JPH08217599A - ＺｎＳｅホモエピタキシャル単結晶膜の製造法 - Google Patents
ＺｎＳｅホモエピタキシャル単結晶膜の製造法Info
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- JPH08217599A JPH08217599A JP4923495A JP4923495A JPH08217599A JP H08217599 A JPH08217599 A JP H08217599A JP 4923495 A JP4923495 A JP 4923495A JP 4923495 A JP4923495 A JP 4923495A JP H08217599 A JPH08217599 A JP H08217599A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＺｎＳｅ単結晶基板を用いてＬＰＥ法、ＭＯ
ＣＶＤ法、ＭＢＥ法等でホモエピタキシャル成長させて
ＺｎＳｅ単結晶膜を成長させる方法における熱ダメージ
による欠陥を排除して良質なＺｎＳｅ単結晶膜を形成す
ること。 【構成】 ＺｎＳｅの融点前後で育成する融液成長法Ｚ
ｎＳｅ単結晶体をエピタキシャル基板として用い、その
上にＺｎＳｅ単結晶膜をホモエピタキシャル成長させて
膜表面が図１に示されるような連続した膜を得る。
ＣＶＤ法、ＭＢＥ法等でホモエピタキシャル成長させて
ＺｎＳｅ単結晶膜を成長させる方法における熱ダメージ
による欠陥を排除して良質なＺｎＳｅ単結晶膜を形成す
ること。 【構成】 ＺｎＳｅの融点前後で育成する融液成長法Ｚ
ｎＳｅ単結晶体をエピタキシャル基板として用い、その
上にＺｎＳｅ単結晶膜をホモエピタキシャル成長させて
膜表面が図１に示されるような連続した膜を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザや発光ダイ
オード等の青色、青緑色および緑色系発光素子を構築す
るための基板を用いたＺｎＳｅホモエピタキシャル単結
晶膜の製造法に関する。
オード等の青色、青緑色および緑色系発光素子を構築す
るための基板を用いたＺｎＳｅホモエピタキシャル単結
晶膜の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光ダイオードを製造する方法と
してＬＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法が知られて
いるが、これらの製造法においては、III −Ｖ族化合物
のＧａＡｓ単結晶基板を用い、該基板上にＺｎＳｅ系II
−VI族化合物をエピタキシャル成長させるいわゆるヘテ
ロエピタキシャル成長法が試みられていた。
してＬＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法が知られて
いるが、これらの製造法においては、III −Ｖ族化合物
のＧａＡｓ単結晶基板を用い、該基板上にＺｎＳｅ系II
−VI族化合物をエピタキシャル成長させるいわゆるヘテ
ロエピタキシャル成長法が試みられていた。
【０００３】しかしながら近年、エピタキシャル基板と
エピタキシャル膜との物性の違い、特に格子定数と熱膨
張係数の差に起因する転移や、基板中のＧａがエピタキ
シャル膜へ拡散する等のヘテロ界面での欠陥がデバイス
の寿命や信頼性を悪くしていることの問題点が指摘され
るようになった。
エピタキシャル膜との物性の違い、特に格子定数と熱膨
張係数の差に起因する転移や、基板中のＧａがエピタキ
シャル膜へ拡散する等のヘテロ界面での欠陥がデバイス
の寿命や信頼性を悪くしていることの問題点が指摘され
るようになった。
【０００４】この問題を解決するために、従来のエピタ
キシャル基板のＧａＡｓ単結晶基板に代えて、ＺｎＳｅ
単結晶基板を用いるホモエピタキシャル成長法が試みら
れるようになった。この一例としてＳＰＶＴ（Seeded P
hysical Vaper Transport）法等の、いわゆる気相法で
成長させたＺｎＳｅ単結晶基板を用いて、ホモエピタキ
シャル成長させる方法がある。
キシャル基板のＧａＡｓ単結晶基板に代えて、ＺｎＳｅ
単結晶基板を用いるホモエピタキシャル成長法が試みら
れるようになった。この一例としてＳＰＶＴ（Seeded P
