JPH08202631A - 携帯型半導体記憶装置及び携帯型半導体記憶装置用電源制御ｉｃ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 メモリ３のデータバックアップのための第一
の電池ＢＡＴ１及び第二の電池ＢＡＴ２と、第一の電池
ＢＡＴ１の存在を検知する主電池検知部１１からの信号
と、ホスト装置２０からの電源ＶＣＣによる外部電源電
位を検知する外部電源電位検知手段４、５、Ｒ１、Ｒ２
とからの信号により、外部電源電位の供給があるとき
は、それによりメモリ３のデータバックアップを行うと
ともに、外部電源電位により駆動される充電回路６によ
り第二の電池ＢＡＴ２の充電を行い、外部電源電位の供
給がなく、かつ、第一の電池ＢＡＴ１が存在していない
場合にのみ、第二の電池ＢＡＴ２によりメモリ３のデー
タバックアップを行うためのスイッチ及び切換手段１３
を設けた。 【効果】 主電池及び補助電池の電力の消耗を抑えると
ともに、メモリのデータバックアップを確実に行うこと
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は携帯型半導体記憶装置
及び携帯型半導体記憶装置用電源制御ＩＣに関し、特
に、その電池によるデータバックアップが必要な携帯型
半導体記憶装置及び携帯型半導体記憶装置用電源制御Ｉ
Ｃに関する。

【０００２】

【従来の技術】図８は、従来のデータバックアップが必
要な揮発性メモリを搭載した携帯型半導体記憶装置の構
造を示したブロック図である。図８に示すように、従来
の携帯型半導体記憶装置１はコネクタによりホスト装置
２に接続されて、ホスト装置２のためのデータ記憶媒体
として用いられる。ここで、携帯型半導体記憶装置１の
代表的な例としては、カード状のデータ記憶媒体である
メモリカードが挙げられる。従来の携帯型半導体記憶装
置１においては、まず、図８に示すように、データ等を
格納するためのメモリ３が設けられている。メモリ３と
ホスト装置２とは、コネクタを介して、データのやり取
りを行うためのバス７により接続されている。バス７
は、データバス、アドレスバス、制御バス等から構成さ
れており、それらを介して、ホスト装置２から種々のデ
ータＤＡＴＡ、アドレスデータＡＤＤ、制御信号ＣＳ等
がメモリ３に入力され、メモリ３に格納されたデータが
アクセスされる。また、メモリ３はＳＲＡＭ等の揮発性
メモリで構成されているため、データ保持（デ−タバッ
クアップ）のために常に電力を供給する必要がある。使
用時においては、ホスト装置２の電源ＶＣＣから電力供
給線１００を介して、メモリ３を含んだ携帯型半導体記
憶装置１の内部で使用される電力が供給されているが、
携帯型半導体記憶装置１がホスト装置２から外される等
して外部電源であるホスト装置２の電源ＶＣＣからの電
力の供給が停止する場合のために、内部電源として、図
のように、主電池である第一の電池ＢＡＴ１と、補助電
池である第二の電池ＢＡＴ２とが設けられている。

【０００３】図８において、１０１はコネクタを介して
電力供給線１００に接続されるホスト装置側電源電位ノ
ードとなる外部電源電位ノード、８はメモリ３を含む携
帯型半導体記憶装置１の内部回路に内部電源電位を供給
する内部電源電位ノード、１０２は第一の電池ＢＡＴ１
からの主電池電源電位を受ける主電池電源電位ノード、
１０３は第二の電池ＢＡＴ２からの補助電池電源電位を
受ける補助電池電源電位ノード、１０４は後述する電圧
比較器５の出力ノードが接続される接続ノードである。

【０００４】外部電源電位ノード１０１は、後述するス
イッチＳＷ１を介して内部電源ノード８に接続されてお
り、また、主電池電源電位ノード１０２と補助電池電源
電位ノード１０３とは、接続ノード１０６と接地電位ノ
ードとの間に並列に接続され、接続ノード１０６は後述
するスイッチＳＷ２を介して内部電源ノード８に接続さ
れている。メモリ３は、内部電源ノード８を介して、外
部電源であるホスト装置２の電源ＶＣＣ、または、内部
電源である第一の電池ＢＡＴ１及び第二の電池ＢＡＴ２
から電力が供給され、それを用いてデータ保持を行う。
尚、第一の電池ＢＡＴ１は充電ができないボタン電池等
からなる１次電池から構成されており、第二の電池ＢＡ
Ｔ２は充電可能な２次電池から構成されている。また、
図において、Ｒ３は上記接続ノード１０６とスイッチＳ
Ｗ２との間に直列に接続され、第一の電池ＢＡＴ１及び
第二の電池ＢＡＴ２のために共通に用いられる逆電流制
御用の保護抵抗であり、Ｄ１は上記接続ノード１０６と
上記主電池電源電位ノード１０２との間に直列に接続さ
れた第一の電池ＢＡＴ１のための逆電流防止用の保護ダ
イオードである。

【０００５】主電池または補助電池として、充電可能で
ある２次電池を使用した場合には電池の交換は必要ない
が、２次電池は、繰り返しの充放電、長期の保存、環境
（高温度や温度サイクル等）等によって特性が劣化し、
信頼性上問題があることがあるので、２次電池を主電池
として使用することは避けたいものがある。従って、主
電池である第一の電池ＢＡＴ１には、交換を前提にした
一次電池が一般に用いられている。そのため、第一の電
池ＢＡＴ１の交換を行う間のメモリ３のデータ保持のた
めの電力源として、補助電池である第二の電池ＢＡＴ２
が設けられている。第二の電池ＢＡＴ２は、第一の電池
ＢＡＴ１の交換の間の短い時間でのみ使用されるため、
比較的小容量で良く、また、交換不要な充電可能な２次
電池を使用するのがよい。ここで、図８の従来例におい
ては、第一の電池ＢＡＴ１が第二の電池ＢＡＴ２の充電
電源として用いられている。

【０００６】第一の電池ＢＡＴ１は交換を前提にしたも
のであるため、従来の携帯型半導体記憶装置１には、引
き出し式の電池ホルダ（図示せず）が設けられている。
第二の電池ＢＡＴ２については理論的には交換が不要の
はずであるが、従来の携帯型半導体記憶装置１において
は化学電池が用いられているため、実際には、充電回数
に限界があり、数百回程度の充電にしか耐えられず、ま
た、上述したように、使用状況及び使用環境等により特
性が劣化したり、さらには、液もれしたりすることがあ
るため、第二の電池ＢＡＴ２用の電池ホルダ（図示せ
ず）も設けられており、第二の電池ＢＡＴ２の交換も行
えるようになっている。

【０００７】上述したように、外部電源であるホスト装
置２の電源ＶＣＣと、第一の電池ＢＡＴ１及び第二の電
池ＢＡＴ２による内部電源とを切り換えるための２つの
スイッチＳＷ１及びＳＷ２とが設けられており、スイッ
チＳＷ１がオンの時にはホスト装置２からの電源ＶＣＣ
から内部電源ノード８を介してメモリ３に電力が供給さ
れ、逆に、スイッチＳＷ２がオンの時には内部電源ノー
ド８を介して第一及び第二の電池ＢＡＴ１及びＢＡＴ２
から電力が供給される。また，基準電圧Ｖｒｅｆを発生
する基準電圧発生回路４と、外部電源電位ノード１０１
と接地電位ノードとの間に直列に接続され、その接続ノ
ード１０５に外部電源電位ノード１０１に供給された電
源電位に基づいた電位を出力する抵抗Ｒ１及び抵抗Ｒ２
と、電力供給線１００を介して外部電源電位ノード１０
１に供給されたホスト装置２からの電源電位に基づいて
駆動され、一方の入力ノードが上記接続ノード１０５に
接続され、他方の入力ノードに基準電圧発生回路４から
の基準電圧Ｖｒｅｆを受け、接続ノード１０５に現れた
電位が基準電圧Ｖｒｅｆより高いと外部電源電位を使用
し、接続ノード１０５に現れた電位が基準電圧Ｖｒｅｆ
より低いと内部電源電位を使用することを指示するため
の信号ＶＣＯＭを出力する電圧比較器５とが設けられ
て、その電圧比較器５からの信号ＶＣＯＭに基づいてス
イッチＳＷ１及びＳＷ２の導通制御が行われる。ここ
で、スイッチＳＷ１及びＳＷ２は、共に、ＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタ等のＰチャネル型のスイッチで構成さ
れている。また、電圧比較器５の出力ノードは上記接続
ノード１０４に接続されており、接続ノード１０４は、
スイッチＳＷ１のゲートに接続されるとともに、ＮＯＴ
回路９を介してスイッチＳＷ２のゲートに接続されてい
る。従って、電圧比較器５から“Ｈ”レベルの信号ＶＣ
ＯＭが出力された場合には、スイッチＳＷ１にそれが入
力され、スイッチＳＷ１はオフし、また、それと同時
に、スイッチＳＷ２は、ＮＯＴ回路９を介して信号ＶＣ
ＯＭの反転信号ＶＣＯＭバーが入力され、スイッチＳＷ
２はオンする。また、逆に、電圧比較器５から“Ｌ”レ
ベルの信号ＶＣＯＭが出力された場合には、スイッチＳ
Ｗ１はオンし、スイッチＳＷ２はオフする。従って、接
続ノード１０５に現れた電位が基準電圧Ｖｒｅｆより低
い場合には、電圧比較器５は“Ｈ”レベルの信号ＶＣＯ
Ｍを出力し、スイッチＳＷ１がオフするとともにスイッ
チＳＷ２がオンし、第一の電池ＢＡＴ１に接続された主
電池電源電位ノード１０２（または第一の電池ＢＡＴ１
が存在していない場合には、第二の電池ＢＡＴ２に接続
された補助電池電源電位ノード１０３）に供給される電
池電源電位が内部電源電位ノード８に出力される。ま
た、接続ノード１０５に現れた電位が基準電圧Ｖｒｅｆ
より高い場合には、電圧比較器５は“Ｌ”レベルの信号
ＶＣＯＭを出力し、スイッチＳＷ１がオンし、また、そ
れと同時に、スイッチＳＷ２がオフして、外部電源電位
ノード１０１に供給される外部電源電位が内部電源電位
ノード８に出力される。

