JPH1184386A - Active matrix type liquid crystal display device - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display device

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Publication number
JPH1184386A
JPH1184386A JP23604397A JP23604397A JPH1184386A JP H1184386 A JPH1184386 A JP H1184386A JP 23604397 A JP23604397 A JP 23604397A JP 23604397 A JP23604397 A JP 23604397A JP H1184386 A JPH1184386 A JP H1184386A
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JP
Japan
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substrate
storage capacitor
active matrix
electrode
liquid crystal
Prior art date
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Pending
Application number
JP23604397A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Hasegawa
誠 長谷川
Yasuharu Tanaka
康晴 田中
Daisuke Miyazaki
大輔 宮崎
Minoru Sasaki
佐々木  実
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH1184386A publication Critical patent/JPH1184386A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the orientation defect of display images by forming columnar spacers on one of two sheets of substrates to make the spacing between both substrates uniform and covering regions rendering the orientation defects by light shielding members. SOLUTION: An active matrix substrate 10 is arranged with scanning lines and signal lines orthogonal therewith in a grid form on a glass substrate 11. Pixel electrodes 13 are arranged to overlap on the scanning lines of the stage before one line via insulating film to provide storage capacitors. The storage capacitor electrodes forming the storage capacitor are extended in parallel with a rubbing direction at the time of the rubbing orientation treatment of a counter substrate 30 when the glass substrate is combined with a second substrate, i.e., the counter substrate 30, and in the direction where the fibers of the rubbing cloth of the columnar spacers formed on the counter substrate 30 are wiped away. The columnar spacers are further formed to the shape overhanging on the scanning lines or part of the scanning lines to the display electrode side and are formed in the positions near the scanning electrodes of the storage capacitor electrodes where the spacers come into contact with the active matrix substrate 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置に
係り、特に、液晶表示装置を構成する2枚の基板間の間
隙を一定に維持する間隙剤により引き起こされる配向不
良を低減する構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a structure for reducing alignment defects caused by a gap agent for maintaining a constant gap between two substrates constituting a liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に用いられている液晶表示装置は、
電極を有する2枚の絶縁性基板を対向させ、その2枚の
基板の周囲を液晶注入口を除いて接着剤で固定し、2枚
の基板間に液晶を挟持させて、液晶注入口を封止剤で封
止した構成となっている。
2. Description of the Related Art A commonly used liquid crystal display device is:
Two insulating substrates having electrodes are opposed to each other, the periphery of the two substrates is fixed with an adhesive except for a liquid crystal injection port, and liquid crystal is sandwiched between the two substrates, and the liquid crystal injection port is sealed. It is configured to be sealed with a stopper.

【0003】これらの基板は、所定の間隙、すなわちセ
ルギャップをおいて対向しており、セルギャップを均一
に保つための間隙剤(以下、スペーサとする)として、
粒径の均一なプラスティックビーズ等を散在させるのが
通例である。
[0003] These substrates are opposed to each other with a predetermined gap, that is, a cell gap. As a gap material (hereinafter, referred to as a spacer) for keeping the cell gap uniform,
It is customary to scatter plastic beads or the like having a uniform particle size.

【0004】ところが、スペーサ周辺では、液晶の配向
に乱れが生じやすく、その結果、光が漏れてコントラス
トが低下することが知られている。また、高精細型の液
晶表示装置では、上述した配向の乱れの生じる領域が表
示画素電極に占める割合が大きくなるため、上述したコ
ントラストの低下は、より著しくなる。
However, it is known that the alignment of the liquid crystal is likely to be disturbed around the spacer, and as a result, light leaks to lower the contrast. Further, in a high-definition liquid crystal display device, the ratio of the region in which the above-mentioned alignment disturbance occurs to the display pixel electrode increases, so that the above-described decrease in contrast becomes more remarkable.

【0005】他方、画面の大きな液晶表示装置におい
て、スペーサを画面全体に亘って均一に散在させること
は大変困難であり、結果的に、セルギャップのムラや、
色ムラあるいは干渉縞を発生しやすくすることになる。
On the other hand, in a liquid crystal display device having a large screen, it is very difficult to uniformly disperse spacers over the entire screen.
Color unevenness or interference fringes are likely to occur.

【0006】このため、プラスティックビーズ等を使用
せず、カラーフィルタの複数の着色層を積層したり、感
光性樹脂を用いて、液晶表示装置を構成する2枚の基板
の少なくともどちらかの基板の1主面上に、柱状スペー
サを形成する液晶表示装置が提案されている。
For this reason, a plurality of colored layers of a color filter are laminated without using plastic beads or the like, or a photosensitive resin is used to form at least one of two substrates constituting a liquid crystal display device. A liquid crystal display device in which a columnar spacer is formed on one main surface has been proposed.

【0007】図7は、従来から利用されているアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の一例を示す概略図であ
る。図7に示されるように、液晶表示装置1001は、
スイッチング素子として非晶質シリコン(a−Si)を
半導体層として用いたTFT(Thin FilmTr
ansistor)1011、TFT1011のソース
電極1012に接続された画素電極1013、ドレイン
電極1014に接続された信号線1015、TFT10
11のゲート電極(詳述しない)に接続された走査線1
016が形成されたアクティブマトリクス基板101
0、アクティブマトリクス基板1010に対向され、対
向電極とカラーフィルタを有する対向基板1020から
なり、この2枚の基板間に液晶1030を挟持する構成
である。
FIG. 7 is a schematic view showing an example of a conventionally used active matrix type liquid crystal display device. As shown in FIG. 7, the liquid crystal display device 1001
TFT (Thin FilmTr) using amorphous silicon (a-Si) as a switching element as a semiconductor layer
transistor 1011, the pixel electrode 1013 connected to the source electrode 1012 of the TFT 1011, the signal line 1015 connected to the drain electrode 1014, the TFT 10
Scan line 1 connected to 11 gate electrodes (not described in detail)
Active matrix substrate 101 on which 016 is formed
0, an active matrix substrate 1010, a counter substrate 1020 having a counter electrode and a color filter, and a liquid crystal 1030 sandwiched between the two substrates.

【0008】アクティブマトリクス型液晶表示装置10
10において、画像を表示させる方法としては、一般
に、以下のような制御が用いられる。第1に、信号線1
015に映像信号を印加するとともに、走査線1016
に、表示画面の上方から、行毎に選択パルスを順に印加
することで、信号線1015に印加された映像信号が選
択された画素電極1013に書き込まれる。すなわち、
画素電極1013と対向電極との間の電位差に応じて液
晶の光透過率が変化するので、アクティブマトリクス基
板1010の背面からの透過光量が変化して画像が表示
される。
Active matrix type liquid crystal display device 10
In 10, the following control is generally used as a method of displaying an image. First, signal line 1
015 and a scanning line 1016
Then, by sequentially applying a selection pulse for each row from above the display screen, the video signal applied to the signal line 1015 is written to the selected pixel electrode 1013. That is,
Since the light transmittance of the liquid crystal changes according to the potential difference between the pixel electrode 1013 and the counter electrode, the amount of light transmitted from the back surface of the active matrix substrate 1010 changes to display an image.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した液
晶表示装置の2枚のガラスの貼り合わせ工程において、
スペーサとして粒径の均一なプラスティックビーズ等を
散在させて基板間の間隔を維持する場合には、コントラ
ストの低下や、セルギャップが不均一となる問題があ
る。
By the way, in the above-mentioned step of bonding two glasses of the liquid crystal display device,
When the spacing between the substrates is maintained by dispersing plastic beads or the like having a uniform particle size as spacers, there is a problem that the contrast is lowered and the cell gap is not uniform.

