JPH08240737A

JPH08240737A - オプチックファイバを光導波体に結合するための装置および結合箇所の製造方法

Info

Publication number: JPH08240737A
Application number: JP312996A
Authority: JP
Inventors: Roland Mueller-Fiedler; ミュラー−フィードラーローラント; Karsten Funk; フンクカルステン; Franz Dr Laermer; レルマーフランツ; Bernd-Josef Dr Schaefer; シェーファーベルント−ヨーゼフ
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 1995-01-11
Filing date: 1996-01-11
Publication date: 1996-09-17
Also published as: EP0722102A3; EP0722102A2; DE19500598A1

Abstract

(57)【要約】【課題】オプチックファイバ１２がユニット１８の、
ウェットエッチングによるＶ字形位置整定構造部２６に
挿入され、該位置整定構造部はユニットのサブストレー
ト２２に、オプチックファイバの光軸がユニットに集積
された光導波体１４の光軸に整列して整合配置されてい
るよう配置されている、オプチックファイバを光導波体
に結合する装置において、高い結合効率で自動的な位置
整定が行われるようにする。【解決手段】位置整定構造部は、オプチックファイバ
の軸線方向に延在する凹入部３４を有し、光導波体は端
面４２までサブストレート上に載着され、オプチックフ
ァイバの端面４０は少なくともファイバ芯１６の領域に
おいて光導波体の端面に突き合わせ結合を介して当接し
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、請求項１の上位概念に
記載のオプチックファイバを光導波体に結合する装置お
よび請求項４の上位概念に記載の結合箇所の製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】数多くの分野、例えば通信技術におい
て、変調器、方向性結合器、スイッチ、偏光子、分配器
などの集積された光学素子を使用することが公知であ
る。これらは、光学素子および／または電光素子および
／または音響光学素子を有し、これらはユニットに集積
された光導波体を介して制御可能ないし呼び出し可能で
ある。情報伝送のために、光導波体波オプチックファイ
バ、例えばガラスファイバに結合される。

【０００３】ガラスファイバおよび集積された導波体の
結合の際の光入力結合効率は非常に著しく、横方向のず
れの終端面の間隔並びに光軸の相互の角度ずれに依存し
ている。したがってガラスファイバは結合の際に、相互
に無関係に最適化されなければならない５つの自由度を
有している：１つの軸線方向の自由度、２つの横方向の
自由度および２つの角度自由度。ガラスファイバにとっ
て典型的な磁場分布では、例えば僅か１μｍの横方向の
ずれで既に、約０．３ｄＢの結合損を来す。

【０００４】“Lightwave Technol.”LT-1 (1983) 479,
“Appl. Phys. Lett.”37 (1980)351, “Quantum Ele
ctron.”QE-22 (1986) 928 および“Appl. Opt.” 17
(1987) 895 から、シリコンのマイクロ機械的な構造化
によってガラスファイバを湿式化学的に異方性にエッチ
ングされたＶ字溝に収容しかつこれにより相互に相対的
に高い精度で位置決めすることができる方法が公知であ
る。Ｖ字溝を製造するために、｛１００｝−表面配向を
有するシリコンウェファが使用される。その辺縁が〈１
１０〉−方向に沿って配向されていなければならない窒
化シリコンまたは二酸化シリコンから成る適当な被覆層
における矩形の開口を用いて、例えば水酸化カリウム
（ＫＯＨ）のようなアルカリ性の腐食剤に、Ｖ字形状の
凹入部が高い精度で製造される。

【０００５】上述の方法は、ガラスファイバおよび集積
された導波体が、相互に位置整定されなければならない
別個のサブストレート上に載置されている点で共通して
いる。全体の自由度が低減される自己整定形の方法は、
共通のサブストレートが使用されている場合しか可能で
ない。サブストレートとしてシリコンを使用する場合、
例えば酸窒化シリコン、ドーピングされた酸化シリコン
または窒化シリコンから成る集積された導波体に対する
バッファ層として用いられる酸化シリコン層は同時に、
ウェット法による構造化に対する腐食マスクとして利用
される。したがってガラスファイバおよび集積された導
波体の水平方向の位置は、酸化層のホトリソグラフィッ
クな構造化によって規定されている。

