JPH08222491A - 半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置

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JPH08222491A
JPH08222491A JP7023039A JP2303995A JPH08222491A JP H08222491 A JPH08222491 A JP H08222491A JP 7023039 A JP7023039 A JP 7023039A JP 2303995 A JP2303995 A JP 2303995A JP H08222491 A JPH08222491 A JP H08222491A
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semiconductor
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一浩 岡庭
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体基板を損傷することなく、補強板に貼
り付けられた半導体基板をこの補強板から分離できる半
導体装置の製造方法、及び製造装置を提供する。 【構成】 ＧａＡｓ基板２がワックスにより貼り付けら
れているガラス板１をこの基板面が鉛直方向と平行とな
るように上方カセット４に収納し、これを容器７に収容
され、ヒーター８で１００℃程度に加熱された有機溶剤
６に浸漬する（図１(a) ）。ワックスが軟化，溶融し、
ＧａＡｓ基板２はガラス板１から自然降下により分離さ
れ、自然落下して半導体基板カセット５に収納される
（図１(b) ）。さらに、ワックスは上記溶剤により溶
解，除去される。 【効果】 ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制す
ることができる。また、有機溶剤によりＧａＡｓ基板に
付着したワックスを除去することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造方
法及び半導体装置の製造装置に関し、特に化合物半導体
を用いた高周波用電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、集
積回路（ＩＣ）、マイクロ波モノリシック集積回路（Ｍ
ＭＩＣ）及びレーザダイオードの製造方法及びそれらの
製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体を用いた高周波用のＦＥ
Ｔ，ＩＣ，ＭＭＩＣ及びレーザダイオードを製造する
際、ＧａＡｓ等の化合物半導体基板の表面にこれらの半
導体素子を形成した後、この半導体基板の表面に接着剤
により補強板を貼り付け、基板裏面を研削・研磨して、
基板を所定の厚さまで薄板化することが行われる。ま
た、半導体基板上に素子を形成するプロセスにおいて、
このプロセスに用いる製造装置が対応できる半導体基板
の直径が実際の半導体基板の直径より大きい場合、この
半導体基板を上記製造装置が対応できる直径の補強板に
貼り付けることも行われる。この補強板にはガラス板
が、また接着剤にはワックスが用いられることが多い。
【０００３】上記の基板薄板化または半導体素子形成プ
ロセスの後、ＧａＡｓ基板（半導体基板）をガラス板
（補強板）から分離する工程が必要となる。従来のこの
工程は、次のようなものである。まず、図２０に示すよ
うに、ＧａＡｓ基板２が貼り付けられたガラス板１をＧ
ａＡｓ基板の付いた面を上にして、ホットプレート２０
８上に置き、加熱する。ガラス板１を通して、ワックス
（接着剤）３が加熱され、その温度が１００℃程度まで
上昇すると、ワックスは溶融する。この後、ピンセット
でＧａＡｓ基板２をつかみ、これをガラス板１から分離
する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来のＧａＡｓ
基板をガラス板（補強板）から分離する工程において
は、ホットプレートで加熱されて、ワックス（接着剤）
が軟化，溶融しても、ワックスには相当の粘着力が残留
している。このため、薄板化されその機械的強度が低下
しているＧａＡｓ基板をピンセットでつかんでガラス板
から分離する際に、この基板面に垂直な方向の力が加わ
り易く、これによってＧａＡｓ基板が割れてしまうとい
う問題があった。
【０００５】この発明は上記の問題に鑑みなされたもの
であり、半導体基板を損傷することなく、補強板に貼り
付けられた半導体基板をこの補強板から分離できる半導
体装置の製造方法、及びこの方法を実現する製造装置を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明（請求項１）に
係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の一主面にこ
の半導体基板の機械的強度を補強する補強板を接着剤に
より貼り付けて、上記半導体基板に対して所要の半導体
素子形成処理を行った後、上記半導体基板を上記補強板
から分離する工程を含む半導体装置の製造方法におい
て、上記半導体基板の上記補強板からの分離は、上記補
強板付きの上記半導体基板を加熱された溶剤中に置き、
上記接着剤を溶融，溶解させて、上記半導体基板を上記
補強板から分離させるものである。
【０００７】この発明（請求項２）に係る半導体装置の
製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求項１）
において、上記溶剤は、液体であるものである。
【０００８】この発明（請求項３）に係る半導体装置の
製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求項２）
において、上記液体である溶剤は、大気圧以上の圧力に
加圧されているものである。
【０００９】この発明（請求項４）に係る半導体装置の
製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求項１）
において、上記溶剤は、気体であるものである。
【００１０】この発明（請求項５）に係る半導体装置の
製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求項４）
において、上記気体である溶剤は、大気圧以上の圧力に
加圧されているものである。
【００１１】この発明（請求項６）に係る半導体装置の
製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求項１な
いし５のいずれか）において、上記補強板付きの上記半
導体基板を、上記補強板を支持して、上記基板面が水平
方向以外の方向になる状態で、上記溶剤中に保持し、上
記半導体基板を上記補強板から自然降下により分離さ
せ、かつ自然落下させるものである。
【００１２】この発明（請求項７）に係る半導体装置の
製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求項１な
いし５のいずれか）において、上記補強板付きの上記半
導体基板を上記補強板を支持して、上記溶剤中に保持し
た後、上記半導体基板を上記補強板に対して摺動させ
て、これより分離させ、かつ自然落下させるものであ
る。
【００１３】この発明（請求項８）に係る半導体装置の
製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求項１な
いし５のいずれか）において、上記補強板付きの上記半
導体基板を、上記半導体基板を支持して、上記基板面が
水平方向以外の方向になる状態で、上記溶剤中に保持
し、上記補強板を上記半導体基板から自然降下により分
離させ、かつ自然落下させるものである。
【００１４】この発明（請求項９）に係る半導体装置の
製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求項１な
いし５のいずれか）において、上記補強板付きの上記半
導体基板を、上記半導体基板を支持して、上記溶剤中に
保持した後、上記補強板を上記半導体基板に対して摺動
させて、これより分離させ、かつ自然落下させるもので
ある。
【００１５】この発明（請求項１０）に係る半導体装置
の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求項１
ないし９のいずれか）において、上記接着剤は、ワック
スであり、上記接着剤を溶解する溶剤は、有機溶剤であ
るものである。
【００１６】この発明（請求項１１）に係る半導体装置
の製造方法は、半導体基板の一主面にこの半導体基板の
機械的強度を補強する補強板を接着剤により貼り付け
て、上記半導体基板に対して所要の半導体素子形成処理
を行った後、上記半導体基板を上記補強板から分離する
工程を含む半導体装置の製造方法において、上記半導体
基板の上記補強板からの分離は、上記半導体基板付きの
上記補強板を第１の溶剤によって溶解させた後、上記補
強板が溶解して、上記半導体基板の一主面に残った上記
接着剤を第２の溶剤によって溶解させるものである。
【００１７】この発明（請求項１２）に係る半導体装置
の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求項１
１）において、上記補強板の溶解は、この補強板を液体
である上記第１溶剤に浸漬して溶解させるものであり、
上記接着剤の溶解は、この接着剤を液体である上記第２
溶剤に浸漬して溶解させるものである。
【００１８】この発明（請求項１３）に係る半導体装置
の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求項１
１）において、上記補強板の溶解は、この補強板を気体
である上記第１溶剤に曝すことにより溶解させるもので
あり、上記接着剤の溶解は、この接着剤を液体である上
記第２溶剤に浸漬して溶解させるものである。
【００１９】この発明（請求項１４）に係る半導体装置
の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求項１
１）において、上記補強板の溶解は、この補強板に液体
である上記第１溶剤を吹き付けることにより溶解させる
ものであり、上記接着剤の溶解は、この接着剤に液体で
ある上記第２溶剤を吹き付けることにより溶解させるも
のである。
【００２０】この発明（請求項１５）に係る半導体装置
の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求項１
１ないし１４のいずれか）において、上記補強板は、ガ
ラス板であり、上記第１溶剤は、フッ酸であるものであ
る。
【００２１】この発明（請求項１６）に係る半導体装置
の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求項１
１ないし１５のいずれか）において、上記接着剤は、ワ
ックスであり、上記接着剤を溶解する上記第２溶剤は、
有機溶剤であるものである。
【００２２】この発明（請求項１７）に係る半導体装置
の製造方法は、半導体基板の一主面にこの半導体基板の
機械的強度を補強する補強板を接着剤により貼り付け
て、上記半導体基板に対して所要の半導体素子形成処理
を行った後、上記半導体基板を上記補強板から分離する
工程を含む半導体装置の製造方法において、上記半導体
基板の上記補強板からの分離は、上記接着剤により貼り
付けられた上記半導体基板及び上記補強板のそれぞれ
を、吸着器で吸着，保持し、上記半導体基板及び上記補
強板の少なくともいずれか一方の吸着器の側から加熱し
て上記接着剤を溶融させ、上記二つの吸着器を上記半導
体基板及び上記補強板と平行な平面内において相対的に
相異なる方向に移動させて、上記半導体基板を上記補強
板から分離させるものである。
【００２３】この発明（請求項１８）に係る半導体装置
の製造方法は、半導体基板の一主面にこの半導体基板の
機械的強度を補強する補強板を接着剤により貼り付け
て、上記半導体基板に対して所要の半導体素子形成処理
を行った後、上記半導体基板を上記補強板から分離する
工程を含む半導体装置の製造方法において、上記半導体
基板の上記補強板からの分離は、上記半導体基板付きの
上記補強板を吸着器で吸着，保持するとともに加熱して
上記接着剤を溶融させ、上記半導体基板を上記補強板に
対してスライド手段により上記半導体基板及び上記補強
板と平行な平面内において摺動させて、上記半導体基板
を上記補強板から分離させるものである。
【００２４】この発明（請求項１９）に係る半導体装置
の製造方法は、半導体基板の一主面にこの半導体基板の
機械的強度を補強する補強板を接着剤により貼り付け
て、上記半導体基板に対して所要の半導体素子形成処理
を行った後、上記半導体基板を上記補強板から分離する
工程を含む半導体装置の製造方法において、上記半導体
基板の上記補強板からの分離は、上記補強板付きの上記
半導体基板を吸着器で吸着，保持するとともに加熱して
上記接着剤を溶融させ、上記補強板を上記半導体基板に
対してスライド手段により上記半導体基板及び上記補強
板と平行な平面内において摺動させて、上記半導体基板
を上記補強板から分離させるものである。
【００２５】この発明（請求項２０）に係る半導体装置
の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求項１
７ないし１９のいずれか）において、上記接着剤は、ワ
ックスであるものである。
【００２６】この発明（請求項２１）に係る半導体装置
の製造装置は、その一主面に半導体基板の機械的強度を
補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基
板を保持する保持具と、上記保持具を収納し、上記接着
剤を溶解する液体である溶剤を上記保持具により保持さ
れる上記補強板付きの上記半導体基板がこの溶剤に浸漬
されるように収容する容器と、上記容器内の上記溶剤を
加熱する加熱器とを備えたものである。
【００２７】この発明（請求項２２）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項２
１）において、上記保持具は、上記補強板を支持して、
上記補強板付きの上記半導体基板をこの基板面が水平方
向以外の方向になるように保持するものであり、上記保
持具の直下に設けられた、上記補強板から分離され、か
つ自然落下した上記半導体基板を収納するための半導体
基板カセットを備えたものである。
【００２８】この発明（請求項２３）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項２
１）において、上記保持具は、上記補強板を支持して、
上記補強板付きの上記半導体基板を保持するものであ
り、上記溶剤に浸漬された上記半導体基板を、上記補強
板に対して摺動させて、上記補強板から分離させるスラ
イド手段と、上記保持具の直下に設けられた、上記補強
板から分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を収
納するための半導体基板カセットとを備えたものであ
る。
【００２９】この発明（請求項２４）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項２
１）において、上記保持具は、上記半導体基板を支持し
て、上記補強板付きの上記半導体基板をこの基板面が水
平方向以外の方向になるように保持するものであり、上
記保持具の直下に設けられた、上記半導体基板から分離
され、かつ自然落下した上記補強板を収納するための補
強板カセットを備えたものである。
【００３０】この発明（請求項２５）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項２
１）において、上記保持具は、上記半導体基板を支持し
て、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するもので
あり、上記溶剤に浸漬された上記補強板を、上記半導体
基板に対して摺動させて、上記半導体基板から分離させ
るスライド手段と、上記保持具の直下に設けられた、上
記半導体基板から分離され、かつ自然落下した上記補強
板を収納するための補強板カセットとを備えたものであ
る。
【００３１】この発明（請求項２６）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項２
１ないし２５のいずれか）において、上記溶剤を大気圧
以上の圧力に加圧する加圧器を備えたものである。
【００３２】この発明（請求項２７）に係る半導体装置
の製造装置は、その一主面に半導体基板の機械的強度を
補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基
板を保持する保持具と、上記保持具を収納し、上記接着
剤を溶解する気体である溶剤をその内部に密封する容器
と、大気圧以上の圧力の加熱された上記気体である溶剤
を上記容器に供給する手段とを備えたものである。
【００３３】この発明（請求項２８）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項２
７）において、上記保持具は、上記補強板を支持して、
上記補強板付きの上記半導体基板をこの基板面が水平方
向以外の方向になるように保持するものであり、上記保
持具の直下に設けられた、上記補強板から分離され、か
つ自然落下した上記半導体基板を収納するための半導体
基板カセットを備えたものである。
【００３４】この発明（請求項２９）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項２
７）において、上記保持具は、上記補強板を支持して、
上記補強板付きの上記半導体基板を保持するものであ
り、上記溶剤に曝された上記半導体基板を、上記補強板
に対して摺動させて、上記補強板から分離させるスライ
ド手段と、上記保持具の直下に設けられた、上記補強板
から分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を収納
するための半導体基板カセットとを備えたものである。
【００３５】この発明（請求項３０）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項２
７）において、上記保持具は、上記半導体基板を支持し
て、上記補強板付きの上記半導体基板をこの基板面が水
平方向以外の方向になるように保持するものであり、上
記保持具の直下に設けられた、上記半導体基板から分離
され、かつ自然落下した上記補強板を収納するための補
強板カセットを備えたものである。
【００３６】この発明（請求項３１）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項２
７）において、上記保持具は、上記半導体基板を支持し
て、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するもので
あり、上記溶剤に曝された上記補強板を、上記半導体基
板に対して摺動させて、上記半導体基板から分離させる
スライド手段と、上記保持具の直下に設けられた、上記
半導体基板から分離され、かつ自然落下した上記補強板
を収納するための補強板カセットとを備えたものであ
る。
【００３７】この発明（請求項３２）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項２
７ないし３１のいずれか）において、上記容器を加熱す
るための容器加熱器を備えたものである。
【００３８】この発明（請求項３３）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項２
１ないし３２のいずれか）において、上記接着剤は、ワ
ックスであり、上記接着剤を溶解する溶剤は、有機溶剤
であるものである。
【００３９】この発明（請求項３４）に係る半導体装置
の製造装置は、その一主面に半導体基板の機械的強度を
補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基
板をこの補強板を支持して保持する保持具と、上記保持
具の直下に設けられた、上記補強板から分離され、かつ
自然落下した上記半導体基板を収納するための半導体基
板カセットと、上記保持具及び上記半導体基板カセット
を収納し、上記補強板を溶解する液体である第１の溶剤
を上記保持具により保持される上記補強板付きの上記半
導体基板がこの第１溶剤に浸漬されるように収容する第
１の容器と、半導体基板カセットを収納し、上記接着剤
を溶解する液体である第２の溶剤を上記半導体基板カセ
ットに収納された上記半導体基板がこの第２溶剤に浸漬
されるように収容する第２の容器とを備えたものであ
る。
【００４０】この発明（請求項３５）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項３
４）において、上記第１容器を加熱するための第１容器
加熱器を備えているものである。
【００４１】この発明（請求項３６）に係る半導体装置
の製造装置は、その一主面に半導体基板の機械的強度を
補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基
板をこの補強板を支持して保持する保持具と、上記保持
具の直下に設けられた、上記補強板から分離され、かつ
自然落下した上記半導体基板を収納するための半導体基
板カセットと、上記保持具及び上記半導体基板カセット
を収納し、上記補強板を溶解する気体である第１の溶剤
を上記保持具により保持される上記補強板付きの上記半
導体基板がこの第１溶剤に曝されるように収容する第１
の容器と、上記第１溶剤を上記補強板に吹き付けるノズ
ルと、半導体基板カセットを収納し、上記接着剤を溶解
する液体である第２の溶剤をこの半導体基板カセットに
収納された上記半導体基板がこの第２溶剤に浸漬される
ように収容する第２の容器とを備えたものである。
【００４２】この発明（請求項３７）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項３
４ないし３６のいずれか）において、上記第２容器を加
熱するための第２容器加熱器を備えているものである。
【００４３】この発明（請求項３８）に係る半導体装置
の製造装置は、その一主面に半導体基板の機械的強度を
補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基
板をこの補強板を支持して保持する保持具と、上記保持
具の直下に設けられた、上記補強板から分離され、かつ
自然落下した上記半導体基板を収納するための半導体基
板カセットと、液体である第１の溶剤を上記保持具によ
り保持される上記補強板に吹き付けて上記補強板の全体
を溶解させる第１のノズルと、液体である第２の溶剤を
上記補強板が溶解除去された上記半導体基板カセットに
収納された上記半導体基板の一主面に残る上記接着剤に
吹き付けて上記接着剤の全体を溶解させる第２のノズル
とを備えたものである。
【００４４】この発明（請求項３９）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項３
４ないし３８のいずれか）において、上記補強板は、ガ
ラス板であり、上記第１溶剤は、フッ酸であるものであ
る。
【００４５】この発明（請求項４０）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項３
４ないし３９のいずれか）において、上記接着剤は、ワ
ックスであり、上記接着剤を溶解する上記第２溶剤は、
有機溶剤であるものである。
【００４６】この発明（請求項４１）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項２
２，２３，２８，２９，３４，３６または３８のいずれ
か）において、上記保持具は、上記補強板を支持して、
上記補強板付きの上記半導体基板をこの基板面が水平方
向以外の方向になるように収容保持し、その下部開口を
通って上記補強板から分離された上記半導体基板を下方
向に自然落下させる補強板支持上方カセットよりなるも
のである。
