JPH0820469B2 - 電圧検出装置 - Google Patents
電圧検出装置Info
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- JPH0820469B2 JPH0820469B2 JP62142061A JP14206187A JPH0820469B2 JP H0820469 B2 JPH0820469 B2 JP H0820469B2 JP 62142061 A JP62142061 A JP 62142061A JP 14206187 A JP14206187 A JP 14206187A JP H0820469 B2 JPH0820469 B2 JP H0820469B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、被測定物、例えば電気回路等の所定部分の
電圧を検出するための電圧検出装置に関し、特に被測定
物の所定部分の電圧によって光の偏光状態が変化するこ
とを利用して電圧を検出する型式の電圧検出装置に関す
る。
電圧を検出するための電圧検出装置に関し、特に被測定
物の所定部分の電圧によって光の偏光状態が変化するこ
とを利用して電圧を検出する型式の電圧検出装置に関す
る。
従来、電気回路などの被測定物の所定部分の電圧を検
出するのに、種々の電圧検出装置が用いられる。この種
の電圧検出装置としては被測定物の所定部分にプローブ
を接触させて、その部分の電圧を検出する型式のもの、
あるいはプローブを接触させずに所定部分に電子ビーム
を入射させることにより所定部分の電圧を検出する型式
のものなどが知られている。
出するのに、種々の電圧検出装置が用いられる。この種
の電圧検出装置としては被測定物の所定部分にプローブ
を接触させて、その部分の電圧を検出する型式のもの、
あるいはプローブを接触させずに所定部分に電子ビーム
を入射させることにより所定部分の電圧を検出する型式
のものなどが知られている。
ところで、当業者間には、構造が複雑でかつ小型の集
積回路のような被測定物の微細な部分の高速に変化する
電圧を、微細な部分の状態に影響を与えず精度良く検出
したいという強い要望がある。
積回路のような被測定物の微細な部分の高速に変化する
電圧を、微細な部分の状態に影響を与えず精度良く検出
したいという強い要望がある。
しかしながら、プローブを被測定物の所定部分に接触
させる型式の電圧検出装置では、集積回路等の微細部分
にプローブを直接接触させることが容易でなく、またプ
ローブを接触させることができたとしても、その電圧情
報だけに基づき集積回路の動作を適確に解析するのは困
難であった。さらにプローブを接触させることにより集
積回路内の動作状態が変化するという問題があった。
させる型式の電圧検出装置では、集積回路等の微細部分
にプローブを直接接触させることが容易でなく、またプ
ローブを接触させることができたとしても、その電圧情
報だけに基づき集積回路の動作を適確に解析するのは困
難であった。さらにプローブを接触させることにより集
積回路内の動作状態が変化するという問題があった。
また電子ビームを用いる型式の電圧検出装置では、プ
ローブを被測定物に接触させずに電圧を検出することが
できるものの、測定されるべき部分が真空中に置かれか
つ露出されているものに限られ、また電子ビームにより
測定されるべき部分を損傷するという問題があった。
ローブを被測定物に接触させずに電圧を検出することが
できるものの、測定されるべき部分が真空中に置かれか
つ露出されているものに限られ、また電子ビームにより
測定されるべき部分を損傷するという問題があった。
さらに従来の電圧検出装置では、検出器の動作速度が
高速の電圧変化に追従できず、集積回路等の高速に変化
する電圧を精度良く検出することができないという問題
があった。
高速の電圧変化に追従できず、集積回路等の高速に変化
する電圧を精度良く検出することができないという問題
があった。
このような問題点を解決するために、発明者等による
昭和62年５月30日付の特許出願に記載されているような
被測定物の所定部分の電圧によって光ビームの偏光状態
が変化することを利用して電圧を検出する型式の電圧検
出装置が開発された。
昭和62年５月30日付の特許出願に記載されているような
被測定物の所定部分の電圧によって光ビームの偏光状態
が変化することを利用して電圧を検出する型式の電圧検
