JPH08240903A - 転写マスク - Google Patents
転写マスクInfo
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- JPH08240903A JPH08240903A JP6691195A JP6691195A JPH08240903A JP H08240903 A JPH08240903 A JP H08240903A JP 6691195 A JP6691195 A JP 6691195A JP 6691195 A JP6691195 A JP 6691195A JP H08240903 A JPH08240903 A JP H08240903A
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Abstract
を有し、耐久性等の実用性に優れた転写マスクを提供す
る。 【構成】 本発明の転写マスクは、支持枠部12に支持
された薄膜部13に貫通孔(開口11)を形成してなる
転写マスクであって、少なくとも、転写マスク表面上に
イリジウム層2を設けた構成とする。
Description
ーム露光、X線露光などに用いられる転写マスクに関す
る。
またはクオーターミクロン領域の超微細化素子等の製造
技術として、電子線リソグラフィー、イオンビームリソ
グラフィー、X線リソグラフィー等が注目されている
が、いずれが主流となるかは未だ不透明な状況にある。
ーム露光、X線露光用のマスクとして、Si、Mo、A
l、Auなどの金属箔に穴(開孔)をあけて露光すべき
パターンを形成した転写マスク(ステンシルマスク;St
encil mask)が開発され一部実用化されつつあるが、量
産的実用化には至っていない。
電子線リソグラフィーにおいては、部分一括露光、ブロ
ック露光あるいはセルプロジェクション露光と称され
る、露光すべきパターンを分割して得られる各部分に対
応した透過型図形(開孔)を各種形成したマスクを用
い、この開孔で電子ビームを成形して、所定の区画(ブ
ロックまたはセル)を部分的に一括して露光し、この操
作を繰り返して描画を行う描画方式が近年提案され、次
世代LSI技術として急浮上し脚光を浴びている。この
部分一括露光による描画方式は、すでに実用化されてい
る電子線(細いビームスポット)で露光パターンを走査
して描画を行う直接描画方式(いわゆる一筆書き方式)
において問題であった描画時間が極端に長く低スループ
ットであることに対処すべく案出された方式であり、可
変矩形による直描方式に比べても高速描画が可能であ
る。
写マスクは、従来より種々の方法で作製されているが、
加工性や強度の点からシリコン基板(市販のシリコンウ
エハ等)を加工して作製するのが一般的である。具体的
には、例えば、シリコン基板裏面をエッチング加工して
支持枠部とこの支持枠部に支持された薄膜部を形成し、
この薄膜部に貫通孔を形成して転写マスクを作製する。
クにおいては、そのままでは開口を形成したシリコン薄
膜部が、電子線に対する耐久性に乏しいため、通常、シ
リコン薄膜部の上に、金(Au)、タングステン
(W)、白金(Pt)等の金属層を形成し、電子線照射
時のマスクの耐久性の向上を図っている。また、これら
の金属は、良導体であり、電子伝導性や熱伝導性に優れ
ているため、帯電(チャージアップ)によるビームずれ
の防止や、発熱によるマスクの熱歪み防止効果に寄与し
ている。さらに、これらの金属は、電子線に対する遮蔽
性に優れ、エネルギー吸収体として作用するため、シリ
コン薄膜部を薄く構成することができ、したがって、開
口精度の向上や、開口側壁による電子線への影響を低減
できる。
たシリコン薄膜部上に形成される金属層には、次に示す
ような問題がある。
係数がシリコンと大きく異なるため、電子線照射時に、
ストレスによってマスクが歪んだり、Auがシリコン中
に拡散する拡散反応を起こすために、マスクの安定性や
耐久性に欠けるという問題がある。また、Auはドライ
エッチングが困難であるため、開口部を形成した後に薄
膜形成法でAu層を形成することしかできず、開口精度
が損なわれたり、プロセスの制約が大きいという問題が
ある。
はシリコンとほぼ等しく優れているものの、表面に酸化
層を形成しやすいため、安定性に欠けるとともに、酸に
対する耐薬品性が乏しいため、真空装置中で汚染物とし
て付着するカーボンなどの有機物の酸洗浄による除去が