【0010】一方、プラスティックビーズ等を使用せ
ず、カラーフィルタの複数の着色層を積層したり、感光
性樹脂等を用いて液晶表示装置を構成する2枚の基板の
少なくとも一方の基板に柱状スペーサを形成する手法で
は、図8を用いて説明するように、ラビングによる配向
処理時に、ラビング布1041が柱状スペーサから離れ
る側1051で、柱状スペーサ1050の高さに起因し
て、ラビング布1041の繊維が柱状スペーサ1050
の基部1052すなわち柱状スペーサ1050が基板か
ら立ち上がった部分に到達できないことで、ラビング処
理が不完全となる領域が発生してしまう。この配向処理
が不完全な領域では、配向の乱れが生じやすく、表示不
良となる場合が多い。
On the other hand, a plurality of colored layers of a color filter are laminated without using plastic beads or the like, or a columnar spacer is formed on at least one of two substrates constituting a liquid crystal display device using a photosensitive resin or the like. As described with reference to FIG. 8, in the method of forming the rubbing cloth 1041 at the side 1051 where the rubbing cloth 1041 separates from the columnar spacer during the alignment treatment by rubbing, the fiber of the rubbing cloth 1041 is formed due to the height of the columnar spacer 1050. Is the columnar spacer 1050
The base 1052, that is, the columnar spacer 1050 cannot reach the portion rising from the substrate, and a region where the rubbing process is incomplete occurs. In a region where the alignment processing is incomplete, the alignment is likely to be disordered, which often results in display failure.

【0011】この発明の目的は、液晶表示装置を構成す
る2枚の基板間の間隙を一定に維持する間隙剤により引
き起こされる配向不良を低減することにより、表示色の
表示不良を防止可能な液晶表示装置を提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a liquid crystal device capable of preventing display defects in display colors by reducing alignment defects caused by a gap agent for maintaining a constant gap between two substrates constituting a liquid crystal display device. A display device is provided.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】この発明は、上述した問
題点に基づきなされたもので、1主面上に互いに交差す
るよう配置された複数の走査線および複数の信号線と、
前記走査線および前記信号線の交差部毎に形成され、当
該走査線および信号線に接続された薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタごとに接続された画素電極
と、走査線の一部を表示電極側に張り出させた形状をな
し蓄積容量を形成する蓄積容量電極および配線とを配置
したアクティブマトリクス基板と、1主面上に対向電極
と、着色層を含むカラーフィルタと、所望の間隙を付与
する柱状突起をなす基板間間隙剤とを有する対向基板と
を備え、前記のそれぞれの基板の1主面上に配向膜を形
成したのちラビングによりそれぞれの配向膜を配向処理
し、前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板
の主面同士を対向させ、これらの間に液晶組成物を挟持
したアクティブマトリクス型液晶表示装置において、蓄
積容量を形成する蓄積容量電極が、前記2枚の基板を組
み合わせて液晶表示装置としたときに、前記対向基板の
ラビンク配向処理時のラビング方向と平行、かつ、ラビ
ングに利用されるラビング加工部材が移動される方向の
後流側方向に延長して形成され、また、前記基板間間隙
剤が走査線上あるいは走査線の一部を表示電極側に張り
出させた形状をなし、蓄積容量を形成する蓄積容量電極
の走査電極寄りでアクティブマトリクス基板と接続され
ることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示
装置である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made based on the above-mentioned problems, and has a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect each other on one main surface;
A thin film transistor formed at each intersection of the scanning line and the signal line, connected to the scanning line and the signal line, a pixel electrode connected to each of the thin film transistors, and a part of the scanning line is extended to the display electrode side. An active matrix substrate in which a storage capacitor electrode and a wiring are formed to form a storage capacitor and form a storage capacitor, a counter electrode on one main surface, a color filter including a coloring layer, and a columnar projection for providing a desired gap And an opposing substrate having an inter-substrate gap material. After forming an alignment film on one main surface of each of the substrates, each of the alignment films is subjected to an alignment treatment by rubbing, and the active matrix substrate and the counter substrate are formed. In an active matrix type liquid crystal display device in which the main surfaces of the substrates are opposed to each other and a liquid crystal composition is sandwiched between them, a storage capacitor forming a storage capacitor When the liquid crystal display device is formed by combining the two substrates, the amount electrode is parallel to the rubbing direction at the time of the rubbing alignment treatment of the counter substrate, and the direction in which the rubbing member used for rubbing is moved. The inter-substrate gap material is formed to extend in the wake side direction, and the inter-substrate gap material has a shape in which a scanning line or a part of the scanning line protrudes toward the display electrode side, and scans a storage capacitor electrode forming a storage capacitor. An active matrix type liquid crystal display device characterized by being connected to an active matrix substrate near an electrode.

【0013】また、この発明は、1主面上に互いに交差
するよう配置された複数の走査線および複数の信号線
と、前記走査線および前記信号線の交差部毎に形成さ
れ、当該走査線および信号線に接続された薄膜トランジ
スタと、この薄膜トランジスタごとに接続された画素電
極と、走査線の一部を表示電極側に張り出させた形状を
なし蓄積容量を形成する蓄積容量電極および配線と、着
色層と、所望の間隙を付与するために所定の高さが与え
られた柱状突起を含む基板間間隙剤を配置したアクティ
ブマトリクス基板と、1主面上に対向電極を有する対向
基板とを備え、前記のそれぞれの基板の1主面上に配向
膜を形成し、さらにラビングにより配向処理を行った
後、前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板
の主面同士を対向させ、これらの間に液晶組成物を挟持
したアクティブマトリクス型液晶表示装置において、蓄
積容量を形成する蓄積容量電極が、前記アクティブマト
リクス基板のラビング配向処理時のラビンク方向と平
行、かつ、ラビングよりに利用される加工部材が移動さ
れる方向にそって形成され、さらに前記基板間間隙剤が
走査線上または走査線の一部を表示電極側に張り出させ
た形状をなし、蓄積容量を形成する蓄積容量電極の走査
電極側に形成されていることを特徴とするアクティブマ
トリクス型液晶表示装置である。
Further, the present invention is formed for each of a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect each other on one main surface, and for each intersection of the scanning lines and the signal lines. And a thin film transistor connected to the signal line, a pixel electrode connected to each thin film transistor, a storage capacitor electrode and a wiring forming a shape in which a part of the scanning line is protruded to the display electrode side to form a storage capacitor, A colored layer, an active matrix substrate in which an inter-substrate gap material including a columnar projection having a predetermined height provided to provide a desired gap, and a counter substrate having a counter electrode on one main surface are provided. Forming an alignment film on one main surface of each of the substrates, performing an alignment process by rubbing, and then opposing the main surfaces of the active matrix substrate and the counter substrate to each other; In an active matrix type liquid crystal display device in which a liquid crystal composition is sandwiched between them, a storage capacitor electrode forming a storage capacitor is parallel to a rubbing direction at the time of rubbing alignment treatment of the active matrix substrate, and is used more than rubbing. A storage capacitor is formed along the direction in which the processing member to be moved is moved, and the inter-substrate gap material has a shape in which a scanning line or a part of the scanning line is protruded to the display electrode side to form a storage capacitor. An active matrix liquid crystal display device is formed on the scanning electrode side of the electrode.

