JPH0820590B2 - 焦点検出装置 - Google Patents

焦点検出装置

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JPH0820590B2
JPH0820590B2 JP61231330A JP23133086A JPH0820590B2 JP H0820590 B2 JPH0820590 B2 JP H0820590B2 JP 61231330 A JP61231330 A JP 61231330A JP 23133086 A JP23133086 A JP 23133086A JP H0820590 B2 JPH0820590 B2 JP H0820590B2
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light
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和彦 荒川
圭史 大高
剛史 小山
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Description

【発明の詳細な説明】 (発明の利用分野) 本発明は、二次結像レンズの近傍に配置され、対物レ
ンズにより結像された物体像を前記二次結像レンズを介
して焦点検出用センサへ導く絞り開口部材を備え、前記
焦点検出用センサよりの出力に基づいて焦点状態を検出
する焦点検出装置に関するものである。
(発明の背景) 従来、例えばカメラに配置された位相差検出方式の焦
点検出装置においては、被写体の一方向のみの輝度分布
から撮影レンズのデフォーカス量を検出するように構成
されていることから、その方向に輝度分布を持たない被
写体に対しては焦点検出不能となるといった欠点を有し
ていた。この点に鑑み、本願出願人は特開昭60−235822
号(未公開)により、例えば縦方向対の焦点検出用ライ
ンセンサと横方向対の焦点検出用ラインセンサ及びこれ
らに二次像を形成する対のレンズ部を有する二次結像レ
ンズ等を配置して撮影画面の横方向及び縦方向の輝度分
布を検出し、それぞれのセンサ出力より撮影レンズのデ
フォーカス量を検出することを可能とした装置を提案し
ている。これにより、その時の被写体の外観,パターン
によって一方のデフォーカス量が演算不能に落ちいるこ
とがあっても、他方の輝度分布からデフォーカス量を得
ることが可能な為、焦点検出が不能になるといったこと
がなくなり、非常に有効な装置と言える。
ところで、例えば前述の様な実施例装置において、通
常それぞれの方向に配置される2対のラインセンサの直
交度は高精度に仕上げることが可能であるが、対となる
二次結像レンズのレンズ部をそれに対応させて高精度に
仕上げることはかなり難しく、この為二次結像レンズに
製造誤差を生じている様な場合においては、対となるべ
きラインセンサと二次結像レンズのレンズ部との相対位
置関係が異なり、正確な焦点検出を行えない危険性があ
る。被写体の一方向のみの輝度分布から撮影レンズのデ
フォーカス量を検出するように構成されている装置にお
いても、同様である。
(発明の目的) 本発明の目的は、焦点検出用センサと二次結像レンズ
の相対位置関係を調整することのできる焦点検出装置を
提供することである。
(発明の特徴) 上記目的を達成するために、本発明は、焦点検出用セ
ンサを、二次結像レンズによる二次像結像面より対物レ
ンズの光軸方向に変位させた位置に配置し、絞り開口部
材を、二次結像レンズの光軸に対して垂直方向に変位さ
せる調整手段を設け、以て、前記調整手段により絞り開
口部材を前記二次結像レンズの光軸に対して垂直方向に
変位させることによって、前記焦点検出用センサ上の二
次像の形成位置を変化させるようにしたことを特徴とす
る。
(発明の実施例) 以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明す
る。
第1〜3図は本発明をカメラに適用した場合の一実施
例を示すものであり、第1図はストロボが装着された状
態での断面図である。第1図において、1はカメラボデ
ィ、2は撮影レンズ3を光軸4の方向に移動可能に保持
