JPH08234212A - Liquid crystal display element - Google Patents
Liquid crystal display elementInfo
- Publication number
- JPH08234212A JPH08234212A JP6506695A JP6506695A JPH08234212A JP H08234212 A JPH08234212 A JP H08234212A JP 6506695 A JP6506695 A JP 6506695A JP 6506695 A JP6506695 A JP 6506695A JP H08234212 A JPH08234212 A JP H08234212A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- spacer
- crystal display
- light
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示素子に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の液晶表示素子としては、図8に示
すようなものが知られている。この液晶表示素子の構造
は、同図に示すように、下ガラス基板1側に、複数の画
素電極2と、これに接続されたスイッチング素子として
の薄膜トランジスタ(以下、TFTと称する)3とが設
けられ、上ガラス基板4側に、共通電極5とブラックマ
トリクス6とが設けられている。ブラックマトリクス6
は、TFT3等に対向する位置に配設されている。ま
た、両ガラス基板1、4の対向内側面にはそれぞれ配向
膜7、8が形成されている。そして、これら両ガラス基
板1、4間を所定の間隔に保つために、例えば樹脂を球
形に加工してなる多数のスペーサ(ギャップ材)9が両
ガラス基板1、4間に介在されている。なお、スペーサ
9は、下ガラス基板1と上ガラス基板4とを貼り合わせ
る前に、一方のガラス基板の配向膜上に散布することに
より配置されている。このようなスペーサ9によって両
ガラス基板1、4間に形成された間隙に液晶10が封入
されて、液晶表示素子が構成されている。2. Description of the Related Art As a conventional liquid crystal display element, one shown in FIG. 8 is known. As shown in the figure, the structure of this liquid crystal display element is such that a plurality of pixel electrodes 2 and thin film transistors (hereinafter referred to as TFTs) 3 as switching elements connected to the pixel electrodes 2 are provided on the lower glass substrate 1 side. The common electrode 5 and the black matrix 6 are provided on the upper glass substrate 4 side. Black matrix 6
Are arranged at positions facing the TFT 3 and the like. Alignment films 7 and 8 are formed on the inner surfaces of the glass substrates 1 and 4 facing each other. A large number of spacers (gap members) 9 formed by, for example, processing a resin into a spherical shape are interposed between the glass substrates 1 and 4 in order to maintain a predetermined space between the glass substrates 1 and 4. The spacers 9 are arranged by being sprayed on the alignment film of one of the glass substrates before the lower glass substrate 1 and the upper glass substrate 4 are bonded together. The liquid crystal 10 is filled in the gap formed between the glass substrates 1 and 4 by such a spacer 9 to form a liquid crystal display element.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の液晶表示素子にあっては、スペーサ9を一方
のガラス基板の配向膜上に散布するという方法を採って
いるため、画素電極2上の配向膜7上にスペーサ9が当
然のってしまうのでスペーサ9が常に基板間に入射され
る光を透過してしまったり、液晶分子の配向を乱してし
まい、印加電圧に応じて、画素電極2を通過する光の量
や発色を調整することが困難となり、表示品質を低下さ
せる問題があった。また、スペーサ9は、樹脂でなるた
め静電気が帯電しやすく、このため粒子どうしが集まり
やすなり、散布によってスペーサ9を均一に分布させる
のが困難であった。図9は下ガラス基板1上に散布され
たスペーサ9の分布状態を示す平面説明図である。同図
から判るように、画素電極2によっては全くスペーサ9
が散布されていないものや、多くのスペーサ9が集まっ
てのっているものなどがあり、スペーサ9の分布に偏り
が生じている。このため、画素毎の光の通過量が異なっ
てしまうなどの問題があった。さらに、図8に示すよう
に、上ガラス基板4側には、ブラックマトリクス6が形
成されているの拘わらず、斜め方向から入射する光がT
FT3の半導体層に入射し、電子−正孔対が励起してし
まうため、スイッチング素子としてのTFT3の電気特
性が変化して、表示品質を劣化させるという問題があっ
た。However, in such a conventional liquid crystal display element, since the method of spreading the spacers 9 on the alignment film of one of the glass substrates is adopted, the spacers 9 are formed on the pixel electrodes 2. Since the spacer 9 is naturally formed on the alignment film 7 of the above, the spacer 9 always transmits the light incident between the substrates, or disturbs the alignment of the liquid crystal molecules, and the pixel 9 There is a problem that it becomes difficult to adjust the amount of light passing through the electrode 2 and color development, and the display quality is degraded. In addition, since the spacer 9 is made of resin, static electricity is easily charged, and therefore particles are likely to collect each other, and it is difficult to uniformly distribute the spacer 9 by spraying. FIG. 9 is an explanatory plan view showing a distribution state of the spacers 9 scattered on the lower glass substrate 1. As can be seen from the figure, depending on the pixel electrode 2, there is no spacer 9 at all.
In some cases, the distribution of the spacers 9 is unbalanced, and there are some in which the spacers 9 are not scattered and many in which the spacers 9 are gathered. Therefore, there is a problem that the amount of light passing through each pixel is different. Further, as shown in FIG. 8, even though the black matrix 6 is formed on the upper glass substrate 4 side, the light incident from an oblique direction is T
Since the electron-hole pairs are excited by being incident on the semiconductor layer of FT3, there is a problem that the electrical characteristics of the TFT3 as a switching element are changed and the display quality is deteriorated.