【００４７】この発明（請求項４２）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項４
１）において、上記半導体基板カセットは、上記補強板
支持上方カセットの直下にこの補強板支持上方カセット
と一体に形成されてなるものである。
【００４８】この発明（請求項４３）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項２
４，２５，３０または３１のいずれか）において、上記
保持具は、上記半導体基板を支持して、上記補強板付半
導体基板をこの基板面が水平方向以外の方向になるよう
に収容保持し、その下部開口を通って上記補強板を下方
向に自然落下させる半導体基板支持上方カセットよりな
るものである。
【００４９】この発明（請求項４４）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項４
３）において、上記補強板カセットは、上記半導体基板
支持上方カセットの直下にこの上方カセットと一体に形
成されてなるものである。
【００５０】この発明（請求項４５）に係る半導体装置
の製造装置は、半導体基板の一主面に接着剤により貼り
付けられた、この半導体基板の機械的強度を補強する補
強板を吸着，保持する第１の吸着器と、上記半導体基板
を吸着，保持する第２の吸着器と、上記第１吸着器に設
けられた、上記補強板を加熱して上記接着剤を溶融させ
る加熱器と、上記第１吸着器及び上記第２吸着器を、上
記半導体基板及び上記補強板と平行な平面内において相
対的に相異なる方向に移動させる機構とを備えたもので
ある。
【００５１】この発明（請求項４６）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項４
５）において、上記第２吸着器に設けられた、上記半導
体基板を加熱して上記接着剤を溶融させる第２の加熱器
を備えたものである。
【００５２】この発明（請求項４７）に係る半導体装置
の製造装置は、半導体基板の一主面に接着剤により貼り
付けられたこの半導体基板の機械的強度を補強する補強
板を吸着，保持する第１の吸着器と、上記半導体基板を
吸着，保持する第２の吸着器と、上記第２吸着器に設け
られた、上記半導体基板を加熱して上記接着剤を溶融さ
せる加熱器と、上記第１吸着器及び上記第２吸着器を、
上記半導体基板及び上記補強板と平行な平面内において
相異なる方向に移動させる機構とを備えているものであ
る。
【００５３】この発明（請求項４８）に係る半導体装置
の製造装置は、半導体基板の一主面に接着剤により貼り
付けられた、この半導体基板の機械的強度を補強する補
強板を吸着，保持する吸着器と、上記吸着器に設けられ
た、上記補強板を加熱して上記接着剤を溶融させる加熱
器と、上記半導体基板を上記補強板に対して、これらと
平行な平面内において摺動させるスライド手段を備えて
いるものである。
【００５４】この発明（請求項４９）に係る半導体装置
の製造装置は、その一主面に半導体基板の機械的強度を
補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基
板を吸着，保持する吸着器と、上記吸着器に設けられ
た、上記半導体基板を加熱して上記接着剤を溶融させる
加熱器と、上記補強板を上記半導体基板に対して、これ
らと平行な平面内において摺動させるスライド手段を備
えているものである。
【００５５】この発明（請求項５０）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項４
８または４９）において、上記スライド手段は、ピンセ
ット状の先端部を有するものである。
【００５６】この発明（請求項５１）に係る半導体装置
の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項４
８または４９）において、上記スライド手段は、へら状
の先端部を有するものである。
【００５７】
【作用】この発明（請求項１）に係る半導体装置の製造
方法では、半導体基板の一主面にこの半導体基板の機械
的強度を補強する補強板を接着剤により貼り付けて、上
記半導体基板に対して所要の半導体素子形成処理を行っ
た後、上記補強板付きの上記半導体基板を加熱された溶
剤中に置き、上記接着剤を溶融，溶解させて、上記半導
体基板を上記補強板から分離させるから、上記半導体基
板自身が有するストレスあるいは半導体基板表面上に形
成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半導体
薄膜等のストレスに起因する半導体基板に反りを与える
ストレスが、充分に溶融した上記接着剤の残留粘着力に
打ち勝って、半導体基板が補強板から分離する。従っ
て、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加
わることがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損
を防止することができる。さらに、分離後の半導体基板
の表面に残っている接着剤を、上記溶剤に溶解させて、
除去することができる。
【００５８】この発明（請求項２）に係る半導体装置の
製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請求項
１）において、上記溶剤が、液体であるから、上記半導
体基板自身が有するストレスあるいは半導体基板表面上
に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半
導体薄膜等のストレスに起因する半導体基板に反りを与
えるストレスが、充分に溶融した上記接着剤の残留粘着
力に打ち勝って、半導体基板が補強板から分離する。従
って、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が
加わることがなく、これによる半導体基板の割れ等の破
損を防止することができる。さらに、分離後の半導体基
板の表面に残っている接着剤を、上記溶剤に溶解させ
て、除去することができる。
【００５９】この発明（請求項３）に係る半導体装置の
製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請求項
２）において、上記液体である溶剤が、大気圧以上の圧
力に加圧されているから、接着剤の溶融、溶解が容易と
なり、半導体基板が補強板から分離し易くなる。さら
に、分離後の半導体基板の表面に残っている接着剤の溶
解、除去も容易となる。
【００６０】この発明（請求項４）に係る半導体装置の
製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請求項
１）において、上記溶剤が、気体であるから、上記半導
体基板自身が有するストレスあるいは半導体基板表面上
に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半
導体薄膜等のストレスに起因する半導体基板に反りを与
えるストレスが、充分に溶融した上記接着剤の残留粘着
力に打ち勝って、半導体基板が補強板から分離する。従
って、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が
加わることがなく、これによる半導体基板の割れ等の破
損を防止することができる。さらに、分離後の半導体基
板の表面に残っている接着剤を、上記溶剤に溶解させ
て、除去することができる。
【００６１】この発明（請求項５）に係る半導体装置の
製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請求項
４）において、上記気体である溶剤が、大気圧以上の圧
力に加圧されているから、接着剤の溶融、溶解が容易と
なり、半導体基板が補強板から分離し易くなる。さら
に、分離後の半導体基板の表面に残っている接着剤の溶
解、除去も容易となる。
【００６２】この発明（請求項６）に係る半導体装置の
製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請求項１
ないし５のいずれか）において、上記補強板付きの上記
半導体基板を、上記補強板を支持して、上記基板面が水
平方向以外の方向になる状態で、上記溶剤中に保持し、
上記半導体基板を上記補強板から自然降下により分離さ
せ、かつ自然落下させるから、この自然落下した半導体
基板を上記の支持された補強板の直下で収納することに
より、半導体基板の補強板からの分離に引き続き、分離
された半導体基板の収納を特別の操作無しに行うことが
できる。
【００６３】この発明（請求項７）に係る半導体装置の
製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請求項１
ないし５のいずれか）において、上記補強板付きの上記
半導体基板を上記補強板を支持して、上記溶剤中に保持
した後、上記半導体基板を上記補強板に対して摺動させ
て、これより分離させ、かつ自然落下させるから、上記
半導体基板自身が有するストレスあるいは半導体基板表
面上に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属
膜、半導体薄膜等のストレスに起因する半導体基板に反
りを与えるストレスが、溶融した上記接着剤の残留粘着
力に打ち勝つ前であっても、上記のように半導体基板を
強制的に基板面と平行な方向に摺動させることにより、
半導体基板を補強板から分離させることができる。すな
わち、この半導体基板の分離を短時間で行うことができ
る。また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の
力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ等
の破損を防止することができる。
【００６４】この発明（請求項８）に係る半導体装置の
製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請求項１
ないし５のいずれか）において、上記補強板付きの上記
半導体基板を、上記半導体基板を支持して、上記基板面
が水平方向以外の方向になる状態で、上記溶剤中に保持
し、上記補強板を上記半導体基板から自然降下により分
離させ、かつ自然落下させるから、上記補強板が分離さ
れた上記半導体基板を保持した状態で残すことができ
る。
【００６５】この発明（請求項９）に係る半導体装置の
製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請求項１
ないし５のいずれか）において、上記補強板付きの上記
半導体基板を、上記半導体基板を支持して、上記溶剤中
に保持した後、上記補強板を上記半導体基板に対して摺
動させて、これより分離させ、かつ自然落下させるか
ら、上記半導体基板自身が有するストレスあるいは半導
体基板表面上に形成された半導体素子を構成する絶縁
膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因する半導体
基板に反りを与えるストレスが、溶融した上記接着剤の
残留粘着力に打ち勝つ前であっても、上記のように補強
板を強制的に基板面と平行な方向に摺動させることによ
り、補強板を半導体基板から分離させることができる。
すなわち、この補強板の分離を短時間で行うことができ
る。また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の
力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ等
の破損を防止することができる。
【００６６】この発明（請求項１０）に係る半導体装置
の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請求項
１ないし９のいずれか）において、上記接着剤は、ワッ
クスであり、上記接着剤を溶解する溶剤は、有機溶剤で
あるから、ワックスはその温度を１００℃程度まで上昇
させると容易に溶融し、また有機溶剤を用いることによ
り、このワックスを溶解させることができ、半導体基板
と補強板を容易に分離することができる。さらに、この
ワックスの除去も容易にできる。
【００６７】この発明（請求項１１）に係る半導体装置
の製造方法では、半導体基板の一主面にこの半導体基板
の機械的強度を補強する補強板を接着剤により貼り付け
て、上記半導体基板に対して所要の半導体素子形成処理
を行った後、上記半導体基板付きの上記補強板を第１の
溶剤によって溶解させ、この後上記半導体基板の一主面
に残った上記接着剤を第２の溶剤によって溶解させるこ
とにより、上記半導体基板を上記補強板から分離させる
から、補強板が除去され、表面に接着剤の残っていない
半導体基板を得ることができる。また、半導体基板に外
部からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、こ
れによる半導体基板の割れ等の破損を防止することがで
きる。
【００６８】この発明（請求項１２）に係る半導体装置
の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請求項
１１）において、上記補強板の溶解は、この補強板を液
体である上記第１溶剤に浸漬して溶解させるものであ
り、上記接着剤の溶解は、この接着剤を液体である上記
第２溶剤に浸漬して溶解させるものであるから、補強板
が除去され、表面に接着剤の残っていない半導体基板を
得ることができる。また、半導体基板に外部からその面
に垂直な方向の力が加わることがなく、これによる半導
体基板の割れ等の破損を防止することができる。
【００６９】この発明（請求項１３）に係る半導体装置
の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請求項
１１）において、上記補強板の溶解は、この補強板を上
記気体である第１溶剤に曝すことにより溶解させるもの
であり、上記接着剤の溶解は、この接着剤を液体である
上記第２溶剤に浸漬して溶解させるものであるから、補
強板が除去され、表面に接着剤の残っていない半導体基
板を得ることができる。また、半導体基板に外部からそ
の面に垂直な方向の力が加わることがなく、これによる
半導体基板の割れ等の破損を防止することができる。
【００７０】この発明（請求項１４）に係る半導体装置
の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請求項
１１）において、上記補強板の溶解は、この補強板に液
体である上記第１溶剤を吹き付けることにより溶解させ
るものであり、上記接着剤の溶解は、この接着剤に液体
である上記第２溶剤を吹き付けることにより溶解させる
ものであるから、補強板が除去され、表面に接着剤の残
っていない半導体基板を得ることができる。また、半導
体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わること
がなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防止す
ることができる。
【００７１】この発明（請求項１５）に係る半導体装置
の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請求項
１１ないし１４のいずれか）において、上記補強板は、
ガラス板であり、上記第１溶剤は、フッ酸であるから、
ガラス板はフッ酸に容易に溶解し、これによりカラス板
を容易に除去することができる。
【００７２】この発明（請求項１６）に係る半導体装置
の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請求項
１１ないし１５のいずれか）において、上記接着剤は、
ワックスであり、上記接着剤を溶解する上記第２溶剤
は、有機溶剤であるから、ワックスはその温度を１００
℃程度まで上昇させると容易に溶融し、また有機溶剤を
用いることにより、このワックスを溶解させることがで
き、半導体基板と補強板を容易に分離することができ
る。
【００７３】この発明（請求項１７）に係る半導体装置
の製造方法では、半導体基板の一主面にこの半導体基板
の機械的強度を補強する補強板を接着剤により貼り付け
て、上記半導体基板に対して所要の半導体素子形成処理
を行った後、上記接着剤により貼り付けられた上記半導
体基板及び上記補強板のそれぞれを、吸着器で吸着，保
持し、上記半導体基板及び上記補強板の少なくともいず
れか一方の吸着器の側から加熱して上記接着剤を溶融さ
せ、上記二つの吸着器を上記半導体基板及び上記補強板
と平行な平面内において相対的に相異なる方向に移動さ
せて、上記半導体基板を上記補強板から分離させるか
ら、上記のように半導体基板と補強板を強制的に相異な
る方向に移動させることにより、短時間で半導体基板と
補強板の分離を行うことができる。また、半導体基板に
外部からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、
これによる半導体基板の割れ等の破損を防止することが
できる。
【００７４】この発明（請求項１８）に係る半導体装置
の製造方法では、半導体基板の一主面にこの半導体基板
の機械的強度を補強する補強板を接着剤により貼り付け
て、上記半導体基板に対して所要の半導体素子形成処理
を行った後、上記半導体基板付きの上記補強板を吸着器
で吸着，保持するとともに加熱して上記接着剤を溶融さ
せ、上記半導体基板を上記補強板に対してスライド手段
により上記半導体基板及び上記補強板と平行な平面内に
おいて摺動させて、上記半導体基板を上記補強板から分
離させるから、上記のように半導体基板を補強板に対し
て強制的に摺動させることにより、短時間で半導体基板
と補強板の分離を行うことができる。また、半導体基板
に外部からその面に垂直な方向の力が加わることがな
く、これによる半導体基板の割れ等の破損を防止するこ
とができる。
【００７５】この発明（請求項１９）に係る半導体装置
の製造方法では、半導体基板の一主面にこの半導体基板
の機械的強度を補強する補強板を接着剤により貼り付け
て、上記半導体基板に対して所要の半導体素子形成処理
を行った後、上記補強板付きの上記半導体基板を吸着器
で吸着，保持するとともに加熱して上記接着剤を溶融さ
せ、上記補強板を上記半導体基板に対してスライド手段
により上記半導体基板及び上記補強板と平行な平面内に
おいて摺動させて、上記半導体基板を上記補強板から分
離させるから、上記のように補強板を半導体基板に対し
て強制的に摺動させることにより、短時間で半導体基板
と補強板の分離を行うことができる。また、半導体基板
に外部からその面に垂直な方向の力が加わることがな
く、これによる半導体基板の割れ等の破損を防止するこ
とができる。
【００７６】この発明（請求項２０）に係る半導体装置
の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請求項
１７ないし１９のいずれか）において、上記接着剤が、
ワックスであるから、ワックスはその温度を１００℃程
度まで上昇させると容易に溶融し、半導体基板と補強板
を容易に分離することができる。
【００７７】この発明（請求項２１）に係る半導体装置
の製造装置では、その一主面に半導体基板の機械的強度
を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体
基板を保持する保持具と、上記保持具を収納し、上記接
着剤を溶解する液体である溶剤を上記保持具により保持
される上記補強板付きの上記半導体基板がこの溶剤に浸
漬されるように収容する容器と、上記容器内の上記溶剤
を加熱する加熱器とを備えたから、この製造装置を用い
ることにより、上記接着剤を充分に溶融させることがで
き、上記半導体基板自身が有するストレスあるいは半導
体基板表面上に形成された半導体素子を構成する絶縁
膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因する半導体
基板に反りを与えるストレスが、この溶融した接着剤の
残留粘着力に打ち勝って、半導体基板が補強板から分離
する。従って、半導体基板に外部からその面に垂直な方
向の力が加わることがなく、これによる半導体基板の割
れ等の破損を防止することができる。さらに、分離後の
半導体基板の表面に残っている接着剤を、上記溶剤に溶
解させて、除去することができる。
【００７８】この発明（請求項２２）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
２１）において、上記保持具は、上記補強板を支持し
て、上記補強板付きの上記半導体基板をこの基板面が水
平方向以外の方向になるように保持するものであり、上
記保持具の直下に設けられた、上記補強板から分離さ
れ、かつ自然落下した上記半導体基板を収納するための
半導体基板カセットを備えたから、補強板から分離さ
れ、自然落下する上記半導体基板を特別な操作無しに上
記保持具直下の半導体基板カセットに収納することがで
きる。
【００７９】この発明（請求項２３）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
２１）において、上記保持具は、上記補強板を支持し
て、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するもので
あり、上記溶剤に浸漬された上記半導体基板を、上記補
強板に対して摺動させて、上記補強板から分離させるス
ライド手段と、上記保持具の直下に設けられた、上記補
強板から分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を
収納するための半導体基板カセットとを備えたから、上
記半導体基板自身が有するストレスあるいは半導体基板
表面上に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属
膜、半導体薄膜等のストレスが溶融した上記接着剤の残
留粘着力に打ち勝つ前であっても、上記のスライド手段
を用いて半導体基板を強制的に基板面と平行な方向に摺
動させることにより、半導体基板を補強板から分離させ
ることができる。すなわち、この半導体基板の分離を短
時間で行うことができる。また、半導体基板に外部から
その面に垂直な方向の力が加わることがなく、これによ
る半導体基板の割れ等の破損を防止することができる。
【００８０】この発明（請求項２４）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
２１）において、上記保持具は、上記半導体基板を支持
して、上記補強板付きの上記半導体基板をこの基板面が
水平方向以外の方向になるように保持するものであり、
上記保持具の直下に設けられた、上記半導体基板から分
離され、かつ自然落下した上記補強板を収納するための
補強板カセットを備えたから、半導体基板から分離され
た補強板は、半導体基板から自然落下し、補強板カセッ
トに収納される。
【００８１】この発明（請求項２５）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
２１）において、上記保持具は、上記半導体基板を支持
して、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するもの
であり、上記溶剤に浸漬された上記補強板を、上記半導
体基板に対して摺動させて、上記半導体基板から分離さ
せるスライド手段と、上記保持具の直下に設けられた、
上記半導体基板から分離され、かつ自然落下した上記補
強板を収納するための補強板カセットとを備えたから、
上記半導体基板自身が有するストレスあるいは半導体基
板表面上に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金
属膜、半導体薄膜等のストレスに起因する半導体基板に
反りを与えるストレスが、溶融した上記接着剤の残留粘
着力に打ち勝つ前であっても、上記のスライド手段を用
いて補強板を強制的に基板面と平行な方向に摺動させる
ことにより、補強板を半導体基板から分離させることが
できる。すなわち、この補強板の分離を短時間で行うこ
とができる。また、半導体基板に外部からその面に垂直
