JPH08206432A - ガスの処理方法及びガス処理剤 - Google Patents

ガスの処理方法及びガス処理剤

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JPH08206432A JP7017148A JP1714895A JPH08206432A JP H08206432 A JPH08206432 A JP H08206432A JP 7017148 A JP7017148 A JP 7017148A JP 1714895 A JP1714895 A JP 1714895A JP H08206432 A JPH08206432 A JP H08206432A
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明彦 森田
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▲均▼ 菊池
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 各種ガスの精製処理あるいは排ガス等に含ま
れている有害成分を除去する除害処理を効率よく行える
ガスの処理方法及びガス処理剤を提供する。 【構成】 一般式 [M2+ 1-x 3+ x (OH)2 ] x+n- x/n ・mH2 O (式中、M2+は2価の金属イオン,M3+は3価の金属イ
オン,An-はn価の陰イオン,Xは0.16〜0.33
の実数,nは1以上の自然数,mは0,1,2のいずれ
かを示す。)で表されるハイドロタルサイトを主成分と
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ガスの処理方法及びガ
ス処理剤に関し、詳しくは、半導体製造工程等で使用さ
れる揮発性無機水素化物やハロゲンガス等の精製処理あ
るいは除害処理を行う方法及び該処理に用いる処理剤に
関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、半導体製造工程では、原料ガス
として、シラン等の水素化ケイ素,アルシン等の水素化
ヒ素,ホスフィン等の水素化リン,セレン化水素等の揮
発性無機水素化物や、塩素,塩化水素等のハロゲンガス
が使われる。これらのガスの精製及び除害に係わるガス
処理は、半導体製造関連技術として重要な技術であり、
目的に応じて種々の処理剤を充填した充填筒にガスを流
通させ、気固接触させる方法が行われている。
【0003】例えば、これらのガス中の不純物を除去す
る精製方法として、炭酸ガスや水分等の不純物は、通
常、ゼオライトを充填した充填筒中に流通してこれらの
不純物を吸着分離する方法が行われている。
【0004】一方、半導体製造工程からは、未反応の揮
発性無機水素化物等を含む排ガスが排出されるが、これ
らのガス成分は有害なので、大気中に放出する前に除害
処理する必要があり、従来は、酸化銅(CuO)等の重
金属酸化物を充填した充填筒に排ガスを流通させ、有害
成分を吸着あるいは分解して除害する方法が行われてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記ゼオライ
トによる炭酸ガス及び水分の吸着は、物理吸着によるも
のと考えられており、濃度の高い雰囲気ではこれらを大
量に吸着するが、これらの濃度が低くなると吸着量が急
減する。さらに、吸脱着が可逆的となり、吸着処理中
に、一旦吸着したものが脱着してくるおそれがある。
【0006】また、前記排ガス中の揮発性無機水素化物
を除害処理する際に用いられている酸化銅等の金属酸化
物は、揮発性無機水素化物の中で、シラン以外の有害成
分には相応の除害効果を示すが、シランに対しては除害
能力が弱い。このため、酸化銅等を細粒化したり、アル
ミナ等の担体に担持させたりして比表面積を大きくして
いるが、それでも十分な除害能力が得られない。したが
って、シランに対する特別な除害処理を要する。
【0007】このような吸着剤を用いたガス処理は、ガ
スの精製処理においてはガス中の不純物成分を、また、
有害ガスの除害処理においてはガス中の有害成分を、そ
れぞれ吸着分離する。したがって、精製処理、除害処理
のいずれの場合も、対象とする成分ガスのみを吸着する
選択性、その吸着量及び吸着力が重要な特性となる。
【0008】そこで、本発明者らは、選択的吸着性能の
よい処理剤について種々調査検討を重ねた結果、水溶液