困難であるという問題がある。また、Auと同様に、シ
リコンと拡散反応を起こすという問題がある。
伝導度が悪く、線膨脹係数もシリコンの2倍であるた
め、電子線照射による加熱によってPtの膜剥がれを生
ずる恐れがあるという問題がある。また、Auと同様
に、ドライエッチングが困難であるため、開口精度が損
なわれたり、プロセスの制約が大きいという問題があ
る。
れたものであり、金属層としての各種要求特性を満たす
金属層を有し、耐久性等の実用性に優れた転写マスクの
提供を目的とする。
に本発明の転写マスクは、支持枠部に支持された薄膜部
に貫通孔を形成してなる転写マスクであって、少なくと
も、転写マスク表面上にイリジウム層を設けた構成、あ
るいは、支持枠部に支持された薄膜部に貫通孔を形成し
てなる転写マスクであって、少なくとも、転写マスク表
面上にタングステン層/イリジウム層もしくはイリジウ
ム層/タングステン層/イリジウム層からなる積層層、
またはタンタル層/イリジウム層もしくはイリジウム層
/タンタル層/イリジウム層からなる積層層を設けた構
成としてある。
スクにおいて、上記イリジウム層または積層層を、転写
マスクの側面および/または裏面上にも形成した構成、
上記イリジウム層が、イリジウムを含む化合物層、また
はイリジウムを含む合金層、あるいは、基板界面がIr
O2であり堆積が進むにつれてIrOxのX量がゼロにな
るような傾斜的な構造のイリジウム層である構成、上記
支持枠部に支持された薄膜部に貫通孔を形成してなる転
写マスクが、シリコン基板、SOI基板またはSIMO
X基板をエッチング加工して形成したものである構成、
あるいは、上記転写マスクが、支持枠部に支持された薄
膜部に貫通孔を形成してなる転写マスクを形成後、薄膜
形成法によってイリジウム層または積層層を形成したも
の、あるいは貫通孔形成前の基板上にイリジウム層また
は積層層を形成した後、貫通孔を形成したものである構
成としてある。
転写マスクは、例えば、図1に示すように、支持枠部1
2に支持された薄膜部13に貫通孔(開口11)を形成
してなる転写マスクであって、少なくとも、転写マスク
表面上にイリジウム層2を設けた構成としてある。
種方法でシリコン基板等を加工して、支持枠部に支持さ
れた薄膜部に貫通孔を形成したシリコン等からなる転写
マスクを作製後、この転写マスクの表面上に薄膜形成法
によってイリジウム(層)を形成して得ることができ
る。
前の基板上にイリジウム層を形成した後、貫通孔を形成
しても得ることができる。
の全面に形成しなくてもよく、貫通孔以外の薄膜部表面
上に形成してもよい。
孔を形成してなる転写マスクは、従来より公知の各種方
法で作製された転写マスクであればよく、転写マスクの
製造方法、材料、構成等については特に制限されない。
本発明の転写マスクの製造方法については、後に詳述す
る。
(Ir)層は、転写マスク表面上に形成される金属層と
しての要求特性をすべて満足し、材料特性が非常に優れ
ている。
熱伝導度、線膨張係数等)を表1に示す。なお、比較の
ため、マスク材料であるシリコン(Si)および他の金
属層形成材料(Au、W、Pt)の材料特性も表1に示
す。なお、Ru(ルテニウム)、Os(オスミウム)、
Re(レニウム)は表面酸化しやすい。
で、電子ビームを照射した際の加速電圧に対する電子の
侵入深さ(すなわち飛程距離)を小さくすることがで
る。イリジウム層は、イリジウム単体で構成される層の
他、イリジウムを含む化合物層(例えば、酸化物、窒化
物、炭化物等)、またはイリジウムを含む合金層(例え
ば、タングステン、タンタル、モリブデン、白金、オス
ミウム等)などの金属との合金、あるいはこれらの金属
との金属間化合物等)であってもよい。これにより、イ
リジウム層の材料特性や基板との付着性等を制御でき
る。
の他、イリジウム層/タングステン層/イリジウム層
(サンドイッチ構造)またはタングステン層/イリジウ
ム層からなる積層層としてもよい。イリジウム層は、基
板界面がIrO2であり、堆積が進むにつれてIrOxの
X量がゼロになるような傾斜的な構造としてもよい。こ
れらにより、表面酸化防止効果、基板との付着性および
拡散防止効果等を制御できる。
や金属等のバッファー層を設け、基板との付着性等を制
御することもできる。
(200〜50000オングストローム)の範囲とする
のが適当である。イリジウム層の厚さが、0.02μm
より薄いと電子線に対する耐久性が乏しくなり、5μm