【0004】この発明は、画素上の液晶分子配向を乱さ
ずに、しかもスイッチング素子への光入射も防止できる
液晶表示素子を提供することを、その目的としている。An object of the present invention is to provide a liquid crystal display element which does not disturb the alignment of liquid crystal molecules on a pixel and can prevent light from entering a switching element.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】そこで、請求項1記載の
発明は、相対向する面の表示領域にそれぞれ表示電極が
設けられた一対の基板間に液晶が封入されると共に、前
記両基板のうち一方の基板の表示電極がマトリクス状に
配置され、且つ当該表示電極にそれぞれスイッチング素
子が接続されている液晶表示素子において、少なくとも
前記スイッチング素子の上に遮光性を有するスペーサを
設けたことを特徴としている。請求項2記載の発明は、
前記スイッチング素子が、薄膜トランジスタでなり、こ
の薄膜トランジスタのゲート電極は走査駆動回路に接続
されたゲートラインに接続され、前記薄膜トランジスタ
のドレイン電極は信号駆動回路に接続されたドレインラ
インに接続され、前記スペーサが、前記薄膜トランジス
タと、少なくとも前記ゲートラインおよび前記ドレイン
ラインのいずれか一方と、の上にパターン形成されるこ
とを特徴としている。請求項3記載の発明は、前記スペ
ーサが、パターン形成された透明樹脂の表面に遮光性材
料膜を被覆してなることを特徴としている。請求項4記
載の発明は、前記液晶が、高分子分散型液晶であること
を特徴としている。In view of the above, according to the invention of claim 1, liquid crystal is sealed between a pair of substrates each having a display electrode provided in a display area of a surface facing each other, and at the same time, a liquid crystal is enclosed between the pair of substrates. In a liquid crystal display element in which display electrodes on one of the substrates are arranged in a matrix and switching elements are connected to the display electrodes, a light-shielding spacer is provided at least on the switching elements. I am trying. The invention according to claim 2 is
The switching element is a thin film transistor, a gate electrode of the thin film transistor is connected to a gate line connected to a scan driving circuit, a drain electrode of the thin film transistor is connected to a drain line connected to a signal driving circuit, the spacer is Patterning is performed on the thin film transistor and at least one of the gate line and the drain line. The invention according to claim 3 is characterized in that the spacer is formed by coating a surface of a patterned transparent resin with a light-shielding material film. The invention according to claim 4 is characterized in that the liquid crystal is a polymer-dispersed liquid crystal.
【0006】[0006]
【作用】請求項1記載の発明においては、一方の基板の
表示電極がマトリクス状に配置され、且つその表示電極
にそれぞれスイッチング素子が接続されて、少なくとも
スイッチング素子の上にスペーサが設けられているた
め、この一方の基板の表示電極上にスペーサを設けるこ
とがなく、画素上は常に液晶で満たされているので各画
素における光の通過量が均一となり、またスペーサによ
る画素の液晶の配向状態の乱れがほとんどないので、光
の通過量が同一となる。このため、表示品質を向上させ
る作用がある。さらに、スペーサが、遮光性を有するた
め、スイッチング素子に光が入射するのを防止する作用
がある。このため、スイッチング素子が薄膜トランジス
タの場合に、半導体層に光が入射して電気特性を変化さ
せるのを防止する作用がある。また、請求項2記載の発
明においては、スペーサが、薄膜トランジスタとゲート
ラインおよびドレインラインとの上にパターン形成され
ているため、一対の基板間のギャップの面内均一性をよ
り向上させる作用を奏する。また、他方の基板側にブラ
ックマトリクスを設けなくてよいため、基板の平坦性を
高めることができる。また、請求項3記載の発明におい
ては、フォトリソグラフィー工程で位置合わせが容易な
透明樹脂をパターン形成した後、透明樹脂の表面に遮光
性材料膜を被覆することでスペーサが形成できるため、
スペーサを確実にスイッチング素子等の上に形成するこ
とが可能となる。さらに、請求項4記載の発明において
は、薄膜トランジスタと、ゲートラインおよびドレイン
ラインと、の上にスペーサが格子形状をなすように形成
しても、封入する液晶が高分子分散型液晶であるため、
両基板を貼り合わせる前にスペーサで形成される凹部に
この液晶を埋め込むことが可能となる。According to the present invention, the display electrodes on one of the substrates are arranged in a matrix, and the switching electrodes are connected to the display electrodes, respectively, and the spacers are provided at least on the switching elements. Therefore, a spacer is not provided on the display electrode of this one substrate, and the amount of light passing through each pixel is uniform because the pixel is always filled with liquid crystal, and the alignment state of the liquid crystal of the pixel due to the spacer is uniform. Since there is almost no turbulence, the amount of light passing is the same. Therefore, it has an effect of improving the display quality. Further, since the spacer has a light shielding property, it has a function of preventing light from entering the switching element. Therefore, when the switching element is a thin film transistor, it has an effect of preventing light from entering the semiconductor layer and changing electrical characteristics. Further, in the invention according to claim 2, since the spacer is patterned on the thin film transistor, the gate line and the drain line, it has an effect of further improving the in-plane uniformity of the gap between the pair of substrates. . Further, since it is not necessary to provide the black matrix on the other substrate side, the flatness of the substrate can be improved. Further, in the invention according to claim 3, since the spacer can be formed by patterning the transparent resin which can be easily aligned in the photolithography process and then coating the light-shielding material film on the surface of the transparent resin.
The spacer can be reliably formed on the switching element or the like. Further, in the invention according to claim 4, even if the spacer is formed on the thin film transistor, the gate line and the drain line so as to form a lattice shape, the liquid crystal to be enclosed is a polymer dispersed liquid crystal,
This liquid crystal can be embedded in the recess formed by the spacer before the two substrates are bonded together.
【0007】[0007]
【実施例】以下、この発明に係る液晶表示素子の詳細を
図面に示す各実施例に基づいて説明する。 (実施例1)図1は本発明の実施例1を適用したアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示素子の要部を示す断面図で
あり、図2は実施例1を適用したアクティブマトリクス
型の液晶表示素子の一方の基板側の要部斜視図である。
この液晶表示素子では、相対向する基板のうちの一方の
基板としての表示駆動パネル(TFTパネル)11上
に、他方の基板としての共通電極パネル12が図示しな
いシール材を介して貼り合わされ、その間に液晶13が
封入された構造となっている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The details of the liquid crystal display device according to the present invention will be described below with reference to the respective embodiments shown in the drawings. (Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view showing a main part of an active matrix type liquid crystal display device to which the embodiment 1 of the present invention is applied, and FIG. 2 is an active matrix type liquid crystal display device to which the embodiment 1 is applied. FIG. 3 is a perspective view of a main part of one substrate side.
