JPH08222833A - フレキシブル配線板の配線パターン形成方法 - Google Patents
フレキシブル配線板の配線パターン形成方法Info
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- JPH08222833A JPH08222833A JP7021876A JP2187695A JPH08222833A JP H08222833 A JPH08222833 A JP H08222833A JP 7021876 A JP7021876 A JP 7021876A JP 2187695 A JP2187695 A JP 2187695A JP H08222833 A JPH08222833 A JP H08222833A
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- forming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 化学エッチングを必要としないで配線パター
ンが得られるフレキシブル配線板の配線パターン形成方
法を提供する。 【構成】 基材としてのポリイミドフィルム２と、真空
蒸着法によりポリイミドフィルム２上に形成した銅蒸着
導体層３とからなる導体層積層基板１に配線パターンを
形成する際、配線パターンにおいて絶縁部分となる部分
の導体層１１を、１：ブラスト法を用いて直接描画排除
する方法、２：パターンマスクを介してブラスト法によ
り排除する方法、３：フォトレジストパターン１４を設
けてブラスト法により排除する方法によって、必要とす
る配線パターン１３を残存形成させることにより、配線
パターン１３とポリイミドフィルム２との密着力の低下
がなく、しかも簡便で高精度の配線パターンが得られる
ものである。
ンが得られるフレキシブル配線板の配線パターン形成方
法を提供する。 【構成】 基材としてのポリイミドフィルム２と、真空
蒸着法によりポリイミドフィルム２上に形成した銅蒸着
導体層３とからなる導体層積層基板１に配線パターンを
形成する際、配線パターンにおいて絶縁部分となる部分
の導体層１１を、１：ブラスト法を用いて直接描画排除
する方法、２：パターンマスクを介してブラスト法によ
り排除する方法、３：フォトレジストパターン１４を設
けてブラスト法により排除する方法によって、必要とす
る配線パターン１３を残存形成させることにより、配線
パターン１３とポリイミドフィルム２との密着力の低下
がなく、しかも簡便で高精度の配線パターンが得られる
ものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フレキシブル配線板の
配線パターン形成方法に関するものである。
配線パターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、フレキシブル配線板の配線パター
ンは、通常導電性金属層上にフォトレジスト層を設けフ
ォトマスクを介して露光し、現像することによって、配
線パターンと同じ形状のフォトレジストパターンを形成
した後、化学エッチングにより配線パターンを形成する
方法にて作成されている。
ンは、通常導電性金属層上にフォトレジスト層を設けフ
ォトマスクを介して露光し、現像することによって、配
線パターンと同じ形状のフォトレジストパターンを形成
した後、化学エッチングにより配線パターンを形成する
方法にて作成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法においては、エッチング液が基材と導電性金属
層との界面、導電性金属層とフォトレジストとの界面に
浸入し腐食するため、得られる配線パターンと基材との
接着力の低下、配線パターン精度の低下が生じる。さら
に従来の方法は工程が煩雑であり、また、現像液やエッ
チング液の廃液処理が必要である等の問題もあった。
来の方法においては、エッチング液が基材と導電性金属
層との界面、導電性金属層とフォトレジストとの界面に
浸入し腐食するため、得られる配線パターンと基材との
接着力の低下、配線パターン精度の低下が生じる。さら
に従来の方法は工程が煩雑であり、また、現像液やエッ
チング液の廃液処理が必要である等の問題もあった。
【０００４】本発明は前記従来の技術の課題を解決する
もので、配線パターン形成において化学エッチングを必
要としない新規なフレキシブル配線板の配線パターン形
成方法を提供することを目的とするものである。
もので、配線パターン形成において化学エッチングを必
要としない新規なフレキシブル配線板の配線パターン形