hysical Vaper Transport）法等の、いわゆる気相法で
成長させたＺｎＳｅ単結晶基板を用いて、ホモエピタキ
シャル成長させる方法がある。
【０００５】しかしながら上記ＺｎＳｅ単結晶基板を用
いてホモエピタキシャル成長させる方法としてのＬＰＥ
法では、溶媒の融点や原料となるＺｎＳｅの溶解度の理
由から、少なくとも６００℃以上の温度で成長させる必
要があるため、ＺｎＳｅ基板をエピタキシャル温度まで
加熱すると、該基板表面が熱ダメージを受け、これが欠
陥としてエピタキシャル層に伝搬して、良質の膜を得ら
れなかった。
いてホモエピタキシャル成長させる方法としてのＬＰＥ
法では、溶媒の融点や原料となるＺｎＳｅの溶解度の理
由から、少なくとも６００℃以上の温度で成長させる必
要があるため、ＺｎＳｅ基板をエピタキシャル温度まで
加熱すると、該基板表面が熱ダメージを受け、これが欠
陥としてエピタキシャル層に伝搬して、良質の膜を得ら
れなかった。
【０００６】またＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法においては、
用いたＺｎＳｅ単結晶基板表面の吸着物や酸化層の除去
等を目的とする表面清浄化のため約５００℃以上の真空
中でサーマルクリーニングを施すが、この場合、基板表
面がダメージを受けることが多く、これが欠陥としてエ
ピタキシャル層に伝搬することによって、デバイスの寿
命、信頼性を悪くする原因となっていた。
用いたＺｎＳｅ単結晶基板表面の吸着物や酸化層の除去
等を目的とする表面清浄化のため約５００℃以上の真空
中でサーマルクリーニングを施すが、この場合、基板表
面がダメージを受けることが多く、これが欠陥としてエ
ピタキシャル層に伝搬することによって、デバイスの寿
命、信頼性を悪くする原因となっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように気相成長
法で得たＺｎＳｅ単結晶基板を用いてＬＰＥ法、ＭＯＣ
ＶＤ法またはＭＢＥ法等でホモエピタキシャル成長させ
ても、いずれもエピタキシャル成長前にＺｎＳｅ単結晶
基板がいわゆる高温プロセスを経る際に受けるダメージ
を避けることができなかった。
法で得たＺｎＳｅ単結晶基板を用いてＬＰＥ法、ＭＯＣ
ＶＤ法またはＭＢＥ法等でホモエピタキシャル成長させ
ても、いずれもエピタキシャル成長前にＺｎＳｅ単結晶
基板がいわゆる高温プロセスを経る際に受けるダメージ
を避けることができなかった。
【０００８】本発明は上記ＬＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法また
はＭＢＥ法において使用できるＺｎＳｅ単結晶基板およ
びその利用を開発することを目的とするものである。
はＭＢＥ法において使用できるＺｎＳｅ単結晶基板およ
びその利用を開発することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は斯かる課題
を解決するために鋭意研究したところ、基板として用い
るＺｎＳｅ単結晶体としては、ＺｎＳｅをその融点前後
で結晶化させる融液成長法で得たものが、その後のホモ
エピタキシャル成長法に好都合に使用できることを見い
出し本発明法を提供することができた。
を解決するために鋭意研究したところ、基板として用い
るＺｎＳｅ単結晶体としては、ＺｎＳｅをその融点前後
で結晶化させる融液成長法で得たものが、その後のホモ
エピタキシャル成長法に好都合に使用できることを見い
出し本発明法を提供することができた。
【００１０】すなわち本発明法は、ＬＰＥ法、ＭＯＣＶ
Ｄ法またはＭＢＥ法によりＺｎＳｅバルク単結晶基板上
にＺｎＳｅ単結晶膜をホモエピタキシャル成長させる方
法において、上記ＺｎＳｅバルク単結晶基板はＺｎＳｅ
をその融点前後で育成したＺｎＳｅ単結晶体をエピタキ
シャル基板と成したものを用い、該基板上にＺｎＳｅ単
結晶膜をホモエピタキシャル成長させることを特徴とす
るＺｎＳｅホモエピタキシャル単結晶膜の製造法であ
る。
Ｄ法またはＭＢＥ法によりＺｎＳｅバルク単結晶基板上
にＺｎＳｅ単結晶膜をホモエピタキシャル成長させる方
法において、上記ＺｎＳｅバルク単結晶基板はＺｎＳｅ
をその融点前後で育成したＺｎＳｅ単結晶体をエピタキ
シャル基板と成したものを用い、該基板上にＺｎＳｅ単