In this liquid crystal display element, a common electrode panel 12 serving as the other substrate is bonded onto a display drive panel (TFT panel) 11 serving as one of the substrates facing each other via a sealing material (not shown), and a space between them. The liquid crystal 13 is enclosed in the structure.
【0008】表示駆動パネル11は、ガラス等からなる
下透明基板14を備えている。下透明基板14の上面に
は、所定の位置に例えばアルミニウムでなるゲート電極
15Aと、このゲート電極15Aと接続されるように一
括してパターン形成されたゲートライン15(図2参
照)と、が形成されている。なお、このゲートライン1
5は、後記する画素電極17の一辺に沿って敷設される
ように設定され、図示しない走査駆動回路に接続されて
いる。そして、これらゲート電極15A、ゲートライン
15および露出する下透明基板14の上面には、例えば
酸化シリコンや窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜1
6が全面に堆積されている。The display drive panel 11 has a lower transparent substrate 14 made of glass or the like. On the upper surface of the lower transparent substrate 14, there are provided a gate electrode 15A made of, for example, aluminum at a predetermined position, and a gate line 15 (see FIG. 2) collectively formed so as to be connected to the gate electrode 15A. Has been formed. In addition, this gate line 1
Reference numeral 5 is set so as to be laid along one side of a pixel electrode 17, which will be described later, and is connected to a scan drive circuit (not shown). The gate insulating film 1 made of, for example, silicon oxide or silicon nitride is formed on the upper surface of the gate electrode 15A, the gate line 15 and the exposed lower transparent substrate 14.
6 is deposited on the entire surface.
【0009】また、ゲート絶縁膜16上の1画素形成領
域には、ITOでなる画素電極17が、図2に示すよう
に1つの隅に矩形の切欠部17Aが形成され、かつ全体
として略矩形状に形成されている。そして、この切欠部
17Aの下方に上記したゲート電極15Aが位置するよ
うに設計されている。この画素電極17の切欠部17A
におけるゲート絶縁膜16上の、前記ゲート電極15A
と対向する位置に、TFT(薄膜トランジスタ;スイッ
チング素子)の能動層として真性のアモルファスシリコ
ン等でなる半導体層18がパターン形成されている。こ
の半導体層18上の中央には、ゲート幅方向に沿って半
導体層18を横切るように窒化シリコン等でなるブロッ
キング層19が形成されており、また、半導体層18上
のブロッキング層19を挟む両側には、それぞれ高不純
物濃度半導体層を介してソース電極20とドレイン電極
21Aが形成されている。ソース電極20の端部は、図
1および図2に示すように、画素電極17の切欠部17
Aの縁部に重なるようにパターン形成されて電気的に導
通するように接続されている。一方、ドレイン電極21
Aは、画素電極17の側方を前記ゲートライン15と直
交するように敷設されるドレインライン21と一括して
形成されたものであり、このドレインライン21は図示
しない信号駆動回路に接続されている。なお、図中22
は、ゲート電極15A、ゲート絶縁膜16、半導体層1
8、ソース電極20およびドレイン電極21A等からな
るTFTを示している。Further, a pixel electrode 17 made of ITO is formed in one pixel formation region on the gate insulating film 16, and a rectangular cutout 17A is formed at one corner as shown in FIG. It is formed in a shape. The gate electrode 15A is designed to be located below the cutout 17A. Notch 17A of this pixel electrode 17
The gate electrode 15A on the gate insulating film 16 in
A semiconductor layer 18 made of intrinsic amorphous silicon or the like is patterned as an active layer of a TFT (thin film transistor; switching element) at a position opposed to. A blocking layer 19 made of silicon nitride or the like is formed in the center of the semiconductor layer 18 so as to cross the semiconductor layer 18 along the gate width direction, and both sides of the blocking layer 19 on the semiconductor layer 18 are sandwiched. A source electrode 20 and a drain electrode 21A are formed on each of them via a high impurity concentration semiconductor layer. As shown in FIGS. 1 and 2, the end portion of the source electrode 20 has a cutout portion 17 of the pixel electrode 17.
A pattern is formed so as to overlap the edge portion of A, and they are electrically connected to each other. On the other hand, the drain electrode 21
A is formed together with the drain line 21 which is laid so that the side of the pixel electrode 17 is orthogonal to the gate line 15. The drain line 21 is connected to a signal drive circuit (not shown). There is. 22 in the figure
Is the gate electrode 15A, the gate insulating film 16, the semiconductor layer 1
8, a TFT including a source electrode 20, a drain electrode 21A and the like is shown.
【0010】このように画素電極17およびスイッチン
グ素子としてのTFT22が形成された下透明基板14
の上面には、図1に示すように、全面に下配向膜23が
形成されている。そして、この下配向膜23上のTFT
22と対向する位置には、図1および図2に示すよう
に、例えば遮光性を有する樹脂でなる、断面矩形の柱状
に加工されたスペーサ24が設けられている。なお、図
2では下配向膜23を省略して示している。このスペー
サ24は、下配向膜23上の全面に樹脂を塗布した後、
リソグラフィー技術およびウェットエッチング技術を用
いて形成することができる。このようなスペーサ24
は、図2に示すように、1画素に1つずつ形成されるた
め、後に共通電極パネルが貼り合わされたときに、表示
駆動パネル11と共通電極パネルとの間隔の面内均一性
を向上させることができる。特に、例えばスペーサ24
を構成する樹脂の粘度を調整した後、この樹脂を表示駆
動パネル11上にスピンコートさせ、樹脂表面が平坦に
なるようにしておけば、樹脂の下地である下配向膜23
の表面に凹凸等の段差があっても、加工後のスペーサ2
4の高さを均一にすることができる。The lower transparent substrate 14 on which the pixel electrodes 17 and the TFTs 22 as switching elements are thus formed.