な方向の力が加わることがなく、これによる半導体基板
の割れ等の破損を防止することができる。
【００８２】この発明（請求項２６）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
２１ないし２５のいずれか）において、上記溶剤を大気
圧以上の圧力に加圧する加圧器を備えたから、接着剤の
溶融、溶解が容易となり、半導体基板が補強板から分離
し易くなる。さらに、分離後の半導体基板の表面に残っ
ている接着剤の溶解、除去も容易となる。
【００８３】この発明（請求項２７）に係る半導体装置
の製造装置では、その一主面に半導体基板の機械的強度
を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体
基板を保持する保持具と、上記保持具を収納し、上記接
着剤を溶解する気体である溶剤をその内部に密封する容
器と、大気圧以上の圧力の加熱された上記気体である溶
剤を上記容器に供給する手段とを備えたから、この製造
装置を用いることにより、上記接着剤を充分に溶融させ
ることができ、上記半導体基板自身が有するストレスあ
るいは半導体基板表面上に形成された半導体素子を構成
する絶縁膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因す
る半導体基板に反りを与えるストレスが、この溶融した
接着剤の残留粘着力に打ち勝って、半導体基板が補強板
から分離する。従って、半導体基板に外部からその面に
垂直な方向の力が加わることがなく、これによる半導体
基板の割れ等の破損を防止することができる。さらに、
分離後の半導体基板の表面に残っている接着剤を、上記
溶剤に溶解させて、除去することができる。
【００８４】この発明（請求項２８）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
２７）において、上記保持具は、上記補強板を支持し
て、上記補強板付きの上記半導体基板をこの基板面が水
平方向以外の方向になるように保持するものであり、上
記保持具の直下に設けられた、上記補強板から分離さ
れ、かつ自然落下した上記半導体基板を収納するための
半導体基板カセットを備えたから、補強板から分離され
た半導体基板は、補強板から自然落下し、半導体基板カ
セットに収納される。
【００８５】この発明（請求項２９）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
２７）において、上記保持具は、上記補強板を支持し
て、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するもので
あり、上記溶剤に曝された上記半導体基板を、上記補強
板に対して摺動させて、上記補強板から分離させるスラ
イド手段と、上記保持具の直下に設けられた、上記補強
板から分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を収
納するための半導体基板カセットとを備えたから、上記
半導体基板自身が有するストレスあるいは半導体基板表
面上に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属
膜、半導体薄膜等のストレスに起因する半導体基板に反
りを与えるストレスが、溶融した上記接着剤の残留粘着
力に打ち勝つ前であっても、上記のスライド手段を用い
て半導体基板を強制的に基板面と平行な方向に摺動させ
ることにより、半導体基板を補強板から分離させること
ができる。すなわち、この半導体基板の分離を短時間で
行うことができる。また、半導体基板に外部からその面
に垂直な方向の力が加わることがなく、これによる半導
体基板の割れ等の破損を防止することができる。
【００８６】この発明（請求項３０）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
２７）において、上記保持具は、上記半導体基板を支持
して、上記補強板付きの上記半導体基板をこの基板面が
水平方向以外の方向になるように保持するものであり、
上記保持具の直下に設けられた、上記半導体基板から分
離され、かつ自然落下した上記補強板を収納するための
補強板カセットを備えたから、半導体基板から分離され
た補強板は、半導体基板から自然落下し、補強板カセッ
トに収納される。
【００８７】この発明（請求項３１）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
２７）において、上記保持具は、上記半導体基板を支持
して、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するもの
であり、上記溶剤に曝された上記補強板を、上記半導体
基板に対して摺動させて、上記半導体基板から分離させ
るスライド手段と、上記保持具の直下に設けられた、上
記半導体基板から分離され、かつ自然落下した上記補強
板を収納するための補強板カセットとを備えたから、上
記半導体基板自身が有するストレスあるいは半導体基板
表面上に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属
膜、半導体薄膜等のストレスに起因する半導体基板に反
りを与えるストレスが、溶融した上記接着剤の残留粘着
力に打ち勝つ前であっても、上記のスライド手段を用い
て補強板を強制的に基板面と平行な方向に摺動させるこ
とにより、補強板を半導体基板から分離させることがで
きる。すなわち、この補強板の分離を短時間で行うこと
ができる。また、半導体基板に外部からその面に垂直な
方向の力が加わることがなく、これによる半導体基板の
割れ等の破損を防止することができる。
【００８８】この発明（請求項３２）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
２７ないし３１のいずれか）において、上記容器を加熱
するための容器加熱器を備えたから、容器に供給された
気体である溶剤の冷却を防止でき、上記接着剤の溶融及
び溶解を容易にする。従って、半導体基板と補強板の分
離、半導体基板表面の接着剤の除去も容易となる。
【００８９】この発明（請求項３３）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
２１ないし３２のいずれか）において、上記接着剤が、
ワックスであり、上記接着剤を溶解する溶剤が、有機溶
剤であるから、ワックスはその温度を１００℃程度まで
上昇させると容易に溶融し、また有機溶剤を用いること
により、このワックスを溶解させることができ、半導体
基板と補強板を容易に分離することができる。
【００９０】この発明（請求項３４）に係る半導体装置
の製造装置では、その一主面に半導体基板の機械的強度
を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体
基板をこの補強板を支持して保持する保持具と、上記保
持具の直下に設けられた、上記補強板から分離され、か
つ自然落下した上記半導体基板を収納するための半導体
基板カセットと、上記保持具及び上記半導体基板カセッ
トを収納し、上記補強板を溶解する液体である第１の溶
剤を上記保持具により保持される上記補強板付きの上記
半導体基板がこの第１溶剤に浸漬されるように収容する
第１の容器と、半導体基板カセットを収納し、上記接着
剤を溶解する液体である第２の溶剤を上記半導体基板カ
セットに収納された上記半導体基板がこの第２溶剤に浸
漬されるように収容する第２の容器とを備えたから、こ
の製造装置を用いると、補強板が除去され、表面に接着
剤の残っていない半導体基板を得ることができる。この
際、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加
わることがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損
を防止することができる。また、補強板が溶解した後の
半導体基板は、上記半導体基板カセットに収納される。
【００９１】この発明（請求項３５）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
３４）において、上記第１容器を加熱するための第１容
器加熱器を備えているから、上記第１溶剤を加熱するこ
とができ、補強板を容易に溶解することができる。
【００９２】この発明（請求項３６）に係る半導体装置
の製造装置では、その一主面に半導体基板の機械的強度
を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体
基板をこの補強板を支持して保持する保持具と、上記保
持具の直下に設けられた、上記補強板から分離され、か
つ自然落下した上記半導体基板を収納するための半導体
基板カセットと、上記保持具及び上記半導体基板カセッ
トを収納し、上記補強板を溶解する気体である第１の溶
剤を上記保持具により保持される上記補強板付きの上記
半導体基板がこの第１溶剤に曝されるように収容する第
１の容器と、上記第１溶剤を上記補強板に吹き付けるノ
ズルと、半導体基板カセットを収納し、上記接着剤を溶
解する液体である第２の溶剤をこの半導体基板カセット
に収納された上記半導体基板がこの第２溶剤に浸漬され
るように収容する第２の容器とを備えたから、補強板か
ら分離され、表面に接着剤の残っていない半導体基板を
得ることができる。この際、半導体基板に外部からその
面に垂直な方向の力が加わることがなく、これによる半
導体基板の割れ等の破損を防止することができる。ま
た、補強板が溶解した後の半導体基板を上記半導体基板
カセットに収納することができる。
【００９３】この発明（請求項３７）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
３４ないし３６のいずれか）において、上記第２容器を
加熱するための第２容器加熱器を備えているから、上記
第２溶剤を加熱することができ、上記接着剤を容易に溶
解することができる。
【００９４】この発明（請求項３８）に係る半導体装置
の製造装置では、その一主面に半導体基板の機械的強度
を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体
基板をこの補強板を支持して保持する保持具と、上記保
持具の直下に設けられた、上記補強板から分離され、か
つ自然落下した上記半導体基板を収納するための半導体
基板カセットと、液体である第１の溶剤を上記保持具に
より保持される上記補強板に吹き付けて上記補強板の全
体を溶解させる第１のノズルと、液体である第２の溶剤
を上記補強板が溶解除去された上記半導体基板カセット
に収納された上記半導体基板の一主面に残る上記接着剤
に吹き付けて上記接着剤の全体を溶解させる第２のノズ
ルとを備えたから、補強板が除去され、表面に接着剤の
残っていない半導体基板を得ることができる。この際、
半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わる
ことがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防
止することができる。また、補強板が溶解した後の半導
体基板を上記半導体基板カセットに収納することができ
る。
【００９５】この発明（請求項３９）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
３４ないし３８のいずれか）において、上記補強板が、
ガラス板であり、上記第１溶剤が、フッ酸であるから、
このガラス板をフッ酸で容易に溶解することができる。
【００９６】この発明（請求項４０）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
３４ないし３９のいずれか）において、上記接着剤が、
ワックスであり、上記接着剤を溶解する上記第２溶剤
が、有機溶剤であるから、ワックスはその温度を１００
℃程度まで上昇させると容易に溶融し、また有機溶剤を
用いることにより、このワックスを溶解させることがで
き、半導体基板と補強板を容易に分離することができ
る。さらに、このワックスの除去も容易となる。
【００９７】この発明（請求項４１）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
２２，２３，２８，２９，３４，３６または３８のいず
れか）において、上記保持具は、上記補強板を支持し
て、上記補強板付きの上記半導体基板をこの基板面が水
平方向以外の方向になるように収容保持し、その下部開
口を通って上記補強板から分離された上記半導体基板を
下方向に自然落下させる補強板支持上方カセットよりな
るものであるから、上記補強板付きの上記半導体基板を
容易に収納することができるとともに、補強板から分離
された半導体基板を補強板支持上方カセットの下に設け
られた上記半導体基板カセットに収納することができ
る。
【００９８】この発明（請求項４２）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
４１）において、上記半導体基板カセットは、上記補強
板支持上方カセットの直下にこの補強板支持上方カセッ
トと一体に形成されてなるものであるから、これらのカ
セットの取扱いが容易となり、また、これらのカセット
の相対的な位置が固定されているため、補強板から分離
された半導体基板を確実に半導体基板カセットに収納す
ることができる。
【００９９】この発明（請求項４３）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
２４，２５，３０または３１のいずれか）において、上
記保持具は、上記半導体基板を支持して、上記補強板付
きの上記半導体基板をこの基板面が水平方向以外の方向
になるように収容保持し、その下部開口を通って上記補
強板を下方向に自然落下させる半導体基板支持上方カセ
ットよりなるものであるから、補強板付半導体基板を容
易に収納することができるとともに、半導体基板から分
離された補強板を半導体基板支持上方カセットの下に設
けられた上記補強板カセットに収納することができる。
【０１００】この発明（請求項４４）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
４３）において、上記補強板カセットは、上記半導体基
板支持上方カセットの直下にこの上方カセットと一体に
形成されてなるから、これらのカセットの取扱いが容易
となり、また、これらのカセットの相対的な位置が常に
固定されているため、半導体基板から分離された補強板
を確実に補強板カセットに収納することができる。
【０１０１】この発明（請求項４５）に係る半導体装置
の製造装置では、半導体基板の一主面に接着剤により貼
り付けられた、この半導体基板の機械的強度を補強する
補強板を吸着，保持する第１の吸着器と、上記半導体基
板を吸着，保持する第２の吸着器と、上記第１吸着器に
設けられた、上記補強板を加熱して上記接着剤を溶融さ
せる加熱器と、上記第１吸着器及び上記第２吸着器を、
上記半導体基板及び上記補強板と平行な平面内において
相対的に相異なる方向に移動させる機構とを備えたか
ら、この製造装置を用いると、上記のように半導体基板
と補強板を強制的に相異なる方向に移動させることによ
り、短時間で半導体基板と補強板の分離を行うことがで
きる。また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向
の力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ
等の破損を防止することができる。
【０１０２】この発明（請求項４６）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
４５）において、上記第２吸着器に設けられた、上記半
導体基板を加熱して上記接着剤を溶融させる第２の加熱
器を備えたから、この製造装置を用いると、上記のよう
に半導体基板と補強板を強制的に相異なる方向に移動さ
せることにより、短時間で半導体基板と補強板の分離を
行うことができる。また、半導体基板に外部からその面
に垂直な方向の力が加わることがなく、これによる半導
体基板の割れ等の破損を防止することができる。
【０１０３】この発明（請求項４７）に係る半導体装置
の製造装置では、半導体基板の一主面に接着剤により貼
り付けられたこの半導体基板の機械的強度を補強する補
強板を吸着，保持する第１の吸着器と、上記半導体基板
を吸着，保持する第２の吸着器と、上記第２吸着器に設
けられた、上記半導体基板を加熱して上記接着剤を溶融
させる加熱器と、上記第１吸着器及び上記第２吸着器
を、上記半導体基板及び上記補強板と平行な平面内にお
いて相異なる方向に移動させる機構とを備えているか
ら、この製造装置を用いると、上記のように半導体基板
と補強板を強制的に相異なる方向に移動させることによ
り、短時間で半導体基板と補強板の分離を行うことがで
きる。また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向
の力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ
等の破損を防止することができる。
【０１０４】この発明（請求項４８）に係る半導体装置
の製造装置では、半導体基板の一主面に接着剤により貼
り付けられた、この半導体基板の機械的強度を補強する
補強板を吸着，保持する吸着器と、上記吸着器に設けら
れた、上記補強板を加熱して上記接着剤を溶融させる加
熱器と、上記半導体基板を上記補強板に対して、これら
と平行な平面内において摺動させるスライド手段を備え
ているから、上記のように半導体基板を補強板に対して
強制的に摺動させることにより、短時間で半導体基板と
補強板の分離を行うことができる。また、半導体基板に
外部からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、
これによる半導体基板の割れ等の破損を防止することが
できる。
【０１０５】この発明（請求項４９）に係る半導体装置
の製造装置では、その一主面に半導体基板の機械的強度
を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体
基板を吸着，保持する吸着器と、上記吸着器に設けられ
た、上記半導体基板を加熱して上記接着剤を溶融させる
加熱器と、上記補強板を上記半導体基板に対して、これ
らと平行な平面内において摺動させるスライド手段を備
えているから、上記のように補強板を半導体基板に対し
て強制的に摺動させることにより、短時間で半導体基板
と補強板の分離を行うことができる。また、半導体基板
に外部からその面に垂直な方向の力が加わることがな
く、これによる半導体基板の割れ等の破損を防止するこ
とができる。
【０１０６】この発明（請求項５０）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
４８または４９）において、上記スライド手段が、ピン
セット状の先端部を有するから、この先端部が半導体基
板または補強板を確実に把握することができ、半導体基
板と補強板の分離を安定に行うことができる。
【０１０７】この発明（請求項５１）に係る半導体装置
の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項
４８または４９）において、上記スライド手段が、へら
状の先端部を有するから、この先端部により半導体基板
と補強板の間の間隔を増大させようとする力が働くた
め、半導体基板と補強板の分離を短時間で容易に行うこ
とができる。
【０１０８】
【実施例】
実施例１．この発明の第１の実施例について説明する。
図１に、この発明の第１の実施例による半導体装置の製
造方法及び半導体装置の製造装置を示す。図において、
１はＧａＡｓ基板（半導体基板）を補強するためのガラ
ス板（補強板）、２はＧａＡｓ基板、４はガラス板（補
強板）を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基板を保持，
収容するための補強板支持上方カセット、５はＧａＡｓ
基板を収容するための半導体基板カセット、６はワック
ス（接着剤）を溶解するためのソルベントナフサ等を成
分とする有機溶剤、７は有機溶剤を収容するための容
器、８は容器（有機溶剤）を加熱するためのヒーター
（加熱器）である。
【０１０９】本実施例１の半導体装置の製造方法は以下
のようなものである。まず、図１(a) に示すように、ガ
ラス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ
基板２を補強板支持上方カセット４に収納し、この基板
面が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、こ
れを容器７に収容され、ヒーター８で１００℃程度に加
熱された有機溶剤６に浸漬する。通常、半日程度浸漬す
るとワックスが軟化、溶融し、ＧａＡｓ基板自身が有す
るストレスあるいはＧａＡｓ基板表面に形成された半導
体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半導体薄膜等のスト
レスに起因する、ＧａＡｓ基板に反りを与えるようなス
トレスが、ワックスの残留粘着力に打ち勝つと、ＧａＡ
ｓ基板２は図１(b) に示すように、ガラス板１から自然
降下により分離され、重力により自然落下して半導体基
板カセット５に収納される。補強板支持上方カセット４
はガラス板１を保持する機能を有するが、その下部には
開口部が設けられており、ＧａＡｓ基板２はこの開口部
を通って、半導体基板カセット５に収納される。さら
に、ＧａＡｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤６
によって溶解され、除去される。
【０１１０】本実施例１の半導体装置の製造装置は、ガ
ラス板（補強板）を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基
板を保持，収容するための補強板支持上方カセット４、
この補強板支持上方カセットの直下に設けられた、Ｇａ
Ａｓ基板２を収納するための半導体基板カセット５、接
着剤を溶解する有機溶剤６を収容するための容器７、容
器（有機溶剤）を加熱するためのヒーター８を備えてい
る。これを用いて上記の製造方法を実行することができ
る。
【０１１１】上記の本実施例１の半導体装置の製造方法
では、上記のように加熱された有機溶剤によりワックス
（接着剤）を溶融、溶解させることにより、ＧａＡｓ基
板（半導体基板）をガラス板（補強板）から自然降下に
より分離させ、さらにこのＧａＡｓ基板は重力により補
強板支持上方カセットから自然落下し、半導体基板カセ
ットに収納される。この過程においては、従来の製造方
法のように、ピンセットでＧａＡｓ基板に外部より直接
的に力を加えて、ガラス板から分離させることはない。
このため、外部からＧａＡｓ基板にその面に対して垂直
方向の力が加わることがなく、ＧａＡｓ基板の割れ等の
損傷の発生を抑制することができる。これと同時に、Ｇ
ａＡｓ基板に付着したワックスを有機溶剤で溶解するこ
とにより除去することができる。また、補強板支持上方
カセットから自然落下したＧａＡｓ基板を補強板支持上
方カセット直下の半導体基板カセットに収納することに
より、ＧａＡｓ基板のガラス板からの分離に引き続き、
分離されたＧａＡｓ基板の収納を特別の操作無しに行う
ことができる。
【０１１２】また、上記の本実施例１の製造装置を用い
ると、補強板支持上方カセットで保持されたガラス板付
きのＧａＡｓ基板を、容器に収容され、ヒーターで加熱
された有機溶剤に浸漬して、ＧａＡｓ基板とガラス板の
間のワックスを軟化させ、これによりＧａＡｓ基板をガ
ラス板から自然降下により分離し、補強板支持上方カセ
ットから自然落下したＧａＡｓ基板を半導体基板カセッ
トに収納することができる。すなわち、上記の半導体装
置の製造方法を実現することができ、ＧａＡｓ基板のガ
ラス板からの分離に伴う、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷
の発生を抑制することができると同時にＧａＡｓ基板に
