JPH08222911A - 誘電体フィルタおよび誘電体共振器の製造方法 - Google Patents
誘電体フィルタおよび誘電体共振器の製造方法Info
- Publication number
- JPH08222911A JPH08222911A JP5368695A JP5368695A JPH08222911A JP H08222911 A JPH08222911 A JP H08222911A JP 5368695 A JP5368695 A JP 5368695A JP 5368695 A JP5368695 A JP 5368695A JP H08222911 A JPH08222911 A JP H08222911A
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- Japan
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- dielectric
- outer conductor
- metal case
- conductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック誘電体を金属ケースに接着した場
合に、線膨張率の差によって生ずるセラミック誘電体の
ひび割れを防止して、共振周波数の変化を防止する。 【構成】 金属ケース13と接着するセラミック誘電体フ
ィルタ素子11の外導体15の形成された表面に半田ペース
トを部分的にかつ一様に形成し、金属ケース13と加熱圧
着する。半田ペーストを形成するパターンはメッシュ
状、平行ストリップ状または点状に形成するとよい。
合に、線膨張率の差によって生ずるセラミック誘電体の
ひび割れを防止して、共振周波数の変化を防止する。 【構成】 金属ケース13と接着するセラミック誘電体フ
ィルタ素子11の外導体15の形成された表面に半田ペース
トを部分的にかつ一様に形成し、金属ケース13と加熱圧
着する。半田ペーストを形成するパターンはメッシュ
状、平行ストリップ状または点状に形成するとよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体フィルタおよび
誘電体共振器の製造方法に係るもので、特にシールドの
ための金属ケースを外導体に接着する誘電体フィルタと
誘電体共振器の製造方法に関するものである。
誘電体共振器の製造方法に係るもので、特にシールドの
ための金属ケースを外導体に接着する誘電体フィルタと
誘電体共振器の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波帯域用の共振器、フィルタとして
セラミック誘電体を用いた誘電体共振器、フィルタが各
分野で用いられている。通信機器などにはＴＥＭモード
を利用した同軸ＴＥＭ共振器、フィルタが用いられるこ
とが多い。これは、円柱や角柱のセラミック誘電体に貫
通孔を形成してその表面に内導体を形成し、周囲の側面
に外導体を形成するものである。通常、二以上の貫通孔
を形成して複数の共振器ユニットを形成してフィルタを
構成する。
セラミック誘電体を用いた誘電体共振器、フィルタが各
分野で用いられている。通信機器などにはＴＥＭモード
を利用した同軸ＴＥＭ共振器、フィルタが用いられるこ
とが多い。これは、円柱や角柱のセラミック誘電体に貫
通孔を形成してその表面に内導体を形成し、周囲の側面
に外導体を形成するものである。通常、二以上の貫通孔
を形成して複数の共振器ユニットを形成してフィルタを
構成する。
【０００３】この誘電体フィルタの内導体が入出力端子
と接続され、外導体はアース電位に接続される。また、
開放端面は外部回路からの電磁気的な影響を防ぐことが
特性の安定のために必要である。そのために、外導体と
接続されて開放端面の上面をシールドする金属ケースを
用いることが必要になる場合がある。これによって、外
導体を低インピーダンスでアース電位に接続することに
なる。
と接続され、外導体はアース電位に接続される。また、
開放端面は外部回路からの電磁気的な影響を防ぐことが
特性の安定のために必要である。そのために、外導体と
接続されて開放端面の上面をシールドする金属ケースを
用いることが必要になる場合がある。これによって、外
導体を低インピーダンスでアース電位に接続することに
なる。
【０００４】図３は、そのような誘電体フィルタの例の
斜視図で、直方体のセラミック誘電体31の一表面に金属
ケース33が半田付けされたものである。金属ケース33は
配線基板のアース電位に接続され、誘電体フィルタの
（図示しない）内導体は入出力配線パターンと結合され
る。
斜視図で、直方体のセラミック誘電体31の一表面に金属
ケース33が半田付けされたものである。金属ケース33は
配線基板のアース電位に接続され、誘電体フィルタの
（図示しない）内導体は入出力配線パターンと結合され
る。