【0014】さらに、この発明は、柱状突起をなす基板
間間隙剤が、カラー表示を行うための光の3原色であ
る、赤、青、緑のそれぞれを示す感光性材料、着色層間
に遮光層を設けるための黒色の感光性材料、その他の白
色あるいは透明な感光性材料の、いずれかの単一層、あ
るいは積層により形成されていることを特徴とする。
Furthermore, the present invention provides a photosensitive material in which the inter-substrate spacing material forming the columnar projections is one of three primary colors of light for performing color display: red, blue, and green. Is formed by a single layer or a laminated layer of a black photosensitive material for providing the above, or another white or transparent photosensitive material.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態を詳細に説明する。図1は、この発明の液
晶表示装置の3分割構造の1画素を平面から見た状態を
示す概略平面図である。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic plan view showing a state where one pixel of a three-segment structure of a liquid crystal display device of the present invention is viewed from a plane.

【0016】図1に示されるように、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置1は、図2に示すように、たとえば
ガラスなどの絶縁性の透明な材質により形成された第1
の基板10とこの第1の基板10に対して所定の間隔で
対向され、第1の基板10と同様にガラスなどの絶縁性
の透明な材質により形成された第2の基板30と、両基
板間に注入された液晶材50からなる。
As shown in FIG. 1, an active matrix type liquid crystal display device 1 has, as shown in FIG. 2, a first liquid crystal display device 1 made of an insulating transparent material such as glass.
And a second substrate 30 which is opposed to the first substrate 10 at a predetermined interval and which is made of an insulating transparent material such as glass similarly to the first substrate 10. It consists of a liquid crystal material 50 injected between them.

【0017】第1の基板すなわちアクティブマトリクス
基板10は、ガラス基板11の上に、走査線14とこれ
に直行する信号線15とが格子状に配置される。走査線
14と信号線15との交差部付近には、TFT12が形
成され、TFT12のソース電極18は、画素電極13
に接続され、ドレイン電極19はこれに映像信号を供給
する信号線15と一体的に形成される。
In the first substrate, that is, the active matrix substrate 10, a scanning line 14 and a signal line 15 orthogonal thereto are arranged on a glass substrate 11 in a grid pattern. The TFT 12 is formed near the intersection of the scanning line 14 and the signal line 15, and the source electrode 18 of the TFT 12 is connected to the pixel electrode 13.
And the drain electrode 19 is formed integrally with the signal line 15 for supplying a video signal to the drain electrode 19.

【0018】画素電極13は、絶縁膜を介して1行前の
段の走査線14に重なるように配置され、蓄積容量を提
供する。蓄積容量を形成する蓄積容量電極16は、第2
の基板すなわち対向基板30と組み合わせた際に、対向
基板30のラビング配向処理時のラビング方向(Rc)
と平行、かつ、対向基板30に形成した柱状スペーサ3
7のラビング布の繊維が払われる方向に延出されてい
る。
The pixel electrode 13 is arranged so as to overlap the scanning line 14 of the previous row via an insulating film, and provides a storage capacitor. The storage capacitor electrode 16 that forms the storage capacitor is the second storage capacitor electrode.
Rubbing direction (Rc) at the time of rubbing orientation treatment of the counter substrate 30 when combined with the substrate of FIG.
And the columnar spacer 3 formed on the opposing substrate 30
The rubbing cloth of No. 7 is extended in a direction in which the fibers are removed.

【0019】柱状スペーサ37は、さらに、走査線14
上あるいは走査線14の一部を表示電極側に張り出させ
た形状をなし、蓄積容量電極16の走査電極14寄りで
アクティブマトリクス基板10と当接する位置(図1に
示した例では走査線14上)に形成してある。
The columnar spacer 37 is further provided with a scanning line 14.
The upper portion or a part of the scanning line 14 is formed to protrude toward the display electrode side, and the storage capacitor electrode 16 is brought into contact with the active matrix substrate 10 near the scanning electrode 14 (the scanning line 14 in the example shown in FIG. 1). Above).

【0020】次に、図2および図3を用いて、図1に示
した液晶装置1を製造する工程を、詳細に説明する。図
2は、図1に示した液晶表示装置の1画素を、図1の線
A−A’(TFT12)に沿って切断した部分断面図、
図3は、同液晶表示装置の1画素を図1の線B−B’
(柱状スペーサ37)に沿って切断した部分断面図であ
る。
Next, a process of manufacturing the liquid crystal device 1 shown in FIG. 1 will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 2 is a partial cross-sectional view of one pixel of the liquid crystal display device shown in FIG. 1 taken along line AA ′ (TFT 12) in FIG.
FIG. 3 shows one pixel of the liquid crystal display device taken along line BB ′ in FIG.
It is the fragmentary sectional view cut along (columnar spacer 37).

【0021】図2に示されるように、アクティブマトリ
クス基板(第1の基板)10のガラス基板11には、M
o−W(モリブデン・タンクステン)合金が堆積された
後、フォトリソグラフィによるエッチングにより、走査
線14と走査線の一部であるゲート電極17を形成す
る。
As shown in FIG. 2, the glass substrate 11 of the active matrix substrate (first substrate) 10 has M
After the ow (molybdenum / tansten) alloy is deposited, the scanning line 14 and the gate electrode 17 which is a part of the scanning line are formed by etching by photolithography.

【0022】次に、プラズマCVD法により、例えばS
iOx(酸化シリコン)などの絶縁膜を、厚さ400n
mに、走査線14およびゲート電極17上に形成し、ゲ
ート絶縁膜20とする。
Next, for example, S
An insulating film such as iOx (silicon oxide) is
The gate insulating film 20 is formed on the scanning line 14 and the gate electrode 17 at m.

【0023】さらに、ゲート電極17上に、例えば厚さ
50nmのa−Si(アモルファスシリコン)からなる
半導体層21とSiNx(チッ化シリコン)からなる保
護絶縁膜22を、プラズマCVD法により形成する。
Further, a semiconductor layer 21 made of a-Si (amorphous silicon) having a thickness of, for example, 50 nm and a protective insulating film 22 made of SiNx (silicon nitride) are formed on the gate electrode 17 by a plasma CVD method.

【0024】次に、保護絶縁膜22と半導体層21の上
方に、半導体層21の全域と保護絶縁膜22の一部を覆
うように、P(リン)をドープしたa−Siなどの低抵
抗半導体層24が設けられている。
Next, a low resistance material such as a-Si doped with P (phosphorus) is formed above the protective insulating film 22 and the semiconductor layer 21 so as to cover the entire semiconductor layer 21 and a part of the protective insulating film 22. A semiconductor layer 24 is provided.

【0025】以下、画素電極13として、透明導電膜で
あるITO(酸化インジウムの薄層)を、スパッタ法に
より堆積し、引き続き、パターニングによって所定のパ
ターンに加工する。ここで、画素電極13は、前段(1
行前)の走査線と一部が重なるように配置され、ゲート
絶縁膜20によって蓄積容量16が形成される。
Hereinafter, ITO (a thin layer of indium oxide), which is a transparent conductive film, is deposited as a pixel electrode 13 by a sputtering method, and is subsequently processed into a predetermined pattern by patterning. Here, the pixel electrode 13 is connected to the former stage (1).
The storage capacitor 16 is formed so as to partially overlap the scanning line (before the row), and the gate insulating film 20 forms the storage capacitor 16.

【0026】さらに、ソース電極18、信号線15およ
び信号線15と連続したドレイン電極19を、例えばA
l(アルミニウム)を堆積させ、その後、フォトレジス
トをマスクとしてエッチングして除去することで、低抵
抗半導体層24上に形成する。これにより、ソース電極
18の一端は、画素電極13の一部を覆うように、接続
される。
Further, the source electrode 18, the signal line 15, and the drain electrode 19 continuous with the signal line 15 are
1 (aluminum) is deposited and then removed by etching using a photoresist as a mask, thereby forming the low-resistance semiconductor layer 24. Thus, one end of the source electrode 18 is connected so as to cover a part of the pixel electrode 13.

