JPH08242038A - 発光素子の実装方法 - Google Patents
発光素子の実装方法Info
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- JPH08242038A JPH08242038A JP7060295A JP7060295A JPH08242038A JP H08242038 A JPH08242038 A JP H08242038A JP 7060295 A JP7060295 A JP 7060295A JP 7060295 A JP7060295 A JP 7060295A JP H08242038 A JPH08242038 A JP H08242038A
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- light
- receiving element
- light emitting
- light receiving
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Moving Of The Head For Recording And Reproducing By Optical Means (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザなどの発光素子の少なくとも発
光中心が光信号検出用の受光素子の光軸と１μｍ程度の
高精度で一致するように発光素子を基体上の実装部に実
装する。 【構成】 フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２を有する基
体の実装部の上に半導体レーザ４を置いて発光させ、こ
の半導体レーザ４をフォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２の
光軸ＯＸ２に対して垂直な方向に移動させることによ
り、半導体レーザ４から出射される光Ｌの強度分布をフ
ォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２により測定する。この光
Ｌの強度分布のピーク位置に応じて半導体レーザ４を実
装部上で光軸ＯＸ２に対して垂直な方向に移動させるこ
とにより、少なくともその発光中心が光軸ＯＸ２と一致
するように位置決めし、そこで実装する。
光中心が光信号検出用の受光素子の光軸と１μｍ程度の
高精度で一致するように発光素子を基体上の実装部に実
装する。 【構成】 フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２を有する基
体の実装部の上に半導体レーザ４を置いて発光させ、こ
の半導体レーザ４をフォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２の
光軸ＯＸ２に対して垂直な方向に移動させることによ
り、半導体レーザ４から出射される光Ｌの強度分布をフ
ォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２により測定する。この光
Ｌの強度分布のピーク位置に応じて半導体レーザ４を実
装部上で光軸ＯＸ２に対して垂直な方向に移動させるこ
とにより、少なくともその発光中心が光軸ＯＸ２と一致
するように位置決めし、そこで実装する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、発光素子の実装方法
に関し、例えば、いわゆるレーザカプラの製造に適用し
て好適なものである。
に関し、例えば、いわゆるレーザカプラの製造に適用し
て好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、レーザカプラと呼ばれる複合光学
装置が知られている。図１３、図１４および図１５に、
例えば超小型ＣＤプレーヤの光ピックアップとして用い
られている従来のレーザカプラを示す。ここで、図１３
はこのレーザカプラの斜視図、図１４はこのレーザカプ
ラの長手方向に沿っての断面図、図１５はこのレーザカ
プラにおけるマイクロプリズムの接着部の拡大断面図で
ある。
装置が知られている。図１３、図１４および図１５に、
例えば超小型ＣＤプレーヤの光ピックアップとして用い
られている従来のレーザカプラを示す。ここで、図１３
はこのレーザカプラの斜視図、図１４はこのレーザカプ
ラの長手方向に沿っての断面図、図１５はこのレーザカ
プラにおけるマイクロプリズムの接着部の拡大断面図で
ある。
【０００３】図１３および図１４に示すように、このレ
ーザカプラにおいては、フォトダイオードＩＣ１０１上
に、マイクロプリズム１０２と、フォトダイオード１０
３上に半導体レーザ１０４を載せた、いわゆるＬＯＰ
（Laser on Photodiode)チップとが互いに隣接して実装
されている。ここで、フォトダイオードＩＣ１０１は、
光信号検出用の一対のフォトダイオードＰＤ１およびＰ
Ｄ２のほか、これらのフォトダイオードＰＤ１およびＰ
Ｄ２の出力電流信号の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換アンプ
および演算処理部（いずれも図示せず）がＩＣ化された
ものである。また、フォトダイオード１０３は、半導体
レーザ１０４のリア側の端面からの光出力をモニター
し、それによってフロント側の端面からの光出力をモニ
ターするためのものである。
ーザカプラにおいては、フォトダイオードＩＣ１０１上
に、マイクロプリズム１０２と、フォトダイオード１０
３上に半導体レーザ１０４を載せた、いわゆるＬＯＰ
（Laser on Photodiode)チップとが互いに隣接して実装
されている。ここで、フォトダイオードＩＣ１０１は、
光信号検出用の一対のフォトダイオードＰＤ１およびＰ
Ｄ２のほか、これらのフォトダイオードＰＤ１およびＰ
Ｄ２の出力電流信号の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換アンプ
および演算処理部（いずれも図示せず）がＩＣ化された
ものである。また、フォトダイオード１０３は、半導体
レーザ１０４のリア側の端面からの光出力をモニター
し、それによってフロント側の端面からの光出力をモニ
ターするためのものである。
【０００４】図１４に示すように、マイクロプリズム１
０２は、光入射面となる斜面１０２ａ、上面１０２ｂ、
底面１０２ｃ、端面１０２ｄおよび端面１０２ｅを有す
る。そして、斜面１０２ａにはハーフミラー１０５が形
成され、上面１０２ｂには全反射膜１０６が形成され、
ＬＯＰチップ側の端面１０２ｄは鏡面に構成され、ＬＯ
Ｐチップと反対側の端面１０２ｅには光吸収膜１０７が
形成されている。
０２は、光入射面となる斜面１０２ａ、上面１０２ｂ、
底面１０２ｃ、端面１０２ｄおよび端面１０２ｅを有す
る。そして、斜面１０２ａにはハーフミラー１０５が形
成され、上面１０２ｂには全反射膜１０６が形成され、
ＬＯＰチップ側の端面１０２ｄは鏡面に構成され、ＬＯ
Ｐチップと反対側の端面１０２ｅには光吸収膜１０７が
形成されている。
【０００５】図１５に示すように、マイクロプリズム１
０２の底面１０２ｃの全面に反射防止膜１０８が形成さ
れ、フォトダイオードＰＤ１に対応する部分におけるこ
の反射防止膜１０８上にハーフミラー１０９が形成さ
れ、これらのハーフミラー１０９および反射防止膜１０
８を覆うように二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜１１０が
形成されている。一方、フォトダイオードＩＣ１０１の
全面にＳｉＯ2 膜１１１が形成されている。そして、マ
イクロプリズム１０２の底面１０２ｃに形成されたＳｉ
Ｏ2 膜１１０が接着剤１１２によりフォトダイオードＩ
Ｃ１０１上のＳｉＯ2 膜１１１に接着されて、マイクロ
プリズム１０２がフォトダイオードＩＣ１０１上に実装
されている。なお、ＳｉＯ2 膜１０９は、接着剤１１２
によるマイクロプリズム１０２の接着力を強化するため
のものである。また、ＳｉＯ2 膜１１１は、フォトダイ
オードＩＣ１０１の表面のパッシベーションのほか、接
着剤１１２によるマイクロプリズム１０２の接着力を強
化するためのものである。なお、図１４においては、ハ
