JPH08203848A - Cut line control method of semiconductor wafer - Google Patents

Cut line control method of semiconductor wafer

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JPH08203848A
JPH08203848A JP7031368A JP3136895A JPH08203848A JP H08203848 A JPH08203848 A JP H08203848A JP 7031368 A JP7031368 A JP 7031368A JP 3136895 A JP3136895 A JP 3136895A JP H08203848 A JPH08203848 A JP H08203848A
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JP
Japan
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cut
semiconductor wafer
line
lines
vertical
Prior art date
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Application number
JP7031368A
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Japanese (ja)
Inventor
Susumu Kuwazaki
進 鍬崎
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PURPOSE: To cut only a required part of a semiconductor wafer, reduce the cutting time of the semiconductor wafer, and improve the life of a rotary blade by inputting a pass line in a range where the semiconductor wafer is not directly cut. CONSTITUTION: Various kind of data and conditions required for cutting are inputted to a control part 5 by an input part 3. The size of a semiconductor wafer 7 and the length and width dimensions of a chip are inputted as input data and a specific pass line where no cutting is made by passing an unneeded cut line is inputted as input conditions. Namely, a pass line for passing a preset cut line is set out of length and width cut lines, thus passing a cut line within a range where the semiconductor 7 is not directly cut and hence drastically reducing the cutting time of the semiconductor wafer 7.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハを所定の
大きさのチップに切り出す際に、縦横のカットラインを
任意に設定できる半導体ウェハのカットライン制御方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer cut line control method capable of arbitrarily setting vertical and horizontal cut lines when cutting a semiconductor wafer into chips of a predetermined size.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来において、半導体ウェハから四角い
所定寸法のチップを多数切り出すには、ダイシング装置
のテーブル上に設けられた吸着シート上に半導体ウェハ
を吸着してセットし、回転刃によって先に横のカットラ
インが所定の間隔でカッティングされ、その後テーブル
を90°回転し、回転刃によって縦のカットラインが所
定の間隔でカッティングされる。また、カッティング時
には、予め、テーブル上の半導体ウェハの位置決めが行
われ、半導体ウェハの位置決めは、移送装置によりロー
ダから半導体ウェハが取出され、図6に示すように、テ
ーブル9上の所定位置に半導体ウェハ7のオリフラ部
(オリエンテーションフラット部)7Aを基準にして半
導体ウェハ7の中心が位置するように位置決めされる。
また、所定のチップの大きさにカッティングするには、
図6の実線で示すように、テーブル9上に位置決めされ
た半導体ウェハ7の中心部分に位置する横のカットライ
ンおよび縦のカットラインを基準カットラインxo ,y
o とし、縦横の各々の基準カットラインxo ,yo を基
準にしてチップの縦又は横のピッチの累積値となる全て
のカットラインがカットされる。そして、図6に斜線で
示す範囲でチップを切り出すには、テーブル9上での縦
横のカットラインの総数としては29本となる。
2. Description of the Related Art Conventionally, in order to cut out a large number of square chips having a predetermined size from a semiconductor wafer, the semiconductor wafer is sucked and set on a suction sheet provided on the table of a dicing machine, and then it is first moved horizontally by a rotary blade. Are cut at predetermined intervals, the table is then rotated 90 °, and the vertical cutting lines are cut at predetermined intervals by the rotary blade. Further, during cutting, the semiconductor wafer is positioned on the table in advance, and the semiconductor wafer is taken out from the loader by the transfer device and the semiconductor wafer is positioned at a predetermined position on the table 9 as shown in FIG. The semiconductor wafer 7 is positioned so that the center of the semiconductor wafer 7 is positioned with reference to the orientation flat portion (orientation flat portion) 7A of the wafer 7.
In addition, in order to cut to the prescribed tip size,
As shown by the solid line in FIG. 6, the horizontal cut line and the vertical cut line located at the central portion of the semiconductor wafer 7 positioned on the table 9 are used as reference cut lines x o , y.
o , all the cut lines that are cumulative values of the vertical or horizontal pitch of the chip are cut with reference to the respective vertical and horizontal reference cut lines x o and y o . Then, in order to cut out chips in the range indicated by the diagonal lines in FIG. 6, the total number of vertical and horizontal cut lines on the table 9 is 29.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の半導
体ウェハのカッティング方法によれば、図6に示すよう
に、縦横のカットラインの各々について、テーブル9上
にセットされた半導体ウェハ7の中心部分の基準カット
ラインxo ,yo を基準として決定されるカット幅の累
積値となる全てのラインがカッティングされるので、半
導体ウェハ7をカッティングしない範囲も回転刃による
カッティング動作が行なわれることになり、半導体ウェ
ハ7のカッティングに要する時間が予分に必要となる不
具合があった。また、半導体ウェハ7が載置されるテー
ブル9上の吸着シート上を回転刃が走行するため、回転
刃に目づまりを生じたり、刃を必要以上に消耗するとい
う欠点があった。
However, according to the conventional method for cutting a semiconductor wafer, as shown in FIG. 6, the central portion of the semiconductor wafer 7 set on the table 9 for each of the vertical and horizontal cut lines. Since all the lines that are the cumulative values of the cut widths determined with reference to the reference cut lines x o and y o are cut, the cutting operation is performed by the rotary blade even in the range where the semiconductor wafer 7 is not cut. However, there is a problem in that the time required for cutting the semiconductor wafer 7 is required for the preliminary calculation. Further, since the rotary blade runs on the suction sheet on the table 9 on which the semiconductor wafer 7 is placed, there are drawbacks that the rotary blade is clogged and the blade is consumed more than necessary.

