JPH08195877A - イメージセンサと画像処理回路 - Google Patents

イメージセンサと画像処理回路

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JPH08195877A
JPH08195877A JP7005810A JP581095A JPH08195877A JP H08195877 A JPH08195877 A JP H08195877A JP 7005810 A JP7005810 A JP 7005810A JP 581095 A JP581095 A JP 581095A JP H08195877 A JPH08195877 A JP H08195877A
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JP
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photoelectric conversion
pixel
image sensor
amplifier
gain
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JP7005810A
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Toshio Hayashi
俊男 林
Masayuki Hirose
正幸 広瀬
Toshihiko Otsubo
俊彦 大坪
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Original Assignee
Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 センサアレイにおける各画素及びチップ間の
出力ばらつきを補正することを目的とする。 【構成】 同一基板上に生成された、少なくとも一画素
以上をアレー状に配列された光電変換手段72と、その
光電変換手段の各画素の電荷を転送する第一の電荷転送
手段73と、その転送された電荷を一つずつ転送する第
二の電荷転送手段75とを具備するイメージセンサにお
いて、上記同一基板上にて第二の電荷転送手段の出力に
ゲイン制御アンプ76を接続したことを特徴とする。ま
た、上記信号を処理する画像処理回路において、順次読
み出しが行なわれるラインイメージセンサの読み出しデ
ータが、あらかじめ決定された光電変換素子からの読み
出しデータに切り替わるときに、画像処理パラメータを
切り替えることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウエハから切
り出された複数の光電変換素子を備えたシリコンチップ
をつなぎ合わせて、1ライン分の読み取りセンサを構成
するラインセンサ、または1個のシリコンウエハ上に複
数回のフォトマスク露光により1ライン分の読み取りセ
ンサを形成したラインイメージセンサを用いて、画像読
み取りを行なう画像読み取り部を有するスキャナまたは
複写機に関するものである。また上記シリコンチップ上
に、画像光を光電変換し電気画像信号を得る光電変換セ
ルを有するセンサアレーが形成され、該センサアレーの
出力信号を処理する画像処理回路に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、各メーカより複数の印字ノズルを
直線状に配列し印字する画像に応じていくつかのノズル
よりインクの吐出を行なって画像の形成を行なう、いわ
ゆるオンデマンド方式のインクジェットプリンタの市場
投入が相次いでいる。このインクジェットプリンタは、
図20に示すように例えば第1ノズルから第128ノズ
ルの128個のノズルを直線状に配したノズル列21に
より、ライン状の印字を行なう印字ヘッド22を有し、
印字ヘッド22を不図示のヘッド駆動制御手段により図
の矢印A方向に移動させ順次ライン状の印字を行なうこ
とにより、バンド状の画像を形成するプリンタである。
インクジェットプリンタの印字解像度は、印字ヘッド2
2のノズルの配列ピッチ及び図中の矢印A方向への移動
精度によって決定する。例えば印字ヘッド22のノズル
の配列のピッチが0.0635mmであれば400dp
iの解像度を有するプリンタを構成できる。もちろん、
矢印Aの方向には0.0635mmピッチの移動精度が
要求される。
【0003】このインクジェットプリンタの印字ヘッド
22のノズル数が前述の如く128個であるとすると、
1バンドの印字幅は0.0635×128=8.128
mmとなる。従って、1バンドの印字が終了したら、矢
印Aと垂直な角度をなす、矢印Bの方向に不図示の紙送
り機構により、プリント用紙を8.128mmだけ紙送
りし、次のバンド印字を行なう。インクジェットプリン
タは、以上の印字制御を繰り返すことによって所望の印
字範囲の印字を行なうものである。
【0004】ところで、このようなインクジェットプリ
ンタに対応する画像読み取り装置(以下スキャナと記
す)の最適な読み取り構成は言うまでもなく、プリンタ
のバンド印字に対応するバンド読み取り方式である。即
ち、図21に示すように第1画素から第128画素まで
の直線状に画素を配した128画素ラインセンサ23を
搭載した画像読み取り部24を具備するスキャナによ
り、所望の読み取り画像の読み取りを行なう。図20の
印字ヘッド22と同様に、画素の配列ピッチを0.06
35mm、読み取り部24の矢印A方向への移動ピッチ
を0.0635mmとすることにより、400dpiの
スキャナが構成できる。
【0005】この構成から成るスキャナと前述のインク
ジェットプリンタを組み合わせることにより、1バンド
の読み取り動作に同期して、1バンドの印字動作を行な
う複写機が構成される。
【0006】ラインセンサ23は、1ラインのフォトセ
ンサの長さが約8mmの短尺チップであるので、1個の
シリコンチップ上に1回のフォトマスク露光を行なうこ
とにより、1ライン分のフォトセンサが形成できる。ま
た、カラースキャナまたはカラー複写機に用いられるカ
ラーラインイメージセンサは、図22に示すように白黒
ラインセンサ250上に設けられた128×3画素のフ
ォトセンサ251の開口部に第1画素の位置を基準にし
てRフィルタ241、Gフィルタ242、Bフィルタ2
43のストライプフィルタを順次蒸着し、第1画素〜第
3画素を1組として色分解を行なうように構成されてい
る。この場合白黒ラインセンサ250の画素ピッチは
0.0635/3mm=0.0211mmなので、やは
りチップ長は約8mmであるため、1個のシリコンチッ
プ上に1回のフォトマスク露光を行なうことにより、1
ライン分のカラーセンサが形成可能である。
【0007】このような、イメージセンサにはフォトセ
ンサに光が入光しなくても出力電圧が零にならない、い
わゆる暗出力電圧が出力されている。この暗出力電圧は
環境温度などにより出力が変動しているので読み取り動
作直前にその時点でのアナログ暗出力電圧、またはアナ
ログ暗出力電圧に相応したデジタルデータを、読み取り
信号から差し引く暗出力補正を行なうのが一般的であ
る。また、カラーセンサに限っていえば、カラーセンサ
に蒸着されるRGBフィルタの分光特性で決定するカラ
ーセンサに固有の色空間を、カラー機器全般に共有な色
空間に変換する入力マスキング回路が設けてあるのがカ
ラースキャナまたはカラー複写機においては一般的であ
る。
【0008】しかしながら、前述の約8mm幅の読み取
り、またはプリントを行なうスキャナとプリンタを組み
合わせて構成される複写機は1バンドの読取幅あるいは
印字幅が8.128mmしかないために、例えば一般的
なA4サイズの原稿の複写を行なう場合でも、A4サイ
ズの原稿の長辺297÷8.128≦37バンドの読み
取り動作及び印字動作を必要とし、プリントアウトに要
する時間が長くなる、という欠点がある。
【0009】上記の欠点を解消するために、印字ヘッド
のノズル数及び読み取り部のラインセンサの画素数を増
加する手法が考えられる。即ち、例えば、印字ヘッドの
ノズル数を512ノズル、読み取り部のラインセンサの
画素数を512画素(128画素の4倍)にすれば、読
み取り幅及び印字幅が32.512mm(=8.128
mm×4)となるのでA4サイズの原稿の複写を行なう
場合、297÷32.512≦10バンドの読み取り動
作及び印字動作で済ませられるので、プリントアウトま
での時間が大幅に短縮できる。
【0010】また、上記説明の画像読取と画像再現との
両者で総合的に問題点を解決すべく開発されているが、
基本的には画像読取段階での性能向上があってこそ、総
合的な性能アップが図られる。その点で、従来の読取セ
ンサは、一般的にはCCDイメージセンサやFAX等に
よく使用されている密着センサがある。これらのセンサ
はCCDであれば、フォトダイオードに蓄積された電荷
をCCDシフトレジスタに転送し1画素毎CCDシフト
レジスタにより電荷を転送し、FDAにおいて電荷を電
圧に変換しそのまま出力もしくは、規定量増幅して出力
している。
【0011】さらに、センサ内にクランプ処理を内蔵し
たもの等種々考案されている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のイメージセンサには、大きく3つの問題点がある。
【0013】まず、イメージセンサの動作電源の定電圧
化に伴い、イメージセンサ内のゲインを高く取ると電荷
発生部で飽和しているにもかかわらず、更にアンプで飽
和してしまいそれ以上の出力を得られない問題点が発生
する。逆に、イメージセンサのゲインを低くすると暗い
光が入ったときの信号出力が小さくなりノイズに埋もれ
てしまい画像品位を低下させるという問題も発生すると
いう問題点があった。
【0014】2つ目として、イメージセンサの信号の基
準レベルは、温度変化により変化するためセンサー信号
出力を直接A/D変換器に入れることはできず、クラン