を越えると、膜形成が困難になるとともに、膜応力のコ
ントロールが難しくなり、また、高精度なドライエッチ
ング加工が困難となる。
ないが、例えば、イオンビーム蒸着法、真空蒸着法、ス
パッタ法、イオンプレーティング法等の薄膜形成方法が
挙げられる。イリジウム層の形成方法は、膜質(膜の緻
密性や結晶構造、無欠陥性など)やコスト等を考慮して
適宜選択される。
表面上に加え、転写マスクの側面および/または裏面側
(基板裏面のテーパ状部分や薄膜部の裏面側を含む)
や、開口側壁部に形成してもよい。これは、SOI基板
等を用いて転写マスクを作製した場合、転写マスク表面
上のイリジウム層が誘電体であるSiO2層により電気
的に絶縁されてしまいチャージアップが生じやすくなる
と共に、SiO2層は熱伝導性に乏しいのでマスクが発
熱する恐れがある。そこで、これらの問題に対し、Si
O2層が形成されていない転写マスクの側面や裏面(薄
膜部の裏面側を含む)にもイリジウム層を形成し表面側
と導通(コンタクト)させてこれらの問題に対処するた
めである。
には、表面酸化防止および拡散防止のためIr/W/I
rからなるサンドイッチ構造の複数層を形成し、電子線
が照射されない他の面には、拡散防止の必要がないの
で、W/Irからなる複数層やIr以外の金属良導体層
を形成してもよい。
いて説明する。
従来より公知の各種方法でシリコン基板等を加工して、
支持枠部に支持された薄膜部に貫通孔を形成したシリコ
ン等からなる転写マスクを作製後、この転写マスクの表
面上に薄膜形成法によってイリジウム(層)を形成して
得ることができる。ここで、従来より公知の各種方法と
しては、以下の方法が挙げられる。
介して貼り合わせた構造のSOI(Silicon on Insulat
or)基板を用い、SiO2層をエッチング停止層(エッ
チングストッパー層)としてシリコン薄膜部を形成する
方法(特開平6−130655号等)や、シリコン基板
を用いて開口(開孔)パターン部分を放電加工によって
形成する方法(特開平5−217876号)、あるい
は、シリコン基板上に感光性ガラスを塗布しこの感光性
ガラスをそのままマスク材料として用いレジストプロセ
スの省略を図る方法(特開平4−240719号)等が
挙げられる。
転写マスク製造時における薄膜部分の耐久性や、開口の
加工精度を考慮すると、基板としてSOI基板を用い、
開口パターン部分をドライエッチングにより高精度に加
工し、その開口部に対応した基板の裏面部分をウエット
エッチング(湿式エッチング)により加工する方法が一
般的である。より具体的には、例えば、Si/SiO2
/Siの多層構造からなるSOI基板を用い、このSO
I基板の開口パターン形成面側にSiO2からなるドラ
イエッチング(トレンチエッチング)マスク層を形成し
た後、基板全体をシリコン窒化層で覆い、このシリコン
窒化層の裏面部分に開口を形成し基板裏面をウエットエ
ッチングにより加工して薄膜部を形成し、シリコン窒化
層を除去した後、開口パターン側のドライエッチング加
工を行う方法が挙げられる。
に開口パターンの加工を行い、その後基板の裏面加工を
行う方法も利用できる。さらに、エッチングストッパー
層としてボロン層を用いた方法も利用できる(特開平2
−76216号等)。
前の基板上にイリジウム層を形成した後、貫通孔を形成
しても得ることができる。この製造方法(以下、本方法
という)は本願出願人が先に出願した方法であり、以下
に詳述する。
らの工程順序は目的に応じて任意に定めることができる
のであるが、説明の便宜上そのうちの一工程順序に従い
説明を行う。
工程説明図である。図3に示すように、まず基板1(図
3(a))表面にイリジウム層2を形成する(図3
(b))。ここで、基板材料としては、Si、Mo、A
l、Au、Cuなどが挙げられるが、耐薬品性、加工条
件、寸法精度等の観点から、シリコン基板、SOI基
板、酸素イオンをシリコン基板等に高濃度で打ち込み熱
処理で酸化膜を形成したSIMOX(separation by im
planted oxygen)基板等を用いることが好ましい。な
お、リンやボロンをドープしたシリコン基板を用いる
と、シリコン基板の電子伝導性等を改良できる。
法を用いて形成される。
リジウム層のエッチングマスク層)3、を形成する(図
3(c))。ここで、イリジウム層2上にのみSiO2
層3を形成してもよいが、基板1の反りを考慮すると基
板の両面にバランスの良い厚さ(例えば、0.5〜3.