【０００６】異方性にエッチングされたＶ字溝は、ウェ
ファ表面に対して５４．７°の角度を成す緩慢に腐食作
用する｛１１１｝−面によって四方を制限される。この
角度のために、ガラスファイバの申し分ない側方の案内
は保証されることになるが、ファイバの終端面は、被覆
層に載置されている集積された導波体の終端面まで近付
けることができない。したがって、高い結合効率のため
には必要である突き合わせ結合（接合）は可能でない。
２つの導波体の間に、ファイバ半径ｒと溝面の５４．７
°という角度によって次式によって表される最小間隔ｚ
が成り立つ：ｚ＝ｒ／ｔａｎ５４．７° したがって、ファイバ半径が６２．６μｍの場合、約４
５μｍの最小間隔が生じる。しかし高い結合効率を有す
る結合のためには著しく小さな間隔が要求される。

【０００７】Boyd および Sriram ( Appl. Opt.″17 (1
978) 895, によって、これによりファイバ芯を突き合わ
せ結合のために集積された光導波体に近付けるために、
ガラスファイバに５４．７°だけ傾けられた終端面を備
えることが提案された。この方法は、ファイバの煩雑な
終端面加工が必要でありかつファイバが所定の姿勢にお
いてしか溝内に挿入することができないと云う欠点を有
している。さらに、結合の際に、２つの終端面が相互に
滑って、それ故にファイバが溝から落ちるというおそれ
がある。ファイバばかりでなく、集積された導波体も５
４．７°だけ傾けられた終端面を備える必要があること
から付加的な難点が生じる。

【０００８】さらに、“Microsystem Technologies 9
1”, VDE 社（Berlin, 1991）322 頁から、異方性のウ
ェットエッチングによって製造された構造部の形態がウ
ェファ表面のレーザ加工によって特徴的な手法で影響を
受けるようにすることが公知である。１００−表面にレ
ーザ照射によって凹入部を形成するとき、照射されない
表面に対して典型的であるＶ溝を形成することはできな
い。このために前提条件となることは、レーザによって
惹き起こされる、ウェファ表面の破壊が少なくとも、サ
ブストレート材料において、レーザ照射なしでは溝の腐
食制限面として形成されるはずの１１１−面もレーザ光
によって破壊される程度の深さに達することである。こ
れにより、特別迅速な腐食作用に曝される凸出した角が
形成される。したがって、制限面は、破壊された面に対
して平行に位置しかつもはやレーザ除去されなかった１
１１−面によって形成される。

【０００９】

【発明の解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、これまでの述べた従来技術の有する欠点を克服し、
自動的な位置整定結合を高い結合効率で行うことができ
る、オプチックファイバと光導波体との結合を簡単に行
うことができるようにした結合装置および結合箇所の製
造方法を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１の特徴部分に記
載の構成を有する本発明の、オプチックファイバの結合
装置は、簡単な手法で、オプチックファイバの、集積さ
れた光導波体への結合を行うことができ、しかも高い結
合効率を有する自己位置整定形の結合が実現可能である
と云う利点を有している。サブストレートの端面部分が
位置整定構造部内にオプチックファイバの軸線方向に延
在する凹入部を有し、その結果オプチックファイバの端
面が少なくともファイバ芯の領域において突合せ結合を
介して光導波体に当接することによって有利にも、オプ
チックファイバの終端面の煩雑な加工なしに、オプチッ
クファイバを集積された光導波体に対して定められた位
置および姿勢において高い精度で位置決めすることがで
きる。オプチックファイバの方向に延在する軸線方向の
凹入部よって、オプチックファイバを、高精度のマイク
ロ機械的な位置整定構造部におけるその位置決めを断念
することなしに、集積された光導波体まで接近させるこ
とができる。これにより、光導波体とオプチックファイ
バとの結合間隔が零に向かって低減され、その結果高い
結合効率が得られる。