ーフミラー１０９およびＳｉＯ2 膜１１０の図示は省略
されている。
０２の底面１０２ｃの全面に反射防止膜１０８が形成さ
れ、フォトダイオードＰＤ１に対応する部分におけるこ
の反射防止膜１０８上にハーフミラー１０９が形成さ
れ、これらのハーフミラー１０９および反射防止膜１０
８を覆うように二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜１１０が
形成されている。一方、フォトダイオードＩＣ１０１の
全面にＳｉＯ2 膜１１１が形成されている。そして、マ
イクロプリズム１０２の底面１０２ｃに形成されたＳｉ
Ｏ2 膜１１０が接着剤１１２によりフォトダイオードＩ
Ｃ１０１上のＳｉＯ2 膜１１１に接着されて、マイクロ
プリズム１０２がフォトダイオードＩＣ１０１上に実装
されている。なお、ＳｉＯ2 膜１０９は、接着剤１１２
によるマイクロプリズム１０２の接着力を強化するため
のものである。また、ＳｉＯ2 膜１１１は、フォトダイ
オードＩＣ１０１の表面のパッシベーションのほか、接
着剤１１２によるマイクロプリズム１０２の接着力を強
化するためのものである。なお、図１４においては、ハ
ーフミラー１０９およびＳｉＯ2 膜１１０の図示は省略
されている。
【０００６】この場合、フォトダイオードＰＤ１および
ＰＤ２としては、図１６に示すように、四分割型のもの
が用いられている。図１６において、Ａ１〜Ａ４はフォ
トダイオードＰＤ１の四分割された各フォトダイオード
を示し、Ｂ１〜Ｂ４はフォトダイオードＰＤ２の四分割
された各フォトダイオードを示す。ここで、フォトダイ
オードＡ１〜Ａ４の互いに隣接するフォトダイオード間
の間隔およびフォトダイオードＢ１〜Ｂ４の互いに隣接
するフォトダイオード間の間隔は、例えば４μｍ程度で
ある。
ＰＤ２としては、図１６に示すように、四分割型のもの
が用いられている。図１６において、Ａ１〜Ａ４はフォ
トダイオードＰＤ１の四分割された各フォトダイオード
を示し、Ｂ１〜Ｂ４はフォトダイオードＰＤ２の四分割
された各フォトダイオードを示す。ここで、フォトダイ
オードＡ１〜Ａ４の互いに隣接するフォトダイオード間
の間隔およびフォトダイオードＢ１〜Ｂ４の互いに隣接
するフォトダイオード間の間隔は、例えば４μｍ程度で
ある。
【０００７】上述のように構成されたレーザカプラは、
図１７に示すように、例えばセラミックス製のフラット
パッケージ１１３に収められ、ウィンドウキャップ（図
示せず）により封止される。
図１７に示すように、例えばセラミックス製のフラット
パッケージ１１３に収められ、ウィンドウキャップ（図
示せず）により封止される。
【０００８】次に、上述のレーザカプラの動作について
図１８を参照しながら説明する。
図１８を参照しながら説明する。
【０００９】図１８に示すように、半導体レーザ１０４
のフロント側の端面から出射されたレーザ光Ｌは、マイ
クロプリズム１０２の斜面１０２ａ上のハーフミラー
（図示せず）で反射された後、対物レンズＯＬにより集
光され、信号の読み取りを行うディスクＤに入射する。
このディスクＤで反射されたレーザ光Ｌは、マイクロプ
リズム１０２の斜面１０２ａ上のハーフミラー（図示せ
ず）を通ってこのマイクロプリズム１０２の内部に入
る。このマイクロプリズム１０２の内部に入った光のう
ち半分（５０％）の光はフォトダイオードＰＤ１に入射
し、残りの半分（５０％）の光はこのフォトダイオード
ＰＤ１上に形成されたハーフミラー（図示せず）とマイ
クロプリズム１０２の上面１０２ｂとで順次反射されて
フォトダイオードＰＤ２に入射する。
のフロント側の端面から出射されたレーザ光Ｌは、マイ
クロプリズム１０２の斜面１０２ａ上のハーフミラー
（図示せず）で反射された後、対物レンズＯＬにより集
光され、信号の読み取りを行うディスクＤに入射する。
このディスクＤで反射されたレーザ光Ｌは、マイクロプ
リズム１０２の斜面１０２ａ上のハーフミラー（図示せ
ず）を通ってこのマイクロプリズム１０２の内部に入
る。このマイクロプリズム１０２の内部に入った光のう
ち半分（５０％）の光はフォトダイオードＰＤ１に入射
し、残りの半分（５０％）の光はこのフォトダイオード
ＰＤ１上に形成されたハーフミラー（図示せず）とマイ
クロプリズム１０２の上面１０２ｂとで順次反射されて
フォトダイオードＰＤ２に入射する。
【００１０】この場合、レーザ光ＬがディスクＤの記録
面上に焦点を結んでいるときに、前後のフォトダイオー
ドＰＤ１およびＰＤ２上のスポットサイズが同じになる
ように設計されているが、焦点位置が記録面からずれる
と、これらのフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２上の
スポットサイズは互いに異なってくる。そこで、フォト
ダイオードＰＤ１からの出力信号とフォトダイオードＰ
Ｄ２からの出力信号との差を焦点位置のずれに対応させ
ると、フォーカスエラー信号を検出することができる。
そして、このフォーカスエラー信号のゼロ点が、焦点位
置がディスクＤの記録面に一致した点、つまりジャスト
フォーカス点に対応し、このフォーカスエラー信号がゼ
ロとなるようにフォーカスサーボ系にフィードバックを
与える。このようにして、ジャストフォーカス状態が維
持され、ディスクＤの再生が支障なく行われる。なお、
図１６において、フォーカスエラー信号は（Ａ１＋Ａ２
＋Ｂ３＋Ｂ４）−（Ａ３＋Ａ４＋Ｂ１＋Ｂ２）により形
成される。
面上に焦点を結んでいるときに、前後のフォトダイオー
ドＰＤ１およびＰＤ２上のスポットサイズが同じになる
ように設計されているが、焦点位置が記録面からずれる
と、これらのフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２上の
スポットサイズは互いに異なってくる。そこで、フォト
ダイオードＰＤ１からの出力信号とフォトダイオードＰ
Ｄ２からの出力信号との差を焦点位置のずれに対応させ
ると、フォーカスエラー信号を検出することができる。
そして、このフォーカスエラー信号のゼロ点が、焦点位
置がディスクＤの記録面に一致した点、つまりジャスト
フォーカス点に対応し、このフォーカスエラー信号がゼ
ロとなるようにフォーカスサーボ系にフィードバックを
与える。このようにして、ジャストフォーカス状態が維
持され、ディスクＤの再生が支障なく行われる。なお、
図１６において、フォーカスエラー信号は（Ａ１＋Ａ２
＋Ｂ３＋Ｂ４）−（Ａ３＋Ａ４＋Ｂ１＋Ｂ２）により形
成される。
【００１１】さて、上述のようなレーザカプラは、従
来、次のような方法により製造されている。
来、次のような方法により製造されている。
【００１２】すなわち、まず、図１９に示すように、所
定のウエーハプロセスによりフォトダイオードＩＣウエ
ーハ１１４を製造する。符号１１４ａは一つのフォトダ
イオードＩＣに相当するチップ領域を示す。
定のウエーハプロセスによりフォトダイオードＩＣウエ
ーハ１１４を製造する。符号１１４ａは一つのフォトダ
イオードＩＣに相当するチップ領域を示す。
【００１３】次に、図２０に示すように、フォトダイオ
ードＩＣウエーハ１１４の各チップ領域１１４ａ上の所
定の実装部に銀ペースト（図示せず）によりＬＯＰチッ
プを実装する。この後、所定のキュア処理を行う。
ードＩＣウエーハ１１４の各チップ領域１１４ａ上の所
定の実装部に銀ペースト（図示せず）によりＬＯＰチッ
プを実装する。この後、所定のキュア処理を行う。
【００１４】次に、図２１に示すように、フォトダイオ
ードＩＣウエーハ１１４の複数個、例えば１０個のチッ
プ領域１１４ａ毎に、これらのチップ領域１１４ａにま
たがる長さのバー状のマイクロプリズム１０２を紫外線
硬化樹脂系の接着剤（図示せず）を用いて仮留めする。
この後、キュア処理を行う。すなわち、紫外線照射によ
り接着剤を硬化させる。
ードＩＣウエーハ１１４の複数個、例えば１０個のチッ
プ領域１１４ａ毎に、これらのチップ領域１１４ａにま
たがる長さのバー状のマイクロプリズム１０２を紫外線
硬化樹脂系の接着剤（図示せず）を用いて仮留めする。
この後、キュア処理を行う。すなわち、紫外線照射によ
り接着剤を硬化させる。
【００１５】次に、フォトダイオードＩＣウエーハ１１
４の裏面を延伸シート（図示せず）に貼り付けた後、図
２２に示すように、図示省略した所定のダイサー（ダイ