As shown in FIG. 1, a lower alignment film 23 is formed on the entire upper surface of the. Then, the TFT on the lower alignment film 23
As shown in FIGS. 1 and 2, a spacer 24, which is made of, for example, a resin having a light-shielding property and is formed into a columnar shape having a rectangular cross section, is provided at a position facing 22. In FIG. 2, the lower alignment film 23 is omitted. The spacer 24 is formed by applying resin on the entire surface of the lower alignment film 23,
It can be formed using a lithographic technique and a wet etching technique. Such a spacer 24
2 are formed one by one in each pixel as shown in FIG. 2, and thus improve the in-plane uniformity of the spacing between the display drive panel 11 and the common electrode panel when the common electrode panel is attached later. be able to. In particular, for example the spacer 24
After adjusting the viscosity of the resin constituting the above, the resin is spin-coated on the display drive panel 11 so that the resin surface becomes flat.
Even if there are steps such as irregularities on the surface of the
The height of 4 can be made uniform.
【0011】その後、図1に示すように、表面駆動パネ
ル11に図示しないシール材を介して共通電極パネル1
2を貼り合わせれば、共通電極パネル12側に設けられ
た上配向膜25がスペーサ24の上端に当接し、両パネ
ル11、12間の間隔を均一に保持することができる。
なお、共通電極パネル12は、ガラス等でなる上透明基
板26の下面の表示領域全面にITOでなる共通電極2
7が形成され、この共通電極27と露出する上透明基板
26の下面とに、上記した上配向膜25を全面に形成し
てなる。本実施例では、スペーサ24が遮光性を有する
ため、共通電極パネル12側の、TFT22と対向する
位置にはブラックマトリクスを設ける必要がなく、共通
電極パネル12の製造工程を簡略化できる利点がある。
また、TFT22が存在する部分のみにスペーサ24を
形成するだけでよいため、画素電極17に入射する光の
通過量を減少させることがなく、表示品質の良好な液晶
表示素子の製造を実現させることができる。なお、スペ
ーサ24が柱状であるため、液晶13を封入させる工程
で、液晶13がパネル間の間隙に進入するのをスペーサ
24が邪魔することがない。Thereafter, as shown in FIG. 1, the common electrode panel 1 is mounted on the surface drive panel 11 via a sealing material (not shown).
When the two are bonded together, the upper alignment film 25 provided on the common electrode panel 12 side abuts on the upper end of the spacer 24, so that the distance between the panels 11 and 12 can be kept uniform.
The common electrode panel 12 includes the common electrode 2 made of ITO on the entire display area on the lower surface of the upper transparent substrate 26 made of glass or the like.
7 is formed, and the above-described upper alignment film 25 is formed on the entire surface on the common electrode 27 and the exposed lower surface of the upper transparent substrate 26. In the present embodiment, since the spacer 24 has a light-shielding property, it is not necessary to provide a black matrix at the position facing the TFT 22 on the common electrode panel 12 side, and there is an advantage that the manufacturing process of the common electrode panel 12 can be simplified. .
In addition, since it is only necessary to form the spacer 24 only in the portion where the TFT 22 is present, it is possible to realize the manufacture of a liquid crystal display element having a good display quality without reducing the passing amount of the light incident on the pixel electrode 17. You can Since the spacer 24 has a columnar shape, the spacer 24 does not hinder the liquid crystal 13 from entering the gap between the panels in the step of filling the liquid crystal 13.
【0012】(実施例2)図3は、本発明の実施例2を
適用したアクティブマトリクス型の液晶表示素子の要部
を示す断面図である。本実施例は、上記実施例1におけ
るTFT22の上方に設けたスペーサ24を、透明部2
4Aと遮光部24Bとで構成したものであり、他の構成
は、上記実施例1と同様である。このスペーサ24を形
成するには、まず、透明樹脂を下配向膜23上のコーテ
ィングし、この透明樹脂上にフォトレジストをリソグラ
フィー技術にてパターニングし、このフォトレジストを
マスクとしてウェットエッチングを行う。つぎに、パタ
ーニングされた透明部24Aの表面に例えば顔料等の遮
光性を有する材料を吸着させて遮光部24Bを形成すれ
ばよい。スペーサ24をこのような構成とすることによ
り、透明部24Aのパターニングの際に、表示駆動パネ
ル11側に形成した位置合わせマーク(アライメントマ
ーク)などの位置決め手段を良好に認識でき、スペーサ
24の本体をなす透明部24Aを確実な位置に配設する
ことが可能となる。(Embodiment 2) FIG. 3 is a sectional view showing a main part of an active matrix type liquid crystal display device to which Embodiment 2 of the present invention is applied. In this embodiment, the spacer 24 provided above the TFT 22 in the first embodiment is used as the transparent portion 2.
4A and the light shielding portion 24B, and other configurations are the same as those in the first embodiment. To form the spacers 24, first, a transparent resin is coated on the lower alignment film 23, a photoresist is patterned on the transparent resin by a lithography technique, and wet etching is performed using the photoresist as a mask. Next, the light-shielding portion 24B may be formed by adsorbing a material having a light-shielding property such as a pigment on the surface of the patterned transparent portion 24A. With such a configuration of the spacer 24, the positioning means such as the alignment mark (alignment mark) formed on the display drive panel 11 side can be well recognized when patterning the transparent portion 24A, and the body of the spacer 24 can be recognized. It is possible to dispose the transparent portion 24A forming the above at a certain position.