するレンズ鏡筒、5はサブミラー6と共に前記撮影レン
ズ3を透過した被写体光をファインダー系とAF・測光系
に分離する主ミラー、7はペンタプリズム8及び接眼レ
ンズ9と共にファインダー系を構成するピントグラス、
10は、フィルードレンズ11,二次結像レンズ12,AF用ライ
ンセンサとAE用センサとが配置(詳細は後述)されるセ
ンサ部13a等を有するAF・AE用センサ13,センサ部14a等
を有するTTLストロボ調光用センサ14とを有するAF・測
光系(ここではTTLストロボ調光系とAE系の両方の系を
測光系と称している)を成すAF・測光ユニット、15はシ
ャッタ、16はストロボ、17は閃光発光部、18はAF用近赤
外線補助光発光部である。
第2,3図は第1図にて示したAF・測光ユニット10の主
要部のみの詳細図であり、第2図はその断面図であり、
第3図はその展開斜視図である。
本体ブロック19の上面側には、視野マスク20、透過率
の異なる領域21a,21bを有する赤外カットフィルタ21、
フィールドレンズ11の順番でそれぞれが取り付けられ、
また下面側には、絞り22、二次結像レンズ12、押えばね
23、センサブロック24、センサホルダ25、AF・AE用セン
サ13の順番でそれぞれが取り付けられる。更に本体ブロ
ック19には、フィルム面よりの反射光を前記フィールド
レンズ11を介して受光する事のできる位置にTTLストロ
ボ調光用センサ14が取り付けられる。
前記絞り22は第3図に示す様に直交して設けられた対
の開口部22a,22bと22c,22dを有すると共に、これら開口
部の中心Aと一致した点を半径とする弧を持つ位置決め
部22e,22f及びばね部22g,長穴22hとを有している。レン
ズ部12a〜12dを有する二次結像レンズ12は前述の様な各
部を有する絞り22を本体ブロック19との間に挟み込んだ
状態でピン12e,12fによって位置決めされ、押えばね23
によって固定される(第2図参照)。この様な状態にお
いて、前記二次結像レンズ12のレンズ部12a〜12dは前記
開口部22a〜22dと対応した位置関係にあり(詳細は後
述)、また前記位置決め部22e,22fには二次結像レンズ1
2のピン12g,12hが、ばね部22gにはピン12iが、それぞれ
挿入される。前記ばね部22gにピン12iが挿入されること
により、外ばね部22gは第2図の様に変形し、絞り22を
位置決め部22e,22fの方向に付勢する力を生じる。した
がって、偏心ピン26を絞り22の長穴22hを介して本体ブ
ロック19の穴に差し込み、これを回転させることによっ
て絞り22の各開口部の中心Aを軸とした該絞り22の微小
角回転(第2図矢印B方向)が可能となる。
前記二次結像レンズ12の下部には前述した様にセンサ
ブロック24、センサホルダ25が配置されるが、これらは
取付けビス27,ワッシャ28,偏心ピン29と共にさらにその
下部に配置されるAF・AE用センサ13の傾き調整機構を成
している。前記AF・AE用センサ13はセンサホルダ25の取
付け面25aに接着され、このセンサホルダ25は取付け穴2
4a,24bを有するセンサブロック24の円弧状取付け面24c
に前記取付け穴24aを介して取付けビス27,ワッシャ28に
よって固定される。
ここで、前記円弧状取付け面24cのR中心は第2図に
想定して描いた軸Cであり、またセンサブロック24の取
付け穴24aは長穴になっている為、第2図矢印D方向の
傾斜調整が可能である。さらにセンサホルダ25は前記取
付け穴24aと同様長穴となっている取付け穴24bを介して
偏心ピン29によってもセンサブロック24に固定され、又
センサホルダ25の屈曲部25bの肉厚を十分に薄くして可
撓性を持たせてある為、前記偏心ピン29を回転させるこ
とによって第2図に想定して描いた軸Eをほぼ中心とし
て第2図矢印F方向の傾斜調整が可能である。
以上の様な構成より成るAF・測光ユニット10におい
て、以下にTTLストロボ調光系、AF系、AE系のそれぞれ
について説明する。
まずTTLストロボ調光系(以下の実施例においては調
光系と略記する)について述べる。調光系は、ストロボ
撮影時のフィルム面の反射光をフィールドレンズ11によ
