JPH07240374A - ３−５族化合物半導体結晶 - Google Patents
３−５族化合物半導体結晶Info
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- JPH07240374A JPH07240374A JP3006794A JP3006794A JPH07240374A JP H07240374 A JPH07240374 A JP H07240374A JP 3006794 A JP3006794 A JP 3006794A JP 3006794 A JP3006794 A JP 3006794A JP H07240374 A JPH07240374 A JP H07240374A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】安価なサファイアの略Ｒ面基板上に成長させた
高品質な３−５族化合物半導体結晶を提供する。 【構成】３族元素として少なくともＧａ、５族元素とし
て少なくともＮを含有する３−５族化合物半導体結晶に
おいて、サファイアの略Ｒ面基板上に成長させた酸化亜
鉛結晶上に成長させてなることを特徴とする３−５族化
合物半導体結晶。
高品質な３−５族化合物半導体結晶を提供する。 【構成】３族元素として少なくともＧａ、５族元素とし
て少なくともＮを含有する３−５族化合物半導体結晶に
おいて、サファイアの略Ｒ面基板上に成長させた酸化亜
鉛結晶上に成長させてなることを特徴とする３−５族化
合物半導体結晶。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は３−５族化合物半導体結
晶に関する。
晶に関する。
【０００２】
【従来の技術】３−５族化合物半導体は、エネルギーギ
ャップが大きく、直接遷移型半導体でｐ型およびｎ型の
伝導性の制御がある程度可能なことから、緑色から青
色、紫外線領域短波長の発光デバイス材料として期待さ
れている。従来、３−５族化合物半導体は、サファイア
（α- Ａｌ2 Ｏ3 ）、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＳｉＣ、Ｓ
ｉ、ＺｎＯ、ＢＰ、ＺｎＳＳｅ、ダイアモンド、スピネ
ル等の基板上に成長したものが知られている。また基板
上にバッファー層を介して成長させたものも知られてい
る。バッファー層としては、サファイア基板上のＡｌ
Ｎ、ＧａＮおよびこれらの混晶、ＧａＰ基板上のＢＰ、
ＺｎＳＳｅ基板上のＺｎＳＯ等が知られている。これら
の中で発光素子に応用可能な高品質の３−５族化合物半
導体結晶が得られ、しかも実用上重要な、安価で大面積
の基板を用いることが可能なものは、現状ではサファイ
ア基板上にＡｌＮ、ＧａＮおよびこれらの混晶のバッフ
ァー層を介して成長したものである。
ャップが大きく、直接遷移型半導体でｐ型およびｎ型の
伝導性の制御がある程度可能なことから、緑色から青
色、紫外線領域短波長の発光デバイス材料として期待さ
れている。従来、３−５族化合物半導体は、サファイア
（α- Ａｌ2 Ｏ3 ）、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＳｉＣ、Ｓ
ｉ、ＺｎＯ、ＢＰ、ＺｎＳＳｅ、ダイアモンド、スピネ
ル等の基板上に成長したものが知られている。また基板
上にバッファー層を介して成長させたものも知られてい
る。バッファー層としては、サファイア基板上のＡｌ
Ｎ、ＧａＮおよびこれらの混晶、ＧａＰ基板上のＢＰ、
ＺｎＳＳｅ基板上のＺｎＳＯ等が知られている。これら
の中で発光素子に応用可能な高品質の３−５族化合物半
導体結晶が得られ、しかも実用上重要な、安価で大面積
の基板を用いることが可能なものは、現状ではサファイ
ア基板上にＡｌＮ、ＧａＮおよびこれらの混晶のバッフ
ァー層を介して成長したものである。
【０００３】サファイア基板と３−５族化合物半導体結
晶は格子定数不整および熱膨脹係数差が大きいため、良
好な結晶品質を有する３−５族化合物半導体結晶をサフ
ァイア基板上に作製するのは困難であった。この問題を
解決して、サファイア基板上に高品質の窒化ガリウム系
化合物半導体結晶を成長させる方法としてバッファー層
を介する方法が知られている。バッファー層を介する方
法は、サファイア基板上に有機金属気相成長法（以下Ｍ
ＯＶＰＥ法ということがある。）で、例えば６００℃の
温度で窒化アルミニウム、窒化ガリウムあるいはこれら
の混晶のバッファー層を成長させ、このバッファー層上
に３−５族化合物半導体結晶を成長させる方法である。
しかしながら、バッファー層を介する方法では、高品質