【0027】次に、例えば厚さ200nmのSiNxか
らなるTFTの保護膜をかねた絶縁膜27を、プラズマ
CVDにより全面に形成して、アクティブマトリスク基
板20とする。
Next, an insulating film 27 serving as a TFT protective film made of, for example, SiNx having a thickness of 200 nm is formed on the entire surface by plasma CVD to form an active matrix substrate 20.

【0028】これとは別に、対向基板30として、透明
なガラス基板31の上に、遮光性材料により、所定の形
状のBM(ブラックマトリクス)32を形成する。次
に、顔料を分散したフォトレジスト層を塗布してパター
ン露光し、現像して、着色層33を形成する。この工程
を繰り返して、青、緑および赤の3色の領域をストライ
プ状に形成すると同時に所定の位置に着色層33’およ
び33”を配置して積み重ねることで柱状スペーサ37
を形成する。なお、スペーサ17を形成する位置は、図
1に示したように、図2に示したアクティブマトリクス
基板10と組み合わせたとき、蓄積容量を形成する蓄積
容量電極16に一致させている。
Separately, a BM (black matrix) 32 having a predetermined shape is formed of a light-shielding material on a transparent glass substrate 31 as a counter substrate 30. Next, a photoresist layer in which a pigment is dispersed is applied, pattern-exposed, and developed to form a colored layer 33. This process is repeated to form three color regions of blue, green, and red in a stripe shape, and at the same time, arrange and stack the colored layers 33 ′ and 33 ″ at predetermined positions, thereby stacking the columnar spacer 37.
To form Note that, as shown in FIG. 1, the position where the spacer 17 is formed coincides with the storage capacitor electrode 16 forming the storage capacitor when combined with the active matrix substrate 10 shown in FIG.

【0029】さらに、スパッタ法により、ITOからな
る対向電極35を金面に形成して対向基板30とする。
次に、アクティブマトリクス基板10の画素電極13側
および対向基板30の対向電極35側のそれぞれに、柱
状スペーサ37の周囲と当接する領域を除いた表示領域
全体に、低温キュア型のポリイミド膜からなる配向膜2
8,38を形成する。続いて、両基板10,30を対向
させて配置した際に、配向軸が90゜となるように、両
配向膜28,38に、ラビング処理を施す。
Further, a counter electrode 35 made of ITO is formed on the gold surface by a sputtering method to form a counter substrate 30.
Next, a low-temperature cure type polyimide film is formed on the entire display region except for the region in contact with the periphery of the columnar spacer 37 on each of the pixel electrode 13 side of the active matrix substrate 10 and the counter electrode 35 side of the counter substrate 30. Alignment film 2
8, 38 are formed. Subsequently, the rubbing process is performed on both the alignment films 28 and 38 so that the alignment axes are 90 ° when the substrates 10 and 30 are arranged to face each other.

【0030】こののち、両基板28,38を対向させて
組み立て、その間隙にネマティック液晶材50を注入し
て封止する。次に、セルの両側に,ここでは図示してな
いが偏光板を貼り付ける。
Thereafter, the two substrates 28 and 38 are assembled so as to face each other, and a nematic liquid crystal material 50 is injected into the gap between the substrates and sealed. Next, a polarizing plate (not shown) is attached to both sides of the cell.

【0031】以上のようにして、アクティブマトリクス
型液晶表示装置1が提供される。このようにして形成し
た液晶表示装置に、所定の駆動回路(ドライバIC)を
実装して駆動したところ、セルギャップのムラや、色ム
ラおよび干渉縞等は観察されず、また、柱状スペーサに
よりラビング布の繊維が柱状スペーサにより払われるこ
とに起因して、ラビンク処理が行われない領域で液晶の
配向が乱れる現象も観察されず、良好な表示状態が得ら
れた。
As described above, the active matrix type liquid crystal display device 1 is provided. When the liquid crystal display device thus formed was mounted and driven with a predetermined driving circuit (driver IC), no cell gap unevenness, color unevenness, interference fringes, etc. were observed. A phenomenon in which the orientation of the liquid crystal was not disturbed in a region where the Rabink treatment was not performed due to the cloth fibers being wiped by the columnar spacers was not observed, and a favorable display state was obtained.

【0032】なお、上述した実施例では、液晶表示装置
の3色の画素のうち、1色に対応する画素にのみ柱状ス
ペーサを形成したが、アクティブマトリクス基板と対回
基板の貼り合わせ条件によっては、柱状スペーサを、2
色または全色に対応する画素に形成してもよい。また、
1色に対応する画素にのみ柱状スペーサを形成する場
合、柱状スペーサを形成する画素と、形成しない画素に
おいて、蓄積容量が等しくなるように蓄積容量電極を形
成する必要がある。
In the above-described embodiment, the columnar spacer is formed only in the pixel corresponding to one of the three color pixels of the liquid crystal display device. However, depending on the bonding condition between the active matrix substrate and the counter substrate, the column spacer may be formed. , Columnar spacer, 2
It may be formed in a pixel corresponding to a color or all colors. Also,
When a columnar spacer is formed only in a pixel corresponding to one color, it is necessary to form a storage capacitor electrode so that a pixel having a columnar spacer and a pixel not forming the columnar spacer have the same storage capacitance.

【0033】図4は、図1ないし図3に示した第1の実
施の形態において、対向基板30に利用可能な別の構成
を示す概略断面図である。なお、第1の実施の形態と同
一の構成については、同じ符号を付して詳細な説明を省
略する。
FIG. 4 is a schematic sectional view showing another configuration usable for the counter substrate 30 in the first embodiment shown in FIGS. Note that the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.

【0034】図4に示されるように、対向基板130
は、ガラス基板31上に、遮光性材料により形成された
ブラックマトリクス32を有している。次に、フォトレ
ジスト層を塗布してパターン露光し、現像して、着色層
33を形成する。この工程を繰り返して、青、緑および
赤の3色の領域をストライプ状に形成する。
As shown in FIG.
Has a black matrix 32 formed of a light-shielding material on a glass substrate 31. Next, a photoresist layer is applied, pattern-exposed, and developed to form a colored layer 33. This process is repeated to form three color regions of blue, green and red in a stripe shape.

【0035】続いて、着色層33上に、感光性アクリル
樹脂を塗布し、パターン露光した後、現像して、柱状ス
ペーサ137を形成する。なお、柱状スペーサ137を
形成する位置は、図1に示したように、対向基板130
を、アクティブマトリクス基板10と組み合わせたとき
に、蓄積容量を形成する蓄積容量電極16に一致させて
いる。
Subsequently, a photosensitive acrylic resin is applied on the colored layer 33, and is subjected to pattern exposure and then developed to form a columnar spacer 137. The position where the columnar spacer 137 is formed is, as shown in FIG.
Are matched with the storage capacitor electrode 16 forming the storage capacitor when combined with the active matrix substrate 10.

【0036】さらに、スパッタ法により、ITOからな
る対向電極35を全面に形成して、対向基板130を得
る。以下、対向基板130を、アクティブマトリクス基
板10に、柱状スペーサ137の位置が上述した蓄積容
量電極16を構成するよう、組み立てて、液晶表示装置
101が得られる。
Further, a counter electrode 35 made of ITO is formed on the entire surface by a sputtering method, and a counter substrate 130 is obtained. Hereinafter, the liquid crystal display device 101 is obtained by assembling the opposing substrate 130 on the active matrix substrate 10 so that the position of the columnar spacer 137 constitutes the storage capacitor electrode 16 described above.