り調光用センサ14のセンサ部14aに取り込み、その受光
量によってストロボ16の発光を停止させる為のものであ
る。つまり、主ミラー5,サブミラー6が上昇し、シャッ
タ15の先幕が走行しフィルムが露出した状態でストロボ
16が発光すると、被写体像がフィルム上に結像し、その
反射光が生じる。その一部の反射光が第2図に示したAF
・測光ユニット10の視野マスク20,赤外カットフィルタ2
1及びフィールドレンズ11を通過して調光用センサ14の
センサ部14aに入射し、例えば受光される受光量が後述
するスポット測光を行うAE用センサによって求められて
いる測光量に達したことが後述するマイクロコンピュー
タによって検知されると、ストロボ16側へ発光停止信号
が出力され、発光が停止する。
尚前述からもわかる様に、AF系、AE系に使用されるフ
ィールドレンズ11をTTL調光系に共用している為、カメ
ラのコンパクト化、低コスト化を実現した状態でフィル
ム感度分布を良好なものにすることができる。
次にAF系について述べる。第4図及び第5図はAF系の
光路展開図である。二次結像レンズ12には第3図に示し
た様に直交して配置された対のレンズ部12a,12bと12c,1
2dを有しており、このうちのレンズ部12a,12bの光軸を
含む断面を表したものが第4図であり、レンズ部12c,12
dの光軸を含む断面を表したものが第5図である。尚こ
こでは図の簡略化の為に絞り22の各開口部の開口中心を
通過する一次結像面での物高が0の光線のみを描いてお
り、図中矢印Gの位置が一次結像面、矢印HがAF・AF用
センサ13のセンサ面である。二次結像レンズ12のレンズ
部12a〜12dには前述した様に絞り22の開口部22a〜22dが
それぞれ対応しており、これによりセンサ部13a上には
4つの二次像が形成され、これらの二次像の境界は視野
マスク20の開口像によって分離されている。絞り22の同
一形状をした対となる開口部22aと22bの間隔は開口部22
cと22dの間隔よりも狭くなっており、これらの開口部は
フィールドレンズ11によって撮影レンズ3の瞳上に投影
されている。この様子を示したのが第6図である。図中
30は撮影レンズ3の射出瞳,31a〜31dはそれぞれ絞り22
の開口部22a〜22dに対応する瞳面上での領域である。一
般的なカメラ用撮影レンズの場合にはM,Nの領域をそれ
ぞれF4,F8程度に選べばよい。
AF・AE用センサ13のセンサ部13a上での二次像の様子
を示したのが第7図である。センサ13a上には縦方向測
距と横方向測距を行うAF用のラインセンサSAA,SABとSA
C,SADと、前記ラインセンサSAA,SABに隣接(測距エリア
を挟む様に)して2つのAE用のセンサSAE,SAFが配置さ
れ、この上に二次像32a〜32dが二次結像レンズ12によっ
て投影される。前記二次像32a,32bは撮影レンズ3の瞳
上の領域31a,31bを通過した光束による被写体像であ
り、二次像32c,32dはは領域31c,31dを通過した光束によ
る被写体像である。尚破線部32e,32fはサブミラー6に
よって欠られてしまう像領域である。またセンサ部13a
上に配置されている33a〜33dは前記ラインセンサSAA〜S
ADのセンサ駆動回路で、この部分への光の入射がセンサ
出力に対して影響しないように遮光用アルミ層がこの上
に形成されている。
第8図はデフォーカス量演算の説明図であり、ライン
センサSAA〜SADの各出力をそれぞれA像〜D像として表
している。第6図で説明した様に、A,B像は瞳上の領域3
1a,31bを通過した光束によって形成され、一方C,D像は
より外側の領域31a,31dを通過した光束によって形成さ
れている為、撮影レンズ3のデフォーカスに対する像ず
れ量はC,D像の方がA,B像よりも大きい。つまり第8図に
おいて、位相差X1よりもX2の方が大きい。この位相差
X1,X2情報が前記センサ駆動回路33a〜33dを介して後述
するマイクロコンピュータへ伝達され、ここでデフォー
カス量の演算が行われて撮影レンズ3の焦点制御が実行
されるわけであるが、ラインセンサSAA,SABとSAC,SADの
両方にて測距を行う場合においては、C,D像からの演算
結果の方が像ずれ量が大きい為、こちらの結果を使用し
