
org
substrate
vanadium
Prior art date
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Pending
Application number
JP12665490A
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English (en)
Inventor
Noboru Yamazoe
昇 山添
Norio Miura
則雄 三浦
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Tosoh Corp
Original Assignee
Tosoh Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は五酸化バナジウム薄膜の製造方法に関する。
五酸化バナジウム薄膜は物理的、電気化学的特性より、
電池、表示素子などの分野に応用可能であり、特に電気
化学的酸化還元反応により可逆的に可視光の吸収スペク
トル変化を生じるため、エレクトロクロミック用素子と
して用いられる。
[従来の技術] 従来、五酸化バナジウム薄膜を得る方法としては、rT
hin 5olid FilssJ (182巻198
2年)79〜85頁年記載のスパッタリング法、「電子
通信学会論文誌J (J67−CNo、41984年)
397〜404頁記載の真空蒸着法等の乾式法、「表面
科学」 (第6巻第3号1985年)198〜205頁
記載の電解析出法、[日本化学会誌J (191115
年No、6) 1050〜1054頁記載のコロイド溶
液を塗布乾燥する方法等の湿式法が知られている。
これらの内、乾式法は真空系を用いるため、成膜プロセ
スが複雑で、大面積への成膜は困難であり、得られた膜
は高価なものとなる。また、バナジウム薄膜の膜厚を厚
くしようとした場合、長時間を必要とする欠点がある。
成膜プロセスの簡素化、低コスト化、素子の大面積化を
考えた場合、湿式法が育利であるが、従来知られていた
電解析出法やコロイド溶液の塗布乾燥法は、五酸化バナ
ジウムのコロイド溶液を用いるため、この溶液の調製に
多くの工程を必要とし、より均一な薄膜を得るには多大
な労力を必要とする。
[発明が解決しようとする課題〕 本発明は、成膜プロセスが簡単で、低コスト、かつ素子
の大面積化が容易な五酸化バナジウム薄膜の製造方法を
提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明者等は上記課題を解決するため鋭意検討した結果
、五酸化バナジウムをその還元剤と供に有機溶媒に溶解
した溶液を基板上に塗布した後、これを加熱処理する方
法により、成膜プロセスが簡単で、低コスト、かつ素子
の大面積化が容易な五酸化バナジウム薄膜の作成が可能
となることを見い出し本発明を完成した。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明では、まずバナジウムが有機溶媒に均一に溶解し
た溶液を調製する。
ここで用いるバナジウム原料は五酸化バナジウムが好ま
しいが、これ以外のバナジウム原料として硝酸バナジル
や塩化バナジル等も使用可能である。しかし、後者は高
価であるし、また塩化バナジル等はハロゲンを有するた
め、ハロゲンにより作成した膜の性質が低下する恐れが
あり好ましくない。金属バナジウムについては、酸化処
理を行えば本発明に用いることが出来る。
五酸化バナジウムは、通常そのままでは有機溶媒に溶解
しない。そのため、還元剤と共に有機溶媒中で加熱還流
等の操作を行い溶解する。ここで用いる還元剤は特に限
定されず、H2S 、アルカリ金属、水素化リチウム等
の無機系還元剤やベンジルアルコール、ヒドラジン等の
有機系還元剤があげられるが、高純度の五酸化バナジウ
ム薄膜を得るためには、熱処理により分解する有機系還
元剤がより好ましい。
本発明で用いる有機溶媒は特に限定されないが、還元さ
れたバナジウムを良く溶解すると同時に、成膜時に適度
の乾燥性を示すものが好ましい。このような有機溶媒は
、イソブチルアルコール、ターシャリ−ブチルアルコー
ル、ノルマルブチルアルコール、イソプロピルアルコー
ル等を例示することが出来る。
五酸化バナジウムの溶解操作は、一般に知られている加
熱、還流等の操作を用いることができる。
還流温度、還流時間は特に限定されず、目的とするバナ
ジウムの濃度により温度及び時間を決定すれば良いが、
通常60℃から用いる溶媒の沸点までの温度で、0.5
〜24時間である。また、完全に五酸化バナジウムが溶
解するまで加熱還流を続ける必要はなく、未溶解の五酸
化バナジウムが残存する場合には、ろ過、遠心分離等の
操作によりこれを除去し、目的とするバナジウム溶液を
得ることができる。
溶液中の五酸化バナジウムの濃度は特に限定されないが
0.1wt%〜20wt%となるように調製することが
好ましい。この濃度が0.1vt%未満の場合には、必
要な膜厚を得るのに多数回の塗布、乾燥操作を繰り返す
必要があり、また塗布の際、既に乾燥した成分が再溶解
する。また、20vt%より大では取扱いが困難で、均
一な膜を得ることが困難となる。