シング装置）によりバー状のマイクロプリズム１０２を
ハーフカットする。
４の裏面を延伸シート（図示せず）に貼り付けた後、図
２２に示すように、図示省略した所定のダイサー（ダイ
シング装置）によりバー状のマイクロプリズム１０２を
ハーフカットする。
【００１６】次に、バー状のマイクロプリズム１０２、
接着剤およびフォトダイオードＩＣウエーハ１１４をダ
イサーによりフルカットし、最終的に図２３に示すよう
に、各チップ、すなわち各フォトダイオードＩＣ１０１
に分割する。
接着剤およびフォトダイオードＩＣウエーハ１１４をダ
イサーによりフルカットし、最終的に図２３に示すよう
に、各チップ、すなわち各フォトダイオードＩＣ１０１
に分割する。
【００１７】この後、延伸シートの延伸を行って各チッ
プを離間させた状態で、各チップをピックアップし、図
１７に示すように、パッケージングを行う。
プを離間させた状態で、各チップをピックアップし、図
１７に示すように、パッケージングを行う。
【００１８】さて、上述のレーザカプラにおいては、そ
の特性の劣化を防止するために、光信号検出用のフォト
ダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光軸（フォトダイオー
ドＰＤ１およびＰＤ２の中心線あるいは中央分割線）に
半導体レーザ１０４の少なくとも発光中心が一致するよ
うに、フォトダイオードＩＣ１０１上の所定の実装部
（ダイパッド）にＬＯＰチップを実装する必要がある。
の特性の劣化を防止するために、光信号検出用のフォト
ダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光軸（フォトダイオー
ドＰＤ１およびＰＤ２の中心線あるいは中央分割線）に
半導体レーザ１０４の少なくとも発光中心が一致するよ
うに、フォトダイオードＩＣ１０１上の所定の実装部
（ダイパッド）にＬＯＰチップを実装する必要がある。
【００１９】このため、従来は、図２４に示すように、
フォトダイオードＩＣ１０１上に、配線の形成に用いら
れる二層目のアルミニウム（Ａｌ）膜などにより基準位
置を示す基準マーク１１５を形成しておき、この基準マ
ーク１１５からフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の
光軸を求め、このフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２
の光軸に半導体レーザ１０４の発光中心が一致するよう
にＬＯＰチップを実装部１１６に実装している。ここ
で、フォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２は通常イオン
注入により形成されるが、このイオン注入に用いられる
レジストマスクと二層目のＡｌ膜のパターニングのため
のレジストマスクとの合わせ精度は約１．５μｍ程度で
ある。
フォトダイオードＩＣ１０１上に、配線の形成に用いら
れる二層目のアルミニウム（Ａｌ）膜などにより基準位
置を示す基準マーク１１５を形成しておき、この基準マ
ーク１１５からフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の
光軸を求め、このフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２
の光軸に半導体レーザ１０４の発光中心が一致するよう
にＬＯＰチップを実装部１１６に実装している。ここ
で、フォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２は通常イオン
注入により形成されるが、このイオン注入に用いられる
レジストマスクと二層目のＡｌ膜のパターニングのため
のレジストマスクとの合わせ精度は約１．５μｍ程度で
ある。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】上述のようにフォトダ
イオードＩＣ１０１上の基準マーク１１５を用いて半導
体レーザ１０４の発光中心をフォトダイオードＰＤ１お
よびＰＤ２の光軸に合わせるには、次の三通りの方法が
ある。
イオードＩＣ１０１上の基準マーク１１５を用いて半導
体レーザ１０４の発光中心をフォトダイオードＰＤ１お
よびＰＤ２の光軸に合わせるには、次の三通りの方法が
ある。
【００２１】第１の方法においては、半導体レーザ１０
４にあらかじめ形成した基準マーク（図示せず）をフォ
トダイオードＩＣ１０１上の基準マーク１１５に合わせ
る。通常、半導体レーザ１０４の基準マークは、発光端
面（フロント側の端面）と反対側の端面（リア側の端
面）に両面マスク合わせによって形成されるので、この
基準マークと半導体レーザ１０４の発光中心との間には
±５μｍ程度のずれがある。このため、半導体レーザ１
０４の基準マークをフォトダイオードＩＣ１０１上の基
準マーク１１５から求められるフォトダイオードＰＤ１
およびＰＤ２の光軸に合わせても、半導体レーザ１０４
の発光中心とフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光
軸との間には、少なくとも±５μｍ程度のずれが生じて
しまう。
４にあらかじめ形成した基準マーク（図示せず）をフォ
トダイオードＩＣ１０１上の基準マーク１１５に合わせ
る。通常、半導体レーザ１０４の基準マークは、発光端
面（フロント側の端面）と反対側の端面（リア側の端
面）に両面マスク合わせによって形成されるので、この
基準マークと半導体レーザ１０４の発光中心との間には
±５μｍ程度のずれがある。このため、半導体レーザ１
０４の基準マークをフォトダイオードＩＣ１０１上の基
準マーク１１５から求められるフォトダイオードＰＤ１
およびＰＤ２の光軸に合わせても、半導体レーザ１０４
の発光中心とフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光
軸との間には、少なくとも±５μｍ程度のずれが生じて
しまう。
【００２２】第２の方法においては、半導体レーザ１０
４の基準マークとその発光中心との位置関係をあらかじ
め調べてそれらのずれ量を求めておき、このずれ量を補
正量として、第１の方法と同様に、半導体レーザ１０４
の基準マークをフォトダイオードＩＣ１０１上の基準マ
ーク１１５から求められるフォトダイオードＰＤ１およ
びＰＤ２の光軸に合わせる。この場合、フォトダイオー
ドＩＣ１０１上の基準マーク１１５とフォトダイオード
ＰＤ１およびＰＤ２の光軸との間のずれ量（±１．５μ
ｍ程度）とＬＯＰチップの実装時のずれ量との合計がフ
ォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光軸と半導体レー
ザ１０４の発光中心との合わせずれ量になるため、半導
体レーザ１０４の発光中心とフォトダイオードＰＤ１お
よびＰＤ２の光軸との間には少なくとも±１．５μｍ程
度以上のずれが生じてしまう。
４の基準マークとその発光中心との位置関係をあらかじ
め調べてそれらのずれ量を求めておき、このずれ量を補
正量として、第１の方法と同様に、半導体レーザ１０４
の基準マークをフォトダイオードＩＣ１０１上の基準マ
ーク１１５から求められるフォトダイオードＰＤ１およ
びＰＤ２の光軸に合わせる。この場合、フォトダイオー
ドＩＣ１０１上の基準マーク１１５とフォトダイオード
ＰＤ１およびＰＤ２の光軸との間のずれ量（±１．５μ
ｍ程度）とＬＯＰチップの実装時のずれ量との合計がフ
ォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光軸と半導体レー
ザ１０４の発光中心との合わせずれ量になるため、半導
体レーザ１０４の発光中心とフォトダイオードＰＤ１お
よびＰＤ２の光軸との間には少なくとも±１．５μｍ程
度以上のずれが生じてしまう。
【００２３】第３の方法においては、フォトダイオード
ＩＣ１０１上で半導体レーザ１０４を発光させ、その発
光中心とフォトダイオードＩＣ１０１上の基準マーク１
１５から求められるフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ
２の光軸とを合わせる。このときは、半導体レーザ１０
４を発光させるためのヘッドと、発光中心を検出するた