な３−５族化合物半導体結晶が得られるのはサファイア
Ｃ面基板上に限られていた。サファイアＣ面基板は、サ
ファイア基板の中でも製造が難しく比較的高価な面方位
の基板であるため、この基板上に成長した３−５族化合
物半導体結晶を用いた青色発光ダイオードも高価なもの
になっていた。サファイア基板の中では、Ｒ面方位の基
板が最も製造コストが低く、かつＣ面基板よりも大口径
のものが得られているので、この面方位の基板がデバイ
ス応用に利用できれば実用上極めて有用である。しか
し、サファイアＲ面基板の上に成長させた３−５族化合
物半導体結晶では、これまで高品質のものは得られてい
なかった。
晶は格子定数不整および熱膨脹係数差が大きいため、良
好な結晶品質を有する３−５族化合物半導体結晶をサフ
ァイア基板上に作製するのは困難であった。この問題を
解決して、サファイア基板上に高品質の窒化ガリウム系
化合物半導体結晶を成長させる方法としてバッファー層
を介する方法が知られている。バッファー層を介する方
法は、サファイア基板上に有機金属気相成長法（以下Ｍ
ＯＶＰＥ法ということがある。）で、例えば６００℃の
温度で窒化アルミニウム、窒化ガリウムあるいはこれら
の混晶のバッファー層を成長させ、このバッファー層上
に３−５族化合物半導体結晶を成長させる方法である。
しかしながら、バッファー層を介する方法では、高品質
な３−５族化合物半導体結晶が得られるのはサファイア
Ｃ面基板上に限られていた。サファイアＣ面基板は、サ
ファイア基板の中でも製造が難しく比較的高価な面方位
の基板であるため、この基板上に成長した３−５族化合
物半導体結晶を用いた青色発光ダイオードも高価なもの
になっていた。サファイア基板の中では、Ｒ面方位の基
板が最も製造コストが低く、かつＣ面基板よりも大口径
のものが得られているので、この面方位の基板がデバイ
ス応用に利用できれば実用上極めて有用である。しか
し、サファイアＲ面基板の上に成長させた３−５族化合
物半導体結晶では、これまで高品質のものは得られてい
なかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、安価
なサファイアの略Ｒ面基板上に成長させた高品質な３−
５族化合物半導体結晶を提供することにある。
なサファイアの略Ｒ面基板上に成長させた高品質な３−
５族化合物半導体結晶を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、これらの
問題をみて鋭意検討した結果、サファイアの略Ｒ面基板
上に酸化亜鉛結晶層を形成し、該酸化亜鉛結晶層上に３
−５族化合物半導体結晶層を成長させることにより、高
品質の３−５族化合物半導体結晶が得られることを見い
だし本発明を完成するに至った。
問題をみて鋭意検討した結果、サファイアの略Ｒ面基板
上に酸化亜鉛結晶層を形成し、該酸化亜鉛結晶層上に３
−５族化合物半導体結晶層を成長させることにより、高
品質の３−５族化合物半導体結晶が得られることを見い
だし本発明を完成するに至った。
【０００６】すなわち、本発明は次に記す発明である。 （１）３族元素として少なくともＧａ、５族元素として
少なくともＮを含有する３−５族化合物半導体結晶にお
いて、サファイアの略Ｒ面基板上に成長させた酸化亜鉛
結晶上に成長させてなることを特徴とする３−５族化合
物半導体結晶。 （２）３−５族化合物半導体結晶が、ＧａＮ、Ａｌx Ｇ
ａ1-x Ｎ（式中、０＜ｘ＜１）、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（式
中、０＜ｘ＜１）、Ｉｎx Ｇａy Ａｌ1-x-y Ｎ（式中、
０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）、Ｉｎx Ｇ
ａ1-x Ｎy Ｐ1-y（式中、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）も
しくはＩｎx Ｇａ1-x Ｎy Ａｓ1-y （式中、０＜ｘ＜
１、０＜ｙ＜１）、ＧａＮy Ｐ1-y （式中、０＜ｙ＜1
）、ＧａＮyＡｓ1-y （式中、０＜ｙ＜1 ）で表される
３−５族化合物半導体であることを特徴とする（１）記
載の３−５族化合物半導体結晶。
少なくともＮを含有する３−５族化合物半導体結晶にお
いて、サファイアの略Ｒ面基板上に成長させた酸化亜鉛
結晶上に成長させてなることを特徴とする３−５族化合
物半導体結晶。 （２）３−５族化合物半導体結晶が、ＧａＮ、Ａｌx Ｇ
ａ1-x Ｎ（式中、０＜ｘ＜１）、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（式
