JPH08186107A

JPH08186107A - 成膜装置

Info

Publication number: JPH08186107A
Application number: JP33899594A
Authority: JP
Inventors: Haruhiko Ajisawa; 治彦味沢; Yasuyuki Enomoto; 容幸榎本; Masaki Saito; 正樹斉藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-12-29
Filing date: 1994-12-29
Publication date: 1996-07-16

Abstract

(57)【要約】【目的】ＣＶＤ法により基板に薄膜を形成する場合
に、均一な厚さに成膜できるようにする。【構成】少なくとも第１の原料ガスの供給口として複
数のガス供給口13a、13b、13c、13d を有し、該複数のガス
供給口を通してスリット状のガス噴出口18から原料ガス
を噴出させるガスヘッド3 を備えたＣＶＤ用成膜装置に
おいて、少なくとも第１の原料ガスのガス供給口13a、13
b、13c、13d が、ガス噴出口18の長手方向Ｌに垂直な任意
の面内に同時に２以上存在しないように配する。あるい
はガス供給口13a、13b、13c、13d をガス噴出口18の長手方
向Ｌに等間隔に配する。又はガス供給口13a、13b、13c、13
d の上部からガス噴出口18に至るガス流路の幅を、ガス
噴出口18の長手方向Ｌに徐々に広げる。又はガス供給口
13a、13b、13c、13d の形成位置が互いに異なる複数のガス
ヘッドを使用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＣＶＤ用成膜装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ＣＶＤ法は種々の分野で成膜
技術として利用されており、そのための装置も種々のタ
イプのものが開発されている。例えば、半導体装置の製
造工程において、ＳｉウエハにＴＥＯＳとオゾンとの反
応による絶縁膜を形成する場合の装置としては、図５に
示したように、Ｓｉウエハ１を載置するメッシュベルト
２と、原料ガスを噴射する４つのガスヘッド３（３ａ、
３ｂ、３ｃ、３ｄ）を備え、メッシュベルト２に載置し
たＳｉウエハ１を４つのガスヘッド３（３ａ、３ｂ、３
ｃ、３ｄ）の下に順次通過させることにより、常圧でＳ
ｉウエハ１の表面に絶縁膜を形成するものが知られてい
る。

【０００３】ここで、４つのガスヘッド３（３ａ、３
ｂ、３ｃ、３ｄ）は全て同じ形態である。図６はこのガ
スヘッド３のｘ−ｘ断面図であり、図７はその正面説明
図（同図（ａ））、側面説明図（同図（ｂ））及び底面
説明図（同図（ｃ））であり、図８はそのトッププレー
ト４のｙ−ｙ断面図である。図６〜図８に示したよう
に、このガスヘッド３は、トッププレート４、センター
プレ−ト５、ボトムプレート６、ベースプレート７がＯ
リングを介して嵌め合わされた構造を有している。

【０００４】トッププレート４にはガス流路８ａ、８
ｂ、８ｃとなる所定の溝が形成され、またこのガスヘッ
ド３からのガスの噴出圧を均一化させるためのガス溜ま
り９ａ、９ｂとして凹部が形成されている。同様に、セ
ンタープレ−ト５にもガス溜まり１０ａ、１０ｂとして
凹部が形成されており、ボトムプレート６にもガス溜ま
り１１ａ、１１ｂとして凹部が形成されている。

【０００５】また、ガスヘッド３には、ＴＥＯＳ含有ガ
スを導入するガス導入口１２、及びガス導入口１２から
分岐した４つのガス供給口１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１
３ｄが設けられている。また、窒素ガスを導入するガス
導入口１４、及びガス導入口から分岐した４つのガス供
給口１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄが設けられ、オゾ
ンガスを導入するガス導入口１６、及びガス導入口１６
から分岐した４つのガス供給口１７ａ、１７ｂ、１７
ｃ、１７ｄが設けられている。さらに、ベースプレート
７の底部には、それぞれのガスの噴出口としてスリット
状の噴出口１８、１９、２０が設けられている。