めの光学系とが狭い部分で互いに干渉するため、機械的
に困難である。
ＩＣ１０１上で半導体レーザ１０４を発光させ、その発
光中心とフォトダイオードＩＣ１０１上の基準マーク１
１５から求められるフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ
２の光軸とを合わせる。このときは、半導体レーザ１０
４を発光させるためのヘッドと、発光中心を検出するた
めの光学系とが狭い部分で互いに干渉するため、機械的
に困難である。
【００２４】以上のように、従来は、半導体レーザ１０
４の発光中心をフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の
光軸に精度良く一致させることは困難であり、これがレ
ーザカプラの特性の劣化をもたらす一つの原因であっ
た。
４の発光中心をフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の
光軸に精度良く一致させることは困難であり、これがレ
ーザカプラの特性の劣化をもたらす一つの原因であっ
た。
【００２５】したがって、この発明の目的は、発光素子
の少なくとも発光中心が光信号検出用の受光素子の光軸
と１μｍ程度の高精度で一致するように発光素子を基体
上の実装部に実装することができる発光素子の実装方法
を提供することにある。
の少なくとも発光中心が光信号検出用の受光素子の光軸
と１μｍ程度の高精度で一致するように発光素子を基体
上の実装部に実装することができる発光素子の実装方法
を提供することにある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、光信号検出用の少なくとも一つの受光
素子を有する基体上の所定の実装部に発光素子を少なく
ともその発光中心が受光素子の光軸と一致するように実
装するようにした発光素子の実装方法において、実装部
上に発光素子を置いた状態で発光素子を発光させ、発光
素子を受光素子の光軸に対してほぼ垂直な方向に基体に
対して相対的に移動させることにより発光素子から出射
される光の強度分布を受光素子により測定し、光の強度
分布のピーク位置に応じて発光素子を実装部上で基体に
対して相対的に移動させることにより少なくともその発
光中心が受光素子の光軸と一致するように実装部に実装
するようにしたことを特徴とするものである。
に、この発明は、光信号検出用の少なくとも一つの受光
素子を有する基体上の所定の実装部に発光素子を少なく
ともその発光中心が受光素子の光軸と一致するように実
装するようにした発光素子の実装方法において、実装部
上に発光素子を置いた状態で発光素子を発光させ、発光
素子を受光素子の光軸に対してほぼ垂直な方向に基体に
対して相対的に移動させることにより発光素子から出射
される光の強度分布を受光素子により測定し、光の強度
分布のピーク位置に応じて発光素子を実装部上で基体に
対して相対的に移動させることにより少なくともその発
光中心が受光素子の光軸と一致するように実装部に実装
するようにしたことを特徴とするものである。
【００２７】また、この発明は、光信号検出用の少なく
とも一つの受光素子を有する基体上の所定の実装部に発
光素子を少なくともその発光中心が受光素子の光軸と一
致するように実装するようにした発光素子の実装方法に
おいて、受光素子と光軸を同一とする光の強度分布測定
用の少なくとも一つの他の受光素子を基体上に設け、実
装部上に発光素子を置いた状態で発光素子を発光させ、
発光素子を受光素子の光軸に対してほぼ垂直な方向に基
体に対して相対的に移動させることにより発光素子から
出射される光の強度分布を他の受光素子により測定し、
光の強度分布のピーク位置に応じて発光素子を実装部上
で基体に対して相対的に移動させることにより少なくと
もその発光中心が受光素子の光軸と一致するように実装
部に実装するようにしたことを特徴とするものである。
とも一つの受光素子を有する基体上の所定の実装部に発
光素子を少なくともその発光中心が受光素子の光軸と一
致するように実装するようにした発光素子の実装方法に
おいて、受光素子と光軸を同一とする光の強度分布測定
用の少なくとも一つの他の受光素子を基体上に設け、実
装部上に発光素子を置いた状態で発光素子を発光させ、
発光素子を受光素子の光軸に対してほぼ垂直な方向に基
体に対して相対的に移動させることにより発光素子から
出射される光の強度分布を他の受光素子により測定し、
光の強度分布のピーク位置に応じて発光素子を実装部上
で基体に対して相対的に移動させることにより少なくと
もその発光中心が受光素子の光軸と一致するように実装
部に実装するようにしたことを特徴とするものである。
【００２８】この発明においては、例えば、光の強度分
布のピーク位置が受光素子の光軸と一致するように発光
素子を実装部上で受光素子の光軸に対してほぼ垂直な方
向に基体に対して相対的に移動させて実装部に実装す
る。この場合、最初に発光素子を実装部上に置いたとき
に、この発光素子の光軸が受光素子の光軸に平行である
がそれらに垂直な方向に互いにずれているならば、上述
のように発光素子を移動させて実装することにより、発
光素子の光軸を受光素子の光軸と一致させることができ
る。
布のピーク位置が受光素子の光軸と一致するように発光
素子を実装部上で受光素子の光軸に対してほぼ垂直な方
向に基体に対して相対的に移動させて実装部に実装す
る。この場合、最初に発光素子を実装部上に置いたとき
に、この発光素子の光軸が受光素子の光軸に平行である
がそれらに垂直な方向に互いにずれているならば、上述
のように発光素子を移動させて実装することにより、発
光素子の光軸を受光素子の光軸と一致させることができ
る。
【００２９】また、この発明においては、例えば、基体
は光信号検出用の第１の受光素子および第２の受光素子
を有し、実装部上に発光素子を置いた状態で発光素子を
発光させ、発光素子を第１の受光素子および第２の受光
素子の光軸に対してほぼ垂直な方向に基体に対して相対
的に移動させることにより発光素子から出射される光の
強度分布を第１の受光素子および第２の受光素子により
それぞれ測定し、第１の受光素子により測定された光の
強度分布のピーク位置および第２の受光素子により測定
された光の強度分布のピーク位置から発光素子の発光中
心の位置を求め、発光中心が第１の受光素子および第２
の受光素子の光軸と一致するように発光素子を実装部上
で第１の受光素子および第２の受光素子の光軸に対して
ほぼ垂直な方向に基体に対して相対的に移動させて実装
部に実装する。
は光信号検出用の第１の受光素子および第２の受光素子
を有し、実装部上に発光素子を置いた状態で発光素子を
発光させ、発光素子を第１の受光素子および第２の受光
素子の光軸に対してほぼ垂直な方向に基体に対して相対
的に移動させることにより発光素子から出射される光の
強度分布を第１の受光素子および第２の受光素子により
それぞれ測定し、第１の受光素子により測定された光の
強度分布のピーク位置および第２の受光素子により測定
された光の強度分布のピーク位置から発光素子の発光中
心の位置を求め、発光中心が第１の受光素子および第２
の受光素子の光軸と一致するように発光素子を実装部上
で第１の受光素子および第２の受光素子の光軸に対して
ほぼ垂直な方向に基体に対して相対的に移動させて実装
部に実装する。
【００３０】さらに、この発明においては、例えば、基
体は光の強度分布測定用の第１の受光素子および第２の
受光素子を有し、実装部上に発光素子を置いた状態で発
光素子を発光させ、発光素子を第１の受光素子および第
２の受光素子の光軸に対してほぼ垂直な方向に基体に対
して相対的に移動させることにより発光素子から出射さ
れる光の強度分布を第１の受光素子および第２の受光素
子によりそれぞれ測定し、第１の受光素子により測定さ
れた光の強度分布のピーク位置および第２の受光素子に
より測定された光の強度分布のピーク位置から発光素子
の発光中心の位置を求め、発光中心が第１の受光素子お
よび第２の受光素子の光軸と一致するように発光素子を
実装部上で第１の受光素子および第２の受光素子の光軸
に対してほぼ垂直な方向に基体に対して相対的に移動さ
せて実装部に実装する。この発明において、発光素子
は、典型的には、半導体レーザや発光ダイオードであ
る。
体は光の強度分布測定用の第１の受光素子および第２の