結晶膜をホモエピタキシャル成長させることを特徴とす
るＺｎＳｅホモエピタキシャル単結晶膜の製造法であ
る。
【００１１】
【作用】本発明法において使用するＺｎＳｅ単結晶基板
は、垂直ブリッジマン炉（ＶＢ炉）または垂直徐冷炉
（ＶＧＦ炉）を用いて、高圧溶融法により融液からＺｎ
Ｓｅバルク結晶を製造する際に、ＺｎＳｅ多結晶を種結
晶として使用し、該種結晶の上に単結晶を育成すること
によって得られたＺｎＳｅバルク単結晶を、スライサー
で［１００］方位に切り出したものを、ラップポリッシ
ュして作製した基板である。
は、垂直ブリッジマン炉（ＶＢ炉）または垂直徐冷炉
（ＶＧＦ炉）を用いて、高圧溶融法により融液からＺｎ
Ｓｅバルク結晶を製造する際に、ＺｎＳｅ多結晶を種結
晶として使用し、該種結晶の上に単結晶を育成すること
によって得られたＺｎＳｅバルク単結晶を、スライサー
で［１００］方位に切り出したものを、ラップポリッシ
ュして作製した基板である。
【００１２】本発明者は、上記基板と比較のために従来
の気相法で得たＺｎＳｅ基板とを用いて、Ｎ2 雰囲気中
で８６０℃で２時間加熱処理を施して、加熱前後の基板
を顕微鏡写真で比較したところ、本発明に係る高圧溶融
法により育成したバルク単結晶から得た基板の方が、気
相法によって得られた基板より熱ダメージを受けにくい
ことを確認している。
の気相法で得たＺｎＳｅ基板とを用いて、Ｎ2 雰囲気中
で８６０℃で２時間加熱処理を施して、加熱前後の基板
を顕微鏡写真で比較したところ、本発明に係る高圧溶融
法により育成したバルク単結晶から得た基板の方が、気
相法によって得られた基板より熱ダメージを受けにくい
ことを確認している。
【００１３】この理由は、融液成長法（Melt Growth
法）でＺｎＳｅバルク単結晶を育成する場合、ＺｎＳｅ
の融点（Melting Point ）が１５２０℃であるため、こ
の温度前後で結晶化しているのに対して、従来のＳＰＶ
Ｔ法に代表される気相法は、石英ガラス容器中で育成を
行うため容器自体の耐熱性から高々１０００℃位が育成
温度の限界になり、結晶育成の温度も１０００℃以下と
ならざるを得なく、その結果、得られたバルク単結晶も
耐熱性が劣る結晶となっていたためである。
法）でＺｎＳｅバルク単結晶を育成する場合、ＺｎＳｅ
の融点（Melting Point ）が１５２０℃であるため、こ
の温度前後で結晶化しているのに対して、従来のＳＰＶ
Ｔ法に代表される気相法は、石英ガラス容器中で育成を
行うため容器自体の耐熱性から高々１０００℃位が育成
温度の限界になり、結晶育成の温度も１０００℃以下と
ならざるを得なく、その結果、得られたバルク単結晶も
耐熱性が劣る結晶となっていたためである。
【００１４】さらに本発明の融液成長法に比べて、気相
法はＺｎＳｅ分子濃度が稀薄な系から結晶成長を行うこ
とから、このことも耐熱安定性に欠ける原因となってい
る。
法はＺｎＳｅ分子濃度が稀薄な系から結晶成長を行うこ
とから、このことも耐熱安定性に欠ける原因となってい
る。
【００１５】以下実施例をもって本発明を詳細に説明す
るが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではな
い。
るが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではな
い。
【００１６】
【実施例１】原料として、同和鉱業（株）製の気相法に
よって得られた塊状の高純度ＺｎＳｅ（純度９９．９９
９％）を、垂直ブリッジマン炉（雅慶電機製作所製電気
炉ＧＨＰ−Ａ202 ）内に窒化ホウ素製坩堝に入れて装入
した。
よって得られた塊状の高純度ＺｎＳｅ（純度９９．９９
９％）を、垂直ブリッジマン炉（雅慶電機製作所製電気
炉ＧＨＰ−Ａ202 ）内に窒化ホウ素製坩堝に入れて装入
した。
【００１７】炉内を窒素で置換した後、３０kgf/cm2 の
圧力で窒素を導入し、炉内温度を１５５０℃（炉内最高
温度）まで昇温し、この温度を５時間保持して坩堝内の
原料および坩堝底部に予め準備したＺｎＳｅ多結晶から
なる種結晶の上端部を融解することによって、種結晶上
に双晶のない径１インチ長さ３０mmのＺｎＳｅバルク単
結晶インゴットを得た。
圧力で窒素を導入し、炉内温度を１５５０℃（炉内最高
温度）まで昇温し、この温度を５時間保持して坩堝内の