プ処理もしくは、オフセットをリアルタイムに調整する
ように構成する必要があるという問題点がある。さら
に、A/D変換器によりA/D変換器に入れるレベル範
囲が異なるために、それにあわせる処理が必要であると
いう問題点があった。
【0015】3つ目として、イメージセンサの出力感度
は、CCDイメージセンサの場合ではフォトダイオード
を構成するシリコンウエハーのばらつきにより感度が一
般的に±20%程度ばらつき、さらに、カラーフィルタ
の濃度むらとして更に±10%程度のばらつきが存在す
るため、イメージセンサ信号を正確に処理するために
は、イメージセンサの出力を検査し、規定感度に入って
いるか確認するもしくは、イメージセンサ信号の処理回
路にこのばらつきを補正する回路が必要となり、コスト
アップとなるという問題点があった。
【0016】また、複写機等の全システムにおいては、
512画素のバンドスキャナを行なうスキャナに搭載す
るラインセンサについて考えてみると、最も簡潔な光学
系の構成である等倍結像系でのセンサの受光画素の長さ
は32.512mmとなる。しかし、この長さのライン
センサをシリコンウエハ上で構成し、1チップ分を1回
の切り出し工程で取り出し、かつ1回のフォトマスク露
光工程で製造することは現在の技術では極めて困難であ
る。従って、32.512mmのチップ長を有するライ
ンセンサを実現するためには、図23(a)に示すよう
に例えば5インチのマスタシリコンウエハ231上に約
20mm×20mmの切り出し領域232を設け、それ
ぞれの切り出し領域232に対して、図23(b)に示
すように、切り出し領域232を2分割して約17mm
長の切り出し領域233及び234を設けるという手法
を取らざるを得ない。
【0017】即ち、切り出し領域233は第1画素から
第256画素(512画素/2)をシリコン上に構成し
たシリコンチップであり、また、切り出し領域234は
第257画素から第512画素をシリコン上に構成した
シリコンチップである。実際に、ラインセンサを作成す
る工程では、切り出し領域233のシリコンチップの第
256画素の直後に、切り出し領域234のシリコンチ
ップの第257画素がつながるように不図示のパッケー
ジ内部でレイアウト及びワイヤボンディング配線を行な
うが、切り出し領域233のシリコンチップと切り出し
領域234のシリコンチップのつなぎ精度には限界があ
り、少々の位置ずれは避けられない。
【0018】このため、例えば、白黒512×3画素の
各々の開口部に、RGBのフィルタを画素毎に順次蒸着
するインラインタイプのカラーセンサなどでは、開口部
に対する各フィルタの蒸着の具合が、切り出し領域23
3と切り出し領域234で異なる場合がある。一例を図
24に示す。図24では、切り出し領域233の位置を
基準にRフィルタ241、Gフィルタ242、Bフィル
タ243のフィルタ蒸着を行なっているため、切り出し
領域233は開口部全面にフィルタ241〜243がか
かっているが、切り出し領域234は開口部全面にフィ
ルタ241〜243がかかっていない領域244がある
ため、同じ色を読み取っても前半256画素と後半25
6画素で色が変わってしまう、という不具合があった。
【0019】RGBフィルタの色材のばらつきによる、
1ライン間のRGB画素の分光特性のばらつきについて
は、前述の入力マスキング処理回路のパラメータを変更
することにより所望の色空間に変更することは可能であ
るが、パラメータは1ライン間全ての画素に共通なの
で、この不具合には対応しきれないため、出来上がった
カラーセンサの分光特性を調べて選別して使用するとい
う、使い勝手の面からもコスト的な面からもデメリット
が大きかった。
【0020】さらには、前半画素と後半画素が別個のチ
ップであるために、前述の暗出力電圧の出力特性が前半
画素と後半画素で異なる、という不具合も同時に発生す
る。つまり、前述の暗出力補正回路のパラメータも、1
ライン間全ての画素に共通なので、この不具合には対応
できず、前半画素と後半画素で色ないしは明るさが異な
るという現象がみられた。
【0021】また、以上述べた不具合は、2個のシリコ
ンチップをつなぎ合わせる構成のイメージセンサに限ら
ず、1個のシリコンチップ上に、2回のフォトマスク露
光工程をもって1ラインを構成するイメージセンサにつ
いても同様のことがいえる。
【0022】即ち、長尺のイメージセンサのフォトマス
ク露光は露光装置の装置上の制限により1回の露光では
所望の露光範囲(ここでは約32mm長)がカバーでき
ないため、図25(a)に示すように約40mm長のシ
リコンチップ175上の所望露光範囲170に、図25
(b)に示すように第1回目のフォトマスク露光171
を行ない、まず約16mm長の露光を行なう。その後で
図25(c)に示すように第2回目のフォトマスク露光
172を行ない、残りの約16mm長の露光を行なって
都合約32mm長の露光処理を実現する。以上の工程に
より実現されるイメージセンサについても、第2回目の
フォトマスク露光時のマスクの位置精度、第1回目と第
2回目の露光量のばらつきなどが発生するので上記と同
様の不具合が生じる。
【0023】
【課題を解決する手段及び作用】本発明は、前述の不具
合を解消するために、まずシリコンチップに形成された
光電変換素子からの画像信号をそのチップ上に利得制御
可能なアンプを備え、画像のばらつきを該ゲインを切り
換えることを第1の目的とする。
【0024】本発明によれば、前記問題を解決するため
にまず、イメージセンサのフォトセンサ出力にゲインを
切り換える手段を設け、光量に応じてそのゲインを切り
換えて制御することにより、高光量の場合には、ゲイン
を低いものに設定することにより、フォトセンサ後の信
号処理で信号が飽和することなく、かつ、低光量時には
ゲインを高めに設定することにより、ノイズに埋もれな
い信号を取り出すことが出来るため、読み出しレンジが
広く、高SNの読取信号を得ることができる。
【0025】次に、イメージセンサ内にクランプ回路及
びオフセット機能を持たせることにより、温度変化及び
A/Dの入力レンジに対応したイメージセンサ出力が可
能となる。
【0026】さらに、イメージセンサの感度及び、カラ
ーフィルタの濃度ばらつきを補正するためにばらつき量
に対応したゲインを切り換える手段を設けることによ
り、上記ばらつき量を半分以下に低減することが可能と
なる。そして、このばらつきは、そのセンサ固有のもの
であるので、出荷時の検査でこのゲインの設定をイメー
ジセンサ内に設けた保持機構部にその設定を記憶するこ
とにより、イメージセンサの使用者にとっては、ばらつ
きの少ない使いやすい、良いセンサが安価に提供できる
メリットがある。
【0027】つぎに、上記アンプによって得られた画像
信号について、画素及びフィルター等のばらつきを減縮
すべく、画素処理系に入力マスキング処理部を具備し、
チップとチップとのつなぎ部によるばらつきに応じて、
前半画素と後半画素で入力マスキングの係数を切り換え
るものである。
【0028】また、画像処理系に暗出力補正処理部を具
備し、前半画素と後半画素で暗出力補正の係数を切り換
えるものである。
【0029】
【実施例】以下、まず、シリコンチップ上における画素
のばらつきを抑える点について、次に、該シリコンチッ
プ同士のシリアル接続を主にそのばらつきを補正する点
について、順次説明する。
【0030】(A)第1の実施例 図1は本発明の特徴を最もよく表す図面であり、図1に
おいて太線でかこまれた部分が、1枚のベース基板(そ
れは、例えば半導体のシリコン基板)上に構成されてい
るイメージセンサ71で、読み取り基板80上に実装さ
れている。イメージセンサ71の出力信号は、読み取り
基板80上に実装されているA/Dコンバータ79に接
続され、n bitsのデジタルの画像信号となる。ま
ず、イメージセンサ71について説明する。72はフォ
トセンサで、アレー状に並んだものであり、フォトセン
サ72は光信号を電気信号に変換する光電変換素子であ
り、フォトダイオードでもフォトトランジスタでもよ
い。本例は、1ライン状にフォトセンサアレーが並んで
いるが、複数ラインであっても問題ない。(例えば、カ
ラーRGBで3ライン)。73及び75のSWは、フォ
トセンサ72で発生した電気信号を取り出すためのもの
で、クロック制御部78から出力されるタイミング信号
のタイミングについては図2に示す。SW73はフォト
センサ72により所定時間に発生した光電変換の電荷を
電荷保持部74に転送するSWである。電荷保持部74
はフォトセンサ72の素子と対に設けられている。この
SW73は、図2の上段に示すように、所定時間周期で
一定時間一斉にONする(図2の“H”の時にONす
る)。SW73がONすることにより、コンデンサ74
に電荷が転送され、次の転送まで保持する。そして、こ
のコンデンサ74の電荷をSW75が図2の下段に示す
パルスにより順次ON/OFFすることにより、フォト
センサアレーの電荷が時系列的に順次出力される。尚、
電荷保持部74に蓄積された電荷は、全ての電荷がSW
75を介して転送された後、SW73のSWがONする
前に、不図示のリセット機構により所定電圧にセットさ
れる。上記のフォトセンサアレー及び電荷転送方法でな
くても、CCDイメージセンサの構成であっても問題な
いことは言うまでもない。SW73、75のコントロー
ルは、クロック制御部78で行われ、図2に示すような
パルスを外部からの周期信号によりSW73のSW群を
同時に一括してONし、そして、規定時間後SW73の
SW群を同時にOFFした後、外部クロックに応じてS
W75を順次ON/OFFするように制御する。
【0031】フォトセンサアレーからの信号は、ゲイン
値を演算制御部81からの制御信号によって設定される
アンプ76で増幅される。このアンプ76は、センサ外
部からのコントロール信号により増幅率がコントロール
可能である。そして、アンプ76で増幅された信号は、
クランプレベルを演算制御部81からの制御信号によっ