成方法を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、基材と、基材上に形成した導体層とからな
る導体層積層板に配線パターンを形成する際に、絶縁部
分となる部分の導体層をブラスト法を用いて直接描画排
除し、必要とする配線パターンを残存形成させたフレキ
シブル配線板の配線パターン形成方法である。
に本発明は、基材と、基材上に形成した導体層とからな
る導体層積層板に配線パターンを形成する際に、絶縁部
分となる部分の導体層をブラスト法を用いて直接描画排
除し、必要とする配線パターンを残存形成させたフレキ
シブル配線板の配線パターン形成方法である。
【０００６】また、本発明は、基材と、基材上に形成し
た導体層とからなる導体層積層板に配線パターンを形成
する際に、導体層上にパターンマスクを密着させ、この
パターンマスクを介し、ブラスト法を用いて、絶縁部分
となる部分の導体層を排除し、必要とする配線パターン
を残存形成させたフレキシブル配線板の配線パターン形
成方法である。
た導体層とからなる導体層積層板に配線パターンを形成
する際に、導体層上にパターンマスクを密着させ、この
パターンマスクを介し、ブラスト法を用いて、絶縁部分
となる部分の導体層を排除し、必要とする配線パターン
を残存形成させたフレキシブル配線板の配線パターン形
成方法である。
【０００７】また、本発明は、基材と、基材上に形成し
た導体層とからなる導体層積層板に配線パターンを形成
する際に、導体層上に配線パターンと同じ平面形状を有
するレジストを形成した導体層積層板を、ブラスト法を
用いてレジストが形成されていない絶縁部分となる導体
層を排除し、その後前記レジストの除去を行い、必要と
する配線パターンを残存形成させたフレキシブル配線板
の配線パターン形成方法である。
た導体層とからなる導体層積層板に配線パターンを形成
する際に、導体層上に配線パターンと同じ平面形状を有
するレジストを形成した導体層積層板を、ブラスト法を
用いてレジストが形成されていない絶縁部分となる導体
層を排除し、その後前記レジストの除去を行い、必要と
する配線パターンを残存形成させたフレキシブル配線板
の配線パターン形成方法である。
【０００８】
【作用】上記構成により、基材上に形成した導体層を選
択除去し、導体層に絶縁部分を形成させることができる
ので、化学エッチングを用いずにフレキシブル配線板の
配線パターンを得ることができるものである。
択除去し、導体層に絶縁部分を形成させることができる
ので、化学エッチングを用いずにフレキシブル配線板の
配線パターンを得ることができるものである。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳述する。
【００１０】図１はこの発明に使用する導体層積層基板
１の断面図である。導体層積層基板１は基材上に導体層
が形成されており、基材としては５０μｍ厚のポリイミ
ドフィルム２を使用し、これは絶縁性である。導体層
は、真空蒸着法によりポリイミドフィルム２上に形成し
た１μｍ厚の銅蒸着導体層３である。
１の断面図である。導体層積層基板１は基材上に導体層
が形成されており、基材としては５０μｍ厚のポリイミ
ドフィルム２を使用し、これは絶縁性である。導体層
は、真空蒸着法によりポリイミドフィルム２上に形成し
た１μｍ厚の銅蒸着導体層３である。
【００１１】図２はブラスト装置の概略図であり、加圧
エアーを発生するためのコンプレッサー４と加圧エアー
中に直径２０〜４０μｍのアルミナ粒子を供給させるた
めの供給装置５とアルミナを含んだ加圧エアーを発射す
るノズル６とを備えている。加圧エアーを発生するため
のコンプレッサー４は圧力を変えられるバルブ７を備
え、また、アルミナ粒子を供給させるための供給装置５
は、アルミナ粒子を貯蔵するためのタンク８と加圧エア
ー中のアルミナ粒子の含有量を調整する調整装置９とを
備えている。以上の構成を有するブラスト装置１０を用
いた。
エアーを発生するためのコンプレッサー４と加圧エアー
中に直径２０〜４０μｍのアルミナ粒子を供給させるた
めの供給装置５とアルミナを含んだ加圧エアーを発射す
るノズル６とを備えている。加圧エアーを発生するため
のコンプレッサー４は圧力を変えられるバルブ７を備
え、また、アルミナ粒子を供給させるための供給装置５
は、アルミナ粒子を貯蔵するためのタンク８と加圧エア
ー中のアルミナ粒子の含有量を調整する調整装置９とを
備えている。以上の構成を有するブラスト装置１０を用
いた。
【００１２】（実施例１）本発明の一実施例について、
図３を参照しながら説明する。
図３を参照しながら説明する。
【００１３】図３に示すように、導体層積層基板１とブ