出装置が開発された。
第４図は、光ビームの偏光状態が被測定物の所定部分
の電圧によって変化することを利用して被測定物の電圧
を検出する型式の電圧検出装置の構成図である。
の電圧によって変化することを利用して被測定物の電圧
を検出する型式の電圧検出装置の構成図である。
第４図において電圧検出装置50は、光プローブ52と、
例えばレーザダイオードによる直流光源53と、直流光源
53から出力される光ビームを集光レンズ60を介して光プ
ローブ52に案内する光ファイバ51と、光プローブ52から
の参照光をコリメータ90を介して光電変換素子55に案内
する光ファイバ92と、光プローブ52からの出射光をコリ
メータ91を介して光電変換素子58に案内する光ファイバ
93と、光電変換素子55,58からの光電変換された電気信
号を比較する比較回路61とから構成されている。
例えばレーザダイオードによる直流光源53と、直流光源
53から出力される光ビームを集光レンズ60を介して光プ
ローブ52に案内する光ファイバ51と、光プローブ52から
の参照光をコリメータ90を介して光電変換素子55に案内
する光ファイバ92と、光プローブ52からの出射光をコリ
メータ91を介して光電変換素子58に案内する光ファイバ
93と、光電変換素子55,58からの光電変換された電気信
号を比較する比較回路61とから構成されている。
光プローブ52には、電気光学材料62、例えば光学的一
軸性結晶のタンタル酸リチウム（LiTaO3）が収容されて
おり、電気光学材料62の先端部63は、截頭円錐形状に加
工されている。光プローブ52の外周部には、導電性電極
64が設けられ、また先端部63には金属薄膜あるいは誘電
体多層膜の反射鏡65が被着されている。
軸性結晶のタンタル酸リチウム（LiTaO3）が収容されて
おり、電気光学材料62の先端部63は、截頭円錐形状に加
工されている。光プローブ52の外周部には、導電性電極
64が設けられ、また先端部63には金属薄膜あるいは誘電
体多層膜の反射鏡65が被着されている。
光プローブ52内にはさらに、コリメータ94と、集光レ
ンズ95,96と、コリメータ94からの光ビームから所定の
偏光成分をもつ光ビームだけを抽出する偏光子54と、偏
光子54からの所定の偏光成分をもつ光ビームを参照光と
入射光とに分割する一方、電気光学材料62からの出射光
を検光子57に入射させるビームスプリッタ56とが設けら
れている。なお参照光、出射光は、それぞれ集光レンズ
95,96を介して光ファイバ92,93に出力されるようになっ
ている。
ンズ95,96と、コリメータ94からの光ビームから所定の
偏光成分をもつ光ビームだけを抽出する偏光子54と、偏
光子54からの所定の偏光成分をもつ光ビームを参照光と
入射光とに分割する一方、電気光学材料62からの出射光
を検光子57に入射させるビームスプリッタ56とが設けら
れている。なお参照光、出射光は、それぞれ集光レンズ
95,96を介して光ファイバ92,93に出力されるようになっ
ている。
このような構成の電圧検出装置50では、検出に際し
て、光プローブ52の外周部に設けられた導電性電極64を
例えば接地電位に保持しておく。次いで、光プローブ52
の先端部63を被測定物、例えば集積回路（図示せず）に
接近させる。これにより、光プローブ52の電気光学材料
62の先端部63の屈折率が変化する。より詳しくは、光学
的一軸性結晶などにおいて、常光の屈折率と異常光の屈
折率との差が変化する。
て、光プローブ52の外周部に設けられた導電性電極64を
例えば接地電位に保持しておく。次いで、光プローブ52
の先端部63を被測定物、例えば集積回路（図示せず）に
接近させる。これにより、光プローブ52の電気光学材料
62の先端部63の屈折率が変化する。より詳しくは、光学
的一軸性結晶などにおいて、常光の屈折率と異常光の屈
折率との差が変化する。
光源53から出力された光ビームは、集光レンズ60,光
ファイバ51を介して光プローブ52のコリメータ94に入射
し、さらに偏光子54により所定の偏向成分の強度Ｉの光
ビームとなって、ビームスプリッタ56を介して光プロー
ブ52の電気光学材料62に入射する。なおビームスプリッ
タ56により分割された参照光、入射光の強度はそれぞれ
I/2となる。電気光学材料62の先端部63の屈折率は上述
のように被測定物の電圧により変化するので、電気光学