て設定されるクランプ回路77により、信号レベルを規
定レベルにシフトされイメージセンサ71から出力さ
れ、A/Dコンバータ79によりデジタル画像信号に変
換される。本実施例の場合は、イメージセンサ71の出
力がA/Dコンバータ79の入力に直接入っているが、
イメージセンサ71の出力とA/Dコンバータ79間に
他の処理(例えばサンプルホールド回路・クランプ回路
・バッファ・アンプ・レベル変換回路等)が入っていて
もよい。
【0032】(B)第2の実施例 図3は本発明による第2の実施例を示すブロック図であ
り、図3において太線でかこまれた部分が1枚のベース
基板(それは、例えば半導体のシリコン基板)上に構成
されているイメージセンサ401で、不図示の読み取り
基板上に実装され、イメージセンサ401の出力信号
は、実施例1と同様に不図示の読み取り基板上に実装さ
れている不図示のA/Dコンバータに接続され、n b
itsのデジタルの画像信号となる。まず、イメージセ
ンサ401の光電変換部分については実施例1と同様で
ある。72はフォトセンサがアレー状に並んだものであ
り、フォトセンサ72は光信号を電気信号に変換する光
電変換素子であり、フォトダイオードでもフォトトラン
ジスタでもよい。本例は、1ライン状にフォトセンサア
レーが並んでいるが、複数ライン(例えば、カラー3色
で3ライン)あってもよい。
【0033】次に、73及び75のSWは、フォトセン
サ72で発生した電気信号を取り出すためのもので、ク
ロック制御部78からのタイミング信号によりON/O
FFされ、タイミング信号のタイミングについては図2
に示したものと同様である。SW73は、フォトセンサ
72で所定時間に発生した電荷を電荷保持部74に転送
するSWである。電荷保持部74は、各フォトセンサと
1対1に設けられている。このSW73は、図2の上段
に示すように所定時間周期で一定時間ONする(図2の
“H”の時にONする)。SW73がONすることによ
りコンデンサ74に電荷が転送され、次の転送まで保持
する。そして、このコンデンサ74の電荷をSW75が
図2の下段に示すパルスにより順次ON/OFFするこ
とにより、フォトセンサアレーの各電荷が時系列的に順
次出力される。尚、電荷保持部74に蓄積された電荷
は、全ての電荷が転送された後、SW73のスイッチが
ONする前に、不図示のリセット機構により所定電圧に
セットされる。上記のフォトセンサアレー及び電荷転送
方法でなくCCDイメージセンサの構成であってもよ
い。SW73,75のコントロールは、クロック制御部
78で行われ、図2に示すようなパルスを外部からの周
期信号により生成し、SW73のSW群を同時にON
し、そして、規定時間後SW73のSW群を同時にOF
Fした後、外部クロックに応じてSW75を順次ON/
OFFするように制御する。
【0034】このようにして得られたフォトセンサの信
号は、ゲイン切り換え可能なアンプ402に接続されて
いる。このアンプ402は、読み取り処理のモード(例
えば反射原稿読み取り・投影原稿読み取り)により、フ
ォトセンサからの信号出力値が変るため、そのモードに
応じて切り換えるためのものである。反射原稿のときの
入射光量と投影原稿のときの投影光量を比較すると、投
影光量が極端に大きな光量となるため、そのまま次段の
アナログ処理系に信号を入れると処理系が飽和して正常
に信号を取り出せなくなる。そのため例えば、このゲイ
ン切り換えが3段階あるとすると、ゲイン切り換え量を
1倍・2倍・4倍と設定できるように抵抗値等を切り換
える。なお、反射原稿時のゲイン値を4倍とし、このゲ
イン値のときの全体のゲインを基準ゲインとする。この
ための抵抗が403および404であり、この実施例で
は抵抗403が固定で抵抗404が複数用意されており
これをSW405によって切り換える。
【0035】本実施例の場合は、1倍でSW405を全
てOFF、2倍で抵抗404が抵抗403と同じ抵抗値
のものが選択されるようにSW405がON、4倍で抵
抗404が抵抗403の3倍の抵抗値のものが選択され
るようにSW405がONする。なおこのゲイン切り換
えは、イメージセンサ401の外部信号により制御され
る。アンプ402で増幅された後、サンプルホールド4
06でフォトセンサ72の画素毎の信号がホールドされ
る。この実施例のサンプルホールド回路406は典型的
な一例であり、他の方法であっても構わない。なお、こ
のサンプルホールド406は、外部からの信号によりS
W407がONしフォトセンサ信号がコンデンサ408
にチャージされる。そして、SW407がOFFすると
再度SW407がONするまで、その電荷をホールドす
る。そのためコンデンサ408が接続されているアンプ
409は入力インピーダンスが高くなるように構成され
ている。
【0036】サンプルホールドされた信号は再度ゲイン
切り換え可能でかつクランプ動作可能なクランプアンプ
410に接続され、クランプ処理とゲイン切り換え処理
がなされる。このクランプ処理は、クランプ部411で
フォトセンサ72のオプティカルブラック(イメージセ
ンサ上のフォトセンサの受光部を遮光した部分)もしく
は光の入らない画素でのフォトセンサ信号を基に画像信
号レベルをクランプし、外部信号によりマスクされた未
露光時に所定の出力が得られるように信号レベルをコン
トロールする。また、ゲイン切り換えは、フォトセンサ
の感度ばらつきやカラーセンサの場合のカラーフィルタ
の濃度ばらつきを補正する。このゲイン値は、上記ばら
つきが±10%である場合、ゲイン切り換えステップを
3段階とすると、ゲインを1.8倍・2倍・2.2倍の
3種類を設ける。
【0037】そして、上記ばらつき結果によって、外部
からゲイン量をコントロールする。これにより図4に示
すようにばらつきが±10%から±5%程度に縮小する
ことができる。図4(1)はフォトセンサ72およびカ
ラーフィルタの濃度ばらつきであり、0%は、フォトセ
ンサとカラーフィルタの標準のときを示しており、+1
0%は出力が大きめに出ることを表し、−10%は出力
が小さめに出ることを表している。図4(1)の+5〜
+10%の信号出力の特性を持つ場合は、ゲイン1.8
倍を選択すると図4(2)の矢印で示す領域に出力特性
が変化する。逆に図4(1)の−5〜−10%の信号出
力の特性を持つ場合は、ゲイン2.2倍を選択すると図
4(2)の点線の矢印で示す領域に出力特性が変化す
る。これらのゲイン切り換えは、前述のゲイン切り換え
方法と同様に構成することができ、抵抗412および複
数の抵抗群413と該抵抗群413を切り換えるSW群
414とで構成され、これらの抵抗値は、上記ゲインを
実現するような値で構成すればよい。
【0038】上記切り換えSW405,407,414
は、イメージセンサ401の外部に備えられた演算制御
部からの制御信号に基づいて適切なスイッチをON/O
FFしている。
【0039】なお、ゲイン切り換え手段は、本実施例の
方法に限定するものではなく、例えば電流帰還型アンプ
を使用すれば帰還電流量を制御するように構成してもよ
く、反転アンプの構成でも実現できるのは言うまでもな
い。以上の処理をへて、イメージセンサ401の信号出
力が得られる。
【0040】(C)第3の実施例 図5は本発明による第3の実施例を示す図であり、実施
例2に対してフォトセンサの信号の取り出しを3つに分
割した例である。この構成は、フォトセンサ上にカラー
フィルタが…・RED・GREEN・BLUE・…の順
に交互に並べた場合それぞれの信号を色毎に分けてイメ
ージセンサ501から出力する場合で、色毎に感度およ
びばらつき量が異なるため、このように分割する必要が
ある。なお、フォトセンサ72から出た信号処理につい
ては、構成については実施例2と同様であるが、アンプ
1の3つのアンプ502、アンプ503、アンプ504
のゲインはそれぞれ違った値になっている(なお、同一
であってもかまわない)。以後の説明は説明の都合上、
図5の上側の処理がRED信号処理で、真ん中の処理が
GREEN信号処理で、下側の処理がBLUE信号処理
であるとする。さらに、それぞれの信号の出力比は、式
(3−1)で表されるとする。
【0041】 RED:GREEN:BLUE=1:a:b (3−1) なお、この比は白色光が入射した場合の値である。
【0042】このとき、REDの信号処理の基準のゲイ
ンをAとすると、GREENの信号処理の基準のゲイン
はA/aとなり、BLUEの信号処理の基準ゲインはA
/bとなる。この基準ゲインとは、実施例2で説明した
ように反射原稿時のゲインのときで、かつアンプ2のば
らつき補正0%の時のゲイン値トータルである(補正0
%のゲイン値を実施例2と同様に2倍とする)。このよ
うにRED・GREEN・BLUEのそれぞれのアンプ
502・アンプ503・アンプ504のゲインを選ぶ。
そして、アンプ1のゲイン切り換え量を実施例2と同様
にすると、REDのアンプ502のゲイン量はA/2・
A/4・A/8となり、GREENのアンプ503のゲ
イン量はA/(a×2)・A/(a×4)・A/(a×
8)となり、BLUEのアンプ504のゲイン量はA/
(b×2)・A/(b×4)・A/(b×8)となる。
この切り換えは、実施例2と同様に外部からコントロー
ルする。信号処理系において、サンプルホールド回路は
実施例2と同様なので説明を省略する。
【0043】次の3個のアンプ2は、実施例2と同様に
RED・GREEN・BLUEそれぞれ同一に構成して
も構わないが、RED・GREEN・BLUEによって
光電変換素子毎のRGBフィルタの濃度ばらつきが異な
るため、その値に対応するようにアンプ2のそれぞれの
ゲイン切り換え量を可変する。本実施例ではREDのば
らつき量を±d%、GREENのばらつき量を±e%、
BLUEのばらつき量を±f%であって、d<e<fの
関係であるとする。
【0044】このとき、アンプ2のゲイン切り換えを実
施例2と同様に3段階とすると、ゲインの切り換えは、