受光素子を有し、実装部上に発光素子を置いた状態で発
光素子を発光させ、発光素子を第１の受光素子および第
２の受光素子の光軸に対してほぼ垂直な方向に基体に対
して相対的に移動させることにより発光素子から出射さ
れる光の強度分布を第１の受光素子および第２の受光素
子によりそれぞれ測定し、第１の受光素子により測定さ
れた光の強度分布のピーク位置および第２の受光素子に
より測定された光の強度分布のピーク位置から発光素子
の発光中心の位置を求め、発光中心が第１の受光素子お
よび第２の受光素子の光軸と一致するように発光素子を
実装部上で第１の受光素子および第２の受光素子の光軸
に対してほぼ垂直な方向に基体に対して相対的に移動さ
せて実装部に実装する。この発明において、発光素子
は、典型的には、半導体レーザや発光ダイオードであ
る。
【００３１】
【作用】上述のように構成されたこの発明による発光素
子の実装方法においては、発光素子から出射される光の
強度分布のピーク位置に応じて発光素子を実装部上で基
体に対して相対的に移動させることにより少なくともそ
の発光中心が光信号検出用の受光素子の光軸と一致する
ように実装部に実装するようにしていることにより、発
光素子の発光中心と受光素子の光軸との合わせ精度を１
μｍ程度の高精度とすることができる。
子の実装方法においては、発光素子から出射される光の
強度分布のピーク位置に応じて発光素子を実装部上で基
体に対して相対的に移動させることにより少なくともそ
の発光中心が光信号検出用の受光素子の光軸と一致する
ように実装部に実装するようにしていることにより、発
光素子の発光中心と受光素子の光軸との合わせ精度を１
μｍ程度の高精度とすることができる。
【００３２】
【実施例】以下、この発明をレーザカプラの製造に適用
した実施例について図面を参照しながら説明する。な
お、実施例の全図において、同一または対応する部分に
は同一の符号を付す。
した実施例について図面を参照しながら説明する。な
お、実施例の全図において、同一または対応する部分に
は同一の符号を付す。
【００３３】まず、この発明の第１実施例について説明
する。この第１実施例においては、まず、図１に示すよ
うに、所定のウエーハプロセスによりフォトダイオード
ＩＣウエーハ１を製造する。符号１ａは一つのフォトダ
イオードＩＣに相当するチップ領域を示す。図２に示す
ように、このチップ領域１ａには、光信号検出用の一対
のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２が形成されてい
るとともに、ＬＯＰチップ実装用の実装部（ダイパッ
ド）２が形成されている。ここで、フォトダイオードＰ
Ｄ１およびＰＤ２としては、図１６に示すと同様な四分
割型のものが用いられている。
する。この第１実施例においては、まず、図１に示すよ
うに、所定のウエーハプロセスによりフォトダイオード
ＩＣウエーハ１を製造する。符号１ａは一つのフォトダ
イオードＩＣに相当するチップ領域を示す。図２に示す
ように、このチップ領域１ａには、光信号検出用の一対
のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２が形成されてい
るとともに、ＬＯＰチップ実装用の実装部（ダイパッ
ド）２が形成されている。ここで、フォトダイオードＰ
Ｄ１およびＰＤ２としては、図１６に示すと同様な四分
割型のものが用いられている。
【００３４】次に、図３に示すように、各チップ領域１
ａ上の実装部２に例えば銀ペースト（図示せず）によ
り、フォトダイオード３上に半導体レーザ４を載せたＬ
ＯＰチップを実装する。この後、所定のキュア処理を行
う。
ａ上の実装部２に例えば銀ペースト（図示せず）によ
り、フォトダイオード３上に半導体レーザ４を載せたＬ
ＯＰチップを実装する。この後、所定のキュア処理を行
う。
【００３５】ここで、ＬＯＰチップの実装は、半導体レ
ーザ４の出射光を利用して行う。その具体的方法につい
て説明すると、次の通りである。
ーザ４の出射光を利用して行う。その具体的方法につい
て説明すると、次の通りである。
【００３６】一般に、半導体レーザ４の出射光Ｌの強度
分布は、図４Ａに示すように、その光軸（半導体レーザ
４の両共振器端面に垂直で発光中心を通る軸）ＯＸ１上
にピークを有する。ただし、ここでは、半導体レーザ４
の発振モードとして横モードが０次のものを考える。
分布は、図４Ａに示すように、その光軸（半導体レーザ
４の両共振器端面に垂直で発光中心を通る軸）ＯＸ１上
にピークを有する。ただし、ここでは、半導体レーザ４
の発振モードとして横モードが０次のものを考える。
【００３７】図４Ａに示すような半導体レーザ４の出射
光Ｌの強度分布は、図４Ｂに示すように、半導体レーザ
４の前面にスリットＳを置き、このスリットＳを用いて
出射光Ｌを部分的に取り出しながら、出射光Ｌを横切る
ように半導体レーザ４の光軸ＯＸ１に垂直にスリットＳ
を移動させることにより測定することができる。この場
合、スリットＳの部分には光検出器ＰＤを設けておき、
スリットＳを通過した光をこの光検出器ＰＤにより検出
する。このときに光検出器ＰＤから得られる信号の強度
は、スリットＳが半導体レーザ４の光軸ＯＸ１上にきた
ときに最大になる。
光Ｌの強度分布は、図４Ｂに示すように、半導体レーザ
４の前面にスリットＳを置き、このスリットＳを用いて
出射光Ｌを部分的に取り出しながら、出射光Ｌを横切る
ように半導体レーザ４の光軸ＯＸ１に垂直にスリットＳ
を移動させることにより測定することができる。この場
合、スリットＳの部分には光検出器ＰＤを設けておき、
スリットＳを通過した光をこの光検出器ＰＤにより検出
する。このときに光検出器ＰＤから得られる信号の強度
は、スリットＳが半導体レーザ４の光軸ＯＸ１上にきた
ときに最大になる。
【００３８】ここで、スリットＳは有限な開口を有する
光検出器と等価であり、また、半導体レーザ４に対して
光検出器ＰＤを移動させる代わりに、スリットＳおよび
光検出器ＰＤを固定し、これらに対して半導体レーザ４
をその光軸ＯＸ１に垂直に移動させるようにしてもよ
い。
光検出器と等価であり、また、半導体レーザ４に対して
光検出器ＰＤを移動させる代わりに、スリットＳおよび
光検出器ＰＤを固定し、これらに対して半導体レーザ４
をその光軸ＯＸ１に垂直に移動させるようにしてもよ
い。
【００３９】さて、この第１実施例においては、フォト
ダイオードＩＣウエーハ１のチップ領域１ａ上のフォト
ダイオードＰＤ１およびＰＤ２を図４Ｂに示すスリット
Ｓに対応させ、ＬＯＰチップ、したがって半導体レーザ
４の移動をＬＯＰチップの実装部２上で行う。
ダイオードＩＣウエーハ１のチップ領域１ａ上のフォト
ダイオードＰＤ１およびＰＤ２を図４Ｂに示すスリット
Ｓに対応させ、ＬＯＰチップ、したがって半導体レーザ
４の移動をＬＯＰチップの実装部２上で行う。
【００４０】まず、図５Ａに示すように、半導体レーザ
４の光軸ＯＸ１はフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２
の光軸ＯＸ２と平行であるが、それらに垂直方向に互い
にずれている場合を考える。
４の光軸ＯＸ１はフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２
の光軸ＯＸ２と平行であるが、それらに垂直方向に互い
にずれている場合を考える。
【００４１】この場合、まず、ＬＯＰチップを実装部２
上に置いて半導体レーザ４を発光させる。次に、この半
導体レーザ４をフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の
光軸ＯＸ２と垂直方向に移動させることによりこの半導
体レーザ４の出射光Ｌの強度分布をフォトダイオードＰ
Ｄ１またはフォトダイオードＰＤ２により測定し、その
ピーク位置を求める。次に、図５Ｂに示すように、半導
体レーザ４の出射光Ｌの強度分布のピーク位置がフォト
ダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光軸ＯＸ２と一致する
まで半導体レーザ４をフォトダイオードＰＤ１およびＰ
Ｄ２の光軸ＯＸ２と垂直方向に移動させ、その位置でＬ
ＯＰチップを実装する。
上に置いて半導体レーザ４を発光させる。次に、この半