ラスト装置１０において、ブラスト装置１０の口径０．
２ｍｍのノズル６の発射口を、配線パターンにおいて絶
縁部分となる部分の導体層１１の表面に向け、アルミナ
粒子を５〜１０ｇ／ｍｉｎ含んだ３ｋｇ／ｃｍ2の加圧
エアー１２を、絶縁部分となる部分の導体層１１の表面
から０．２ｍｍの位置より発射し、絶縁部分となる部分
の導体層１１、本実施例では銅の蒸着層を直接描画排除
していき、絶縁部分１４を形成することにより必要とす
る配線パターン１３を得た。このようにして得られた配
線パターン１３は、化学エッチングを必要としない簡便
な方法で、基材と導体層との密着力は配線パターン１３
を形成させる前と同等の値を有する密着性に優れた微細
な配線パターン１３を形成することができた。
ラスト装置１０において、ブラスト装置１０の口径０．
２ｍｍのノズル６の発射口を、配線パターンにおいて絶
縁部分となる部分の導体層１１の表面に向け、アルミナ
粒子を５〜１０ｇ／ｍｉｎ含んだ３ｋｇ／ｃｍ2の加圧
エアー１２を、絶縁部分となる部分の導体層１１の表面
から０．２ｍｍの位置より発射し、絶縁部分となる部分
の導体層１１、本実施例では銅の蒸着層を直接描画排除
していき、絶縁部分１４を形成することにより必要とす
る配線パターン１３を得た。このようにして得られた配
線パターン１３は、化学エッチングを必要としない簡便
な方法で、基材と導体層との密着力は配線パターン１３
を形成させる前と同等の値を有する密着性に優れた微細
な配線パターン１３を形成することができた。
【００１４】（実施例２）本発明の一実施例について、
図４を参照しながら説明する。
図４を参照しながら説明する。
【００１５】図４に示すように、配線パターンを残存形
成させるための０．１ｍｍ厚さの金属製のパターンマス
ク１５を密着させた導体層積層基板１およびブラスト装
置１０において、ブラスト装置１０の口径４ｍｍのノズ
ル６の発射口を、パターンマスク１５の表面に向け、ア
ルミナ粒子を２０〜４０ｇ／ｍｉｎ含んだ４ｋｇ／ｃｍ
2の加圧エアー１２をパターンマスク１５の表面から１
０ｍｍの位置より発射し、パターンマスク１５を介し
て、絶縁部分となる部分の導体層１１、本実施例では銅
の蒸着層を排除していき、絶縁部分１４を形成すること
により、必要とする配線パターン１３を得た。このよう
にして得られた配線パターン１３は、化学エッチングを
必要としない簡便な方法で、基材と導体層との密着力は
配線パターン１３を形成させる前と同等の値を有する密
着性に優れた微細な配線パターンを形成することができ
た。
成させるための０．１ｍｍ厚さの金属製のパターンマス
ク１５を密着させた導体層積層基板１およびブラスト装
置１０において、ブラスト装置１０の口径４ｍｍのノズ
ル６の発射口を、パターンマスク１５の表面に向け、ア
ルミナ粒子を２０〜４０ｇ／ｍｉｎ含んだ４ｋｇ／ｃｍ
2の加圧エアー１２をパターンマスク１５の表面から１
０ｍｍの位置より発射し、パターンマスク１５を介し
て、絶縁部分となる部分の導体層１１、本実施例では銅
の蒸着層を排除していき、絶縁部分１４を形成すること
により、必要とする配線パターン１３を得た。このよう
にして得られた配線パターン１３は、化学エッチングを
必要としない簡便な方法で、基材と導体層との密着力は
配線パターン１３を形成させる前と同等の値を有する密
着性に優れた微細な配線パターンを形成することができ
た。
【００１６】（実施例３）本発明の一実施例について、
図５を参照しながら説明する。
図５を参照しながら説明する。
【００１７】図５に示すように、導体層積層基板１の表
面に、３０μｍの厚みがつくような熱転写シートを用い
て配線パターンと同じ平面形状のフォトレジストパター
ン１６を印刷し、ブラスト装置１０の口径４ｍｍのノズ
ル６の発射口を、フォトレジストパターン１６を印刷し
た導体層積層基板１の表面に向け、アルミナ粒子を１０
〜２０ｇ／ｍｉｎ含んだ２ｋｇ／ｃｍ2の加圧エアー１
２を導体層積層基板１の表面から２０ｍｍの位置より発
射し、フォトレジストパターン１６が印刷されていない
銅蒸着導体層３、つまり絶縁部分となる部分の導体層１
１を排除し絶縁部分１４を形成した。そして、その後フ
ォトレジストパターン１６を除去して、配線パターン１
３を得た。
面に、３０μｍの厚みがつくような熱転写シートを用い
て配線パターンと同じ平面形状のフォトレジストパター
ン１６を印刷し、ブラスト装置１０の口径４ｍｍのノズ
ル６の発射口を、フォトレジストパターン１６を印刷し
た導体層積層基板１の表面に向け、アルミナ粒子を１０
〜２０ｇ／ｍｉｎ含んだ２ｋｇ／ｃｍ2の加圧エアー１
２を導体層積層基板１の表面から２０ｍｍの位置より発
射し、フォトレジストパターン１６が印刷されていない