補正なしのゲインが2なので、アンプ505のゲインは
それぞれ2×((100−d)÷100))・2・2×
((100+d)÷100))、アンプ506のゲイン
は2×((100−e)÷100))・2・2×((1
00+e)÷100))、アンプ507のゲインは2×
((100−f)÷100))・2・2×((100+
f)÷100))とする。そうすると、ばらつき量は、
アンプ入力レベルに応じてゲインを切り換えるので、R
EDが±d/2、GREENが±e/2、BLUEが±
f/2となり、色毎のばらつき量が異なることになる
が、ばらつき量は半分に抑えることができる。
【0045】さらに、ばらつき量を抑えるためには、一
般にGREENとBLUEはREDより、ばらつき量が
大きいので、補正のためのアンプ2のゲイン切り換えを
GREENで5段階、BLUEで7段階と変えることに
より精度をあげることが出来る。
【0046】3色の信号は、マルチプレクサ508によ
って時系列的なシリアル信号に変換されイメージセンサ
501の信号出力として出力される。
【0047】(D)第4の実施例 実施例2及び実施例3において、フォトセンサ72の感
度ばらつき及びカラーフィルタのばらつきなどを補正す
るアンプとこのアンプのゲイン切り換えの設定をも、基
板上のイメージセンサ401,501の内部に保持でき
るように、本実施例では、本イメージセンサを制御する
CPUの介在によって、記憶装置のEEPROMもしく
は、マスクROMに、ゲイン切り換えの設定レベルを保
持できるようにイメージセンサを構成する。そして、イ
メージセンサの出荷検査で上記ばらつき量を測定し、最
適な設定値を上記EEPROMもしくは、マスクROM
に設定する。これにより、イメージセンサ特有のばらつ
きに応じてアンプのゲインを切り換え設定して、ばらつ
き量を出荷時には、半分以下にすることができる。な
お、本実施例では、ゲイン切り換え量は3ステップであ
ったが、このステップに限定するものではない。
【0048】次に、上記イメージセンサであるフォトセ
ンサとアナログ信号処理回路の出力から、更に種々のば
らつきを除去できる本発明による実施例を説明する。
【0049】(E)第5の実施例 図6は、本発明を実施した画像処理系を表すブロック図
である。各々の画像処理ブロックの説明を順次行なう。
【0050】(1)カラーイメージセンサ201 カラーイメージセンサ201は、上記実施例1乃至4で
説明したイメージセンサ80,401,501と同様の
もので、図7に示すような512画素のフォトセンサ2
01−1を有するイメージセンサであり、不図示の白色
光源(例えばハロゲンランプや蛍光灯)で照明された原
稿画像を色分解し、原稿画像に対応するRGBのアナロ
グ信号をアナログ信号処理回路201−2に出力する。
【0051】以下、図7に沿って、カラーイメージセン
サ201の内部の動作の説明をする。図7において、太
線でかこまれた部分が1枚のベース基板(例えば半導体
シリコン基板)上に構成されているカラーイメージセン
サ201−1及びアナログ信号処理回路201−2であ
る。カラーイメージセンサ201は、読み取り基板25
2上に実装され、カラーイメージセンサ201の出力信
号は、読み取り基板252上に実装されているA/Dコ
ンバータ203に接続され、例えば8bitのデジタル
の画像信号となる。まず、カラーイメージセンサ201
について説明する。カラーイメージセンサ201−1
は、フォトセンサ512画素がアレー状に並んだもので
あり、フォトセンサは光信号を電気信号に変換する光電
変換素子であり、フォトダイオードでもフォトトランジ
スタでもよい。本例は、1ライン状にフォトセンサアレ
ーが並んでいる例であるが、このフォトセンサアレー
は、2個のフォトセンサチップをつなぎあわせて1ライ
ンに構成していても、1個のシリコンチップ上に2回の
フォトマスク露光を行なった後の拡散加工により1ライ
ンを構成していてもどちらでもよい。または、Rライ
ン、Gライン、Bラインの3ラインで構成される3ライ
ンカラーセンサであっても、各々のラインが上記構成に
なっていれば本特許の実施例範囲に入る。
【0052】また、253及び254は、フォトセンサ
201−1で発生した電気信号を1画素毎に順次取り出
すためのスイッチSWであり、スイッチ253及び25
4の開閉タイミングは、クロック制御部255により制
御されている。スイッチ253は、フォトセンサ201
−1で所定時間に発生した電荷を例えばコンデンサなど
で構成された電荷保持部256に転送する機能を有して
いる。電荷保持部256は、フォトセンサ201−1の
各画素に対して、1対1に設けられている。このスイッ
チ253は、図8に示すように、1ラインの読み取り周
期に応じた所定時間周期をもつφSHで一斉に一定時間
ONする(図8のφSHがHの時にONする)。スイッ
チ253がONすることにより、フォトセンサ201−
1の各画素に蓄積された電荷が電荷保持部256に一気
に転送され、次の転送まで該電荷が保持される。
【0053】そして、この電荷保持部256に保持され
た電荷をスイッチ254が図8のφCLK1〜φCLK
512により順次ON/OFFすることにより、蓄積さ
れた電荷が順次に出力される。尚、電荷保持部256に
蓄積された電荷は、スイッチ254により、全ての電荷
が転送された後、スイッチ253が再びONする前に不
図示のリセット機構により所定電圧にセットされる。な
お、電荷転送方式は、上記のフォトセンサ201−1の
電荷転送方法に限定されるものではなく、CCDイメー
ジセンサに代表されるアナログシフトレジスタの構成で
あっても同様であることは言うまでもない。スイッチ2
53〜254の制御は、クロック制御部255で行わ
れ、外部からの周期信号によりスイッチ253のスイッ
チ群を同時にONし、そして、規定時間後スイッチ25
3のSW群を同時にOFFした後、外部クロックに応じ
てスイッチ254を順次ON/OFFするように制御す
る。フォトセンサ201−1からの信号は、電荷保持部
256を介して、アンプ257で増幅される。このアン
プ257は、カラーイメージセンサ201外部に設けて
ある増幅回路制御部259から出力される制御信号によ
り増幅率がコントロール可能である。そして、アンプ2
57で増幅された信号はクランプ回路258により信号
レベルを規定レベルにシフトし、カラーイメージセンサ
201から出力され、A/Dコンバータ203によりデ
ジタル画像信号に変換される。本実施例の場合は、カラ
ーイメージセンサ201の出力がA/Dコンバータ20
3の入力に直接入っているが、カラーイメージセンサ2
01の出力とA/Dコンバータ203の間に他の処理
(例えばサンプルホールド回路、DCクランプ回路、バ
ッファ、アンプ、レベル変換回路等)が入っていてもよ
いことは言うまでもない。
【0054】(2)A/Dコンバータ203 カラーイメージセンサ201により、信号処理及び信号
増幅されたRGBアナログ信号は、A/Dコンバータ2
03に入力し、例えば8ビットのRGBデジタル信号に
変換される。即ち、A/Dコンバータ203への入力に
おいて第1の基準電圧としての最低電圧VBTM の電圧が
入力すればデータ00h(hは16進数を表す)を出力
し、第2の基準電圧としての最高電圧VTOP の電圧が入
力すればデータFFhを出力し、もって256レベルの
信号を出力する。ここでは、データ00hが輝度最小
(黒レベル)、データFFhが輝度最高(白レベル)を
表す。
【0055】(3)シェーディング補正回路204 A/Dコンバータ203より出力される例えば8ビット
のRGBデジタル信号はシェーディング補正回路204
に入力する。シェーディング補正回路204は、図9に
示すように黒補正回路31及び白補正回路32により構
成されている。黒補正回路31は、カラーイメージセン
サ201の暗時出力電圧をキャンセルする回路である。
カラーイメージセンサ201は、それぞれの画素に光が
入力しなくても多少の電圧を出力し(いわゆる暗時出力
電圧)、この暗時出力電圧はカラーイメージセンサ20
1及びアナログ信号処理回路202のおかれている環境
条件、特に温度変動により左右される。従って、常に最
新の暗時出力電圧に対応するデジタル値を差し引かない
と、同じ原稿を読み取っても動作のたびに色調や濃度が
変化してしまうという現象が発生する状態に対処するも
のである。
【0056】また、白補正回路は、カラーイメージセン
サ201の感度ムラや照明光源の照明ムラによる各画素
の出力信号の不均一性を補正する回路である。白補正を
行なわないと、一様な色調及び濃度を有する原稿を読み
取っても、画素毎に色調や濃度が変動することになる。
【0057】まず、黒補正回路31について説明する。
黒補正回路31は、暗時出力電圧に対応するデジタル値
信号を読み取り、基準の信号により減算する回路であ
り、Dタイプフリップフロップ(以下DFFと記す)3
11、レジスタ312〜314、セレクタ315、減算
器316により構成されている。DFF311は、A/
Dコンバータ203の出力SIGをラッチするフリップ
フロップであり、信号CLKの立上りで端子Dに入力す
るデータをサンプル/ホールドする。DFF311の出
力は、減算器316の+端子に入力するとともに、不図
示のCPUにも入力し、CPUは画素毎のデータを取り
込むことができる。一方、312はレジスタであり、前
述の不図示の白色光源の電源をオフにした状態でのDF
F311の出力のうち、R画素のデジタル信号512画
素分の平均値がCPUを介してレジスタ312に書き込
まれる。白色光源は点灯していないので、レジスタ31
2には全R画素の暗出力値の平均値が書き込まれる。レ
ジスタ313及びレジスタ314は、レジスタ312と
同一の構成をもつレジスタであり、それぞれ前記G画素
の暗出力の平均値、全B画素の暗出力の平均値が、不図
示のCPUによりそれぞれ書き込まれる。このレジスタ
312〜314の値が黒補正の基準の信号となる。
【0058】セレクタ315は制御信号SEL<1..