材料62に入射した入射光は先端部63のところでその偏光
状態が屈折率変化に依存して変化し反射鏡65に達し、反
射鏡65で反射され、電気光学材料62から出射光として再
びビームスプリッタ56に向かう。電気光学材料62の先端
部63の長さをｌとすると、入射光の偏光状態は電圧によ
る常光と異常光との屈折率差および長さ2lに比例して変
化する。ビームスプリッタ56に戻された出射光は、検光
子57に入射する。なお検光子57に入射する出射光の強度
は、ビームスプリッタ56によりI/4となっている。検光
子57が例えば偏光子54の偏光成分と直交する偏光成分の
光ビームだけを通過させるように構成されているとする
と、偏光状態が変化して検光子57に入射する強度I/4の
出射光は、検光子57により、強度が（I/4）sin2〔（π/
2）・V/V0〕となって光電変換素子58に加わることにな
る。ここでＶは被測定物の電圧、V0は半波長電圧であ
る。
ファイバ51を介して光プローブ52のコリメータ94に入射
し、さらに偏光子54により所定の偏向成分の強度Ｉの光
ビームとなって、ビームスプリッタ56を介して光プロー
ブ52の電気光学材料62に入射する。なおビームスプリッ
タ56により分割された参照光、入射光の強度はそれぞれ
I/2となる。電気光学材料62の先端部63の屈折率は上述
のように被測定物の電圧により変化するので、電気光学
材料62に入射した入射光は先端部63のところでその偏光
状態が屈折率変化に依存して変化し反射鏡65に達し、反
射鏡65で反射され、電気光学材料62から出射光として再
びビームスプリッタ56に向かう。電気光学材料62の先端
部63の長さをｌとすると、入射光の偏光状態は電圧によ
る常光と異常光との屈折率差および長さ2lに比例して変
化する。ビームスプリッタ56に戻された出射光は、検光
子57に入射する。なお検光子57に入射する出射光の強度
は、ビームスプリッタ56によりI/4となっている。検光
子57が例えば偏光子54の偏光成分と直交する偏光成分の
光ビームだけを通過させるように構成されているとする
と、偏光状態が変化して検光子57に入射する強度I/4の
出射光は、検光子57により、強度が（I/4）sin2〔（π/
2）・V/V0〕となって光電変換素子58に加わることにな
る。ここでＶは被測定物の電圧、V0は半波長電圧であ
る。
比較回路61では、光電変換素子55において光電変換さ
れた参照光の強度I/2と、光電変換素子58において光電
変換された出射光の強度（I/4）sin2〔（π/2）・V/
V0〕とが比較される。
れた参照光の強度I/2と、光電変換素子58において光電
変換された出射光の強度（I/4）sin2〔（π/2）・V/
V0〕とが比較される。
出射光の強度（I/4）sin2〔（π/2）・V/V0〕は、電
圧変化に伴なう電気光学材料62の先端部63の屈折率の変
化によって変わるので、これに基づいて被測定物、例え
ば集積回路の所定部分の電圧を検出することができる。
圧変化に伴なう電気光学材料62の先端部63の屈折率の変
化によって変わるので、これに基づいて被測定物、例え
ば集積回路の所定部分の電圧を検出することができる。
このように第４図に示す電圧検出装置50では、光プロ
ーブ52の先端部63を被測定物に接近させることで変化す
る電気光学材料62の先端部63の屈折率の変化に基づき、
被測定物の所定部分の電圧を検出するようにしているの
で、特に接触させることが困難で、また接触させること
により被測定電圧に影響を与えるような集積回路の微細
部分などの電圧を、光プローブ52を接触させることなく
検出することができる。また光源としてパルス幅の非常
に短かい光パルスを出力するレーザダイオードなどのパ
ルス光源を用いて、被測定物の高速な電圧変化を非常に
短かい時間幅でサンプリングするかあるいは光源に直流
光源を用い検出器にストリークカメラなどの高速応答検
出器を用いて被測定物の高速な電圧変化を高い時間分解
能で測定することにより、高速な電圧変化をも精度良く
検出することが可能となる。
ーブ52の先端部63を被測定物に接近させることで変化す
る電気光学材料62の先端部63の屈折率の変化に基づき、
被測定物の所定部分の電圧を検出するようにしているの
で、特に接触させることが困難で、また接触させること
により被測定電圧に影響を与えるような集積回路の微細
部分などの電圧を、光プローブ52を接触させることなく
検出することができる。また光源としてパルス幅の非常