0μm)で形成することが好ましい。
法、蒸着法、熱酸化法、CVD法や、SOG(スピン・
オングラス)、感光性ガラス、感光性SOGなどを用い
る方法等の薄膜形成方法が挙げられる。
術を用いて所望の形状にパターンニングする。具体的に
は、例えば、SiO2層3上にレジストを塗布し、露
光、現像によってレジストパターン(図示せず)を形成
し、このレジストパターンをマスクとしてSiO2層3
のエッチングを行い、レジストパターンをSiO2層3
に転写する(図3(c))。
iO2層3のエッチングは、フロロカーボン系ガス(C
F4、C2F6、CHF3等)をエッチングガスとするドラ
イエッチングにより行うことが好ましい。
ングされたSiO2層3をマスクとしてドライエッチン
グによりイリジウム層2および基板1表面のトレンチエ
ッチング(溝状にエッチング加工すること)を行い、S
iO2パターンをこれらに転写する(図3(d))。
グの深さは、所定の厚さの薄膜部を形成すべく所定の深
さ(例えば、5〜30μm)とする。
グガスは特に制限されないが、例えば、イリジウムのエ
ッチングガスとしては、フロロカーボン系ガス(SF6
/O2混合ガス、SF6/Cl2混合ガス、CF4/O2混
合ガス、CBrF3ガス等)が、シリコン基板のエッチ
ングガスとしてはHBrガス、Cl2/O2混合ガス、S
iCl4/N2混合ガス等が挙げられる。なお、SF6ガ
ス等を用いてイリジウム層とシリコン基板とを同一エッ
チングガスで連続的にエッチングしてもよい。
ン基板とを連続的にエッチングすることにより、イリジ
ウム層を含めた開口部の形成を、連続ドライエッチング
により一工程でしかも短時間で行うことができるととも
に、高精度かつ容易に行うことができる。
離液(緩衝弗酸、希弗酸等)で除去した後、基板裏面に
ウエットエッチングマスク層4を形成し(図1
(d))、このウエットエッチングマスク層4をリソグ
ラフィー技術によってパターンニングする(図1
(e))。
合にあっては、ウエットエッチング液の種類によって
は、裏面のSiO2層をそのままウエットエッチングマ
スク層として使用可能であるので、この場合は、SiO
2層を除去せずにそのまま用いてもよい。
は、タングステン、ジルコニウム、チタン、クロム、ニ
ッケル、シリコンなどの金属単体、またはこれらの金属
を含む合金、あるいはこれらの金属または合金と酸素、
窒素、炭素のうちの少なくとも一以上元素とを含む金属
化合物で構成することが好ましい。これは、これらの金
属系は低温ウエットエッチングによるパターンニングが
可能であるとともに、これらの金属系の除去も100℃
以下の低温ウエットエッチングで行うことができるの
で、これらの処理中に薄膜部の破損等が生じないからで
ある。
て、SiO2、SiC、Si3N4、サイアロン(Siと
Alの複合混合物)、SiONなどの無機層を用いるこ
ともできる。
としては、スパッタ法、蒸着法、CVD法などの薄膜形
成方法が挙げられるが、膜質が悪いとエッチング液がし
み込みシリコン基板に蝕孔(エッチピット)が生じるの
でこれを避けるという観点、および高温成膜では熱スト
レス等によりクラック等のダメージが入ることがあるの
でこれを避けるという観点から、350℃以下スパッタ
法またはCVD法が好ましい。
0.1〜1μmの範囲とするのが適当である。ウエット
エッチングマスク層4の厚さが、0.1μmより薄いと
シリコン基板を完全に被覆できず、1μmを越えると成
膜に長時間を要するとともに膜応力の影響も増大する。
ニングは、具体的には、ウエットエッチングマスク層4
上にレジストを塗布しリソグラフィー法によってレジス
トパターン(図示せず)を形成し、このレジストパター
ンをマスクとし、エッチング液にてウエットエッチング
マスク層4をウエットエッチングして、パターンニング
する(図1(e))。
ング液は特に制限されないが、例えば、チタンのエッチ
ング液としては4%希弗硝酸水溶液等が、クロムのエッ
チング液としては硝酸第二セリウム・アンモニウム/過
塩素酸水溶液等が、ニッケルのエッチング液としては塩
化第二鉄等が、タングステンのエッチング液としては赤
血塩(フェリシアン化カリウム)水溶液等が挙げられ
る。
脂層5を形成し、これを加熱あるいは室温放置して硬化
処理する(図1(e))。この低温硬化樹脂層5は基板
裏面をウエットエッチング加工する際の基板裏面以外の
部分の保護層としての役割を果たす。
低温で硬化する樹脂を用いることが好ましい。硬化温度
が200℃を越えると、硬化処理時の熱ストレスによる
影響で薄膜部等の歪みや破損が生じる。このような熱ス
トレスによる影響をより完全に避けるためには、室温で