中、０＜ｘ＜１）、Ｉｎx Ｇａy Ａｌ1-x-y Ｎ（式中、
０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）、Ｉｎx Ｇ
ａ1-x Ｎy Ｐ1-y（式中、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）も
しくはＩｎx Ｇａ1-x Ｎy Ａｓ1-y （式中、０＜ｘ＜
１、０＜ｙ＜１）、ＧａＮy Ｐ1-y （式中、０＜ｙ＜1
）、ＧａＮyＡｓ1-y （式中、０＜ｙ＜1 ）で表される
３−５族化合物半導体であることを特徴とする（１）記
載の３−５族化合物半導体結晶。
【０００７】次に、本発明を詳細に説明する。本発明の
３−５族化合物半導体結晶とは、メンデレーエフの元素
周期率表における３族元素として少なくともＧａ、５族
元素として少なくとも窒素（Ｎ）を含有する３−５族化
合物半導体結晶に関する。ここで、結晶の結晶面の表
示、例えば
３−５族化合物半導体結晶とは、メンデレーエフの元素
周期率表における３族元素として少なくともＧａ、５族
元素として少なくとも窒素（Ｎ）を含有する３−５族化
合物半導体結晶に関する。ここで、結晶の結晶面の表
示、例えば
【数１】 を、以下（０１−１２）と表す。
【０００８】ここで、サファイアのＲ面とは、α−アル
ミナ結晶の（０１−１２）結晶面を意味し、サファイア
のＲ面からのオフ角とは、Ｒ面に立てた垂線と実際の結
晶面に立てた垂線とのなす角を意味する。本発明におい
て、サファイアの略Ｒ面基板とは、ほぼサファイアのＲ
面に近い結晶面を表面に有する基板のことであり、具体
的にはＲ面からのオフ角が８°以下のものが好ましい。
さらに、表面が平面度よく機械研磨されたサファイア
（α−アルミナ）のＲ面単結晶基板を用いることが好ま
しい。Ｒ面を有するサファイア基板の厚さは特に制限は
ないが、０．１から０．５ｍｍ程度が好ましい。
ミナ結晶の（０１−１２）結晶面を意味し、サファイア
のＲ面からのオフ角とは、Ｒ面に立てた垂線と実際の結
晶面に立てた垂線とのなす角を意味する。本発明におい
て、サファイアの略Ｒ面基板とは、ほぼサファイアのＲ
面に近い結晶面を表面に有する基板のことであり、具体
的にはＲ面からのオフ角が８°以下のものが好ましい。
さらに、表面が平面度よく機械研磨されたサファイア
（α−アルミナ）のＲ面単結晶基板を用いることが好ま
しい。Ｒ面を有するサファイア基板の厚さは特に制限は
ないが、０．１から０．５ｍｍ程度が好ましい。
【０００９】本発明における酸化亜鉛結晶層の形成方法
としては、スパッタリング法や化学気相成長法（ＶＰＥ
法）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、イオンプレ
ーティング法、反応性クラスタイオンビーム法、反応性
ビーム蒸着法等が用いられるが、スパッタリング法と化
学気相成長法が単結晶層が得られ、かつ成長速度が大き
いので好適である。スパッタリング法の中でも、酸化亜
鉛ターゲットを用いたマグネトロンスパッタ法と、亜鉛
ターゲットと酸素ガスを含む雰囲気を用いて成長を行う
反応性スパッタ法が特に好適である。化学気相成長法で
は、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法が特に好適であ
る。
としては、スパッタリング法や化学気相成長法（ＶＰＥ
法）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、イオンプレ
ーティング法、反応性クラスタイオンビーム法、反応性
ビーム蒸着法等が用いられるが、スパッタリング法と化
学気相成長法が単結晶層が得られ、かつ成長速度が大き
いので好適である。スパッタリング法の中でも、酸化亜
鉛ターゲットを用いたマグネトロンスパッタ法と、亜鉛
ターゲットと酸素ガスを含む雰囲気を用いて成長を行う
反応性スパッタ法が特に好適である。化学気相成長法で
は、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法が特に好適であ
る。
【００１０】サファイア基板の略Ｒ面上には酸化亜鉛の
（１１−２０）面（以下、Ａ面ということがある。）を
エピタキシャル成長させる。酸化亜鉛層の膜厚は１００
Å〜５μｍ程度が好ましい。１００Å未満では高品質の
酸化亜鉛結晶が得られず、また５μｍを超えると成長時
間が長くなり過ぎ、それぞれ実用上適当ではない。
（１１−２０）面（以下、Ａ面ということがある。）を
エピタキシャル成長させる。酸化亜鉛層の膜厚は１００
