JPH07240374A - 3−5族化合物半導体結晶 - Google Patents
3−5族化合物半導体結晶Info
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- JPH07240374A JPH07240374A JP3006794A JP3006794A JPH07240374A JP H07240374 A JPH07240374 A JP H07240374A JP 3006794 A JP3006794 A JP 3006794A JP 3006794 A JP3006794 A JP 3006794A JP H07240374 A JPH07240374 A JP H07240374A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】安価なサファイアの略R面基板上に成長させた
高品質な3−5族化合物半導体結晶を提供する。 【構成】3族元素として少なくともGa、5族元素とし
て少なくともNを含有する3−5族化合物半導体結晶に
おいて、サファイアの略R面基板上に成長させた酸化亜
鉛結晶上に成長させてなることを特徴とする3−5族化
合物半導体結晶。
高品質な3−5族化合物半導体結晶を提供する。 【構成】3族元素として少なくともGa、5族元素とし
て少なくともNを含有する3−5族化合物半導体結晶に
おいて、サファイアの略R面基板上に成長させた酸化亜
鉛結晶上に成長させてなることを特徴とする3−5族化
合物半導体結晶。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は3−5族化合物半導体結
晶に関する。
晶に関する。
【0002】
【従来の技術】3−5族化合物半導体は、エネルギーギ
ャップが大きく、直接遷移型半導体でp型およびn型の
伝導性の制御がある程度可能なことから、緑色から青
色、紫外線領域短波長の発光デバイス材料として期待さ
れている。従来、3−5族化合物半導体は、サファイア
(α- Al2 O3 )、GaAs、GaP、SiC、S
i、ZnO、BP、ZnSSe、ダイアモンド、スピネ
ル等の基板上に成長したものが知られている。また基板
上にバッファー層を介して成長させたものも知られてい
る。バッファー層としては、サファイア基板上のAl
N、GaNおよびこれらの混晶、GaP基板上のBP、
ZnSSe基板上のZnSO等が知られている。これら
の中で発光素子に応用可能な高品質の3−5族化合物半
導体結晶が得られ、しかも実用上重要な、安価で大面積
の基板を用いることが可能なものは、現状ではサファイ
ア基板上にAlN、GaNおよびこれらの混晶のバッフ
ァー層を介して成長したものである。
ャップが大きく、直接遷移型半導体でp型およびn型の
伝導性の制御がある程度可能なことから、緑色から青
色、紫外線領域短波長の発光デバイス材料として期待さ
れている。従来、3−5族化合物半導体は、サファイア
(α- Al2 O3 )、GaAs、GaP、SiC、S
i、ZnO、BP、ZnSSe、ダイアモンド、スピネ
ル等の基板上に成長したものが知られている。また基板
上にバッファー層を介して成長させたものも知られてい
る。バッファー層としては、サファイア基板上のAl
N、GaNおよびこれらの混晶、GaP基板上のBP、
ZnSSe基板上のZnSO等が知られている。これら
の中で発光素子に応用可能な高品質の3−5族化合物半
導体結晶が得られ、しかも実用上重要な、安価で大面積
の基板を用いることが可能なものは、現状ではサファイ
ア基板上にAlN、GaNおよびこれらの混晶のバッフ
ァー層を介して成長したものである。
【0003】サファイア基板と3−5族化合物半導体結
晶は格子定数不整および熱膨脹係数差が大きいため、良
好な結晶品質を有する3−5族化合物半導体結晶をサフ
ァイア基板上に作製するのは困難であった。この問題を
解決して、サファイア基板上に高品質の窒化ガリウム系
化合物半導体結晶を成長させる方法としてバッファー層
を介する方法が知られている。バッファー層を介する方
法は、サファイア基板上に有機金属気相成長法(以下M
OVPE法ということがある。)で、例えば600℃の