【０００５】セラミック誘電体と金属ケースの接着は通
常半田付けによるが、半田メッキを接着面に施したり、
半田ペーストを塗布したりした後に圧着して加熱して半
田付けする。
常半田付けによるが、半田メッキを接着面に施したり、
半田ペーストを塗布したりした後に圧着して加熱して半
田付けする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】セラミック誘電体と金
属ケースの接着は端部を除いたほぼ全面で行うのが通常
であるが、接着後の熱サイクル試験において誘電体セラ
ミックにひび割れが生じるものがある。このひび割れに
よって周波数が変化し、10MHz 以上上方にずれて仕様を
満足しなくなる場合がある。自動車用などに用いられる
ことが多いので、この温度変化によっても特性に変化が
生じないことが要求される。
属ケースの接着は端部を除いたほぼ全面で行うのが通常
であるが、接着後の熱サイクル試験において誘電体セラ
ミックにひび割れが生じるものがある。このひび割れに
よって周波数が変化し、10MHz 以上上方にずれて仕様を
満足しなくなる場合がある。自動車用などに用いられる
ことが多いので、この温度変化によっても特性に変化が
生じないことが要求される。
【０００７】上記のひび割れは、セラミック誘電体と金
属の線膨張係数が異なることから生じるもので、膨張・
収縮率の高い金属によって接着面にストレスを生じて発
生するものである。本発明は、このようなひび割れを防
止して特性のずれを防止するものである。
属の線膨張係数が異なることから生じるもので、膨張・
収縮率の高い金属によって接着面にストレスを生じて発
生するものである。本発明は、このようなひび割れを防
止して特性のずれを防止するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、接着材料の形
成方法を改良することによって、上記の課題を解決する
ものである。
成方法を改良することによって、上記の課題を解決する
ものである。
【０００９】すなわち、直方体の誘電体の対向する二面
を貫通する複数の平行な内導体を具え、内導体に平行な
側面に外導体を具えたセラミック誘電体の外導体の一面
にケースを接着する誘電体フィルタの製造方法におい
て、当該外導体面に部分的かつ一様に半田材料を塗布
し、当該外導体面に金属ケースを半田付けすることを特
徴とするものである。
を貫通する複数の平行な内導体を具え、内導体に平行な
側面に外導体を具えたセラミック誘電体の外導体の一面
にケースを接着する誘電体フィルタの製造方法におい
て、当該外導体面に部分的かつ一様に半田材料を塗布
し、当該外導体面に金属ケースを半田付けすることを特
徴とするものである。
【００１０】また、直方体の誘電体の対向する二面を貫
通する内導体を具え、内導体に平行な側面に外導体を具
えたセラミック誘電体の外導体の一面にケースを接着す
る誘電体共振器の製造方法において、当該外導体面に部
分的かつ一様に半田材料を塗布し、当該外導体面に金属
ケースを半田付けすることを特徴とするものである。
通する内導体を具え、内導体に平行な側面に外導体を具
えたセラミック誘電体の外導体の一面にケースを接着す
る誘電体共振器の製造方法において、当該外導体面に部
分的かつ一様に半田材料を塗布し、当該外導体面に金属
ケースを半田付けすることを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】接着材料のパターンを細かく分割することによ
って、部分的に見た個々の接着面積が小さくなり、その
部分の金属の膨張・収縮の影響を相対的に小さくするこ
とができる。これによって、セラミック誘電体に生じる
ひび割れを防止することができ、また、生じてもほとん
ど影響がない程度に抑えることができる。
って、部分的に見た個々の接着面積が小さくなり、その
部分の金属の膨張・収縮の影響を相対的に小さくするこ
とができる。これによって、セラミック誘電体に生じる
ひび割れを防止することができ、また、生じてもほとん
ど影響がない程度に抑えることができる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１３】図１は、本発明の実施例を示す斜視図で、
セラミック誘電体フィルタ素子11と金属ケース13との接
着前の状態を示すものである。セラミック誘電体フィル
タ素子11はセラミック誘電体を直方体に成形し、対向面
を貫通する貫通孔を二本形成したものである。この貫通
孔内に銀や銅の内導体を形成し、この貫通孔の伸びる方
向と平行な表面に外導体を形成したものである。貫通孔
の開口する一端に導体膜を形成して短絡端面とし、反対
側は誘電体の露出した開放端面12としたものである。
セラミック誘電体フィルタ素子11と金属ケース13との接
着前の状態を示すものである。セラミック誘電体フィル
タ素子11はセラミック誘電体を直方体に成形し、対向面
を貫通する貫通孔を二本形成したものである。この貫通