【0037】このようにして形成した液晶表示装置10
1に、所定の駆動回路を実装して駆動したところ、セル
ギャップのムラや、色ムラおよび干渉縞等は観察され
ず、また、柱状スペーサによりラビング布の繊維が払わ
れることに起因して、ラビンク処理が行われない領域で
液晶の配向が乱れる現象も観察されず、良好な表示状態
が得られた。
The liquid crystal display device 10 thus formed
1, when driving by mounting a predetermined driving circuit, unevenness of the cell gap, color unevenness, interference fringes, etc. are not observed, and also, the fibers of the rubbing cloth are removed by the columnar spacers. A phenomenon in which the orientation of the liquid crystal was not disturbed in a region where the Rabink treatment was not performed was not observed, and a favorable display state was obtained.

【0038】図5は、図1ないし図3および図4に示し
たアクティブマトリクス型液晶表示装置とは別の実施の
形態を示す概略図である。図5は、1画素相当部分の平
面図であり、液晶表示装置201は、製造方法は、図1
ないし図3に示した液晶表示装置1と概ね同一である。
また、図1ないし図3あるいは図4に示した構成と同一
の構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
FIG. 5 is a schematic diagram showing another embodiment different from the active matrix type liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 3 and 4. FIG. 5 is a plan view of a portion corresponding to one pixel.
3 is substantially the same as the liquid crystal display device 1 shown in FIG.
Further, the same components as those shown in FIG. 1 to FIG. 3 or FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.

【0039】アクテイブマトリクス基板210は、ガラ
ス基板11の上に、走査線14と、これに直行する信号
線15とを有している。走査線14と信号線15との交
差部付近には、TFT12が形成される。また、TFT
212のソース電極18は、着色層228に設けた小穴
229を通って、画素電極13に接続されている。
The active matrix substrate 210 has a scanning line 14 and a signal line 15 orthogonal to the scanning line 14 on a glass substrate 11. The TFT 12 is formed near an intersection between the scanning line 14 and the signal line 15. Also, TFT
212 is connected to the pixel electrode 13 through a small hole 229 provided in the coloring layer 228.

【0040】画素電極13は、絶縁膜223を挟んで1
行前の走査線に積層されている。これにより、蓄積容量
が提供される。なお、蓄積容量を提供する蓄積容量電極
16は、アクティブマトリクス基板210のラビング配
向処理時のラビング方向(Ra)と平行、かつラビング
布の繊維が払われる方向に沿って形成される。
The pixel electrode 13 is formed with one layer with the insulating film 223 interposed therebetween.
It is stacked on the scanning line before the row. This provides storage capacity. The storage capacitor electrode 16 for providing a storage capacitor is formed parallel to the rubbing direction (Ra) during the rubbing orientation treatment of the active matrix substrate 210 and along the direction in which the fibers of the rubbing cloth are removed.

【0041】このとき、柱状スペーサ237は、走査線
14上あるいは走査線14の一部を表示電極側に張り出
させた形状をなし、蓄積容量を形成する蓄積容量電極1
6の走査電極寄り(図5に示した実施例では走査線14
上)に設けられる。
At this time, the columnar spacer 237 has a shape in which a portion of the scanning line 14 or a part of the scanning line 14 is extended to the display electrode side, and the storage capacitor electrode 1 forming a storage capacitor is formed.
6 (the scanning line 14 in the embodiment shown in FIG. 5).
Above).

【0042】図6は、図5に示したアクティブマトリク
ス型液晶表示装置201において、線C−C´部に沿っ
てTFT212を横切るよう切断した部分断面図であ
る。図6に示されるように、アクティブマトリクス基板
210は、ガラス基板11上に、Mo−W合金を堆積
し、フォトリソグラフィ手法を用いたエッチングによ
り、走査線14と走査線の一部であるゲート電極222
を形成する。
FIG. 6 is a partial cross-sectional view of the active matrix type liquid crystal display 201 shown in FIG. 5, which is cut across the TFT 212 along the line CC '. As shown in FIG. 6, the active matrix substrate 210 is formed by depositing a Mo—W alloy on a glass substrate 11 and performing etching using a photolithography technique on the scanning line 14 and a gate electrode that is a part of the scanning line. 222
To form

【0043】次に、プラズマCVD法により、例えば厚
さ400nmの絶縁膜(SiOx)を、走査線14とゲ
ート電極222上に形成し、ゲート絶縁膜223とす
る。続いて、ゲート電極222上のゲート絶縁膜223
上に、例えば厚さ50nmのa−siからなる半導体層
224とSiNxからなる保護絶縁膜225を、プラズ
マCVD法により形成する。
Next, an insulating film (SiOx) having a thickness of, for example, 400 nm is formed on the scanning line 14 and the gate electrode 222 by a plasma CVD method to form a gate insulating film 223. Subsequently, the gate insulating film 223 on the gate electrode 222
A semiconductor layer 224 made of a-si having a thickness of, for example, 50 nm and a protective insulating film 225 made of SiNx are formed thereon by a plasma CVD method.

【0044】保護絶縁膜225と半導体層224の上方
には、半導体層224の全域と保護絶縁膜225の一部
を覆うように、Pをドーブしたa−Siなどの低抵抗半
導体層226が形成される。
Above the protective insulating film 225 and the semiconductor layer 224, a low-resistance semiconductor layer 226 such as a-Si doped with P is formed so as to cover the entire semiconductor layer 224 and a part of the protective insulating film 225. Is done.

【0045】ソース電極18、信号線15および信号線
15に接続されたドレイン電極19を、低抵抗半導体層
226上に、例えばAlを所定厚さに堆積させ、フォト
レジストをマスクとしてエッチング除去して形成する。
The source electrode 18, the signal line 15, and the drain electrode 19 connected to the signal line 15 are formed by depositing, for example, Al to a predetermined thickness on the low-resistance semiconductor layer 226, and etching away using a photoresist as a mask. Form.

【0046】ここで、ソース電極18の一端は、画素電
極13の下まで延在して接続されている。次いで、フォ
トレジスト層を塗布してパターン露光し、現像した後、
着色層228を形成する。これらを繰り返すことで青、
緑、赤の3色の領域をストライプ状、かつソース電極1
8上で、小穴229を提供可能に、形成する。同時に、
所定の位置に着色層228’と228’’を積み重ね
て、柱状スペーサ217を形成する。なお、スペーサ2
17が形成される位置は、図5に示したように、走査線
14上または走査線14の一部を表示電極側に張り出さ
せた形状をなし、蓄積容量を形成する蓄積容量電極16
の走査電極寄り(図5においては、走査線14上)であ
る。
Here, one end of the source electrode 18 is connected to extend below the pixel electrode 13. Next, after applying a photoresist layer, pattern exposure, and development,
A coloring layer 228 is formed. By repeating these, blue,
The three color regions of green and red are striped and the source electrode 1
On 8, a small hole 229 is formed so that it can be provided. at the same time,
The columnar spacers 217 are formed by stacking the colored layers 228 ′ and 228 ″ at predetermined positions. The spacer 2
As shown in FIG. 5, the position where the storage capacitor 17 is formed has a shape in which the scanning line 14 or a part of the scanning line 14 is extended toward the display electrode side, and the storage capacitor electrode 16 forming the storage capacitor is formed.
(In FIG. 5, on the scanning line 14).