0>の制御に従い、レジスタ312〜レジスタ314の
いずれかひとつの出力を選択して減算器316の一端子
に選択した信号を出力する。制御信号SEL<1..0
>は、DFF311がR画素の信号を出力するときはセ
レクタ315よりレジスタ312の値が選択出力するよ
うに、DFF311がG画素の信号を出力するときはセ
レクタ315よりレジスタ313の値が選択出力するよ
うに、DFF311がB画素の信号を出力するときはセ
レクタ315よりレジスタ315の値が選択出力するよ
うに制御されている。
【0059】図10に画像信号STG<7..0>とD
FF311に入力するクロックCLKとセレクタ315
に入力する制御信号SEL<1..0>のタイミングチ
ャートを示す。図中、φTGはカラーイメージセンサ2
01のライン同期信号であり、シェーディング補正回路
204においては、φTGの立上りからカラーイメージ
センサ201の第1画素SR1、即ち第1番目のR画素
が入力し、以降順番にSC1(第1番目のG画素)、S
B1(第1番目のB画素)、SR2(第2番目のR画
素)、・・・が入力する。減算器316の出力は白補正
回路32に入力され、白補正処理がなされる。
【0060】次に、白補正回路32の構成及び動作につ
いて説明する。白補正回路32は、レジスタ317とセ
レクタ318、319とRAM320と乗算器321よ
り構成されている。
【0061】白補正処理を行なうときは、図11に示す
ように、読み取り部51を原稿台ガラス52の読み取り
領域近傍に設けてある基準白色板53の真下に移動さ
せ、ランプ54を点灯させることにより、レンズ系55
を介して基準白色板53をカラーイメージセンサ201
で読み取る。このとき不図示のCPUは、図9中のレジ
スタ317に1をセットし、RAM320のアドレスバ
スにセレクタ318を介して不図示のアドレスカウンタ
バスを接続するとともに、RAM320の入力データバ
スにセレクタ319を介してカラーイメージセンサ20
1の読み取り信号SIGを接続する。不図示のアドレス
カウンタはカラーイメージセンサ201の1画素読み取
り周期に同期したクロックによりカウント値がインクリ
メントされるカウンタであり、従って、RAM320を
ライトモードに設定することによって読み取ったカラー
イメージセンサ201の各画素のデータを順次全画素デ
ータとして保持することができる。RAM320の出力
データバスは、乗算器321のB端子に入力するととも
に、不図示のCPUにもデータを送出する。従って、R
AM320をリードモードに設定すれば、基準白色板5
3の読み取りデータを不図示のCPUに取り込むことが
できる。
【0062】このとき不図示のCPUはレジスタ317
に0をセットし、RAM320のアドレスバスにCPU
のアドレスバスをセレクタ318を介して導くととも
に、RAM320の入力データバスにCPUのデータバ
スをセレクタ319を介して導くよう設定されている。
読み取った画素アドレスとデータの関係を図12(a)
に示す。
【0063】図12(a)に示すように、本来は均一な
白色濃度を有する基準白色板53を読み取っているので
あるから、各画素のデータも均一なのであるが、各画素
の感度の違いや、照明ムラが原因で均一にならない。ま
た、根本的にR画素、G画素、B画素の感度が異なるた
め、図に示すようにそれぞれの色画素によっても出力値
が異なっている。
【0064】白補正処理は、これらの各画素の不均一出
力性を補正するものである。補正手順を説明する。以降
データ値は説明を簡単にするために10進数表記で説明
する。従って、データは0〜255までの値で表現され
る。図12(a)中のR信号のうちドットで示したRd
の信号値が230であったとすると、この画素のダイナ
ミックレンジは0〜230である。この画素が0〜25
5のダイナミックレンジを有するように変換するために
は、255/230=1.109のゲインを乗ずれば良
い。実際にはデシタル的に補正を行なうため、ゲインは
整数でなければならないので、さらに128を乗じて演
算結果に最も近い整数を選択する。画素Rdの場合は、
128×255/230=141.9から、142が画
素Rdに与えられるゲイン値である。このようにして全
ての画素に対するゲインが決定し、決定したゲインは不
図示のCPUにより、画素のアドレスに1対1で対応し
ているRAM320のアドレスに書き込まれる。このと
き、不図示のCPUは図9のレジスタ317に0をセッ
トし、RAM320をライトモードに設定している。図
12(a)のG信号の画素Gdの信号値が200、B信
号の画素Bdの信号値が180であったとすると、画素
Gdには、ゲイン128×255/200=163.2
から、ゲイン値163を、画素Bdには、ゲイン128
×255/180=181.3から、ゲイン値181を
与えられる。
【0065】RAM320に全ての画素のゲインが書き
込まれると、不図示のCPUは図9のレジスタ317に
1をセットするとともにRAM320をリードモードに
設定する。従って、乗算器321の端子Aに黒補正され
た読み取りデータが入力するタイミングで、入力する画
素に対応したゲインが乗算器321の端子Bに入力す
る。乗算器321では端子Aに入力するデータと、端子
Bに入力するデータを乗算し、乗算結果を128で割
る。最終的な演算結果が整数でない場合は整数に補正さ
れる。このようにして、全ての画素のダイナミックレン
ジは0〜255となり、読み取りムラが補正される。こ
のRAM320へのデータ書き込みは、基準白色板53
への照明の度に、即ち例えば原稿用紙の変更の度に一瞬
の内に行われる。白補正の結果、基準白色板53の読み
取り状態は図12(b)に示すように画素毎のムラや色
毎のムラのない最高レベル値を示すように補正されてい
る。このシューディング補正回路204の出力は、入力
マスキング回路205に入力される。
【0066】(4)入力マスキング回路205 入力マスキング回路205は、カラーイメージセンサ2
01に蒸着されているRGBのカラーフィルタによる色
分解特性で表現される色空間範囲と、カラー機器で標準
となる色空間を合致させるように色空間を補正する回路
である。具体的には、以下に示す、3×3の行列演算を
行なう。
【0067】 上記の行列演算により、 R′=a11×R+a12×G+a13×B ……(式1−1) G′=a21×R+a22×G+a23×B ……(式1−2) B′=a31×R+a32×G+a33×B ……(式1−3) の演算が行なわれる。但し、R′,G′,B′は入力マ
スキング回路の出力信号、R,G,Bは入力マスキング
回路の入力信号、a11〜a33は補数で表される係数であ
る。入力マスキング回路を実現した回路例を、図13に
示す。
【0068】図13において、演算回路101は式1−
1〜1−3のa11×R,a21×R,a31×Rを算出する
回路である。演算回路101は図13に示すように、レ
ジスタ110〜115、セレクタ116〜118、乗算
器119により構成される。
【0069】まず、セレクタ116及びセレクタ117
に入力する2ビットの選択制御信号SEL1<1..0
>のタイミングチャートの一例を図14に示す。図に示
すように、演算回路101に入力するR信号の入力タイ
ミングに対して、SEL1<1..0>が0のときは、
端子0に入力する信号、即ちセレクタ116ではレジス
タ110の値が選択され、セレクタ117ではレジスタ
113の値が選択される。同様に、SEL1<1..0
>が1のときは、端子1に入力する信号、即ちセレクタ
116ではレジスタ111の値が選択され、セレクタ1
17ではレジスタ114の値が選択される。また、SE
L1<1..0>が2のときは、端子2に入力する信
号、即ちセレクタ116ではレジスタ112の値が選択
され、セレクタ117ではレジスタ115の値が選択さ
れる。
【0070】次に、セレクタ118に入力する1ビット
の選択制御信号SEL2のタイミングチャートを、図1
5に示す。図に示すように演算回路101に入力するR
信号の入力タイミングに対して、SEL2が0のとき
は、端子0に入力する信号、即ちセレクタ116の信号
が選択され、SEL2が1のときは、端子1に入力する
信号、即ちセレクタ117の信号が選択される。
【0071】つまり、レジスタ110に第1画素〜第2
56画素に対する前述の式1−1のa11を、レジスタ1
11にa21を、レジスタ112にa31を、また、レジス
タ113に第257画素〜第512画素に対する前述の
式1−1のa11を、レジスタ114にa21を、レジスタ
115にa31を不図示のCPUにより書き込んでおけば
第1画素〜第512画素までの前述の式1−1〜1−3
を算出するために必要なパラメータa11×R,a21×
R,a31×Rが所定のタイミングで乗算器119より出
力される。図13において、演算回路102及び103
は、演算回路101と全く同様の構成を有する演算回路
である。即ち演算回路102からは、第1画素〜第51
2画素までの前述の式1−1〜1−3を算出するために
必要なパラメータa12×G,a22×G,a32×Gが所定
のタイミングで出力される。
【0072】また、演算回路103からは、第1画素〜
第512画素までの前述の式1−1〜1−3を算出する
ために必要なパラメータa13×B,a23×B,a33×B
が所定のタイミングで出力される。演算回路101〜1