【０００８】図９に、他の従来の携帯型半導体記憶装置
１Ａの構造を示す。図８の従来例においては、補助電池
である第二の電池ＢＡＴ２の充電電源が第一の電池ＢＡ
Ｔ１であるため、主電池である第一の電池ＢＡＴ１の消
耗を早めるという不具合がある。そこで、この従来例に
おいては、補助電池である第二の電池ＢＡＴ２の充電
を、外部電源であるホスト装置２の電源ＶＣＣに接続さ
れた外部電源電位ノード１０１に供給される外部電源電
位により駆動される後述の充電回路６により行うように
したものである。この例においては、第二の電池ＢＡＴ
２には、スイッチＳＷ４を介して、ホスト装置２の電源
ＶＣＣにより駆動される充電回路６が接続されており、
充電回路６の働きによって電源ＶＣＣにより外部電源電
位ノード１０１に供給される外部電源電位が所定値以上
の時に、外部電源電位ノード１０１に供給された外部電
源電位により第二の電池ＢＡＴ２の充電が行われる。

【０００９】ここで、充電回路６は、例えば、その一例
を図１０に示すように、外部電源電位ノード１０１にコ
レクタが接続され、ベースが接続ノード６２に接続さ
れ、エミッタが出力ノード６１に接続されたＮＰＮトラ
ンジスタ６ｅと、出力ノード６１と接続ノード６３との
間に接続された抵抗６ａと、接続ノード６３と接地ノー
ドとの間に接続された抵抗６ｂと、外部電源電位ノード
１０１と上記ＮＰＮトランジスタ６ｅのベースが接続さ
れた上記接続ノード６２との間に接続された定電流源６
ｆと、上記接続ノード６２にコレクタが接続され、ベー
スが上記接続ノード６３に接続されたＮＰＮトランジス
タ６ｄと、そのＮＰＮトランジスタ６ｄのエミッタと接
地ノードとの間に接続された抵抗６ｃとから構成するよ
うにすればよい。動作について説明する。定電流源６ｆ
により、ＮＰＮトランジスタ６ｄのベース・エミッタ間
には、一定の電圧Ｖ_BEが発生する。ここで、この電圧Ｖ
_BEと、抵抗６ｃにより生じる電圧を合わせると、ちょう
ど温度係数がゼロとなる抵抗６ｃの値が存在するため、
従って、接続ノード６３に生じる電圧は温度依存性の少
ない定電圧源となる。これを、抵抗６及び抵抗６ｂによ
り増倍することによって、接続ノード６１には、電池充
電電圧である３Ｖの定電圧が得られる。また、第二の電
池ＢＡＴ２に充電回路６を設けたために、この例におい
ては、第一の電池ＢＡＴ１と第二の電池ＢＡＴ２に接続
された主電池電源電位ノード１０２と補助電池電源電位
ノード１０３とは、それぞれ、別個のスイッチＳＷ２及
びＳＷ３を介して、内部電源電位ノード８へ接続されて
いる。他の構造については、図８と同様であるため、同
一符号を付し、ここではその説明を省略する。

【００１０】この従来例においては、スイッチＳＷ２及
びスイッチＳＷ３のゲートが電圧比較器５の出力ノード
に接続された接続ノード１１２にＮＯＴ回路９を介して
接続されているため、電圧比較器５から信号ＶＣＯＭが
出力されると、その反転信号ＶＣＯＭバーが入力され
る。一方、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４のゲート
は電圧比較器５の出力ノードに接続された接続ノード１
１２に直接接続されているため、電圧比較器５からの信
号ＶＣＯＭがそのまま入力される。また、これらのスイ
ッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３及びＳＷ４は、すべて、Ｐ
チャンネルＭＯＳトランジスタから構成されているた
め、電圧比較器５から“Ｈ”レベルの信号ＶＣＯＭが出
力されると、スイッチＳＷ１及びＳＷ４はオフし、スイ
ッチＳＷ２及びＳＷ３はオンし、電圧比較器５から
“Ｌ”レベルの信号ＶＣＯＭが出力されると、スイッチ
ＳＷ１及びＳＷ４はオンし、スイッチＳＷ２及びＳＷ３
はオフする。ここで、電圧比較器５の出力は、外部電源
電位ノード１０１に供給された外部電源電位が抵抗Ｒ１
及び抵抗Ｒ２により分圧された電位が現れる接続ノード
１０５の電位が基準電圧Ｖｒｅｆよりも高い場合には
“Ｌ”レベルの信号ＶＣＯＭが出力され、接続ノード１
０５の電位が基準電圧Ｖｒｅｆよりも低い場合には
“Ｈ”レベルの信号ＶＣＯＭが出力される。

【００１１】図９に示すように、この従来例において
は、携帯型半導体記憶装置１Ａがホスト装置２に接続さ
れている時には、すなわち、上記接続ノード１０５に現
れる電位が基準電圧Ｖｒｅｆよりも高い場合には、スイ
ッチＳＷ１がオンとなり、メモリ３のデータ保持に使用
するための電位が電源ＶＣＣから内部電源電位ノード８
へ供給されるとともに、ＳＷ４がオンとなって充電回路
６の働きにより第二の電池ＢＡＴ２に電源ＶＣＣにより
駆動される充電回路６による充電が行われる。また、携
帯型半導体記憶装置１Ａがホスト装置２から外される等
してホスト装置２の電源ＶＣＣからの電力の供給が停止
した場合には、すなわち、上記接続ノード１０５に現れ
る電位が基準電圧Ｖｒｅｆよりも低い場合には、電圧比
較器５からの信号によりスイッチＳＷ１及びスイッチＳ
Ｗ４がオフとなるとともにスイッチＳＷ２とＳＷ３とが
オンとなって、メモリ３のデータ保持に使用するための
電位が第一及び第二の電池ＢＡＴ１及びＢＡＴ２に接続
された主電池電源電位ノード１０２及び補助電池電源電
位ノード１０３から内部電源電位ノード８へ供給され
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、図８の
従来例においては、補助電池である第二の電池ＢＡＴ２
の充電電源が、主電池である第一の電池ＢＡＴ１である
ため、第一の電池ＢＡＴ１の消耗を早めてしまい、第一
の電池ＢＡＴ１の交換時期を早めてしまうという課題が
あった。

【００１３】また、図９の従来例では、ホスト装置２の
電源ＶＣＣにより駆動される充電回路６により第二の電
池ＢＡＴ２が充電されるため、第一の電池ＢＡＴ１の消
耗を早めるという図８の従来例の不具合は生じないが、
ホスト装置２から携帯型半導体記憶装置１Ａが外された
とき、メモリ３のデータ保持のために第一の電池ＢＡＴ
１とともに第二の電池ＢＡＴ２の電力も同時に消耗され
るため、肝心の第一の電池ＢＡＴ１の交換の時に第二の
電池ＢＡＴ２の電力がなくなっていて、メモリ３のデー
タ保持が行えず、データの消滅を起こすことがあるとい
う課題があった。

【００１４】そのため、図９の従来例においては、第二
の電池ＢＡＴ２の容量を比較的大きくしておく必要があ
るため、小型電池を使用することができないので、装置
自体が大きくなってしまうという課題があった。また、
図８及び図９の従来例においては、いずれも、第二の電
池ＢＡＴ２として化学電池を用いているため、充電回数
に限界があり、また、特性の劣化や液もれ等の問題があ
るため、交換可能なように電池ホルダを設けているた
め、さらに、装置が大きくなってしまうとともに、製造
工程も複雑になり、コストも上がってしまうという課題
があった。