【0047】その後、画素電極13として透明導電膜で
あるITOをスパッタ法により堆積し、パターニングに
よって所定のパターンに加工する。なお、ソース電極1
8は、着色層228の小穴229を通し、画素電極13
と電気的に接続する。
After that, ITO, which is a transparent conductive film, is deposited as a pixel electrode 13 by a sputtering method, and is processed into a predetermined pattern by patterning. The source electrode 1
8 passes through the small hole 229 of the coloring layer 228 and passes through the pixel electrode 13
Electrically connected to

【0048】ここで、画素電極13は、1行前の段の走
査線と一部が重なるように配置され、ゲート絶縁膜22
3によって蓄積容量が形成される。さらに、例えば厚さ
200nmのSiNxからなるTFTの保護膜をかねた
絶縁膜227を、プラズマCVDにより全面に形成し
て、アクティブマトリクス基板210を得る。
Here, the pixel electrode 13 is disposed so as to partially overlap the scanning line of the previous row and the gate insulating film 22.
3 forms a storage capacitor. Further, an insulating film 227 serving as a TFT protective film made of, for example, SiNx having a thickness of 200 nm is formed on the entire surface by plasma CVD, and the active matrix substrate 210 is obtained.

【0049】一方、対向基板230は、透明なガラス基
板31の上に、スパッタ法により、ITOからなる対向
電極35を全面に形成してものである。次に、アクティ
ブマトリクス基板210の画素電極211側ならびに対
向基板230の対向電極35側のそれぞれの柱状スペー
サ217の周囲と当接する領域を除いた表示領域全体
に、低温キュア型のポリイミド膜からなる配向膜28,
38を塗布する。以下、両基板210,230を対向さ
せる際に、配向軸の方向が直交するようにラビング処理
を施す。
On the other hand, the counter substrate 230 is such that a counter electrode 35 made of ITO is formed on the entire surface of a transparent glass substrate 31 by a sputtering method. Next, an alignment made of a low-temperature curing type polyimide film is applied to the entire display region except for the region in contact with the periphery of each columnar spacer 217 on the pixel electrode 211 side of the active matrix substrate 210 and the counter electrode 35 side of the counter substrate 230. Membrane 28,
Apply 38. Hereinafter, when the substrates 210 and 230 are opposed to each other, a rubbing process is performed so that the directions of the alignment axes are orthogonal to each other.

【0050】こののち、両基板210,230を対向さ
せて組み立てセル化し、その間隙にネマテイック液晶5
0を注入して封止する。さらに、セルの両側に、図示し
てないが偏光板を貼り付ける。
Thereafter, the two substrates 210 and 230 are opposed to each other to form an assembled cell, and the nematic liquid crystal 5 is inserted between the cells.
Inject 0 and seal. Further, a polarizing plate (not shown) is attached to both sides of the cell.

【0051】以上のようにして、アクティブマトリクス
型液晶表示装置201が提供される。このようにして形
成した液晶表示装置に、所定の駆動回路(ドライバI
C)を実装して駆動したところ、セルギャップのムラ
や、色ムラおよび干渉縞等は観察されず、また、柱状ス
ペーサの高さに起因して、ラビング布の繊維がラビング
布が移動される方向の交流側において、配向膜に到達で
きずに、ラビンク処理が不完全となる領域で液晶の配向
が乱れる現象も観察されず、良好な表示状態が得られ
た。
As described above, the active matrix type liquid crystal display device 201 is provided. A predetermined driving circuit (driver I) is provided to the liquid crystal display device thus formed.
When driving was carried out with mounting C), no cell gap unevenness, color unevenness, interference fringes, etc. were observed, and the fibers of the rubbing cloth were moved due to the height of the columnar spacers. On the AC side in the direction, a phenomenon in which the alignment of the liquid crystal was not disordered in a region where the Rabink treatment was incomplete without being able to reach the alignment film was not observed, and a favorable display state was obtained.

【0052】なお、上述した実施例では、液晶表示装置
の3色の画素のうち、1色に対応する画素にのみ柱状ス
ペーサを形成したが、アクティブマトリクス基板と対回
基板の貼り合わせ条件によっては、柱状スペーサを、2
色または全色に対応する画素に形成してもよい。また、
1色に対応する画素にのみ柱状スペーサを形成する場
合、柱状スペーサを形成する画素と、形成しない画素に
おいて、蓄積容量が等しくなるように蓄積容量電極を形
成する必要がある。
In the embodiment described above, the columnar spacer is formed only in the pixel corresponding to one of the three color pixels of the liquid crystal display device. However, depending on the conditions for bonding the active matrix substrate and the counter substrate, the columnar spacer may be formed. , Columnar spacer, 2
It may be formed in a pixel corresponding to a color or all colors. Also,
When a columnar spacer is formed only in a pixel corresponding to one color, it is necessary to form a storage capacitor electrode so that a pixel having a columnar spacer and a pixel not forming the columnar spacer have the same storage capacitance.

【0053】[比較例1]図7に示すように、蓄積容量
電極を、ラビング方向を意識することなく形成して駆動
したところ、セルギャップのムラや、色ムラ、干渉縞等
は観察されなかったが、柱状スペーサによりラビンク布
の繊維が發かれ、ラビング布の出方向のラビンク処理が
行われない領域に起因する液晶の配向乱れが、長さ約2
0μm、幅5μmの領域で発生し、表示の品位が低下す
ることが確認されている。
[Comparative Example 1] As shown in FIG. 7, when the storage capacitor electrode was formed and driven without considering the rubbing direction, no uneven cell gap, no uneven color, no interference fringes, etc. were observed. However, the fibers of the rubbing cloth are emitted by the columnar spacers, and the alignment disorder of the liquid crystal due to the region where the rubbing treatment is not performed in the outgoing direction of the rubbing cloth is reduced by about 2 length.
It occurs in a region of 0 μm and a width of 5 μm, and it has been confirmed that display quality deteriorates.

【0054】[比較例2]図7に示すように、蓄積容量
電極を、ラビング方向を意識することなく形成し、ま
た、柱状スペーサを形成せず、2枚の基板を貼り合わせ
る際に、基板間間隙に、粒径の均一なプラスティックビ
ーズを散在させたものにおいては、プラスティックビー
スの散在の不均一に起因するセルギャップのムラや、色
ムラ、干渉縞等が観察され、表示品位が低下した。
[Comparative Example 2] As shown in FIG. 7, the storage capacitor electrode was formed without being aware of the rubbing direction, and the columnar spacer was not formed. In the case where the plastic beads having a uniform particle size are scattered in the gap, unevenness of the cell gap, color unevenness, interference fringes, and the like due to uneven scattering of the plastic beads were observed, and the display quality was deteriorated. .

【0055】以上説明したように、この発明の液晶表示
装置は、ガラス基板の1主面上に、互いに交差するよう
複数の走査線および複数の信号線とを配設し、走査線お
よび信号線の交差部毎に、走査線および信号線に接続さ
れた薄膜トランジスタを配設し、この薄膜卜ランジスタ
毎に接続された画素電極と、走査線の一部を表示電極側
に張り出させた形状をなし蓄積容量を形成する蓄積容量
電極および配線を配設し、アクティブマトリクス基板と
する。
As described above, in the liquid crystal display device of the present invention, a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines are arranged on one main surface of a glass substrate so as to intersect each other. A thin film transistor connected to a scanning line and a signal line is disposed at each intersection of the pixel electrode, and a pixel electrode connected to each thin film transistor and a shape in which a part of the scanning line is extended to the display electrode side. A storage capacitor electrode and a wiring for forming a storage capacitor are provided to form an active matrix substrate.

【0056】このとき、蓄積容量電極の形状は、柱状ス
ペーサを形成した基板に対するラビング工程でのラビン
ク方向に依存する。また、柱状スペーサとの位置関係と
も関連する。
At this time, the shape of the storage capacitor electrode depends on the direction of rubbing in the rubbing step for the substrate on which the columnar spacers are formed. It also relates to the positional relationship with the columnar spacer.