温度で窒化アルミニウム、窒化ガリウムあるいはこれら
の混晶のバッファー層を成長させ、このバッファー層上
に3−5族化合物半導体結晶を成長させる方法である。
しかしながら、バッファー層を介する方法では、高品質
な3−5族化合物半導体結晶が得られるのはサファイア
C面基板上に限られていた。サファイアC面基板は、サ
ファイア基板の中でも製造が難しく比較的高価な面方位
の基板であるため、この基板上に成長した3−5族化合
物半導体結晶を用いた青色発光ダイオードも高価なもの
になっていた。サファイア基板の中では、R面方位の基
板が最も製造コストが低く、かつC面基板よりも大口径
のものが得られているので、この面方位の基板がデバイ
ス応用に利用できれば実用上極めて有用である。しか
し、サファイアR面基板の上に成長させた3−5族化合
物半導体結晶では、これまで高品質のものは得られてい
なかった。
晶は格子定数不整および熱膨脹係数差が大きいため、良
好な結晶品質を有する3−5族化合物半導体結晶をサフ
ァイア基板上に作製するのは困難であった。この問題を
解決して、サファイア基板上に高品質の窒化ガリウム系
化合物半導体結晶を成長させる方法としてバッファー層
を介する方法が知られている。バッファー層を介する方
法は、サファイア基板上に有機金属気相成長法(以下M
OVPE法ということがある。)で、例えば600℃の
温度で窒化アルミニウム、窒化ガリウムあるいはこれら
の混晶のバッファー層を成長させ、このバッファー層上
に3−5族化合物半導体結晶を成長させる方法である。
しかしながら、バッファー層を介する方法では、高品質
な3−5族化合物半導体結晶が得られるのはサファイア
C面基板上に限られていた。サファイアC面基板は、サ
ファイア基板の中でも製造が難しく比較的高価な面方位
の基板であるため、この基板上に成長した3−5族化合
物半導体結晶を用いた青色発光ダイオードも高価なもの
になっていた。サファイア基板の中では、R面方位の基
板が最も製造コストが低く、かつC面基板よりも大口径
のものが得られているので、この面方位の基板がデバイ
ス応用に利用できれば実用上極めて有用である。しか
し、サファイアR面基板の上に成長させた3−5族化合
物半導体結晶では、これまで高品質のものは得られてい
なかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、安価
なサファイアの略R面基板上に成長させた高品質な3−
5族化合物半導体結晶を提供することにある。
なサファイアの略R面基板上に成長させた高品質な3−
5族化合物半導体結晶を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、これらの
問題をみて鋭意検討した結果、サファイアの略R面基板
上に酸化亜鉛結晶層を形成し、該酸化亜鉛結晶層上に3
−5族化合物半導体結晶層を成長させることにより、高
品質の3−5族化合物半導体結晶が得られることを見い
だし本発明を完成するに至った。
問題をみて鋭意検討した結果、サファイアの略R面基板
上に酸化亜鉛結晶層を形成し、該酸化亜鉛結晶層上に3
−5族化合物半導体結晶層を成長させることにより、高
品質の3−5族化合物半導体結晶が得られることを見い
だし本発明を完成するに至った。
【0006】すなわち、本発明は次に記す発明である。 (1)3族元素として少なくともGa、5族元素として
少なくともNを含有する3−5族化合物半導体結晶にお
いて、サファイアの略R面基板上に成長させた酸化亜鉛
結晶上に成長させてなることを特徴とする3−5族化合
物半導体結晶。 (2)3−5族化合物半導体結晶が、GaN、Alx G
a1-x N(式中、0<x<1)、Inx Ga1-x N(式
中、0<x<1)、Inx Gay Al1-x-y N(式中、
0<x<1、0<y<1、0<x+y<1)、Inx G
a1-x Ny P1-y(式中、0<x<1、0<y<1)も
しくはInx Ga1-x Ny As1-y (式中、0<x<
1、0<y<1)、GaNy P1-y (式中、0<y<1
)、GaNyAs1-y (式中、0<y<1 )で表される
3−5族化合物半導体であることを特徴とする(1)記
載の3−5族化合物半導体結晶。