03の出力は、演算回路104に入力し、端子A,B,
Cに入力するデータが全て加算され加算結果が出力され
る。
【0073】もって、演算回路101〜103の内部レ
ジスタにそれぞれ最適な係数を書き込むことによりカラ
ーセンサ201に蒸着されるRGBフィルタの分光特性
がどのようなものであっても、読み取られたカラーデー
タは、その他のカラー機器の標準である色空間と同じに
扱うことができる。
【0074】また、図24に示すような、カラーセンサ
201の分光特性が前半256画素と後半256画素で
異なる場合でも、それぞれに別個の入力マスキング係数
を設定することにより、512画素全て標準の色空間に
変換できる。
【0075】(5)変倍回路206 入力マスキング回路205の出力は、変倍回路206に
入力する。変倍回路206は、入力するデータに対して
複数回の重複読み出しを行なうことにより、拡大データ
を出力し、入力するデータに対して複数回の間引き読み
出しを行なうことにより、縮小データを出力する。重複
読み出しまたは間引き読み出しのタイミングは変倍率に
よりあらかじめ決められており、ユーザが所望する変倍
率の画像データが変倍回路206より出力する。
【0076】(6)log変換回路207 変倍回路206の出力はlog変換回路207に入力す
る。log変換回路107はRGB輝度データを、RG
B色の補色であるシアン(C)、マゼンタ(M)、イエ
ロー(Y)のCMY濃度データに変換する回路である。
一般的には、入力するRGBデータの各色に対してそれ
ぞれルックアップテーブル(LUT)が設けてあり、R
GB輝度データをCMY濃度データに変換する。
【0077】(7)出力マスキング/UCR回路208 log変換回路207の出力は出力マスキング/UCR
回路208に入力する。出力マスキング/UCR回路2
08は、log変換回路207にておおまかに濃度デー
タに変換されたCMYデータをC,M,Yそれぞれのデ
ータ値の相関をとり、最適なCMYデータに変換すると
同時に、その色に含まれる黒成分を抽出しK(ブラッ
ク)データを算出するものである。例えば、濃度レベル
が高い無彩色データが入力すると、Kデータが大きな値
として算出され、Cデータ、Mデータ、Yデータは濃度
レベルの割りには小さな値が算出されるようにパラメー
タが設定されている。基本的には、前述の入力マスキン
グ回路205と同様のマトリクス演算によりその機能が
実現されている。入力する3色のCMYデータに対して
黒色を含んだ4色のCMYKデータを出力する。
【0078】(8)γ変換回路209 γ変換回路209は、入力するCMYKデータに対し
て、実際にプリントを行なうプリンタのインクまたはト
ナーなどの色材に対応したCMYK各色の濃度の微調整
を行なうデータ変換回路である。回路を実現するには、
前述のlog変換回路207と同様のLUTを用いる手
法が一般的である。
【0079】(9)2値化回路210 γ変換回路209より出力されるCMYKデータは、2
値化回路210に入力する。2値化回路210は、先に
述べたように後段のプリンタ211が例えばインクジェ
ットブリンタであるために、1つのデータに対して、ド
ットを打つか打たないかの制御しか行なえない。従っ
て、入力する0〜255までのデジタル多値データに対
応して、0か1かの2値データに変換する。2値化の手
法は色々な変換手法が提案されており、最も代表的な誤
差拡散法が一般的であるが、構成が極めて簡潔な固定ス
ライスレベル法を用いたプリンタも存在する。ここでは
詳細な説明を省略する。
【0080】(10)プリンタ211 プリンタ211は、2値化回路210で2値化されたC
MYKデータを入力し、データ0のときは印字せず、1
のときにインク滴を吐出してプリントを行なう装置であ
る。ユーザはプリンタ211より出力されるプリント結
果により、所望の読取画像の印字結果を得ることができ
る。
【0081】以上で、本発明の実施例について説明した
が、本発明は実施例で述べた、色空間の変換手段として
の入力マスキング回路に限るものではなく、例えば前述
の出力マスキング/UCR回路208に本発明を実施し
てもよい。即ち、例えばスタンドアロンのカラー複写機
を考えた場合には、カラー機器標準の色空間に変換する
入力マスキング回路は不要である。しかしながら、プリ
ンタの色再現を忠実に行なうために行なう出力マスキン
グ回路に、本発明を実施することにより前半画素と後半
画素でプリントされる色が異なる、という不具合を解消
できる。出力マスキング回路の構成は入力マスキング回
路に入力する画像データがRGBの輝度データに対して
出力マスキング回路に入力する画像データがCMYの濃
度データであること以外は、RGBのデータをCMYデ
ータに変換することで、機能的に全く同様の構成をとる
ため、ここでは説明を割愛する。
【0082】また、本発明の実施例では説明を省いた
が、ユーザが所望する範囲に色を付け、着色範囲に所定
の画像処理を施す、編集回路などにおいてもユーザが着
色した色を正確に判定する必要があるため、ここでも本
発明の応用が用意に考えられることはいうまでもない。
【0083】(F)第6の実施例 上記実施例5では、前半256画素と後半256画素の
分光特性の違いに着目して、特に図13の構成による入
力マスキング回路を提案したが、それ以外の不具合要因
として、つなぎ目の位置精度が不十分なために、つなぎ
目の画素の電荷のクロストーク量がそれ以外の画素のク
ロストーク量と異なるため、同じ色を読み取っても、つ
なぎ目の画素の色がそれ以外の画素の色と異なる場合が
ある。つまり、前半のつなぎ目画素である第256画素
と後半のつなぎ目画素である第257画素の原稿色に対
する分光性能がその他の画素の分光性能と異なることが
十分に考えられる。
【0084】この不具合の対策として、図13の回路構
成を改良して、図16の構成とすることで不具合を解消
できる。即ち、図13の入力マスキング回路に対して、
演算回路101−2内部に、4入力のセレクタ120、
レジスタ121〜126及びセレクタ127〜128を
追加すればよい。
【0085】つまり、セレクタ120は、第256画素
目の信号が入力するときは、端子2の入力を選択し、第
257画素目の信号が入力するときは、端子3の入力を
選択する。レジスタ121から123には第256画素
専用のマスキング係数が書き込まれており、同様にレジ
スタ124から126には第257画素専用のマスキン
グ係数が書き込まれているので、演算回路102−2〜
103−2の構成を演算回路101−2と全く同一に構
成することにより、演算回路101−2〜103−2の
内部レジスタにそれぞれ最適な係数を書き込むことによ
りカラーセンサ201に蒸着されるRGBフィルタの分
光特性がどのようなものであっても、読み取られたカラ
ーデータは、画素のつなぎ目においてRGBフィルタの
分光特性に差異があったとしても、その他のカラー機器
の標準である色空間と同じに扱うことができる。
【0086】また、図24に示すような、カラーセンサ
201の分光特性が前半256画素と後半256画素で
異なる場合、さらには第256画素目と第257画素目
の分光特性が他の画素のそれと異なる場合でも、それぞ
れに別個の入力マスキング係数を設定することにより、
512画素全て標準の色空間に変換できる。
【0087】(G)第7の実施例 実施例7では、本発明を前述のシェーディング補正回路
204中の黒補正回路に実施した例につき、図17を用
いて説明を行なう。
【0088】図17中、黒補正回路31−2は、暗時出
力電圧に対応するデジタル値を、読み取り信号より減算
する回路であり、Dタイプフリップフロップ(以下DF
Fと記す)311、レジスタ312〜314及びレジス
タ121〜123、セレクタ315及びセレクタ124
〜125、減算器316により構成されている。DFF
311は、A/Dコンバータ203の出力信号SIGを
ラッチするフリップフロップであり、信号CLKの立上
りで端子Dに入力するデータをサンプル/ホールドす
る。DFF311の出力は、減算器316の+端子に入
力するとともに、不図示のCPUにも入力し、CPUは
画素毎のデータを取り込むことにができる。
【0089】一方、312はレジスタであり、前述の不
図示の白色光源の電源をオフにした状態でのDFF31
1の出力のうち、R画素のデシタル信号の第1画素から
第256画素分の平均値がCPUにより書き込まれる。
白色光源は点灯していないので、レジスタ312には第
1画素から第256画素のR画素の暗出力値の平均値が
書き込まれる。レジスタ313、レジスタ314、レジ
スタ121、レジスタ122、レジスタ123は、レジ
スタ312と同一の構成をもつレジスタであり、それぞ
れ順に第1画素から第256画素のG画素の暗出力の平
均値、第1画素から第256画素のB画素の暗出力の平
均値、第257画素から第512画素のR画素の暗出力
の平均値、第257画素から第512画素のG画素の暗
出力平均値、第257画素から第512画素のB画素の
暗出力の平均値が不図示のCPUにより書き込まれる。
セレクタ315は制御信号SEL<1..0>の制御に
従い、レジスタ312〜レジスタ314のいずれかひと
つの出力を選択してセレクタ125の端子0に選択した
信号を出力する。また一方、セレクタ124も制御信号
SEL<1..0>の制御に従い、レジスタ121〜レ