た方が焦点検出精度が高いものとなる。
第9図はカメラのファインダ視野内の測距エリアを示
す図である。図中34はカメラのファインダ視野、35は前
記ファインダ視野34内における測距エリアを想定して描
いたものであり、横方向の測距エリアがラインセンサSA
A,SABの逆投影像、縦方向の測距エリアがラインセンサS
AC,SADの逆投影像に一致している。
第10図は二次結像レンズ12に製造誤差を生じている場
合におけるAF・AE用センサ13のセンサ13a上での様子を
示したものである。つまり第11図(a)に示す様に理想
とする二次結像レンズ12内の各レンズ部の位置関係が、
第11図(b)の様に誤差(絞り22の各開口22a〜22dに対
して)を生じている場合を想定している。この様にレン
ズ部12a,12bと12c,12dの直角度が出ていない時は第10図
のように二次像32a,32bと32c,32dの直角度も悪くなる。
したがって、二次像32a,32bに対してラインセンサSAA,S
ABの位置を合わせると、一方で二次像32c,32dに対する
ラインセンサSAC,SADの位置合わせは不可能となる。そ
の結果、ラインセンサSAC,SAD上へは被写体の異なる部
分が投影されることになり、該測距エリアに対して第12
図に示す様に斜め線をもつ輝度パターンの被写体像が入
射した時(製造誤差がない場合には同一の画素上に斜め
線をもつ輝度パターンの被写体像が入射する)には合焦
エラーを生じ、このままでは不都合である。そこで、こ
の様な場合には絞り22を第3図矢印B方向に回転し、ラ
インセンサSAC,SADに対する二次像32c,32dの位置合わせ
を行う。
第13図は先の説明(位置合わせ)を助ける為の図で、
該図は第5図において二次結像レンズ12を矢印I方向か
ら見たものである。図中Jはレンズ部12c,12dの二次結
像面であり、この様にレンズ部12c,12dの結像面はAF・A
E用センサ13のセンサ面Hより後方に位置し、センサ面
H上にはデフォーカスした像が投影される。一方レンズ
部12a,12bの結像面はセンサ面Hと一致し、ピントの合
った像がラインセンサSAA,SABに投影される。換言すれ
ば、二次結像レンズ12の製造誤差に伴う補正を行える様
に、レンズ部12a,12bの結像面はセンサ面Hに一致さ
せ、レンズ部12c,12dの結像面は後方(前方であっても
よい)に位置、すなわちセンサ面H上にはデフォーカス
した像が投影されるように構成している。尚該図におい
て、Kはレンズ部12aとレンズ部12bによって決定された
軸、Lはレンズ部12cの軸、uは絞り22の位置からセン
サ面Hまでの距離、vはセンサ面Hから二次結像面Jま
での距離である。
ここでレンズ部12cの軸Lがδだけ偏心している時、
二次結像面J上での像位置のずれがεだけ生じたとする
と、二次結像倍率をβとして ε=δ(1+β) (1) なる関係が成る立つ。この時、センサ面H上での像位置
のずれはα(=ε・u/(u+v))である。このずれα
は像がデフォーカスしている為、絞り22の開口部22c,22
dの位置を移動することで変化させることができる。よ
って、二次結像面Jでεだけ位置ずれを生じた像をセン
サ面H上で軸Kと交差するように調整すれば、第12図で
示した斜め線をもつ被写体像が入射したとしても合焦エ
ラーはなくなるわけで、その為には絞り22の開口部22c
をcだけ移動すればよく、この移動量cは以下なる式に
より求めることができる。つまり、移動量cを前記距離
u,v,偏心量δ,二次結像倍率βで表すと ε/v=c/u c=u・ε/v (2) 前記(1),(2)式より c=uδ(1+β)/v となる。前記式より得られる移動量cだけ絞り22(開口
部22c,22d)を移動させるのは、第2,3図に示した偏心ピ
ン26を回転することによって可能である。この時他方の
二次像32a,32bについてはピントの合った像がセンサ面
H上に形成されている為、絞り22の回転によって影響を
与えることはない。仮に、製造誤差によってAF・AE用セ
ンサ13の光軸方向位置がずれていたとしても、二次像32
a,32bを形成する絞り22の開口部22a,22bは内側に位置し
ている為(開口部22c,22dに対して)、絞り22の回転に