硬化する樹脂を用いることがより好ましい。
系樹脂、エチレン系樹脂、プロピレン系樹脂、シリコン
系樹脂、ブタジエン系樹脂、スチレン系樹脂のうちの少
なくとも一種以上を含む樹脂等が挙げられる。
を形成する方法としては、スピンコート法、ディッピン
グ法、スプレイ法などが挙げられが、ハンドリングや作
業効率等を考慮するとスピンコート法が好ましい。基板
側面の被覆はスピンコート法における初期低速回転時等
に基板側面に樹脂を回り込ませて行う。
とするのが適当である。低温硬化樹脂層5の厚さが、3
0μmより薄いとエッチング液に対する耐久性や保護層
としての機能が乏しくなる。
他の部分に熱ストレスによる影響を与えることがなく、
スピンコーティング法等で簡単に形成でき、段差被覆性
に優れ、エッチング液の液浸食を完全に防ぐことができ
る。したがって、安定的かつ容易に転写マスクを製造す
ることに寄与する。
裏面をエッチング液に浸し、基板裏面のエッチング加工
を行う(図1(f))。ここで、エッチング液として
は、KOH、NaOH等のアルカリ水溶液や、アルコー
ル等を含むアルカリ水溶液、有機アルカリ等のアルカリ
系溶液が挙げられる。
響を避けるため、150℃以下の低温とすることが好ま
しく、110℃以下の低温とすることがより好ましい。
エッチング方法としては、浸漬(ディッピング)法等が
挙げられる。
トロールすることで基板裏面のエッチング量(深さ)を
制御できるので、SOI基板などにおけるエッチングス
トッパー層(SiO2、ボロンなど)が不要となり、し
たがってベアシリコン(普通のシリコン基板)が使用で
き、低コスト化に寄与できる。
5を有機溶剤等で除去し、同じくウエットエッチングマ
スク層4をエッチング液等にて除去して、転写マスクを
得る(図1(g))。この際、これらの層の除去温度
は、熱ストレスによる影響を避けるため、100℃以下
の低温とすることが好ましく、室温とすることがより好
ましい。
いては、上述したように複数の工程が含まれるが、これ
らの工程順序には制限がなく、目的にあわせて任意に工
程順序を定めることができる点も特徴であり、自由度が
高い。例えば、先に裏面加工を行い、あとから開口を形
成することもできる。
公知の転写マスクの製造工程(一部を含む)とを組み合
わせて転写マスクを製造することもできる。
に説明する。
説明図である。図1に示すように、リン(P)ドープシ
リコン基板1(図1(a))の両面に無機層(SiO2
層等)を形成し(図示せず)、リソグラフィー技術によ
って無機層をパターンニングし、表面側からドライエッ
チング加工を施して開口11を形成し、裏面側からウエ
ットエッチング加工を施して支持枠部12に支持された
薄膜部13を形成し、さらに不用となった無機層を緩衝
フッ酸等で除去して、シリコンのみからなる転写マスク
を得た(図1(b))。
ビーム(EB)蒸着法により、イリジウム層2を1μm
の厚さで形成して転写マスクを得た。
に装着し、描画テストを行ったところ、描画精度や耐久
性に優れ実用性が高いことが確認された。
程説明図である。図2に示すように、ボロン(B)ドー
プシリコン基板1(図2(a))の裏面に、リソグラフ
ィー技術によってパターンニングされたエッチングマス
ク層を形成し、裏面側からウエットエッチング加工を施
して薄膜部13を形成した(図2(b))。
らなるIr2a/W2b/Ir2c層2を形成する(図
2(c))。上記Ir/W/Ir層2の上に、SiO2
層3を形成し、このSiO2層3をレジストを用いたリ
ソグラフィー技術およびドライエッチング技術を用いて
パターンニングを施した(図2(d))。
3をマスクとして、ドライエッチングにより、Ir/W
/Ir層2のエッチングを行い(図2(e))、続いて
シリコン基板1表面のトレンチエッチングを行って、開
口パターンを形成した(図2(f))。なお、Ir/W
/Ir層2のエッチングガスとしてフロロカーボン系ガ
ス(CF4/O2)を使用し、シリコン基板1表面のエッ
チングガスとしてCl2/SF6混合ガスを使用した。
衝フッ酸等で除去して、転写マスクを得た(図1
(f))。
の形成を、連続ドライエッチングにより形成しているの
で、開口形成後金属層をコーティングする場合に比べ高
精度な開口を有する転写マスクを得ることができた。得
られた転写マスクを電子線一括露光装置に装着し、描画
テストを行ったところ、描画精度や耐久性に優れ実用性
が高いことが確認された。
程説明図である。図3に示すように、リン(P)ドープ
シリコン基板1(図3(a))の表面上に、基板界面が
IrO2であり、堆積が進むにつれてIrOxのX量がゼ