【００１１】さらに、請求項５に記載の特徴を有する本
発明の結合箇所の製造方法によって、高度な再現性を有
する公知の工学技術的に使用可能な方法を用いて、オプ
チックファイバおよび集積された光導波体に対する結合
箇所を製造することができる。サブストレートにおける
ウェット法によるエッチングの前に、マスクに対して規
定の位置および姿勢を有しかつ位置整定構造部のエッチ
ングに影響を及ぼす凹入部を形成することによって、有
利にも、大量生産に結び付く製造工程を用いて同時に、
集積された光導波体と結合すべきオプチックファイバと
の間の高い結合効率を許容する多数の高精度の結合箇所
を製造することが可能である。唯一の製造工程の付加、
すなわち規定位置への凹入部の形成によって、ウェット
法によるエッチングの後続の工程を、当該結合箇所がオ
プチックファイバと光導波体との間の突き合わせ結合を
許容するように影響を及ぼすことができる。これによ
り、オプチックファイバの加工、付加的な位置整定エレ
メントの取り付け等のような別の付加的な工程は完全に
省略される。

【００１２】別の有利な実施例は、その他の請求項に記
載されている。

【００１３】

【実施例】次に本発明を図示の実施例につき図面を用い
て詳細に説明する。

【００１４】図１には、オプチックファイバ１２と光導
波体４との間の結合箇所１０が断面図にて略示されてい
る。オプチックファイバ１２は例えば、オプチックファ
イバ１２の光軸を決めるファイバ芯１６を有するガラス
繊維である。オプチックファイバ１２は例えば、光源か
ら来ているかまたは受光器に導かれている。光導波体１
４は、ここでは詳しく考察しない手法で１つのユニット
１８に集積されており、その際ここでは単に、ユニット
１８の光導波体１４の接続領域２が図示されているにす
ぎない。このユニット１８は、ここには図示されていな
い光学素子、電光素子、音響光学素子等を有することが
できる。これらの素子は、光導波体１４を介して結合箇
所１０において信号交換、すなわち信号送出および／ま
たは信号受信のためにオプチックファイバ１２に結合さ
れている。ユニット１８は、有利には単結晶シリコンか
らなるサブストレート２２を有している。図示の実施例
において、サブストレート２２と光導波体１４を有する
層との間に中間層２４が配置されている。中間層２４
は、サブストレート２２の処理すべきでない領域に対し
て、後で説明するマスクに対応するパッシベーションを
形成している。別の実施例によれば、中間層２４は、光
導波体１４を有する層の上側に配置することもできる。
サブストレート２２は、オプチックファイバのそれぞれ
に対して、位置整定構造部２６を有している。この位置
整定構造部２６は、サブストレート２２に設けられた溝
形状の凹入部２８によって形成される。この溝形状の凹
入部２８は、一般に公知のウェット法（湿式化学的な）
によるエッチングによって形成されるので、例えば水酸
化カリウムのような腐食剤を用いてサブストレート２２
の１１１−結晶面に沿って腐食が進行し、その結果Ｖ字
形の溝形状の凹入部２８が生じる。該凹入部２８に、套
面３０を有するオプチックファイバ１２が点線状に装着
されていて、該オプチックファイバは正確に配向された
位置をとる。オプチックファイバ１２の高さ位置は、凹
入部２８の深さによって調整することができる。位置整
定構造部２６の端面に、オプチックファイバ１２の軸線
方向に延在する凹入部３４が設けられている。この場合
この凹入部３４は、後で説明する、サブストレート２２
の１１１−結晶面３６によって形成される。その際１１
１−結晶面３６の交点３８は、オプチックファイバ１２
の套面３０が１１１−結晶面３６に接触しないように、
位置決めされている。このことは、オプチックファイバ
１２の端面４０が光導波体１４の端面４２まで平行に押
し込められて、その結果端面４０と端面４２との間に近
似的に零の間隔が生じる場合にも当てはまる。したがっ
てファイバ芯１６と光導波体１４との間に、鈍い突き合
わせ結合が生じる。オプチックファイバ１２をＶ字形状
の位置整定構造部２６に挿入することによって、自動的
な位置整定が行われ、すなわちオプチックファイバ１２
の、結合箇所１０に関する自由度は低減されている。全
体として、オプチックファイバ１２の、光導波体１４に
対する高精度の結合が得られ、その結果結合箇所１０を
通過する光信号に対する高度な結合効率が生じる。した
がって、オプチックファイバ１２の、光導波体１４に対
する結合のために、位置整定構造部２６の形成が極めて
重要であることが明らかになる。