伴う前記開口部の移動は比較的小さく、それによる像位
置のずれも微小量となる。
次にAE系について述べる。AE用のセンサSAE,SAFは第
7図により説明した様に、ラインセンサSAA,SABに隣接
した位置に配置され、絞り22の開口部22a,22bを通過し
た光束、すなわち第6図に示した射出瞳上の領域31a,31
bを通過した光束によって視野マスク20の開口像(開口
形状内を通過した被写体像)が投影されている。したが
って、AE用のセンサSAE,SAFの合成された測光エリアは
第14図に示すスポット状、厳密に言うとファインダ視野
34内において、視野マスク20の開口像からラインセンサ
SAA,SABに対応する長方形状エリア35cを除いたもの(第
14図の35a,35bで示したエリア)となる。前記長方形状
エリア35cの面積はかなり小さい為、測光感度分布とし
てはほとんど視野マスク20の開口形状と見なすことがで
き、よってスポット測光撮影に際してはこの測光エリア
により測光された値に基づいて露出時間制御、つまりは
後述するマイクロコンピュータによりシャッタ15及び不
図示の絞り制御が行われる。
ところで本実施例において、調光系,AF系,AE系はその
光路を共有しているが、前述した様にそれぞれのセンサ
に入射する光の波長域はそれらの系毎に制限する必要が
ある。つまり、調光系とAE系はその分光感度特性をフィ
ルムの分光感度特性に合致させることが望ましく、一方
AF系は低輝度被写体に対して例えば近赤外補助光が用い
られることから、近赤外光まで感度を有さなければなら
ない。なお近赤外補助光が用いられない場合であって
も、できるだけ多くの光は取り込みたい(測距精度を高
める)と言う理由から、近赤外光まで感度を有すること
が望ましい。一般にセンサは1000nm以上の波長の光に対
しても感度がある為、赤外光は光学的フィルタによって
カットする必要がある。
第15図は前記要求を達成することを可能とした赤外カ
ットフィルタ21を示す図であり、該図に示した36a,36b
がAE系における有効部、37が調光系における有効部であ
る。この赤外カットフィルタ21は分光透過率特性の異な
る2つの領域21a,21bから成り、領域21aは例えば第16図
の如き特性を有し、領域21bは第17図の如き特性を有し
ている。すなわち領域21aの赤外線カット波長は700nm、
領域21bの赤外線カット波長は740nmとなっている。第15
図に示す様に調光系とAE系の有効部は2つの領域にまた
がって位置しているが、いずれにおいても領域21aの占
る割合が領域21bに対して小さい為、フィルムの分光感
度特性(400〜700nm)に近い特性で測光を行うことが可
能である。これに対し、AF系の有効部は領域21aの形状
からもわかるように該領域21aに完全に含まれるように
構成され、ラインセンサ面上での照度むらのないように
配慮されている。
第18図は前記構成から成る一眼レフレックスカメラの
主要部の概略を示すブロック図である。101はカメラの
各種動作を制御する制御回路で、例えば内部にCPU(中
央演算処理部),RAM,ROM,EEPROM及び入出力ポート等が
配置された1チップマイクロコンピュータであり、前記
ROM並びにEEPROM内にはAF・測光制御を含む一連の制御
用ソフトウエア及びパラメータが格納されている。102
はデータバス、103は前記制御101より制御信号104が入
力している間データバス102を介して入力するデータを
受け付け、該データに基づいて前記シャッタ15の先幕及
び後幕の走行制御を行うシャッタ制御回路、105は制御
信号106が入力している間データバス102を介して入力す
るデータを受け付け、該データに基づいて不図示の絞り
機構を制御する絞り制御回路、107は制御信号108が入力
している間データバス102を介して入力するデータを受
け付け、該データに基づいて前記撮影レンズ3の光軸4
方向の位置制御を行うレンズ制御回路である。109は前
記調光用センサ14等から成るTTLストロボ調光回路、又1
10は前記AE用センサSAE,SAF等から成るAE用の測光回路
であり、これらにて光電変換された測光信号は前記制御
回路101へ送られ、該回路にて前述のシャッタ制御回路1