に短かい光パルスを出力するレーザダイオードなどのパ
ルス光源を用いて、被測定物の高速な電圧変化を非常に
短かい時間幅でサンプリングするかあるいは光源に直流
光源を用い検出器にストリークカメラなどの高速応答検
出器を用いて被測定物の高速な電圧変化を高い時間分解
能で測定することにより、高速な電圧変化をも精度良く
検出することが可能となる。
ところで、使用者にとっては、１つの電圧検出装置で
光プローブあるいは電気光学材料の種類を変更して、あ
る場合には温度特性を優先した検出結果を、またある場
合には感度特性を優先した検出結果を得たいことがあ
る。さらには電圧の検出を開始するに先立ち、電気光学
材料のかわりに電気光学効果をもたない例えば石英ガラ
スなどの透明物質を用いて光プローブの光軸等の調整を
行ない、この調整が終了した時点で電気光学効果をもた
ない透明物質を電気光学材料に置換えたい場合がある。
光プローブあるいは電気光学材料の種類を変更して、あ
る場合には温度特性を優先した検出結果を、またある場
合には感度特性を優先した検出結果を得たいことがあ
る。さらには電圧の検出を開始するに先立ち、電気光学
材料のかわりに電気光学効果をもたない例えば石英ガラ
スなどの透明物質を用いて光プローブの光軸等の調整を
行ない、この調整が終了した時点で電気光学効果をもた
ない透明物質を電気光学材料に置換えたい場合がある。
しかしながら、第４図に示す電圧検出装置50では、１
つの光プローブ52だけが用いられまた光プローブ52内に
は１種類の電気光学材料62だけが設けられて、光プロー
ブ52あるいは電気光学材料62を他の種類のものに交換し
うるようにはなっていないので、上述のような使用者に
とって都合の良い検出結果を得たりあるいは検出開始時
に光プローブ内の光軸などの調整を行なったりする融通
性に欠けていた。
つの光プローブ52だけが用いられまた光プローブ52内に
は１種類の電気光学材料62だけが設けられて、光プロー
ブ52あるいは電気光学材料62を他の種類のものに交換し
うるようにはなっていないので、上述のような使用者に
とって都合の良い検出結果を得たりあるいは検出開始時
に光プローブ内の光軸などの調整を行なったりする融通
性に欠けていた。
本発明は、使用者にとって所望の検出結果を得たり光
プローブ内の光軸の調整を容易に行なうことの可能な構
造の電圧検出装置を提供することを目的としている。
プローブ内の光軸の調整を容易に行なうことの可能な構
造の電圧検出装置を提供することを目的としている。
本発明は、被測定物の所定部分の電圧によって屈折率
が変化する電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置に
おいて、被測定物の所定部分に電気光学材料を接近させ
るための光プローブを備え、該光プローブの先端部には
所望の電気光学材料または電気光学効果のない透明物質
が光軸に沿って交換可能に配置されることを特徴とする
電圧検出装置によって、上記従来技術の問題点を改善し
ようとするものである。
が変化する電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置に
おいて、被測定物の所定部分に電気光学材料を接近させ
るための光プローブを備え、該光プローブの先端部には
所望の電気光学材料または電気光学効果のない透明物質
が光軸に沿って交換可能に配置されることを特徴とする
電圧検出装置によって、上記従来技術の問題点を改善し
ようとするものである。
本発明では、光プローブの先端部に所望の電気光学材
料または電気光学効果のない透明物質が光軸に沿って交
換可能に配置されるようになっている。例えば、最初光
軸に沿って電気光学効果のない透明物質を配置すると、
光プローブの光軸の調整を行なうことができる。次いで
例えば感度特性の良好な電気光学材料に交換すると、被
測定物の所定部分の電圧を感度良く検出することができ
る。
料または電気光学効果のない透明物質が光軸に沿って交
換可能に配置されるようになっている。例えば、最初光
軸に沿って電気光学効果のない透明物質を配置すると、
光プローブの光軸の調整を行なうことができる。次いで
例えば感度特性の良好な電気光学材料に交換すると、被
測定物の所定部分の電圧を感度良く検出することができ
る。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る電圧検出装置の第１の実施例の