銅蒸着導体層３、つまり絶縁部分となる部分の導体層１
１を排除し絶縁部分１４を形成した。そして、その後フ
ォトレジストパターン１６を除去して、配線パターン１
３を得た。
【００１８】上記各実施例においては、使用する基材と
して５０μｍ厚のポリイミドフィルムを用いたが、ポリ
イミド系、ポリエステル系、ポリ塩化ビニル系、ポリア
ミドイミド系、フッ素系、ガラスエポキシ系等のフレキ
シビリティーを有する従来公知の基材としてのフィルム
あるいは樹脂、またはこれらの複合、積層系、または基
材と導体層の接着性に寄与するカップリング剤、有機、
無機接着剤等のコーティング材との複合、積層系が例示
できる。
して５０μｍ厚のポリイミドフィルムを用いたが、ポリ
イミド系、ポリエステル系、ポリ塩化ビニル系、ポリア
ミドイミド系、フッ素系、ガラスエポキシ系等のフレキ
シビリティーを有する従来公知の基材としてのフィルム
あるいは樹脂、またはこれらの複合、積層系、または基
材と導体層の接着性に寄与するカップリング剤、有機、
無機接着剤等のコーティング材との複合、積層系が例示
できる。
【００１９】また、フィルムあるいは樹脂上に形成する
導体層として、真空蒸着法により形成した１μｍ厚の銅
を用いたが、導体層を形成する材料としては金、銀、ニ
ッケル、アルミニウム、クロム、錫等の従来公知の導電
性を有する材料、またはこれらの複合、積層系が例示で
きる。また銀ペーストやカーボンペーストなどの導電性
インクを塗布などにより設けてもよい。また、配線パタ
ーン形成を行う際の導体層の厚みは、エッジ部にサイド
エッジが見られず、かつ密着力は配線パターンを形成さ
せる前と同等の値を有し、しかも生産性に優れることを
満たすには、２０μｍ以下が好ましい。真空蒸着法によ
れば厚さの制御は容易であり、しかも数μｍの薄膜を得
ることも可能である。また真空蒸着法に代えてスパッタ
法、あるいは両者の併用により導体層を形成してもよ
い。
導体層として、真空蒸着法により形成した１μｍ厚の銅
を用いたが、導体層を形成する材料としては金、銀、ニ
ッケル、アルミニウム、クロム、錫等の従来公知の導電
性を有する材料、またはこれらの複合、積層系が例示で
きる。また銀ペーストやカーボンペーストなどの導電性
インクを塗布などにより設けてもよい。また、配線パタ
ーン形成を行う際の導体層の厚みは、エッジ部にサイド
エッジが見られず、かつ密着力は配線パターンを形成さ
せる前と同等の値を有し、しかも生産性に優れることを
満たすには、２０μｍ以下が好ましい。真空蒸着法によ
れば厚さの制御は容易であり、しかも数μｍの薄膜を得
ることも可能である。また真空蒸着法に代えてスパッタ
法、あるいは両者の併用により導体層を形成してもよ
い。
【００２０】また、直径２０〜４０μｍのアルミナ粒子
を５〜１０ｇ／ｍｉｎ含んだ２〜４ｋｇ／ｃｍ2の加圧
エアーを口径０．２〜４ｍｍのノズルから発射して、い
わゆるサンドブラスト法によって配線パターン形成を行
ったが、加圧エアーの気体としては、空気、酸素、窒
素、アルゴン等の気体あるいはそれらの混合気体を用い
てもよい。また、加圧エアーの代わりに水、有機溶剤等
の液体あるいはそれらの混合液体を加圧して用いるウエ
ットブラスト法を用いてもよい。これらのブラスト法の
条件として、加圧エアー、加圧液体の圧力、液量、それ
に混合させる粒子、粒子径、ノズルの口径等は、排除し
ようとする導体層の材質、厚み、パターン精度、生産性
等の条件によって変わり、一般にブラスト法で用いられ
る条件で使用できる。たとえば、ブラスト法で使用する
粒子としては、１００μｍ以下のアルミナ、ガラスビー
ズ、カーボナイト等の粉末粒子が例示でき、加圧エアー
あるいは加圧液体に混合して導体層を排除できる材料で
あれば使用できる。また、混合させる粒子量は、一般に
２〜１０ｋｇ／ｃｍ2の加圧エアーにおいては、１〜４
００ｇ／ｍｉｎが良好な範囲である。また、ノズルの口
径はブラスト法で配線パターンを直接描画する場合にお
いては、口径０．１〜１ｍｍ、パターンマスク、フォト
レジストパターン等を用いて間接的に配線パターンを形
成する場合においては、口径１ｍｍ以上が良好な範囲で
ある。またレーザー加工法を用いる場合は加工精度が高
く、また配線パターンの線幅は、さらに細くすることが
可能である。
を５〜１０ｇ／ｍｉｎ含んだ２〜４ｋｇ／ｃｍ2の加圧
エアーを口径０．２〜４ｍｍのノズルから発射して、い
わゆるサンドブラスト法によって配線パターン形成を行
ったが、加圧エアーの気体としては、空気、酸素、窒
素、アルゴン等の気体あるいはそれらの混合気体を用い
てもよい。また、加圧エアーの代わりに水、有機溶剤等
の液体あるいはそれらの混合液体を加圧して用いるウエ