03及び絞り制御回路105並びにストロボ16を制御する為
のデータとして用いられる。
また、33は前記制御回路101より入力する各信号に従
ってCCDから成る前記2組のラインセンサSAA.SABとSAC,
SADを制御する、第7図にて説明したセンサ駆動回路で
ある。
次に一連の撮影動作について簡単に説明する。不図示
のレリーズ釦の第1ストロークが行われると、撮影レン
ズ3,主ミラー5,サブミラー6,フィールドレンズ11,二次
結像レンズ12等を通過した光束がAE用センサSAE,SAFに
入射し、測光回路110から光電変換された測光信号が、
すなわち被写体輝度情報が制御回路101へ送られる。
またこれとほぼ同時に制御回路101はA像とB像、C
像とD像の位相差X1,X2を得る為に(尚ここでは絞りと
してはF4以上が選択されている場合を想定している)セ
ンサ駆動回路33を介して、同様の光路を通って被写体像
が入射しているラインセンサSAを駆動する。この時の制
御回路101、センサ駆動回路33、ラインセンサSAの各動
作を簡単に説明すると、制御回路101に蓄積開始信号STR
が発生すると、センサ駆動回路33はクリア信号CLをライ
ンセンサSAへ出力し、ラインセンサSAA,SAB及びSAC,SAD
の各光電変換部の電荷をクリアする。するとラインセン
サSAは前段に配置されている二次結像レンズ12によって
投影されている像の光電変換及び電荷蓄積動作を開始す
る。前記動作が開始してから所定時間が経過すると、セ
ンサ駆動回路33は転送信号SHをラインセンサSAへ出力
し、光電変換部に蓄積された電荷をCCD部へ転送する。
同時に前記センサ駆動回路33は蓄積終了信号ENDを制御
回路101へ出力し、該制御回路101よりCCD駆動クロックC
Kが入力するのを待つ。CCD駆動クロックCKが入力する
と、センサ駆動回路33はCCD駆動信号φ1を生成
し、該信号をラインセンサSAへ出力する。CCD駆動信号
φ1が入力すると、ラインセンサSAはこの信号に従
ってアナログ像信号SSAを制御回路101へ出力する。これ
により制御回路101はCCD駆動クロックCKに同期してアナ
ログ像信号をA/D変換し、像信号A(i)〜D(i)を
得て公知の演算方式により位相差X1,X2を、すなわち焦
点検出信号を算出し、レンズ制御回路107へ該データを
出力する。レンズ制御回路107はこれを受けて公知の駆
動方式により撮影レンズ3の制御を行う。
次にレリーズ釦の第2ストロークが行われると、主ミ
ラー5,サブミラー6が上昇し、シャッタ15の先幕が走行
すると共にストロボ16の発光が開始される。これにより
ストロボ光が被写体面で反射し、この反射光が撮影レン
ズ3を透過してフィルムに入射し、該フィルム上への被
写体像の写し込みが開始される。又この様にフィルムに
入射した光束の一部は該フィルム面で反射し、フィール
ドレンズ11を介して調光用センサ14へ入射し、ここで受
光され光電変換された測光信号がTTLストロボ調光回路1
09より制御回路101へ出力される。すると前記制御回路1
01は先の測光回路110よりの測光情報と前記TTLストロボ
調光回路109よりの測光情報とを比較し、一致したこと
を検知、すなわち適正露光に達した事を検知するとシャ
ッタ制御回路103を介してシャッタ15の後幕を走行させ
る。この後前記フィルムの巻上げが行われ、一連の撮影
動作が終了する。
本実施例によれば、ラインセンサSAA,SAB上には二次
像を結像させ、ラインセンサSAC,SAD上にはデフォーカ
スした二次像を形成させ、また絞り22を光軸4と垂直
(略垂直であっても良い)方向に移動させることを可能
としたことにより、以下の効果がある。
1)対となるラインセンサの一次結像面上投影位置が一
致するように調整することが可能、すなわちラインセン
サと二次結像レンズの相対位置関係を調整することが可
能となり、被写体に斜め線を含む場合であっても正確な
焦点検出を行うことができる。
2)2方向測距の場合でも、それぞれの方向に対して上
記調整が可能である。
3)二次像をデフォーカスさせることにより、ローパス
効果を生じ、被写体の空間周波数に高周波成分を含む場
合でも誤測距がない。