【0013】(実施例3)図4は、本発明の実施例3を
適用したアクティブマトリクス型の液晶表示素子の表示
駆動パネル11側の平面を示す図面である。本実施例で
は、TFT22と、その近傍のゲートライン15とドレ
インライン21とが交差する部分と、の上方(下配向膜
上)にスペーサ24を形成した構成であり、他の構成
は、上記実施例1と同様である。本実施例においても、
画素電極17にスペーサが存在しないため、画素電極1
7上の液晶分子の配列を乱さずまた、画素電極17上に
液晶が満たされているので、表示品質の良好な液晶表示
素子の製造を実現させることができる。また、本実施例
においてもスペーサ24が柱状であるため、液晶13を
封入させる工程で、液晶13がパネル間の間隙に進入す
るのをスペーサ24が邪魔することがほとんどない。(Embodiment 3) FIG. 4 is a drawing showing a plane on the display drive panel 11 side of an active matrix type liquid crystal display element to which Embodiment 3 of the present invention is applied. In this embodiment, the spacer 24 is formed above the TFT 22 and the portion where the gate line 15 and the drain line 21 in the vicinity cross each other (on the lower alignment film). Similar to Example 1. Also in this embodiment,
Since there is no spacer in the pixel electrode 17, the pixel electrode 1
Since the pixel electrodes 17 are filled with the liquid crystal without disturbing the alignment of the liquid crystal molecules on 7, the liquid crystal display element with good display quality can be manufactured. Further, also in the present embodiment, since the spacer 24 is columnar, the spacer 24 hardly interferes with the entry of the liquid crystal 13 into the gap between the panels in the step of filling the liquid crystal 13.
【0014】(実施例4)図5は、本発明の実施例4を
適用したアクティブマトリクス型の液晶表示素子の表示
駆動パネル11側の平面を示す図面であり、図6
(A)、(B)はそれぞれ図5のA−A断面図とB−B
断面図である。本実施例では、表示駆動パネル11にお
ける下配向膜23の上に、ゲートライン15、ドレイン
ライン21およびTFT22を覆う(これらのラインお
よびTFT22の上方に位置する)ようにスペーサ24
を格子状に形成している。図6(A)および(B)に示
すように、ゲートライン15とドレインライン21とが
交差する部分のスペーサ24Cは、表示駆動パネル11
と共通電極パネル12との間隙を規定する高さを有し、
スペーサ24Cどうしの間のスペーサ24Dは、液晶の
流入を許容できるようにその高さが低く設定されてい
る。このようなスペーサ24を形成するには、スペーサ
24C部分の上にレジストマスクを形成してウェットエ
ッチングを行い、スペーサ24D部分の高さが所定高さ
になった時点でウェットエッチングを停止することによ
り、形成できる。本実施例においても、液晶の流入をス
ペーサ24が妨害することがなく、円滑な液晶封入工程
を行うことが可能である。しかも、スペーサ24Cとス
ペーサ24Dとは一体に形成されているため、強度が高
く下配向膜からはがれることがない。また、スペーサ2
4がゲートライン15、ドレインライン21およびTF
T22を覆う構造であるため、ゲートライン15、ドレ
インライン21およびTFT22の乱反射を遮るので、
共通電極パネル側に一切ブラックマトリクスを形成する
必要がない。上記実施例ではゲートラインおよびドレイ
ンラインにスペーサを形成したが、いずれか一方のライ
ンのみでもよい。(Embodiment 4) FIG. 5 is a drawing showing a plane on the display drive panel 11 side of an active matrix type liquid crystal display device to which Embodiment 4 of the present invention is applied, and FIG.
(A) and (B) are respectively AA sectional view and BB of FIG.
It is sectional drawing. In this embodiment, the spacer 24 is formed on the lower alignment film 23 in the display drive panel 11 so as to cover the gate line 15, the drain line 21 and the TFT 22 (position above these lines and the TFT 22).
Are formed in a grid pattern. As shown in FIGS. 6A and 6B, the spacer 24 </ b> C at the intersection of the gate line 15 and the drain line 21 has the display drive panel 11.
Has a height that defines a gap between the common electrode panel 12 and
The height of the spacer 24D between the spacers 24C is set low so as to allow the inflow of liquid crystal. To form such a spacer 24, a resist mask is formed on the spacer 24C portion and wet etching is performed, and the wet etching is stopped when the height of the spacer 24D portion reaches a predetermined height. Can be formed. Also in the present embodiment, the spacer 24 does not interfere with the inflow of the liquid crystal, and a smooth liquid crystal filling process can be performed. Moreover, since the spacers 24C and 24D are integrally formed, the spacers 24C and 24D have high strength and do not peel off from the lower alignment film. Also, the spacer 2
4 is a gate line 15, a drain line 21 and a TF
Since the structure covers T22, the diffused reflection of the gate line 15, the drain line 21, and the TFT 22 is blocked.
There is no need to form a black matrix on the common electrode panel side. Although the spacers are formed on the gate line and the drain line in the above embodiment, only one of the lines may be formed.
【0015】(実施例5)図7は、本発明の実施例5を
適用したアクティブマトリクス型の液晶表示素子の表示
駆動パネルの平面を示している。本実施例においてスペ
ーサ24を形成する領域は、上記実施例4と全く同様で
あり、ゲートライン15、ドレインライン21およびT
FT22を覆うように形成する。そして、スペーサ24
の高さは、すべての部分で同一に設定した。このため、
スペーサ24で囲まれる画素電極17は凹部の底に位置
する構造となる。このような構造では、通常の液晶を封
入することは困難であるため、高分子分散型の液晶をこ
の凹部に埋め込むことで用いることができる。高分子分
散型液晶は、既にカプセル化した液晶でも、高分子材料
と液晶とが相溶した溶液を凹部に埋め込んだ後、高分子
材料を重合させ、網状高分子中に液晶を分散した構造で
もよい。このため、共通電極パネル側にブラックマトリ
クスを一切形成する必要がなく、製造工程を簡略化でき
るという利点がある。なお、本実施例における他の構成
は上記実施例1と同様である。(Embodiment 5) FIG. 7 shows a plane of a display drive panel of an active matrix type liquid crystal display device to which Embodiment 5 of the present invention is applied. In this embodiment, the region where the spacer 24 is formed is exactly the same as that of the above-described fourth embodiment, and the gate line 15, the drain line 21 and the T line are formed.