以上の操作により得られた溶液は、従来、五酸化バナジ
ウム薄膜の原料として用いられていたコロイド溶液と異
なり、バナジウム原子が有機溶媒中に均一に溶解してい
るため、これを用いて非常に均質な膜を与えることが可
能となる。また、有機系還元剤を用いた場合には、塗布
後の熱処理工程中に溶媒及び還元剤を完全に除去でき、
高純度の薄膜を作成することが出来る。
本発明では、上記のようにして調製した溶液を基板上に
、スピンコード、デイツプコート、スプレーコート、刷
毛塗り等の操作により塗布する。
ここで用いる基板は特に制限されず、通常この分野で用
いられるガラス基板、石英基板、シリコン基板等である
上記溶液を塗布した基板は、乾燥、加熱工程に供するが
、塗布、乾燥を必要な膜厚を得るまで繰り返すことも可
能である。
塗布、乾燥した基板の加熱処理は300℃〜600℃の
温度で行なうことが好ましい。熱処理温度がこの温度よ
り低いと、有機物の分解が不十分となると同時に膜が非
晶質であるため、目的とする五酸化バナジウム薄膜を得
ることが困難である。また必要以上の高温度での処理は
、基板と五酸化バナジウムが反応する可能性があり、ま
た、五酸化バナジウムが融解するので好ましくない。こ
の際の加熱雰囲気は特に制限されず、また加熱時間は0
.1〜IO時間である。
以上の方法により、五酸化バナジウム薄膜を得ることが
出来る。
[作用および発明の効果] 以上の説明より明らかなように、本発明によれば、製膜
プロセスが簡単で、低コスト、かつ素子の大面積化が容
易な五酸化バナジウム薄膜を得る事が出来る。
また得られた膜は、スパッタリング法等の乾式法で作成
された膜と同等の性能を示しエレクトロクロミック用素
子等として充分使用できるものである。
[実施例] 次に本発明を実施例により更に詳細に説明する。
実施例 五酸化バナジウム2gをイソブチルアルコール5011
とベンジルアルコール61の混合溶液に加えたものを1
10℃、4時間加熱還流した。還流後、溶液を室温まで
冷却した後、遠心分離を行い未反応物を除去し、バナジ
ウムのイソブチルアルコール溶液を得た。
次に得られた溶液をITOガラス基板上にスピンコード
装置を用いて塗布した。塗布条件は、回転数を2500
 rpmとし、溶液量は0,11とした。塗布後、溶媒
の乾燥は室温で行った。この塗布、乾燥操作を10回繰
り返した後、400℃で1時間熱処理ヲ行い五酸化バナ
ジウム薄膜を得た。
得られた五酸化バナジウム薄膜のX線回折結果を第一図
に示す。
得られた五酸化バナジウム薄膜のIMのLIC104−
ブロビレンカーボネート中でのサイクリックポルタモグ
ラム(掃引速度:  50 mV−see、一つの結果
を第二図に示す。アノード分極すると、濃青色−緑色−
黄色、カソード分極すると逆方向にすばやく変化する良
好なエレクトロクロミック特性ヲ示した。
得られた五酸化バナジウム薄膜の+1.2v、及び−o
、e vにおける光学密度の波長依存性を第三図に示し
た。+1.2vから−0,6vへ電位を変化させると、
吸収スペクトルの吸収端はより短波長側へシフトし、5
OOn厘以上での吸収が増加し、黄色から濃青第一図は
実施例で得られた五酸化バナジウム薄膜のX線回折結果
を示す。
第二図は実施例で得られた五酸化バナジウム薄膜のサイ
クリックポルタモグラムの結果を示す。
第三図は実施例で得られた五酸化バナジウム薄膜の光学
密度の波長依存性を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  五酸化バナジウムと還元剤を溶解した有機溶媒溶液を
    基板上に塗布し、これを加熱処理することを特徴とする
    五酸化バナジウム薄膜の製造方法
JP12665490A 1990-05-18 1990-05-18 五酸化バナジウム薄膜の製造方法 Pending JPH0426517A (ja)

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ID=14940569

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006169025A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Taki Chem Co Ltd 酸化バナジウム溶液及びその固形物
KR100605289B1 (ko) * 2006-04-06 2006-07-28 송건화 이산화바나듐 막의 제조방법 및 그 막을 구비한 정온온도스위치
CN105384191A (zh) * 2015-10-08 2016-03-09 同济大学 一种六角片状的五氧化二钒纳米材料及其制备方法和应用
US9858957B2 (en) 2014-05-28 2018-01-02 Sony Corporation Recording control apparatus and method, drive controlling controller and method, recording medium, and program

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