ジスタ123のいずれかひとつの出力を選択してセレク
タ125の端子1に選択した信号を出力する。
【0090】制御信号SEL<1..0>はDFF31
1がR画素の信号を出力するときはセレクタ315より
レジスタ312の値を選択出力すると同時にセレクタ1
24よりレジスタ121の値を選択出力するように、D
FF311がG画素の信号を出力するときはセレクタ3
15よりレジスタ313の値を選択出力すると同時にセ
レクタ124よりレジスタ122の値を選択出力するよ
うに、DFF311がB画素の信号を出力するときはセ
レクタ315よりレジスタ313の値を選択出力すると
同時にセレクタ124よりレジスタ123の値を選択出
力するように制御されている。また、制御信号SELA
はSELAが0のときはセレクタ315の出力信号を選
択し、1のときはセレクタ124の出力信号を選択す
る。セレクタ125は減算器316の一端子に選択した
信号を出力する。
【0091】図10に画像信号SIG<7..0>とD
FF311に入力するクロックCLKとセレクタ315
に入力する制御信号SEL<1..0>のタイミングチ
ャートを示す。図中φTGはカラーイメージセンサ20
1のライン同期信号でありシェーディング補正回路20
4においてはφTGの立上りからカラーイメージセンサ
201の第1画素SR1、即ち第1番目のR画素が入力
し、以降順番にSG1(第1番目のG画素)、SB1
(第1番目のB画素)、SR2(第2番目のR画素)、
…が入力する。
【0092】セレクタ125に入力する1ビットの選択
制御信号SELAのタイミングチャートを図18に示
す。図10及び図18のタイミングチャートより明らか
なようにレジスタ312〜314及びレジスタ121〜
123に先に述べた所定の値を不図示のCPUにより書
き込んでおけば、第1画素〜第512画素までの最適な
暗出力補正パラメータがセレクタ125より出力され
る。減算器316の出力は白補正回路32に入力し、白
補正処理がなされる。白補正回路32の機能及び図6に
示したその他の画像処理回路の機能については実施例1
の構成、機能と全く同一なのでここでは割愛する。
【0093】(H)第8の実施例 実施例7では、前半256画素と後半256画素の暗出
力特性の違いに着目して、図17の構成によるシェーデ
ィング回路を提案したが、それ以外の不具合要因とし
て、つなぎ目の位置精度が不十分、あるいは2回に分け
て行なうフォトマスク露光の露光ずれ等の要因のために
つなぎ目の画素の電荷のクロストーク量がそれ以外の画
素の暗出力特性と異なる場合がある。つまり、前半のつ
なぎ目画素である第256画素と後半のつなぎ目画素で
ある第257画素の暗出力特性がその他の画素の暗出力
特性と異なることが十分に考えられる。
【0094】この不具合の対策として、図17の回路構
成を改良して図19の構成とすることで不具合を解消で
きる。即ち暗出力補正回路31−3内部に、4入力セレ
クタ130、レジスタ131〜136及びセレクタ13
7〜138を追加すればよい。つまり、セレクタ130
は、第256画素目の信号が入力するときは、端子2の
入力を選択し、第257画素目の信号が入力するとき
は、端子3の入力を選択するよう制御信号SELB<
1..0>で制御される。
【0095】レジスタ131から133には第256画
素専用の暗出力補正係数が書き込まれており、同様にレ
ジスタ134から136には第257画素専用の暗出力
補正係数が書き込まれているので、512画素全て良好
な暗出力補正が実現できる。
【0096】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光電変換素子を複数配置したイメージセンサにおける各
画素のばらつきを抑制し、補正することができる。具体
的には、1つの基板のイメージセンサ内のフォトセンサ
出力にゲインを切り換える手段を設け、フォトセンサに
入射する光量と後段のアンプの処理レンジによりゲイン
を切り換えることにより、イメージセンサの低電圧化に
伴う後段のアンプのレンジ低下の影響を受け難いイメー
ジセンサを実現することができる。
【0097】また、イメージセンサ内にクランプ補正手
段とオフセット補正手段を内蔵することにより、イメー
ジセンサが接続されるA/D変換器の入力レンジに、自
由に対応することができるため、イメージセンサとA/
Dコンバータ間に補正回路が必要なく、かつA/Dコン
バータのレンジを有効に使用することができる。
【0098】さらに、イメージセンサのフォトセンサの
ばらつきやカラーフィルタの透過特性のばらつき等のば
らつき量に相当するイメージセンサの出力ばらつきを補
正するため、そのばらつきを打ち消すようなゲインを持
ちそれを切り換える手段を有することにより、イメージ
センサの感度ばらつきを低減することができる。そし
て、その補正切り換え値を記憶する手段をイメージセン
サ内に設け、イメージセンサのチェック時等にその切り
換え値をイメージセンサにセットし保持することによ
り、感度ばらつきの少ないイメージセンサを実現するこ
とができる。
【0099】加えて、シリコンチップのふたつの切り出
し領域のつなぎ精度、及びシリコンチップに施すフォト
マスク露光の露光ずれ等に起因する前半画素と後半画素
の分光特性の違いによる所望の色空間変換に変換できな
い各画素、チップのつなぎ等のばらつきを解消するた
め、前半画素と後半画素それぞれに別個の入力マスキン
グ係数を設定するレジスタ、及びレジスタの値を導くセ
レクタを設けることにより、全ての画素のついて、読み
取られた原稿の読み取りデータが、カラー機器標準の色
空間に変換することができる。
【0100】また、前半画素と後半画素それぞれに別個
の暗出力補正係数を設定するレジスタ、及びレジスタの
値を導くセレクタを設けることにより、全ての画素につ
いて読みとられた原稿の読み取りデータを、同じ信号レ
ベルに補正することができる。
【0101】また、実施例6,実施例8で述べたよう
に、前半画素と後半画素のつなぎ目の画素についても、
それぞれに専用のマスキング係数または専用の暗出力補
正係数が設定できるレジスタと、レジスタの値を導くセ
レクタを設けることにより、つなぎ目の画素のクロスト
ークの影響による、色空間の違い及び暗出力補正結果の
違いも補正できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による一実施例のイメージセンサを含む
ブロック図である。
【図2】図1及び図3に示す一実施例に適用されるタイ
ミングチャートである。
【図3】本発明による一実施例のイメージセンサを含む
ブロック図である。
【図4】図3に示す一実施例による各アンプのゲインを
切り換えた場合のばらつき抑制を説明する説明図であ
る。
【図5】本発明による一実施例のカラーイメージセンサ
の内部ブロック図である。
【図6】本発明による一実施例の画像処理回路の全体を
示すブロック図である。
【図7】本発明による一実施例のイメージセンサ部分の
ブロック図である。
【図8】図7のイメージセンサの動作を説明するための
タイミングチャートである。
【図9】本発明による一実施例のシェーディング補正回
路の構成図である。
【図10】図9の各部の動作を説明するためのタイミン
グチャートである。
【図11】図9によるシェーディング補正を行なうとき
の部材の配置図である。
【図12】図9に示したシェーディング補正回路のシェ
ーディング補正前と補正後の結果を表す図である。
【図13】本発明による一実施例を実現した入力マスキ
ング回路の構成図である。
【図14】本発明による一実施例のマスキング回路の動
作を説明するタイミングチャートである。
【図15】図13中、セレクタ118に入力する1ビッ
トの選択制御信号SEL2のタイミングチャートであ
る。
【図16】本発明の一実施例中、入力マスキング回路の
ブロック図である。
【図17】本発明による一実施例の黒補正信号処理回路
のブロック図である。
【図18】図17に示した黒補正信号処理回路のタイミ
ングチャートである。
【図19】本発明の一実施例中、入力マスキング回路の
ブロック図である。
【図20】インクジェットプリンタの印字部を示す概念
図である。
【図21】図20のインクジェットプリンタの印字部に
対応するカラーセンサの読み取り部を示す概念図であ
る。
【図22】カラーイメージセンサのカラーフィルタ生成
の蒸着を示す概念図である。
【図23】シリコンウエハの切り出しの様子を示す図で
ある。
【図24】カラーイメージセンサチップのつなぎによる
ばらつきの一部を示す概念図である。
【図25】カラーイメージセンサチップのつなぎにおけ
るフィルター実装を説明するための概念図である。
【符号の説明】
31 黒補正回路 32 白補正回路 71 イメージセンサ 72 フォトセンサ 73,75,405,407,414 スイッチ 74,256 電荷保持手段 76,257 アンプ 77,258 クランプ回路 101〜103,101−2〜103−2 演算回路 104 演算回路 110〜115,121〜126 レジスタ 116〜118,127〜128 セレクタ 119 乗算器 201 カラーイメージセンサ 201−1 フォトセンサ 201−2 アナログ信号処理回路 203 A/D変換器 204 シェーディング補正回路 205 入力マスキング回路 206 変倍回路 207 log変換回路 208 出力マスキング/UCR回路 209 γ変換回路 210 2値化処理回路 211 プリンタ 231 マスタシリコン板 232〜234 切り出し領域 241 Rフィルタ 242 Gフィルタ 243 Bフィルタ 244 フィルタがかからない領域