It is formed so as to cover the FT 22. And the spacer 24
The height of was set to be the same in all parts. For this reason,
The pixel electrode 17 surrounded by the spacer 24 is located at the bottom of the recess. In such a structure, it is difficult to fill a normal liquid crystal, and therefore a polymer-dispersed liquid crystal can be used by embedding it in the recess. The polymer-dispersed liquid crystal may be a liquid crystal that has already been encapsulated, or may have a structure in which the liquid crystal is dispersed in a reticulated polymer by filling the recess with a solution in which the polymer material and the liquid crystal are compatible, and then polymerizing the polymer material. Good. Therefore, there is no need to form a black matrix on the common electrode panel side, and there is an advantage that the manufacturing process can be simplified. The rest of the configuration of this embodiment is similar to that of the first embodiment.
【0016】以上、実施例1〜5について説明したが、
本発明はこれらに限定されるものではなく、構成の要旨
に付随する各種の設計変更が可能である。例えば、上記
各実施例では、スイッチング素子としてTFT22を適
用したが、これに限らずMIM素子を適用してもよい。
また、上記各実施例では、スペーサ24を樹脂で形成し
たが、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機系の材料
で形成することも可能である。The first to fifth embodiments have been described above.
The present invention is not limited to these, and various design changes associated with the gist of the configuration are possible. For example, although the TFT 22 is applied as the switching element in each of the above embodiments, the present invention is not limited to this, and an MIM element may be applied.
Further, in each of the above-described embodiments, the spacer 24 is made of resin, but it may be made of an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride.
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、画素電極上にスペーサ(ギャップ材)が存
在しないため、表示品質を向上させる効果を奏する。ま
た、スイッチング素子(例えば薄膜トランジスタ)を遮
光性のスペーサで覆った構造であるため、斜め方向から
の光がスイッチング素子に入射することがなく、スイッ
チング素子の電気的特性が光の影響を受けることなく良
好に液晶を駆動させる効果がある。さらに、スイッチン
グ素子が形成された基板の対向内側面に凹凸があっても
スペーサの高さを予め決定することができるため、両基
板間のギャップサイズの面内均一性を向上させる効果が
ある。As is apparent from the above description, according to the present invention, since there is no spacer (gap material) on the pixel electrode, the display quality is improved. Further, since the switching element (for example, a thin film transistor) is covered with a light-shielding spacer, light from an oblique direction does not enter the switching element, and the electrical characteristics of the switching element are not affected by light. It has the effect of favorably driving the liquid crystal. Furthermore, since the height of the spacer can be determined in advance even if there are irregularities on the inner surface of the substrate on which the switching elements are formed facing each other, there is an effect of improving the in-plane uniformity of the gap size between both substrates.
【図1】この発明の実施例1を示す要部断面図。FIG. 1 is a sectional view of an essential part showing a first embodiment of the present invention.
【図2】この発明の実施例1の表示駆動パネルの斜視
図。FIG. 2 is a perspective view of the display drive panel according to the first embodiment of the present invention.
【図3】この発明の実施例2を示す要部断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of essential parts showing Embodiment 2 of the present invention.
【図4】この発明の実施例3の表示駆動パネルの平面
図。FIG. 4 is a plan view of a display drive panel according to a third embodiment of the present invention.
【図5】この発明の実施例4の表示駆動パネルの平面
図。FIG. 5 is a plan view of a display drive panel according to a fourth embodiment of the present invention.
【図6】(A)は図5のA−A断面図、(B)は図5の
B−B断面図。6A is a sectional view taken along line AA of FIG. 5, and FIG. 6B is a sectional view taken along line BB of FIG.
【図7】この発明の実施例5の表示駆動パネルの平面
図。FIG. 7 is a plan view of a display drive panel according to a fifth embodiment of the present invention.
【図8】従来の液晶表示素子の要部断面図。FIG. 8 is a sectional view of a main part of a conventional liquid crystal display element.
【図9】従来の液晶表示素子の平面説明図。FIG. 9 is an explanatory plan view of a conventional liquid crystal display element.
11 表示駆動パネル 12 共通電極パネル 13 液晶 14 下透明基板 15 ゲートライン 17 画素電極 21 ドレインライン 22 TFT 23 下配向膜 24 スペーサ 24A 透明部 24B 遮光部 25 上配向膜 26 上透明基板 27 共通電極 11 display drive panel 12 common electrode panel 13 liquid crystal 14 lower transparent substrate 15 gate line 17 pixel electrode 21 drain line 22 TFT 23 lower alignment film 24 spacer 24A transparent part 24B light shielding part 25 upper alignment film 26 upper transparent substrate 27 common electrode
Claims (4)
電極が設けられた一対の基板間に液晶が封入されると共
に、前記両基板のうち一方の基板の表示電極がマトリク
ス状に配置され、且つ当該表示電極にそれぞれスイッチ
ング素子が接続されている液晶表示素子において、 少なくとも前記スイッチング素子の上に遮光性を有する
スペーサを設けたことを特徴とする液晶表示素子。1. A liquid crystal is sealed between a pair of substrates, each of which has a display electrode provided in a display area of a surface facing each other, and display electrodes of one of the two substrates are arranged in a matrix. A liquid crystal display element in which a switching element is connected to each of the display electrodes, wherein a spacer having a light shielding property is provided at least on the switching element.
スタでなり、この薄膜トランジスタのゲート電極は走査
駆動回路に接続されたゲートラインに接続され、前記薄
膜トランジスタのドレイン電極は信号駆動回路に接続さ
れたドレインラインに接続され、 前記スペーサは、前記薄膜トランジスタと、少なくとも
前記ゲートラインおよび前記ドレインラインのいずれか
一方と、の上にパターン形成されることを特徴とする請
求項1記載の液晶表示素子。2. The switching element comprises a thin film transistor, a gate electrode of the thin film transistor is connected to a gate line connected to a scan driving circuit, and a drain electrode of the thin film transistor is connected to a drain line connected to a signal driving circuit. 2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the spacer is patterned on the thin film transistor and at least one of the gate line and the drain line.
明樹脂の表面を遮光性材料膜で被覆してなることを特徴
とする請求項1記載の液晶表示素子。3. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the spacer is formed by coating a surface of a patterned transparent resin with a light-shielding material film.