少なくともNを含有する3−5族化合物半導体結晶にお
いて、サファイアの略R面基板上に成長させた酸化亜鉛
結晶上に成長させてなることを特徴とする3−5族化合
物半導体結晶。 (2)3−5族化合物半導体結晶が、GaN、Alx G
a1-x N(式中、0<x<1)、Inx Ga1-x N(式
中、0<x<1)、Inx Gay Al1-x-y N(式中、
0<x<1、0<y<1、0<x+y<1)、Inx G
a1-x Ny P1-y(式中、0<x<1、0<y<1)も
しくはInx Ga1-x Ny As1-y (式中、0<x<
1、0<y<1)、GaNy P1-y (式中、0<y<1
)、GaNyAs1-y (式中、0<y<1 )で表される
3−5族化合物半導体であることを特徴とする(1)記
載の3−5族化合物半導体結晶。
【0007】次に、本発明を詳細に説明する。本発明の
3−5族化合物半導体結晶とは、メンデレーエフの元素
周期率表における3族元素として少なくともGa、5族
元素として少なくとも窒素(N)を含有する3−5族化
合物半導体結晶に関する。ここで、結晶の結晶面の表
示、例えば
3−5族化合物半導体結晶とは、メンデレーエフの元素
周期率表における3族元素として少なくともGa、5族
元素として少なくとも窒素(N)を含有する3−5族化
合物半導体結晶に関する。ここで、結晶の結晶面の表
示、例えば
【数1】 を、以下(01−12)と表す。
【0008】ここで、サファイアのR面とは、α−アル
ミナ結晶の(01−12)結晶面を意味し、サファイア
のR面からのオフ角とは、R面に立てた垂線と実際の結
晶面に立てた垂線とのなす角を意味する。本発明におい
て、サファイアの略R面基板とは、ほぼサファイアのR
面に近い結晶面を表面に有する基板のことであり、具体
的にはR面からのオフ角が8°以下のものが好ましい。
さらに、表面が平面度よく機械研磨されたサファイア
(α−アルミナ)のR面単結晶基板を用いることが好ま
しい。R面を有するサファイア基板の厚さは特に制限は
ないが、0.1から0.5mm程度が好ましい。
ミナ結晶の(01−12)結晶面を意味し、サファイア
のR面からのオフ角とは、R面に立てた垂線と実際の結
晶面に立てた垂線とのなす角を意味する。本発明におい
て、サファイアの略R面基板とは、ほぼサファイアのR
面に近い結晶面を表面に有する基板のことであり、具体
的にはR面からのオフ角が8°以下のものが好ましい。
さらに、表面が平面度よく機械研磨されたサファイア
(α−アルミナ)のR面単結晶基板を用いることが好ま
しい。R面を有するサファイア基板の厚さは特に制限は
ないが、0.1から0.5mm程度が好ましい。
【0009】本発明における酸化亜鉛結晶層の形成方法
としては、スパッタリング法や化学気相成長法(VPE
法)、分子線エピタキシー法(MBE法)、イオンプレ
ーティング法、反応性クラスタイオンビーム法、反応性
ビーム蒸着法等が用いられるが、スパッタリング法と化
学気相成長法が単結晶層が得られ、かつ成長速度が大き
いので好適である。スパッタリング法の中でも、酸化亜
鉛ターゲットを用いたマグネトロンスパッタ法と、亜鉛
ターゲットと酸素ガスを含む雰囲気を用いて成長を行う
反応性スパッタ法が特に好適である。化学気相成長法で
は、有機金属気相成長(MOVPE)法が特に好適であ
る。
としては、スパッタリング法や化学気相成長法(VPE
法)、分子線エピタキシー法(MBE法)、イオンプレ
ーティング法、反応性クラスタイオンビーム法、反応性
ビーム蒸着法等が用いられるが、スパッタリング法と化
学気相成長法が単結晶層が得られ、かつ成長速度が大き
いので好適である。スパッタリング法の中でも、酸化亜
鉛ターゲットを用いたマグネトロンスパッタ法と、亜鉛
ターゲットと酸素ガスを含む雰囲気を用いて成長を行う
反応性スパッタ法が特に好適である。化学気相成長法で
は、有機金属気相成長(MOVPE)法が特に好適であ
る。
【0010】サファイア基板の略R面上には酸化亜鉛の
(11−20)面(以下、A面ということがある。)を
エピタキシャル成長させる。酸化亜鉛層の膜厚は100
Å〜5μm程度が好ましい。100Å未満では高品質の
酸化亜鉛結晶が得られず、また5μmを超えると成長時