【0004】本発明は前記事情に鑑み案出されたもので
あって、本発明の目的は、半導体ウェハのカッティング
時間の短縮化を可能とし、回転刃の寿命の向上を可能と
した半導体ウェハのカットライン制御方法を提供するこ
とにある。
The present invention has been devised in view of the above circumstances. An object of the present invention is to reduce the cutting time of a semiconductor wafer and to improve the life of a rotary blade. It is to provide a cut line control method.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明に係る半導体ウェハのカットライン制御方法は、
ダイシング装置の回転刃によりテーブル上にセットされ
た半導体ウェハをチップの大きさに応じて横方向および
縦方向に順次カッティングする際に、前記チップの縦寸
法の累積値を通る全ての横方向のカットラインおよび前
記チップの横寸法の累積値を通る全ての縦方向のカット
ラインを決定し、前記横方向のカットラインおよび縦方
向のカットラインのうち、前記回転刃によるカッティン
グ動作をパスさせるパスラインを入力部からの入力情報
に基づいて設定し、前記パスラインを除くカットライン
を前記回転刃によりカッティングするようにしたことを
特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, a semiconductor wafer cut line control method according to the present invention comprises:
When sequentially cutting the semiconductor wafer set on the table by the rotating blade of the dicing device in the horizontal direction and the vertical direction according to the size of the chip, all lateral cuts passing through the cumulative value of the vertical dimension of the chip All the vertical cut lines that pass through the cumulative value of the line and the lateral dimension of the chip are determined, and among the horizontal cut lines and the vertical cut lines, a pass line that passes the cutting operation by the rotary blade is selected. The cutting line is set based on the input information from the input unit, and the cut lines except the pass line are cut by the rotary blade.

【0006】また、本発明の半導体ウェハのカットライ
ン制御方法は、前記横方向および縦記向のカットライン
の最外側からパスラインを順次設定するようにしたこと
を特徴とする。
Further, the semiconductor wafer cut line control method of the present invention is characterized in that pass lines are sequentially set from the outermost side of the horizontal and vertical cut lines.