【００１５】この発明は、かかる課題を解決するために
なされたものであり、主電池の消耗を抑えるとともに、
補助電池の消耗も抑え、ホスト装置の電源からの電力の
供給がない時のメモリのデータ保持を主電池または補助
電池による電池電源により確実に行い、データの消滅を
防止し、また、装置の小型化が可能で、かつ、製造工程
が容易で安価に製造できる携帯型半導体記憶装置用半導
体集積回路及び携帯型半導体記憶装置を得ることを目的
とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、ホス
ト装置からの電源に接続されて用いられる携帯型半導体
記憶装置であって、ホスト装置からの電源により外部電
源電位が供給される外部電源電位ノードと、内部電源電
位を出力するための内部電源電位ノードと、内部電源電
位ノードから出力される内部電源電位によりデータのバ
ックアップを行う揮発性半導体メモリと、メモリの長時
間のデータバックアップが可能な第一の電池と、外部電
源電位ノードに供給される外部電源電位により駆動され
る充電手段と、第一の電池の交換を行う間のメモリのデ
ータバックアップを行うとともに、充電手段により充電
される第二の電池と、外部電源電位ノードの外部電源電
位を検知する外部電源電位検知手段と、第一の電池の存
在の有無を検知する第一の電池存在検知手段と、外部電
源電位ノードと内部電源電位ノードとの間に接続され、
外部電源電位検知手段からの出力信号に基づいて導通制
御され、外部電源電位ノードに所定の値より高い外部電
源電位が供給されているときには閉成（オン）し、外部
電源電位ノードに所定の値より低い外部電源電位が供給
されているときには開放（オフ）する第一のスイッチ手
段と、第一の電池と内部電源電位ノードとの間に接続さ
れ、外部電源電位検知手段からの出力信号に基づいて導
通制御され、外部電源電位ノードに所定の値より低い外
部電源電位が供給されているときには閉成（オン）し、
外部電源電位ノードに所定の値より高い外部電源電位が
供給されているときには開放（オフ）する第二のスイッ
チ手段と、第二の電池と内部電源電位ノードとの間に接
続され、外部電源電位検知手段からの出力信号に基づい
て導通制御され、外部電源電位ノードに所定の値より低
い外部電源電位が供給されているときには閉成（オン）
し、外部電源電位ノードに所定の値より高い外部電源電
位が供給されているときには開放（オフ）する第三のス
イッチ手段と、充電手段と第二の電池との間に接続さ
れ、外部電源電位検知手段からの出力信号に基づいて導
通制御され、外部電源電位ノードに所定の値より高い外
部電源電位が供給されているときには閉成（オン）し、
外部電源電位ノードに所定の値より低い外部電源電位が
供給されているときには開放（オフ）する第四のスイッ
チ手段と、第二の電池と第三のスイッチ手段との間に接
続されるとともに、第二の電池と第四のスイッチ手段と
の間に接続され、外部電源電位検知手段からの信号と第
一の電池存在検知手段からの出力信号とに基づいて導通
制御され、外部電源電位ノードの外部電源電位が所定の
値より低く、かつ、第一の電池が存在しているときにの
み開放（オフ）される切換手段とを、備え、もって、ホ
スト装置からの電源により外部電源電位ノードへ所定の
値より高い外部電源電位の供給がある場合には、外部電
源電位ノードの外部電源電位が内部電源電位ノードへ供
給されるとともに、充電手段による第二の電池の充電が
行われ、ホスト装置からの電源により外部電源電位ノー
ドへ供給される外部電源電位が所定の値より低い場合に
は、第一の電池が存在していれば、第一の電池に接続さ
れた第一電位ノードの電位が上記内部電源電位ノードへ
供給され、第一の電池が存在していなければ、第二の電
池に接続された第二電位ノードの電位が上記内部電源電
位ノードへ供給されることを特徴とする携帯型半導体記
憶装置。

【００１７】請求項２の発明は、第一の電池存在検知手
段が、基準電圧を発生するための第一の電池用基準電圧
発生部と、一方の入力ノードに上記第一の電池の第一電
位ノードの電位が接続され、他方の入力ノードに上記第
一の電池用基準電圧発生部からの基準電圧が接続され
て、上記第一の電池の第一電位ノードの電位と上記基準
電圧との比較判定を行い、比較判定信号を上記切換手段
に出力する第一の電池電圧比較部とを、備えた携帯型半
導体記憶装置である。

【００１８】請求項３の発明は、第一の電池存在検知手
段が、一方の入力ノードに上記第一の電池の第一電位ノ
ードの電位が接続され、他方の入力ノードに上記第二の
電池の第二電位ノードの電位が接続され、上記第一の電
池の第一電位ノードの電位と上記第二の電池の第二電位
ノードの電位との比較判定を行い、比較判定信号を上記
切換手段に出力する電池電圧比較部を、備えた携帯型半
導体記憶装置である。

【００１９】請求項４の発明は、第一の電池存在検知手
段が、接地ノードと、上記切換手段に接続された信号線
と、上記内部電源電位ノードと上記信号線との間に接続
されたプルアップ抵抗と、上記第一の電池が上記携帯型
半導体記憶装置に装着されたときに、上記接地ノードと
上記信号線とを接続するための接続手段とを、備えた携
帯型半導体記憶装置である。

【００２０】請求項５の発明は、上記携帯型半導体記憶
装置が、本体と、上記本体内に挿脱可能に設けられ、上
記第一の電池を搭載するための電池ホルダとを備え、上
記接続手段が、上記電池ホルダが上記本体内に挿入され
たときに、自動的に機械的に係合されて、それにより、
上記接地ノードと上記信号線とを電気的に接続するため
の機械スイッチから構成されている携帯型半導体記憶装
置である。

【００２１】請求項６の発明は、上記携帯型半導体記憶
装置が、上記電池ホルダが上記本体内に挿入されたとき
に、上記第一の電池の電池電極と上記第一電位ノードと
を電気的に接続するための電池接続手段を備え、上記電
池接続手段が、上記電池ホルダの挿入方向に沿って設け
られて、上記電池ホルダが上記本体内に挿入され始めた
と同時に上記第一の電池の電池電極と上記第一電位ノー
ドとを電気的に接続され始めるもので、上記接続手段
が、上記電池ホルダが上記本体内に完全に挿入され終わ
ったときにはじめて機械的に係合されるものである、携
帯型半導体記憶装置である。

【００２２】請求項７の発明は、上記第一の電池存在検
知手段が、上記切換手段と上記第一の電池の第一電位ノ
ードとの間に接続された信号線と、上記信号線と上記第
一電位ノードとの接続ノードと接地ノードとの間に接続
されたプルダウン抵抗とから構成されている携帯型半導
体記憶装置である。

【００２３】請求項８の発明は、揮発性半導体メモリ
と、上記メモリの長時間のデータバックアップが可能な
第一の電池と、上記第一の電池の交換を行う間の上記メ
モリのデータバックアップを行うための第二の電池と、
上記ホスト装置からの電源により外部電源電位が供給さ
れる外部電源電位ノードと、内部電源電位を出力するた
めの内部電源電位ノードと、上記第一の電池の存在の有
無を検知する第一の電池存在検知手段と、を備えた携帯
型半導体記憶装置に用いられる携帯型半導体記憶装置用
電源制御ＩＣであって、上記ホスト装置からの電源によ
り駆動され、上記第二の電池の充電を行うための充電手
段と、上記外部電源電位ノードの外部電源電位を検知す
る外部電源電位検知手段と、上記外部電源電位ノードと
上記内部電源電位ノードとの間に接続され、上記外部電
源電位検知手段からの出力信号に基づいて導通制御さ
れ、上記外部電源電位ノードに所定の値より高い外部電
源電位が供給されているときには閉成（オン）し、上記
外部電源電位ノードに所定の値より低い外部電源電位が
供給されているときには開放（オフ）する第一のスイッ
チ手段と、上記第一の電池と上記内部電源電位ノードと
の間に接続され、上記外部電源電位検知手段からの出力
信号に基づいて導通制御され、上記外部電源電位ノード
に所定の値より低い外部電源電位が供給されているとき
には閉成（オン）し、上記外部電源電位ノードに所定の
値より高い外部電源電位が供給されているときには開放
（オフ）する第二のスイッチ手段と、上記第二の電池と
上記内部電源電位ノードとの間に接続され、上記外部電
源電位検知手段からの出力信号に基づいて導通制御さ
れ、上記外部電源電位ノードに所定の値より低い外部電
源電位が供給されているときには閉成（オン）し、上記
外部電源電位ノードに所定の値より高い外部電源電位が
供給されているときには開放（オフ）する第三のスイッ
チ手段と、上記充電手段と上記第二の電池との間に接続
され、上記外部電源電位検知手段からの出力信号に基づ
いて導通制御され、上記外部電源電位ノードに所定の値
より高い外部電源電位が供給されているときには閉成
（オン）し、上記外部電源電位ノードに所定の値より低
い外部電源電位が供給されているときには開放（オフ）
する第四のスイッチ手段と、上記第二の電池と上記第三
のスイッチ手段との間に接続されるとともに、上記第二
の電池と上記第四のスイッチ手段との間に接続され、上
記外部電源電位検知手段からの信号と上記第一の電池存
在検知手段からの信号とにより導通制御され、上記外部
電源電位ノードの外部電源電位が所定の値より低く、か
つ、上記第一の電池が存在しているときにのみ開放（オ
フ）される切換手段とを備え、ワンチップで構成したこ
とを特徴とする携帯型半導体記憶装置用電源制御ＩＣで
ある。

【００２４】

【作用】請求項１の発明においては、ホスト装置からの
電源のにより供給される外部電源電位を検知する外部電
源電位検知手段と、第一の電池の存在の有無を検知する
第一の電池存在検知手段と、外部電源電位検知手段と第
一の電池存在検知手段とからの信号により導通制御され
る切換手段を設け、ホスト装置からの電源により外部電
源電位が供給されている間は、外部電源電位により駆動
される充電手段により第二の電池の充電を行い、ホスト
装置からの電源による外部電源電位の供給が停止した場
合には、第一の電池が存在していれば第一の電池から内
部電源電位ノードへ供給される電位によりメモリのデー
タバックアップを行い、第一の電池が存在していない場
合には第二の電池から内部電源電位ノードへ供給される
電位によりメモリのデータバックアップを行う。

【００２５】請求項２の発明においては、第一の電池存
在検知手段を構成している第一の電池電圧比較部が、基
準電圧と第一の電池の電圧レベルとを比較し、比較判定
信号を切換手段に出力する。

【００２６】請求項３の発明においては、第一の電池存
在検知手段を構成している電池電圧比較部が、第一の電
池と第二の電池との電圧レベルを比較し、比較判定信号
を切換手段に出力する。

【００２７】請求項４の発明においては、主電池存在検
知手段を構成している接地ノードとプルアップ抵抗と
が、第一の電池が携帯型半導体記憶装置に装着されたと
きに、互いに係合して、自動的に“Ｌ”レベルの信号を
切換手段に出力する。

【００２８】請求項５の発明においては、携帯型半導体
記憶装置が第一の電池を搭載するための電池ホルダを備
え、電池ホルダを本体に挿入したときに、接続手段が機
械的に接続されるとともに、接地ノードとプルアップ抵
抗とを電気的に接続する。

【００２９】請求項６の発明においては、電池ホルダが
本体に挿入され始めたときに電池接続手段が第一の電池
と第一電位ノードとを電気的に接続し始め、電池ホルダ
が本体内に完全に挿入され終わったときにはじめて、接
続手段が接続される。