ットブラスト法を用いてもよい。これらのブラスト法の
条件として、加圧エアー、加圧液体の圧力、液量、それ
に混合させる粒子、粒子径、ノズルの口径等は、排除し
ようとする導体層の材質、厚み、パターン精度、生産性
等の条件によって変わり、一般にブラスト法で用いられ
る条件で使用できる。たとえば、ブラスト法で使用する
粒子としては、１００μｍ以下のアルミナ、ガラスビー
ズ、カーボナイト等の粉末粒子が例示でき、加圧エアー
あるいは加圧液体に混合して導体層を排除できる材料で
あれば使用できる。また、混合させる粒子量は、一般に
２〜１０ｋｇ／ｃｍ2の加圧エアーにおいては、１〜４
００ｇ／ｍｉｎが良好な範囲である。また、ノズルの口
径はブラスト法で配線パターンを直接描画する場合にお
いては、口径０．１〜１ｍｍ、パターンマスク、フォト
レジストパターン等を用いて間接的に配線パターンを形
成する場合においては、口径１ｍｍ以上が良好な範囲で
ある。またレーザー加工法を用いる場合は加工精度が高
く、また配線パターンの線幅は、さらに細くすることが
可能である。
【００２１】また、本発明の一実施例において、配線パ
ターンを残存形成させるための０．１ｍｍ厚さのパター
ンマスクを用いたが、配線パターンを残存形成可能なマ
スクとしては、４，２合金製等の金属マスク、ポリイミ
ド、ポリエステル製等の樹脂マスクが例示できる。
ターンを残存形成させるための０．１ｍｍ厚さのパター
ンマスクを用いたが、配線パターンを残存形成可能なマ
スクとしては、４，２合金製等の金属マスク、ポリイミ
ド、ポリエステル製等の樹脂マスクが例示できる。
【００２２】また、本発明の一実施例において、導体層
積層基板の表面に配線パターンと同じ平面形状のフォト
レジストパターンを熱転写シートを用いて熱転写レジス
ト印刷し、配線パターンを残存形成させたが、配線パタ
ーンを残存形成可能なレジストとしては、ワニス等の油
性樹脂、エポキシ、不飽和ポリエステル、ウレタン、ア
クリル、フェノール、シリコーン、ビニル等の合成樹
脂、感光性樹脂、水溶性インキ、トナーインキ等が例示
できる。
積層基板の表面に配線パターンと同じ平面形状のフォト
レジストパターンを熱転写シートを用いて熱転写レジス
ト印刷し、配線パターンを残存形成させたが、配線パタ
ーンを残存形成可能なレジストとしては、ワニス等の油
性樹脂、エポキシ、不飽和ポリエステル、ウレタン、ア
クリル、フェノール、シリコーン、ビニル等の合成樹
脂、感光性樹脂、水溶性インキ、トナーインキ等が例示
できる。
【００２３】また、本実施例においては一層のフレキシ
ブル配線板について説明したが、これを多数重ねて多層
構造とすることも可能である。この場合、導体層積層基
板を多数重ねる方法と、基材および導体層を順次形成し
必要ならば層間でコンタクトが取れるよう形成する方法
があるが、目的に応じて使い分ければよい。
ブル配線板について説明したが、これを多数重ねて多層
構造とすることも可能である。この場合、導体層積層基
板を多数重ねる方法と、基材および導体層を順次形成し
必要ならば層間でコンタクトが取れるよう形成する方法
があるが、目的に応じて使い分ければよい。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明のフレキシブル配線
板のパターン形成方法によれば、化学エッチングを必要
としないので、配線パターンと基材との接着力、密着力
の低下がなく、しかも高精度の配線パターンを得られ、
実用上きわめて有効なフレキシブル配線板の配線パター
ン形成方法であり、信頼性の高いフレキシブル配線板を
得ることができる。しかも工程が簡便であり廃液処理も
必要ない。
板のパターン形成方法によれば、化学エッチングを必要
としないので、配線パターンと基材との接着力、密着力
の低下がなく、しかも高精度の配線パターンを得られ、
実用上きわめて有効なフレキシブル配線板の配線パター
ン形成方法であり、信頼性の高いフレキシブル配線板を
得ることができる。しかも工程が簡便であり廃液処理も
必要ない。
【図１】本発明で用いる導体層積層基板の断面図
【図２】本発明で用いるブラスト装置の説明図
【図３】本発明の実施例１におけるフレキシブル配線板
の配線パターン形成方法を示す図
の配線パターン形成方法を示す図
【図４】本発明の実施例２におけるフレキシブル配線板
の配線パターン形成方法を示す図
の配線パターン形成方法を示す図
【図５】本発明の実施例３におけるフレキシブル配線板
の配線パターン形成方法を示す図
の配線パターン形成方法を示す図