【0007】[0007]

【作用】ダイシング装置の入力部により半導体ウェハや
チップの大きさを入力すると、横方向および縦方向のす
べてのカットラインが決定され、さらに入力部によりパ
スラインの情報を入力すると、前記カットラインのう
ち、回転刃によるカッティング動作しないパスラインが
設定され、設定されたパスラインを除くカットラインが
回転刃によりカッティングが行なわれる。したがって、
半導体ウェハを直接カッティングしない範囲のパスライ
ンを入力することにより、半導体ウェハの必要な部分の
みがカッティングされることになり、カッティング時間
を大幅に短縮することができ、同時に回転刃の寿命の向
上を図ることが可能となる。
When the size of the semiconductor wafer or the chip is input by the input unit of the dicing device, all the cut lines in the horizontal and vertical directions are determined, and when the information of the pass line is further input by the input unit, the cut line Of these, a pass line that does not perform cutting operation by the rotary blade is set, and cutting lines other than the set pass line are cut by the rotary blade. Therefore,
By inputting the pass line in the range that does not directly cut the semiconductor wafer, only the necessary part of the semiconductor wafer will be cut, the cutting time can be greatly shortened, and at the same time the life of the rotary blade can be improved. It is possible to plan.

【0008】[0008]

【実施例】以下に本発明の一実施例を図面に基づき説明
する。図1はダイシング装置の概略ブロック図を示して
いる。ダイシング装置1は、図1に示すように、各種の
データおよび条件を入力する入力部3と、必要な演算を
したり各部を制御する制御部5と、制御部5からの指令
により半導体ウェハ7がセットされたテーブル9を90
°回転させるテーブル駆動部11と、制御部5からの指
令により回転刃13をテーブル9上に移動するとともに
回転刃13を回転させながら各々のカットラインに沿っ
て移動させる回転刃駆動部15と、半導体ウェハ7を吸
着してローダから取り出してテーブル9上にセットする
ウェハ移送部17とを備えた構成である。そして、テー
ブル9上にウェハ移送部17によりセットし、回転刃1
3を回転させながら横方向に移動させることにより半導
体ウェハ7のカッティングが行なわれる。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic block diagram of a dicing device. As shown in FIG. 1, the dicing device 1 includes an input unit 3 for inputting various data and conditions, a control unit 5 for performing necessary calculations and controlling each unit, and a semiconductor wafer 7 according to a command from the control unit 5. 90 with the table 9 set
A table drive unit 11 for rotating, a rotary blade drive unit 15 for moving the rotary blade 13 on the table 9 according to a command from the control unit 5 and moving the rotary blade 13 along each cut line while rotating the rotary blade 13. The semiconductor wafer 7 is sucked, taken out from the loader, and set on the table 9. The wafer transfer unit 17 is provided. Then, it is set on the table 9 by the wafer transfer unit 17, and the rotary blade 1
The semiconductor wafer 7 is cut by moving the semiconductor wafer 3 in the horizontal direction while rotating it.

【0009】次に、前記構成のダイシング装置1により
半導体ウェハ7を所定の大きさのチップにカッティング
する場合について図2に示すフローチャートに従って説
明する。まず、ステップS1でカッティングに必要な各
種のデータおよび条件を入力部3により制御部5に入力
する。入力データとしては半導体ウェハ7のサイズや、
チップの縦横の寸法を入力し、入力条件としては、不必
要なカットラインをパスしてカッティングを行なわない
所定のパスラインを入力する。
Next, a case where the semiconductor wafer 7 is cut into chips of a predetermined size by the dicing apparatus 1 having the above-mentioned structure will be described with reference to the flowchart shown in FIG. First, in step S1, various data and conditions necessary for cutting are input to the control unit 5 by the input unit 3. As the input data, the size of the semiconductor wafer 7,
The vertical and horizontal dimensions of the chip are input, and as an input condition, a predetermined pass line that does not perform cutting by passing an unnecessary cut line is input.

【0010】そして、ステップS1で各種のデータおよ
び条件を入力し、入力部3により所定の開始操作を行な
うと、ステップS2で縦横の各カットラインとパスライ
ンとが設定される。縦横のカットラインの設定は、テー
ブル9の所定位置を基準にして半導体ウェハ7の寸法に
応じて半導体ウェハ7の中央部分を通る縦横の基準カッ
トラインが決定され、これらの縦横の基準カットライン
に基づいてその他の縦横のカットラインが決定される。
When various data and conditions are input in step S1 and a predetermined start operation is performed by the input unit 3, vertical and horizontal cut lines and pass lines are set in step S2. The vertical and horizontal cut lines are set by determining the vertical and horizontal reference cut lines passing through the central portion of the semiconductor wafer 7 according to the dimensions of the semiconductor wafer 7 with reference to a predetermined position on the table 9. Based on this, other vertical and horizontal cut lines are determined.