間が長くなり過ぎ、それぞれ実用上適当ではない。
(11−20)面(以下、A面ということがある。)を
エピタキシャル成長させる。酸化亜鉛層の膜厚は100
Å〜5μm程度が好ましい。100Å未満では高品質の
酸化亜鉛結晶が得られず、また5μmを超えると成長時
間が長くなり過ぎ、それぞれ実用上適当ではない。
【0011】本発明における、3族元素として少なくと
もGa、5族元素として少なくともNを含有する3−5
族化合物半導体結晶としては、GaN、Alx Ga1-x
N(式中、0<x<1)、Inx Ga1-x N(式中、0
<x<1)、Inx Gay Al1-x-y N(式中、0<x
<1、0<y<1、0<x+y<1)、Inx Ga1- x
Ny P1-y (式中、0<x<1、0<y<1)もしくは
Inx Ga1-x Ny As1-y (式中、0<x<1、0<
y<1)、GaNy P1-y (式中、0<y<1)、Ga
Ny As1-y (式中、0<y<1 )で表される3−5族
化合物半導体が挙げられる。また、前記の化合物半導体
の少なくとも2層の積層である化合物半導体結晶が挙げ
られる。本発明における3−5族化合物半導体結晶を成
長させる方法としては、公知の有機金属気相成長(MO
VPE)法や分子線エピタキシー(MBE)法が用いら
れるが、有機金属気相成長(MOVPE)法が成長速度
が大きいことから好適である。
もGa、5族元素として少なくともNを含有する3−5
族化合物半導体結晶としては、GaN、Alx Ga1-x
N(式中、0<x<1)、Inx Ga1-x N(式中、0
<x<1)、Inx Gay Al1-x-y N(式中、0<x
<1、0<y<1、0<x+y<1)、Inx Ga1- x
Ny P1-y (式中、0<x<1、0<y<1)もしくは
Inx Ga1-x Ny As1-y (式中、0<x<1、0<
y<1)、GaNy P1-y (式中、0<y<1)、Ga
Ny As1-y (式中、0<y<1 )で表される3−5族
化合物半導体が挙げられる。また、前記の化合物半導体
の少なくとも2層の積層である化合物半導体結晶が挙げ
られる。本発明における3−5族化合物半導体結晶を成
長させる方法としては、公知の有機金属気相成長(MO
VPE)法や分子線エピタキシー(MBE)法が用いら
れるが、有機金属気相成長(MOVPE)法が成長速度
が大きいことから好適である。
【0012】
【実施例】以下に本発明を具体的な実施例に基づいて説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例1 表面を平面度よく機械研磨したサファイア略R面基板を
洗浄乾燥し、亜鉛メタルターゲットがセットしてある高
周波マグネトロンスパッタ装置(徳田製作所製、CFS
−4ES)に載置した。基板を250℃に加熱し、Ar
ガスと酸素の組成を各々50%とし、真空度を0.7P
aに調節し、RF電力を500Wとして、酸化亜鉛を5
000Å成長させた。成長した酸化亜鉛薄膜の面方位を
X線回析で測定したところ、(11−20)面(A面)
成長した単結晶薄膜であった。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例1 表面を平面度よく機械研磨したサファイア略R面基板を
洗浄乾燥し、亜鉛メタルターゲットがセットしてある高
周波マグネトロンスパッタ装置(徳田製作所製、CFS
−4ES)に載置した。基板を250℃に加熱し、Ar
ガスと酸素の組成を各々50%とし、真空度を0.7P
aに調節し、RF電力を500Wとして、酸化亜鉛を5
000Å成長させた。成長した酸化亜鉛薄膜の面方位を
X線回析で測定したところ、(11−20)面(A面)
成長した単結晶薄膜であった。
【0013】次に、該酸化亜鉛単結晶を成長させたサフ
ァイアR面基板を有機金属気相成長装置の反応管内のカ
ーボンサセプター上に載置した。反応管内を真空排気し
た後、窒素ガスで置換した。基板温度を800℃に上
げ、窒素ガスを2リットル/分、アンモニアガスを2リ
ットル/分、トリメチルガリウムガスを2×10-6モル
/分、トリメチルインジウムガスを2×10-5モル/分
供給し、膜厚2μmのInx Ga1-x N層(x=0.