とを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子。4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal is a polymer dispersed liquid crystal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6506695A JPH08234212A (en) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | Liquid crystal display element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6506695A JPH08234212A (en) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | Liquid crystal display element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08234212A true JPH08234212A (en) | 1996-09-13 |
Family
ID=13276217
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6506695A Pending JPH08234212A (en) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | Liquid crystal display element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08234212A (en) |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990006215A (en) * | 1997-06-30 | 1999-01-25 | 김영환 | Liquid crystal display device and manufacturing method |
KR19990048091A (en) * | 1997-12-08 | 1999-07-05 | 김영환 | Liquid Crystal Display and Manufacturing Method Thereof |
JP2001093598A (en) * | 1999-07-22 | 2001-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Contact device and semiconductor device |
JP2001311964A (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
JP2002023170A (en) * | 2000-07-04 | 2002-01-23 | Toppan Printing Co Ltd | Liquid crystal display device |
US6573969B1 (en) | 1999-07-14 | 2003-06-03 | Nec Corporation | Liquid crystal display unit with conductive spacers between two substrate structures for biasing back channels of thin film transistors |
US6774975B2 (en) | 2000-02-25 | 2004-08-10 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display panel having a patterned spacer |
US6952020B1 (en) * | 1999-07-06 | 2005-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR100502806B1 (en) * | 1998-04-17 | 2005-11-22 | 삼성전자주식회사 | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
JP2010266869A (en) * | 2010-06-04 | 2010-11-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Liquid crystal display |
JP2011070089A (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | Image display apparatus, method of manufacturing the same, and active matrix substrate |
JP4709375B2 (en) * | 2000-12-22 | 2011-06-22 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | Liquid crystal display element |
US7973905B2 (en) | 1996-11-26 | 2011-07-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays using organic insulating material and manufacturing methods thereof |
KR101308589B1 (en) * | 2006-11-09 | 2013-09-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display panel and method of fabricating the same |
JP2014026291A (en) * | 2006-09-29 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
KR20140121824A (en) | 2012-01-31 | 2014-10-16 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | Colored photosensitive composition, black photo spacer, and color filter |
CN104730779A (en) * | 2015-04-17 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Array substrate, display panel and display device |
KR20170045125A (en) | 2015-10-16 | 2017-04-26 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | Photosensitive resin composition for light-shielding film with the role of spacer, light-shielding film thereof, lcd with that film, and manufacturing process for them |
KR20170126912A (en) | 2015-03-11 | 2017-11-20 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | Photosensitive coloring composition for forming colored spacer, cured product, colored spacer, and image display device |
KR20180096648A (en) | 2015-12-24 | 2018-08-29 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | Photosensitive coloring composition, cured product, coloring spacer, image display device |
KR20180098169A (en) | 2017-02-24 | 2018-09-03 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | Photosensitive resin composition for light-sielding film with the role of spacer, light-sielding film thereof, lcd with that film, and manufacturing process for them |
KR20180111661A (en) | 2017-03-31 | 2018-10-11 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | Photosensitive resin composition, light-shielding film thereof, and manufacturing process of lcd with that film |
KR20180126090A (en) | 2011-10-25 | 2018-11-26 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | Colored photosensitive resin composition, colored spacer, color filter, and liquid crystal display device |
KR20190062374A (en) | 2016-10-14 | 2019-06-05 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | Photosensitive coloring composition, cured product, coloring spacer, image display device |
JP2021009417A (en) * | 2006-06-02 | 2021-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Liquid crystal display device |
KR20210105876A (en) | 2018-12-18 | 2021-08-27 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | Photosensitive coloring composition, cured product, colored spacer, and image display device |
JP2022118095A (en) * | 2011-05-05 | 2022-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Liquid crystal display device |
JP2022120136A (en) * | 2008-12-03 | 2022-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Liquid crystal display device |
US12074210B2 (en) | 2008-07-31 | 2024-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5946626A (en) * | 1983-07-04 | 1984-03-16 | Canon Inc | Color display element |
JPS6424230A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-26 | Alps Electric Co Ltd | Liquid crystal display element |
JPH025725U (en) * | 1988-06-24 | 1990-01-16 | ||
JPH0337627A (en) * | 1989-07-04 | 1991-02-19 | Sharp Corp | Liquid crystal display device |
JPH04318816A (en) * | 1991-04-18 | 1992-11-10 | Dainippon Printing Co Ltd | Liquid crystal display device and its manufacture |
JPH06265912A (en) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Toshiba Corp | Liquid crystal display device |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP6506695A patent/JPH08234212A/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5946626A (en) * | 1983-07-04 | 1984-03-16 | Canon Inc | Color display element |
JPS6424230A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-26 | Alps Electric Co Ltd | Liquid crystal display element |
JPH025725U (en) * | 1988-06-24 | 1990-01-16 | ||
JPH0337627A (en) * | 1989-07-04 | 1991-02-19 | Sharp Corp | Liquid crystal display device |
JPH04318816A (en) * | 1991-04-18 | 1992-11-10 | Dainippon Printing Co Ltd | Liquid crystal display device and its manufacture |
JPH06265912A (en) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Toshiba Corp | Liquid crystal display device |
Cited By (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7973905B2 (en) | 1996-11-26 | 2011-07-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays using organic insulating material and manufacturing methods thereof |
KR19990006215A (en) * | 1997-06-30 | 1999-01-25 | 김영환 | Liquid crystal display device and manufacturing method |
KR19990048091A (en) * | 1997-12-08 | 1999-07-05 | 김영환 | Liquid Crystal Display and Manufacturing Method Thereof |
KR100502806B1 (en) * | 1998-04-17 | 2005-11-22 | 삼성전자주식회사 | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
US9236400B2 (en) | 1999-07-06 | 2016-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8664660B2 (en) | 1999-07-06 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8227806B2 (en) | 1999-07-06 | 2012-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display in which LDD regions in the driver circuit and the storage capacitor in the pixel section have the same dopant concentration |