導体レーザ４をフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の
光軸ＯＸ２と垂直方向に移動させることによりこの半導
体レーザ４の出射光Ｌの強度分布をフォトダイオードＰ
Ｄ１またはフォトダイオードＰＤ２により測定し、その
ピーク位置を求める。次に、図５Ｂに示すように、半導
体レーザ４の出射光Ｌの強度分布のピーク位置がフォト
ダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光軸ＯＸ２と一致する
まで半導体レーザ４をフォトダイオードＰＤ１およびＰ
Ｄ２の光軸ＯＸ２と垂直方向に移動させ、その位置でＬ
ＯＰチップを実装する。
【００４２】ここで、出射光Ｌの強度分布のピーク位置
は、実際には、フォトダイオードＰＤ１またはフォトダ
イオードＰＤ２により検出される信号の強度が最大にな
る位置として求められる。また、フォトダイオードＰＤ
１またはフォトダイオードＰＤ２による半導体レーザ４
の出射光Ｌの強度分布の測定は、フォトダイオードＩＣ
ウエーハ１上で針立てを行ってフォトダイオードＰＤ１
またはフォトダイオードＰＤ２の出力を取り出すことに
より容易に行うことができる。
は、実際には、フォトダイオードＰＤ１またはフォトダ
イオードＰＤ２により検出される信号の強度が最大にな
る位置として求められる。また、フォトダイオードＰＤ
１またはフォトダイオードＰＤ２による半導体レーザ４
の出射光Ｌの強度分布の測定は、フォトダイオードＩＣ
ウエーハ１上で針立てを行ってフォトダイオードＰＤ１
またはフォトダイオードＰＤ２の出力を取り出すことに
より容易に行うことができる。
【００４３】次に、図６に示すように、半導体レーザ４
の光軸ＯＸ１がフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の
光軸ＯＸ２に対して傾斜しており、かつ半導体レーザ４
の発光中心がフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光
軸ＯＸ２と一致していない場合を考える。
の光軸ＯＸ１がフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の
光軸ＯＸ２に対して傾斜しており、かつ半導体レーザ４
の発光中心がフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光
軸ＯＸ２と一致していない場合を考える。
【００４４】この場合には、まず、ＬＯＰチップを実装
部２上に置いて半導体レーザ４を発光させる。次に、こ
の半導体レーザ４をフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ
２の光軸ＯＸ２と垂直方向に移動させることによりこの
半導体レーザ４の出射光Ｌの強度分布をフォトダイオー
ドＰＤ１およびフォトダイオードＰＤ２によりそれぞれ
測定し、フォトダイオードＰＤ１により測定された強度
分布のピーク位置およびフォトダイオードＰＤ２により
測定された強度分布のピーク位置をそれぞれ求める。こ
のとき、これらのピーク位置は互いに異なる（図６）。
そこで、これらのピーク位置のずれから、フォトダイオ
ードＰＤ１およびＰＤ２の光軸ＯＸ２に対する半導体レ
ーザ４の光軸ＯＸ１の傾きを演算により求め、この傾き
から半導体レーザ４の発光中心の位置を求める。次に、
図７に示すように、この発光中心がフォトダイオードＰ
Ｄ１およびＰＤ２の光軸ＯＸ２と一致するまで、半導体
レーザ４をフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光軸
ＯＸ２に対して垂直な方向に移動させ、その位置でＬＯ
Ｐチップを実装する。
部２上に置いて半導体レーザ４を発光させる。次に、こ
の半導体レーザ４をフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ
２の光軸ＯＸ２と垂直方向に移動させることによりこの
半導体レーザ４の出射光Ｌの強度分布をフォトダイオー
ドＰＤ１およびフォトダイオードＰＤ２によりそれぞれ
測定し、フォトダイオードＰＤ１により測定された強度
分布のピーク位置およびフォトダイオードＰＤ２により
測定された強度分布のピーク位置をそれぞれ求める。こ
のとき、これらのピーク位置は互いに異なる（図６）。
そこで、これらのピーク位置のずれから、フォトダイオ
ードＰＤ１およびＰＤ２の光軸ＯＸ２に対する半導体レ
ーザ４の光軸ＯＸ１の傾きを演算により求め、この傾き
から半導体レーザ４の発光中心の位置を求める。次に、
図７に示すように、この発光中心がフォトダイオードＰ
Ｄ１およびＰＤ２の光軸ＯＸ２と一致するまで、半導体
レーザ４をフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光軸
ＯＸ２に対して垂直な方向に移動させ、その位置でＬＯ
Ｐチップを実装する。
【００４５】この時点では、半導体レーザ４の光軸ＯＸ
１はフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光軸ＯＸ２
と一致していないが、さらに半導体レーザ４を、フォト
ダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光軸ＯＸ２に対する半
導体レーザ１の光軸ＯＸ１の傾きから算出される角度だ
け実装部２上で回転させることにより、図８に示すよう
に、半導体レーザ１の光軸ＯＸ１をフォトダイオードＰ
Ｄ１およびＰＤ２の光軸ＯＸ２と一致させることができ
る。
１はフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光軸ＯＸ２
と一致していないが、さらに半導体レーザ４を、フォト
ダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光軸ＯＸ２に対する半
導体レーザ１の光軸ＯＸ１の傾きから算出される角度だ
け実装部２上で回転させることにより、図８に示すよう
に、半導体レーザ１の光軸ＯＸ１をフォトダイオードＰ
Ｄ１およびＰＤ２の光軸ＯＸ２と一致させることができ
る。
【００４６】さて、上述のようにして各チップ領域１ａ
上の実装部２にＬＯＰチップを実装し、さらにキュア処
理を行った後、図９に示すように、フォトダイオードＩ
Ｃウエーハ１の複数個、例えば１０個のチップ領域１ａ
毎に、これらのチップ領域１ａにまたがる長さ、例えば
長さ１８．６ｍｍのバー状のマイクロプリズム５を紫外
線硬化樹脂系の接着剤（図示せず）を用いて仮留めす
る。この後、キュア処理を行う。すなわち、紫外線照射
により接着剤を硬化させる。
上の実装部２にＬＯＰチップを実装し、さらにキュア処
理を行った後、図９に示すように、フォトダイオードＩ
Ｃウエーハ１の複数個、例えば１０個のチップ領域１ａ
毎に、これらのチップ領域１ａにまたがる長さ、例えば
長さ１８．６ｍｍのバー状のマイクロプリズム５を紫外
線硬化樹脂系の接着剤（図示せず）を用いて仮留めす
る。この後、キュア処理を行う。すなわち、紫外線照射
により接着剤を硬化させる。
【００４７】次に、フォトダイオードＩＣウエーハ１の
裏面を延伸シート（図示せず）に貼り付けた後、図１０
に示すように、ダイサーによりバー状のマイクロプリズ
ム５をハーフカットする。
裏面を延伸シート（図示せず）に貼り付けた後、図１０
に示すように、ダイサーによりバー状のマイクロプリズ
ム５をハーフカットする。
【００４８】次に、バー状のマイクロプリズム５、接着
剤およびフォトダイオードＩＣウエーハ１をダイサーに
よりフルカットし、最終的に、図１１に示すように、各
チップ、すなわち各フォトダイオードＩＣ６に分割す
る。このとき、バー状のマイクロプリズム５は、例えば
１０個のマイクロプリズム５に分割される。
剤およびフォトダイオードＩＣウエーハ１をダイサーに
よりフルカットし、最終的に、図１１に示すように、各
チップ、すなわち各フォトダイオードＩＣ６に分割す
る。このとき、バー状のマイクロプリズム５は、例えば
１０個のマイクロプリズム５に分割される。
【００４９】この後、延伸シートの延伸を行って各チッ
プを離間させた状態で、各チップをピックアップし、図
１７に示すと同様に、パッケージングを行う。