Å〜５μｍ程度が好ましい。１００Å未満では高品質の
酸化亜鉛結晶が得られず、また５μｍを超えると成長時
間が長くなり過ぎ、それぞれ実用上適当ではない。
【００１１】本発明における、３族元素として少なくと
もＧａ、５族元素として少なくともＮを含有する３−５
族化合物半導体結晶としては、ＧａＮ、Ａｌx Ｇａ1-x
Ｎ（式中、０＜ｘ＜１）、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（式中、０
＜ｘ＜１）、Ｉｎx Ｇａy Ａｌ1-x-y Ｎ（式中、０＜ｘ
＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）、Ｉｎx Ｇａ1- x
Ｎy Ｐ1-y （式中、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）もしくは
Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎy Ａｓ1-y （式中、０＜ｘ＜１、０＜
ｙ＜１）、ＧａＮy Ｐ1-y （式中、０＜ｙ＜1）、Ｇａ
Ｎy Ａｓ1-y （式中、０＜ｙ＜1 ）で表される３−５族
化合物半導体が挙げられる。また、前記の化合物半導体
の少なくとも２層の積層である化合物半導体結晶が挙げ
られる。本発明における３−５族化合物半導体結晶を成
長させる方法としては、公知の有機金属気相成長（ＭＯ
ＶＰＥ）法や分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法が用いら
れるが、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法が成長速度
が大きいことから好適である。
もＧａ、５族元素として少なくともＮを含有する３−５
族化合物半導体結晶としては、ＧａＮ、Ａｌx Ｇａ1-x
Ｎ（式中、０＜ｘ＜１）、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（式中、０
＜ｘ＜１）、Ｉｎx Ｇａy Ａｌ1-x-y Ｎ（式中、０＜ｘ
＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）、Ｉｎx Ｇａ1- x
Ｎy Ｐ1-y （式中、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）もしくは
Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎy Ａｓ1-y （式中、０＜ｘ＜１、０＜
ｙ＜１）、ＧａＮy Ｐ1-y （式中、０＜ｙ＜1）、Ｇａ
Ｎy Ａｓ1-y （式中、０＜ｙ＜1 ）で表される３−５族
化合物半導体が挙げられる。また、前記の化合物半導体
の少なくとも２層の積層である化合物半導体結晶が挙げ
られる。本発明における３−５族化合物半導体結晶を成
長させる方法としては、公知の有機金属気相成長（ＭＯ
ＶＰＥ）法や分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法が用いら
れるが、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法が成長速度
が大きいことから好適である。
【００１２】
【実施例】以下に本発明を具体的な実施例に基づいて説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ 表面を平面度よく機械研磨したサファイア略Ｒ面基板を
洗浄乾燥し、亜鉛メタルターゲットがセットしてある高
周波マグネトロンスパッタ装置（徳田製作所製、ＣＦＳ
−４ＥＳ）に載置した。基板を２５０℃に加熱し、Ａｒ
ガスと酸素の組成を各々５０％とし、真空度を０．７Ｐ
ａに調節し、ＲＦ電力を５００Ｗとして、酸化亜鉛を５
０００Å成長させた。成長した酸化亜鉛薄膜の面方位を
Ｘ線回析で測定したところ、（１１−２０）面（Ａ面）
成長した単結晶薄膜であった。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ 表面を平面度よく機械研磨したサファイア略Ｒ面基板を
洗浄乾燥し、亜鉛メタルターゲットがセットしてある高
周波マグネトロンスパッタ装置（徳田製作所製、ＣＦＳ
−４ＥＳ）に載置した。基板を２５０℃に加熱し、Ａｒ
ガスと酸素の組成を各々５０％とし、真空度を０．７Ｐ
ａに調節し、ＲＦ電力を５００Ｗとして、酸化亜鉛を５
０００Å成長させた。成長した酸化亜鉛薄膜の面方位を
Ｘ線回析で測定したところ、（１１−２０）面（Ａ面）
成長した単結晶薄膜であった。
【００１３】次に、該酸化亜鉛単結晶を成長させたサフ
ァイアＲ面基板を有機金属気相成長装置の反応管内のカ
ーボンサセプター上に載置した。反応管内を真空排気し
た後、窒素ガスで置換した。基板温度を８００℃に上
げ、窒素ガスを２リットル／分、アンモニアガスを２リ
ットル／分、トリメチルガリウムガスを２×１０-6モル
／分、トリメチルインジウムガスを２×１０-5モル／分
供給し、膜厚２μｍのＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層（ｘ＝０．
１）を成長させた。以上の工程によって成長させたＩｎ
x Ｇａ1-x Ｎの結晶品質を調べるため、Ｘ線ロッキング
カーブ法によって（１１−２０）回析線の半値幅を測定
したところ、４０分（角度）であった。また、電子顕微
鏡によってＩｎx Ｇａ1-x Ｎ結晶の表面平坦性を調べた
ところ、凸凹のない均一な鏡面結晶であった。
ァイアＲ面基板を有機金属気相成長装置の反応管内のカ
ーボンサセプター上に載置した。反応管内を真空排気し
た後、窒素ガスで置換した。基板温度を８００℃に上
げ、窒素ガスを２リットル／分、アンモニアガスを２リ
ットル／分、トリメチルガリウムガスを２×１０-6モル
／分、トリメチルインジウムガスを２×１０-5モル／分
供給し、膜厚２μｍのＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層（ｘ＝０．
１）を成長させた。以上の工程によって成長させたＩｎ
x Ｇａ1-x Ｎの結晶品質を調べるため、Ｘ線ロッキング
カーブ法によって（１１−２０）回析線の半値幅を測定
したところ、４０分（角度）であった。また、電子顕微
鏡によってＩｎx Ｇａ1-x Ｎ結晶の表面平坦性を調べた
ところ、凸凹のない均一な鏡面結晶であった。
【００１４】比較例１ 表面を平面度良く機械研磨したサファイア略Ｒ面基板を
洗浄乾燥し、有機金属気相成長装置の反応管内のカーボ
ンサセプター上に載置した。反応管内を真空排気した
後、水素で置換した。ガス導入管より水素を２リットル
／分で供給しながら基板温度を１１００℃まで上げ、こ
の状態を１０分保持し、基板のクリーニングを行った。
洗浄乾燥し、有機金属気相成長装置の反応管内のカーボ
ンサセプター上に載置した。反応管内を真空排気した
後、水素で置換した。ガス導入管より水素を２リットル
／分で供給しながら基板温度を１１００℃まで上げ、こ
の状態を１０分保持し、基板のクリーニングを行った。
【００１５】次に基板温度を８００℃まで下げ、２リッ
トル／分の窒素ガス、２リットル／分のアンモニアガ
ス、２×１０-6モル／分のトリメチルガリウム及び２×
１０-5モル／分のトリメチルインジウムガスを供給し、
Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（ｘ= ０. １）層を２μｍ成長させ
た。以上の工程によって成長させたＩｎx Ｇａ1-x Ｎの
結晶は白濁して不透明であり、電子顕微鏡によって表面
状態を調べたところ、凹凸の激しい不均一な膜であっ
た。
トル／分の窒素ガス、２リットル／分のアンモニアガ
ス、２×１０-6モル／分のトリメチルガリウム及び２×
１０-5モル／分のトリメチルインジウムガスを供給し、
Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（ｘ= ０. １）層を２μｍ成長させ
た。以上の工程によって成長させたＩｎx Ｇａ1-x Ｎの
結晶は白濁して不透明であり、電子顕微鏡によって表面
状態を調べたところ、凹凸の激しい不均一な膜であっ
た。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、サファイアのＲ面基板
上に酸化亜鉛結晶層を形成し、該酸化亜鉛結晶層上に窒
化ガリウム系化合物半導体結晶を成長させることによ
り、サファイアＲ面基板上に成長させた高品質かつ安価
な３−５族化合物半導体結晶を得ることができる。該３
−５族化合物半導体結晶は、緑から青、紫外線領域の短
波長の発光素子に用いられ高品質かつ安価な発光素子を
実現することができ、実用上極めて有用である。
上に酸化亜鉛結晶層を形成し、該酸化亜鉛結晶層上に窒
化ガリウム系化合物半導体結晶を成長させることによ
り、サファイアＲ面基板上に成長させた高品質かつ安価
な３−５族化合物半導体結晶を得ることができる。該３
−５族化合物半導体結晶は、緑から青、紫外線領域の短
波長の発光素子に用いられ高品質かつ安価な発光素子を
実現することができ、実用上極めて有用である。
【図１】本発明のサファイアのＲ面基板上に成長してな