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 同一基板上に生成された、少なくとも一
    画素以上をアレー状に配列された光電変換手段と、その
    光電変換手段の各画素の電荷を転送する第一の電荷転送
    手段と、その転送された電荷を一つずつ転送する第二の
    電荷転送手段とを具備するイメージセンサにおいて、 前記同一基板上にて前記第二の電荷転送手段の出力にゲ
    イン制御アンプを接続したことを特徴とするイメージセ
    ンサ。
  2. 【請求項2】 同一基板上に生成された、少なくとも一
    画素以上をアレー状に配列された光電変換手段と、その
    光電変換手段の各画素の電荷を転送する第一の電荷転送
    手段と、その転送された電荷を一つずつ転送する第二の
    電荷転送手段とを具備するイメージセンサにおいて、 前記同一基板上にて前記第二の電荷転送手段の出力にゲ
    イン制御アンプを備え、前記ゲイン制御アンプのゲイン
    の値の少なくとも一つは前記光電変換手段の最大出力に
    おいても飽和せず且つ後段のアンプのリニアリティーや
    ダイナミックレンジを補償できる値であり、さらに、前
    記ゲイン制御アンプの他のゲイン値は前記ゲインより大
    きいことを特徴とするイメージセンサ。
  3. 【請求項3】 同一基板上に生成された、少なくとも一
    画素以上をアレー状に配列された光電変換手段と、その
    光電変換手段の各画素の電荷を転送する第一の電荷転送
    手段と、その転送された電荷を一つずつ転送する第二の
    電荷転送手段とを具備するイメージセンサにおいて、 前記同一基板上に生成された、前記光電変換手段の少な
    くとも一つ以上の画素上に光が入射しないようにマスク
    手段を設け、そのマスクされた画素の範囲内の信号を基
    準レベルにシフトするクランプ手段を有し、更にクラン
    プ処理された信号レベルを外部信号によりレベルをシフ
    トすることを特徴とするイメージセンサ。
  4. 【請求項4】 同一基板上に生成された、少なくとも一
    画素以上をアレー状に配列された光電変換手段と、その
    光電変換手段の各画素の電荷を転送する第一の電荷転送
    手段と、その転送された電荷を一つずつ転送する第二の
    電荷転送手段とを具備するイメージセンサにおいて、 前記同一基板上に生成された、前記第二の光電転送手段
    を経た信号に対して前記光電変換手段の光電変換効率の
    ばらつき量を補正できるアンプ手段を設け、前記アンプ
    手段は、外部信号により前記補正するゲインの値を切り
    換えられることを特徴とするイメージセンサ。
  5. 【請求項5】 同一基板上に生成された、少なくとも一
    画素以上をアレー状に配列された光電変換手段と、その
    光電変換手段の各画素の電荷を転送する第一の電荷転送
    手段と、その転送された電荷を一つずつ転送する第二の
    電荷転送手段とを具備するイメージセンサにおいて、 前記同一基板上に生成された、前記第二の光電転送手段
    を経た信号に対して前記光電変換手段の光電変換効率の
    ばらつき量を補正できるアンプ手段を設け、前記アンプ
    手段は、外部信号により補正するゲインの値を切り換え
    られる手段を有し、この前記ゲインの切り換えを2n+
    1個(nは正の整数)有することを特徴とするイメージ
    センサ。
  6. 【請求項6】 請求項4に記載のイメージセンサにおい
    て、前記光電変換手段上にはカラーフィルタがオンチッ
    プまたは、配置されており、前記アンプ手段は前記光電
    変換手段の光電変換効率のばらつき量及びカラーフィル
    タの透過特性のばらつきを補正するアンプであり、前記
    アンプは、更に外部信号により補正するゲインの値を切
    り換えられることを特徴とするイメージセンサ。
  7. 【請求項7】 請求項5に記載のイメージセンサにおい
    て、前記光電変換上にはカラーフィルタがオンチップま
    たは、配置されており、前記アンプ手段は前記光電変換
    手段の光電変換効率のばらつき量及びカラーフィルタの
    透過特性のばらつきを補正するアンプであり、前記アン
    プは、アンプゲイン量を切り換えられることを特徴とす
    るイメージセンサ。
  8. 【請求項8】 同一基板上に生成された、少なくとも一
    画素以上をアレー状に配列された光電変換手段と、その
    光電変換手段の各画素の電荷を転送する第一の電荷転送
    手段と、その転送された電荷を一つずつ転送する第二の
    電荷転送手段とを具備するイメージセンサにおいて、 前記第二の電荷転送手段に接続された第一のアンプはゲ
    インを切り換えるゲイン切換手段を有し、前記第一のア
    ンプのゲインの値の少なくとも一つは前記光電変換手段
    の最大出力において後段のアンプのリニアリティーやダ
    イナミックレンジを補償できる値であり、さらに前記第
    一のアンプの他のゲイン値は前記ゲインより大きいゲイ
    ン値であり、前記第一のアンプを経た信号はサンプルホ
    ールド手段により信号を規定時間ホールドされて第二の
    アンプ手段に接続され、前記第二のアンプ手段は前記光
    電変換手段の光電変換効率のばらつき量と前記光電変換
    手段上のカラーフィルタのばらつき量を補正するアンプ
    で手段あり、外部信号により前記補正するアンプ手段の
    ゲインの値を切り換えられることを特徴とするイメージ
    センサ。
  9. 【請求項9】 請求項8に記載のイメージセンサにおい
    て、前記第二のアンプ手段のゲイン切り換え数は2n+
    1(nは正の整数)であることを特徴とするイメージセ
    ンサ。
  10. 【請求項10】 請求項4乃至8のいずれかに記載のイ
    メージセンサにおいて、前記ばらつき量を補正するアン
    プのゲイン量または設定値を記憶保持する記憶保持手段
    を設け、前記記憶保持手段に記憶された値により前記ア
    ンプ手段のゲイン量または設定値を設定することを特徴
    とするイメージセンサ。
  11. 【請求項11】 同一基板上に複数個の光電変換素子を
    形成し、前記光電変換素子が形成されたシリコンチップ
    を複数個つなぎあわせて、1ライン分の画像データの読
    み取りを行なうセンサを構成したラインイメージセンサ
    を用いる装置に設けられる画像処理回路において、 順次読み出しが行なわれる前記ラインイメージセンサの
    読み出しデータが、あらかじめ決定された前記光電変換
    素子からの読み出しデータに切り換わるときに、画像処
    理パラメータを切り換えることを特徴とする画像処理回
    路。
  12. 【請求項12】 前記画像処理パラメータは、第1の色
    空間を前記第1の色空間と異なる第2の色空間に変換す
    る色空間変換パラメータを含むことを特徴とする請求項
    11に記載の画像処理回路。
  13. 【請求項13】 前記画像処理パラメータは、前記光電
    変換素子の暗時出力電圧に起因するデータをキャンセル
    する暗時出力データ補正パラメータを含むことを特徴と
    する請求項11に記載の画像処理回路。
  14. 【請求項14】 前記画像処理パラメータは、前記光電
    変換素子の電荷を順次出力される画素信号を増幅するア
    ンプのゲイン値であることを特徴とする請求項11に記
    載の画像処理回路。
  15. 【請求項15】 1個のシリコンウエハ上に複数回のフ
    ォトマスク露光により1ライン分のフォトセンサを形成
    したラインイメージセンサを用いた装置に設けられる画
    像処理回路において、 順次読み出しが行なわれる前記ラインイメージセンサの
    読み出しデータが、あらかじめ決定されたフォトセンサ
    からの読み出しデータに切り替わるときに、画像処理パ
    ラメータを切り換えることを特徴とする画像処理回路。
  16. 【請求項16】 前記画像処理パラメータは、第1の色
    空間を第1の色空間と異なる第2の色空間に変換する色
    空間変換パラメータを含むことを特徴とする請求項15
    に記載の画像処理回路。
  17. 【請求項17】 前記画像処理パラメータは、前記フォ
    トセンサの暗時出力電圧に起因するデータをキャンセル
    する暗時出力データ補正パラメータを含むことを特徴と
    する請求項15に記載の画像処理回路。
  18. 【請求項18】 前記画像処理パラメータは、前記フォ
    トセンサの電荷を順次出力される画素信号を増幅するア
    ンプのゲイン値であることを特徴とする請求項15に記
    載の画像処理回路。
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