中での特異な酸中和機構により、液相での吸着剤として
使われるハイドロタルサイトが、前記ガス処理剤として
有効であることを見出した。
【0009】すなわち、ハイドロタルサイトは、イオン
交換性とその特異な酸中和機構により、制酸剤をはじめ
として、プラスチックの安定剤等、液相での吸着剤や触
媒として使われている。本発明者らは、ハイドロタルサ
イトが、従来からの液相での反応性のみならず、気相に
おいても、前記一般式で表されるハイドロタルサイトに
おいて、2価の陽イオン(M2+)や3価の陽イオン(M
3+)を特定し、これを、必要に応じて100〜300℃
で加熱処理することにより、揮発性無機水素化物や炭酸
ガス,水分等を選択的に強固に化学吸着する特異な反応
性を示すことを見出だした。本発明は、この知見に基づ
いてなされたものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明のガス処理方法
は、処理対象ガスを、一般式 [M2+ 1-x 3+ x (OH)2 ] x+n- x/n ・mH2 O (式中、M2+は2価の金属イオン,M3+は3価の金属イ
オン,An-はn価の陰イオン,Xは0.16〜0.33
の実数,nは1以上の自然数,mは0,1,2のいずれ
かを示す。)で表されるハイドロタルサイトを主成分と
する処理剤に接触させることを特徴としている。
【0011】また、本発明のガス処理剤は、一般式 [M2+ 1-x 3+ x (OH)2 ] x+n- x/n ・mH2 O (式中、M2+,M3+,An-,X,n及びmは前記と同
じ)で表されるハイドロタルサイトを主成分とすること
を特徴とし、特に好ましい処理剤として、前記一般式中
の化学式のM2+が2価のマグネシウムイオン(Mg2+
であり、かつ、M3+が3価のアルミニウムイオン(Al
3+)であり、必要に応じて100〜300℃で加熱処理
したものであること、あるいは、前記一般式中の化学式
のM2+が2価の銅イオン(Cu2+)であり、かつ、M3+
が3価のアルミニウムイオン(Al3+)であり、必要に
応じて100〜300℃で加熱処理したものであること
を特徴としている。
【0012】前記一般式で表されるハイドロタルサイト
として、代表的なものは、Mg6 Al2 (OH)16(C
3 )・4H2 Oの組成の層状化合物で、天然に存在す
る鉱物であり、合成も行われている比較的安価な物質で
ある。
【0013】また、一般式 [Mg1-x Alx (OH)2 ] x+(CO3 x/2 ・mH
2 O (式中、X及びmは前記と同じ)で表されるものは、そ
の基本的な結晶構造が同じであるため、これらを含めて
ハイドロタルサイトの語が使われる。
【0014】さらに、上記鉱物中のMgを他の2価金属
と、Alを他の3価金属と、そして、CO3 を他の陰イ
オンと置換した一般式 [M2+ 1-x 3+ x (OH)2 ] x+n- x/n ・mH2 O (式中、M2+,M3+,An-,X,n及びmは前記と同
じ)で表される化合物もハイドロタルサイトと総称す
る。
【0015】上記一般式において、M2+は2価の金属イ
オンであり、例えば、マグネシウムイオン(Mg2+),
マンガンイオン(Mn2+),鉄イオン(Fe2+),コバ
ルトイオン(Co2+),ニッケルイオン(Ni2+),銅
イオン(Cu2+),亜鉛イオン(Zn2+)等を挙げるこ
とができる。M3+は3価の金属イオンであり、例えば、
アルミニウムイオン(Al3+),鉄イオン(Fe3+),
クロムイオン(Cr3+),コバルトイオン(Co3+),
インジウムイオン(In3+)等を挙げることができる。
【0016】また、An-はn価の陰イオンであり、水酸
化物イオン(OH- ),フッ素イオン(F- ),塩素イ
オン(CI- ),臭素イオン(Br- ),硝酸イオン
(NO3 - )等の1価の陰イオンや、炭酸イオン(CO
3 2-),硫酸イオン(SO4 2-)等の2価の陰イオンを
挙げることができる。
【0017】まず、前記化学式中の2価の金属イオンM
2+がMg2+であり、3価の金属イオンM3+がAl3+であ
るハイドロタルサイト(Mg−Al型)は、シラン,ア
ルシン,ホスフィン等の揮発性無機水素化物に対して特
異な吸着挙動を示す。すなわち、シラン以外は吸着せ
ず、シランのみを吸着する。したがって、アルシンやホ
スフィン中に存在する不純物としてのシランの除去剤、
言い換えれば、アルシンやホスフィンの精製剤として使
用できる。