原料および坩堝底部に予め準備したＺｎＳｅ多結晶から
なる種結晶の上端部を融解することによって、種結晶上
に双晶のない径１インチ長さ３０mmのＺｎＳｅバルク単
結晶インゴットを得た。
【００１８】次いで該インゴットからカット面検査機で
［１００］方位の面出しをした後、スライサーで［１０
０］方位のウェハを切り出し、これを５mm口にカットし
た。得られたウェハをφ５．５μｍのＡｌ2 Ｏ3 砥粒で
ラッピング処理し、さらにφ１μｍとφ０．２５μｍの
砥粒でポリッシュ処理を施し、最後にこのウェハをブロ
ムメタノール（１％）でエッチングして加工変質層を除
去して［１００］方位に表面を有する５mm口のＺｎＳｅ
バルク単結晶基板を得た。尚、この基板の（４００）Ｘ
線ロッキングカーブの半価巾は２４arcsecであった。
［１００］方位の面出しをした後、スライサーで［１０
０］方位のウェハを切り出し、これを５mm口にカットし
た。得られたウェハをφ５．５μｍのＡｌ2 Ｏ3 砥粒で
ラッピング処理し、さらにφ１μｍとφ０．２５μｍの
砥粒でポリッシュ処理を施し、最後にこのウェハをブロ
ムメタノール（１％）でエッチングして加工変質層を除
去して［１００］方位に表面を有する５mm口のＺｎＳｅ
バルク単結晶基板を得た。尚、この基板の（４００）Ｘ
線ロッキングカーブの半価巾は２４arcsecであった。
【００１９】このようにして得たＺｎＳｅ単結晶基板を
エピタキシャル基板として用い、スライドボード法によ
るＬＰＥ法でＺｎＳｅ単結晶をホモエピタキシャル成長
させた。
エピタキシャル基板として用い、スライドボード法によ
るＬＰＥ法でＺｎＳｅ単結晶をホモエピタキシャル成長
させた。
【００２０】このＬＰＥ法による成長条件としては、溶
媒にＧａ0.84Ｉｎ0.16を用い、原料には予め７ＮＺｎと
６ＮＳｅのメタルソースを用いて特開平６−６４９０５
号に開示する製造方法により合成したＺｎＳｅを粉末化
したものを用い、窒素ガス雰囲気中、８６０℃に加熱保
持した後、徐冷してエピタキシャル成長させた。
媒にＧａ0.84Ｉｎ0.16を用い、原料には予め７ＮＺｎと
６ＮＳｅのメタルソースを用いて特開平６−６４９０５
号に開示する製造方法により合成したＺｎＳｅを粉末化
したものを用い、窒素ガス雰囲気中、８６０℃に加熱保
持した後、徐冷してエピタキシャル成長させた。
【００２１】このようにして作製したエピタキシャル成
長後のサンプルを顕微鏡写真で撮ったところ、図１はエ
ピタキシャル膜の表面を示す写真であるが、連続した膜
になっている。また基板およびエピタキシャル膜の断面
を図２に示すが、エピタキシャル面のモホロジーが良好
なことがわかる。
長後のサンプルを顕微鏡写真で撮ったところ、図１はエ
ピタキシャル膜の表面を示す写真であるが、連続した膜
になっている。また基板およびエピタキシャル膜の断面
を図２に示すが、エピタキシャル面のモホロジーが良好
なことがわかる。
【００２２】図５には２結晶Ｘ線回折法による上記エピ
タキシャル膜の（４００）Ｘ線ロッキングカーブを示す
が、これによると半価巾が基板と同等であることから、
良好な単結晶膜になっていることを示している。
タキシャル膜の（４００）Ｘ線ロッキングカーブを示す
が、これによると半価巾が基板と同等であることから、
良好な単結晶膜になっていることを示している。
【００２３】
【比較例１】従来法に気相法によって育成したＺｎＳｅ
バルク単結晶インゴットを対象とした以外は、実施例１
に示す手順で［１００］方位に表面を持つ５mm口のＺｎ
Ｓｅバルク単結晶基板を得た。この基板の（４００）Ｘ
線ロッキングカーブを調べたところ、半価巾は２０arcs
ecであった。
バルク単結晶インゴットを対象とした以外は、実施例１
に示す手順で［１００］方位に表面を持つ５mm口のＺｎ
Ｓｅバルク単結晶基板を得た。この基板の（４００）Ｘ
線ロッキングカーブを調べたところ、半価巾は２０arcs
ecであった。
【００２４】さらにこの基板を用いて、実施例１と全く
同様の条件でＬＰＥ法によりホモエピタキシャル成長を
試みこれらを顕微鏡写真に撮った。図３は、エピタキシ
ャル膜の表面を撮ったものであるが、アイランド状に成
長していて連続した一枚の膜とはなっていなく、また図
４には、基板およびエピタキシャル膜の断面図を示す
が、モホロジーが悪いことがわかる。