孔内に銀や銅の内導体を形成し、この貫通孔の伸びる方
向と平行な表面に外導体を形成したものである。貫通孔
の開口する一端に導体膜を形成して短絡端面とし、反対
側は誘電体の露出した開放端面12としたものである。
【００１４】外導体にも銀や銅の導体膜が形成されてお
り、これは配線パターンのアース電位と接続される。こ
の外導体を低インピーダンスでアース電位に接続し、ま
た開放端面12をシールドするために金属ケース13が用い
られ、金属ケース13はセラミック誘電体フィルタ素子11
の外導体と導通接着される。
り、これは配線パターンのアース電位と接続される。こ
の外導体を低インピーダンスでアース電位に接続し、ま
た開放端面12をシールドするために金属ケース13が用い
られ、金属ケース13はセラミック誘電体フィルタ素子11
の外導体と導通接着される。
【００１５】本発明においては、外導体と金属ケースを
接着するための半田のパターン17をメッシュ状（格子
状）に形成しておく。すなわち、直行する線状の半田の
パターンをセラミック誘電体の金属ケース13と接着する
表面に形成する。この半田のパターンは半田メッキある
いは半田ペースト等によって形成しておけばよい。
接着するための半田のパターン17をメッシュ状（格子
状）に形成しておく。すなわち、直行する線状の半田の
パターンをセラミック誘電体の金属ケース13と接着する
表面に形成する。この半田のパターンは半田メッキある
いは半田ペースト等によって形成しておけばよい。
【００１６】上記の半田のパターン17が形成された表面
に金属ケース13を圧着し、加熱して半田を溶融・固化さ
せて接着を行う。これによって、半田のパターン17に応
じた部分でセラミック誘電体11と金属ケース13の接着が
行われる。
に金属ケース13を圧着し、加熱して半田を溶融・固化さ
せて接着を行う。これによって、半田のパターン17に応
じた部分でセラミック誘電体11と金属ケース13の接着が
行われる。
【００１７】なお、半田のパターンは図２（ａ）に示す
ように、外導体25ａの表面に平行なパターン27ａとして
形成してもよいし、図２（ｂ）に示すように外導体25ｂ
の表面に点状のパターン27ｂとして形成してもよい。こ
れ以外のパターンでも、半田を成形する部分と形成しな
い部分が規則的に配列されるような構造であれば用いる
ことができる。
ように、外導体25ａの表面に平行なパターン27ａとして
形成してもよいし、図２（ｂ）に示すように外導体25ｂ
の表面に点状のパターン27ｂとして形成してもよい。こ
れ以外のパターンでも、半田を成形する部分と形成しな
い部分が規則的に配列されるような構造であれば用いる
ことができる。
【００１８】上記のような接着構造とすれば、温度変化
による膨張・収縮を繰り返しても、金属ケースによるス
トレスがセラミック誘電体の細かい部分に分散して加わ
ることになる。したがって、セラミック誘電体の疲労・
破壊を最小限にすることが可能となる。
による膨張・収縮を繰り返しても、金属ケースによるス
トレスがセラミック誘電体の細かい部分に分散して加わ
ることになる。したがって、セラミック誘電体の疲労・
破壊を最小限にすることが可能となる。
【００１９】なお、本発明は、上記のような金属ケース
に限らず、セラミック誘電体を金属に接着する構造の誘
電体フィルタ全般に応用できるし、単一の共振素子から
なる誘電体共振器の接着にも利用できる。
に限らず、セラミック誘電体を金属に接着する構造の誘
電体フィルタ全般に応用できるし、単一の共振素子から
なる誘電体共振器の接着にも利用できる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、金属ケースの膨張・収
縮によるセラミック誘電体のひび割れを防止することが
可能となり、これによって誘電体フィルタ・共振器の周
波数のずれを防止することができる。
縮によるセラミック誘電体のひび割れを防止することが
可能となり、これによって誘電体フィルタ・共振器の周
波数のずれを防止することができる。
【００２１】また、誘電体フィルタ・共振器の機械的な
強度も維持でき、信頼性の高い誘電体フィルタ・共振器
が得られる。
強度も維持でき、信頼性の高い誘電体フィルタ・共振器
が得られる。
【図１】 本発明の実施例を示す斜視図
【図２】 本発明の他の実施例を示す平面図
【図３】 従来の誘電体フィルタを示す斜視図
11：セラミック誘電体（誘電体フィルタ素子） 13：金属ケース 17、27：半田パターン
Claims (6)
- 【請求項１】 直方体の誘電体の対向する二面を貫通す
る複数の平行な内導体を具え、内導体に平行な側面に外
導体を具えたセラミック誘電体の外導体の一面にケース
を接着する誘電体フィルタの製造方法において、当該外
導体面に部分的かつ一様に半田材料を塗布し、当該外導
体面に金属ケースを半田付けすることを特徴とする誘電
体フィルタの製造方法。 - 【請求項２】 直方体の誘電体の対向する二面を貫通す