【0018】また、上記Mg−Al型のハイドロタルサ
イトは、炭酸ガス及び水分を極めて強固に吸着するの
で、アルシンやホスフィンの精製において、炭酸ガス及
び水分の除去剤としても使用できる。
【0019】このMg−Al型のハイドロタルサイトに
おいては、前述のゼオライトにおける物理吸着に対し
て、化学吸着性の強い吸着機構が考えられる。このた
め、吸着力が大きく、かつ、脱着し難く、比較的低濃度
ではゼオライトより優れた吸着能力を備えている。
【0020】また、前記Mg−Al型のハイドロタルサ
イトは、100〜300℃で加熱処理することが好まし
い。特に、炭酸ガス及び水分の吸着剤として用いるとき
は、この加熱処理が必要である。この加熱処理は、ハイ
ドロタルサイト中の水酸基(OH)を脱離させるために
行うものであるから、加熱処理する際の雰囲気は、乾燥
ガスであればよく、例えば、空気や窒素でもよい。
【0021】一方、前記一般式中の2価の金属イオンM
2+がMg2+以外のもの、例えば、M2+がCu2+であるC
u−Al型のハイドロタルサイトは、揮発性無機水素化
物である有害成分の中で、シラン等をも、アルシンやホ
スフィン等と同程度に吸着する。したがって、このCu
−Al型のハイドロタルサイトは、シラン等を含めた揮
発性無機水素化物の除害剤として使用できる。
【0022】上記Cu−Al型のハイドロタルサイト
は、前述の酸化銅等の金属酸化物に対して、前記シラン
を含めて揮発性無機水素化物の種類にかかわらず同程度
の除害能力を有しており、シランに対する特別な除害処
理を考慮する必要がない。但し、Cu−Al型のハイド
ロタルサイトは、揮発性無機水素化物を完全には吸着除
去できず、少量の揮発性無機水素化物が処理後のガス中
に残る。そこで、Cu−Al型のハイドロタルサイトで
揮発性無機水素化物等の有害成分の大部分を吸着除去し
た後、引き続き、前記従来の酸化銅等の除害剤で処理す
れば、その負荷を低減できるので効果的な除害処理を行
うことができる。
【0023】
【実施例】以下、本発明の実施例及び比較例を説明す
る。 実施例1 代表的なハイドロタルサイトとして、Mg−Al型及び
Cu−Al型のものを処理剤として選択し、揮発性無機
水素化物の吸着対象成分として、シラン(SiH4 ),
アルシン(AsH3 )及びホスフィン(PH3 )に対す
る吸着性について調べた。Mg−Al型のハイドロタル
サイトは、市販のもの(富田製薬製)を乾燥空気中、1
50℃で120分加熱処理したものである。また、Cu
−Al型のハイドロタルサイトは、0.1モルの硝酸銅
(CuNO3 )、0.1モルの硝酸アルミニウム(Al
(NO3 3 )及び2モルの炭酸ナトリウム(Na2
3 )溶液を混合して合成し、乾燥空気中、150℃で
60分加熱処理したものである。
【0024】上記両処理剤を、直径43mm,長さ60
0mmのカラムに、充填高さ200mm(150g)に
充填した。ここに、それぞれ、窒素ベースの各種試験ガ
スを、空筒速度1cm/secで流し、出口の濃度[p
pm]をガスクロ分析にて測定した。その結果を表1に
示す。
【0025】
【表1】
【0026】この結果から、Mg−Al型は、シランに
対しては大きな吸着性を有するが、アルシン及びホスフ
ィンに対しては殆ど吸着性が無いこと、すなわち、シラ
ンに対する選択的吸着性が顕著に示されている。一方、
Cu−Al型は、シラン,アルシン及びホスフィンを差
別無く吸着するので、これらの揮発性無機水素化物の除
害剤として使用できることが判る。ただし、処理後の濃
度レベルが数十ppmと高く、完全に無害化することは
できないため、引き続き、最終処理を行う必要がある。
しかし、Cu−Al型のハイドロタルサイトで90%以
上を除去できるので、最終処理には、除害容量の小さい
除害剤を使うことができる。
【0027】実施例2 前記実施例1により、Mg−Al型のハイドロタルサイ
トが、シランに対する選択的吸着性を示すことから、ア
ルシン又はホスフィン中にシランが共存しているときの
シランの選択的吸着性について調べた。実施例1と同様
に、窒素ベースの各種試験ガスについて試験を行った。
その結果を表2に示す。
【0028】
【表2】
【0029】この結果から、アルシン又はホスフィン中
にシランが共存している場合、アルシン又はホスフィン
は吸着されず、シランのみが5ppm以下に除去されて
いることが判る。このことから、アルシン又はホスフィ
ン中に不純物として含まれるシランを除去する精製剤と