同様の条件でＬＰＥ法によりホモエピタキシャル成長を
試みこれらを顕微鏡写真に撮った。図３は、エピタキシ
ャル膜の表面を撮ったものであるが、アイランド状に成
長していて連続した一枚の膜とはなっていなく、また図
４には、基板およびエピタキシャル膜の断面図を示す
が、モホロジーが悪いことがわかる。
【００２５】
【実施例２】実施例１で用いたと同一の高圧溶融法によ
り育成された径１インチ長さ３０mmのＺｎＳｅバルク単
結晶インゴットから、実施例１と全く同様なプロセスを
経て［１００］方位を表面に持つ５mm口のＺｎＳｅバル
ク単結晶基板を得た。
り育成された径１インチ長さ３０mmのＺｎＳｅバルク単
結晶インゴットから、実施例１と全く同様なプロセスを
経て［１００］方位を表面に持つ５mm口のＺｎＳｅバル
ク単結晶基板を得た。
【００２６】この基板を用いて、実施例１に示すＬＰＥ
法に代えＭＯＣＶＤ法により、以下の条件下でＺｎＳｅ
単結晶膜をホモエピタキシャル成長させた。
法に代えＭＯＣＶＤ法により、以下の条件下でＺｎＳｅ
単結晶膜をホモエピタキシャル成長させた。
【００２７】先ず、上記基板を１０-8Torrの真空チャン
バー内で６２０℃×２０分サーマルクリーニングして基
板表面のベーキングを実施した。次に、基板温度を４７
０℃に降温してからＡｒガスを真空チャンバー内へ徐々
に吹き込み常圧まで戻した後、基板温度を４７０℃に保
ちながら原料のジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）とジエチルセ
レン（ＤＥＳｅ）とをそれぞれ３．５μmol/min 、９．
０μmol/min ずつ流し込み、約２時間流した。
バー内で６２０℃×２０分サーマルクリーニングして基
板表面のベーキングを実施した。次に、基板温度を４７
０℃に降温してからＡｒガスを真空チャンバー内へ徐々
に吹き込み常圧まで戻した後、基板温度を４７０℃に保
ちながら原料のジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）とジエチルセ
レン（ＤＥＳｅ）とをそれぞれ３．５μmol/min 、９．
０μmol/min ずつ流し込み、約２時間流した。
【００２８】その後、基板温度を５０℃／分の降温速度
で室温まで下げてからエピタキシャルされた基板を取り
出したところ、膜厚約１μｍのエピタキシャルが成長し
ているのが確認できた。
で室温まで下げてからエピタキシャルされた基板を取り
出したところ、膜厚約１μｍのエピタキシャルが成長し
ているのが確認できた。
【００２９】このエピタキシャル膜を２結晶Ｘ線回折法
により［４００］Ｘ線ロッキングカーブを測定した結果
を図６に示すが、半価巾が小さく良好な単結晶薄膜がエ
ピタキシャル成長していることが確認できた。
により［４００］Ｘ線ロッキングカーブを測定した結果
を図６に示すが、半価巾が小さく良好な単結晶薄膜がエ
ピタキシャル成長していることが確認できた。
【００３０】
【比較例２】比較例１で用いたと同じ気相法により育成
したＺｎＳｅ単結晶インゴットから、実施例１に示す手
段で［１００］方位に表面を持つ５mm口のＺｎＳｅバル
ク単結晶基板を得た。
したＺｎＳｅ単結晶インゴットから、実施例１に示す手
段で［１００］方位に表面を持つ５mm口のＺｎＳｅバル
ク単結晶基板を得た。
【００３１】この基板をエピタキシャル基板として用
い、実施例２と全く同一条件のＭＯＣＶＤ法により、Ｚ
ｎＳｅ単結晶膜のホモエピタキシャル成長を試み、膜厚
約１μｍのエピタキシャル膜を得た。
い、実施例２と全く同一条件のＭＯＣＶＤ法により、Ｚ
ｎＳｅ単結晶膜のホモエピタキシャル成長を試み、膜厚
約１μｍのエピタキシャル膜を得た。
【００３２】得られたエピタキシャル膜の［４００］Ｘ
線ロッキングカーブを図７に示すが、実施例２の場合と
比べて半価巾が約２倍大きく、結晶性が劣っていること
が判明した。この原因として、サーマルクリーニング時
における基板表面の熱ダメージの差によるものと考えら
れる。
線ロッキングカーブを図７に示すが、実施例２の場合と
比べて半価巾が約２倍大きく、結晶性が劣っていること
が判明した。この原因として、サーマルクリーニング時
における基板表面の熱ダメージの差によるものと考えら
れる。
【００３３】本発明における実施例としてＬＰＥ法とＭ
ＯＣＶＤ法によるホモエピタキシャル成長法について開