(変形例) 本実施例では、複数の方向にラインセンサが配置され
た場合について述べたが、一方向のみラインセンサが配
置された装置であっても同様の効果を得ることができ
る。但し、本実施例の如き構成にした方がより正確な焦
点検出が可能である。また、直交して対のラインセンサ
を配置したが、これに限定されるものではない。さら
に、第13図に示す如くセンサ面Hを二次像結像面Jの前
段に配置したが、後段に配置しても良い。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば、焦点検出用セ
ンサを、二次結像レンズによる二次像結像面より対物レ
ンズの光軸方向に変位させた位置に配置し、絞り開口部
材を、二次結像レンズの光軸に対して垂直方向に変位さ
せる調整手段を設け、以て、前記調整手段により絞り開
口部材を前記二次結像レンズの光軸に対して垂直方向に
変位させることによって、前記焦点検出用センサ上の二
次像の形成位置を変化させるようにしたから、焦点検出
用センサと二次結像レンズの相対位置関係を調整するこ
とが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明をカメラに適用した場合の一実施例を示
す断面図、第2図は第1図図示のAF・測光ユニットの断
面図、第3図は同じくAF・測光ユニットの構造を説明す
る展開斜視図、第4図は同じくAF・測光ユニット内にお
けるAF系の一方の光路展開図、第5図は同じく他方の光
路展開図、第6図は瞳領域分割の説明図、第7図は第1
図図示のAF・AE用センサと二次像との関係を説明する
図、第8図はデフォーカス量演算時に使用される像信号
を説明する図、第9図はファインダ視野内における測距
エリアを示す図、第10図は第1図図示の二次結像レンズ
に製造誤差がある場合のAF・AE用センサと二次像との関
係を説明する図、第11図(a)は製造誤差のない理想的
な二次結像レンズを示す平面図、第11図(b)は製造誤
差のある二次結像レンズを示す平面図、第12図は第11図
(b)の二次結像レンズを使用した時の不得手な被写体
像を説明する図、第13図は第11図(b)の二次結像レン
ズが使用された場合における二次像とラインセンサとの
位置調整量を説明する図、第14図はファインダ視野内に
おける測光エリアを示す図、第15図は第2図図示の赤外
カットフィルタの各領域を示す上面図、第16図及び第17
図は赤外カットフィルタの各領域での分光透過特性図、
第18図は本発明の一実施例の概略を示すブロック図であ
る。 3……カメラ、5……主ミラー、6……サブミラー、10
……AF・測光ユニット、11……フィールドレンズ、12…
…二次結像レンズ、13……AF・AE用センサ、14……TTL
ストロボ調光用センサ、33……センサ駆動回路、101…
…制御回路、109……TTLストロボ調光回路、110……測
光回路、SAA〜SAD……ラインセンサ、SAE,SAF……AE用
センサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小山 剛史 神奈川県川崎市高津区下野毛770番地 キ ヤノン株式会社玉川事業所内 (72)発明者 大貫 一朗 神奈川県川崎市高津区下野毛770番地 キ ヤノン株式会社玉川事業所内 (56)参考文献 特開 昭62−186213(JP,A)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】対物レンズと、焦点検出用センサと、該焦
    点検出用センサ上に二次像を形成する二次結像レンズ
    と、該二次結像レンズの近傍に配置され、前記対物レン
    ズにより結像された物体像を前記二次結像レンズへ導く
    絞り開口部材とを備えた焦点検出装置において、前記焦
    点検出用センサを、前記二次結像レンズによる二次像結
    像面より前記対物レンズの光軸方向に変位させた位置に
    配置し、前記絞り開口部材を、二次結像レンズの光軸に
    対して垂直方向に変位させる調整手段を設けたことを特
    徴とする焦点検出装置。
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