付着したワックスを除去することができる。
【０１１３】なお、補強板支持上方カセット４に収納さ
れた、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛
直方向と平行となるように保持されていなくても、水平
方向以外の方向に保持されていればよい。この場合も、
ＧａＡｓ基板２をガラス板１から自然降下により分離さ
せ、さらに重力によってＧａＡｓ基板２を半導体基板カ
セット５に自然落下させることができる。
【０１１４】実施例２．この発明の第２の実施例につい
て説明する。図２に、この発明の第２の実施例による半
導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。
図において、１はＧａＡｓ基板を補強するためのガラス
板、２はＧａＡｓ基板、３はワックス（接着剤）、４は
ガラス板を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基板を保
持，収容するための補強板支持上方カセット、５はＧａ
Ａｓ基板を収容するための半導体基板カセット、６はワ
ックスを溶解するためのソルベントナフサ等を成分とす
る有機溶剤、７は有機溶剤を収容するための容器、８は
容器（有機溶剤）を加熱するためのヒータ、９はスライ
ド治具である。
【０１１５】本実施例２の半導体装置の製造方法は、以
下のようなものである。まず、実施例１と同様に、ガラ
ス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ基
板２を補強板支持上方カセット４に収納し、この基板面
が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、これ
を容器７に収容され、ヒーター８で１００℃程度に加熱
された有機溶剤６に浸漬する。次に、ある程度ワックス
が軟化したところで、図２(a) に示すように、スライド
治具９を用いて、ＧａＡｓ基板２に下向きの力を加え
て、同方向に摺動させる。摺動方向は、図中では矢印で
示してある。この摺動方向は、ＧａＡｓ基板面に平行な
方向である。これにより、ＧａＡｓ基板２は図２(b) に
示すように、ガラス板１から分離され、重力により自然
落下して半導体基板カセット５に収納される。さらに、
ＧａＡｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤６によ
って溶解され、除去される。
【０１１６】本実施例２の半導体装置の製造装置は、ガ
ラス板１付きのＧａＡｓ基板２をガラス板１を支持して
保持，収容するための補強板支持上方カセット４、この
補強板支持上方カセットの直下に設けられた、ＧａＡｓ
基板２を収容するための半導体基板カセット５、ワック
スを溶融、溶解する有機溶剤６を収容するための容器
７、有機溶剤を加熱するためのヒーター８、及びＧａＡ
ｓ基板２を下方向に摺動させるためのスライド治具９を
備えている。これを用いて上記の半導体装置の製造方法
を実行することができる。
【０１１７】本実施例２の半導体装置の製造方法におい
ては、ＧａＡｓ基板自身が有するストレスあるいはＧａ
Ａｓ基板表面に形成された半導体素子を構成する絶縁
膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因するＧａＡ
ｓ基板に反りを与えるようなストレスが、ワックスの残
留粘着力に打ち勝つ必要は無く、相当程度の粘着力がワ
ックスに残っていても、スライド治具９により、ＧａＡ
ｓ基板２を強制的に下方向に摺動させることにより、Ｇ
ａＡｓ基板２がガラス板１から分離される。この際、Ｇ
ａＡｓ基板を、ＧａＡｓ基板とガラス板との接合面に沿
って摺動させるため、ＧａＡｓ基板にその面に垂直な方
向の力が加わることが無く、ＧａＡｓ基板の割れ等の損
傷の発生を抑制することができる。また、これと同時に
ＧａＡｓ基板に付着したワックスを除去することができ
る。さらに、上記のようにＧａＡｓ基板を強制的に摺動
させているため、実施例１の製造方法を用いるよりも、
短時間でＧａＡｓ基板２とガラス板１を分離することが
できる。
【０１１８】なお、補強板支持上方カセット４に収納さ
れた、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛
直方向と平行となるように保持されていなくてもよい。
すなわち、基板面はどのような方向に保持されていて
も、上述のようにスライド治具９により、基板面に沿っ
て強制的にＧａＡｓ基板２を摺動させた後、重力によっ
てこのＧａＡｓ基板を半導体基板カセット５に自然落下
させることができる。
【０１１９】実施例３．この発明の第３の実施例につて
説明する。図３に、この発明の第３の実施例による半導
体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。図
３(a),(c) は、ガラス板及びＧａＡｓ基板に垂直な面で
の断面図、図３(b),(d) は、ガラス板及びＧａＡｓ基板
に平行な面での断面図である。図において、１はＧａＡ
ｓ基板を補強するためのガラス板、２はＧａＡｓ基板、
３はワックス、１０４はＧａＡｓ基板（半導体基板）を
支持して、ガラス板付きのＧａＡｓ基板を保持，収容す
る半導体基板支持上方カセット、１０５はＧａＡｓ基板
から分離されたガラス板（補強板）を収納するための補
強板カセット、６はワックスを溶解するためのソルベン
トナフサ等を成分とする有機溶剤、７は有機溶剤を収容
するための容器、８は容器（有機溶剤）を加熱するため
のヒータ、９はスライド治具である。
【０１２０】本実施例３の半導体装置の製造方法は、以
下のようなものである。まず、ガラス板１がワックスに
より貼り付けられているＧａＡｓ基板２をＧａＡｓ基板
２を支持するように半導体基板支持上方カセット１０４
に収納し、この基板面が鉛直方向と平行となるように保
持するとともに、これを容器７に収容され、ヒーター８
で１００℃程度に加熱された有機溶剤６に浸漬する。次
に、ある程度ワックスが軟化したところで、図３(a),
(b) に示すように、スライド治具９を用いて、ガラス板
１に下向きの力を加えて、同方向（図中の矢印の方向）
に摺動させる。この摺動方向は、ＧａＡｓ基板面に平行
な方向である。これにより、ガラス板１は図３(c),(d)
に示すように、ＧａＡｓ基板２から分離され、重力によ
り自然落下して補強板カセット１０５に収納される。半
導体基板支持上方カセット１０４の底には、ＧａＡｓ基
板２から分離されたガラス板１が通過できる程度の開口
部が設けられている。さらに、ＧａＡｓ基板２に付着し
たワックスは、有機溶剤６によって溶解され、除去され
る。
【０１２１】本実施例３の半導体装置の製造装置は、Ｇ
ａＡｓ基板（半導体基板）２を支持してガラス板１付き
のＧａＡｓ基板２を保持，収容するための半導体基板支
持上方カセット１０４、この半導体基板支持上方カセッ
トの直下に設けられた、ガラス板１を収容するための補
強板カセット１０５、接着剤を溶解する有機溶剤６を収
容するための容器７、有機溶剤を加熱するためのヒータ
ー８、及びガラス板１を下方向に摺動させるためのスラ
イド治具９を備えている。半導体基板支持上方カセット
１０４は、図３に示したように、その上面からはＧａＡ
ｓ基板２が貼り付けられたガラス板１を挿入することが
できるが、その下面はガラス板１のみが通過することが
できるようになっている。また、ＧａＡｓ基板周縁が接
触するカセットの面は、図のように傾斜面となっている
ため、ＧａＡｓ基板をここで支持することができる。さ
らに、これによりガラス板が分離された後のＧａＡｓ基
板を安定にこの上方カセット１０４に残すことができ
る。従って、この装置を用いて上記の製造方法を実行す
ることができる。
【０１２２】本実施例３の半導体装置の製造方法におい
ては、ＧａＡｓ基板自身が有するストレスあるいはＧａ
Ａｓ基板表面に形成された半導体素子を構成する絶縁
膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因するＧａＡ
ｓ基板に反りを与えるようなストレスが、ワックスの残
留粘着力に打ち勝つ必要は無く、相当程度の粘着力がワ
ックスに残っていても、スライド治具９により、ガラス
板１を強制的に下方向に摺動させることにより、ガラス
板１はＧａＡｓ基板２から分離される。この際、ガラス
板を、ＧａＡｓ基板とガラス板との接合面に沿って摺動
させるため、ＧａＡｓ基板にその面に垂直な方向の力が
加わることが無く、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生
を抑制することができる。また、これと同時にＧａＡｓ
基板に付着したワックスを有機溶剤に溶解させて、除去
することができる。さらに、上記のようにガラス板を強
制的に摺動させているため、実施例１の製造方法を用い
るよりも、短時間でＧａＡｓ基板２とガラス板１を分離
することができる。
【０１２３】なお、半導体基板支持上方カセット１０４
に収納された、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板
面は、鉛直方向と平行となるように保持されていなくて
もよい。すなわち、基板面はどのような方向に保持され
ていても、上述のようにスライド治具９により、基板面
に沿って強制的にガラス板１を摺動させた後、重力によ
ってこのガラス板を補強板カセット１０５に自然落下さ
せることができる。
【０１２４】実施例４．この発明の第４の実施例につい
て説明する。図４に、この発明の第４の実施例による半
導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。
図において、１はＧａＡｓ基板（半導体基板）を補強す
るためのガラス板（補強板）、２はＧａＡｓ基板、４は
ガラス板を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基板を保
持，収容するための補強板支持上方カセット、５はＧａ
Ａｓ基板を収容するための半導体基板カセット、６はワ
ックス（接着剤）を溶解するためのソルベントナフサ等
を成分とする有機溶剤、１０７は加圧された有機溶剤を
収容するための気密容器、８は気密容器（有機溶剤）を
加熱するためのヒーター（加熱器）、１０は有機溶剤を
大気圧以上の圧力に加圧するための溶剤加圧ポンプであ
る。
【０１２５】本実施例４の半導体装置の製造方法は以下
のようなものである。まず、図４(a) に示すように、ガ
ラス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ
基板２を補強板支持上方カセット４に収納し、この基板
面が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、こ
れを気密容器１０７に収容されている、ヒーター８で１
００℃程度に加熱され、さらに溶剤加圧ポンプ１０で大
気圧以上の圧力に加圧された有機溶剤６に浸漬する。ワ
ックスが軟化、溶融し、ＧａＡｓ基板自身が有するスト
レスあるいはＧａＡｓ基板表面に形成された半導体素子
を構成する絶縁膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに
起因する、ＧａＡｓ基板に反りを与えるようなストレス
が、ワックスの残留粘着力に打ち勝つと、ＧａＡｓ基板
２は図４(b) に示すように、ガラス板１から自然降下に
より分離され、重力により自然落下して半導体基板カセ
ット５に収納される。補強板支持上方カセット４はガラ
ス板１を保持する機能を有するが、その下部には開口部
が設けられており、ＧａＡｓ基板２はこの開口部を通っ
て、半導体基板カセット５に収納される。さらに、Ｇａ
Ａｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤６によって
溶解され、除去される。
【０１２６】本実施例４の半導体装置の製造装置は、ガ
ラス板１付きのＧａＡｓ基板２をガラス板１を支持して
保持，収容するための補強板支持上方カセット４、この
補強板支持上方カセットの直下に設けられた、ＧａＡｓ
基板２を収容するための半導体基板カセット５、ワック
スを溶解する高圧の有機溶剤を収容するための気密容器
１０７、気密容器（有機溶剤）を加熱するためのヒータ
ー８、有機溶剤を大気圧以上の圧力に加圧するための溶
剤加圧ポンプ１０を備えている。これを用いて上記の製
造方法を実行することができる。
【０１２７】上記の本実施例４の半導体装置の製造方法
では、上記のように加熱され、加圧された有機溶剤によ
ってワックス（接着剤）を溶融、溶解させることによ
り、ＧａＡｓ基板（半導体基板）をガラス板（補強板）
から自然降下により分離させ、さらにこのＧａＡｓ基板
は重力により補強板支持上方カセットから自然落下し、
半導体基板カセットに収納される。この過程において
は、従来の製造方法のように、ピンセットでＧａＡｓ基
板に外部より直接的に力を加えて、ガラス板から分離さ
せることはない。このため、外部からＧａＡｓ基板の面
に垂直な方向の力が加わることはなく、ＧａＡｓ基板の
割れ等の損傷の発生を抑制することができる。また、こ
れと同時にＧａＡｓ基板に付着したワックスを除去する
ことができる。さらに、有機溶剤が大気圧以上の圧力に
加圧されているため、ガラス板からのＧａＡｓ基板の分
離及びＧａＡｓ基板に付着したワックスの除去は、実施
例１の製造方法を用いた場合より、容易となる。
【０１２８】なお、補強板支持上方カセット４に収納さ
れた、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛
直方向と平行となるように保持されていなくても、水平
方向以外の方向に保持されていればよい。この場合も、
ＧａＡｓ基板２をガラス板１から自然降下により分離さ
せ、さらに重力によってＧａＡｓ基板２を半導体基板カ
セット５に自然落下させることができる。
【０１２９】実施例５．この発明の第５の実施例につい
て説明する。図５に、この発明の第５の実施例による半
導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。
図において、１はＧａＡｓ基板を補強するためのガラス
板、２はＧａＡｓ基板、３はワックス（接着剤）、４は
ガラス板を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基板を保
持，収容するための補強板支持上方カセット、５はＧａ
Ａｓ基板を収容するための半導体基板カセット、６はワ
ックスを溶解するためのソルベントナフサ等を成分とす
る有機溶剤、１０７は加圧された有機溶剤を収容するた
めの気密容器、８は気密容器（有機溶剤）を加熱するた
めのヒータ、９はスライド治具、１０は有機溶剤を大気
圧以上の圧力に加圧するための溶剤加圧ポンプである。
【０１３０】本実施例５の半導体装置の製造方法は、以
下のようなものである。まず、実施例４と同様に、ガラ
ス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ基
板２を補強板支持上方カセット４に収納し、この基板面
が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、これ
を容器７に収容され、ヒーター８で１００℃程度に加熱
され、さらに溶剤加圧ポンプ１０で大気圧以上の圧力に
加圧された有機溶剤６に浸漬する。次に、ある程度ワッ
クスが軟化したところで、図５(a) に示すように、スラ
イド治具９を用いて、ＧａＡｓ基板２に下向きの力を加
えて、同方向に摺動させる。この摺動方向は、ＧａＡｓ
基板面に平行な方向である。これにより、ＧａＡｓ基板
２は図５(b) に示すように、ガラス板１から分離され、
重力により自然落下して半導体基板カセット５に収納さ
れる。さらに、ＧａＡｓ基板２に付着したワックスは、
有機溶剤によって溶解され、除去される。
【０１３１】本実施例５の半導体装置の製造装置は、ガ
ラス板１付きのＧａＡｓ基板２をガラス板１を支持して
保持，収容するための補強板支持上方カセット４、この
補強板支持上方カセットの直下に設けられた、ＧａＡｓ
基板２を収容するための半導体基板カセット５、ワック
スを溶融、溶解する加圧された有機溶剤を収容するため
の気密容器１０７、有機溶剤を加熱するためのヒーター
８、及びＧａＡｓ基板２を下方向に摺動させるためのス
ライド治具９、有機溶剤を大気圧以上の圧力に加圧する
ための溶剤加圧ポンプ１０を備えている。これを用いて
上記の半導体装置の製造方法を実行することができる。
【０１３２】本実施例５の半導体装置の製造方法におい
ては、ＧａＡｓ基板自身が有するストレスあるいはＧａ
Ａｓ基板表面に形成された半導体素子を構成する絶縁
膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因するＧａＡ
ｓ基板に反りを与えるようなストレスが、ワックスの残
留粘着力に打ち勝つ必要は無く、相当程度の粘着力がワ
ックスに残っていても、スライド治具９により、ＧａＡ
ｓ基板２を強制的に下方向に摺動させることにより、Ｇ
ａＡｓ基板２がガラス板１から分離される。この際、Ｇ
ａＡｓ基板を、ＧａＡｓ基板とガラス板との接合面に沿
って摺動させるため、ＧａＡｓ基板にこの接合面に垂直
な方向の力が加わることが無く、ＧａＡｓ基板の割れ等
の損傷の発生を抑制することができる。また、これと同
時にＧａＡｓ基板に付着したワックスを除去することが
できる。さらに、上記のようにＧａＡｓ基板を強制的に
摺動させているため、実施例４の製造方法を用いるより
も、短時間でＧａＡｓ基板２とガラス板１を分離するこ
とができる。また、有機溶剤が大気圧以上の圧力に加圧
されているため、ガラス板からのＧａＡｓ基板の分離及
びＧａＡｓ基板に付着したワックスの除去は、実施例２
の製造方法を用いた場合より、容易となる。
【０１３３】なお、補強板支持上方カセット４に収納さ
れた、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛
直方向と平行となるように保持されていなくてもよい。
すなわち、基板面はどのような方向に保持されていて
も、上述のようにスライド治具９により、基板面に沿っ
て強制的にＧａＡｓ基板２を摺動させた後、重力によっ
てこのＧａＡｓ基板を半導体基板カセット５に自然落下
させることができる。
【０１３４】実施例６．この発明の第６の実施例につて
説明する。図６に、この発明の第６の実施例による半導
体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。図
において、１はＧａＡｓ基板を補強するためのガラス
板、２はＧａＡｓ基板、３はワックス、１０４はＧａＡ
ｓ基板を支持して、ガラス板付きのＧａＡｓ基板を保
持，収容する半導体基板支持上方カセット、１０５はガ
ラス板を収納するための補強板カセット、６はワックス
を溶解するためのソルベントナフサ等を成分とする有機
溶剤、１０７は加圧された有機溶剤を収容するための気
密容器、８は容器（有機溶剤）を加熱するためのヒー
タ、９はスライド治具、１０は有機溶剤を大気圧以上の
圧力に加圧するための溶剤加圧ポンプである。
【０１３５】本実施例６の半導体装置の製造方法は、以
下のようなものである。まず、ガラス板１がワックスに
より貼り付けられているＧａＡｓ基板２をＧａＡｓ基板
２を支持するように半導体基板支持上方カセット１０４
に収納し、この基板面が鉛直方向と平行となるように保
持するとともに、これを容器１０７に収容され、ヒータ
ー８で１００℃程度に加熱され、さらに溶剤加圧ポンプ
１０で大気圧以上の圧力に加圧された有機溶剤６に浸漬
する。次に、ある程度ワックスが軟化したところで、図
６(a) に示すように、スライド治具９を用いて、ガラス
板１に下向きの力を加えて、同方向に摺動させる。この
摺動方向は、ＧａＡｓ基板面に平行な方向である。これ
により、ガラス板１は図６(b) に示すように、ＧａＡｓ
基板２から分離され、重力により自然落下して補強板カ
セット１０５に収納される。半導体基板支持上方カセッ
ト１０４の底には、ＧａＡｓ基板２から分離されたガラ
ス板１が通過できる程度の開口部が設けられている。さ
らに、ＧａＡｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤
６によって溶解され、除去される。
【０１３６】本実施例６の半導体装置の製造装置は、Ｇ
ａＡｓ基板（半導体基板）２を支持してガラス板１付き
のＧａＡｓ基板２を保持，収容するための半導体基板支
持上方カセット１０４、この半導体基板支持上方カセッ
トの直下に設けられた、ＧａＡｓ基板２から分離された
ガラス板１を収容するための補強板カセット１０５、ワ
ックスを溶解する加圧された有機溶剤６を収容するため
の気密容器１０７、有機溶剤を加熱するためのヒーター
８、及びガラス板１を下方向に摺動させるためのスライ
ド治具９、有機溶剤を大気圧以上の圧力に加圧するため
の溶剤加圧ポンプ１０を備えている。半導体基板支持上
方カセット１０４の構造は、既に実施例３で説明した通
りである。この装置を用いて上記の製造方法を実行する
ことができる。
【０１３７】本実施例６の半導体装置の製造方法におい
ては、ＧａＡｓ基板自身が有するストレスあるいはＧａ
Ａｓ基板表面に形成された半導体素子を構成する絶縁
膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因するＧａＡ
ｓ基板に反りを与えるようなストレスが、ワックスの残
留粘着力に打ち勝つ必要は無く、相当程度の粘着力がワ
ックスに残っていても、スライド治具９により、ガラス
板１を強制的に下方向に摺動させることにより、ガラス
板１がＧａＡｓ基板２から分離される。この際、ガラス
板を、ＧａＡｓ基板とガラス板との接合面に沿って摺動
させるため、ＧａＡｓ基板にその面に垂直な方向の力が
加わることが無く、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生
を抑制することができる。また、これと同時にＧａＡｓ
基板に付着したワックスを除去することができる。さら
に、上記のようにガラス板を強制的に摺動させているた
め、実施例４の製造方法を用いるよりも、短時間でＧａ
Ａｓ基板２とガラス板１を分離することができる。ま
た、有機溶剤が大気圧以上の圧力に加圧されているた
め、ガラス板からのＧａＡｓ基板の分離及びＧａＡｓ基
板に付着したワックスの除去は、実施例３の製造方法を
用いた場合より、容易となる。
【０１３８】なお、半導体基板支持上方カセット１０４
に収納された、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板
面は、鉛直方向と平行となるように保持されていなくて
もよい。すなわち、基板面はどのような方向に保持され
ていても、上述のようにスライド治具９により、基板面
に沿って強制的にガラス板１を摺動させた後、重力によ
ってこのガラス板を補強板カセット１０５に自然落下さ
せることができる。
【０１３９】実施例７．この発明の第７の実施例につい
て説明する。図７に、この発明の第７の実施例による半
導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。
図において、１はＧａＡｓ基板（半導体基板）を補強す
るためのガラス板（補強板）、２はＧａＡｓ基板、４は
ガラス板を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基板を保
持，収容するための補強板支持上方カセット、５はＧａ
Ａｓ基板を収納するための半導体基板カセット、１０６
はワックス（接着剤）を溶解するためのソルベントナフ
サ等を成分とする気体である有機溶剤（有機溶剤の蒸
気）、１０７は有機溶剤蒸気を収容するための気密容
器、８は気密容器を加熱するためのヒーター（加熱
器）、１０８は有機溶剤蒸気を加熱するためのヒーター
（溶剤蒸気加熱器）、１１０は大気圧以上の圧力の有機
溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器である。
【０１４０】本実施例７の半導体装置の製造方法は以下
のようなものである。まず、図７(a) に示すように、ガ
ラス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ
基板２を補強板支持上方カセット４に収納し、この基板
面が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、こ
れを気密容器１０７に収容された、ヒーター８及び１０
８で１００℃程度に加熱され、大気圧以上の圧力に加圧
された有機溶剤の蒸気１０６に曝す。ワックスが軟化、
溶融し、ＧａＡｓ基板自身が有するストレスあるいはＧ
ａＡｓ基板表面に形成された半導体素子を構成する絶縁
膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因する、Ｇａ
Ａｓ基板に反りを与えるようなストレスが、ワックスの
残留粘着力に打ち勝つと、ＧａＡｓ基板２は図７(b) に
示すように、ガラス板１から自然降下により分離され、
重力により自然落下して半導体基板カセット５に収納さ
れる。補強板支持上方カセット４はガラス板１を保持す
る機能を有するが、その下部には開口部が設けられてお
り、ＧａＡｓ基板２はこの開口部を通って、半導体基板
カセット５に収納される。さらに、ＧａＡｓ基板２に付
着したワックスは、有機溶剤蒸気１０６によって溶解さ
れ、除去される。
【０１４１】本実施例７の半導体装置の製造装置は、ガ
ラス板１付きのＧａＡｓ基板２をガラス板１を支持して
保持，収容するための補強板支持上方カセット４、この
補強板支持上方カセットの直下に設けられた、ＧａＡｓ
基板２を収容するための半導体基板カセット５、ワック
スを溶融、溶解する大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を
収容するための気密容器１０７、有機溶剤蒸気を加熱す
るためのヒーター８及び１０８、大気圧以上の圧力の有
機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器１１０を備え
ている。これを用いて上記の製造方法を実行することが
できる。
【０１４２】上記の本実施例７の半導体装置の製造方法
では、上記のように加熱された大気圧より高い圧力の有
機溶剤蒸気によりワックス（接着剤）を溶融、溶解させ
ることにより、ＧａＡｓ基板（半導体基板）をガラス板
（補強板）から自然降下により分離させる。さらにこの
ＧａＡｓ基板は重力により補強板支持上方カセットから
自然落下し、半導体基板カセットに収納される。この過
程においては、従来の製造方法のように、ピンセットで
ＧａＡｓ基板に外部より直接的に力を加えて、ガラス板
から分離させることはない。このため、ＧａＡｓ基板に
外部からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、
ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することがで
きる。また、これと同時にＧａＡｓ基板に付着したワッ
クスを除去することができる。
【０１４３】なお、補強板支持上方カセット４に収納さ
れた、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛
直方向と平行となるように保持されていなくても、水平
方向以外の方向に保持されていればよい。この場合も、
ＧａＡｓ基板２をガラス板１から自然降下により分離さ
せ、さらに重力によってＧａＡｓ基板２を半導体基板カ
セット５に自然落下させることができる。
【０１４４】実施例８．この発明の第８の実施例につい
て説明する。図８に、この発明の第８の実施例による半
導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。
図において、１はＧａＡｓ基板を補強するためのガラス
板、２はＧａＡｓ基板、３はワックス（接着剤）、４は
ガラス板を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基板を保
持，収容するための補強板支持上方カセット、５はＧａ
Ａｓ基板を収容するための半導体基板カセット、１０６
はワックスを溶解するためのソルベントナフサ等を成分
とする気体である有機溶剤（有機溶剤の蒸気）、１０７
は加圧された有機溶剤蒸気を収容するための気密容器、
８は気密容器を加熱するためのヒータ、１０８は有機溶
剤蒸気を加熱するためのヒーター（溶剤蒸気加熱器）、
９はスライド治具、１１０は大気圧以上の圧力の有機溶
剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器である。
【０１４５】本実施例８の半導体装置の製造方法は、以
下のようなものである。まず、実施例７と同様に、ガラ
ス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ基
板２を補強板支持上方カセット４に収納し、この基板面
が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、これ
を容器７に収容された、ヒーター８で１００℃程度に加
熱され、大気圧以上の圧力に加圧された有機溶剤の蒸気
１０６に曝す。次に、ある程度ワックスが軟化したとこ
ろで、図８(a) に示すように、スライド治具９を用い
て、ＧａＡｓ基板２に下向きの力を加えて、同方向に摺
動させる。この摺動方向は、ＧａＡｓ基板面に平行な方
向である。これにより、ＧａＡｓ基板２は図８(b) に示
すように、ガラス板１から分離され、重力により自然落
下して半導体基板カセット５に収納される。さらに、Ｇ
ａＡｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤蒸気によ
って溶解され、除去される。
【０１４６】本実施例８の半導体装置の製造装置は、ガ
ラス板１付きのＧａＡｓ基板２をガラス板１を支持して
保持，収容するための補強板支持上方カセット４、この
補強板支持上方カセットの直下に設けられた、ＧａＡｓ
基板２を収容するための半導体基板カセット５、ワック
スを溶融、溶解する大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を
収容するための気密容器１０７、有機溶剤蒸気を加熱す
るためのヒーター８及び１０８、ＧａＡｓ基板２を下方
向に摺動させるためのスライド治具９、大気圧以上の圧
力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器１１０
を備えている。これを用いて上記の半導体装置の製造方
法を実行することができる。
【０１４７】本実施例８の半導体装置の製造方法におい
ては、ＧａＡｓ基板自身が有するストレスあるいはＧａ
Ａｓ基板表面に形成された半導体素子を構成する絶縁
膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因するＧａＡ
ｓ基板に反りを与えるようなストレスが、ワックスの残
留粘着力に打ち勝つ必要は無く、相当程度の粘着力がワ
ックスに残っていても、スライド治具９により、ＧａＡ
ｓ基板２を強制的に下方向に摺動させることにより、Ｇ
ａＡｓ基板２がガラス板１から分離される。この際、Ｇ
ａＡｓ基板を、ＧａＡｓ基板とガラス板との接合面に沿
って摺動させるため、ＧａＡｓ基板にその面に垂直な方
向の力が加わることが無く、ＧａＡｓ基板の割れ等の損
傷の発生を抑制することができる。また、これと同時に
ＧａＡｓ基板に付着したワックスを除去することができ
る。さらに、上記のようにＧａＡｓ基板を強制的に摺動
させているため、実施例７の製造方法を用いるよりも、
短時間でＧａＡｓ基板２とガラス板１を分離することが
できる。
【０１４８】なお、補強板支持上方カセット４に収納さ
れた、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛
直方向と平行となるように保持されていなくてもよい。
すなわち、基板面はどのような方向に保持されていて
も、上述のようにスライド治具９により、基板面に沿っ
て強制的にＧａＡｓ基板２を摺動させた後、重力によっ
てこのＧａＡｓ基板を半導体基板カセット５に自然落下
させることができる。
【０１４９】実施例９．この発明の第９の実施例につい
て説明する。図９に、この発明の第９の実施例による半
導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。
図において、１はＧａＡｓ基板を補強するためのガラス
板、２はＧａＡｓ基板、３はワックス（接着剤）、１０
４はＧａＡｓ基板を支持して、ガラス板付きのＧａＡｓ
基板を保持，収容する半導体基板支持上方カセット、１
０５はガラス板を収納するための補強板カセット、１０
６はワックスを溶解するためのソルベントナフサ等を成
分とする気体である有機溶剤（有機溶剤の蒸気）、１０
７は加圧された有機溶剤蒸気を収容するための気密容
器、８は気密容器を加熱するためのヒータ、１０８は有
機溶剤蒸気を加熱するためのヒーター（溶剤蒸気加熱
器）、９はスライド治具、１１０は大気圧以上の圧力の
有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器である。
【０１５０】本実施例９の半導体装置の製造方法は、以
下のようなものである。まず、ガラス板１がワックスに
より貼り付けられているＧａＡｓ基板２をＧａＡｓ基板
２を支持するように半導体基板支持上方カセット１０４
に収納し、この基板面が鉛直方向と平行となるように保
持するとともに、これを容器１０７に収容された、ヒー
ター８で１００℃程度に加熱され、大気圧以上の圧力に
加圧された有機溶剤の蒸気１０６に曝す。次に、ある程
度ワックスが軟化したところで、図９(a) に示すよう
に、スライド治具９を用いて、ガラス板１に下向きの力
を加えて、同方向に摺動させる。この摺動方向は、Ｇａ
Ａｓ基板面に平行な方向である。これにより、ガラス板
１は図９(b) に示すように、ＧａＡｓ基板２から分離さ
れ、重力により自然落下して補強板カセット１０５に収
納される。半導体基板支持上方カセット１０４の底に
は、ＧａＡｓ基板２から分離されたガラス板１が通過で
きる程度の開口部が設けられている。さらに、ＧａＡｓ
基板２に付着したワックスは、有機溶剤蒸気によって溶
解され、除去される。
【０１５１】本実施例９の半導体装置の製造装置は、半
導体基板２を支持してガラス板１付きのＧａＡｓ基板２
を保持，収容するための半導体基板支持上方カセット１
０４、この半導体基板支持上方カセットの直下に設けら
れた、ガラス板１を収容するための補強板カセット１０
５、ワックスを溶融、溶解する大気圧以上の圧力の有機
溶剤蒸気を収容するための気密容器１０７、有機溶剤蒸
気を加熱するためのヒーター８及び１０８、ガラス板１
を下方向に摺動させるためのスライド治具９、大気圧以
上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器
１１０を備えている。半導体基板支持上方カセット１０
４の構造は、既に実施例３で説明した通りである。この
装置を用いて上記の半導体装置の製造方法を実行するこ
とができる。
【０１５２】本実施例９の半導体装置の製造方法におい
ては、ＧａＡｓ基板自身が有するストレスあるいはＧａ
Ａｓ基板表面に形成された半導体素子を構成する絶縁
膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因するＧａＡ
ｓ基板に反りを与えるようなストレスが、ワックスの残
留粘着力に打ち勝つ必要は無く、相当程度の粘着力がワ
ックスに残っていても、スライド治具９により、ガラス
板１を強制的に下方向に摺動させることにより、ガラス
板１がＧａＡｓ基板２から分離される。この際、ガラス
板を、ＧａＡｓ基板とガラス板との接合面に沿って摺動
させるため、ＧａＡｓ基板にその面に垂直な方向の力が
外部から加わることが無く、ＧａＡｓ基板の割れ等の損
傷の発生を抑制することができる。また、これと同時に
ＧａＡｓ基板に付着したワックスを除去することができ
る。さらに、上記のようにガラス板を強制的に摺動させ
ているため、実施例７の製造方法を用いるよりも、短時
間でＧａＡｓ基板２とガラス板１を分離することができ
る。
【０１５３】なお、半導体基板支持上方カセット１０４
に収納された、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板
面は、鉛直方向と平行となるように保持されていなくて
もよい。すなわち、基板面はどのような方向に保持され
ていても、上述のようにスライド治具９により、基板面
に沿って強制的にガラス板２を摺動させた後、重力によ
ってこのガラス板を補強板カセット１０５に自然落下さ
せることができる。
【０１５４】実施例１０．この発明の第１０の実施例に
ついて説明する。図１０に、この発明の第１０の実施例
による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
を示す。図において、１はＧａＡｓ基板（半導体基板）
を補強するためのガラス板（補強板）、２はＧａＡｓ基
板、４はガラス板を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基
板を保持，収容するための補強板支持上方カセット、５
はＧａＡｓ基板を収容するための半導体基板カセット、
２０６はフッ酸溶液、２０７はフッ酸を収容するための
フッ酸容器、６はワックス（接着剤）を溶解するための
ソルベントナフサ等を成分とする有機溶剤、７は有機溶
剤を収容するための容器、８は容器を加熱するためのヒ
ーター（加熱器）である。
【０１５５】本実施例１０の半導体装置の製造方法は以
下のようなものである。まず、図１０(a) に示すよう
に、ガラス板１がワックスにより貼り付けられているＧ
ａＡｓ基板２を補強板支持上方カセット４に収納し、こ
の基板面が鉛直方向と平行となるように保持するととも
に、これをフッ酸容器２０７に収容され、ヒーター８で
加熱されたフッ酸溶液２０６に浸漬する。フッ酸にガラ
ス板１が溶解し、ガラス板１の直径が補強板支持上方カ
セット４で支持できる最小の直径より小さくなると、Ｇ
ａＡｓ基板２は、重力により自然落下して半導体基板カ
セット５に収納される。補強板支持上方カセットの下部
には開口部が設けられており、ＧａＡｓ基板２はこの開
口部を通って、半導体基板カセット５に収納される。ガ
ラス板１が完全にフッ酸に溶解してしまうまでＧａＡｓ
基板２はフッ酸溶液２０６に浸漬しておく。次に、これ
らのカセット及びそれに収納されたＧａＡｓ基板をフッ
酸容器２０７から取り出し、水で洗浄した後、容器７に
収容され、ヒーター８で１００℃程度に加熱された有機
溶剤６に浸漬する。これにより、ＧａＡｓ基板２に付着
したワックスは、有機溶剤６によって溶解され、除去さ
れる。
【０１５６】本実施例１０の半導体装置の製造装置は、
ガラス板１を保持，収容するための補強板支持上方カセ
ット４、この補強板支持上方カセットの直下に設けられ
た、ＧａＡｓ基板２を収容するための半導体基板カセッ
ト５、ガラス板を溶解するフッ酸溶液を収容するための
フッ酸容器２０７、ワックスを溶解する有機溶剤を収容
するための容器７、容器７及び２０７を加熱するための
ヒーター８を備えている。これを用いて上記の製造方法
を実行することができる。
【０１５７】上記の本実施例１０の半導体装置の製造方
法では、上記のようにガラス板（補強板）を加熱された
フッ酸に溶解させることによって除去する。このため、
ＧａＡｓ基板は重力により補強板支持上方カセットから
自然落下し、半導体基板カセットに収納される。この過
程においては、従来の製造方法のように、ピンセットで
ＧａＡｓ基板に外部より直接的に力を加えて、ガラス板
から分離させることはない。このため、ＧａＡｓ基板に
その面に垂直な方向の力が加わることはなく、ＧａＡｓ
基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。さ
らに、ガラス板が除去されたＧａＡｓ基板を、加熱され
た有機溶剤に浸漬することにより、ワックス（接着剤）
を溶解させ、ＧａＡｓ基板表面に残ったワックスを除去
することができる。
【０１５８】なお、補強板支持上方カセット４に収納さ
れた、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛
直方向と平行となるように保持されていなくてもよい。
すなわち、基板面はどのような方向に保持されていて
も、上述のようにフッ酸により、ガラス板１を溶解させ
た後、重力によってＧａＡｓ基板２を半導体基板カセッ
ト５に自然落下させることができる。
【０１５９】実施例１１．この発明の第１１の実施例に
ついて説明する。図１１に、この発明の第１１の実施例
による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
を示す。図において、１はＧａＡｓ基板（半導体基板）
を補強するためのガラス板（補強板）、２はＧａＡｓ基
板、３はワックス、４はガラス板を支持してガラス板付
きのＧａＡｓ基板を保持，収容するための補強板支持上
方カセット、５はＧａＡｓ基板を収容するための半導体
基板カセット、６はワックスを溶解するための有機溶
剤、７は有機溶剤を収容するための容器、８は容器を加
熱するためのヒーター、１１７はガラス板を溶解するフ
ッ酸蒸気を吹き付けるノズル、３０７はフッ酸蒸気を収
容するためのフッ酸蒸気用容器である。
【０１６０】本実施例１１の半導体装置の製造方法は以
下のようなものである。まず、図１１(a) に示すよう
に、ガラス板１がワックスにより貼り付けられているＧ
ａＡｓ基板２を補強板支持上方カセット４に収納し、こ
の基板面が鉛直方向と平行となるように保持するととも
に、このガラス板にノズル１１７からフッ酸蒸気を吹き
付ける。フッ酸蒸気によってガラス基板１が溶解し、ガ
ラス板１の直径が補強板支持上方カセット４で支持でき
る最小の直径より小さくなると、ＧａＡｓ基板２は、重
力により自然落下して半導体基板カセット５に収納され
る。補強板支持上方カセットの下部には開口部が設けら
れており、ＧａＡｓ基板２はこの開口部を通って、半導
体基板カセット５に収納される。ガラス板１が完全に溶
解してしまうまでフッ酸蒸気の吹き付けは続ける。次
に、これらのカセット及びそれに収納されたＧａＡｓ基
板をフッ酸蒸気用容器３０７から取り出し、水で洗浄し
た後、図１１(b) に示すように、容器７に収容され、ヒ
ーター８で１００℃程度に加熱された有機溶剤６に浸漬
する。これにより、ＧａＡｓ基板２に付着したワックス
は、有機溶剤６によって溶解され、除去される。
【０１６１】本実施例１１の半導体装置の製造装置は、
ガラス板１を保持，収容するための補強板支持上方カセ
ット４、この補強板支持上方カセットの直下に設けられ
た、ＧａＡｓ基板２を収容するための半導体基板カセッ
ト５、ガラス板を溶解するフッ酸蒸気を吹き付けるノズ
ル１１７、フッ酸蒸気用容器３０７、ワックスを溶解す
る有機溶剤を収容するための容器７、容器７を加熱する
ためのヒーター８を備えている。これを用いて上記の製
造方法を実行することができる。
【０１６２】上記の本実施例１１の半導体装置の製造方
法では、上記のようにフッ酸蒸気を吹き付けることによ
りガラス板（補強板）を溶解させ、これを除去する。こ
のため、ＧａＡｓ基板は重力により補強板支持上方カセ
ットから自然落下し、半導体基板カセットに収納され
る。この過程においては、従来の製造方法のように、ピ
ンセットでＧａＡｓ基板に外部より直接的に力を加え
て、ガラス板から分離させることはないため、ＧａＡｓ
基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。さ
らに、ガラス板が除去されたＧａＡｓ基板を有機溶剤に
浸漬することにより、ＧａＡｓ基板表面に残ったワック
ス（接着剤）を溶解させ、これを除去することができ
る。
【０１６３】なお、補強板支持上方カセット４に収納さ
れた、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛
直方向と平行となるように保持されていなくてもよい。
すなわち、基板面はどのような方向に保持されていて
も、上述のようにフッ酸により、ガラス板１を溶解させ
た後、重力によってＧａＡｓ基板２を半導体基板カセッ
ト５に自然落下させることができる。
【０１６４】実施例１２．この発明の第１２の実施例に
ついて説明する。図１２に、この発明の第１２の実施例
による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
を示す。図において、１はＧａＡｓ基板（半導体基板）
を補強するためのガラス板（補強板）、２はＧａＡｓ基
板、３はワックス、４はガラス板を支持してガラス板付
きのＧａＡｓ基板を保持，収容するための補強板支持上
方カセット、５はＧａＡｓ基板を収容するための半導体
基板カセット、２０７はフッ酸を受けるためのフッ酸容
器、７は有機溶剤を受けるための容器、１７はガラス板
を溶解する液体のフッ酸を吹き付けるノズル、１８はワ
ックス（接着剤）を溶解するための液体の有機溶剤を吹
き付けるノズルである。
【０１６５】本実施例１２の半導体装置の製造方法は以
下のようなものである。まず、図１２(a) に示すよう
に、ガラス板１がワックスにより貼り付けられているＧ
ａＡｓ基板２を補強板支持上方カセット４に収納し、こ
の基板面が鉛直方向と平行となるように保持するととも
に、このガラス板にフッ酸吹き付けノズルから液体のフ
ッ酸溶液を吹き付ける。フッ酸によってガラス基板１が
溶解し、ガラス板１の直径が補強板支持上方カセット４
で支持できる最小の直径より小さくなると、ＧａＡｓ基
板２は、重力により自然落下して半導体基板カセット５
に収納される。補強板支持上方カセットの下部には開口
部が設けられており、ＧａＡｓ基板２はこの開口部を通
って、半導体基板カセット５に収納される。ガラス板１
が完全にフッ酸に溶解してしまうまでフッ酸溶液の吹き
付けは続ける。次に、水で上記ＧａＡｓ基板を洗浄した
後、ＧａＡｓ基板が収納された半導体基板カセットを容
器７に移し、図１２(b) に示すように、ノズル１８を用
いて液体の有機溶剤をＧａＡｓ基板表面に残ったワック
スに吹き付ける。これにより、ＧａＡｓ基板２に付着し
たワックスは、有機溶剤６によって溶解され、除去され
る。
【０１６６】本実施例１２の半導体装置の製造装置は、
ガラス板１を保持，収容するための補強板支持上方カセ
ット４、この補強板支持上方カセットの直下に設けられ
た、ＧａＡｓ基板２を収容するための半導体基板カセッ
ト５、ガラス板を溶解する液体のフッ酸を吹き付けるノ
ズル１７、ワックス（接着剤）を溶解する液体の有機溶
剤を吹き付けるノズル１８、ガラス板を溶解するフッ酸
溶液を受けるためのフッ酸容器２０７、ワックスを溶解
する有機溶剤を受けるための容器７を備えている。これ
を用いて上記の製造方法を実行することができる。
【０１６７】上記の本実施例１２の半導体装置の製造方
法では、上記のように液体のフッ酸を吹き付けることに
よりガラス板（補強板）を溶解させ、これを除去する。
このため、ＧａＡｓ基板は重力により補強板支持上方カ
セットから自然落下し、半導体基板カセットに収納され
る。この過程においては、従来の製造方法のように、ピ
ンセットでＧａＡｓ基板に外部より直接的に力を加え
て、ガラス板から分離させることはないため、ＧａＡｓ
基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。さ
らに、ガラス板が除去されたＧａＡｓ基板表面に残った
ワックスに液体の有機溶剤を吹き付けることにより、ワ
ックス（接着剤）を溶解させ、これを除去することがで
きる。
【０１６８】なお、補強板支持上方カセット４に収納さ
れた、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛
直方向と平行となるように保持されていなくてもよい。
すなわち、基板面はどのような方向に保持されていて
も、上述のようにフッ酸により、ガラス板１を溶解させ
た後、重力によってＧａＡｓ基板２を半導体基板カセッ
ト５に自然落下させることができる。
【０１６９】実施例１３．この発明の第１３の実施例に
ついて説明する。図１３に、この発明の第１３の実施例
による半導体装置の製造装置を示す。これは、上述の実
施例１，２，４，５，７，８，１０，１１及び１２にお
ける補強板支持上方カセット４と半導体基板カセット５