る複数の平行な内導体を具え、内導体に平行な側面に外
導体を具えたセラミック誘電体の外導体の一面にケース
を接着する誘電体フィルタの製造方法において、当該外
導体面に部分的かつ一様に半田材料を塗布し、セラミッ
ク誘電体と金属ケースを圧着加熱して当該外導体面に金
属ケースを半田付けすることを特徴とする誘電体フィル
タの製造方法。 - 【請求項３】 直方体の誘電体の対向する二面を貫通す
る内導体を具え、内導体に平行な側面に外導体を具えた
セラミック誘電体の外導体の一面にケースを接着する誘
電体共振器の製造方法において、当該外導体面に部分的
かつ一様に半田材料を塗布し、当該外導体面に金属ケー
スを半田付けすることを特徴とする誘電体共振器の製造
方法。 - 【請求項４】 直方体の誘電体の対向する二面を貫通す
る内導体を具え、内導体に平行な側面に外導体を具えた
セラミック誘電体の外導体の一面にケースを接着する誘
電体共振器の製造方法において、当該外導体面に部分的
かつ一様に半田材料を塗布し、セラミック誘電体と金属
ケースを圧着加熱して当該外導体面に金属ケースを半田
付けすることを特徴とする誘電体共振器の製造方法。 - 【請求項５】 半田材料のパターンをメッシュ状、平行
線状または点状に形成する請求項１または請求項２記載
の誘電体フィルタの製造方法。 - 【請求項６】 半田材料のパターンをメッシュ状、平行
線状または点状に形成する請求項３または請求項４記載
の誘電体共振器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5368695A JPH08222911A (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | 誘電体フィルタおよび誘電体共振器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5368695A JPH08222911A (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | 誘電体フィルタおよび誘電体共振器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222911A true JPH08222911A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12949707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5368695A Pending JPH08222911A (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | 誘電体フィルタおよび誘電体共振器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08222911A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6445106B1 (en) | 2000-02-18 | 2002-09-03 | Intel Corporation | Micro-electromechanical structure resonator, method of making, and method of using |
| JP2009284067A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Ube Ind Ltd | 誘電体共振部品及び誘電体共振装置 |
-
1995
- 1995-02-17 JP JP5368695A patent/JPH08222911A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6445106B1 (en) | 2000-02-18 | 2002-09-03 | Intel Corporation | Micro-electromechanical structure resonator, method of making, and method of using |
| US6479921B2 (en) | 2000-02-18 | 2002-11-12 | Intel Corporation | Micro-electromechanical structure resonator, method of making, and method of using |
| JP2009284067A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Ube Ind Ltd | 誘電体共振部品及び誘電体共振装置 |
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