【0057】例えば、柱状スペーサを対向基板に形成し
た場合は、蓄積容量を形成する蓄積容量電極が、2枚の
基板を組み合わせて液晶表示装置を構成したとき、対向
基板のラビング配向処理時のラビング方向と平行、か
つ、ラビンク布が移動される際の繊維が払われる方向す
なわち移動するラビング布の移動方向の後流側に向けて
形成され、かつ、柱状スペーサは、走査線上あるいは走
査線の一部を表示電極側に張り出させた形状をなし、蓄
積容量を形成する蓄積容量電極の走査電極寄りでアクテ
ィブマトリクス基板と当接する位置に形成される。
For example, when the columnar spacer is formed on the opposing substrate, when the storage capacitor electrode forming the storage capacitor is composed of two substrates to form a liquid crystal display device, the rubbing during the rubbing alignment treatment of the opposing substrate is performed. The columnar spacer is formed in a direction parallel to the direction and in a direction in which the fibers are removed when the rubbing cloth is moved, that is, toward the downstream side in the moving direction of the moving rubbing cloth. The portion has a shape protruding toward the display electrode, and is formed at a position in contact with the active matrix substrate near the scanning electrode of the storage capacitor electrode forming the storage capacitor.

【0058】柱状スペーサをアクティブマトリクス基板
上に形成する場合、蓄積容量を形成する蓄積容量電極が
アクティブマトリクス基板をラビング処理する際のラビ
ンク方向と平行、かつ、、ラビング布の繊維がラビング
布の移動の際に後流側になびく方向に向けて形成され、
さらに基板間間隙剤が、走査線上または走査線の一部を
表示電極側に張り出させた形状をなし蓄積容量を形成す
る蓄積容量電極の走査電極寄りに形成される。
When the columnar spacers are formed on the active matrix substrate, the storage capacitor electrodes forming the storage capacitors are parallel to the rubbing direction when rubbing the active matrix substrate, and the fibers of the rubbing cloth are moved by the rubbing cloth. It is formed in the direction of fluttering on the downstream side at the time of
Further, the inter-substrate gap material is formed near the scanning electrode of the storage capacitor electrode that forms a shape in which a scanning line or a part of the scanning line is protruded toward the display electrode and forms a storage capacitor.

【0059】このようにしてアクティブマトリクス基板
および対向基板のそれぞれの1主面上に配向膜を形成
し、さらにラビングにより配向処理を行った後、2枚の
基板を、主面同士を対向させ、これらの間に液晶組成物
を挟持させ、アクティブマトリクス型液晶表示装置を形
成することで、柱状スペーサにより、ラビング布の繊維
が払われて、ラビング布が移動される方向の後流に位置
する柱状スペーサの基部の配向膜がラビングされないこ
とによる配向不良領域が生じたとしても、この配向不良
領域は、走査線上あるいは走査線の一部を表示電極側に
張り出させた形状をなす蓄積容量電極が遮光部として寄
与するので、表示として、配向不良を提供することがな
い。
In this way, an alignment film is formed on one main surface of each of the active matrix substrate and the opposing substrate, and an alignment process is performed by rubbing. By sandwiching the liquid crystal composition between them and forming an active matrix type liquid crystal display device, the columnar spacers displace the fibers of the rubbing cloth, and the columnar position is located downstream of the direction in which the rubbing cloth is moved. Even if a misalignment region occurs because the alignment film at the base of the spacer is not rubbed, the misalignment region is formed by a storage capacitor electrode having a shape in which a scanning line or a part of the scanning line protrudes to the display electrode side. Since it contributes as a light-shielding portion, no defective orientation is provided as a display.

【0060】換言すると、遮光部は、蓄積容量を形成す
る蓄積容量電極で形成され、さらにその形状は、柱状ス
ペーサを形成した基板のラビンク方向と平行、かつラビ
ング配向処理時に、柱状スペーサの高さに起因してラビ
ング布の繊維が払われることにより、ラビング布が移動
する方向の後流の柱状スペーサの基部で、ラビングが不
完全となる領域を覆うよう、形成されることから、工数
を増やすことなく、容易に、さらには開口率(1画素あ
たりの面積に対する、光が透過可能な領域の割合)を下
げることなく、大画面に亘り、良好な表示の液晶表示素
子を得ることができる。
In other words, the light-shielding portion is formed of a storage capacitor electrode forming a storage capacitor, and has a shape parallel to the direction of the rubbing of the substrate on which the column spacer is formed, and the height of the column spacer during the rubbing alignment treatment. As the fibers of the rubbing cloth are removed due to the above, the rubbing cloth is formed so as to cover the area where the rubbing is incomplete at the base of the columnar spacer downstream of the direction in which the rubbing cloth moves, thereby increasing the number of steps. Thus, a liquid crystal display element with good display over a large screen can be obtained easily and without lowering the aperture ratio (the ratio of a region through which light can be transmitted to the area per pixel).

【0061】[0061]

【発明の効果】以上説明したように、この発明の液晶表
示装置は、液晶表示装置を構成する2枚の基板の少なく
とも一方の基板に柱状のスペーサを形成して両基板間の
間隙を均一化するとともに、スペーサがラビング処理に
対して配向不良をもたらす領域を遮光部材により覆うこ
とで、表示画像に配向不良が生じることを防止できる。
As described above, in the liquid crystal display device of the present invention, a columnar spacer is formed on at least one of the two substrates constituting the liquid crystal display device to make the gap between the two substrates uniform. In addition, by covering the region in which the spacer causes the alignment failure with respect to the rubbing treatment with the light shielding member, it is possible to prevent the display image from having the alignment failure.

【0062】また、2枚の基板間にセルギャップのムラ
や、表示の色ムラまたは干渉縞等を生じさせる虞れのあ
る間隙材を用いないことから、表示画像の表示色のばら
つきを低減できる。また、柱状スペーサは、遮光部材に
覆われる領域の範囲内で形状をラビング布が移動する方
向に沿わせたものであり、開口率が低下されることもな
い。
Further, since a gap material that may cause cell gap unevenness, display color unevenness, interference fringes, or the like between the two substrates is not used, a variation in display color of a display image can be reduced. . In addition, the columnar spacers are shaped along the direction in which the rubbing cloth moves within the area covered by the light shielding member, and the aperture ratio is not reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施の形態が適用される液晶表示装
置のアクティブマトリクス基板の概略平面図。
FIG. 1 is a schematic plan view of an active matrix substrate of a liquid crystal display device to which an embodiment of the present invention is applied.

【図2】図1に示した液晶表示装置を、TFTの位置で
切断した部分断面図。
FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the liquid crystal display device shown in FIG. 1, taken at a position of a TFT.

【図3】図1に示した液晶表示装置を、柱状スペーサの
位置で切断した部分断面図。
FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the liquid crystal display device shown in FIG. 1 taken at a position of a columnar spacer.

【図4】図1ないし図3に示した液晶表示装置の対向基
板の別の例を示す部分断面図。
FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing another example of the counter substrate of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 3;

【図5】図1ないし図3および図4に示した液晶表示装
置の別の実施の形態を示す部分断面図。
FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing another embodiment of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 3 and 4;

【図6】図5に示した液晶表示装置の概略平面図。6 is a schematic plan view of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図7】比較例の一例である液晶表示装置を示す概略
図。
FIG. 7 is a schematic view showing a liquid crystal display device which is an example of a comparative example.