ロになるように傾斜的にスパッタ法によりイリジウム
(酸化〜非酸化)層2を2μmの厚さで形成した。(図
3(b))。なお、このように基板界面をIrO2とす
ると基板との付着特性がさらに向上するとともに、表面
はIrであるので金属層としての各種要求特性に優れ
る。
3を3μmの厚さで形成し、このSiO2層3をレジス
トを用いたリソグラフィー技術およびドライエッチング
技術を用いてパターンニングを施した(図3(c))。
2層3をマスクとして、ドライエッチングにより、イリ
ジウム層2のエッチングを行い、続いてシリコン基板1
表面のトレンチエッチングを行って、開口パターンを形
成した(図3(d))。なお、イリジウム層2のエッチ
ングガスとしてフロロカーボン系ガス(SF6/Cl2)
を使用し、シリコン基板1表面のエッチングガスとして
SiCl4/SF6/Cl2混合ガスを使用した。
トロームのSiC層(エッチングマスク層)4を形成す
るとともに、基板の表面および側面にエッチングに対す
る保護層としてゴム系樹脂(エチレン/プロピレン等)
を300μmの厚さで塗布して樹脂層5を形成し、10
0℃で加熱して樹脂層5の硬化処理を行った(図3
(e))。
ストを用いたリソグラフィー技術およびドライエッチン
グ技術を用いてパターンニングを施した(図3
(e))。パターンニングされたSiC層4をマスクと
して、シリコン基板1裏面を開口パターンに達するまで
ウエットエッチングした(図3(f))。
O2層3および樹脂層5をそれぞれ除去して、転写マス
クを得た(図3(f))。
の形成を、連続ドライエッチングにより形成しているの
で、開口形成後金属層をコーティングする場合に比べ高
精度な開口を有する転写マスクを得ることができた。
に装着し、描画テストを行ったところ、描画精度や耐久
性に優れ実用性が高いことが確認された。
のウエットエッチング時におけるエッチング液の浸食
(特に開口部分)を完全に防止できた。また、全工程を
通じて、熱ストレスの影響を回避でき、工程途中で破損
等が全く生じず、安定的に転写マスクを製造できた。
程説明図である。図4に示すように、厚さ500μmの
リン(P)ドープシリコン基板1全体(全表面)に、C
VD法により厚さ0.2μmのSiC層(エッチングマ
スク層)4を形成した(図4(a))。
たリソグラフィー法によってパターンニングし、このパ
ターンニングされた裏面SiC層4をマスクとして、K
OH水溶液により、基板1の裏面を所定の大きさ、形状
にエッチング加工して支持枠部および薄膜部を形成した
(図4(b))。
表面上にスパッタ法により厚さ2μmのSiO2層3を
形成し、このSiO2層3の薄膜部上の領域にレジスト
を用いたリソグラフィー技術およびドライエッチング技
術を用いてパターンニングを施した(図4(c))。
2層3をマスクとして、ドライエッチングにより、シリ
コン基板1の薄膜部のエッチングを行って、開口パター
ンを形成した(図4(d))。
フッ酸等で除去して、シリコンのみからなる転写マスク
を得た(図4(e))。
ンプレーティング法により、イリジウム層2を1μmの
厚さで形成して転写マスクを得た(図4(f))。
に装着し、描画テストを行ったところ、描画精度や耐久
性に優れ実用性が高いことが確認された。
程説明図である。図5に示すように、SOI基板1全体
(全表面)に、CVD法により厚さ3μmのSiO2層
3を形成した(図5(a))。
いたリソグラフィー法によってパターンニングし、この
パターンニングされた裏面SiO2層3をマスクとし
て、エチレンジアミン/ピロカテコール(カテコール)
/水からなる混合水溶液により、基板1の裏面を所定の
大きさ、形状にエッチング加工して支持枠部および薄膜
部を形成した(図5(b))。
上の領域にレジストを用いたリソグラフィー技術および
ドライエッチング技術を用いてパターンニングを施した
(図5(c))。
2層3をマスクとして、ドライエッチングにより、シリ
コン基板1の薄膜部のエッチングを行って、開口パター
ンを形成した(図5(d))。
SOI中のSiO2層を緩衝フッ酸等で除去して、シリ
コンからなる転写マスクを得た(図5(e))。
蒸着法により、イリジウム層2を0.5μmの厚さで形
成して転写マスクを得た(図5(f))。
に装着し、描画テストを行ったところ、描画精度や耐久
性に優れ実用性が高いことが確認された。
したが、本発明は必ずしも上記実施例に限定されるもの
ではない。例えば、SOI基板の代わりにSIMOX基
板を用いても同様の結果が得られた。また、イリジウム
層をマスク表面に加えマスク側面および裏面に形成した
場合には、優れたチャージアップ防止効果を示した。