を一体形成したものである。図中の２０４がこの一体形
成カセットである。図１３の装置のこの他の構成は、実
施例１と同じである。すなわち、１はガラス板、２はＧ
ａＡｓ基板、６はワックスを溶解するための有機溶剤、
７は容器、８はヒーターである。
【０１７０】上記の本実施例１３の半導体装置の製造装
置を用いて、実施例１とまったく同様な製造方法が実現
できる。すなわち、図１３(a) に示すように、一体形成
カセットの補強板支持上方カセットに相当する部分に収
納した、ガラス板１がワックスにより貼り付けられてい
るＧａＡｓ基板２を加熱された有機溶剤６に浸漬して、
ガラス板とＧａＡｓ基板の間のワックスを溶融させるこ
とにより、ＧａＡｓ基板２をガラス板１から分離させ、
自然落下したＧａＡｓ基板２を一体形成カセット２０４
の半導体基板カセットに相当する部分に収納する。Ｇａ
Ａｓ基板２の表面に付着したワックスは、有機溶剤６に
より溶解され、除去される。
【０１７１】本実施例１３のような一体形成カセットで
は、カセットの取扱いが容易となり、また、補強板支持
上方カセットと半導体基板カセットの相対的な位置が固
定されているため、ガラス板から分離されたＧａＡｓ基
板を確実に半導体基板カセットに収納することができ
る。
【０１７２】なお、上述の実施例３，６，９における、
ガラス板付きのＧａＡｓ基板をＧａＡｓ基板を支持する
ことにより収納する半導体基板支持上方カセット１０４
と、ＧａＡｓ基板２から分離された後のガラス板２を収
納する補強板カセット１０５を一体形成してもよい。こ
れも上記の一体形成カセットと同様に、カセットの取扱
いが容易となり、また、半導体基板支持上方カセットと
補強板カセットの相対的な位置が固定されていることに
より、ＧａＡｓ基板から分離されたガラス板を確実に補
強板カセットに収納することができる。また、このよう
な一体形成カセットは、実施例１の製造方法のみではな
く、実施例２〜１２のいずれの製造方法においても用い
ることができる。
【０１７３】実施例１４．この発明の第１４の実施例に
ついて説明する。図１４に、この発明の第１４の実施例
による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
を示す。１はガラス板、２はＧａＡｓ基板、３はワック
ス、１１はバキューム孔、１２は上部吸着器、１３は上
部ヒーター、１４は下部吸着器、１５は下部ヒーターで
ある。
【０１７４】本実施例１４の半導体装置の製造方法は以
下のようなものである。まず、図１４に示すように、ワ
ックス３を介して貼り付けられているガラス板１とＧａ
Ａｓ基板２をそれぞれ下部吸着器１４と上部吸着器１２
に吸着させる。この吸着は、バキューム孔１１による真
空吸着である。さらに、上部ヒーター１３及び下部ヒー
ター１５により、ＧａＡｓ基板及びガラス板を加熱す
る。ワックス３に熱が伝わり、その温度が１００℃程度
になると、ワックスが溶融する。この後、上部吸着器１
２を、ＧａＡｓ基板及びガラス板の面に平行に、下部吸
着器１４に対して移動させる。これは、例えば図中の矢
印の方向の移動である。これにより、ＧａＡｓ基板２と
ガラス板１は分離される。なお、上部吸着器または下部
吸着器を移動させる方向は、ＧａＡｓ基板及びガラス板
の面に平行であれば、どのような方向であってもよい。
【０１７５】本実施例１４の半導体装置の製造装置は、
図１４に示すように、上部ヒーター１３及びバキューム
孔１１をその内部に有する上部吸着器１２、下部ヒータ
ー１５及びバキューム孔１１をその内部に有する下部吸
着器１４を備え、これらの吸着器のいずれか一方または
両方が、吸着面に平行な方向に移動できるようになって
いるものである。この製造装置を用いることにより、上
記の製造方法を実現することができる。
【０１７６】本実施例１４の製造方法においては、ガラ
ス板とＧａＡｓ基板をそれぞれ吸着器に吸着させて、加
熱することにより、ワックスを溶融させ、この後、吸着
器をＧａＡｓ基板及びガラス板の面に平行に、互いに異
なる方向に移動させることにより、ＧａＡｓ基板をガラ
ス板から分離させるから、ＧａＡｓ基板に対して外部か
らその面に垂直な方向の力が加わることが無く、ＧａＡ
ｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。
【０１７７】なお、ヒーターは上部吸着器及び下部吸着
器の両方に設ける必要はなく、図１５に示すように下部
吸着器のみに、または、図１６に示すように上部吸着器
のみに設けるようにしても同様の効果が得られる。
【０１７８】実施例１５．この発明の第１５の実施例に
ついて説明する。図１７に、この発明の第１５の実施例
による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
を示す。１はガラス板、２はＧａＡｓ基板、３はワック
ス、１１はバキューム孔、１４は下部吸着器、１５は下
部ヒーター、１６はピンセット状スライド治具である。
【０１７９】本実施例１５の半導体装置の製造方法は以
下のようなものである。まず、図１７に示すように、ワ
ックス３を介してＧａＡｓ基板２が貼り付いているガラ
ス板１のＧａＡｓ基板が付いていない面を下部吸着器１
４に吸着させる。この吸着は、バキューム孔１１による
真空吸着である。さらに、下部ヒーター１５により、ガ
ラス板を加熱する。ワックス３に熱が伝わり、その温度
が１００℃程度になると、ワックスが溶融する。この
後、ピンセット状スライド治具でＧａＡｓ基板の一端を
把握し、ＧａＡｓ基板をガラス板及びＧａＡｓ基板の面
に平行に、下部吸着器１４に対して摺動させる。これに
より、ＧａＡｓ基板２とガラス板１は分離される。
【０１８０】本実施例１５の半導体装置の製造装置は、
図１７に示すように、下部ヒーター１５及びバキューム
孔１１をその内部に有する下部吸着器１４と、ピンセッ
ト状スライド治具１６とを備え、このピンセット状スラ
イド治具１６によりＧａＡｓ基板を、吸着面に平行な方
向に摺動できるようになっているものである。この製造
装置を用いることにより、上記の製造方法を実現するこ
とができる。
【０１８１】本実施例１５の製造方法においては、ガラ
ス板を吸着器に吸着させて、加熱することにより、ワッ
クスを溶融させ、この後、ピンセット状スライド治具を
用いてＧａＡｓ基板をＧａＡｓ基板及びガラス板の面に
平行な方向に摺動させることにより、ＧａＡｓ基板をガ
ラス板から分離するから、ＧａＡｓ基板に対して外部か
らその面に垂直な方向の力が加わることが無く、ＧａＡ
ｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。
また、スライド治具の先端が、ピンセット状であるた
め、この先端がＧａＡｓ基板を確実に把握することがで
き、ＧａＡｓ基板とガラス板の分離を安定に行うことが
できる。
【０１８２】なお、ガラス板１を吸着させるのではな
く、図１８に示すようにＧａＡｓ基板２を吸着、加熱
し、ガラス板１を摺動させるようにしても同様の効果が
得られる。
【０１８３】また、スライド治具の形状は、ピンセット
状ではなく、図１９に示すような、へら状であってもよ
い。図１９(a) は、このへら状スライド治具１１６を備
えた半導体装置の製造装置の断面図であり、同図(b) は
この治具の上面図である。へら状スライド治具１１６を
用いてＧａＡｓ基板２を摺動させる場合は、この治具の
先端によりＧａＡｓ基板２とガラス板１の間の間隔を増
大させようとする力が働くため、ＧａＡｓ基板２とガラ
ス板１の分離を短時間で容易に行うことができる。この
治具を用いる場合も、ガラス板ではなく、ＧａＡｓ基板
を吸着、加熱し、ガラス板を摺動させるようにしてもよ
い。
【０１８４】
【発明の効果】以上のようにこの発明（請求項１）に係
る半導体装置の製造方法によれば、半導体基板の一主面
にこの半導体基板の機械的強度を補強する補強板を接着
剤により貼り付けて、上記半導体基板に対して所要の半
導体素子形成処理を行った後、上記補強板付きの上記半
導体基板を加熱された溶剤中に置き、上記接着剤を溶
融，溶解させて、上記半導体基板を上記補強板から分離
させるので、半導体基板に外部からその面に垂直な方向
の力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ
等の破損を防止することができる。さらに、分離後の半
導体基板の表面に残っている接着剤を、上記溶剤に溶解
させて、除去することができる。
【０１８５】また、この発明（請求項２）に係る半導体
装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１）において、上記溶剤が、液体であるので、
半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わる
ことがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防
止することができる。さらに、分離後の半導体基板の表
面に残っている接着剤を、上記溶剤に溶解させて、除去
することができる。
【０１８６】また、この発明（請求項３）に係る半導体
装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方法
（請求項２）において、上記液体である溶剤が、大気圧
以上の圧力に加圧されているので、接着剤の溶融、溶解
が容易となり、半導体基板が補強板から分離し易くな
る。さらに、分離後の半導体基板の表面に残っている接
着剤の溶解、除去も容易となる。
【０１８７】また、この発明（請求項４）に係る半導体
装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１）において、上記溶剤が、気体であるので、
半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わる
ことがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防
止することができる。さらに、分離後の半導体基板の表
面に残っている接着剤を、上記溶剤に溶解させて、除去
することができる。
【０１８８】また、この発明（請求項５）に係る半導体
装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方法
（請求項４）において、上記気体である溶剤が、大気圧
以上の圧力に加圧されているので、接着剤の溶融、溶解
が容易となり、半導体基板が補強板から分離し易くな
る。さらに、分離後の半導体基板の表面に残っている接
着剤の溶解、除去も容易となる。
【０１８９】また、この発明（請求項６）に係る半導体
装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１ないし５のいずれか）において、上記補強板
付きの上記半導体基板を、上記補強板を支持して、上記
基板面が水平方向以外の方向になる状態で、上記溶剤中
に保持し、上記半導体基板を上記補強板から自然降下に
より分離させ、かつ自然落下させるので、この自然落下
した半導体基板を上記の支持された補強板の直下で収納
することにより、半導体基板の補強板からの分離に引き
続き、分離された半導体基板の収納を特別の操作無しに
行うことができる。
【０１９０】また、この発明（請求項７）に係る半導体
装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１ないし５のいずれか）において、上記補強板
付きの上記半導体基板を上記補強板を支持して、上記溶
剤中に保持した後、上記半導体基板を上記補強板に対し
て摺動させて、これより分離させ、かつ自然落下させる
ので、この半導体基板の分離を短時間で行うことができ
る。また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の
力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ等
の破損を防止することができる。
【０１９１】また、この発明（請求項８）に係る半導体
装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１ないし５のいずれか）において、上記補強板
付きの上記半導体基板を、上記半導体基板を支持して、
上記基板面が水平方向以外の方向になる状態で、上記溶
剤中に保持し、上記補強板を上記半導体基板から自然降
下により分離させ、かつ自然落下させるので、上記補強
板が分離された上記半導体基板を保持した状態で残すこ
とができる。
【０１９２】また、この発明（請求項９）に係る半導体
装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１ないし５のいずれか）において、上記補強板
付きの上記半導体基板を、上記半導体基板を支持して、
上記溶剤中に保持した後、上記補強板を上記半導体基板
に対して摺動させて、これより分離させ、かつ自然落下
させるので、この補強板の分離を短時間で行うことがで
きる。また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向
の力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ
等の破損を防止することができる。
【０１９３】また、この発明（請求項１０）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１ないし９のいずれか）において、上記接着
剤は、ワックスであり、上記接着剤を溶解する溶剤は、
有機溶剤であるので、ワックスはその温度を１００℃程
度まで上昇させると容易に溶融し、また有機溶剤を用い
ることにより、このワックスを溶解させることができ、
半導体基板と補強板を容易に分離することができる。さ
らに、このワックスの除去も容易にできる。
【０１９４】また、この発明（請求項１１）に係る半導
体装置の製造方法によれば、半導体基板の一主面にこの
半導体基板の機械的強度を補強する補強板を接着剤によ
り貼り付けて、上記半導体基板に対して所要の半導体素
子形成処理を行った後、上記半導体基板付きの上記補強
板を第１の溶剤によって溶解させ、この後上記半導体基
板の一主面に残った上記接着剤を第２の溶剤によって溶
解させることにより、上記半導体基板を上記補強板から
分離させるので、補強板が除去され、表面に接着剤の残
っていない半導体基板を得ることができる。また、半導
体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わること
がなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防止す
ることができる。
【０１９５】また、この発明（請求項１２）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１１）において、上記補強板の溶解は、この
補強板を液体である上記第１溶剤に浸漬して溶解させる
ものであり、上記接着剤の溶解は、この接着剤を液体で
ある上記第２溶剤に浸漬して溶解させるものであるの
で、補強板が除去され、表面に接着剤の残っていない半
導体基板を得ることができる。また、半導体基板に外部
からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、これ
による半導体基板の割れ等の破損を防止することができ
る。
【０１９６】また、この発明（請求項１３）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１１）において、上記補強板の溶解は、この
補強板を上記気体である第１溶剤に曝すことにより溶解
させるものであり、上記接着剤の溶解は、この接着剤を
液体である上記第２溶剤に浸漬して溶解させるものであ
るので、補強板が除去され、表面に接着剤の残っていな
い半導体基板を得ることができる。また、半導体基板に
外部からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、
これによる半導体基板の割れ等の破損を防止することが
できる。
【０１９７】また、この発明（請求項１４）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１１）において、上記補強板の溶解は、この
補強板に液体である上記第１溶剤を吹き付けることによ
り溶解させるものであり、上記接着剤の溶解は、この接
着剤に液体である上記第２溶剤を吹き付けることにより
溶解させるものであるので、補強板が除去され、表面に
接着剤の残っていない半導体基板を得ることができる。
また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が
加わることがなく、これによる半導体基板の割れ等の破
損を防止することができる。
【０１９８】また、この発明（請求項１５）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１１ないし１４のいずれか）において、上記
補強板は、ガラス板であり、上記第１溶剤は、フッ酸で
あるので、ガラス板はフッ酸に容易に溶解し、これによ
りカラス板を容易に除去することができる。
【０１９９】また、この発明（請求項１６）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１１ないし１５のいずれか）において、上記
接着剤は、ワックスであり、上記接着剤を溶解する上記
第２溶剤は、有機溶剤であるので、ワックスはその温度
を１００℃程度まで上昇させると容易に溶融し、また有
機溶剤を用いることにより、このワックスを溶解させる
ことができ、半導体基板と補強板を容易に分離すること
ができる。
【０２００】また、この発明（請求項１７）に係る半導
体装置の製造方法によれば、半導体基板の一主面にこの
半導体基板の機械的強度を補強する補強板を接着剤によ
り貼り付けて、上記半導体基板に対して所要の半導体素
子形成処理を行った後、上記接着剤により貼り付けられ
た上記半導体基板及び上記補強板のそれぞれを、吸着器
で吸着，保持し、上記半導体基板及び上記補強板の少な
くともいずれか一方の吸着器の側から加熱して上記接着
剤を溶融させ、上記二つの吸着器を上記半導体基板及び
上記補強板と平行な平面内において相対的に相異なる方
向に移動させて、上記半導体基板を上記補強板から分離
させるので、上記のように半導体基板と補強板を強制的
に相異なる方向に移動させることにより、短時間で半導
体基板と補強板の分離を行うことができる。また、半導
体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わること
がなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防止す
ることができる。
【０２０１】また、この発明（請求項１８）に係る半導
体装置の製造方法によれば、半導体基板の一主面にこの
半導体基板の機械的強度を補強する補強板を接着剤によ
り貼り付けて、上記半導体基板に対して所要の半導体素
子形成処理を行った後、上記半導体基板付きの上記補強
板を吸着器で吸着，保持するとともに加熱して上記接着
剤を溶融させ、上記半導体基板を上記補強板に対してス
ライド手段により上記半導体基板及び上記補強板と平行
な平面内において摺動させて、上記半導体基板を上記補
強板から分離させるので、上記のように半導体基板を補
強板に対して強制的に摺動させることにより、短時間で
半導体基板と補強板の分離を行うことができる。また、
半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わる
ことがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防
止することができる。
【０２０２】また、この発明（請求項１９）に係る半導
体装置の製造方法によれば、半導体基板の一主面にこの
半導体基板の機械的強度を補強する補強板を接着剤によ
り貼り付けて、上記半導体基板に対して所要の半導体素
子形成処理を行った後、上記補強板付きの上記半導体基
板を吸着器で吸着，保持するとともに加熱して上記接着
剤を溶融させ、上記補強板を上記半導体基板に対してス
ライド手段により上記半導体基板及び上記補強板と平行
な平面内において摺動させて、上記半導体基板を上記補
強板から分離させるので、上記のように補強板を半導体
基板に対して強制的に摺動させることにより、短時間で
半導体基板と補強板の分離を行うことができる。また、
半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わる
ことがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防
止することができる。
【０２０３】また、この発明（請求項２０）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１７ないし１９のいずれか）において、上記
接着剤が、ワックスであるので、ワックスはその温度を
１００℃程度まで上昇させると容易に溶融し、半導体基
板と補強板を容易に分離することができる。
【０２０４】また、この発明（請求項２１）に係る半導
体装置の製造装置によれば、その一主面に半導体基板の
機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けら
れた半導体基板を保持する保持具と、上記保持具を収納
し、上記接着剤を溶解する液体である溶剤を上記保持具
により保持される上記補強板付きの上記半導体基板がこ
の溶剤に浸漬されるように収容する容器と、上記容器内
の上記溶剤を加熱する加熱器とを備えたので、この製造
装置を用いると、半導体基板に外部からその面に垂直な
方向の力が加わることがなく、これによる半導体基板の
割れ等の破損を防止することができる。さらに、分離後
の半導体基板の表面に残っている接着剤を、上記溶剤に
溶解させて、除去することができる。
【０２０５】また、この発明（請求項２２）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項２１）において、上記保持具は、上記補強板
を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板をこの基
板面が水平方向以外の方向になるように保持するもので
あり、上記保持具の直下に設けられた、上記補強板から
分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を収納する
ための半導体基板カセットを備えたので、補強板から分
離され、自然落下する上記半導体基板を特別な操作無し
に上記保持具直下の半導体基板カセットに収納すること
ができる。
【０２０６】また、この発明（請求項２３）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項２１）において、上記保持具は、上記補強板
を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を保持す
るものであり、上記溶剤に浸漬された上記半導体基板
を、上記補強板に対して摺動させて、上記補強板から分
離させるスライド手段と、上記保持具の直下に設けられ
た、上記補強板から分離され、かつ自然落下した上記半
導体基板を収納するための半導体基板カセットとを備え
たので、この半導体基板の分離を短時間で行うことがで
きる。また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向
の力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ
等の破損を防止することができる。
【０２０７】また、この発明（請求項２４）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項２１）において、上記保持具は、上記半導体
基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板をこ
の基板面が水平方向以外の方向になるように保持するも
のであり、上記保持具の直下に設けられた、上記半導体
基板から分離され、かつ自然落下した上記補強板を収納