【0011】例えば、図3に示すように、テーブル9を
基準にして、半導体ウェハ7の中央部分を通る横の基準
カットラインxo と縦の基準カットラインy0 が設定さ
れる。そして、横の他のカットラインx・・・・は、横
の基準カットラインxo を基準にして、図3中の上方お
よび下方のそれぞれに亘って、チップの縦寸法の累積値
となる箇所を通るように決定される。同様に、縦の他の
カットラインy・・・・は、縦の基準カットラインyo
を基準にして、図3中の左方および右方のそれぞれに亘
って、チップの横寸法の累積値となる箇所を通るように
決定される。
For example, as shown in FIG. 3, with reference to the table 9, a horizontal reference cut line x o and a vertical reference cut line y 0 passing through the central portion of the semiconductor wafer 7 are set. Further, the other horizontal cut lines x, ... Are the cumulative values of the vertical dimension of the chip over the upper and lower sides in FIG. 3 with reference to the horizontal reference cut line x o . Is decided to go through. Similarly, the other vertical cut lines y ... Are vertical reference cut lines y o.
3 is determined as a reference value, and it is determined so as to pass through each of the left and right sides in FIG.

【0012】その後、ステップS3では、ステップS2
で決定された縦横のカットラインのうち、ステップS1
で予め設定されたカットラインをパスするパスラインの
設定が行なわれる。パスラインの設定は、ステップS2
で決定された縦横の各カットラインx0 ,x・・・ ,y
o ,y・・・ に基づいて行なわれる。例えば、図4に示す
ように、横のパスラインx0 ,x・・・ をチャンネル1と
し、半導体ウェハ7のオリフラ部7AをFRONTと
し、オリフラ部7Aと反対側をREARとして、それぞ
れ、カットラインx0 ,x・・・ の最外側から第1、第2
と・・・と設定される。また、縦のパスラインyo ,y
・・・ をチャンネル2とし、図4に示す半導体ウェハ7の
左側をFRONTとし、半導体ウェハ7の右側をREA
Rとし、それぞれ最外側から第1、第2、第3・・・と
設定されている。そして、ステップS3では、前記ステ
ップS1でパスラインが、例えばチャンネル1のFRO
NT2本、チャンネル1のREAR2本、チャンネル2
のFRONT3本、チャンネル2のREAR3本に入力
すると、これに対応したパスラインが設定され、これら
のパスラインでは回転刃13によるカッティング動作が
省かれる。
Thereafter, in step S3, step S2
Of the vertical and horizontal cut lines determined in step S1, step S1
The pass line that passes the preset cut line is set at. The pass line is set in step S2.
Vertical and horizontal cut lines x 0 , x ..., y determined by
It is performed based on o , y ... For example, as shown in FIG. 4, the horizontal pass lines x 0 , x ... Are set to channel 1, the orientation flat portion 7A of the semiconductor wafer 7 is set to FRONT, and the opposite side to the orientation flat portion 7A is set to REAR, and the cut lines are respectively formed. From the outermost side of x 0 , x ...
And ... are set. Also, vertical pass lines y o , y
... is a channel 2, the left side of the semiconductor wafer 7 shown in FIG. 4 is FRONT, and the right side of the semiconductor wafer 7 is REA.
R, and the first, second, third, ... Then, in step S3, the pass line in step S1 is, for example, the FRO of channel 1.
NT2, Channel 1 REAR2, Channel 2
Inputting to three FRONTs and three REARs of channel 2 sets the corresponding pass lines, and the cutting operation by the rotary blade 13 is omitted in these pass lines.