【０００６】この装置を用いた成膜時に、ガスヘッド３
のガス導入口１２にＴＥＯＳ含有ガスが導入されると、
そのガスは４方向に分岐されてガス供給口１３ａ、１３
ｂ、１３ｃ、１３ｄを通り、ガス溜まり９ａ、９ｂに導
入され、さらにガスヘッド３の底部のガス噴出口１８か
ら噴出される。窒素ガスについても同様に、ガス導入口
１４に窒素ガスが導入されると、そのガスは４方向に分
岐されてガス供給口１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄを
通り、ガス溜まり１０ａ、１０ｂに導入され、ガス噴出
口１９から噴出される。オゾンガスも同様に、ガス導入
口１７に導入されると、そのガスは４方向に分岐されて
ガス供給口１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄを通り、ガ
ス溜まり１１ａ、１１ｂに導入され、ガス噴出口２０か
ら噴出される。

【０００７】一方、Ｓｉウエハ１は、成膜時に上記のよ
うにＴＥＯＳ含有ガス、窒素ガス及びオゾンガスを噴出
する４つのガスヘッド３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄの下を順
次通過する。したがって、Ｓｉウエハ１が各ガスベッド
の下を通過する度にその表面でＴＥＯＳ含有ガスとオゾ
ンガスとの反応が起こり、Ｓｉ酸化膜の形成が繰り返さ
れる。したがって、４つめのガスヘッド３ｄの下を通過
した後に所期の膜厚のＳｉ酸化膜が形成されることとな
る。

【０００８】なお、この装置において、反応後のガスは
速やかに排気されるようになっている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体装置
の製造において、Ｓｉ基板表面への成膜が均一な厚さで
行われない場合には、以降の工程で種々の弊害が起こ
る。したがって、上述のような従来の装置を用いてＳｉ
ウエハ１の表面にＳｉ酸化膜を形成する場合にも、その
厚さを均一にすることが必要とされる。

【００１０】しかしながら、上述の従来の装置では、Ｔ
ＥＯＳ含有ガスの４つの供給口１３ａ、１３ｂ、１３
ｃ、１３ｄがガス噴射口１８の長手方向の中心軸Ｌ₀に
対して対称的に配されているので、ガス噴出口１８から
Ｓｉウエハ１に噴射されるＴＥＯＳ含有ガスのガス流量
の長手方向Ｌの分布は、図９（ａ）に示したように不均
一となる。即ち、長手方向の中心軸Ｌ₀に対して対称的
に配されている２つのガス供給口１３ａ、１３ｃの影響
が重なりあってガス供給口１３ａ、１３ｃの下方付近の
ガス流量分布が高くなる。同様に、長手方向の中心軸Ｌ
₀に対して対称的に配されている２つのガス供給口１３
ｂ、１３ｄの影響も重なりあってガス供給口１３ｂ、１
３ｄの下方付近のガス流量分布が高くなる。また、窒素
ガス及びオゾンガスについても、ガス流量の長手方向の
分布は不均一となる。そのため、図９（ｂ）に示したよ
うに、Ｓｉウエハ１に形成されたＳｉ酸化膜の膜厚がガ
ス噴出口の長手方向Ｌについて不均一となるという問題
が生じていた。特に、近年の大口径化したＳｉウエハの
成膜においては、ウエハ全体を均一に行うことができ
ず、問題となっていた。

【００１１】本発明は以上のような従来技術の課題を解
決しようとするものであり、Ｓｉウエハへ絶縁膜を成膜
する場合のように、基板にＣＶＤ法により薄膜を形成す
る場合に、均一な膜厚に成膜できるようにすることを目
的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者は、複数のガス
供給口を通して原料ガスを供給し、その原料ガスをガス
ヘッドの底部に設けられたスリット状のガス噴出口から
噴射させるガスヘッドを用いて成膜する場合に、そのガ
スヘッドのガス供給口の位置あるいはガス供給口からガ
ス噴出口に至るガス流路の形状を特定の態様に設定する
ことにより上記の目的が達成できることを見出し、本発
明を完成させるに至った。

【００１３】即ち、本発明は、第１の発明として、少な
くとも第１の原料ガスの供給口として複数のガス供給口
を有し、該複数のガス供給口を通してスリット状のガス
噴出口から原料ガスを噴出させるガスヘッドを備えたＣ
ＶＤ用成膜装置において、少なくとも第１の原料ガスの
ガス供給口が、ガス噴出口の長手方向に垂直な任意の面
内に同時に２以上存在しないように配されていることを
特徴とする成膜装置を提供する。