するための補強板カセットを備えたので、半導体基板か
ら分離された補強板は、半導体基板から自然落下し、補
強板カセットに収納される。
【０２０８】また、この発明（請求項２５）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項２１）において、上記保持具は、上記半導体
基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を保
持するものであり、上記溶剤に浸漬された上記補強板
を、上記半導体基板に対して摺動させて、上記半導体基
板から分離させるスライド手段と、上記保持具の直下に
設けられた、上記半導体基板から分離され、かつ自然落
下した上記補強板を収納するための補強板カセットとを
備えたので、この補強板の分離を短時間で行うことがで
きる。また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向
の力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ
等の破損を防止することができる。
【０２０９】また、この発明（請求項２６）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項２１ないし２５のいずれか）において、上記
溶剤を大気圧以上の圧力に加圧する加圧器を備えたの
で、接着剤の溶融、溶解が容易となり、半導体基板が補
強板から分離し易くなる。さらに、分離後の半導体基板
の表面に残っている接着剤の溶解、除去も容易となる。
【０２１０】また、この発明（請求項２７）に係る半導
体装置の製造装置によれば、その一主面に半導体基板の
機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けら
れた半導体基板を保持する保持具と、上記保持具を収納
し、上記接着剤を溶解する気体である溶剤をその内部に
密封する容器と、大気圧以上の圧力の加熱された上記気
体である溶剤を上記容器に供給する手段とを備えたの
で、この製造装置を用いると、半導体基板に外部からそ
の面に垂直な方向の力が加わることがなく、これによる
半導体基板の割れ等の破損を防止することができる。さ
らに、分離後の半導体基板の表面に残っている接着剤
を、上記溶剤に溶解させて、除去することができる。
【０２１１】また、この発明（請求項２８）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項２７）において、上記保持具は、上記補強板
を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板をこの基
板面が水平方向以外の方向になるように保持するもので
あり、上記保持具の直下に設けられた、上記補強板から
分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を収納する
ための半導体基板カセットを備えたので、補強板から分
離された半導体基板は、補強板から自然落下し、半導体
基板カセットに収納される。
【０２１２】また、この発明（請求項２９）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項２７）において、上記保持具は、上記補強板
を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を保持す
るものであり、上記溶剤に曝された上記半導体基板を、
上記補強板に対して摺動させて、上記補強板から分離さ
せるスライド手段と、上記保持具の直下に設けられた、
上記補強板から分離され、かつ自然落下した上記半導体
基板を収納するための半導体基板カセットとを備えたの
で、この半導体基板の分離を短時間で行うことができ
る。また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の
力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ等
の破損を防止することができる。
【０２１３】また、この発明（請求項３０）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項２７）において、上記保持具は、上記半導体
基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板をこ
の基板面が水平方向以外の方向になるように保持するも
のであり、上記保持具の直下に設けられた、上記半導体
基板から分離され、かつ自然落下した上記補強板を収納
するための補強板カセットを備えたので、半導体基板か
ら分離された補強板は、半導体基板から自然落下し、補
強板カセットに収納される。
【０２１４】また、この発明（請求項３１）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項２７）において、上記保持具は、上記半導体
基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を保
持するものであり、上記溶剤に曝された上記補強板を、
上記半導体基板に対して摺動させて、上記半導体基板か
ら分離させるスライド手段と、上記保持具の直下に設け
られた、上記半導体基板から分離され、かつ自然落下し
た上記補強板を収納するための補強板カセットとを備え
たので、この補強板の分離を短時間で行うことができ
る。また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の
力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ等
の破損を防止することができる。
【０２１５】また、この発明（請求項３２）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項２７ないし３１のいずれか）において、上記
容器を加熱するための容器加熱器を備えたので、容器に
供給された気体である溶剤の冷却を防止でき、上記接着
剤の溶融及び溶解を容易にする。従って、半導体基板と
補強板の分離、半導体基板表面の接着剤の除去も容易と
なる。
【０２１６】また、この発明（請求項３３）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項２１ないし３２のいずれか）において、上記
接着剤が、ワックスであり、上記接着剤を溶解する溶剤
が、有機溶剤であるので、ワックスはその温度を１００
℃程度まで上昇させると容易に溶融し、また有機溶剤を
用いることにより、このワックスを溶解させることがで
き、半導体基板と補強板を容易に分離することができ
る。
【０２１７】また、この発明（請求項３４）に係る半導
体装置の製造装置によれば、その一主面に半導体基板の
機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けら
れた半導体基板をこの補強板を支持して保持する保持具
と、上記保持具の直下に設けられた、上記補強板から分
離され、かつ自然落下した上記半導体基板を収納するた
めの半導体基板カセットと、上記保持具及び上記半導体
基板カセットを収納し、上記補強板を溶解する液体であ
る第１の溶剤を上記保持具により保持される上記補強板
付きの上記半導体基板がこの第１溶剤に浸漬されるよう
に収容する第１の容器と、半導体基板カセットを収納
し、上記接着剤を溶解する液体である第２の溶剤を上記
半導体基板カセットに収納された上記半導体基板がこの
第２溶剤に浸漬されるように収容する第２の容器とを備
えたので、この製造装置を用いると、補強板が除去さ
れ、表面に接着剤の残っていない半導体基板を得ること
ができる。この際、半導体基板に外部からその面に垂直
な方向の力が加わることがなく、これによる半導体基板
の割れ等の破損を防止することができる。また、補強板
が溶解した後の半導体基板は、上記半導体基板カセット
に収納される。
【０２１８】また、この発明（請求項３５）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項３４）において、上記第１容器を加熱するた
めの第１容器加熱器を備えているので、上記第１溶剤を
加熱することができ、補強板を容易に溶解することがで
きる。
【０２１９】また、この発明（請求項３６）に係る半導
体装置の製造装置によれば、その一主面に半導体基板の
機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けら
れた半導体基板をこの補強板を支持して保持する保持具
と、上記保持具の直下に設けられた、上記補強板から分
離され、かつ自然落下した上記半導体基板を収納するた
めの半導体基板カセットと、上記保持具及び上記半導体
基板カセットを収納し、上記補強板を溶解する気体であ
る第１の溶剤を上記保持具により保持される上記補強板
付きの上記半導体基板がこの第１溶剤に曝されるように
収容する第１の容器と、上記第１溶剤を上記補強板に吹
き付けるノズルと、半導体基板カセットを収納し、上記
接着剤を溶解する液体である第２の溶剤をこの半導体基
板カセットに収納された上記半導体基板がこの第２溶剤
に浸漬されるように収容する第２の容器とを備えたの
で、補強板から分離され、表面に接着剤の残っていない
半導体基板を得ることができる。この際、半導体基板に
外部からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、
これによる半導体基板の割れ等の破損を防止することが
できる。また、補強板が溶解した後の半導体基板を上記
半導体基板カセットに収納することができる。
【０２２０】また、この発明（請求項３７）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項３４ないし３６のいずれか）において、上記
第２容器を加熱するための第２容器加熱器を備えている
ので、上記第２溶剤を加熱することができ、上記接着剤
を容易に溶解することができる。
【０２２１】また、この発明（請求項３８）に係る半導
体装置の製造装置によれば、その一主面に半導体基板の
機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けら
れた半導体基板をこの補強板を支持して保持する保持具
と、上記保持具の直下に設けられた、上記補強板から分
離され、かつ自然落下した上記半導体基板を収納するた
めの半導体基板カセットと、液体である第１の溶剤を上
記保持具により保持される上記補強板に吹き付けて上記
補強板の全体を溶解させる第１のノズルと、液体である
第２の溶剤を上記補強板が溶解除去された上記半導体基
板カセットに収納された上記半導体基板の一主面に残る
上記接着剤に吹き付けて上記接着剤の全体を溶解させる
第２のノズルとを備えたので、補強板が除去され、表面
に接着剤の残っていない半導体基板を得ることができ
る。この際、半導体基板に外部からその面に垂直な方向
の力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ
等の破損を防止することができる。また、補強板が溶解
した後の半導体基板を上記半導体基板カセットに収納す
ることができる。
【０２２２】また、この発明（請求項３９）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項３４ないし３８のいずれか）において、上記
補強板が、ガラス板であり、上記第１溶剤が、フッ酸で
あるので、このガラス板をフッ酸で容易に溶解すること
ができる。
【０２２３】また、この発明（請求項４０）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項３４ないし３９のいずれか）において、上記
接着剤が、ワックスであり、上記接着剤を溶解する上記
第２溶剤が、有機溶剤であるので、ワックスはその温度
を１００℃程度まで上昇させると容易に溶融し、また有
機溶剤を用いることにより、このワックスを溶解させる
ことができ、半導体基板と補強板を容易に分離すること
ができる。さらに、このワックスの除去も容易となる。
【０２２４】また、この発明（請求項４１）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項２２，２３，２８，２９，３４，３６または
３８のいずれか）において、上記保持具は、上記補強板
を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板をこの基
板面が水平方向以外の方向になるように収容保持し、そ
の下部開口を通って上記補強板から分離された上記半導
体基板を下方向に自然落下させる補強板支持上方カセッ
トよりなるものであるので、上記補強板付きの上記半導
体基板を容易に収納することができるとともに、補強板
から分離された半導体基板を補強板支持上方カセットの
下に設けられた上記半導体基板カセットに収納すること
ができる。
【０２２５】また、この発明（請求項４２）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項４１）において、上記半導体基板カセット
は、上記補強板支持上方カセットの直下にこの補強板支
持上方カセットと一体に形成されてなるものであるの
で、これらのカセットの取扱いが容易となり、また、こ
れらのカセットの相対的な位置が固定されているため、
補強板から分離された半導体基板を確実に半導体基板カ
セットに収納することができる。
【０２２６】また、この発明（請求項４３）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項２４，２５，３０または３１のいずれか）に
おいて、上記保持具は、上記半導体基板を支持して、上
記補強板付きの上記半導体基板をこの基板面が水平方向
以外の方向になるように収容保持し、その下部開口を通
って上記補強板を下方向に自然落下させる半導体基板支
持上方カセットよりなるものであるので、補強板付半導
体基板を容易に収納することができるとともに、半導体
基板から分離された補強板を半導体基板支持上方カセッ
トの下に設けられた上記補強板カセットに収納すること
ができる。
【０２２７】また、この発明（請求項４４）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項４３）において、上記補強板カセットは、上
記半導体基板支持上方カセットの直下にこの上方カセッ
トと一体に形成されてなるので、これらのカセットの取
扱いが容易となり、また、これらのカセットの相対的な
位置が常に固定されているため、半導体基板から分離さ
れた補強板を確実に補強板カセットに収納することがで
きる。
【０２２８】また、この発明（請求項４５）に係る半導
体装置の製造装置によれば、半導体基板の一主面に接着
剤により貼り付けられた、この半導体基板の機械的強度
を補強する補強板を吸着，保持する第１の吸着器と、上
記半導体基板を吸着，保持する第２の吸着器と、上記第
１吸着器に設けられた、上記補強板を加熱して上記接着
剤を溶融させる加熱器と、上記第１吸着器及び上記第２
吸着器を、上記半導体基板及び上記補強板と平行な平面
内において相対的に相異なる方向に移動させる機構とを
備えたので、この製造装置を用いると、上記のように半
導体基板と補強板を強制的に相異なる方向に移動させる
ことにより、短時間で半導体基板と補強板の分離を行う
ことができる。また、半導体基板に外部からその面に垂
直な方向の力が加わることがなく、これによる半導体基
板の割れ等の破損を防止することができる。
【０２２９】また、この発明（請求項４６）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項４５）において、上記第２吸着器に設けられ
た、上記半導体基板を加熱して上記接着剤を溶融させる
第２の加熱器を備えたので、この製造装置を用いると、
上記のように半導体基板と補強板を強制的に相異なる方
向に移動させることにより、短時間で半導体基板と補強
板の分離を行うことができる。また、半導体基板に外部
からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、これ
による半導体基板の割れ等の破損を防止することができ
る。
【０２３０】また、この発明（請求項４７）に係る半導
体装置の製造装置によれば、半導体基板の一主面に接着
剤により貼り付けられたこの半導体基板の機械的強度を
補強する補強板を吸着，保持する第１の吸着器と、上記
半導体基板を吸着，保持する第２の吸着器と、上記第２
吸着器に設けられた、上記半導体基板を加熱して上記接
着剤を溶融させる加熱器と、上記第１吸着器及び上記第
２吸着器を、上記半導体基板及び上記補強板と平行な平
面内において相異なる方向に移動させる機構とを備えて
いるので、この製造装置を用いると、上記のように半導
体基板と補強板を強制的に相異なる方向に移動させるこ
とにより、短時間で半導体基板と補強板の分離を行うこ
とができる。また、半導体基板に外部からその面に垂直
な方向の力が加わることがなく、これによる半導体基板
の割れ等の破損を防止することができる。
【０２３１】また、この発明（請求項４８）に係る半導
体装置の製造装置によれば、半導体基板の一主面に接着
剤により貼り付けられた、この半導体基板の機械的強度
を補強する補強板を吸着，保持する吸着器と、上記吸着
器に設けられた、上記補強板を加熱して上記接着剤を溶
融させる加熱器と、上記半導体基板を上記補強板に対し
て、これらと平行な平面内において摺動させるスライド
手段を備えているので、上記のように半導体基板を補強
板に対して強制的に摺動させることにより、短時間で半
導体基板と補強板の分離を行うことができる。また、半
導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わるこ
とがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防止
することができる。
【０２３２】また、この発明（請求項４９）に係る半導
体装置の製造装置によれば、その一主面に半導体基板の
機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けら
れた半導体基板を吸着，保持する吸着器と、上記吸着器
に設けられた、上記半導体基板を加熱して上記接着剤を
溶融させる加熱器と、上記補強板を上記半導体基板に対
して、これらと平行な平面内において摺動させるスライ
ド手段を備えているので、上記のように補強板を半導体
基板に対して強制的に摺動させることにより、短時間で
半導体基板と補強板の分離を行うことができる。また、
半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わる
ことがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防
止することができる。
【０２３３】また、この発明（請求項５０）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項４８または４９）において、上記スライド手
段が、ピンセット状の先端部を有するので、この先端部
が半導体基板または補強板を確実に把握することがで
き、半導体基板と補強板の分離を安定に行うことができ
る。
【０２３４】また、この発明（請求項５１）に係る半導
体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装
置（請求項４８または４９）において、上記スライド手
段が、へら状の先端部を有するので、この先端部により
半導体基板と補強板の間の間隔を増大させようとする力
が働くため、半導体基板と補強板の分離を短時間で容易
に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の第１の実施例による半導体装置の
製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図であ
る。
【図２】 この発明の第２の実施例による半導体装置の
製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図であ
る。
【図３】 この発明の第３の実施例による半導体装置の
製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図であ
る。図３(a),(c) は、ガラス板及びＧａＡｓ基板に垂直
な面での断面図、図３(b),(d) は、ガラス板及びＧａＡ
ｓ基板に平行な面での断面図である。
【図４】 この発明の第４の実施例による半導体装置の
製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図であ
る。
【図５】 この発明の第５の実施例による半導体装置の
製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図であ
る。
【図６】 この発明の第６の実施例による半導体装置の
製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図であ
る。
【図７】 この発明の第７の実施例による半導体装置の
製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図であ
る。
【図８】 この発明の第８の実施例による半導体装置の
製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図であ
る。
【図９】 この発明の第９の実施例による半導体装置の
製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図であ
る。
【図１０】 この発明の第１０の実施例による半導体装
置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図で
ある。
【図１１】 この発明の第１１の実施例による半導体装
置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図で
ある。
【図１２】 この発明の第１２の実施例による半導体装
置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図で
ある。
【図１３】 この発明の第１３の実施例による半導体装
置の製造装置を示す断面図である。
【図１４】 この発明の第１４の実施例による半導体装
置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図で
ある。
【図１５】 この発明の第１４の実施例による、下部吸
着器にのみ加熱器を設けた半導体装置の製造装置及び半
導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１６】 この発明の第１４の実施例による、上部吸
着器にのみ加熱器を設けた半導体装置の製造装置及び半
導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１７】 この発明の第１５の実施例による、ガラス
板を吸着・加熱する半導体装置の製造方法及び半導体装
置の製造装置を示す断面図である。
【図１８】 この発明の第１５の実施例による、ＧａＡ
ｓ基板を吸着・加熱する半導体装置の製造方法及び半導
体装置の製造装置を示す断面図である。
【図１９】 この発明の第１５の実施例による、へら状
スライド治具を有する半導体装置の製造装置、及び半導
体装置の製造方法を示す断面図（図１９(a)）、及びへ
ら状スライド治具の平面図（図１９(b) ）である。
【図２０】 従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
である。
【符号の説明】
１ ガラス板（補強板）、２ ＧａＡｓ基板（半導体基
板）、３ ワックス（接着剤）、４ 補強板支持上方カ
セット、５ 半導体基板カセット、６ 有機溶剤、７
容器、８ ヒーター（加熱器）、９ スライド治具、１
０ 溶剤加圧ポンプ、１１ バキューム孔、１２ 上部
吸着器、１３ 上部ヒーター、１４ 下部吸着器、１５