1)を成長させた。以上の工程によって成長させたIn
x Ga1-x Nの結晶品質を調べるため、X線ロッキング
カーブ法によって(11−20)回析線の半値幅を測定
したところ、40分(角度)であった。また、電子顕微
鏡によってInx Ga1-x N結晶の表面平坦性を調べた
ところ、凸凹のない均一な鏡面結晶であった。
ァイアR面基板を有機金属気相成長装置の反応管内のカ
ーボンサセプター上に載置した。反応管内を真空排気し
た後、窒素ガスで置換した。基板温度を800℃に上
げ、窒素ガスを2リットル/分、アンモニアガスを2リ
ットル/分、トリメチルガリウムガスを2×10-6モル
/分、トリメチルインジウムガスを2×10-5モル/分
供給し、膜厚2μmのInx Ga1-x N層(x=0.
1)を成長させた。以上の工程によって成長させたIn
x Ga1-x Nの結晶品質を調べるため、X線ロッキング
カーブ法によって(11−20)回析線の半値幅を測定
したところ、40分(角度)であった。また、電子顕微
鏡によってInx Ga1-x N結晶の表面平坦性を調べた
ところ、凸凹のない均一な鏡面結晶であった。
【0014】比較例1 表面を平面度良く機械研磨したサファイア略R面基板を
洗浄乾燥し、有機金属気相成長装置の反応管内のカーボ
ンサセプター上に載置した。反応管内を真空排気した
後、水素で置換した。ガス導入管より水素を2リットル
/分で供給しながら基板温度を1100℃まで上げ、こ
の状態を10分保持し、基板のクリーニングを行った。
洗浄乾燥し、有機金属気相成長装置の反応管内のカーボ
ンサセプター上に載置した。反応管内を真空排気した
後、水素で置換した。ガス導入管より水素を2リットル
/分で供給しながら基板温度を1100℃まで上げ、こ
の状態を10分保持し、基板のクリーニングを行った。
【0015】次に基板温度を800℃まで下げ、2リッ
トル/分の窒素ガス、2リットル/分のアンモニアガ
ス、2×10-6モル/分のトリメチルガリウム及び2×
10-5モル/分のトリメチルインジウムガスを供給し、
Inx Ga1-x N(x= 0. 1)層を2μm成長させ
た。以上の工程によって成長させたInx Ga1-x Nの
結晶は白濁して不透明であり、電子顕微鏡によって表面
状態を調べたところ、凹凸の激しい不均一な膜であっ
た。
トル/分の窒素ガス、2リットル/分のアンモニアガ
ス、2×10-6モル/分のトリメチルガリウム及び2×
10-5モル/分のトリメチルインジウムガスを供給し、
Inx Ga1-x N(x= 0. 1)層を2μm成長させ
た。以上の工程によって成長させたInx Ga1-x Nの
結晶は白濁して不透明であり、電子顕微鏡によって表面
状態を調べたところ、凹凸の激しい不均一な膜であっ
た。
【0016】
【発明の効果】本発明によれば、サファイアのR面基板
上に酸化亜鉛結晶層を形成し、該酸化亜鉛結晶層上に窒
化ガリウム系化合物半導体結晶を成長させることによ
り、サファイアR面基板上に成長させた高品質かつ安価
な3−5族化合物半導体結晶を得ることができる。該3
−5族化合物半導体結晶は、緑から青、紫外線領域の短
波長の発光素子に用いられ高品質かつ安価な発光素子を
実現することができ、実用上極めて有用である。
上に酸化亜鉛結晶層を形成し、該酸化亜鉛結晶層上に窒
化ガリウム系化合物半導体結晶を成長させることによ
り、サファイアR面基板上に成長させた高品質かつ安価
な3−5族化合物半導体結晶を得ることができる。該3
−5族化合物半導体結晶は、緑から青、紫外線領域の短
波長の発光素子に用いられ高品質かつ安価な発光素子を
実現することができ、実用上極めて有用である。
【図1】本発明のサファイアのR面基板上に成長してな
る3−5族化合物半導体結晶の概略図。
る3−5族化合物半導体結晶の概略図。
1. サファイアR面基板。 2. 酸化亜鉛結晶層。 3. 3−5族化合物半導体結晶層。
Claims (2)
- 【請求項1】3族元素として少なくともGa、5族元素
として少なくともNを含有する3−5族化合物半導体結
晶において、サファイアの略R面基板上に成長させた酸
化亜鉛結晶上に成長させてなることを特徴とする3−5
族化合物半導体結晶。 - 【請求項2】3−5族化合物半導体結晶が、GaN、A
lx Ga1-x N(式中、0<x<1)、Inx Ga1-x
N(式中、0<x<1)、Inx Gay Al 1-x-y N
(式中、0<x<1、0<y<1、0<x+y<1)、
Inx Ga1-xNy P1-y (式中、0<x<1、0<y
<1)もしくはInx Ga1-x Ny As 1-y (式中、0
<x<1、0<y<1)、GaNy P1-y (式中、0<