【0013】ステップS3でパスラインの設定が終了す
ると、ステップS4でウェハ移送部17によってローダ
から半導体ウェハ7がテーブル9上にセットされる。更
に、ステップS5で回転刃駆動部15により回転刃13
がテーブル9上の横の基準カットラインxo 上に移動さ
れ、ステップS6で回転刃13を回転しながら下方に移
動して最初は縦の基準カットラインxo に沿って半導体
ウェハ7がカッティングされ、所定の縦間隔の累積値の
箇所を通過するカットラインx0 ,x・・・ が順次カッテ
ィングされる。この場合、予め設定されたパスラインは
パスされ、カッティングは行なわれない。
When the setting of the pass line is completed in step S3, the semiconductor wafer 7 is set on the table 9 from the loader by the wafer transfer unit 17 in step S4. Further, in step S5, the rotary blade drive unit 15 rotates the rotary blade 13
Is moved to the horizontal reference cut line x o on the table 9, and is moved downward while rotating the rotary blade 13 in step S6, and the semiconductor wafer 7 is initially cut along the vertical reference cut line x o. , The cut lines x 0 , x ... Which pass through the places of the cumulative value of the predetermined vertical interval are sequentially cut. In this case, the preset pass line is passed and cutting is not performed.

【0014】横のパスラインを除く全てのカットライン
0 ,x・・・ のカッティングが終了すると、ステップS
7でテーブル駆動部11によりテーブル9が90°回転
され、ステップS8で縦のカットラインyo ,y・・・ の
カッティングが行なわれる。ステップS8における縦の
カットラインyo ,y・・・ のカッティングは、縦の基準
カットラインyo 上に回転刃13を位置させて回転刃1
3を回転させながら下降させ、最初は基準カットライン
o に沿ってカッティングされ、次に、所定の横間隔の
累積値の箇所を通過するカットラインy,y・・・ の各々
に沿って順次カッティングが行なわれる。この場合、横
のパスラインと同様に予め設定された横のパスラインは
パスされカッティングされない。
When the cutting of all the cut lines x 0 , x ... Excluding the horizontal pass lines is completed, step S
In step 7, the table 9 is rotated by 90 degrees by the table drive unit 11, and in step S8, cutting of the vertical cut lines yo , y ... Is performed. Step vertical cut line in S8 y o, cutting the y · · · is rotated to position the rotary blade 13 on the vertical reference cut line y o blade 1
3 is lowered while rotating the first is cut along the reference cut line y o, then cut line y which passes a portion of the accumulated value of a predetermined horizontal distance, successively along each of y · · · Cutting is performed. In this case, similarly to the horizontal pass line, a preset horizontal pass line is passed and not cut.

【0015】この結果、図5に直線で示すようなカット
ラインx,x・・・ のみがカッティングされることにな
り、半導体ウェハ7を直接カッティングしない範囲のカ
ットラインをパスしてカッティングが行なわれ、例えば
チャンネル1のFRONTおよびREARが各2本、チ
ャンネル2のFRONTおよびREARが各3本、合わ
せて10本のカットラインx,yがパスされ、同じサイ
ズのチップにカッティングする際には、従来の場合には
29本のカットラインに沿ってカッティングされるのに
対し、本実施例では19本のカットラインに沿ってカッ
ティングされ、カッティング処理を削減することができ
る。そして、全てのカッティング処理が終了すると、ス
テップS9で回転刃13を上昇して回転刃13の回転を
停止させて回転刃13が元の位置に移動され、カッティ
ング処理を終了する。
As a result, only the cut lines x, x ... As shown by the straight lines in FIG. 5 are cut, and the semiconductor wafer 7 is cut by passing through the cut lines in a range where it is not directly cut. , For example, two FRONTs and REARs for channel 1, three FRONTs and REARs for channel 2, and a total of 10 cut lines x and y are passed, and when cutting chips of the same size, In this case, the cutting is performed along the 29 cut lines, whereas in the present embodiment, the cutting is performed along the 19 cut lines, and the cutting process can be reduced. When all the cutting processes are completed, the rotary blade 13 is raised in step S9 to stop the rotation of the rotary blade 13, the rotary blade 13 is moved to the original position, and the cutting process is completed.