【００３０】請求項７の発明においては、第一の電池検
知手段が切換手段と第一の電池とを接続する信号線から
構成されており、第一の電池の電圧レベルをそのまま第
一の電池検知手段の出力信号として用いる。

【００３１】請求項８の発明においては、外部電源電位
検知手段及び切換手段等を集積化してワンチップで構成
し、携帯型半導体記憶装置に用いられる。外部電源電位
検知手段と、携帯型半導体記憶装置内に設けられた第一
の電池存在検知手段とからの信号が切換手段に入力さ
れ、切換手段がそれらの信号から導通制御され、ホスト
装置からの電源により外部電源電位が供給されている間
は、外部電源電位により駆動される充電手段により第二
の電池の充電を行い、ホスト装置からの電源による外部
電源電位の供給が停止した場合には、第一の電池が存在
していれば第一の電池から内部電源電位ノードへ供給さ
れる電位によりメモリのデータバックアップを行い、第
一の電池が存在していない場合には第二の電池から内部
電源電位ノードへ供給される電位によりメモリのデータ
バックアップを行う。

【００３２】

【実施例】

実施例１．図１は、本発明の携帯型半導体記憶装置の構
造を示したブロック図である。図１に示すように、本発
明の携帯型半導体記憶装置１０は、携帯端末機等のホス
ト装置２０に接続されて、ホスト装置２０のためのデー
タ記憶媒体として用いられる。本発明の携帯型半導体記
憶装置１０は、ホスト装置２０に装着されている間は、
外部電源であるホスト装置２０からの電源により、内部
で使用される内部電源電位を出力するための内部電源電
位ノード８に、電源電位が供給される。ホスト装置２０
からの電源により外部電源電位が供給される外部電源電
位ノード１０１と内部電源電位ノード８との間には、第
一のスイッチ手段であるスイッチＳＷ１が接続されてい
る。スイッチＳＷ１は、図９の従来例と同様に、そのゲ
ートに後述する電圧比較器５の出力ノードが接続されて
いる。スイッチＳＷ１については、その詳細につき、後
述する。また、携帯型半導体記憶装置１０には、ＳＲＡ
Ｍ等の揮発性半導体メモリで構成されたデータ等を格納
するためのメモリ３が設けられている。また、ホスト装
置２０の電源ＶＣＣからの電力の供給が停止した場合の
メモリ３のデータ保持のために、主電池として用いられ
る第一の電池ＢＡＴ１と、補助電池として用いられる第
二の電池ＢＡＴ２とが、それぞれ、スイッチＳＷ２及び
ＳＷ３を介して内部電源電位ノード８に接続されて設け
られている。スイッチＳＷ２は、第二のスイッチ手段で
あり、内部電源電位ノード８と第一の電池ＢＡＴ１に接
続された第一電池電位ノードである主電池電源電位ノー
ド１０２との間に接続され、ゲートが、後述する電圧比
較器５の出力ノードが接続された接続ノード１１２に、
ＮＯＴ回路１５を介して接続されている。また、スイッ
チＳＷ３は、第三のスイッチ手段であり、内部電源電位
ノード８と第二の電池ＢＡＴ２に接続された第二電池電
位ノードである補助電池電源電位ノード１０３との間に
接続され、ゲートが、電圧比較器５の出力ノードが接続
された接続ノード１１２に、ＮＯＴ回路１５を介して接
続されている。スイッチＳＷ２及びＳＷ３は、ともに、
ＰチャンネルＭＯＳトランジスタから構成されており、
電圧比較器５から“Ｌ”レベルの信号ＶＣＯＭが出力さ
れたときに、ＮＯＴ回路１５を介して、信号ＶＣＯＭの
反転信号ＶＣＯＭバーが入力され、オフし、逆に、電圧
比較器５から“Ｈ”レベルの信号ＶＣＯＭが出力された
ときにはオンするものである。

【００３３】この実施例においても、従来と同様に、外
部電源電位ノード１０１と接地ノードとの間に直列に接
続され、その接続ノード１０５に外部電源電位ノード１
０１に基づいた電位が現れる２つの抵抗Ｒ１とＲ２と、
基準電圧Ｖｒｅｆを出力する基準電圧発生回路４と、一
方の入力ノードに、外部電源電位ノード１０１に基づい
た、すなわち、接続ノード１０５に現れる抵抗Ｒ１及び
抵抗Ｒ２により分圧された電位が入力され、他方の入力
ノードに、基準電圧発生回路４から出力される基準電圧
Ｖｒｅｆが入力されて、それらの比較判定を行い、接続
ノード１０５に現れた電位が基準電圧Ｖｒｅｆよりも高
い場合には“Ｌ”レベルに信号ＶＣＯＭを出力し、接続
ノード１０５に現れた電位が基準電圧Ｖｒｅｆよりも低
い場合には“Ｌ”レベルに信号ＶＣＯＭを出力する電圧
比較器５とが設けられており、これらは、外部電源電位
ノード１０１に供給された外部電源電位を検知する外部
電源電位検知手段を構成している。尚、電圧比較器５は
ヒステリシスを有したもので構成するようにし、スイッ
チＳＷ１（または、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ
３）をオフにするタイミングを、スイッチＳＷ２及びス
イッチＳＷ３（または、スイッチＳＷ１）をオンにする
タイミングより多少遅らせるようにして、メモリ３へ供
給される電力が途絶える瞬間がないようにする。

【００３４】ここで第一の電池ＢＡＴ１はメモリ３の長
時間の保持（データバックアップ）が可能な大容量のボ
タン電池等の１次電池から構成されており、また、第二
の電池ＢＡＴ２は、充電可能な２次電池から構成され、
主電池である第一の電池ＢＡＴ１の交換を行う間の比較
的短時間において、メモリ３のデータ保持に使用される
電位を内部電源電位ノード８へ供給するためのものであ
る。また、主電池電源電位ノード１０２とスイッチＳＷ
２との間には、第一の電池ＢＡＴ１のための逆電流制御
用の保護抵抗Ｒ３と逆電流防止用の保護ダイオードＤ１
とが接続されている。多少余談となるが、第一の電池Ｂ
ＡＴ１は充電の出来ない１次電池から構成されているた
め、交換を前提とし、そのための引き出し式の電池ホル
ダ（図示せず）が設けられている。その構造としては、
例えば、図５の電池ホルダから機械的スイッチＳＷ６部
分を除いたものにすればよい。図５の電池ホルダの詳細
については実施例４において後述する。

【００３５】上述したスイッチＳＷ１は、外部電源電位
ノード１０１と内部電源電位ノード８との間に接続さ
れ、ゲートが電圧比較器５の出力ノードが接続された接
続ノード１１２に接続されている。また、スイッチＳＷ
４は、第四のスイッチ手段であり、ホスト装置２０から
の電源ＶＣＣにより供給される外部電源電位により駆動
される充電手段である充電回路６の出力ノードと、補助
電池電源電位ノード１０３に後述するスイッチＳＷ５を
介して接続されている接続ノード１１３との間に接続さ
れ、ゲートが電圧比較器５の出力ノードが接続された接
続ノード１１２に接続されている。尚、スイッチＳＷ１
及びＳＷ４は、ともに、ＰチャンネルＭＯＳトランジス
タから構成されており、電圧比較器５から“Ｈ”レベル
の信号ＶＣＯＭが出力されたときに、それが入力され
て、オフし、逆に、電圧比較器５から“Ｌ”レベルの信
号ＶＣＯＭが出力されたときにはオンするものである。
すなわち、電圧比較器５からの信号ＶＣＯＭに基づき、
上記のスイッチＳＷ２及びＳＷ３と逆の動作を行う。

【００３６】従って、スイッチＳＷ１がオンの時にはホ
スト装置２０からの電源ＶＣＣから内部電源電位ノード
８に、メモリ３を含む携帯型半導体記憶装置１０の内部
で使用される電力が供給される。スイッチＳＷ１がオン
のときには、スイッチＳＷ４もオンとなり、ホスト装置
２０からの電源ＶＣＣにより駆動される充電回路６によ
り第二の電池ＢＡＴ２の充電が行われる。このとき、ス
イッチＳＷ２及びＳＷ３はともにオフの状態である。
尚、充電回路６の具体的な構造としては、図１０に従
う。また、逆に、上述のスイッチＳＷ２またはＳＷ３が
オンで、スイッチＳＷ１及びＳＷ４がオフの状態の時に
は、第一の電池ＢＡＴ１に接続された主電池電源電位ノ
ード１０２（または、第一の電池ＢＡＴ１が存在しない
場合には、第二の電池ＢＡＴ２に接続された補助電池電
源電位ノード１０３、詳細については次段落参照）によ
り内部電源電位ノード８にメモリ３を含む携帯型半導体
記憶装置１０の内部で使用される電力が供給される。