部分概略構成図である。
部分概略構成図である。
第１図の電圧検出装置では、光プローブ１の先端部に
回転台２が回転自在に設けられ、回転台２には、例えば
３つのネジ孔３−1,3−2,3−３が設けられている。回転
台２のネジ孔３−１には例えば温度特性の良好な電気光
学材料４−１が嵌着され、ネジ孔３−２には例えば感度
特性の良好な電気光学材料４−２が嵌着され、ネジ孔３
−３には例えば電気光学効果のない石英ガラスなどの透
明物質４−３が嵌着されるようになっている。
回転台２が回転自在に設けられ、回転台２には、例えば
３つのネジ孔３−1,3−2,3−３が設けられている。回転
台２のネジ孔３−１には例えば温度特性の良好な電気光
学材料４−１が嵌着され、ネジ孔３−２には例えば感度
特性の良好な電気光学材料４−２が嵌着され、ネジ孔３
−３には例えば電気光学効果のない石英ガラスなどの透
明物質４−３が嵌着されるようになっている。
なお電気光学材料４−1,4−2,電気光学効果のない透
明物質４−３の先端には、図示しないが金属薄膜あるい
は誘電体多層膜の反射鏡が形成されているとする。
明物質４−３の先端には、図示しないが金属薄膜あるい
は誘電体多層膜の反射鏡が形成されているとする。
このような構成の電圧検出装置では、被測定物５の所
定部分の電圧を検出するに先立ち、光プローブ１の先端
部に設けられた回転台２を回転して、第１図に示すよう
に光プローブ１の光軸に沿って電気光学効果のない透明
物質４−３を位置決めする。しかる後に、この透明物質
４−３に所定の偏光成分をもつ光ビームを入射させる。
ところで、透明物質４−３は電気光学効果を有していな
いので、入射光の偏光状態は透明物質４−３内で変化せ
ず、従ってこの透明物質４−３からの出射光の偏光状態
も入射光の偏光状態と同じであるので、検出器（図示せ
ず）において出射光の強度が入射光の強度すなわち参照
光の強度と同じであるか否かを判別することにより、光
プローブ１の光軸を調整することができる。
定部分の電圧を検出するに先立ち、光プローブ１の先端
部に設けられた回転台２を回転して、第１図に示すよう
に光プローブ１の光軸に沿って電気光学効果のない透明
物質４−３を位置決めする。しかる後に、この透明物質
４−３に所定の偏光成分をもつ光ビームを入射させる。
ところで、透明物質４−３は電気光学効果を有していな
いので、入射光の偏光状態は透明物質４−３内で変化せ
ず、従ってこの透明物質４−３からの出射光の偏光状態
も入射光の偏光状態と同じであるので、検出器（図示せ
ず）において出射光の強度が入射光の強度すなわち参照
光の強度と同じであるか否かを判別することにより、光
プローブ１の光軸を調整することができる。
次いで、使用者が温度特性の良好な検出結果を得よう
とする場合には、回転台２を回転して、光プローブ１の
光軸に沿って温度特性の良好な電気光学材料４−１を位
置決めする。しかる後に電気光学材料４−１に所定の偏
光成分をもつ光ビームを入射光として入射させ、電気光
学材料４−１からの出射光の偏光状態の変化を検出する
ことにより、被測定物５の所定部分の電圧を温度特性良
く検出することができる。また使用者が感度特性の良好
な検出結果を得ようとする場合には、光プローブ１の光
軸に沿って感度特性の良好な電気光学材料４−２を位置
決めし、被測定物５の所定部分の電圧を感度良く検出す
ることができる。
とする場合には、回転台２を回転して、光プローブ１の
光軸に沿って温度特性の良好な電気光学材料４−１を位
置決めする。しかる後に電気光学材料４−１に所定の偏
光成分をもつ光ビームを入射光として入射させ、電気光
学材料４−１からの出射光の偏光状態の変化を検出する
ことにより、被測定物５の所定部分の電圧を温度特性良
く検出することができる。また使用者が感度特性の良好
な検出結果を得ようとする場合には、光プローブ１の光
軸に沿って感度特性の良好な電気光学材料４−２を位置
決めし、被測定物５の所定部分の電圧を感度良く検出す
ることができる。
また上述の電気光学材料４−1,4−２の他にも、比誘
電率が小さく被測定電界を乱しにくい電気光学材料を用
いても良い。
電率が小さく被測定電界を乱しにくい電気光学材料を用
いても良い。
このように第１の実施例によれば、光プローブ１の先
端部の回転台２を回転させるだけで、極めて容易に電気
光学材料４−1,4−２あるいは電気光学効果のない透明