US6952020B1 (en) * | 1999-07-06 | 2005-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7348599B2 (en) | 1999-07-06 | 2008-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US6573969B1 (en) | 1999-07-14 | 2003-06-03 | Nec Corporation | Liquid crystal display unit with conductive spacers between two substrate structures for biasing back channels of thin film transistors |
US8624253B2 (en) | 1999-07-22 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
JP2013243372A (en) * | 1999-07-22 | 2013-12-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Contact structure |
US7411211B1 (en) * | 1999-07-22 | 2008-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
JP4627843B2 (en) * | 1999-07-22 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
JP2017040929A (en) * | 1999-07-22 | 2017-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Portable information terminal |
US7956359B2 (en) | 1999-07-22 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
JP2001093598A (en) * | 1999-07-22 | 2001-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Contact device and semiconductor device |
CN102339812A (en) * | 1999-07-22 | 2012-02-01 | 株式会社半导体能源研究所 | Contact structure and semiconductor device |
JP2014089456A (en) * | 1999-07-22 | 2014-05-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
US8258515B2 (en) | 1999-07-22 | 2012-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
US8368076B2 (en) | 1999-07-22 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
US7626202B2 (en) | 1999-07-22 | 2009-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
US6774975B2 (en) | 2000-02-25 | 2004-08-10 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display panel having a patterned spacer |
JP2001311964A (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
JP2002023170A (en) * | 2000-07-04 | 2002-01-23 | Toppan Printing Co Ltd | Liquid crystal display device |
JP4709375B2 (en) * | 2000-12-22 | 2011-06-22 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | Liquid crystal display element |
JP2021009417A (en) * | 2006-06-02 | 2021-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Liquid crystal display device |
US11600236B2 (en) | 2006-06-02 | 2023-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
JP2014026291A (en) * | 2006-09-29 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
KR101308589B1 (en) * | 2006-11-09 | 2013-09-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display panel and method of fabricating the same |
US12074210B2 (en) | 2008-07-31 | 2024-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2022120136A (en) * | 2008-12-03 | 2022-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Liquid crystal display device |
JP2011070089A (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | Image display apparatus, method of manufacturing the same, and active matrix substrate |
JP2010266869A (en) * | 2010-06-04 | 2010-11-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Liquid crystal display |
US11942483B2 (en) | 2011-05-05 | 2024-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2022118095A (en) * | 2011-05-05 | 2022-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Liquid crystal display device |
KR20180126090A (en) | 2011-10-25 | 2018-11-26 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | Colored photosensitive resin composition, colored spacer, color filter, and liquid crystal display device |
KR20140121824A (en) | 2012-01-31 | 2014-10-16 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | Colored photosensitive composition, black photo spacer, and color filter |
KR20190058671A (en) | 2012-01-31 | 2019-05-29 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | Colored photosensitive composition, black photo spacer, and color filter |
KR20170126912A (en) | 2015-03-11 | 2017-11-20 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | Photosensitive coloring composition for forming colored spacer, cured product, colored spacer, and image display device |
WO2016165291A1 (en) * | 2015-04-17 | 2016-10-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | Array substrate, display panel and display device |
CN104730779A (en) * | 2015-04-17 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Array substrate, display panel and display device |
KR20170045125A (en) | 2015-10-16 | 2017-04-26 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | Photosensitive resin composition for light-shielding film with the role of spacer, light-shielding film thereof, lcd with that film, and manufacturing process for them |
KR20180096648A (en) | 2015-12-24 | 2018-08-29 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | Photosensitive coloring composition, cured product, coloring spacer, image display device |
KR20190062374A (en) | 2016-10-14 | 2019-06-05 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | Photosensitive coloring composition, cured product, coloring spacer, image display device |
KR20180098169A (en) | 2017-02-24 | 2018-09-03 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | Photosensitive resin composition for light-sielding film with the role of spacer, light-sielding film thereof, lcd with that film, and manufacturing process for them |
KR20180111661A (en) | 2017-03-31 | 2018-10-11 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | Photosensitive resin composition, light-shielding film thereof, and manufacturing process of lcd with that film |
KR20210105876A (en) | 2018-12-18 | 2021-08-27 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | Photosensitive coloring composition, cured product, colored spacer, and image display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH08234212A (en) | Liquid crystal display element | |
KR100816333B1 (en) | Color filter plate and thin film transistor plate for liquid crystal display, and methods for fabricating the plates | |
KR101319584B1 (en) | Liquid crystal display panel with improved display characteristics, and mask used in fabrication method for the same | |
JP4362882B2 (en) | Liquid crystal panel, liquid crystal panel manufacturing method, and liquid crystal display device | |
US6888596B2 (en) | Liquid crystal display device | |
KR100782232B1 (en) | Liquid crystal display device | |
KR101923717B1 (en) | Array substrate for liquid crystal display and manufacturing method of the same | |
US20040075798A1 (en) | Liquid crystal display and method of fabricating the same | |
KR101430610B1 (en) | Liquid crystal display panel and method for manufacturing the same. | |
KR101717651B1 (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
KR20090041337A (en) | Liquid crystal display panel | |
KR20090052591A (en) | Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
KR101937771B1 (en) | Liquid crystal display and method for fabricating the same | |
JP2004151459A (en) | Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display equipped with the same | |
KR100504685B1 (en) | Liquid crystal display device and its manufacturing method | |
US20020149018A1 (en) | Active-matrix substrate and method of fabricating same | |
KR20070042273A (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
US20100033660A1 (en) | Array substrate and liquid crystal display panel | |
KR100672648B1 (en) | Liquid Crystal Display Device and Method for Manufacturing the Same | |
KR20030026088A (en) | Structure of vacuum chuck for adsorbing substrate | |
KR20000019505A (en) | Method for manufacturing lcd using diffraction exposure | |
CN101097373B (en) | Mother glass for liquid crystal display and method of fabricating liquid crystal display using the same | |
JPH1184386A (en) | Active matrix type liquid crystal display device | |
KR101868036B1 (en) | Mask for exposure and method of fabricating liquid crystal display device using the same | |
KR100603669B1 (en) | Lcd and method for manufacturing lcd |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040323 |