【００３７】ここまでの構造は、図９の従来例と同様で
あるが、この実施例の携帯型半導体記憶装置１０におい
ては、スイッチＳＷ２またはＳＷ３がオンで、スイッチ
ＳＷ１及びＳＷ４がオフの状態の時で、かつ、第一の電
池ＢＡＴ１が存在しない場合にのみ、第二の電池ＢＡＴ
２に接続された補助電池電源電位ノード１０３から内部
電源電位ノード８にメモリ３を含む携帯型半導体記憶装
置１０の内部で使用される電力が供給されるように構成
されている。その構成について説明する。この実施例に
おいては、主電池である第一の電池ＢＡＴ１が携帯型半
導体記憶装置１０内に存在している際には“Ｌ”レベル
の主電池検知信号ＭＢＯＵＴを出力し、交換等のために
第一の電池ＢＡＴ１が抜き取られた場合には“Ｈ”レベ
ルの主電池検知信号ＭＢＯＵＴを出力して、主電池であ
る第一の電池ＢＡＴ１の存在の有無を検知する第一の電
池存在検知手段である主電池存在検知部１１が設けられ
ている。主電池存在検知部１１の具体的な構造について
は、後述の実施例２〜４を参照されたい。また、主電池
存在検知部１１から出力される信号ＭＢＯＵＴと、上述
の電圧比較器５から出力された信号ＶＣＯＭの反転信号
ＶＣＯＭバーとが入力され、それらの信号により導通制
御され、第二の電池ＢＡＴ２に接続された補助電池電源
電位ノード１０３を接続ノード１１３に接続するか否か
を切り換え、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ４と共働
して、電源ＶＣＣにより駆動される充電回路６による第
二の電池ＢＡＴ２への充電を行うか、第二の電池ＢＡＴ
２によりメモリ３のデータ保持を行うかを切り換えるた
めの切換手段１３が設けられている。切換手段１３の具
体的な構造としては、例えば、図のように、接続ノード
１１３と補助電池電源電位ノード１０３との間に接続さ
れ、接続ノード１１３と補助電池電源電位ノード１０３
との間の接続／遮断を切り換えるための切換部であるス
イッチＳＷ５と、一方の入力ノードに主電池存在検知部
１１からの信号ＭＢＯＵＴが入力され、他方の入力ノー
ドに、上述の電圧比較器５からの信号ＶＣＯＭの反転信
号ＶＣＯＭバーが入力されて、出力ノードが上記スイッ
チＳＷ５のゲートに接続されて、スイッチＳＷ５の導通
制御を行うための信号を出力する切換制御信号出力部で
あるＮＯＲ回路１２とから構成するようにすればよい。

【００３８】尚、図１の２点鎖線１０Ａで囲まれた部
分、すなわち、電圧比較器５、基準電圧発生回路４、充
電回路６及び切換手段１３等をワンチップで構成し、携
帯型半導体記憶装置用電源制御ＩＣを形成するようにし
てもよい。また、主電池存在検知部１１も、ワンチップ
の電源制御ＩＣ内に設けるようにしてもよい。

【００３９】動作について説明する。この実施例におい
ては、電圧比較器５からの信号ＶＣＯＭは、ＮＯＴ回路
１５を介して、ＮＯＲ回路１２に入力されるため、反転
入力であり、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタからなる
スイッチＳＷ５がオフするのは、信号ＶＣＯＭの反転信
号ＶＣＯＭバーと、主電池存在検知部１１からの信号Ｍ
ＢＯＵＴとがともに“Ｌ”レベルとなり、ＮＯＲ回路１
２からの出力が“Ｈ”となるとき、すなわち、携帯型半
導体記憶装置１０がホスト装置２０から外される等して
電源ＶＣＣから外部電源電位ノード１０１に供給される
電圧レベルが低下し、かつ、主電池である第一の電池Ｂ
ＡＴ１が存在している時のみで、他の場合にはスイッチ
ＳＷ５はオンの状態である。従って、ホスト装置２０か
らの電源ＶＣＣにより内部電源電位ノード８に電力が供
給されているときには、第一の電池ＢＡＴ１の有無には
かかわらず、スイッチＳＷ４及びＳＷ５はオンとなり、
第二の電池ＢＡＴ２は電源ＶＣＣにより駆動される充電
回路６により充電される。また、電源ＶＣＣから電位が
供給される外部電源電位ノード１０１の電圧レベルが低
下し、かつ、第一の電池ＢＡＴ１が存在していれば、ス
イッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３がオンとなり、スイッ
チＳＷ５はオフとなって、内部電源電位ノード８への電
力の供給は第一の電池ＢＡＴ１に接続された主電池電源
電位ノード１０２のみによる。電源ＶＣＣの電圧レベル
が低下している状態で、交換等により第一の電池ＢＡＴ
１が存在していない場合には、スイッチＳＷ３及びＳＷ
５がオンとなり、内部電源電位ノード８への電力の供給
は第二の電池ＢＡＴ２に接続された補助電池電源電位ノ
ード１０３のみへ切り換わる。

【００４０】以上のように、この実施例においては、主
電池存在検知部１１と、切換手段１３とを設けて、ホス
ト装置２０に携帯型半導体記憶装置１０が接続されてい
る場合には、第一の電池ＢＡＴ１の有無にはかかわら
ず、ホスト装置２０の電源ＶＣＣにより駆動される充電
回路６により第二の電池ＢＡＴ２の充電を行い、また、
ホスト装置２０の電源ＶＣＣからの外部電源電位ノード
１０１への電力の供給が停止した場合で、第一の電池Ｂ
ＡＴ１が存在していない場合にのみ、メモリ３のデータ
保持のための内部電源電位ノード８への電力の供給を、
第二の電池ＢＡＴ２に接続された補助電池電源電位１０
３からにし、第一の電池ＢＡＴ１が存在している場合に
は、第一の電池ＢＡＴ１に接続された主電池電源電位１
０２からのみにより供給するようにしたので、従来のよ
うに、第一の電池ＢＡＴ１の電力により第二の電池ＢＡ
Ｔ２の充電を行うために第一の電池ＢＡＴ１の消耗を早
めることもなく、また、第一の電池ＢＡＴ１と同時に第
二の電池ＢＡＴ２がメモリ３のデータ保持のための電力
供給に用いられ、肝心の電池交換の際に第二の電池ＢＡ
Ｔ２の電力がなくなっていることもないため、第一の電
池ＢＡＴ１の消耗を抑え、第一の電池ＢＡＴ１の寿命を
延ばすことができるとともに、第二の電池ＢＡＴ２の電
力により、第一の電池ＢＡＴ１の交換の間のメモリ３の
データ保持を確実に行うことができ、データ保持に関す
る信頼性を高めることができる。

【００４１】さらに、補助電池である第二の電池ＢＡＴ
２の容量は、主電池である第一の電池ＢＡＴ１の電池交
換の間のごく短い間のデータ保持（バックアップ）がで
きる程度でよいので、小型のものにすることができ、装
置の小型化を図ることができる。尚、本発明の第二の電
池ＢＡＴ２に適した小型電池としては、キャパシタタイ
プのＰＡＳ（ポリアセン）電池等があり、これは、従来
の化学電池のような特性の劣化や液もれ等の問題がな
く、また、構造が簡単なため、信頼性が高く、さらに、
充電時間は短いうえに、何万回という充電回数にも耐え
るので、装置の信頼性をさらに高めることができ、高品
質の携帯型半導体記憶装置を提供することができる。ま
た、第二の電池ＢＡＴ２の交換も、キャパシタタイプの
ＰＡＳ（ポリアセン）電池等を用いれば、以上のような
理由から、まず必要でないので、第二の電池ＢＡＴ２用
の電池ホルダは不要となり、その分だけ製造工程も容易
となって、安価に製造することができる。

【００４２】また、この実施例によれば、はじめから第
一の電池ＢＡＴ１を用いない場合には、スイッチＳＷ５
は常にオンした状態のままであるので、２次電池から構
成された第二の電池ＢＡＴ２を補助電池としてではな
く、主電池として用いることができる。従って、同一の
回路構成で、主電池の１次電池と補助電池の２次電池を
備えた装置として用いることができるとともに、主電池
の２次電池のみを備えた装置としても用いることができ
る。

【００４３】実施例２．この実施例においては、図１の
主電池存在検知部１１の具体的な構造の一例について説
明する。他の構造については、図１の実施例と同じであ
るため、その説明は省略する。図２に示されるように、
この実施例における主電池存在検知部１１Ａは、基準電
圧Ｖｒｅｆ１を出力するための第一の電池用基準電圧発
生部である主電池用基準電圧発生回路２１と、主電池電
源電位ノード１０２と接地ノードとの間に直列に接続さ
れ、その接続ノード１２１が後述する主電池用電圧比較
器２２の一方の入力ノードに接続される２つの抵抗Ｒ４
及びＲ５と、一方の入力に上記接続ノード１２１が接続
され、そこに現れる主電池電源ノード１０２に基づく電
位、すなわち、２つの抵抗Ｒ４及びＲ５で分圧された電
位が入力され、他方の入力ノードに上記主電池用基準電
圧発生回路２１から出力される基準電圧Ｖｒｅｆ１が入
力され、基準電圧Ｖｒｅｆ１と第一の電池ＢＡＴ１との
電圧レベルを比較判定し、その判定結果を示す信号ＭＢ
ＯＵＴを出力するための第一の電池電圧比較部である主
電池用電圧比較器２２とを備えている。尚、主電池検知
信号ＭＢＯＵＴは、接続ノード１２１に現れる電位、す
なわち、抵抗Ｒ４及びＲ５で分圧された電圧レベルが基
準電圧Ｖｒｅｆ１より高い場合（すなわち、第一の電池
ＢＡＴ１が存在している時）は“Ｌ”レベルであり、基
準電圧Ｖｒｅｆ１より低い場合は“Ｈ”レベルの信号と
なる。尚、主電池用電圧比較器２２をヒステリシスを有
したもので構成する等して、第一の電池ＢＡＴ１と第二
の電池ＢＡＴ２との切り換えの際に、メモリ３への電力
の供給が途絶える瞬間がないようにする。

【００４４】この実施例においては、上述の実施例１と
同様の効果が得られるとともに、主電池である第一の電
池ＢＡＴ１の電圧レベルと基準電圧との比較により、主
電池存在検知部１１Ａが主電池検知信号ＭＢＯＵＴを出
力するようにしたので、第一の電池ＢＡＴ１が存在しな
い場合を直ちに検知し、メモリ３のデータ保持のために
内部電源電位ノード８へ電力を供給する電力源を第二の
電池ＢＡＴ２に直ちに切り換えることが可能である。

【００４５】実施例３．この実施例においては、図１の
主電池存在検知部１１の具体的な他の構造例について説
明する。図３に示すように、この実施例における主電池
存在検知部１１Ｂは、一方の入力ノードに、第一の電池
ＢＡＴ１に接続された主電池電源電位ノード１０２が接
続され、他方の入力ノードに、第二の電池ＢＡＴ２に接
続された補助電池電源電位ノード１０３が接続されて、
主電池電源電位ノード１０２と補助電池電源電位ノード
１０３との電圧レベルを比較し、その判定結果を示す主
電池検知信号ＭＢＯＵＴを出力する電池電圧比較部であ
る電池電圧比較器２３により構成されている。尚、主電
池検知信号ＭＢＯＵＴは、第一の電池ＢＡＴ１が第二の
電池ＢＡＴ２の電圧レベルより高い場合（すなわち、第
一の電池ＢＡＴ１が存在している時）は“Ｌ”レベルで
あり、低い場合は“Ｈ”レベルの信号となる。尚、電池
電圧比較器２３をヒステリシスを有したもので構成する
等して、第一の電池ＢＡＴ１と第二の電池ＢＡＴ２との
切り換えの際に、メモリ３への電力の供給が途絶える瞬
間がないようにする。

【００４６】この実施例においても、上述の実施例１と
同様の効果を得ることができる。また、主電池及び補助
電池を設ける目的は、メモリ３のデータが消滅しないよ
うに常に電力を供給し、データを保持することにあるの
で、主電池である第一の電池ＢＡＴ１に接続された主電
池電源電位ノード１０２の電圧レベルが、補助電池であ
る第二の電池ＢＡＴ２に接続された補助電池電源電位ノ
ード１０３の電圧レベルよりも低下した場合には、メモ
リ３のデータ保持のために内部電源電位ノード８へ電力
を供給するのは、第二の電池ＢＡＴ２により行った方が
良いので、この実施例においては、上述のように、主電
池電源電位ノード１０２と補助電池電源電位ノード１０
３との電圧レベルを比較し、電圧レベルの高い方の電池
により内部電源電位ノードへの電力の供給を行うように
したので、効率良く、かつ、確実に、メモリ３のデータ
保持を行うことができる。さらに、回路を簡単な構造に
したので、容易にかつ安価に製造することができる。

【００４７】実施例４．この実施例においては、図１の
主電池存在検知部１１の具体的な構造例についてのさら
なる他の例について説明する。この実施例においては、
主電池存在検知部１１は、図４に示すように、接地ノー
ド２６と、切換手段１３に接続された信号線２９と、信
号線２９と内部電源電位ノード８との間に直列に接続さ
れたプルアップ抵抗２５と、信号線２９とプルアップ抵
抗２５との接続ノード１２３と接地ノード２６との間に
接続され、接地ノード２６とプルアップ抵抗２５との間
の接続／遮断を行うための接続手段であるスイッチＳＷ
６と、接続ノード１２３に接続された出力信号線２９と
から構成されている。ここで、スイッチＳＷ６は、その
詳細について後述するように、第一の電池ＢＡＴ１が携
帯型半導体記憶装置１０内に存在しない時には、オフ
で、第一の電池ＢＡＴ１が存在する時にはオンするもの
である。

【００４８】従って、第一の電池ＢＡＴ１が携帯型半導
体記憶装置１０内に存在しない時は、スイッチＳＷ６が
オフとなり、プルアップ抵抗２５により、信号線２９を
介して切換手段１３に出力される主電池検知信号ＭＢＯ
ＵＴが“Ｈ”レベルに固定され、また、第一の電池ＢＡ
Ｔ１が携帯型半導体記憶装置１０内に装着されるとスイ
ッチＳＷ６がオンとなって、主電池検知信号ＭＢＯＵＴ
が“Ｌ”レベルに切り換えられるようにした。スイッチ
ＳＷ６は、例えば、その具体的な機械的構造を図５に示
すように、機械スイッチから構成してもよく、後述する
電池ホルダ２７が挿入されたときに、自動的に機械的に
接続され、接地ノード２６と信号線２９とを電気的に接
続するための接続手段を構成している。

【００４９】ここで、図５に示すように、携帯型半導体
記憶装置１０には、矢印Ａ方向に引き出される引き出し
式の電池ホルダ２７が設けられている。電池ホルダ２７
には、第一の電池ＢＡＴ１とほぼ相補形に多少凹部にな
っている電池搭載部２７ａが設けられ、第一の電池ＢＡ
Ｔ１はその中に置かれ固定されている。第一の電池ＢＡ
Ｔ１の交換時には、電池ホルダ２７が矢印Ａ方向に引き
出され、電池搭載部２７ａ内の第一の電池ＢＡＴ１を交
換し、その後に、矢印Ａ方向に挿入され、所定位置に装
着されることにより行われる。この実施例においては、
図５のようにスイッチＳＷ６が、電池ホルダ２７の鍵型
の雄スイッチ２７ｂと、携帯型半導体記憶装置１０内に
設けられ、雄スイッチ２７ｂと係合され得る雌スイッチ
１０ａとから構成されているため、電池ホルダ２７の挿
入及び抜去により、機械的にスイッチＳＷ６がオン／オ
フされる。すなわち、電池ホルダ２７を抜去すると、ス
イッチＳＷ６がオフされ、電池ホルダ２７を挿入すると
スイッチＳＷ６がオンされる。

【００５０】また、この実施例における携帯型半導体記
憶装置１０においては、電池接続手段が設けられてお
り、電池接続手段は、第一の電池ＢＡＴ１の表面全体か
らなる電池電極３０と、図１の主電池電源電位ノード１
０２とを電気的に接続するためのもので、図５のように
矢印Ａ方向に片持ち式に電池ホルダ２７に向かって突き
出して設けられて、電池ホルダ２７が本体に挿入された
ときに、電池電極３０に接続され得る装置側電極２８か
ら構成されている。ここで、図１のスイッチＳＷ５は、
スイッチＳＷ６がオフとなって、主電池検知信号ＭＢＯ
ＵＴが“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに切り替わっては
じめてオンとなるため、携帯型半導体記憶装置１０がホ
スト装置２０から外された場合におけるメモリ３のデー
タ保持のためとスイッチＳＷ５の制御用のＮＯＲ回路１
２の駆動のための電力源が第一の電池ＢＡＴ１であるこ
とを考慮すれば、スイッチＳＷ５がオンとなる時点まで
は少なくとも第一の電池ＢＡＴ１の電池電極３０は装置
側電極２８に電気的に接触していなければならないの
で、スイッチＳＷ６の切り換えと、第一の電池ＢＡＴ１
の電池電極３０と装置側電極２８との接触及び離脱との
時間的関係は、図６のタイミングチャートに示すよう
に、所定時間のずれがなくてはならない。そのため、こ
の実施例においては、電池電極３０を上述したように第
一の電池ＢＡＴ１の表面全体とし、装置側電極２８側に
電池電極３０に電気的に接触させるためのコンタクトポ
イントである導電性を有する複数の突起２８ａ、２８
ｂ、２８ｃを矢印Ａ方向に並べて配列するようにした。

【００５１】このような構造により、電池ホルダ２７を
抜去する場合には、電池ホルダ２７を少し引き出すと、
スイッチＳＷ６が機械的にオフとなるが、まだ、その時
点では、突起２８ａ、２８ｂ、２８ｃのうち、少なくと
も外部に近い方に設けられている突起２８ｂと２８ｃと
は電池電極３０に電気的に接触したままであり（図６参
照）、メモリ３への電力の供給は可能である。電池ホル
ダ２７をさらに引き出すと、突起２８ｂ及び２８ｃが順
に電池電極３０との電気的接触から外され、最終的に、
すべての突起２８ａ、２８ｂ、２８ｃと電池電極３０と
は離脱する。

【００５２】逆に、電池ホルダ２７を挿入する場合に
は、電池ホルダ２７を少し挿入した状態で、すでに、電
池電極３０と装置側電極２８の突起２８ｃとは電気的に
接触するが、その時点ではまだスイッチＳＷ６はオフの
状態である（図６参照）。電池ホルダ２７をさらに挿入
していき、完全に挿入され終わる時点で、電池ホルダ２
７の雄型スイッチ２７ｂと携帯型半導体記憶装置１０の
雌型スイッチ１０ａとが係合され、はじめて、スイッチ
ＳＷ６がオンとなる。

【００５３】以上のように、この実施例によれば、プル
アップ抵抗２５を設けたことにより、第一の電池ＢＡＴ
１の挿入により自動的に“Ｌ”レベルの主電池検知信号
ＭＢＯＵＴが出力されるようにしたので、構成が簡単で
製造が容易になるとともに、上述の実施例１と同様の効
果を得ることができる。

【００５４】また、電池電極３０に電気的に接触させる
突起２８ａ、２８ｂ、２８ｃを複数個並べて装置側電極
２８に設けたことにより、スイッチＳＷ６の切り換え
と、第一の電池ＢＡＴ１の電池電極３０と装置側電極２
８との接触及び離脱とは、図６のタイミングチャートに
示すように、所定時間だけ遅らせることが可能となった
ので、第一の電池ＢＡＴ１の交換時に、メモリ３のデー
タ保持のための内部電源電位ノード８への電力の供給源
が第一の電池ＢＡＴ１から第二の電池ＢＡＴ２へ切り換
わるときに、電力の供給が途絶える瞬間が生じることが
なく、常に安定して内部電源電位ノード８へ電力を供給
することができるため、メモリ３のデータ保持に関し、
高い信頼性を得ることができる。

【００５５】実施例５．この実施例においては、図１の
主電池存在検知部１１の具体的な構造例についてのさら
なる他の例について説明する。図７はこの実施例におけ
る構造を示した部分ブロック図であり、記載されていな
い部分については、図１の実施例１と同様であるためこ
こではその説明を省略する。この実施例においては、図
７の一点鎖線で囲まれた、第一の電池ＢＡＴ１に接続さ
れた主電池電源電位ノード１０２と切換手段１３Ａの入
力ノードとの間に接続された信号線４２と、その信号線
４２と主電池電源電位ノード１０２との接続ノード１１
５と接地ノードとの間に接続されたプルダウン抵抗４３
とから、この実施例における主電池存在検知部１１Ｄは
構成されており、従って、主電池検知信号ＭＢＯＵＴと
して第一の電池ＢＡＴ１に接続された主電池電源電位ノ
ード１０２の電圧レベルをそのまま用いるようにした。
この場合、第一の電池ＢＡＴ１が存在するとき、主電池
検知信号ＭＢＯＵＴは“Ｈ”レベルとなり、上述の実施
例１と論理が一致しなくなる。そのため、この実施例に
おける切換手段１３Ａにおいては、図１のＮＯＲ回路１
２の代わりに、図のように、ＮＡＮＤ回路４０及びＮＯ
Ｔ回路４１を設けるようにした。

【００５６】この実施例は以上のように構成されている
ので、上記実施例１と同様に、ホスト装置２０の電源Ｖ
ＣＣから外部電源電位ノード１０１に電力の供給がある
ときにはスイッチＳＷ５はオンで、第二の電池ＢＡＴ２
は電源ＶＣＣからの電力により駆動される充電回路６に
より充電され、第二の電池ＢＡＴ２の充電電源として第
一の電池ＢＡＴ１の電力が消耗されることはない。ま
た、ホスト装置２０の電源ＶＣＣから外部電源電位ノー
ド１０１に供給される電位が低下した場合においては、
第一の電池ＢＡＴ１が存在するときにはスイッチＳＷ５
はオフするので、第一の電池ＢＡＴ１のみがメモリ３の
データ保持のための電力を内部電源電位ノード８に供給
する電力源となり、第二の電池ＢＡＴ２の電力は消耗さ
れず、逆に、第一の電池ＢＡＴ１が存在しないときに
は、直ちにスイッチＳＷ５はオンとなり、第二の電池Ｂ
ＡＴ２がメモリ３のデータ保持のための電力を内部電源
電位ノード８へ供給する。

【００５７】この実施例においても、上述の実施例１と
同様の効果が得られるとともに、この実施例における構
成は非常に簡単なものであるため、電源制御部分をまと
めてＩＣ化することが容易に行うことができる。また、
その場合、この実施例における携帯型半導体記憶装置１
０は、少数の部品で構成できるため、製品のコストが大
幅に低減することができる。

【００５８】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、ホスト装置か
らの電源のにより供給される外部電源電位を検知する外
部電源電位検知手段と、第一の電池の存在の有無を検知
する第一の電池存在検知手段と、外部電源電位検知手段
と第一の電池存在検知手段とからの信号により導通制御
される切換手段を設け、ホスト装置からの電源により外
部電源電位が供給されている間は、外部電源電位により
駆動される充電手段により第二の電池の充電を行い、ホ
スト装置からの電源による外部電源電位の供給が停止し
た場合には、第一の電池が存在していれば第一の電池か
ら内部電源電位ノードへ供給される電位によりメモリの
データバックアップを行い、第一の電池が存在していな
い場合には第二の電池から内部電源電位ノードへ供給さ
れる電位によりメモリのデータバックアップを行うよう
にしたので、第一の電池の電力が第二の電池の充電のた
めに消耗されることもなく、第一の電池とともに第二の
電池がメモリのデータバックアップのために電力を消耗
することもないので、肝心の第一の電池交換のときに第
二の電池の電力がなくなっているようなことはなく、第
一の電池の電力の消耗を抑え、第一の電池の寿命を延ば
すことができるとともに、第二の電池により第一の電池
交換の間のメモリのデータバックアップを確実に行うこ
とができるので、データ保持に関する信頼性を高めるこ
とができるという効果を奏する。

【００５９】請求項２の発明によれば、第一の電池存在
検知手段を構成している第一の電池電圧比較部が、基準
電圧と第一の電池の電圧レベルとを比較し、比較判定信
号を切換手段に出力するようにしたので、第一の電池が
存在しない場合を直ちに検知し、メモリのデータバック
アップのための電力源を補助電池に直ちに切り換えるこ
とができるという効果を奏する。

【００６０】請求項３の発明によれば、第一の電池存在
検知手段を構成している電池電圧比較部が、第一の電池
と補助電池との電圧レベルを比較し、比較判定信号を切
換手段に出力するようにし、電圧レベルの高い方の電池
によりメモリのデータバックアップを行うようにしたの
で、効率よく、かつ、確実に、メモリのデータバックア
ップを行うことができるという効果を奏する。

【００６１】請求項４の発明によれば、第一の電池存在
検知手段を構成している接地ノードとプルアップ抵抗と
が、第一の電池が携帯型半導体記憶装置に装着されたと
きに、互いに接続して、自動的に“Ｌ”レベルの信号を
切換手段に出力するようにしたので、構造が簡単にな
り、製造工程が容易になるという効果を奏する。

【００６２】請求項５の発明によれば、携帯型半導体記
憶装置が第一の電池を搭載するための電池ホルダを備
え、電池ホルダを本体に挿入したときに、接続手段が機
械的に接続されるとともに、接地ノードとプルアップ抵
抗とを電気的に接続するようにしたので、電池ホルダを
本体に挿入することにより自動的に接地ノードとプルア
ップ抵抗とが接続され、操作が容易であるという効果を
奏する。

【００６３】請求項６の発明によれば、電池ホルダが本
体に挿入され始めたときに第一の電池接続手段が第一の
電池と第一電位ノードとを電気的に接続し始め、電池ホ
ルダが本体内に完全に挿入され終わったときにはじめ
て、接続手段が接続されるようにしたので、接続手段に
よる接続／遮断の切り換えのタイミングと、第一の電池
と第一電位ノードとの接続／遮断んの切り換えのタイミ
ングとを、所定時間だけずらすことができるので、メモ
リ３への電力の供給が第一の電池から第二の電池に切り
替わるときに、メモリ３への電力の供給が途絶える瞬間
が生じることがなく、常に安定して電力を供給すること
ができるという効果を奏する。

【００６４】請求項７の発明によれば、第一の電池検知
手段が切換手段と第一の電池とを接続する信号線から構
成されており、第一の電池の電圧レベルをそのまま第一
の電池検知手段の出力信号として用いるようにしたの
で、構成が非常に簡単になり、装置の小型化が可能にな
るともに、製造コストを大幅に低減することができると
いう効果を奏する。

【００６５】請求項８の発明によれば、外部電源電位検
知手段及び切換手段等を集積化してワンチップで構成し
たので、携帯型半導体記憶装置に用いられたときに、装
置の小型化を図ることができる。また、外部電源電位検
知手段と、携帯型半導体記憶装置内に設けられた第一の
電池存在検知手段とからの信号とにより切換手段が導通
制御され、ホスト装置からの電源により外部電源電位が
供給されている間は、外部電源電位により駆動される充
電手段により第二の電池の充電を行い、ホスト装置から
の電源による外部電源電位の供給が停止した場合には、
第一の電池が存在していれば第一の電池から内部電源電
位ノードへ供給される電位によりメモリのデータバック
アップを行い、第一の電池が存在していない場合には第
二の電池から内部電源電位ノードへ供給される電位によ
りメモリのデータバックアップを行うようにしたので、
第一の電池の電力が第二の電池の充電のために消耗され
ることもなく、第一の電池とともに第二の電池がメモリ
のデータバックアップのために電力を消耗することもな
いので、肝心の第一の電池交換のときに第二の電池の電
力がなくなっているようなことはなく、第一の電池の電
力の消耗を抑え、第一の電池の寿命を延ばすことができ
るとともに、第二の電池により第一の電池交換の間のメ
モリのデータバックアップを確実に行うことができるの
で、データ保持に関する信頼性を高めることができると
いう効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施例１における携帯型半導体記憶
装置の構成を示したブロック図である。

【図２】 実施例２による図１の主電池存在検知部の具
体的構成を示したブロック図である。

【図３】 実施例３による図１の主電池存在検知部の具
体的構成を示したブロック図である。

【図４】 実施例４による図１の主電池存在検知部の具
体的構成を示したブロック図である。

【図５】 実施例４による図１の主電池存在検知部の具
体的な機械的構造を示した上面図である。

【図６】 実施例４におけるタイミングチャートであ
る。

【図７】 実施例５による携帯型半導体記憶装置の構成
を示した部分ブロック図である。

【図８】 従来の携帯型半導体記憶装置の構成を示した
ブロック図である。

【図９】 他の従来の携帯型半導体記憶装置の構成を示
したブロック図である。

【図１０】 図９の充電回路の具体的構成の一例を示し
たブロック図である。

【符号の説明】

１，１Ａ，１０ 携帯型半導体記憶装置、２，２０ ホ
スト装置、３ メモリ、５ 電圧比較器、６ 充電回
路、１１ 主電池存在検知部、１３ 切換手段、２１
主電池用基準電圧発生回路、２２ 主電池用電圧比較
器、２３ 電池電圧比較器、２５ プルアップ抵抗、２
６ ＧＮＤ端子。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ホスト装置からの電源に接続されて用い
   られる携帯型半導体記憶装置であって、 上記ホスト装置からの電源により外部電源電位が供給さ
   れる外部電源電位ノードと、 内部電源電位を出力するための内部電源電位ノードと、 上記内部電源電位ノードから出力される内部電源電位に
   よりデータのバックアップを行う揮発性半導体メモリ
   と、 上記メモリの長時間のデータバックアップが可能な第一
   の電池と、 上記外部電源電位ノードに供給される外部電源電位によ
   り駆動される充電手段と、 上記第一の電池の交換を行う間の上記メモリのデータバ
   ックアップを行うとともに、上記充電手段により充電さ
   れる第二の電池と、 上記外部電源電位ノードの外部電源電位を検知する外部
   電源電位検知手段と、 上記第一の電池の存在の有無を検知する第一の電池存在
   検知手段と、 上記外部電源電位ノードと上記内部電源電位ノードとの
   間に接続され、上記外部電源電位検知手段からの出力信
   号に基づいて導通制御され、上記外部電源電位ノードに
   所定の値より高い外部電源電位が供給されているときに
   は閉成（オン）し、上記外部電源電位ノードに所定の値
   より低い外部電源電位が供給されているときには開放
   （オフ）する第一のスイッチ手段と、 上記第一の電池から第一電池電源電位が供給される第一
   電池電位ノードと上記内部電源電位ノードとの間に接続
   され、上記外部電源電位検知手段からの出力信号に基づ
   いて導通制御され、上記外部電源電位ノードに所定の値
   より低い外部電源電位が供給されているときには閉成
   （オン）し、上記外部電源電位ノードに所定の値より高
   い外部電源電位が供給されているときには開放（オフ）
   する第二のスイッチ手段と、 上記第二の電池から第二の電池電源電位が供給される第
   二電池電位ノードと上記内部電源電位ノードとの間に接
   続され、上記外部電源電位検知手段からの出力信号に基
   づいて導通制御され、上記外部電源電位ノードに所定の
   値より低い外部電源電位が供給されているときには閉成
   （オン）し、上記外部電源電位ノードに所定の値より高
   い外部電源電位が供給されているときには開放（オフ）
   する第三のスイッチ手段と、 上記充電手段と上記第二の電池との間に接続され、上記
   外部電源電位検知手段からの出力信号に基づいて導通制
   御され、上記外部電源電位ノードに所定の値より高い外
   部電源電位が供給されているときには閉成（オン）し、
   上記外部電源電位ノードに所定の値より低い外部電源電
   位が供給されているときには開放（オフ）する第四のス
   イッチ手段と、 上記第二の電池と上記第三のスイッチ手段との間に接続
   されるとともに、上記第二の電池と上記第四のスイッチ
   手段との間に接続され、上記外部電源電位検知手段から
   の信号と上記第一の電池存在検知手段からの出力信号と
   に基づいて導通制御され、上記外部電源電位ノードの外
   部電源電位が所定の値より低く、かつ、上記第一の電池
   が存在しているときにのみ開放（オフ）して上記第二の
   電池と上記第三のスイッチ手段との間、及び、上記第二
   の電池と上記第四のスイッチ手段との間を同時に遮断状
   態とする切換手段とを、 備え、もって、 ホスト装置からの上記電源により外部電源電位ノードへ
   所定の値より高い外部電源電位の供給がある場合には、
   上記外部電源電位ノードと上記内部電源電位ノードとが
   導通状態となり、ホスト装置からの電源により上記内部
   電源電位ノードへ電源電位が供給されるとともに、上記
   充電手段と上記第二の電池とが導通状態となり、上記充
   電手段による上記第二の電池の充電が行われ、 ホスト装置からの上記電源により外部電源電位ノードへ
   供給される外部電源電位が所定の値より低い場合には、
   上記第一の電池が存在しているときには、上記第一の電
   池から第一電池電源電位が供給される第一電池電位ノー
   ドと上記内部電源電位ノードとが導通状態となり、上記
   第一の電池により上記内部電源電位ノードへ電源電位が
   供給され、上記第一の電池が存在していないときには、
   上記第二の電池から第二電池電源電位が供給される第二
   電池電位ノードと上記内部電源電位ノードとが導通状態
   となり、上記第二の電池により上記内部電源電位ノード
   へ電源電位が供給されることを特徴とする携帯型半導体
   記憶装置。
2. 【請求項２】 上記第一の電池存在検知手段が、 基準電圧を発生するための第一の電池用基準電圧発生部
   と、 一方の入力ノードに上記第一電池電位ノードの電位が接
   続され、他方の入力ノードに上記第一の電池用基準電圧
   発生部からの基準電圧が接続されて、上記第一電池電位
   ノードの電位と上記基準電圧との比較判定を行い、比較
   判定信号を上記切換手段に出力する第一の電池電圧比較
   部とを、 備えたことを特徴とする請求項１記載の携帯型半導体記
   憶装置。
3. 【請求項３】 上記第一の電池存在検知手段が、 一方の入力ノードに上記第一電池電位ノードの電位が接
   続され、他方の入力ノードに上記第二電池電位ノードの
   電位が接続され、上記第一電池電位ノードの電位と上記
   第二電池電位ノードの電位との比較判定を行い、比較判
   定信号を上記切換手段に出力する電池電圧比較部を、 備えたことを特徴とする請求項１記載の携帯型半導体記
   憶装置。
4. 【請求項４】 上記第一の電池存在検知手段が、 接地ノードと、 上記切換手段に接続された信号線と、 上記内部電源電位ノードと上記信号線との間に接続され
   たプルアップ抵抗と、 上記第一の電池が上記携帯型半導体記憶装置に装着され
   たときに、上記接地ノードと上記信号線とを接続するた
   めの接続手段とを、 備えたことを特徴とする請求項１記載の携帯型半導体記
   憶装置。
5. 【請求項５】 上記携帯型半導体記憶装置が、本体と、
   上記本体内に挿脱可能に設けられ、上記第一の電池を搭
   載するための電池ホルダとを備え、 上記接続手段が、上記電池ホルダが上記本体内に挿入さ
   れたときに、自動的に機械的に係合されて、それによ
   り、上記接地ノードと上記信号線とを電気的に接続する
   ための機械スイッチから構成されていることを特徴とす
   る請求項４記載の携帯型半導体記憶装置。
6. 【請求項６】 上記携帯型半導体記憶装置が、上記電池
   ホルダが上記本体内に挿入されたときに、上記第一の電
   池の電池電極と上記第一電池電位ノードとを電気的に接
   続するための電池接続手段を備え、 上記電池接続手段が、上記電池ホルダの挿入方向に沿っ
   て設けられて、上記電池ホルダが上記本体内に挿入され
   始めたと同時に上記第一の電池の電池電極と上記第一電
   池電位ノードとを電気的に接続され始めるもので、 上記接続手段が、上記電池ホルダが上記本体内に完全に
   挿入され終わったときにはじめて機械的に係合されるも
   のである、 ことを特徴とする請求項５記載の携帯型半導体記憶装
   置。
7. 【請求項７】 上記第一の電池存在検知手段が、 上記切換手段と上記第一電池電位ノードとの間に接続さ
   れた信号線と、 上記信号線と上記第一電池電位ノードとの接続ノードと
   接地ノードとの間に接続されたプルダウン抵抗とから構
   成されていることを特徴とする請求項１記載の携帯型半
   導体記憶装置。
8. 【請求項８】 揮発性半導体メモリと、上記メモリの長
   時間のデータバックアップが可能な第一の電池と、上記
   第一の電池の交換を行う間の上記メモリのデータバック
   アップを行うための第二の電池と、上記ホスト装置から
   の電源により外部電源電位が供給される外部電源電位ノ
   ードと、内部電源電位を出力するための内部電源電位ノ
   ードと、上記第一の電池の存在の有無を検知する第一の
   電池存在検知手段と、を備えた携帯型半導体記憶装置に
   用いられる携帯型半導体記憶装置用電源制御ＩＣであっ
   て、 上記ホスト装置からの電源により駆動され、上記第二の
   電池の充電を行うための充電手段と、 上記外部電源電位ノードの外部電源電位を検知する外部
   電源電位検知手段と、 上記外部電源電位ノードと上記内部電源電位ノードとの
   間に接続され、上記外部電源電位検知手段からの出力信
   号に基づいて導通制御され、上記外部電源電位ノードに
   所定の値より高い外部電源電位が供給されているときに
   は閉成（オン）し、上記外部電源電位ノードに所定の値
   より低い外部電源電位が供給されているときには開放
   （オフ）する第一のスイッチ手段と、 上記第一の電池と上記内部電源電位ノードとの間に接続
   され、上記外部電源電位検知手段からの出力信号に基づ
   いて導通制御され、上記外部電源電位ノードに所定の値
   より低い外部電源電位が供給されているときには閉成
   （オン）し、上記外部電源電位ノードに所定の値より高
   い外部電源電位が供給されているときには開放（オフ）
   する第二のスイッチ手段と、 上記第二の電池と上記内部電源電位ノードとの間に接続
   され、上記外部電源電位検知手段からの出力信号に基づ
   いて導通制御され、上記外部電源電位ノードに所定の値
   より低い外部電源電位が供給されているときには閉成
   （オン）し、上記外部電源電位ノードに所定の値より高
   い外部電源電位が供給されているときには開放（オフ）
   する第三のスイッチ手段と、 上記充電手段と上記第二の電池との間に接続され、上記
   外部電源電位検知手段からの出力信号に基づいて導通制
   御され、上記外部電源電位ノードに所定の値より高い外
   部電源電位が供給されているときには閉成（オン）し、
   上記外部電源電位ノードに所定の値より低い外部電源電
   位が供給されているときには開放（オフ）する第四のス
   イッチ手段と、 上記第二の電池と上記第三のスイッチ手段との間に接続
   されるとともに、上記第二の電池と上記第四のスイッチ
   手段との間に接続され、上記外部電源電位検知手段から
   の信号と上記第一の電池存在検知手段からの信号とによ
   り導通制御され、上記外部電源電位ノードの外部電源電
   位が所定の値より低く、かつ、上記第一の電池が存在し
   ているときにのみ開放（オフ）して上記第二の電池と上
   記第三のスイッチ手段との間、及び、上記第二の電池と
   上記第四のスイッチ手段との間を同時に遮断状態とする
   切換手段とを備え、ワンチップで構成したことを特徴と
   する携帯型半導体記憶装置用電源制御ＩＣ。