物質４−３を交換することができるので、使用者にとっ
て都合の良い検出結果を容易に得ることができたり、光
軸の調整を容易に行なうことができる。
端部の回転台２を回転させるだけで、極めて容易に電気
光学材料４−1,4−２あるいは電気光学効果のない透明
物質４−３を交換することができるので、使用者にとっ
て都合の良い検出結果を容易に得ることができたり、光
軸の調整を容易に行なうことができる。
第２図は本発明に係る電圧検出装置の第２の実施例の
部分概略構成図である。
部分概略構成図である。
第２図の電圧検出装置では、光プローブ10に楔形の溝
11が設けられ、これに対して交換可能な各種の電気光学
材料あるいは電気光学効果の結晶12の上部には、光プロ
ーブ10の溝11に嵌合する楔形部分13が形成されている。
なお各種の電気光学材料あるいは電気光学効果の結晶12
の先端には、図示しないが金属薄膜あるいは誘電体多層
膜の反射鏡が形成されているとする。
11が設けられ、これに対して交換可能な各種の電気光学
材料あるいは電気光学効果の結晶12の上部には、光プロ
ーブ10の溝11に嵌合する楔形部分13が形成されている。
なお各種の電気光学材料あるいは電気光学効果の結晶12
の先端には、図示しないが金属薄膜あるいは誘電体多層
膜の反射鏡が形成されているとする。
このような構成では、所望の電気光学材料あるいは電
気光学効果のない透明物質を光プローブ10の溝11に嵌合
させて、電圧の検出あるいは光軸の調整を行なうことが
できて、他の電気光学材料などを用いたときには、現在
嵌めらている電気光学材料等を取外して容易に交換する
ことができる。
気光学効果のない透明物質を光プローブ10の溝11に嵌合
させて、電圧の検出あるいは光軸の調整を行なうことが
できて、他の電気光学材料などを用いたときには、現在
嵌めらている電気光学材料等を取外して容易に交換する
ことができる。
このように第２の実施例においても、電気光学材料な
どを容易に交換することができるので、使用者にとって
都合の良い検出結果を容易に得ることができたり、光軸
の調整を容易に行なうことができる。
どを容易に交換することができるので、使用者にとって
都合の良い検出結果を容易に得ることができたり、光軸
の調整を容易に行なうことができる。
なお第１および第２の実施例において、交換可能な電
気光学材料の上面には図示しないが、透明電極を設けて
も良い。この場合には透明電極に接地電位を与えること
により、被測定物の所定部分の電圧に基づく電気力線を
電気光学材料内において電気光学材料の軸線と平行にさ
せ、電気光学材料内での屈折率変化が一様となるように
して電圧の検出精度を高めることができる。
気光学材料の上面には図示しないが、透明電極を設けて
も良い。この場合には透明電極に接地電位を与えること
により、被測定物の所定部分の電圧に基づく電気力線を
電気光学材料内において電気光学材料の軸線と平行にさ
せ、電気光学材料内での屈折率変化が一様となるように
して電圧の検出精度を高めることができる。
また交換可能な電気光学材料は全体が電気光学材料で
形成されているものとして説明したが、第３図に示すよ
うに、上部を電気光学効果のない例えば石英ガラスなど
の透明物質14で形成し、下部を電気光学材料15で形成す
るようにしても良い。
形成されているものとして説明したが、第３図に示すよ
うに、上部を電気光学効果のない例えば石英ガラスなど
の透明物質14で形成し、下部を電気光学材料15で形成す
るようにしても良い。
また、上述した実施例では、電気光学材料等の先端を
被測定物に接触させないものとして説明したが、電気光
学材料の先端を被測定物に接触させるようにしても良
い。
被測定物に接触させないものとして説明したが、電気光
学材料の先端を被測定物に接触させるようにしても良
い。
以上に説明したように、本発明によれば、光プローブ
の先端部に所望の電気光学材料または電気光学効果のな
い透明物質が光軸に沿って交換可能に配置されるように
なっているので、使用者にとって所望の検出結果を得た
り光プローブ内の光軸の調整を容易に行なうことができ
て電圧検出装置としての融通性を著しく高めることがで
きる。
の先端部に所望の電気光学材料または電気光学効果のな
い透明物質が光軸に沿って交換可能に配置されるように
なっているので、使用者にとって所望の検出結果を得た
り光プローブ内の光軸の調整を容易に行なうことができ