プを離間させた状態で、各チップをピックアップし、図
１７に示すと同様に、パッケージングを行う。
【００５０】以上により、目的とするレーザカプラが完
成する。このレーザカプラの詳細な構造はすでに述べた
従来のレーザカプラと同様であるので、説明を省略す
る。
成する。このレーザカプラの詳細な構造はすでに述べた
従来のレーザカプラと同様であるので、説明を省略す
る。
【００５１】以上のように、この第１実施例によれば、
フォトダイオードＩＣウエーハ１の各チップ領域１ａ上
の所定の実装部２に、フォトダイオードＰＤ１およびＰ
Ｄ２の光軸ＯＸ２に少なくともその発光中心が１μｍ程
度の高精度で一致した状態でＬＯＰチップを実装するこ
とができる。これによって、フォトダイオードＰＤ１お
よびＰＤ２の光軸ＯＸ２とＬＯＰチップの半導体レーザ
４の発光中心とのずれに起因するレーザカプラの特性の
劣化を防止することができる。
フォトダイオードＩＣウエーハ１の各チップ領域１ａ上
の所定の実装部２に、フォトダイオードＰＤ１およびＰ
Ｄ２の光軸ＯＸ２に少なくともその発光中心が１μｍ程
度の高精度で一致した状態でＬＯＰチップを実装するこ
とができる。これによって、フォトダイオードＰＤ１お
よびＰＤ２の光軸ＯＸ２とＬＯＰチップの半導体レーザ
４の発光中心とのずれに起因するレーザカプラの特性の
劣化を防止することができる。
【００５２】次に、この発明の第２実施例について説明
する。
する。
【００５３】この第２実施例においては、図１２に示す
ように、ウエーハプロセスによりフォトダイオードＩＣ
ウエーハ１を製造する際に、光信号検出用のフォトダイ
オードＰＤ１およびＰＤ２と光軸を同一とする光の強度
分布測定用のフォトダイオードＰＤ１１およびＰＤ１２
を形成する。そして、フォトダイオードＰＤ１およびＰ
Ｄ２の代わりにこれらのフォトダイオードＰＤ１１およ
びＰＤ１２を用いて半導体レーザ１の出射光Ｌの強度分
布を測定し、その強度分布のピーク位置に応じて、第１
実施例で述べたと同様にして半導体レーザ４を実装部２
上で移動させて半導体レーザ４の少なくとも発光中心を
フォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光軸ＯＸ２に一
致させ、その位置で実装する。
ように、ウエーハプロセスによりフォトダイオードＩＣ
ウエーハ１を製造する際に、光信号検出用のフォトダイ
オードＰＤ１およびＰＤ２と光軸を同一とする光の強度
分布測定用のフォトダイオードＰＤ１１およびＰＤ１２
を形成する。そして、フォトダイオードＰＤ１およびＰ
Ｄ２の代わりにこれらのフォトダイオードＰＤ１１およ
びＰＤ１２を用いて半導体レーザ１の出射光Ｌの強度分
布を測定し、その強度分布のピーク位置に応じて、第１
実施例で述べたと同様にして半導体レーザ４を実装部２
上で移動させて半導体レーザ４の少なくとも発光中心を
フォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光軸ＯＸ２に一
致させ、その位置で実装する。
【００５４】この第２実施例の上記以外のことは、第１
実施例と同様であるので、説明を省略する。
実施例と同様であるので、説明を省略する。
【００５５】この第２実施例によっても、第１実施例と
同様な利点を得ることができる。
同様な利点を得ることができる。
【００５６】以上、この発明の実施例について具体的に
説明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるも
のではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形
が可能である。
説明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるも
のではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形
が可能である。
【００５７】例えば、上述の第１実施例および第２実施
例においては、フォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２と
して四分割型のものを用いたが、これに限定されるもの
ではなく、これらのフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ
２はレーザカプラの用途などに応じて設計することがで
きるものである。
例においては、フォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２と
して四分割型のものを用いたが、これに限定されるもの
ではなく、これらのフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ
２はレーザカプラの用途などに応じて設計することがで
きるものである。
【００５８】また、上述の第１実施例および第２実施例
においては、この発明をレーザカプラの製造に適用した
場合について説明したが、この発明は、一般的には、光
信号検出用の受光素子を有する基体上に発光素子を少な
くともその発光中心が受光素子の光軸と一致するように
実装する必要がある各種の装置の製造に適用することが
可能である。
においては、この発明をレーザカプラの製造に適用した
場合について説明したが、この発明は、一般的には、光
信号検出用の受光素子を有する基体上に発光素子を少な
くともその発光中心が受光素子の光軸と一致するように
実装する必要がある各種の装置の製造に適用することが
可能である。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、発光素子の少なくとも発光中心が光信号検出用の受
光素子の光軸と１μｍ程度の高精度で一致するように発
光素子を基体上の実装部に実装することができる。
ば、発光素子の少なくとも発光中心が光信号検出用の受
光素子の光軸と１μｍ程度の高精度で一致するように発
光素子を基体上の実装部に実装することができる。
【図１】この発明の第１実施例によるレーザカプラの製
造方法を説明するための略線図である。
造方法を説明するための略線図である。
【図２】この発明の第１実施例によるレーザカプラの製
造方法を説明するための平面図である。
造方法を説明するための平面図である。
【図３】この発明の第１実施例によるレーザカプラの製
造方法を説明するための略線図である。
造方法を説明するための略線図である。
【図４】半導体レーザから出射される光の強度分布およ
びその測定方法を説明するための略線図である。
びその測定方法を説明するための略線図である。
【図５】この発明の第１実施例によるレーザカプラの製
造方法におけるＬＯＰチップの実装方法を説明するため
の略線図である。
造方法におけるＬＯＰチップの実装方法を説明するため
の略線図である。
【図６】この発明の第１実施例によるレーザカプラの製
造方法におけるＬＯＰチップの他の実装方法を説明する
ための略線図である。
造方法におけるＬＯＰチップの他の実装方法を説明する
ための略線図である。
【図７】この発明の第１実施例によるレーザカプラの製
造方法におけるＬＯＰチップの他の実装方法を説明する
ための略線図である。
造方法におけるＬＯＰチップの他の実装方法を説明する
ための略線図である。
【図８】この発明の第１実施例によるレーザカプラの製
造方法におけるＬＯＰチップの他の実装方法を説明する
ための略線図である。
造方法におけるＬＯＰチップの他の実装方法を説明する
ための略線図である。
【図９】この発明の第１実施例によるレーザカプラの製
造方法を説明するための略線図である。
造方法を説明するための略線図である。
【図１０】この発明の第１実施例によるレーザカプラの
製造方法を説明するための略線図である。
製造方法を説明するための略線図である。
【図１１】この発明の第１実施例によるレーザカプラの
製造方法を説明するための略線図である。
製造方法を説明するための略線図である。
【図１２】この発明の第２実施例によるレーザカプラの
製造方法を説明するための略線図である。
製造方法を説明するための略線図である。
【図１３】従来のレーザカプラを示す斜視図である。
【図１４】従来のレーザカプラを示す断面図である。
【図１５】従来のレーザカプラの要部を示す拡大断面図
である。
である。
【図１６】従来のレーザカプラのフォトダイオードＩＣ