【0016】このように本実施例においては、半導体ウ
ェハ7を所定の大きさのチップにカッティングする際
に、半導体ウェハ7を直接カッティングしない範囲のカ
ットラインをパスすることができるので、半導体ウェハ
7のカッティング時間を大幅に短縮することが可能とな
るとともに、回転刃13の目づまりや寿命を延ばすこと
ができ、チップサイズが小さくなるに伴ってこれらの効
果が顕著となる。
As described above, in this embodiment, when the semiconductor wafer 7 is cut into chips of a predetermined size, the semiconductor wafer 7 can pass through a cut line in a range where it is not directly cut, so that the semiconductor wafer 7 can be cut. It is possible to significantly shorten the cutting time, and it is possible to prolong the clogging and the life of the rotary blade 13, and these effects become remarkable as the chip size becomes smaller.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、入
力操作によってカッティングしたくない範囲のカットラ
インをパスすることができるので、半導体ウェハのカッ
ティング時間を大幅に短縮することができ、さらに、回
転刃の目づまりを低減でき、回転刃の寿命を延ばすこと
が可能となる。
As described above, according to the present invention, it is possible to pass a cut line in a range which is not desired to be cut by an input operation, so that the cutting time of a semiconductor wafer can be greatly shortened. The clogging of the rotary blade can be reduced, and the life of the rotary blade can be extended.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係り、ダイシング装置を示
す概略ブロック図である。
FIG. 1 is a schematic block diagram showing a dicing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】カッティング処理を示すフローチャートであ
る。
FIG. 2 is a flowchart showing a cutting process.

【図3】カットラインを示すテーブル上の半導体ウェハ
を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a semiconductor wafer on a table showing cut lines.

【図4】パスラインの設定を説明するテーブル上の半導
体ウェハを示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a semiconductor wafer on a table for explaining the setting of pass lines.

【図5】実際にカッティングされるカットラインを示す
平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing a cut line that is actually cut.

【図6】従来の半導体ウェハのカッティング時のカット
ラインを示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a cut line when cutting a conventional semiconductor wafer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ダイシング装置 3 入力部 7 半導体ウェハ 9 テーブル 13 回転刃 xo ,x カットライン yo ,y カットラインDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Dicing device 3 Input part 7 Semiconductor wafer 9 Table 13 Rotary blade x o , x cut line y o , y cut line

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ダイシング装置の回転刃によりテーブル
上にセットされた半導体ウェハをチップの大きさに応じ
て横方向および縦方向に順次カッティングする際に、 前記チップの縦寸法の累積値を通る全ての横方向のカッ
トラインおよび前記チップの横寸法の累積値を通る全て
の縦方向のカットラインを決定し、 前記横方向のカットラインおよび縦方向のカットライン
のうち、前記回転刃によるカッティング動作をパスさせ
るパスラインを入力部からの入力情報に基づいて設定
し、 前記パスラインを除くカットラインを前記回転刃により
カッティングするようにした、 ことを特徴とする半導体ウェハのカットライン制御方
法。
1. When a semiconductor wafer set on a table by a rotary blade of a dicing device is sequentially cut in a horizontal direction and a vertical direction according to the size of a chip, all of the accumulated values of the vertical dimension of the chip are passed. The horizontal cut line and all vertical cut lines passing through the cumulative value of the horizontal dimension of the chip are determined, and among the horizontal cut line and the vertical cut line, the cutting operation by the rotary blade is performed. A cut line control method for a semiconductor wafer, wherein a pass line to be passed is set based on input information from an input unit, and cut lines other than the pass line are cut by the rotary blade.
【請求項2】 前記横方向および縦方向のカットライン
の最外側からパスラインを順次設定するようにした請求
項1記載の半導体ウェハのカットライン制御方法。
2. The method for controlling a cut line of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein pass lines are sequentially set from the outermost sides of the cut lines in the horizontal direction and the vertical direction.
JP7031368A 1995-01-26 1995-01-26 Cut line control method of semiconductor wafer Pending JPH08203848A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108406447A (en) * 2018-03-13 2018-08-17 无锡微研股份有限公司 A kind of track method for grinding of the non-round surface of precision

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