る３−５族化合物半導体結晶の概略図。
る３−５族化合物半導体結晶の概略図。
１． サファイアＲ面基板。 ２． 酸化亜鉛結晶層。 ３． ３−５族化合物半導体結晶層。
Claims (2)
- 【請求項１】３族元素として少なくともＧａ、５族元素
として少なくともＮを含有する３−５族化合物半導体結
晶において、サファイアの略Ｒ面基板上に成長させた酸
化亜鉛結晶上に成長させてなることを特徴とする３−５
族化合物半導体結晶。 - 【請求項２】３−５族化合物半導体結晶が、ＧａＮ、Ａ
ｌx Ｇａ1-x Ｎ（式中、０＜ｘ＜１）、Ｉｎx Ｇａ1-x
Ｎ（式中、０＜ｘ＜１）、Ｉｎx Ｇａy Ａｌ 1-x-y Ｎ
（式中、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）、
Ｉｎx Ｇａ1-xＮy Ｐ1-y （式中、０＜ｘ＜１、０＜ｙ
＜１）もしくはＩｎx Ｇａ1-x Ｎy Ａｓ 1-y （式中、０
＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）、ＧａＮy Ｐ1-y （式中、０＜
ｙ＜1 ）、ＧａＮy Ａｓ1-y （式中、０＜ｙ＜1 ）で表
される３−５族化合物半導体であることを特徴とする請
求項１記載の３−５族化合物半導体結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3006794A JPH07240374A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | ３−５族化合物半導体結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3006794A JPH07240374A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | ３−５族化合物半導体結晶 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240374A true JPH07240374A (ja) | 1995-09-12 |
Family
ID=12293478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3006794A Pending JPH07240374A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | ３−５族化合物半導体結晶 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07240374A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438813B1 (ko) * | 1997-10-24 | 2004-07-16 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨(gan) 웨이퍼 제조방법 |
| KR100450785B1 (ko) * | 1997-12-23 | 2004-11-16 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨후막제조방법 |
| JP2008508741A (ja) * | 2004-08-02 | 2008-03-21 | キネテイツク・リミテツド | パターン加工済みのシリコン上でのテルル化カドミウム水銀の製造 |
| US7951617B2 (en) | 2005-10-06 | 2011-05-31 | Showa Denko K.K. | Group III nitride semiconductor stacked structure and production method thereof |
| US8021914B2 (en) | 2004-04-06 | 2011-09-20 | Qinetiq Limited | Manufacture of cadmium mercury telluride |
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1994
- 1994-02-28 JP JP3006794A patent/JPH07240374A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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