【００１４】また、第２の発明として、少なくとも第１
の原料ガスの供給口として複数のガス供給口を有し、該
複数のガス供給口を通してスリット状のガス噴出口から
原料ガスを噴出させるガスヘッドを備えたＣＶＤ用成膜
装置において、少なくとも第１の原料ガスの複数のガス
供給口が、ガス噴出口の長手方向に等間隔に配されてい
ることを特徴とする成膜装置を提供する。

【００１５】第３の発明として、少なくとも第１の原料
ガスの供給口として複数のガス供給口を有し、該複数の
ガス供給口を通してスリット状のガス噴出口から原料ガ
スを噴出させるガスヘッドを備えたＣＶＤ用成膜装置に
おいて、少なくとも第１の原料ガスの各ガス供給口の上
部からガス噴出口に至るガス流路の幅が、ガス噴出口の
長手方向に徐々に広がっていることを特徴とする成膜装
置を提供する。

【００１６】第４の発明として、少なくとも第１の原料
ガスの供給口として複数のガス供給口を有し、該複数の
ガス供給口を通してスリット状のガス噴出口から原料ガ
スを噴出させるガスヘッドを複数備えたＣＶＤ用成膜装
置において、少なくとも第１の原料ガスのガス供給口に
ついて、ガス噴出口の長手方向の形成位置が、２以上の
ガスヘッドで互いに異なっていることを特徴とする成膜
装置成膜装置を提供する。

【００１７】また、これら本発明の成膜装置を用いて、
第１の原料ガスの供給口にＴＥＯＳ含有ガスを供給し、
第２及び第３の原料ガスの供給口にそれぞれ窒素ガス及
びオゾンガスを供給し、ＳｉウエハにＴＥＯＳ含有ガ
ス、窒素ガス及びオゾンガスを噴射させ、Ｓｉウエハ表
面にＳｉ酸化膜を形成することを特徴とするＳｉ酸化膜
の形成方法を提供する。

【００１８】

【作用】本発明の成膜装置は、複数のガス供給口を通し
て原料ガスを供給し、スリット状のガス噴出口から原料
ガスを噴射させるガスヘッドを備えている点では従来の
成膜装置と共通であるが、第１の本発明の成膜装置で
は、ガス供給口がガス噴出口の長手方向に垂直な任意の
面内に同時に２以上存在しないように配されているの
で、ガス噴出口からのガス流量分布に対して、個々のガ
ス供給口の及ぼす影響が重なり合うことを防止できる。
したがって、ガス噴出口からのガス流量分布を均一化さ
せ、均一な膜厚に成膜することが可能となる。

【００１９】また、第２の本発明においては、複数のガ
ス供給口がガス噴出口の長手方向に等間隔に配されてい
るので、個々のガス供給口が、ガス噴出口からのガス流
量分布に対して及ぼす影響が特定部位に偏らないように
することができる。したがって、ガス噴出口からのガス
流量分布を均一化させることが可能となる。特に、等間
隔におくガス供給口の数を増やすことにより、ガス噴出
口からのガス流量分布を大きく均一化させ、均一な膜厚
に成膜することが可能となる。

【００２０】第３の本発明においては、ガス供給口の上
部からガス噴出口に至るガス流路の幅が、ガス噴出口の
長手方向に徐々に広がっているので、個々のガス供給口
が、ガス噴出口からのガス流量分布に対して及ぼす影響
を緩和させることができる。したがって、ガス噴出口か
らのガス流量分布を均一化させ、均一な膜厚に成膜する
ことが可能となる。

【００２１】第４の本発明においては、ガス噴出口の長
手方向のガス供給口の形成位置が、２以上のガスヘッド
で互いに異なっているので、個々のガスヘッドのガス噴
出口からのガス流量分部は不均一であっても、ガス供給
口の形成位置が互いに異なるガスヘッドの下を基板が通
過することにより、その不均一性が相殺され、均一な膜
厚に成膜することが可能となる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて具体
的に説明する。なお、各図中、同一符号は同一又は同等
の構成要素を表している。