示したが、この成長法はＭＢＥ法を用いた場合において
も、ＺｎＳｅバルク単結晶基板を用い、その基板表面を
高温でサーマルクリーニングする工程を必須とするた
め、当然に実施例２に示すＭＯＣＶＤ法と同様な傾向を
示すことから、ＭＢＥ法によるホモエピタキシャル成長
法にも応用できるものである。
ＯＣＶＤ法によるホモエピタキシャル成長法について開
示したが、この成長法はＭＢＥ法を用いた場合において
も、ＺｎＳｅバルク単結晶基板を用い、その基板表面を
高温でサーマルクリーニングする工程を必須とするた
め、当然に実施例２に示すＭＯＣＶＤ法と同様な傾向を
示すことから、ＭＢＥ法によるホモエピタキシャル成長
法にも応用できるものである。
【００３４】
【発明の効果】上述のように融液成長法によって得られ
たＺｎＳｅ基板を用いて、ＬＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法ある
いはＭＢＥ法によってＺｎＳｅ単結晶膜をホモエピタキ
シャル成長させる方法の方が、従来の気相法によって得
られたＺｎＳｅ基板を用いる場合より、良質なエピタキ
シャル膜を得ることができる。
たＺｎＳｅ基板を用いて、ＬＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法ある
いはＭＢＥ法によってＺｎＳｅ単結晶膜をホモエピタキ
シャル成長させる方法の方が、従来の気相法によって得
られたＺｎＳｅ基板を用いる場合より、良質なエピタキ
シャル膜を得ることができる。
【図１】実施例１によって得られたエピタキシャル膜表
面を示す顕微鏡写真である。
面を示す顕微鏡写真である。
【図２】実施例１によって得られたエピタキシャル膜断
面を示す顕微鏡写真である。
面を示す顕微鏡写真である。
【図３】比較例１によって得られたエピタキシャル膜表
面を示す顕微鏡写真である。
面を示す顕微鏡写真である。
【図４】比較例１によって得られたエピタキシャル膜断
面を示す顕微鏡写真である。
面を示す顕微鏡写真である。
【図５】実施例１により得られたエピタキシャル膜の
［４００］Ｘ線ロッキングカーブを示す図面である。
［４００］Ｘ線ロッキングカーブを示す図面である。
【図６】実施例２により得られたエピタキシャル膜の
［４００］Ｘ線ロッキングカーブを示す図面である。
［４００］Ｘ線ロッキングカーブを示す図面である。
【図７】比較例２により得られたエピタキシャル膜の
［４００］Ｘ線ロッキングカーブを示す図面である。
［４００］Ｘ線ロッキングカーブを示す図面である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ３０Ｂ 25/20 Ｃ３０Ｂ 25/20 // Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｄ Ｈ０１Ｓ 3/18 Ｈ０１Ｓ 3/18 (72)発明者 西野 勇 東京都千代田区丸の内１丁目８番２号 同 和鉱業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 ＬＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法
によりＺｎＳｅバルク単結晶基板上にＺｎＳｅ単結晶膜
をホモエピタキシャル成長させる方法において、上記Ｚ
ｎＳｅバルク単結晶基板としてＺｎＳｅの融点前後で育
成したＺｎＳｅ単結晶体をエピタキシャル基板と成した
ものを用い、該基板上にＺｎＳｅ単結晶膜をホモエピタ
キシャル成長させることを特徴とするＺｎＳｅホモエピ
タキシャル単結晶膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4923495A JP3560180B2 (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | ＺｎＳｅホモエピタキシャル単結晶膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
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1995
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