して使用できることが判る。
【0030】実施例3 次に、Mg−Al型のハイドロタルサイトの炭酸ガス
(CO2 )の吸着性について調べた。実施例1で使用し
たものと同じMg−Al型のハイドロタルサイトを20
0℃で2時間加熱処理した。これを、内径1cmのカラ
ムに高さ8cmに充填した。ここに、CO2 を600p
pm含むホスフィンガスを流し、出口の濃度をGC−M
Cにより測定した。
【0031】出口のCO2 濃度は、700分間0.01
ppmを維持した後に破過した。このときのCO2 除去
量等を表3に示す。
【0032】比較例1 CO2 除去用の処理剤(吸着剤)として4A型ゼオライ
ト(200℃で2時間加熱処理したもの)を用いた以外
は、実施例3と同様にして試験を行った。出口のCO2
濃度は、500分間0.08ppmを維持した後に破過
した。このときのCO2 除去量等を表3に示す。
【0033】
【表3】
【0034】この結果から、出口濃度及びCO2 除去量
共に、Mg−Al型のハイドロタルサイトが4A型ゼオ
ライトに勝っていることが判る。これは、ゼオライトが
物理吸着性のため、吸着平衡の制約を受けるのに対し、
ハイドロタルサイトでは非可逆的な化学吸着性のため、
低濃度まで吸着除去できるものと推察される。
【0035】実施例4 さらに、Mg−Al型のハイドロタルサイトの水分(H
2 O)の吸着性について調べた。実施例3と同じ処理剤
を用い、内径4cmのカラムに高さ5cmに充填した。
ここに、H2 Oを10ppm含むホスフィンガスを、空
筒速度10cm/secで流し、出口の水分濃度を水晶
発振式水分計(検出限界0.01ppm)により測定し
た。この結果を表4に示す。
【0036】比較例2 処理剤として4A型ゼオライト(300℃で2時間処理
したもの)を用いた以外は、実施例4と同様にして試験
を行った。その結果を表4に示す。
【0037】
【表4】
【0038】この結果から、水分についても、Mg−A
l型のハイドロタルサイトが4A型ゼオライトに勝って
いることが判る。
【0039】
【発明の効果】本発明によれば、各種ガスの精製処理あ
るいは排ガス等に含まれている有害成分を除去する除害
処理を効率よく行うことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B01D 53/46 53/68 B01J 20/08 C B01D 53/34 134 Z (72)発明者 菊池 ▲均▼ 山梨県北巨摩郡高根町下黒沢3054−3 日 本酸素株式会社内 (72)発明者 遠藤 文誉 山梨県北巨摩郡高根町下黒沢3054−3 日 本酸素株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガスと固体処理剤とを接触させてガスの
    精製処理あるいは除害処理を行う方法において、処理対
    象ガスを、一般式 [M2+ 1-x 3+ x (OH)2 ] x+n- x/n ・mH2 O (式中、M2+は2価の金属イオン,M3+は3価の金属イ
    オン,An-はn価の陰イオン,Xは0.16〜0.33
    の実数,nは1以上の自然数,mは0,1,2のいずれ
    かを示す。)で表されるハイドロタルサイトを主成分と
    する処理剤に接触させることを特徴とするガスの処理方
    法。
  2. 【請求項2】 一般式 [M2+ 1-x 3+ x (OH)2 ] x+n- x/n ・mH2 O (式中、M2+は2価の金属イオン,M3+は3価の金属イ
    オン,An-はn価の陰イオン,Xは0.16〜0.33
    の実数,nは1以上の自然数,mは0,1,2のいずれ
    かを示す。)で表されるハイドロタルサイトを主成分と
    することを特徴とするガス処理剤。
  3. 【請求項3】 前記一般式において、M2+が2価のマグ
    ネシウムイオンであり、かつ、M3+が3価のアルミニウ
    ムイオンであることを特徴とする請求項2記載のガス処
    理剤。
  4. 【請求項4】 前記一般式において、M2+が2価の銅イ
    オンであり、かつ、M3+が3価のアルミニウムイオンで
    あることを特徴とする請求項2記載のガス処理剤。
  5. 【請求項5】 100〜300℃で加熱処理したもので
    あることを特徴とする請求項2記載のガス処理剤。
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