【００１５】図２ないし図８に基づいて、この位置整定
構造部２６の製造を明らかにしたい。図２には、位置整
定構造部２６の構造化の前の接続領域２０が側面図にて
略示されている。サブストレート２２は、例えば窒化シ
リコンまたは酸化シリコンから成る中間層２４を有して
いる。この中間層２４はマスク４４を有しているので、
サブストレート２２の表面４６に、中間層２４を備えて
いない領域４８が残っている（図６）。領域４８の内側
に、サブストレート２２に凹入部５０が設けられてい
る。凹入部５０は例えば円形でありかつ直径ａおよび深
さｔを有している。凹入部５０の形成は、例えばレーザ
穿孔、プラズマエッチングまたは別の適当な方法によっ
て行うことができる。凹入部５０はさらに、マスク４４
の縁５２から間隔ｌを有している。図３には、図２の矢
印５４の方向から見た、接続領域２０の正面図が示され
ている。ここにおいては、凹入部５０の直径ａおよび深
さｔが、後で説明するように、可変に選択することがで
きることを明らかにするために、意図的に別の寸法比が
選択されている。凹入部５０の領域に置かれた切り込み
において、凹入部５０が、マスク４４の２つの辺縁５６
に関して、対称形に形成されていることが明らかであ
る。次に、領域４８に凹入部５０を有している、図２お
よび図３に示すように形成されたものに、例えば水酸化
カリウムのようなアルカリ性の腐食剤を用いた異方性
の、ウェットエッチングが行われる。この場合サブスト
レート２２の表面４６は、１００−結晶面を形成する。
凹入部５０は１００−結晶面の破壊を形成し、その結果
処理されない表面４６に対して典型的であるＶ字溝が形
成されることはできない。ここにおいて凹入部５０は深
さｔを有し、その際ｔは少なくとも、凹入部５０の形成
なしにはＶ字溝の腐食制限面として形成されるはずの１
１１−結晶面が破壊されるような所まで、サブストレー
ト２２内に侵入している。これにより、特別迅速な腐食
作用に曝される表面４６に平行に延在する凸面の凹入部
が形成される。したがって制限面は、破壊された１１１
−結晶面に平行に位置しかつまさに、凹入部５０の形成
とは関係のない１１１−結晶面によって形成される。他
方において中間層２４の下にあるサブストレート２２は
腐食作用に対して保護されているので、１１１−結晶面
３６は表面４６まで延在することができない。中間層２
４の下では、腐食により形成された位置整定構造部２６
は、１１１−結晶面３６とは１０９．４°の角度を成し
かつマスク４４の辺縁５２の下辺縁部から始まっている
別の１１１−結晶面３６′の群によって形成される。１
１１−結晶面３６および結晶面３６′は、図１において
示されていた交点３８において交わるので、凹入部３４
の形成のために、中間層２４の下方においてのみなら
ず、ここでは破線で示されているにすぎない、その前に
形成された凹入部５０の領域における側縁５６の下方に
おいても形成される。ここにおいて１１１−結晶面３６
ないし３６′の交点３８の位置は、凹入部５０の深さｔ
および直径ａにのみ依存している。

【００１６】図６には、接続領域２０の平面図が示され
ている。図２ないし図５の場合と同一の部分には同じ参
照番号が付されておりかつここでは繰り返し説明しな
い。この図は、中間層２４がサブストレート２２上に被
着されかつそれがマスク４４を形成している状態におい
て示されている。マスク４４は領域４８を形成し、この
領域内では、サブストレート１２の表面４６が見え、し
たがってウェット法によるエッチングのために露出され
ている。マスク４４の構造化は例えば、ここではこれ以
上考察しないホトリソグラフィックな方法によって行う
ことができる。ここではマスク４４は幅ｂを有し、ただ
し既述したように、凹入部５０は幅ｂに対して対称的に
形成されている。この平面図においてさらに、ユニット
１８に集積されている光導波体１４がわかる。この場合
光導波体１４は、中間層２４の上或いは中間層２４の下
に位置する、導光性の層に配設されている。光導波体１
４の製造はここでは詳しく説明しない手法で、例えば図
示されていない導光性の層の所定の領域のドーピングに
よって行われ、その結果ドーピング領域において、屈折
率の変化が生じて、光導波体１４が形成されることにな
る。光導波体１４の端面４２は、マスク４４の辺縁５２
と整列して整合配置されている。凹入部５０は辺縁５２
から間隔ｌの所に配置されておりかつマスク４４の辺縁
５６の間に対称形に配置されているので、マスクは光導
波体１４の端面４２と整合配置されている。図２ないし
図６に基づいて説明したエッチングの結果、図１に示さ
れているような位置整定構造部２６が生じる。オプチッ
クファイバ１２は、この位置整定構造部２６に挿入され
かつその光軸、すなわちファイバ芯１６が光導波体１４
の端面４２に付き合わせ結合される。オプチックファイ
バ１２の套面３０が下側の１１１−結晶面３６に当たら
ないように、１１１−結晶面３６ないし３６′はオプチ
ックファイバ１２の端面４０から最小間隔ｄを有してい
なければならない。図７および図８に示されている、結
合箇所１０の部分図（ここでも、これまでの図と同じ部
分には同じ参照番号が付されている）から明らかである
ように、凹入部５０の深さｔと、凹入部５０の、マスク
４４の辺縁５２からの間隔ｌと、交点３８と辺縁５０と
の間隔ｄとの間に次の関係が成り立つ：