マスクの他、イオンビーム露光用マスクやX線露光用マ
スク等としても利用できる。
は、金属層としての各種要求特性を満たす金属層を有
し、耐久性等の実用性に優れる。
示す工程説明図である。
を示す工程説明図である。
を示す工程説明図である。
を示す工程説明図である。
を示す工程説明図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 支持枠部に支持された薄膜部に貫通孔を
形成してなる転写マスクであって、 少なくとも、転写マスク表面上にイリジウム層を設けた
ことを特徴とする転写マスク。 - 【請求項2】 支持枠部に支持された薄膜部に貫通孔を
形成してなる転写マスクであって、 少なくとも、転写マスク表面上にタングステン層/イリ
ジウム層もしくはイリジウム層/タングステン層/イリ
ジウム層からなる積層層、またはタンタル層/イリジウ
ム層もしくはイリジウム層/タンタル層/イリジウム層
からなる積層層を設けたことを特徴とする転写マスク。 - 【請求項3】 前記イリジウム層または積層層を、転写
マスクの側面および/または裏面側にも形成したことを
特徴とする請求項1または2記載の転写マスク。 - 【請求項4】 前記イリジウム層が、イリジウムを含む
化合物層、またはイリジウムを含む合金層、あるいは、
基板界面がIrO2であり堆積が進むにつれてIrOxの
X量がゼロになるような傾斜的な構造のイリジウム層で
あることを特徴とする請求項1ないし3記載の転写マス
ク。 - 【請求項5】 前記支持枠部に支持された薄膜部に貫通
孔を形成してなる転写マスクが、シリコン基板、SOI
基板またはSIMOX基板をエッチング加工して形成し
たものである請求項1ないし4記載の転写マスク。 - 【請求項6】 請求項1ないし5記載の転写マスクが、
支持枠部に支持された薄膜部に貫通孔を形成してなる転
写マスクを形成後、薄膜形成法によってイリジウム層ま
たは積層層を形成したもの、あるいは貫通孔形成前の基
板上にイリジウム層または積層層を形成した後、貫通孔
を形成したものであることを特徴とする転写マスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6691195A JP3246849B2 (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | 転写マスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6691195A JP3246849B2 (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | 転写マスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08240903A true JPH08240903A (ja) | 1996-09-17 |
JP3246849B2 JP3246849B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=13329633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6691195A Expired - Lifetime JP3246849B2 (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | 転写マスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3246849B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7183043B2 (en) | 2000-08-14 | 2007-02-27 | Universitat Kassel | Shadow mask and method for producing a shadow mask |
-
1995
- 1995-03-01 JP JP6691195A patent/JP3246849B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7183043B2 (en) | 2000-08-14 | 2007-02-27 | Universitat Kassel | Shadow mask and method for producing a shadow mask |
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