【図8】図7に示した液晶表示装置において、ラビング
処理時に、ラビングの不完全な領域が生じる理由を説明
する概略図。
8 is a schematic diagram illustrating the reason why an incompletely rubbed region occurs during a rubbing process in the liquid crystal display device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 …アクティブマトリクス型液晶表示装置、 10 …アクティブマトリクス基板、 11 …ガラス基板、 12 …TFT(薄膜トランジスタ)、 13 …画素電極、 14 …走査線、 15 …信号線、 16 …蓄積容量電極、 17 …ゲート電極、 18 …ソース電極、 19 …ドレイン電極、 20 …ゲート絶縁膜、 21 …半導体層、 22 …保護絶縁膜、 24 …低抵抗半導体層、 28 …配向膜、 30 …対向基板、 31 …ガラス基板、 32 …ブラックマトリクス、 33 …着色層、 33’…着色層、 33”…着色層、 37 …柱状スペーサ、 38 …配向膜、 50 …液晶材。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Active matrix type liquid crystal display device, 10 ... Active matrix substrate, 11 ... Glass substrate, 12 ... TFT (thin film transistor), 13 ... Pixel electrode, 14 ... Scanning line, 15 ... Signal line, 16 ... Storage capacitance electrode, 17 ... Gate electrode, 18 ... Source electrode, 19 ... Drain electrode, 20 ... Gate insulating film, 21 ... Semiconductor layer, 22 ... Protective insulating film, 24 ... Low resistance semiconductor layer, 28 ... Oriented film, 30 ... Counter substrate, 31 ... Glass Substrate, 32: black matrix, 33: colored layer, 33 ': colored layer, 33 ": colored layer, 37: columnar spacer, 38: alignment film, 50: liquid crystal material.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 実 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝横浜事業所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Minoru Sasaki, Inventor, Toshiba Yokohama Office, 8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】1主面上に互いに交差するよう配置された
複数の走査線および複数の信号線と、前記走査線および
前記信号線の交差部毎に形成され、当該走査線および信
号線に接続された薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
ジスタごとに接続された画素電極と、走査線の一部を表
示電極側に張り出させた形状をなし蓄積容量を形成する
蓄積容量電極および配線とを配置したアクティブマトリ
クス基板と、 1主面上に対向電極と、着色層を含むカラーフィルタ
と、所望の間隙を付与する柱状突起をなす基板間間隙剤
とを有する対向基板とを備え、 前記のそれぞれの基板の1主面上に配向膜を形成したの
ちラビングによりそれぞれの配向膜を配向処理し、前記
アクティブマトリクス基板および前記対向基板の主面同
士を対向させ、これらの間に液晶組成物を挟持したアク
ティブマトリクス型液晶表示装置において、 蓄積容量を形成する蓄積容量電極が、前記2枚の基板を
組み合わせて液晶表示装置としたときに、前記対向基板
のラビンク配向処理時のラビング方向と平行、かつ、ラ
ビングに利用されるラビング加工部材が移動される方向
の後流側方向に延長して形成され、また、前記基板間間
隙剤が走査線上あるいは走査線の一部を表示電極側に張
り出させた形状をなし、蓄積容量を形成する蓄積容量電
極の走査電極寄りでアクティブマトリクス基板と接続さ
れることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表
示装置。
1. A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines which are arranged on one main surface so as to intersect with each other, and are formed at each intersection of the scanning lines and the signal lines. An active matrix in which connected thin film transistors, pixel electrodes connected to each of the thin film transistors, and a storage capacitor electrode and a wiring in which a part of a scanning line is extended to the display electrode side to form a storage capacitor. A substrate, a counter electrode having a counter electrode on a main surface, a color filter including a coloring layer, and an inter-substrate gap material forming a columnar projection for providing a desired gap; After forming an alignment film on the main surface, each of the alignment films is subjected to an alignment treatment by rubbing, and the main surfaces of the active matrix substrate and the counter substrate are opposed to each other. In an active matrix type liquid crystal display device sandwiching a crystal composition, when a storage capacitor electrode forming a storage capacitor is used as a liquid crystal display device by combining the two substrates, a rubbing process is performed on the opposing substrate during a Rabink alignment process. The rubbing member used for rubbing is formed so as to extend in the wake side direction in the direction in which the rubbing member is moved, and the inter-substrate gap material forms a display electrode on a scanning line or a part of the scanning line. An active matrix liquid crystal display device having a shape protruding to the side and being connected to an active matrix substrate near a scanning electrode of a storage capacitor electrode forming a storage capacitor.
【請求項2】1主面上に互いに交差するよう配置された
複数の走査線および複数の信号線と、前記走査線および
前記信号線の交差部毎に形成され、当該走査線および信
号線に接続された薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
ジスタごとに接続された画素電極と、走査線の一部を表
示電極側に張り出させた形状をなし蓄積容量を形成する
蓄積容量電極および配線と、着色層と、所望の間隙を付
与するために所定の高さが与えられた柱状突起を含む基
板間間隙剤を配置したアクティブマトリクス基板と、 1主面上に対向電極を有する対向基板とを備え、 前記のそれぞれの基板の1主面上に配向膜を形成し、さ
らにラビングにより配向処理を行った後、前記アクティ
ブマトリクス基板および前記対向基板の主面同士を対向
させ、これらの間に液晶組成物を挟持したアクティブマ
トリクス型液晶表示装置において、 蓄積容量を形成する蓄積容量電極が、前記アクティブマ
トリクス基板のラビング配向処理時のラビンク方向と平
行、かつ、ラビングよりに利用される加工部材が移動さ
れる方向にそって形成され、さらに前記基板間間隙剤が
走査線上または走査線の一部を表示電極側に張り出させ
た形状をなし、蓄積容量を形成する蓄積容量電極の走査
電極側に形成されていることを特徴とするアクティブマ
トリクス型液晶表示装置。
2. A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other on one main surface, and formed at each intersection of the scanning lines and the signal lines. A connected thin film transistor, a pixel electrode connected to each thin film transistor, a storage capacitor electrode and a wiring forming a shape in which a part of the scanning line is protruded to the display electrode side to form a storage capacitor, and a coloring layer. An active matrix substrate on which an inter-substrate gap material including columnar projections having a predetermined height is provided to provide a desired gap; and a counter substrate having a counter electrode on one main surface; After forming an alignment film on one main surface of the substrate and performing an alignment process by rubbing, the main surfaces of the active matrix substrate and the counter substrate are opposed to each other, and a liquid crystal is interposed therebetween. In an active matrix type liquid crystal display device sandwiching a composition, a storage capacitor electrode forming a storage capacitor is parallel to a rubbing direction at the time of rubbing orientation treatment of the active matrix substrate, and a processing member used by rubbing is moved. Are formed along a direction in which the storage capacitor electrode forms a shape in which the inter-substrate gap material extends over the scan line or a part of the scan line toward the display electrode, and is formed on the scan electrode side of the storage capacitor electrode forming the storage capacitor. An active matrix type liquid crystal display device characterized by being formed.
【請求項3】柱状突起をなす基板間間隙剤が、カラー表
示を行うための光の3原色である、赤、青、緑のそれぞ
れを示す感光性材料、着色層間に遮光層を設けるための
黒色の感光性材料、その他の白色あるいは透明な感光性
材料の、いずれかの単一層、あるいは積層により形成さ
れていることを特徴とする請求頂1または2項記載のア
クティブマトリクス型液晶表示装置。
3. An inter-substrate gap material forming a columnar projection is a photosensitive material showing each of three primary colors of light for performing color display, red, blue and green, and a light shielding layer between colored layers. 3. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the active matrix type liquid crystal display device is formed by a single layer or a laminated layer of a black photosensitive material or another white or transparent photosensitive material.
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