【００１７】

【数１】

【００１８】他方において、図８に示されているよう
に、例えばオプチックファイバ１２の半径を６２．５μ
ｍと仮定した場合、最小間隔ｄに対して次式が成り立
つ：

【００１９】

【数２】

【００２０】導光性の層構造の厚さ、すなわち光導波体
１４を収容する層はここでは考慮しなかった。この層の
厚みは光軸の位置を高くし、このために最小間隔ｄは多
少小さくすることができるようになる。したがって値２
２．２μｍは、それを守れば、オプチックファイバ１２
の套面３０が１１１−結晶面３６に当接することがない
ことを必ずや保証する下限値である。

【００２１】図５に示されているように、側壁の付加的
な破壊により、位置整定構造部２６は拡張されることに
なり、その場合オプチックファイバ１２はこの領域にも
はや導かれず、光導波体の方を向いている側の端部は自
由に垂れた状態になる。したがって、側壁ではなくて、
位置整定構造部２６の端面のみが、凹入部５０の形成お
よび引き続くエッチングによって傾倒されるとき、有利
である。数値例を挙げてオーダ関係について説明する：
レーザ孔の、マスク辺縁５２からの間隔ｌが２０μｍで
ありかつ間隔ｄ＝ｄ_minが２２．２μｍである場合、凹
入部は、１１１−端面の申し分ない引っ込んだ配置を保
証するために、式（１）に従ってｔ＝９１μｍの深さで
なければならない。Ｖ字溝（位置整定構造部２６）の深
さＴは、その幅ｂと関連して次にように表される：

【００２２】

【数３】

【００２３】光軸、すなわちファイバ芯１６がウェファ
表面の高さにあるべきとき、ファイバ直径Ｄが１２５μ
ｍである場合、溝幅ｂは１５３μｍでなければならな
い：

【００２４】

【数４】

【００２５】このことは、１０８μｍの溝深さＴに相応
する。したがって凹入部５０は９１μｍを以て、溝尖端
部より１７μｍだけ浅いところに達しているはずであ
る。この場合１１１−側壁が破壊されないように、凹入
部は最大でａ＝２４μｍの直径を有することができる：

【００２６】

【数５】

【００２７】間隔ｄの低減により、式（２）に従って、
深さｔは低減され、ひいては許容幅ａは拡張される。

【００２８】本発明は、図示の実施例には制限されな
い。すなわち、位置整定構造部２６を凹入部５０なしに
形成した後、相応に配向されたレーザ加工によって、凹
入部３４を構造化することができ、その場合オプチック
ファイバ１２は突き合わせ結合において光導波体１４に
結合することができる。さらに、光導波体１４を収容す
る層形成を位置整定構造部２６の前に行うかまたは後に
行うかは方法技術上の最適化に、任されている。実施例
に図示の例では常に、オプチックファイバ１２の、光導
波体１４への結合から出発した。しかし、１つのユニッ
ト１８に、本発明により設けられた凹入部３４を有する
複数の、例えば平行に順次相並んで配置された位置整定
構造部２６を同時に構造化することも勿論できる。これ
により、１つのファイバ束に複数のオプチックファイバ
１２を同時に接続することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】１つのユニットの結合箇所の断面略図。