１ 導体層積層基板 ２ ポリイミドフィルム ３ 銅蒸着導体層 １１ 絶縁部分となる部分の導体層 １３ 配線パターン １５ パターンマスク １６ フォトレジストパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯島 康男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 吉野 庸三 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 基材と、基材上に形成した導体層とから
なる導体層積層板に配線パターンを形成する際に、配線
パターンにおいて絶縁部分となる部分の導体層をブラス
ト法を用いて直接描画排除し、必要とする配線パターン
を残存形成するフレキシブル配線板の配線パターン形成
方法。 - 【請求項２】 基材と、基材上に形成した導体層とから
なる導体層積層板に配線パターンを形成する際に、パタ
ーンマスクを前記導体層上に密着させ、このパターンマ
スクを介しブラスト法を用いて、配線パターンにおいて
絶縁部分となる部分の導体層を排除し、必要とする配線
パターンを残存形成させるフレキシブル配線板の配線パ
ターン形成方法。 - 【請求項３】 基材と、基材上に形成した導体層とから
なる導体層積層板に配線パターンを形成する際に、前記
導体層上に配線パターンと同じ平面形状を有するレジス
トを形成し、ブラスト法を用いて前記レジストが形成さ
れていない絶縁部分となる部分の導体層を排除し、その
後前記レジストの除去を行い、必要とする配線パターン
を残存形成させるフレキシブル配線板の配線パターン形
成方法。 - 【請求項４】 導体層は真空蒸着法にて形成する請求項
１から３のいずれかに記載のフレキシブル配線板の配線
パターン形成方法。 - 【請求項５】 導体層は導電性インクにて形成した請求
項１から３のいずれかに記載のフレキシブル配線板の配
線パターン形成方法。 - 【請求項６】 ブラスト法に代えてレーザー加工法を用
いる請求項１から３のいずれかに記載のフレキシブル配
線板の配線パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7021876A JPH08222833A (ja) | 1995-02-09 | 1995-02-09 | フレキシブル配線板の配線パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7021876A JPH08222833A (ja) | 1995-02-09 | 1995-02-09 | フレキシブル配線板の配線パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222833A true JPH08222833A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12067335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7021876A Pending JPH08222833A (ja) | 1995-02-09 | 1995-02-09 | フレキシブル配線板の配線パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08222833A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009272647A (ja) * | 2009-08-12 | 2009-11-19 | Dowa Holdings Co Ltd | 回路基板の製造方法 |
| JP2016152324A (ja) * | 2015-02-18 | 2016-08-22 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 金属−セラミックス回路基板の製造方法 |
-
1995
- 1995-02-09 JP JP7021876A patent/JPH08222833A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009272647A (ja) * | 2009-08-12 | 2009-11-19 | Dowa Holdings Co Ltd | 回路基板の製造方法 |
| JP2016152324A (ja) * | 2015-02-18 | 2016-08-22 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 金属−セラミックス回路基板の製造方法 |
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