におけるフォトダイオードのパターンを示す平面図であ
る。
におけるフォトダイオードのパターンを示す平面図であ
る。
【図１７】フラットパッケージによりパッケージングさ
れた従来のレーザカプラを示す斜視図である。
れた従来のレーザカプラを示す斜視図である。
【図１８】ＣＤプレーヤの光ピックアップにレーザカプ
ラを応用した場合の動作を説明するための略線図であ
る。
ラを応用した場合の動作を説明するための略線図であ
る。
【図１９】従来のレーザカプラの製造方法を説明するた
めの略線図である。
めの略線図である。
【図２０】従来のレーザカプラの製造方法を説明するた
めの略線図である。
めの略線図である。
【図２１】従来のレーザカプラの製造方法を説明するた
めの略線図である。
めの略線図である。
【図２２】従来のレーザカプラの製造方法を説明するた
めの略線図である。
めの略線図である。
【図２３】従来のレーザカプラの製造方法を説明するた
めの略線図である。
めの略線図である。
【図２４】従来のレーザカプラの製造方法を説明するた
めの平面図である。
めの平面図である。
１ フォトダイオードＩＣウエーハ １ａ チップ領域 ２ 実装部 ３ フォトダイオード ４ 半導体レーザ ５ マイクロプリズム ６ フォトダイオードＩＣ ＰＤ１、ＰＤ２、ＰＤ１１、ＰＤ１２ フォトダイオー
ド ＯＸ１、ＯＸ２ 光軸
ド ＯＸ１、ＯＸ２ 光軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｂ
Claims (6)
- 【請求項１】 光信号検出用の少なくとも一つの受光素
子を有する基体上の所定の実装部に発光素子を少なくと
もその発光中心が上記受光素子の光軸と一致するように
実装するようにした発光素子の実装方法において、 上記実装部上に上記発光素子を置いた状態で上記発光素
子を発光させ、上記発光素子を上記受光素子の光軸に対
してほぼ垂直な方向に上記基体に対して相対的に移動さ
せることにより上記発光素子から出射される光の強度分
布を上記受光素子により測定し、上記光の強度分布のピ
ーク位置に応じて上記発光素子を上記実装部上で上記基
体に対して相対的に移動させることにより少なくともそ
の発光中心が上記受光素子の光軸と一致するように上記
実装部に実装するようにしたことを特徴とする発光素子
の実装方法。 - 【請求項２】 上記光の強度分布のピーク位置が上記受
光素子の光軸と一致するように上記発光素子を上記実装
部上で上記受光素子の光軸に対してほぼ垂直な方向に上
記基体に対して相対的に移動させて上記実装部に実装す
るようにしたことを特徴とする請求項１記載の発光素子
の実装方法。 - 【請求項３】 上記基体は光信号検出用の第１の受光素
子および第２の受光素子を有し、 上記実装部上に上記発光素子を置いた状態で上記発光素
子を発光させ、上記発光素子を上記第１の受光素子およ
び上記第２の受光素子の光軸に対してほぼ垂直な方向に
上記基体に対して相対的に移動させることにより上記発
光素子から出射される光の強度分布を上記第１の受光素
子および上記第２の受光素子によりそれぞれ測定し、上
記第１の受光素子により測定された上記光の強度分布の
ピーク位置および上記第２の受光素子により測定された
上記光の強度分布のピーク位置から上記発光素子の発光
中心の位置を求め、上記発光中心が上記第１の受光素子
および上記第２の受光素子の光軸と一致するように上記
発光素子を上記実装部上で上記第１の受光素子および上
記第２の受光素子の光軸に対してほぼ垂直な方向に上記
基体に対して相対的に移動させて上記実装部に実装する
ようにしたことを特徴とする請求項１記載の発光素子の
実装方法。 - 【請求項４】 光信号検出用の少なくとも一つの受光素
子を有する基体上の所定の実装部に発光素子を少なくと
もその発光中心が上記受光素子の光軸と一致するように
実装するようにした発光素子の実装方法において、 上記受光素子と光軸を同一とする光の強度分布測定用の
少なくとも一つの他の受光素子を上記基体上に設け、 上記実装部上に上記発光素子を置いた状態で上記発光素
子を発光させ、上記発光素子を上記受光素子の光軸に対
してほぼ垂直な方向に上記基体に対して相対的に移動さ
せることにより上記発光素子から出射される光の強度分
布を上記他の受光素子により測定し、上記光の強度分布
のピーク位置に応じて上記発光素子を上記実装部上で上
記基体に対して相対的に移動させることにより少なくと
もその発光中心が上記受光素子の光軸と一致するように
上記実装部に実装するようにしたことを特徴とする発光
素子の実装方法。 - 【請求項５】 上記光の強度分布のピーク位置が上記受
光素子の光軸と一致するように上記発光素子を上記実装
部上で上記受光素子の光軸に対してほぼ垂直な方向に上
記基体に対して相対的に移動させて上記実装部に実装す
るようにしたことを特徴とする請求項４記載の発光素子
の実装方法。 - 【請求項６】 上記基体は光の強度分布測定用の第１の
受光素子および第２の受光素子を有し、 上記実装部上に上記発光素子を置いた状態で上記発光素
子を発光させ、上記発光素子を上記第１の受光素子およ
び上記第２の受光素子の光軸に対してほぼ垂直な方向に
上記基体に対して相対的に移動させることにより上記発
光素子から出射される光の強度分布を上記第１の受光素
子および上記第２の受光素子によりそれぞれ測定し、上
記第１の受光素子により測定された上記光の強度分布の
ピーク位置および上記第２の受光素子により測定された
上記光の強度分布のピーク位置から上記発光素子の発光
中心の位置を求め、上記発光中心が上記第１の受光素子
および上記第２の受光素子の光軸と一致するように上記
発光素子を上記実装部上で上記第１の受光素子および上
記第２の受光素子の光軸に対してほぼ垂直な方向に上記
基体に対して相対的に移動させて上記実装部に実装する
ようにしたことを特徴とする請求項４記載の発光素子の
実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7060295A JPH08242038A (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | 発光素子の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7060295A JPH08242038A (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | 発光素子の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08242038A true JPH08242038A (ja) | 1996-09-17 |
Family
ID=13436291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7060295A Pending JPH08242038A (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | 発光素子の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08242038A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144364A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-25 | Pioneer Electronic Corp | 半導体モジュール及び半導体モジュールの半導体レーザ素子の取り付け方法 |
-
1995
- 1995-03-03 JP JP7060295A patent/JPH08242038A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144364A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-25 | Pioneer Electronic Corp | 半導体モジュール及び半導体モジュールの半導体レーザ素子の取り付け方法 |
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