y<1 )、GaNy As1-y (式中、0<y<1 )で表
される3−5族化合物半導体であることを特徴とする請
求項1記載の3−5族化合物半導体結晶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3006794A JPH07240374A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 3−5族化合物半導体結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3006794A JPH07240374A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 3−5族化合物半導体結晶 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07240374A true JPH07240374A (ja) | 1995-09-12 |
Family
ID=12293478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3006794A Pending JPH07240374A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 3−5族化合物半導体結晶 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07240374A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100438813B1 (ko) * | 1997-10-24 | 2004-07-16 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨(gan) 웨이퍼 제조방법 |
KR100450785B1 (ko) * | 1997-12-23 | 2004-11-16 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨후막제조방법 |
JP2008508741A (ja) * | 2004-08-02 | 2008-03-21 | キネテイツク・リミテツド | パターン加工済みのシリコン上でのテルル化カドミウム水銀の製造 |
US7951617B2 (en) | 2005-10-06 | 2011-05-31 | Showa Denko K.K. | Group III nitride semiconductor stacked structure and production method thereof |
US8021914B2 (en) | 2004-04-06 | 2011-09-20 | Qinetiq Limited | Manufacture of cadmium mercury telluride |
-
1994
- 1994-02-28 JP JP3006794A patent/JPH07240374A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100438813B1 (ko) * | 1997-10-24 | 2004-07-16 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨(gan) 웨이퍼 제조방법 |
KR100450785B1 (ko) * | 1997-12-23 | 2004-11-16 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨후막제조방법 |
US8021914B2 (en) | 2004-04-06 | 2011-09-20 | Qinetiq Limited | Manufacture of cadmium mercury telluride |
JP2008508741A (ja) * | 2004-08-02 | 2008-03-21 | キネテイツク・リミテツド | パターン加工済みのシリコン上でのテルル化カドミウム水銀の製造 |
US7951617B2 (en) | 2005-10-06 | 2011-05-31 | Showa Denko K.K. | Group III nitride semiconductor stacked structure and production method thereof |
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