下部ヒーター、１６ ピンセット状スライド治具、１
７ フッ酸吹き付けノズル、１８ 有機溶剤吹き付けノ
ズル、１０４ 半導体基板支持上方カセット、１０５
補強板カセット、１０６ 溶剤蒸気、１０７ 気密容
器、１０８ ヒーター（溶剤蒸気加熱器）、１１０ 高
圧溶剤蒸気発生器、１１６へら状スライド治具、１１７
フッ酸蒸気吹き付けノズル、２０４ 一体形成カセッ
ト、２０６ フッ酸溶液、２０７ フッ酸用容器、２０
８ ホットプレート、３０７ フッ酸蒸気用容器。

Claims (51)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板の一主面に該半導体基板の機
    械的強度を補強する補強板を接着剤により貼り付けて、
    上記半導体基板に対して所要の半導体素子形成処理を行
    った後、上記半導体基板を上記補強板から分離する工程
    を含む半導体装置の製造方法において、 上記半導体基板の上記補強板からの分離は、上記補強板
    付きの上記半導体基板を加熱された溶剤中に置き、上記
    接着剤を溶融，溶解させて、上記半導体基板を上記補強
    板から分離させるものであることを特徴とする半導体装
    置の製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置の製造方法
    において、 上記溶剤は、液体であることを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の半導体装置の製造方法
    において、 上記液体である溶剤は、大気圧以上の圧力に加圧されて
    いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の半導体装置の製造方法
    において、 上記溶剤は、気体であることを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の半導体装置の製造方法
    において、 上記気体である溶剤は、大気圧以上の圧力に加圧されて
    いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の半
    導体装置の製造方法において、 上記補強板付きの上記半導体基板を、上記補強板を支持
    して、上記基板面が水平方向以外の方向になる状態で、
    上記溶剤中に保持し、上記半導体基板を上記補強板から
    自然降下により分離させ、かつ自然落下させることを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項１ないし５のいずれかに記載の半
    導体装置の製造方法において、 上記補強板付きの上記半導体基板を上記補強板を支持し
    て、上記溶剤中に保持した後、上記半導体基板を上記補
    強板に対して摺動させて、これより分離させ、かつ自然
    落下させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 請求項１ないし５のいずれかに記載の半
    導体装置の製造方法において、 上記補強板付きの上記半導体基板を、上記半導体基板を
    支持して、上記基板面が水平方向以外の方向になる状態
    で、上記溶剤中に保持し、上記補強板を上記半導体基板
    から自然降下により分離させ、かつ自然落下させること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 請求項１ないし５のいずれかに記載の半
    導体装置の製造方法において、 上記補強板付きの上記半導体基板を、上記半導体基板を
    支持して、上記溶剤中に保持した後、上記補強板を上記
    半導体基板に対して摺動させて、これより分離させ、か
    つ自然落下させることを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  10. 【請求項１０】 請求項１ないし９のいずれかに記載の
    半導体装置の製造方法において、 上記接着剤は、ワックスであり、 上記接着剤を溶解する溶剤は、有機溶剤であることを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 半導体基板の一主面に該半導体基板の
    機械的強度を補強する補強板を接着剤により貼り付け
    て、上記半導体基板に対して所要の半導体素子形成処理
    を行った後、上記半導体基板を上記補強板から分離する
    工程を含む半導体装置の製造方法において、 上記半導体基板の上記補強板からの分離は、上記半導体
    基板付きの上記補強板を第１の溶剤によって溶解させた
    後、上記補強板が溶解して、上記半導体基板の一主面に
    残った上記接着剤を第２の溶剤によって溶解させるもの
    であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の半導体装置の製造
    方法において、 上記補強板の溶解は、該補強板を液体である上記第１溶
    剤に浸漬して溶解させるものであり、 上記接着剤の溶解は、該接着剤を液体である上記第２溶
    剤に浸漬して溶解させるものであることを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１１に記載の半導体装置の製造
    方法において、 上記補強板の溶解は、該補強板を気体である上記第１溶
    剤に曝すことにより溶解させるものであり、 上記接着剤の溶解は、該接着剤を液体である上記第２溶
    剤に浸漬して溶解させるものであることを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１１に記載の半導体装置の製造
    方法において、 上記補強板の溶解は、該補強板に液体である上記第１溶
    剤を吹き付けることにより溶解させるものであり、 上記接着剤の溶解は、該接着剤に液体である上記第２溶
    剤を吹き付けることにより溶解させるものであることを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１１ないし１４のいずれかに記
    載の半導体装置の製造方法において、 上記補強板は、ガラス板であり、 上記第１溶剤は、フッ酸であることを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１１ないし１５のいずれかに記
    載の半導体装置の製造方法において、 上記接着剤は、ワックスであり、 上記接着剤を溶解する上記第２溶剤は、有機溶剤である
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 半導体基板の一主面に該半導体基板の
    機械的強度を補強する補強板を接着剤により貼り付け
    て、上記半導体基板に対して所要の半導体素子形成処理
    を行った後、上記半導体基板を上記補強板から分離する
    工程を含む半導体装置の製造方法において、 上記半導体基板の上記補強板からの分離は、上記接着剤
    により貼り付けられた上記半導体基板及び上記補強板の
    それぞれを、吸着器で吸着，保持し、上記半導体基板及
    び上記補強板の少なくともいずれか一方の吸着器の側か
    ら加熱して上記接着剤を溶融させ、上記二つの吸着器を
    上記半導体基板及び上記補強板と平行な平面内において
    相対的に相異なる方向に移動させて、上記半導体基板を
    上記補強板から分離させるものであることを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】 半導体基板の一主面に該半導体基板の
    機械的強度を補強する補強板を接着剤により貼り付け
    て、上記半導体基板に対して所要の半導体素子形成処理
    を行った後、上記半導体基板を上記補強板から分離する
    工程を含む半導体装置の製造方法において、 上記半導体基板の上記補強板からの分離は、上記半導体
    基板付きの上記補強板を吸着器で吸着，保持するととも
    に加熱して上記接着剤を溶融させ、上記半導体基板を上
    記補強板に対してスライド手段により上記半導体基板及
    び上記補強板と平行な平面内において摺動させて、上記
    半導体基板を上記補強板から分離させるものであること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 半導体基板の一主面に該半導体基板の
    機械的強度を補強する補強板を接着剤により貼り付け
    て、上記半導体基板に対して所要の半導体素子形成処理
    を行った後、上記半導体基板を上記補強板から分離する
    工程を含む半導体装置の製造方法において、 上記半導体基板の上記補強板からの分離は、上記補強板
    付きの上記半導体基板を吸着器で吸着，保持するととも
    に加熱して上記接着剤を溶融させ、上記補強板を上記半
    導体基板に対してスライド手段により上記半導体基板及
    び上記補強板と平行な平面内において摺動させて、上記
    半導体基板を上記補強板から分離させるものであること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  20. 【請求項２０】 請求項１７ないし１９のいずれかに記
    載の半導体装置の製造方法において、 上記接着剤は、ワックスであることを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
  21. 【請求項２１】 その一主面に半導体基板の機械的強度
    を補強する補強板が接着剤により貼り付けらた半導体基
    板を保持する保持具と、 上記保持具を収納し、上記接着剤を溶解する液体である
    溶剤を上記保持具により保持される、上記補強板付きの
    上記半導体基板が該溶剤に浸漬されるように収容する容
    器と、 上記容器内の上記溶剤を加熱する加熱器とを備えたこと
    を特徴とする半導体装置の製造装置。
  22. 【請求項２２】 請求項２１に記載の半導体装置の製造
    装置において、 上記保持具は、上記補強板を支持して、上記補強板付き
    の上記半導体基板を該基板面が水平方向以外の方向にな
    るように保持するものであり、 上記保持具の直下に設けられた、上記補強板から分離さ
    れ、かつ自然落下した上記半導体基板を収納するための
    半導体基板カセットを備えたことを特徴とする半導体装
    置の製造装置。
  23. 【請求項２３】 請求項２１に記載の半導体装置の製造
    装置において、 上記保持具は、上記補強板を支持して、上記補強板付き
    の上記半導体基板を保持するものであり、 上記溶剤に浸漬された上記半導体基板を、上記補強板に
    対して摺動させて、上記補強板から分離させるスライド
    手段と、 上記保持具の直下に設けられた、上記補強板から分離さ
    れ、かつ自然落下した上記半導体基板を収納するための
    半導体基板カセットとを備えたことを特徴とする半導体
    装置の製造装置。
  24. 【請求項２４】 請求項２１に記載の半導体装置の製造
    装置において、 上記保持具は、上記半導体基板を支持して、上記補強板
    付きの上記半導体基板を該基板面が水平方向以外の方向
    になるように保持するものであり、 上記保持具の直下に設けられた、上記半導体基板から分
    離され、かつ自然落下した上記補強板を収納するための
    補強板カセットを備えたことを特徴とする半導体装置の
    製造装置。
  25. 【請求項２５】 請求項２１に記載の半導体装置の製造
    装置において、 上記保持具は、上記半導体基板を支持して、上記補強板
    付きの上記半導体基板を保持するものであり、 上記溶剤に浸漬された上記補強板を、上記半導体基板に
    対して摺動させて、上記半導体基板から分離させるスラ
    イド手段と、 上記保持具の直下に設けられた、上記半導体基板から分
    離され、かつ自然落下した上記補強板を収納するための
    補強板カセットとを備えたことを特徴とする半導体装置
    の製造装置。
  26. 【請求項２６】 請求項２１ないし２５のいずれかに記
    載の半導体装置の製造装置において、 上記溶剤を大気圧以上の圧力に加圧する加圧器を備えた
    ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
  27. 【請求項２７】 その一主面に半導体基板の機械的強度
    を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体
    基板を保持する保持具と、 上記保持具を収納し、上記接着剤を溶解する気体である
    溶剤をその内部に密封する容器と、 大気圧以上の圧力の加熱された上記気体である溶剤を上
    記容器に供給する手段とを備えたことを特徴とする半導
    体装置の製造装置。
  28. 【請求項２８】 請求項２７に記載の半導体装置の製造
    装置において、 上記保持具は、上記補強板を支持して、上記補強板付き
    の上記半導体基板を該基板面が水平方向以外の方向にな
    るように保持するものであり、 上記保持具の直下に設けられた、上記補強板から分離さ
    れ、かつ自然落下した上記半導体基板を収納するための
    半導体基板カセットを備えたことを特徴とする半導体装
    置の製造装置。
  29. 【請求項２９】 請求項２７に記載の半導体装置の製造
    装置において、 上記保持具は、上記補強板を支持して、上記補強板付き
    の上記半導体基板を保持するものであり、 上記溶剤に曝された上記半導体基板を、上記補強板に対
    して摺動させて、上記補強板から分離させるスライド手
    段と、 上記保持具の直下に設けられた、上記補強板から分離さ
    れ、かつ自然落下した上記半導体基板を収納するための
    半導体基板カセットとを備えたことを特徴とする半導体
    装置の製造装置。
  30. 【請求項３０】 請求項２７に記載の半導体装置の製造
    装置において、 上記保持具は、上記半導体基板を支持して、上記補強板
    付きの上記半導体基板を該基板面が水平方向以外の方向
    になるように保持するものであり、 上記保持具の直下に設けられた、上記半導体基板から分
    離され、かつ自然落下した上記補強板を収納するための
    補強板カセットを備えたことを特徴とする半導体装置の
    製造装置。
  31. 【請求項３１】 請求項２７に記載の半導体装置の製造
    装置において、 上記保持具は、上記半導体基板を支持して、上記補強板
    付きの上記半導体基板を保持するものであり、 上記溶剤に曝された上記補強板を、上記半導体基板に対
    して摺動させて、上記半導体基板から分離させるスライ
    ド手段と、 上記保持具の直下に設けられた、上記半導体基板から分
    離され、かつ自然落下した上記補強板を収納するための
    補強板カセットとを備えたことを特徴とする半導体装置
    の製造装置。
  32. 【請求項３２】 請求項２７ないし３１のいずれかに記
    載の半導体装置の製造装置において、 上記容器を加熱するための容器加熱器を備えたことを特
    徴とする半導体装置の製造装置。
  33. 【請求項３３】 請求項２１ないし３２のいずれかに記
    載の半導体装置の製造装置において、 上記接着剤は、ワックスであり、 上記接着剤を溶解する溶剤は、有機溶剤であることを特
    徴とする半導体装置の製造装置。
  34. 【請求項３４】 その一主面に半導体基板の機械的強度
    を補強する補強板が接着剤により貼り付けらた半導体基
    板を該補強板を支持して保持する保持具と、 上記保持具の直下に設けられた、上記補強板から分離さ
    れ、かつ自然落下した上記半導体基板を収納するための
    半導体基板カセットと、 上記保持具及び上記半導体基板カセットを収納し、上記
    補強板を溶解する液体である第１の溶剤を上記保持具に
    より保持される上記補強板付きの上記半導体基板が該第
    １溶剤に浸漬されるように収容する第１の容器と、 半導体基板カセットを収納し、上記接着剤を溶解する液
    体である第２の溶剤を上記半導体基板カセットに収納さ
    れた上記半導体基板が該第２溶剤に浸漬されるように収
    容する第２の容器とを備えたことを特徴とする半導体装
    置の製造装置。
  35. 【請求項３５】 請求項３４に記載の半導体装置の製造
    装置において、 上記第１容器を加熱するための第１容器加熱器を備えた
    ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
  36. 【請求項３６】 その一主面に半導体基板の機械的強度
    を補強する補強板が接着剤により貼り付けらた半導体基
    板を該補強板を支持して保持する保持具と、 上記保持具の直下に設けられた、上記補強板から分離さ
    れ、かつ自然落下した上記半導体基板を収納するための
    半導体基板カセットと、 上記保持具及び上記半導体基板カセットを収納し、上記
    補強板を溶解する気体である第１の溶剤を上記保持具に
    より保持される上記補強板付きの上記半導体基板が該第
    １溶剤に曝されるように収容する第１の容器と、 上記第１溶剤を上記補強板に吹き付けるノズルと、 半導体基板カセットを収納し、上記接着剤を溶解する液
    体である第２の溶剤を該半導体基板カセットに収納され
    た上記半導体基板が該第２溶剤に浸漬されるように収容
    する第２の容器とを備えたことを特徴とする半導体装置
    の製造装置。
  37. 【請求項３７】 請求項３４ないし３６のいずれかに記
    載の半導体装置の製造装置において、 上記第２容器を加熱するための第２容器加熱器を備えた
    ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
  38. 【請求項３８】 その一主面に半導体基板の機械的強度
    を補強する補強板が接着剤により貼り付けらた半導体基
    板を該補強板を支持して保持する保持具と、 上記保持具の直下に設けられた、上記補強板から分離さ
    れ、かつ自然落下した上記半導体基板を収納するための
    半導体基板カセットと、 液体である第１の溶剤を上記保持具により保持される上
    記補強板に吹き付けて上記補強板の全体を溶解させる第
    １のノズルと、 液体である第２の溶剤を上記補強板が溶解除去された上
    記半導体基板カセットに収納された上記半導体基板の一
    主面に残る上記接着剤に吹き付けて上記接着剤の全体を
    溶解させる第２のノズルとを備えたことを特徴とする半
    導体装置の製造装置。
  39. 【請求項３９】 請求項３４ないし３８のいずれかに記
    載の半導体装置の製造装置において、 上記補強板は、ガラス板であり、 上記第１溶剤は、フッ酸であることを特徴とする半導体
    装置の製造装置。
  40. 【請求項４０】 請求項３４ないし３９のいずれかに記
    載の半導体装置の製造装置において、 上記接着剤は、ワックスであり、 上記接着剤を溶解する上記第２溶剤は、有機溶剤である
    ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
  41. 【請求項４１】 請求項２２，２３，２８，２９，３
    ４，３６または３８のいずれかに記載の半導体装置の製
    造装置において、 上記保持具は、上記補強板を支持して、上記補強板付き
    の上記半導体基板を該基板面が水平方向以外の方向にな
    るように収容保持し、その下部開口を通って上記補強板
    から分離された上記半導体基板を下方向に自然落下させ
    る補強板支持上方カセットよりなることを特徴とする半
    導体装置の製造装置。
  42. 【請求項４２】 請求項４１に記載の半導体装置の製造
    装置において、 上記半導体基板カセットは、上記補強板支持上方カセッ
    トの直下に該上方カセットと一体に形成されてなるもの
    であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
  43. 【請求項４３】 請求項２４，２５，３０または３１の
    いずれかに記載の半導体装置の製造装置において、 上記保持具は、上記半導体基板を支持して、上記補強板
    付きの上記半導体基板を該基板面が水平方向以外の方向
    になるように収容保持し、その下部開口を通って上記半
    導体基板から分離された上記補強板を下方向に自然落下
    させる半導体基板支持上方カセットよりなることを特徴
    とする半導体装置の製造装置。
  44. 【請求項４４】 請求項４３に記載の半導体装置の製造
    装置において、 上記補強板カセットは、上記半導体基板支持上方カセッ
    トの直下に該上方カセットと一体に形成されてなるもの
    であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
  45. 【請求項４５】 半導体基板の一主面に接着剤により貼
    り付けられた該半導体基板の機械的強度を補強する補強
    板を吸着，保持する第１の吸着器と、 上記半導体基板を吸着，保持する第２の吸着器と、 上記第１吸着器に設けられた、上記補強板を加熱して上
    記接着剤を溶融させる加熱器と、 上記第１吸着器及び上記第２吸着器を、上記半導体基板
    及び上記補強板と平行な平面内において相対的に相異な
    る方向に移動させる機構とを備えたことを特徴とする半
    導体装置の製造装置。
  46. 【請求項４６】 請求項４５に記載の半導体装置の製造
    装置において、 上記第２吸着器に設けられた、上記半導体基板を加熱し
    て上記接着剤を溶融させる第２の加熱器を備えたことを
    特徴とする半導体装置の製造装置。
  47. 【請求項４７】 半導体基板の一主面に接着剤により貼
    り付けらた該半導体基板の機械的強度を補強する補強板
    を吸着，保持する第１の吸着器と、 上記半導体基板を吸着，保持する第２の吸着器と、 上記第２吸着器に設けられた、上記半導体基板を加熱し
    て上記接着剤を溶融させる加熱器と、 上記第１吸着器及び上記第２吸着器を、上記半導体基板
    及び上記補強板と平行な平面内において相異なる方向に
    移動させる機構とを備えたことを特徴とする半導体装置
    の製造装置。
  48. 【請求項４８】 半導体基板の一主面に接着剤により貼
    り付けられた該半導体基板の機械的強度を補強する補強
    板を吸着，保持する吸着器と、 上記吸着器に設けられた、上記補強板を加熱して上記接
    着剤を溶融させる加熱器と、 上記半導体基板を上記補強板に対して、これらと平行な
    平面内において摺動させるスライド手段を備えたことを
    特徴とする半導体装置の製造装置。
  49. 【請求項４９】 その一主面に半導体基板の機械的強度
    を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体
    基板を吸着，保持する吸着器と、 上記吸着器に設けられた、上記半導体基板を加熱して上
    記接着剤を溶融させる加熱器と、 上記補強板を上記半導体基板に対して、これらと平行な
    平面内において摺動させるスライド手段を備えたことを
    特徴とする半導体装置の製造装置。
  50. 【請求項５０】 請求項４８または４９に記載の半導体
    装置の製造装置において、 上記スライド手段は、ピンセット状の先端部を有するも
    のであることを特徴とする半導体装置の製造装置。
  51. 【請求項５１】 請求項４８または４９に記載の半導体
    装置の製造装置において、 上記スライド手段は、へら状の先端部を有するものであ
    ることを特徴とする半導体装置の製造装置。
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