て電圧検出装置としての融通性を著しく高めることがで
きる。
さらには、先の細く、微細部分を測れるもの、あるい
は大きな範囲を測定できるものなどの種々の所望の形状
のものを用いることができる。
は大きな範囲を測定できるものなどの種々の所望の形状
のものを用いることができる。
第１図は本発明に係る電圧検出装置の第１の実施例の部
分概略構成図、第２図は本発明に係る電圧検出装置の第
２の実施例の部分概略構成図、第３図は光プローブに交
換可能に取付けられる電気光学材料の変形例を示す図、
第４図は従来の電圧検出装置の構成図である。 1,10……光プローブ、２……回転台、４−1,4−２……
電気光学材料、４−３……電気光学効果のない透明物
質、５……被測定物、11……溝
分概略構成図、第２図は本発明に係る電圧検出装置の第
２の実施例の部分概略構成図、第３図は光プローブに交
換可能に取付けられる電気光学材料の変形例を示す図、
第４図は従来の電圧検出装置の構成図である。 1,10……光プローブ、２……回転台、４−1,4−２……
電気光学材料、４−３……電気光学効果のない透明物
質、５……被測定物、11……溝
Claims (2)
- 【請求項１】被測定物の所定部分の電圧によって屈折率
が変化する電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置に
おいて、被測定物の所定部分に電気光学材料を接近させ
るための光プローブを備え、該光プローブの先端部に
は、所望の電気光学材料または電気光学効果のない透明
物質が光軸に沿って交換可能に配置されることを特徴と
する電圧検出装置。 - 【請求項２】前記光プローブの先端部に交換可能に配置
される電気光学材料は、上面に透明電極が設けられてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電圧
検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62142061A JPH0820469B2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 電圧検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62142061A JPH0820469B2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 電圧検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63305257A JPS63305257A (ja) | 1988-12-13 |
| JPH0820469B2 true JPH0820469B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=15306513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62142061A Expired - Fee Related JPH0820469B2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 電圧検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0820469B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2742143B2 (ja) * | 1991-03-01 | 1998-04-22 | 日本電信電話株式会社 | 電界測定用プローブの製造方法 |
| US5469064A (en) * | 1992-01-14 | 1995-11-21 | Hewlett-Packard Company | Electrical assembly testing using robotic positioning of probes |
-
1987
- 1987-06-05 JP JP62142061A patent/JPH0820469B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63305257A (ja) | 1988-12-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |