JPH08198917A - 未延伸フイルム用ポリプロピレン及び未延伸フイルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ポリプロピレンフィルムが有する本来の特性
を損なうことなく、透明性の製膜条件依存性や厚み依存
性が小さく、透明性が良好で、かつ剛性が優れる未延伸
フィルムを得る。 【構成】 （Ａ）マグネシウム、チタン、ハロゲンおよ
び電子供与体を必須成分として含有する固体触媒成分、
（Ｂ）有機アルミニウム化合物及び特定の（Ｃ）電子供
与体からなる触媒系を用いて重合されたものであって、
（１）融解温度が１５３〜１６２℃の範囲にあり、
（２）２０℃キシレン可溶部が３．５重量％以下であ
り、かつ（３）２３０℃のメルトフローレイトが５〜１
５ｇ／１０分の範囲にある未延伸フィルム用ポリプロピ
レンおよびかかるポリプロピレンを製膜してなる未延伸
フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ポリプロピレン未延伸
フイルムに関する。詳しくは、透明性の製膜条件依存性
や厚み依存性の小さく、透明性が良好で、かつ剛性が優
れるポリプロピレン未延伸フイルム及び該未延伸フィル
ム用ポリプロピレンに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ポリプロピレンのフイルムは光学的性
質、機械的性質、包装適性が優れていることから食品包
装、繊維包装などの包装分野で広く使用されている。近
年、生産性の向上のため大型製膜機による高速製膜化が
なされ、また用途の拡大からフイルムの厚みの多様化が
なされてきている。この場合、結果としてフイルムの製
膜時の冷却条件が変わることなどに起因して、フイルム
の透明性に大幅な影響が生じる。すなわち、低速製膜時
の厚みが３０μ程度のフイルムでは良好であった透明性
が、５０ｍ／分以上の高速製膜時や、厚みが５０μ以上
のフイルムにおいて大幅に悪化する問題が発生した。こ
の対策としては、製膜時の冷却ロールの表面温度を下げ
る、または冷却ロールを使用せず押し出した溶融樹脂を
直接低温度の水で冷却する等の工夫がなされ、ある程度
の効果が出ているが、冷却水の温度、流量の変動などに
よる影響は避けられず、充分な効果を上げるに至ってい
ない。また、透明性と同時にフイルムの剛性についても
要望されるが、透明性と剛性の両者を満足する方法とし
ては、特開昭５１−２２７４０号公報に示されるよう
に、ソルビトール系の造核剤を配合するかまたは特公昭
５９−５７７２０号公報に示されるような溶融樹脂を直
接に低温度の水で冷却した後加熱処理を行うなどの特殊
な方法が実施されてきた。ソルビトール系の造核剤を配
合する方法に於いては、得られるフイルムの臭気が悪化
するなどの問題があり、水で冷却した後、熱処理を行う
方法は特殊な装置が必要であり、さらに高速製膜加工が
難しく、生産コストの問題があり使用に制限がある。特
公昭５３−１５８９４号公報で示されるような、その他
いくつかの方法も試みられているが、透明性の製膜条件
及び厚み依存性が小さく透明性が良好であり、さらにフ
イルムの剛性が優れるとの観点で満足できるものは無か
った。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ポリプロピ
レンのフィルムが本来有する好ましい特性を損なうこと
なく、透明性の製膜条件依存性や厚み依存性が小さく、
透明性が良好で、かつ剛性が優れるポリプロピレン、及
びフィルムを提供せんとするものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の従
来技術に認められる欠点が無く、透明性の製膜条件依存
性や厚み依存性が小さく、透明性が良好で、かつ剛性が
優れるポリプロピレン、及びフィルムを開発すべく鋭意
検討した結果、特定の触媒系によって重合して得られた
重合体であり、かつ融解温度、２０℃キシレン可溶部、
メルトフローレイトが特定の範囲にあるポリプロピレン
を使用することにより、上記課題が解決できることを見
い出し、本発明を完成するに至った。

【０００５】すなわち本発明は、（Ａ）マグネシウム、
チタン、ハロゲンおよび電子供与体を必須成分として含
有する固体触媒成分、（Ｂ）有機アルミニウム化合物、
（Ｃ）電子供与体（β）、または電子供与体（α）と電
子供与体（β）とを含む少なくとも２種以上の電子供与
体（ただし電子供与体（α）が上記固体触媒成分および
有機アルミニウム化合物とともに重合に用いて得られる
ホモポリプロピレンの１０５℃キシレン不溶部の乱れ指
数ｍｍｒｒ／ｍｍｍｍが０≦ｍｍｒｒ／ｍｍｍｍ≦０．
００６８であり、電子供与体（β）が上記固体触媒成分
および有機アルミニウム化合物とともに重合に用いて得
られるホモポリプロピレンの１０５℃キシレン不溶部の
乱れ指数が０．００６８＜ｍｍｒｒ／ｍｍｍｍ≦０．０
３２０である。）からなる触媒系を用いて重合されたも
のであって、（１）融解温度が１５３〜１６２℃の範囲
にあり、（２）２０℃キシレン可溶部が３．５重量％以
下であり、かつ（３）２３０℃のメルトフローレイトが
５〜１５ｇ／１０分の範囲にある未延伸フィルム用ポリ
プロピレン、及び該ポリプロピレンを製膜してなるポリ
プロピレン未延伸フイルムに係るものである。

【０００６】本発明で得られるポリプロピレンの特徴
は、溶融押出し製膜により得られるフイルムの透明性が
５ｍ／分程度の低速製膜条件から３００ｍ／分程度の高
速製膜条件にわたり、またフイルムの厚みが１５μから
２００μの広範囲にわたって良好な範囲にあり、さらに
フィルムの剛性が優れる点にある。以下、本発明につい
て具体的に説明する。

【０００７】本発明に供するポリプロピレンの製造に使
用される触媒系は（Ａ）マグネシウム、チタン、ハロゲ
ンおよび電子供与体を必須成分として含有する固体触媒
成分、（Ｂ）有機アルミニウム化合物、及び（Ｃ）電子
供与体成分からなる。

【０００８】（ａ）固体触媒成分（Ａ） 本発明のマグネシウム、チタン、ハロゲンおよび電子供
与体を必須成分として含有する固体触媒成分（Ａ）は、
一般にチタン・マグネシウム複合型触媒と呼ばれている
ものを用いることができ、下記のようなマグネシウム化
合物、チタン化合物および電子供与体を接触させること
により得ることができる。

【０００９】本発明において、固体触媒成分（Ａ）の合
成に用いられるチタン化合物は、例えば一般式Ｔｉ（Ｏ
Ｒ₁)_a Ｘ_4-a (Ｒ₁ は炭素数が１〜２０の炭化水素基
を、Ｘはハロゲン原子を、ａは０≦ａ≦４の数字を表
す。）で表されるようなチタン化合物を挙げることがで
きる。具体的には、四塩化チタン、四臭化チタン、四沃
化チタン等のテトラハロゲン化チタン化合物、メトキシ
チタントリクロライド、エトキシチタントリクロライ
ド、ブトキシチタントリクロライド、フェノキシチタン
トリクロライド、エトキシチタントリブロマイド等のト
リハロゲン化アルコキシチタン化合物、ジメトキシチタ
ンジクロライド、ジエトキシチタンジクロライド、ジブ
トキシチタンジクロライド、ジフェノキシチタンジクロ
ライド、ジエトキシチタンジブロマイド等のジハロゲン
化ジアルコキシチタン化合物、トリメトキシチタンクロ
ライド、トリエトキシチタンクロライド、トリブトキシ
チタンクロライド、トリフェノキシチタンクロライド、
トリエトキシチタンブロマイド等のモノハロゲン化トリ
アルコキシチタン化合物、テトラメトキシチタン、テト
ラエトキシチタン、テトラブトキシチタン、テトラフェ
ノキシチタン等のテトラアルコキシチタン化合物を挙げ
ることができる。これらチタン化合物は、単独で用いて
も良いし、二種類以上を組み合わせて用いても良い。更
に、これらのチタン化合物は、炭化水素化合物あるいは
ハロゲン化炭化水素化合物などに希釈されて用いること
もできる。

【００１０】本発明において、固体触媒成分（Ａ）の合
成に用いられるマグネシウム化合物としては、マグネシ
ウム−炭素結合やマグネシウム−水素結合を持った還元
能を有するマグネシウム化合物、あるいは、還元能を持
たないマグネシウム化合物を用いることができる。還元
能を有するマグネシウム化合物の具体例としては、ジメ
チルマグネシウム、ジエチルマグネシウム、ジプロピル
マグネシウム、ジブチルマグネシウム、ジヘキシルマグ
ネシウム、ブチルエチルマグネシウム、エチルマグネシ
ウムクロライド、ブチルマグネシウムクロライド、ヘキ
シルマグネシウムクロライド、ブチルエトキシマグネシ
ム、ブチルマグネシウムハイドライド等を挙げることが
できる。これら還元能を有するマグネシウム化合物は、
有機アルミニウム化合物との錯化合物の形態で用いても
よい。一方、還元能を持たないマグネシウム化合物の具
体例としては、マグネシウムジクロライド、マグネシウ
ムジブロマイド、マグネシウムジアイオダイド等のジハ
ロゲン化マグネシウム化合物、メトキシマグネシウムク
ロライド、エトキシマグネシウムクロライド、ブトキシ
マグネシウムクロライド、イソプロポキシマグネシウム
クロライド、フェノキシマグネシウムクロライド等のア
ルコキシマグネシウムハライド化合物、ジエトキシマグ
ネシウム、ジブトキシマグネシウム、ジイソプロポキシ
マグネシウム、ジフェノキシマグネシウム等のジアルコ
キシマグネシウム化合物、ラウリル酸マグネシウム、ス
テアリン酸マグネシウム等のマグネシウムのカルボン酸
塩等を挙げることができる。これら還元能を持たないマ
グネシウム化合物は、予め或いは固体触媒成分の調製時
に還元能を持ったマグネシウム化合物から公知の方法で
合成したものであってもよい。

【００１１】本発明において、固体触媒成分（Ａ）の合
成に用いられる電子供与体としては、アルコール類、フ
ェノール類、ケトン類、アルデヒド類、カルボン酸類、
有機酸または無機酸のエステル類、エーテル類、酸アミ
ド類、酸無水物類等の含酸素電子供与体、アンモニア
類、アミン類、ニトリル類、イソシアネート類等の含窒
素電子供与体等を挙げることができる。これらの電子供
与体のうち好ましくは有機酸または無機酸のエステル類
およびエ−テル類が用いられる。有機酸のエステル類と
して好ましくは、モノおよび多価のカルボン酸エステル
が用いられ、それらの例として脂肪族カルボン酸エステ
ル、オレフィンカルボン酸エステル、脂環式カルボン酸
エステル、芳香族カルボン酸エステルを挙げることがで
きる。具体例としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
フェニル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、
酪酸エチル、吉草酸エチル、アクリル酸メチル、アクリ
ル酸エチル、メタクリル酸メチル、安息香酸エチル、安
息香酸ブチル、トルイル酸メチル、トルイル酸エチル、
アニス酸エチル、コハク酸ジエチル、コハク酸ジブチ
ル、マロン酸ジエチル、マロン酸ジブチル、マレイン酸
ジメチル、マレイン酸ジブチル、イタコン酸ジエチル、
イタコン酸ジブチル、フタル酸モノエチル、フタル酸ジ
メチル、フタル酸メチルエチル、フタル酸ジエチル、フ
タル酸ジｎプロピル、フタル酸ジイソプロピル、フタル
酸ジｎブチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジｎオ
クチル、フタル酸ジフェニル等を挙げることができる。
また、無機酸のエステル類として好ましくは、一般式Ｒ
_2nＳｉ（ＯＲ₃)_4-n（Ｒ₂ は炭素数１〜２０の炭化水素
基または水素原子を表し、Ｒ₃ は炭素数１〜２０の炭化
水素基を表す。また、ｎは０≦ｎ＜４の数字を表す。）
で表されるようなケイ素化合物を挙げることができる。
具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキ
シシラン、テトラブトキシシラン、テトラフェノキシシ
ラン、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシ
シラン、ブチルトリメトキシシラン、イソブチルトリメ
トキシシラン、ｔ−ブチルトリメトキシシラン、イソプ
ロピルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキ
シシラン、フェニルトリメトキシシラン、ビニルトリメ
トキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジ
メトキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、プロピ
ルメチルジメトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシ
シラン、ジブチルジメトキシシラン、ジイソブチルジメ
トキシシラン、ジ−ｔ−ブチルジメトキシシラン、ブチ
ルメチルジメトキシシラン、ブチルエチルジメトキシシ
ラン、ｔ−ブチルメチルジメトキシシラン、ヘキシルメ
チルジメトキシシラン、ヘキシルエチルジメトキシシラ
ン、ドデシルメチルジメトキシシラン、ジシクロペンチ
ルジメトキシシラン、シクロペンチルメチルジメトキシ
シラン、シクロペンチルエチルジメトキシシラン、シク
ロペンチルイソプロピルジメトキシシラン、シクロペン
チルイソブチルジメトキシシラン、シクロペンチル−ｔ
−ブチルジメトキシシラン、ジシクロヘキシルジメトキ
シシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、シ
クロヘキシルエチルジメトキシシラン、シクロヘキシル
イソプロピルジメトキシシラン、シクロヘキシルイソブ
チルジメトキシシラン、シクロヘキシル−ｔ−ブチルジ
メトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、フェニ
ルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシ
ラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシ
シラン、ブチルトリエトキシシラン、イソブチルトリエ
トキシシラン、ｔ−ブチルトリエトキシシラン、イソプ
ロピルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキ
シシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリエ
トキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジ
エトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、プロピ
ルメチルジエトキシシラン、ジイソプロピルジエトキシ
シラン、ジブチルジエトキシシラン、ジイソブチルジエ
トキシシラン、ジ−ｔ−ブチルジエトキシシラン、ブチ
ルメチルジエトキシシラン、ブチルエチルジエトキシシ
ラン、ｔ−ブチルメチルジエトキシシラン、ヘキシルメ
チルジエトキシシラン、ヘキシルエチルジエトキシシラ
ン、ドデシルメチルジエトキシシラン、ジシクロペンチ
ルジエトキシシラン、ジシクロヘキシルジエトキシシラ
ン、シクロヘキシルメチルジエトキシシラン、シクロヘ
キシルエチルジエトキシシラン、ジフェニルジエトキシ
シラン、フェニルメチルジエトキシシラン、ビニルメチ
ルジエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラ
ン、ビニルトリブトキシシラン、フェニルトリ−ｔ−ブ
トキシシラン、２−ノルボルナントリメトキシシラン、
２−ノルボルナントリエトキシシラン、２−ノルボルナ
ンメチルジメトキシシラン、トリメチルフェノキシシラ
ン、メチルトリアリロキシシラン等を挙げることができ
る。

【００１２】さらに、エーテル類として好ましくは、ジ
アルキルエーテル、一般式 （Ｒ₄ 〜Ｒ₇ は炭素数１〜２０の線状または分岐状のア
ルキル、脂環式、アリール、アルキルアリール、アリー
ルアルキル基を表し、Ｒ₄ 〜Ｒ₇ は同一であっても異な
っていてもよい。また、Ｒ₄ またはＲ₅ は水素原子であ
ってもよい。）で表されるようなジエーテル化合物を挙
げることができる。具体例としては、ジエチルエーテ
ル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジ
ブチルエーテル、ジアミルエーテル、ジイソアミルエー
テル、ジネオペンチルエーテル、ジヘキシルエーテル、
ジオクチルエーテル、メチルブチルエーテル、メチルイ
ソアミルエーテル、エチルイソブチルエーテル、２，２
−ジイソブチル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イ
ソプロピル−２−イソペンチル−１，３−ジメトキシプ
ロパン、２，２−ビス（シクロヘキシルメチル）−１，
３−ジメトキシプロパン、２−イソプロピル−２−３，
７−ジメチルオクチル−１，３−ジメトキシプロパン、
２，２−ジイソプロピル−１，３−ジメトキシプロパ
ン、２−イソプロピル−２−シクロヘキシルメチル−
１，３−ジメトキシプロパン、２，２−ジシクロヘキシ
ル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソプロピル−
２−イソブチル−１，３−ジメトキシプロパン、２，２
−ジイソプロピル−１，３−ジメトキシプロパン、２，
２−ジプロピル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イ
ソプロピル−２−シクロヘキシル−１，３−ジメトキシ
プロパン、２−イソプロピル−２−シクロペンチル−
１，３−ジメトキシプロパン、２，２−ジシクロペンチ
ル−１，３−ジメトキシプロパン、２−ヘプチル−２−
ペンチル−１，３−ジメトキシプロパン等を挙げること
ができる。これらの電子供与体のうちエステル化合物が
特に好ましく用いられる。

【００１３】かかる固体触媒成分を製造する方法として
は、例えば、特公昭５２−３９４３１号公報、特公昭５
２−３６７８６号公報、特開昭５４−９４５９０号公
報、特開昭５５−３６２０３号公報、特開昭５６−４１
２０６号公報、特開昭５７−６３３１０号公報、特開昭
５７−５９９１６号公報、特開昭５８−８３００６号公
報、特開昭６１−２１８６０６号公報、特開平１−３１
９５０８号公報特開平３−７０６号公報等に開示された
方法を挙げることができる。

【００１４】これらの方法としては、次のものが具体例
として挙げられる。 （１）液状のマグネシウム化合物、あるいはマグネシウ
ム化合物および電子供与体からなる錯化合物を析出化剤
と反応させたのち、チタン化合物、あるいはチタン化合
物および電子供与体で処理する方法。 （２）固体のマグネシウム化合物、あるいは固体のマグ
ネシウム化合物および電子供与体からなる錯化合物をチ
タン化合物、あるいはチタン化合物および電子供与体で
処理する方法。 （３）液状のマグネシウム化合物と、液状チタン化合物
とを、電子供与体の存在下で反応させて固体状のチタン
複合体を析出させる方法。 （４）（１）、（２）あるいは（３）で得られた反応生
成物をチタン化合物、あるいは電子供与体およびチタン
化合物でさらに処理する方法。 （５）Ｓｉ−Ｏ結合を有する有機ケイ素化合物の共存下
アルコキシチタン化合物をグリニャール試薬等の有機マ
グネシウム化合物で還元して得られる固体生成物を、エ
ステル化合物、エーテル化合物およびＴｉＣｌ₄ で処理
する方法。 （６）金属酸化物、ジヒドロカルビルマグネシウムおよ
びハロゲン含有アルコ−ルとの接触反応物をハロゲン化
剤で処理した後あるいは処理せずに電子供与体およびチ
タン化合物と接触する方法。 （７）有機酸のマグネシウム塩、アルコキシマグネシウ
ムなどのマグネシウム化合物をハロゲン化剤で処理した
後あるいは処理せずに電子供与体およびチタン化合物と
接触する方法。 （８）（１）〜（７）で得られる化合物を、ハロゲン、
ハロゲン化合物および芳香族炭化水素のいずれかで処理
する方法。 これらの固体触媒の合成方法のうち（１）〜（５）に挙
げた方法が好ましく用いられ、（５）に挙げた方法が特
に好ましく用いられる。

【００１５】また、このような固体触媒成分（Ａ）は、
単独でも使用することができるが、無機酸化物、有機ポ
リマー等の、多孔質物質に含浸させて使用することも可
能である。かかる多孔質無機酸化物としては、Ｓｉ
Ｏ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＭｇＯ、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂ 、Ｓｉ
Ｏ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ 複合酸化物，ＭｇＯ−Ａｌ₂ Ｏ₃ 複合
酸化物、ＭｇＯ−ＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ 複合酸化物等が
挙げられ、多孔質有機ポリマーとしては、ポリスチレ
ン、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体、スチレン−
ｎ，ｎ’−アルキレンジメタクリルアミド共重合体、ス
チレン−エチレングリコールジメタクリル酸メチル共重
合体、ポリアクリル酸エチル、アクリル酸メチル−ジビ
ニルベンゼン共重合体、アクリル酸エチル−ジビニルベ
ンゼン共重合体、ポリメタクリル酸メチル、メタクリル
酸メチル−ジビニルベンゼン共重合体、ポリエチレング
リコールジメタクリル酸メチル、ポリアクリロニトリ
ル、アクリロニトリル−ジビニルベンゼン共重合体、ポ
リ塩化ビニル、ポリビニルピロリジン、ポリビニルピリ
ジン、エチルビニルベンゼン−ジビニルベンゼン共重合
体、ポリエチレン、エチレン−アクリル酸メチル共重合
体、ポリプロピレン等に代表されるポリスチレン系、ポ
リアクリル酸エステル系、ポリアクリロニトリル系、ポ
リ塩化ビニル系、ポリオレフィン系のポリマーを挙げる
ことができる。これらの多孔質物質のうち、ＳｉＯ₂ 、
Ａｌ₂ Ｏ₃ 、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体が好
ましく用いられる。

【００１６】（ｂ）有機アルミニウム化合物（Ｂ） 本発明の（Ｂ）成分として使用される有機アルミニウム
化合物は、少なくとも分子内に一個のＡｌ−炭素結合を
有するものである。代表的なものを一般式で下記に示
す。 Ｒ_8mＡｌＹ_3-m Ｒ₉ Ｒ₁₀Ａｌ−Ｏ−ＡｌＲ₁₁Ｒ₁₂ （Ｒ₈ 〜Ｒ₁₂は炭素数が１〜８個の炭化水素基を、Ｙは
ハロゲン、水素またはアルコキシ基を表す。また、ｍは
２≦ｍ≦３で表される数字である。）有機アルミニウム
化合物の具体例としては、トリエチルアルミニウム、ト
リイソブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム
等のトリアルキルアルミニウム、ジエチルアルミニウム
ハイドライド、ジイソブチルアルミニウムハイドライド
等のジアルキルアルミニウムハイドライド、トリエチル
アルミニウムとジエチルアルミニウムクロライドの混合
物のようなトリアルキルアルミニウムとジアルキルアル
ミニウムハライドの混合物、テトラエチルジアルモキサ
ン、テトラブチルジアルモキサン等のアルキルアルモキ
サンが例示できる。これらの有機アルミニウム化合物の
うち、トリアルキルアルミニウム、トリアルキルアルミ
ニウムとジアルキルアルミニウムハライドの混合物、ア
ルキルアルモキサンが好ましく、とりわけトリエチルア
ルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリエチル
アルミニウムとジエチルアルミニウムクロライドの混合
物およびテトラエチルジアルモキサンが好ましい。

【００１７】（ｃ）電子供与体（Ｃ） 本発明の電子供与体触媒成分（Ｃ）としては、電子供与
体（β）単独、又は電子供与体（α）および電子供与体
（β）を含む少なくとも２種以上の電子供与体が用いら
れる。ここに電子供与体（α）および電子供与体（β）
は、以下の条件を満たすものである。すなわち電子供与
体（α）を上記固体触媒成分（Ａ）および有機アルミニ
ウム化合物（Ｂ）とともに重合に用いて得られるホモポ
リプロピレンの１０５℃キシレン不溶部の乱れ指数ｍｍ
ｒｒ／ｍｍｍｍが、０≦ｍｍｒｒ／ｍｍｍｍ≦０．００
６８、好ましくは０．０００４≦ｍｍｒｒ／ｍｍｍｍ≦
０．００６８、さらに好ましくは０．０００４≦ｍｍｒ
ｒ／ｍｍｍｍ≦０．００６０であり、一方、電子供与体
（β）を上記固体触媒成分（Ａ）および有機アルミニウ
ム化合物（Ｂ）とともに重合に用いて得られるホモポリ
プロピレンの１０５℃キシレン不溶部の乱れ指数が、
０．００６８＜ｍｍｒｒ／ｍｍｍｍ≦０．０３２０、好
ましくは０．００６８＜ｍｍｒｒ／ｍｍｍｍ≦０．０２
００、さらに好ましくは０．００７２≦ｍｍｒｒ／ｍｍ
ｍｍ≦０．０１４０であるような電子供与体（α）およ
び電子供与体（β）が用いられる。

【００１８】なお、本発明における１０５℃キシレン不
溶部とは、角五らによりＭａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅ
ｓ、２１、３１４−３１９（１９８８）に発表された論
文記載の方法に基づいて、ポリプロピレン重合体を１３
０℃キシレンに溶解したのち海砂を投入して２０℃まで
冷却し、さらに再加熱した際１０５℃では抽出されず１
０５−１３０℃で抽出された部分をいう。また、本発明
の乱れ指数は、Ａ．ＺａｍｂｅｌｌｉらによりＭａｃｒ
ｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ、１３、６８７−６８９（１９７
５）に発表された論文に基づいて、日本電子（株）製Ｅ
Ｘ−２７０（¹³Ｃ−ＮＭＲ）によりＣ₆ Ｄ₆ を１０ｗｔ
％含むｏ−ジクロルベンゼンのポリマー溶液（ポリマー
濃度１５０ｍｇ／３ｍｌ）を１３５℃、２７０ＭＨｚで
測定したポリプロピレン分子鎖中の５量体単位における
ペンタッド分率ｍｍｍｍ（ＴＭＳ基準２１．７８ｐｐｍ
付近にピークが出現）にたいするペンタッド分率ｍｍｒ
ｒ（ＴＭＳ基準２１．０１ｐｐｍ付近にピークが出現）
のピーク強度比である。

【００１９】本発明において、電子供与体触媒成分
（Ｃ）の調製に用いられる電子供与体としては、固体触
媒成分（Ａ）の調製に用いられる電子供与体を用いるこ
とができるが、特に電子供与体（α）、（β）の各々
が、下記のような有機ケイ素化合物から選択されること
が好ましい。このような有機ケイ素化合物としては、一
般式Ｒ_2nＳｉ（ＯＲ_3n)_4-n（Ｒ₂ は炭素数１〜２０の炭
化水素基または水素原子を、Ｒ₃ は炭素数１〜２０の炭
化水素基を表し、また、ｎは０≦ｎ＜４で表される数字
である。）で表されるような有機ケイ素化合物を挙げる
ことができる。具体例としては、テトラメトキシシラ
ン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、テ
トラフェノキシシラン、メチルトリメトキシシラン、エ
チルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、
イソブチルトリメトキシシラン、ｔ−ブチルトリメトキ
シシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、シクロヘ
キシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシ
ラン、ジエチルジメトキシシラン、ジプロピルジメトキ
シシラン、プロピルメチルジメトキシシラン、ジイソプ
ロピルジメトキシシラン、ジブチルジメトキシシラン、
ジイソブチルジメトキシシラン、ジ−ｔ−ブチルジメト
キシシラン、ブチルメチルジメトキシシラン、ブチルエ
チルジメトキシシラン、ｔ−ブチルメチルジメトキシシ
ラン、イソブチルイソプロピルジメトキシシラン、ｔ−
ブチルイソプロピルジメトキシシラン、ヘキシルメチル
ジメトキシシラン、ヘキシルエチルジメトキシシラン、
ドデシルメチルジメトキシシラン、ジシクロペンチルジ
メトキシシラン、シクロペンチルメチルジメトキシシラ
ン、シクロペンチルエチルジメトキシシラン、シクロペ
ンチルイソプロピルジメトキシシラン、シクロペンチル
イソブチルジメトキシシラン、シクロペンチル−ｔ−ブ
チルジメトキシシラン、ジシクロヘキシルジメトキシシ
ラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、シクロ
ヘキシルエチルジメトキシシラン、シクロヘキシルイソ
プロピルジメトキシシラン、シクロヘキシルイソブチル
ジメトキシシラン、シクロヘキシル−ｔ−ブチルジメト
キシシラン、シクロヘキシルシクロペンチルジメトキシ
シラン、シクロヘキシルフェニルジメトキシシラン、ジ
フェニルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシ
シラン、フェニルイソプロピルジメトキシシラン、フェ
ニルイソブチルジメトキシシラン、フェニル−ｔ−ブチ
ルジメトキシシラン、フェニルシクロペンチルジメトキ
シシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メチルトリ
エトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ブチルト
リエトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、ｔ
−ブチルトリエトキシシラン、イソプロピルトリエトキ
シシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、フェニ
ルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジ
メチルジエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、
ジプロピルジエトキシシラン、プロピルメチルジエトキ
シシラン、ジイソプロピルジエトキシシラン、ジブチル
ジエトキシシラン、ジイソブチルジエトキシシラン、ジ
−ｔ−ブチルジエトキシシラン、ブチルメチルジエトキ
シシラン、ブチルエチルジエトキシシラン、ｔ−ブチル
メチルジエトキシシラン、ヘキシルメチルジエトキシシ
ラン、ヘキシルエチルジエトキシシラン、ドデシルメチ
ルジエトキシシラン、ジシクロペンチルジエトキシシラ
ン、ジシクロヘキシルジエトキシシラン、シクロヘキシ
ルメチルジエトキシシラン、シクロヘキシルエチルジエ
トキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、フェニル
メチルジエトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラ
ン、エチルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリブト
キシシラン、フェニルトリ−ｔ−ブトキシシラン、２−
ノルボルナントリメトキシシラン、２−ノルボルナント
リエトキシシラン、２−ノルボルナンメチルジメトキシ
シラン、トリメチルフェノキシシラン、メチルトリアリ
ロキシシラン等を挙げることができる。

【００２０】上記のような有機ケイ素化合物のうち、電
子供与体（α）としては、例えば一般式Ｒ₁₃Ｒ₁₄Ｓｉ
（ＯＲ₁₅）₂ で表される有機ケイ素化合物が好ましく用
いられる。式中、Ｒ₁₃はＳｉに隣接する炭素が２級もし
くは３級である炭素数３〜２０の炭化水素基を表し、具
体的には、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブ
チル基、ｔ−アミル基、等の分岐鎖状アルキル基、シク
ロペンンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル
基、シクロペンテニル基等のシクロアルケニル基、フェ
ニル基、トリル基等のアリール基等が挙げられる。また
式中、Ｒ₁₄は炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、具体
的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ペンチル基等の直鎖状アルキル基、イソプロピル基、ｓ
ｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｔ−アミル基等の分岐
鎖状アルキル基、シクロペンンチル基、シクロヘキシル
基等のシクロアルキル基、シクロペンテニル基等のシク
ロアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基
等が挙げられる。さらに式中、Ｒ₁₅は炭素数１〜２０の
炭化水素基を表し、好ましくは炭素数１〜５の炭化水素
基である。

【００２１】このような電子供与性化合物として用いら
れる有機ケイ素化合物の具体例としては、ジイソプロピ
ルジメトキシシラン、ジイソブチルジメトキシシラン、
ジ−ｔ−ブチルジメトキシシラン、ｔ−ブチルメチルジ
メトキシシラン、イソブチルイソプロピルジメトキシシ
ラン、ｔ−ブチルイソプロピルジメトキシシラン、ジシ
クロペンチルジメトキシシラン、シクロペンチルイソプ
ロピルジメトキシシラン、シクロペンチルイソブチルジ
メトキシシラン、シクロペンチル−ｔ−ブチルジメトキ
シシラン、ジシクロヘキシルジメトキシシラン、シクロ
ヘキシルメチルジメトキシシラン、シクロヘキシルエチ
ルジメトキシシラン、シクロヘキシルイソプロピルジメ
トキシシラン、シクロヘキシルイソブチルジメトキシシ
ラン、シクロヘキシル−ｔ−ブチルジメトキシシラン、
シクロヘキシルシクロペンチルジメトキシシラン、シク
ロヘキシルフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジメ
トキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェ
ニルイソプロピルジメトキシシラン、フェニルイソブチ
ルジメトキシシラン、フェニル−ｔ−ブチルジメトキシ
シラン、フェニルシクロペンチルジメトキシシラン、ジ
イソプロピルジエトキシシラン、ジイソブチルジエトキ
シシラン、ジ−ｔ−ブチルジエトキシシラン、ｔ−ブチ
ルメチルジエトキシシラン、ジシクロペンチルジエトキ
シシラン、ジシクロヘキシルジエトキシシラン、シクロ
ヘキシルメチルジエトキシシラン、シクロヘキシルエチ
ルジエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、フ
ェニルメチルジエトキシシラン、２−ノルボルナンメチ
ルジメトキシシラン等を挙げることができる。

【００２２】また、上記のような有機ケイ素化合物のう
ち、電子供与体（β）としては、例えば一般式Ｒ₁₆Ｒ₁₇
Ｓｉ（ＯＲ₁₈）₂ で表される有機ケイ素化合物が好まし
く用いられる。式中、Ｒ₁₆は炭素数１〜２０の炭化水素
基を表し、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基等の直鎖状アルキル基が特に好ましい。
また式中、Ｒ₁₇は炭素数１〜５の炭化水素基を表し、炭
素数１の炭化水素基が特に好ましい。さらに式中、Ｒ₁₈
は炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、好ましくは炭素
数１〜５の炭化水素基である。

【００２３】このような電子供与体（β）として用いら
れる有機ケイ素化合物の具体例としては、ジメチルジメ
トキシシラン、エチルメチルジメトキシシラン、プロピ
ルメチルジメトキシシラン、ブチルメチルジメトキシシ
ラン、ペンチルメチルジメトキシシラン、ヘキシルメチ
ルジメトキシシラン、ヘプチルメチルジメトキシシラ
ン、オクチルメチルジメトキシシラン、ドデシルメチル
ジメトキシシラン等を挙げることができる。

【００２４】本発明に供するポリプロピレンを製造する
ための重合方法において各触媒成分を重合槽に供給する
方法としては、窒素、アルゴン等の不活性ガス中で水分
のない状態で供給する以外は、特に制限すべき条件はな
い。

【００２５】本発明の重合方法においては、固体触媒成
分（Ａ）、有機アルミニウム化合物（Ｂ）、電子供与体
（α）および電子供与体（β）を含む少なくとも２種以
上の電子供与体よりなる触媒存在下にプロピレンの重合
を行うが、その際、（Ａ）、（Ｂ）および単独の（α）
からなる触媒存在下に重合して得られるホモポリプロピ
レンのｍｍｒｒ／ｍｍｍｍが０≦ｍｍｒｒ／ｍｍｍｍ≦
０．００６８となり、（Ａ），（Ｂ）および単独の
（β）からなる触媒存在下に重合して得られるホモポリ
プロピレンのｍｍｒｒ／ｍｍｍｍが０．００６８＜ｍｍ
ｒｒ／ｍｍｍｍ≦０．０３２０となるような条件で重合
が実施される以外に特に制限は無い。

【００２６】本発明の重合方法においては、前記の触媒
存在下にプロピレンの重合を行うが、このような重合
（本重合）の実施前に以下に述べる予備重合を行っても
かまわない。予備重合は、固体触媒成分（Ａ）および有
機アルミニウム化合物（Ｂ）の存在下、少量のプロピレ
ンを供給して実施され、スラリー状態で行うのが好まし
い。スラリー化するのに用いる溶媒としては、プロパ
ン、ブタン、イソブタン、ペンタン、イソペンタン、ヘ
キサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、ベンゼ
ン、トルエンのような不活性炭化水素を挙げることがで
きる。また、スラリー化するに際し、不活性炭化水素溶
媒の一部または全部に変えて液状のプロピレンを用いる
ことができる。

【００２７】予備重合時の有機アルミニウム化合物の使
用量は、固体触媒成分中のチタン原子１モル当たり、
０．５〜７００モルのごとく広範囲に選ぶことができる
が、０．８〜５００モルが好ましく、１〜２００モルが
特に好ましい。また、予備重合されるオレフィンの量
は、固体触媒成分１ｇ当たり０．０１〜１０００ｇ、好
ましくは０．０５〜５００ｇ、特に好ましくは０．１〜
２００ｇである。予備重合を行う際のスラリー濃度は、
１〜５００ｇ−固体触媒成分／ｌ−溶媒が好ましく、特
に３〜３００ｇ−固体触媒成分／ｌ−溶媒が好ましい。
予備重合温度は、−２０〜１００℃が好ましく、特に０
〜８０℃が好ましい。また、予備重合中の気相部でのプ
ロピレンの分圧は、０．０１〜２０ｋｇ／ｃｍ² が好ま
しく、特に０．１〜１０ｋｇ／ｃｍ² が好ましいが、予
備重合の圧力、温度において液状であるプロピレンにつ
いては、この限りではない。さらに、予備重合時間に特
に制限はないが、通常２分から１５時間が好適である。

【００２８】予備重合を実施する際、固体触媒成分、有
機アルミニウム化合物、プロピレンを供給する方法とし
ては、固体触媒成分と有機アルミニウム化合物を接触さ
せておいた後プロピレンを供給する方法、固体触媒成分
とプロピレンを接触させておいた後有機アルミニウム化
合物を供給する方法のいずれの方法を用いても良い。ま
た、プロピレンの供給方法としては、重合槽内が所定の
圧力になるように保持しながら順次プロピレンを供給す
る方法、或いは所定のプロピレン量を最初にすべて供給
する方法のいずれの方法を用いても良い。また、得られ
る重合体の分子量を調節するために水素等の連鎖移動剤
を添加することも可能である。

【００２９】さらに、有機アルミニウム化合物の存在
下、固体触媒成分を少量のプロピレンで予備重合するに
際し、必要に応じて電子供与体を共存させても良い。使
用される電子供与体は、上記の電子供与体触媒成分
（Ｃ）の一部または、全部である。その使用量は、固体
触媒成分中に含まれるチタン原子１モルに対し、０．０
１〜４００モル、好ましくは０．０２〜２００モル、特
に好ましくは、０．０３〜１００モルであり、有機アル
ミニウム化合物に対し、０．００３〜５モル、好ましく
は０．００５〜３モル、特に好ましくは０．０１〜２モ
ルである。

【００３０】予備重合の際の電子供与体の供給方法に特
に制限なく、有機アルミニウム化合物と個別に供給して
も良いし、予め接触させて供給しても良い。また、予備
重合で使用されるプロピレンは、後述する本重合で使用
されるプロピレンと同一であっても異なっていても良
い。

【００３１】上記のように予備重合を行った後、あるい
は、予備重合を行うことなく、前述の固体触媒成分
（Ａ）、有機アルミニウム化合物（Ｂ）および電子供与
体触媒成分（Ｃ）からなるプロピレンの重合用触媒の存
在下に、プロピレンの本重合を行うことができる。

【００３２】固体触媒成分、有機アルミニウム化合物、
および少なくとも２種以上の電子供与体からなる電子供
与体触媒成分は、個別に供給しても良いし、いずれか２
者を予め接触させて供給しても良い。また、電子供与体
触媒成分（Ｃ）としての電子供与体（α）および電子供
与体（β）は、予備重合時に両成分を用いても良く、ま
た予備重合時に一方の成分を用いて本重合時に他方の成
分を用いても良く、さらには本重合時に初めて両成分を
用いても良い。

【００３３】本重合時の有機アルミニウム化合物の使用
量は、固体触媒成分中のチタン原子１モル当たり、１〜
１０００モルのごとく広範囲に選ぶことができるが、特
に５〜６００モルの範囲が好ましい。また、本重合時に
使用される電子供与体触媒成分（Ｃ）は合計で、固体触
媒成分中に含まれるチタン原子１モルに対し、０．１〜
２０００モル、好ましくは０．３〜１０００モル、特に
好ましくは、０．５〜８００モルであり、有機アルミニ
ウム化合物に対し、０．００１〜５モル、好ましくは
０．００５〜３モル、特に好ましくは０．０１〜１モル
である。

【００３４】本重合は、−３０〜３００℃までにわたっ
て実施することができるが、２０〜１８０℃が好まし
い。重合圧力に関しては特に制限は無いが、工業的かつ
経済的であるという点で、一般に、常圧〜１００ｋｇ／
ｃｍ² 、好ましくは２〜５０ｋｇ／ｃｍ² 程度の圧力が
採用される。重合形式としては、バッチ式、連続式いず
れでも可能である。また、プロパン、ブタン、イソブタ
ン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンの如き不
活性炭化水素溶媒によるスラリー重合もしくは溶液重
合、重合温度において液状のプロピレンを媒体としたバ
ルク重合または気相重合も可能である。本重合時には重
合体の分子量を調節するために水素等の連鎖移動剤を添
加することも可能である。

【００３５】本発明のポリプロピレンは、融解温度が１
５３〜１６２℃の範囲にある。融解温度が１５３℃未満
ではフイルムの剛性が不足し、１６２℃を越えると透明
性が悪化する。透明性と剛性の点から融解温度が１５５
〜１６１℃の範囲が好ましい。このような融解温度のポ
リプロピレンは、プロピレンの単独重合またはプロピレ
ンとエチレンおよびまたは炭素数４以上のα−オレフィ
ンをいわゆるランダム共重合することにより製造するこ
とができる。

【００３６】本発明のポリプロピレンは、２０℃キシレ
ン可溶部が３．５重量％以下のものである。３．５重量
％を越えるとフィルムの剛性が不足する。２０℃キシレ
ン可溶部はフイルムの剛性と滑り性の発現の点から０．
５〜３．０重量％の範囲が好ましい。

【００３７】本発明のポリプロピレンは、２３０℃にお
けるメルトフローレイトが５〜１５ｇ／１０分の範囲の
ものである。メルトフローレイトが５ｇ／１０分未満で
はフイルムの透明性が不足し、１５ｇ／１０分を越える
と製膜時の安定性が不足して好ましくない。透明性と製
膜安定性の点からメルトフローレイトは６．５〜１２ｇ
／１０分の範囲が好ましい。

【００３８】本発明のポリプロピレンの触媒系、融解温
度、２０℃キシレン可溶部、メルトフローレイトのいず
れかの項目が前記の範囲をはずれると、本願発明の効果
は発現しない。透明性、剛性、滑り性、製膜安定性など
の点から、本発明のポリプロピレンは、融解温度が１５
５〜１６１℃の範囲にあり、２０℃キシレン可溶部が
０．５〜３．０重量％の範囲にあり、かつ２３０℃のメ
ルトフローレイトが６．５〜１２ｇ／１０分の範囲にあ
るのもが特に好ましい。

【００３９】本発明のポリプロピレンは、製膜速度が５
〜３００ｍ／分程度の条件下で製造される厚みが１０〜
２００μ程度の溶融押し出しフイルムの製造に好適に使
用され、８０ｍ／分以上の高速製膜条件下における１５
〜５０μの範囲の未延伸フィルムの製造に特に好適に使
用される。また、前述した好ましい特性を有することか
ら、共押し出し製膜法による多層フィルムの製造に際し
て、その少なくとも一層成分としても好適に使用され
る。

【００４０】本発明のポリプロピレンフイルムは、通常
工業的に用いられている方法により製造される。例えば
Ｔダイ製膜法、チューブラー製膜法など溶融押し出し成
形法によりポリプロピレンフィルムが製造される方法で
あれば特に限定されないが、大型製膜機によりフイルム
の高速製膜が実施されるＴダイ製膜法が好ましい。Ｔダ
イ製膜法における製膜条件は、ダイ温度が２００〜２９
０℃でチルロールへ供給する熱媒体としての水の温度が
２０〜５０℃程度の条件が適用できる。

【００４１】本発明のポリプロピレンおよびフイルムに
は、常用される酸化防止剤、中和剤、滑剤、アンチブロ
ッキング剤または帯電防止剤等を必要に応じて配合する
ことができる。

【００４２】

【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
するが、本発明の範囲が実施例のみに限定されるもので
はない。なお発明の詳細な説明及び実施例中の各項目の
測定法は、次の通りである。 （１）１０５℃キシレン不溶部の乱れ指数ｍｍｒｒ／ｍ
ｍｍｍ 本発明明細書中記載の方法に依った。 （２）極限粘度（［η］） ウベローデ型粘度計を用いて１３５℃テトラリン中で測
定を行った。 （３）コモノマー含有量 エチレン含有量：高分子分析ハンドブック（１９８５
年、朝倉書店発行）の２５６ページ“（ｉ）ランダム共
重合体”の項記載の方法のよってＩＲスペクトル法で決
定した。 （４）融解温度（Ｔｍ） 示差走査熱量計（パーキンエルマー社製 ＤＳＣ）を用
いて、あらかじめ試片１０ｍｇを窒素雰囲気下で２２０
℃で５分間溶融した後、５℃／分の降温速度で４０℃ま
で降温する。その後 ５℃／分で昇温させて、得られた
融解吸熱カーブの最大ピークのピーク温度を融解温度
（Ｔｍ）とした。なお、本測定機を用いて５℃／分の昇
温速度で測定したインジウム（Ｉｎ）の融点は、１５
６．６℃であった。 （５）２０℃キシレン可溶部（ＣＸＳ） 試料５ｇを沸騰キシレン５００ｍｌに完全に溶解させた
後、２０℃に降温し、４時間以上放置する。その後、こ
れを析出物と溶液とにろ別し、ろ液を乾固して減圧下７
０℃で乾燥した。その重量を測定して含有量（重量％）
を求めた。 （６）メルトフローレイト（ＭＦＲ） ＪＩＳ Ｋ７２１０に従い、条件−１４の方法で測定し
た。 （７）ヘイズ ＪＩＳ Ｋ７１０５に従い測定した。 （８）ヤング率 下記実施例１に記載の方法で得た厚み３０μのフイルム
において、幅２０ｍｍの試験片を縦方向（ＭＤ）及び横
方向（ＴＤ）より採取し、引張試験機によりチャック間
隔６０ｍｍ、引張速度５ｍｍ／分でＳ−Ｓ曲線をとり、
初期弾性率を測定した。測定値はＭＤとＴＤの平均値で
表示した。

【００４３】実施例１ （ａ） 有機マグネシウム化合物の合成 撹拌機、還流冷却器、滴下ロート、温度計を備えた１０
００ｍｌのフラスコをアルゴンで置換したのち、グリニ
ャ−ル用削状マグネシウム３２．０ｇを投入した。滴下
ロートにブチルクロリド１２０ｇとジブチルエーテル５
００ｍｌを仕込み、フラスコ中のマグネシウムに約３０
ｍｌ滴下し、反応を開始させた。反応開始後、５０℃で
４時間かけて滴下を続け、滴下終了後、６０℃で更に１
時間反応を続けた。その後、反応溶液を室温に冷却し、
固形分を濾別した。サンプリングした反応溶液中のブチ
ルマグネシウムクロリドを１規定硫酸で加水分解し、１
規定水酸化ナトリウム水溶液で逆滴定して濃度を決定し
たところ（指示薬としてフェノールフタレインを使
用）、濃度は２．１モル／リットルであった。

【００４４】（ｂ） 固体生成物の合成 撹拌機、滴下ロートを備えた５００ｍｌのフラスコをア
ルゴンで置換した後、ヘキサン２９０ｍｌ、テトラブト
キシチタン７．７ｇ（２３ミリモル）およびテトラエト
キシシラン７５．０ｇ（３６０ミリモル）を投入し、均
一溶液とした。次に、（ａ）で合成した有機マグネシウ
ム化合物溶液１８１ｍｌを、フラスコ内の温度を５℃に
保ちながら、滴下ロートから３．５時間かけて徐々に滴
下した。滴下終了後、室温でさらに１時間撹拌した後室
温で固液分離し、ヘキサン３００ｍｌで３回、トルエン
３００ｍｌで３回洗浄を繰り返した後トルエン３００ｍ
ｌを加えた。固体生成物スラリーの一部をサンプリング
し、組成分析を行ったところ固体生成物中にはチタン原
子が２．１重量％、エトキシ基が３６．２重量％、ブト
キシ基が３．８重量％含有されていた。またスラリー濃
度は、０．１２５ｇ／ｍｌであった。

【００４５】（ｃ） エステル処理固体の合成 スラリーの上澄み液を１２５ｍｌを抜き取り、フタル酸
ジイソブチル４５．８ｍｌ（１７１ミリモル）を加え、
９５℃で３０分反応を行った。反応後、固液分離し、ト
ルエン２８７ｍｌで２回洗浄を行った。

【００４６】（ｄ） 固体触媒成分の合成（活性化処
理） 上記（ｃ）での洗浄終了後、フラスコにトルエン７４．
５ｍｌ、フタル酸ジイソブチル２．９ｍｌ（１１ミリモ
ル）、ブチルエーテル６．３ｍｌ（３７ミリモル）、お
よび四塩化チタン９９ｍｌ（０．９０モル）を加え、１
００℃で３時間反応を行った。反応終了後、同温度で固
液分離した後、同温度でトルエン２８７ｍｌで２回洗浄
を行った。次いで、トルエン７４．５ｍｌ、ブチルエー
テル６．３ｍｌ（３７ミリモル）、および四塩化チタン
５０ｍｌ（０．４５モル）を加え、１００℃で１時間反
応を行った。反応終了後、同温度で固液分離した後、同
温度でトルエン２８７ｍｌで４回洗浄を行ったのち、ヘ
キサン２８７ｍｌで３回洗浄し、さらに減圧乾燥して固
体触媒成分４６ｇを得た。固体触媒成分中には、チタン
原子が２．２重量％、フタル酸エステルが１０．７重量
％、エトキシ基が０．７重量％、ブトキシ基が０．３重
量％含まれていた。

【００４７】（ｅ）予備重合 内容積３ＬのＳＵＳ製撹拌機付きオートクレーブに、充
分に脱水、脱気処理したｎ−ヘキサン１．５Ｌ、トリエ
チルアルムニウム３７．５ｍｍｏｌ、シクロヘキシルエ
チルジメトキシシラン３．７５ｍｍｏｌ、および（ｄ）
にて調製した固体触媒成分３０ｇを投入し、槽内温度を
１５℃に保ちながら、プロピレン３０ｇを４５分間かけ
て連続的に供給して予備重合を行った。得られた予備重
合体スラリーを内容積１５０ＬのＳＵＳ製撹拌機付きオ
ートクレーブに移送した後、充分に精製された液状ブタ
ン１００Ｌを加えて、１０℃以下の温度に保持して保存
した。

【００４８】（ｆ）プロピレンの重合 内容積１０００Ｌの撹拌機付き流動床反応器において、
重合温度７５℃、重合圧力１８ｋｇ／ｃｍ² Ｇ、気相部
の水素濃度を０．１１vol.％に保持するように、プロピ
レンおよび水素を供給する条件下、トリエチルアルミニ
ウム（以下ＴＥＡと略す）５０ｍｍｏｌ／Ｈｒ、シクロ
ヘキシルエチルジメトキシシラン（以下ＣＨＥＤＭＳと
略す）０．７ｍｍｏｌ／Ｈｒ、ノルマルプロピルメチル
ジメトキシシラン（以下ｎＰＭＤＭＳと略す）６．１ｍ
ｍｏｌ／Ｈｒおよび（ｅ）において調製した予備重合体
スラリーを固体触媒成分として１．５ｇ／Ｈｒを供給し
てプロピレンの連続気相重合を行いプロピレン重合体粉
末を得た。次に該重合体粉末１００重量部に対して、ス
テアリン酸カルシウム０．０５重量部、イルガノックス
１０１０（チバ・ガイギー社製）０．１５重量部、イル
ガフォス１６８（チバ・ガイギー社製）０．０５重量
部、エルカ酸アミド０．０８重量部、微粉シリカ０．１
０重量部および２，５−ジメチル−２，５−ジ（ターシ
ャリーブチルパーオキシ）ヘキサン（以下２，５Ｈと略
す）０．０２２重量部を加え、チッソ雰囲気下において
ヘンシェルミキサーで混合し樹脂温度２５０℃で溶融押
し出しを行いポリプロピレンのペレットを得た。重合体
粉末の特性値およびペレットのＭＦＲを表１に示す。

【００４９】次いで、該ポリプロピレンのペレットを使
用して、５０ｍｍφの押出機を有するＴダイ製膜機で樹
脂温度２３０℃で溶融押出しをし、３０℃の水を通した
冷却ロールで冷却して、厚み１５μ、３０μ、１００μ
の未延伸フィルムを得た。製膜速度は、厚み１５μのフ
ィルムにおいては８０ｍ／分、３０μでは２０ｍ／分、
１００μのものは６ｍ／分で実施した。得られたフィル
ムの物性を表２に示す。

【００５０】なお、プロピレンの重合においてＣＨＥＤ
ＭＳとｎＰＭＤＭＳの２種類の電子供与体を使用する代
わりにＣＨＥＤＭＳを用い、供給量を７．５ｍｍｏｌ／
Ｈｒに変えた以外は実施例１と同様の方法で重合体を得
た。この重合体の１０５℃キシレン不溶部の乱れ指数ｍ
ｍｒｒ／ｍｍｍｍは０．００３３であった。プロピレン
の重合においてＣＨＥＤＭＳとｎＰＭＤＭＳの２種類の
電子供与体を使用する代わりにｎＰＭＤＭＳを用い、供
給量を１５．０ｍｍｏｌ／Ｈｒに変えた以外は実施例１
と同様の方法で重合体を得た。この重合体の１０５℃キ
シレン不溶部の乱れ指数ｍｍｒｒ／ｍｍｍｍは０．００
８９であった。

【００５１】実施例２ 実施例１（ｆ）のプロピレンの重合においてＣＨＥＤＭ
ＳとｎＰＭＤＭＳの２種類の電子供与体を使用する代わ
りにｎＰＭＤＭＳを用い、電子供与体の供給量を変え、
水素の供給量を０．１５vol.％に変えた以外は実施例１
と同様の方法で重合し、重合体を得た。この重合体をペ
レット化に際して、２，５Ｈの添加量を０．０２１重量
部に変えた以外は実施例１と同様に実施しペレットを得
た。重合体粉末の特性値およびペレットのＭＦＲを表１
に示した。また、実施例１と同様の条件で製膜して得た
未延伸フィルムの物性を表２に示した。

【００５２】実施例３ 実施例１（ｆ）のプロピレンの重合においてＣＨＥＤＭ
ＳとｎＰＭＤＭＳの２種類の電子供与体を使用し、プロ
ピレンとエチレンを供給し、電子供与体の供給量を変
え、水素の供給量を０．３５vol.％に変えた以外は実施
例１と同様の方法で重合し、重合体を得た。この重合体
をペレット化に際して、２，５Ｈの添加量を０．００２
重量部に変えた以外は実施例１と同様に実施しペレット
を得た。重合体粉末の特性値およびペレットのＭＦＲを
表１に示した。また、実施例１と同様の条件で製膜して
得た未延伸フィルムの物性を表２に示した。

【００５３】比較例１ 実施例１（ｆ）のプロピレンの重合においてＣＨＥＤＭ
ＳとｎＰＭＤＭＳの２種類の電子供与体を使用する代わ
りにＣＨＥＤＭＳを用い、電子供与体の供給量を変え、
水素の供給量を０．１６vol.％に変えた以外は実施例１
と同様の方法で重合し、重合体を得た。この重合体をペ
レット化に際して、２，５Ｈの添加量を０．０２４重量
部に変えた以外は実施例１と同様に実施しペレットを得
た。重合体粉末の特性値およびペレットのＭＦＲを表１
に示した。また、実施例１と同様の条件で製膜して得た
未延伸フィルムの物性を表２に示した。

【００５４】比較例２〜４ 実施例１（ｆ）のプロピレンの重合において、プロピレ
ンとエチレンの供給量、電子供与体の組合せおよび電子
供与体と水素の供給量を変えた以外は実施例１と同様の
方法で重合し、重合体を得た。この重合体をペレット化
に際して、２，５Ｈの添加量を変えた以外は実施例１と
同様に実施しペレットを得た。重合体粉末の特性値およ
びペレットのＭＦＲを表１に示した。また、実施例１と
同様の条件で製膜して得た未延伸フィルムの物性を表２
に示した。

【００５５】実施例４ 実施例３のポリプロピレンのペレットを使用して、９０
ｍｍφ押出機１基と６５ｍｍφ押出機を２基を有するＴ
ダイ製膜機で樹脂温度２４０℃で溶融押出しをし、４０
℃の水を通した冷却ロールで冷却して、１５０ｍ／分の
速度で厚み３０μの単層フィルムを製膜した。得られた
フィルムの透明性（ヘイズ）は、３．０％であり良好な
範囲のものであった。

【００５６】比較例５ 比較例２のポリプロピレンのペレットを使用して、実施
例４と同様の方法で厚み３０μの単層フィルムを製膜し
た。得られたフィルムの透明性（ヘイズ）は、４．７％
であり実施例と比較して劣るものであった。

【００５７】

【表１】

【００５８】

【表２】

【００５９】

【発明の効果】本発明のポリプロピレンを用いて、溶融
押し出し製膜することにより、フイルムの透明性の製膜
条件依存性や厚み依存性が小さく、このため高速製膜フ
イルムや厚物フイルムで透明性が良好であり、かつ剛性
に優れるポリプロピレン未延伸フイルムを得ることがで
きる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木代 茂樹 千葉県市原市姉崎海岸５の１ 住友化学工 業株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（Ａ）マグネシウム、チタン、ハロゲンお
   よび電子供与体を必須成分として含有する固体触媒成
   分、（Ｂ）有機アルミニウム化合物、（Ｃ）電子供与体
   （β）、または電子供与体（α）と電子供与体（β）と
   を含む少なくとも２種以上の電子供与体（ただし電子供
   与体（α）が上記固体触媒成分および有機アルミニウム
   化合物とともに重合に用いて得られるホモポリプロピレ
   ンの１０５℃キシレン不溶部の乱れ指数ｍｍｒｒ／ｍｍ
   ｍｍが０≦ｍｍｒｒ／ｍｍｍｍ≦０．００６８であり、
   電子供与体（β）が上記固体触媒成分および有機アルミ
   ニウム化合物とともに重合に用いて得られるホモポリプ
   ロピレンの１０５℃キシレン不溶部の乱れ指数が０．０
   ０６８＜ｍｍｒｒ／ｍｍｍｍ≦０．０３２０である。）
   からなる触媒系を用いて重合されたものであって、
   （１）融解温度が１５３〜１６２℃の範囲にあり、
   （２）２０℃キシレン可溶部が３．５重量％以下であ
   り、かつ（３）２３０℃のメルトフローレイトが５〜１
   ５ｇ／１０分の範囲にあることを特徴とする未延伸フィ
   ルム用ポリプロピレン。
2. 【請求項２】電子供与体（α）を重合に用いて得られる
   ホモポリプロピレンの１０５℃キシレン不溶部の乱れ指
   数ｍｍｒｒ／ｍｍｍｍが０．０００４≦ｍｍｒｒ／ｍｍ
   ｍｍ≦０．００６８であり、電子供与体（β）を重合に
   用いて得られるホモポリプロピレンの１０５℃キシレン
   不溶部の乱れ指数が０．００６８＜ｍｍｒｒ／ｍｍｍｍ
   ≦０．０２００であることを特徴とする請求項１に記載
   の未延伸フィルム用ポリプロピレン。
3. 【請求項３】（１）融解温度が１５５〜１６１℃の範囲
   にあり、（２）２０℃キシレン可溶部が０．５〜３．０
   重量％の範囲にあり、かつ（３）２３０℃のメルトフロ
   ーレイトが６．５〜１２ｇ／１０分の範囲にあることを
   特徴とする請求項１又は２に記載の未延伸フィルム用ポ
   リプロピレン。
4. 【請求項４】請求項１〜３のいずれか１項に記載のポリ
   プロピレンを製膜してなることを特徴とする未延伸フイ
   ルム。