【図２】エッチングの前の１つのユニットの接続領域の
断面略図。

【図３】エッチングの前の１つのユニットの接続領域の
断面略図。

【図４】エッチングの後の１つのユニットの接続領域の
断面略図。

【図５】エッチングの後の１つのユニットの接続領域の
断面略図。

【図６】エッチングの前の１つのユニットの接続領域の
平面略図。

【図７】結合箇所の断面略図。

【図８】結合箇所の断面略図。

【符号の説明】

１０結合箇所、１２オプチックファイバ、１４
光導波体、１６ファイバ芯、２２サブストレー
ト、２６位置整定構造部、３４，５０凹入部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者カルステンフンクドイツ連邦共和国シュツットガルトレハールシュトラーセ12 (72)発明者フランツレルマードイツ連邦共和国シュツットガルトヴィティコヴェーク９ (72)発明者ベルント−ヨーゼフシェーファードイツ連邦共和国ロイトリンゲンメーダーシュトラーセ 28

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】オプチックファイバを１つのユニットに
集積されている光導波体に結合するための装置であっ
て、該オプチックファイバは、前記ユニットの、ウェッ
ト法でエッチングされた、Ｖ字形状の位置整定構造部に
挿入されており、該位置整定構造部は前記ユニットのサ
ブストレートに、前記オプチックファイバの光軸が前記
光導波体の光軸に整列して整合配置されているように、
配置されている形式のものにおいて、前記位置整定構造
部（２６）は、前記オプチックファイバ（１２）の軸線
方向に延在する凹入部（３４）を有しており、その結果
前記光導波体（１４）は端面（４２）まで前記サブスト
レート（２２）上に載着されており、かつ前記オプチッ
クファイバ（１２）の端面（４０）は少なくともファイ
バ芯（１６）の領域において前記光導波体（１４）の前
記端面（４２）に突き合わせ結合を介して当接している
ことを特徴とするオプチックファイバを光導波体に結合
するための装置。
【請求項２】前記凹入部（３４）は、前記サブストレ
ート（２２）のウェット法でエッチングされた１１１−
結晶面（３６、３６′）群によって形成される請求項１
記載の装置。
【請求項３】前記１１１−結晶面（３６、３６′）の
交点（３８）の、前記光導波体（１４）の端面（４２）
からの間隔（ｄ）は少なくとも、前記オプチックファイ
バ（１２）の半径（ｒ）の１／２を前記１１１−結晶面
（３６、３６′）の、前記サブストレート（２２）の表
面（４６）に対する角度位置の正接を除したものである
請求項１または２記載の装置。
【請求項４】オプチックファイバと光学的なユニット
に集積されている光導波体との結合箇所の製造方法であ
って、前記オプチックファイバに対するＶ字形状の位置
整定構造部をウェット法で前記ユニットのサブストレー
トにエッチングにより形成し、ここにおいて前記サブス
トレートは前記位置整定構造部を生ぜしめるマスクを施
されている形式の、請求項１から３までのいずれか１項
記載の結合箇所の製造方法において、前記サブストレー
ト（２２）におけるウェット法によるエッチングの前
に、前記マスク（４４）に対して規定位置を有しかつ前
記位置整定構造部（２６）のウェット法によるエッチン
グに影響を惹き起こす凹入部（５０）を形成することを
特徴とする結合箇所の製造方法。
【請求項５】前記凹入部（５０）を、結合すべきオプ
チックファイバ（１２）の半径（ｒ）に依存する、前記
マスク（４４）の辺縁（５２）に対する間隔（ｌ）をお
いて形成する請求項４記載の方法。
【請求項６】前記凹入部（５０）を、深さ（ｔ）およ
び直径（ａ）を以て形成して、前記１１１−結晶面（３
６、３６′）によって形成される、前記位置整定構造部
（２６）の側方の制限面の影響を受けないようにしかつ
専ら、端面側の１１１−結晶面（３６、３６′）によっ
て形成される、前記位置整定構造部（２６）の凹入部
（３４）の構造化のみを行う請求項４または５記載の方
法。
【請求項７】前記凹入部（５０）をレーザ照射によっ
て形成する請求項４から６までのいずれか１項記載の方
法。
【請求項８】前記凹入部（５０）を、プラズマエッチ
ングによって形成する請求項４から６までのいずれか１
項記載の方法。