【００２３】実施例１実施例１の成膜装置は、図５〜８に示した従来の成膜装
置と同様に、４つの同じ形態のガスヘッドを有し、Ｓｉ
ウエハ等の基板を順次４つのガスヘッドの下に搬送し、
成膜を行うものである。しかし、このガスヘッドは、そ
のトッププレート４(I) として、図１の断面のものを有
している。即ち、このガスヘッドのトッププレート４
(I) には、第１の原料ガスの４つのガス供給口１３ａ、
１３ｂ、１３ｃ、１３ｄが、ガス噴出口の長手方向の中
心軸Ｌ₀に対して非対称に配されており、ガス噴出口の
長手方向Ｌに垂直な任意の面内に同時に存在するガス供
給口はない。したがって、ガス噴出口からのガス流量分
布に対して、個々ガス供給口１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、
１３ｄの及ぼす影響が重なり合うことを防止できる。よ
って、ガス噴出口からの第１の原料ガスのガス流量分布
を均一化させ、均一な膜厚に成膜することが可能とな
る。

【００２４】なお、同図のトッププレート４(I) におい
て、第２の原料ガスのガス供給口１５ａ、１５ｂ、１５
ｃ、１５ｄ及び第３の原料のガス供給口１７ａ、１７
ｂ、１７ｃ、１７ｄは、従来例と同様に、ガス噴出口の
長手方向の中心軸Ｌ₀に対して対称に配されている。し
たがって、これらは、長手方向の中心軸Ｌ₀に垂直な面
内に、第２の原料ガス、第３の原料ガスのそれぞれのガ
ス供給口が２つずつ存在するものとなっている。しか
し、第１の本発明においては、少なくとも一種の原料ガ
スの供給口について、長手方向Ｌに垂直な任意の面内に
同時に２以上存在するものがなければよい。必要に応じ
て、第２の原料ガスのガス供給口１５ａ、１５ｂ、１５
ｃ、１５ｄ及び第３の原料のガス供給口１７ａ、１７
ｂ、１７ｃ、１７ｄも第１の原料ガスの供給口と同様に
ガス噴出口の長手方向の中心軸Ｌ₀に対して非対称とな
るように配してもよい。

【００２５】また、図１には、第１の原料ガスの供給口
として４つのガス供給口１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３
ｄを設けた例を示したが、この第１の本発明において、
ガス供給口の個数はこれに限られない。また、成膜装置
におけるガスヘッドの個数も４つに限られない。ガスヘ
ッドが単独である場合にも本発明の効果を得ることがで
きる。

【００２６】このような成膜装置を用いて、原料ガスと
してＴＥＯＳ含有ガス、窒素ガス及びオゾンガスを使用
する場合、ＴＥＯＳ含有ガスは第１の原料ガスの導入口
１２から導入してガス供給口１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、
１３ｄを通して供給し、窒素ガスは、第２の原料ガスの
ガス導入口１４から導入してガス供給口１５ａ、１５
ｂ、１５ｃ、１５ｄを通して供給し、オゾンガスは第３
の原料ガスの導入口１６から導入してガス供給口１７
ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄを通して供給することが好
ましい。

【００２７】実施例２実施例２の成膜装置も、図５〜８に示した従来の成膜装
置と同様に、４つの同じ形態のガスヘッドを有し、Ｓｉ
ウエハ等の基板を順次４つのガスヘッドの下に搬送し、
成膜を行うものである。しかし、このガスヘッドは、そ
のトッププレート４(II)として、図２の断面のものを有
している。即ち、このガスヘッドには、、第１の原料ガ
スの供給口として、６つのガス供給口１３ａ、１３ｂ、
１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆが設けられており、か
つこれらはガス噴出口の長手方向Ｌに等間隔に配されて
いる。したがって、ガス供給口１３ａ、１３ｂ、１３
ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆが、ガス噴出口からのガス
流量分布に対して及ぼす影響を特定部位に偏らないよう
にすることができ、ガス噴出口からの第１の原料ガスの
ガス流量分布を均一化させ、均一な膜厚に成膜すること
が可能となる。

【００２８】なお、同図のトッププレート４(II)におい
て、第２の原料ガスのガス供給口１５ａ、１５ｂ、１５
ｃ、１５ｄ及び第３の原料のガス供給口１７ａ、１７
ｂ、１７ｃ、１７ｄは、従来例と同様に設けられている
が、第２の本発明においては、少なくとも一種の原料ガ
スの供給口として設けられている複数のガス供給口が、
ガス噴出口の長手方向Ｌに等間隔に設けられていればよ
い。必要に応じて、第２の原料ガスのガス供給口１５
ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ及び第３の原料のガス供給
口１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄも、ガス噴出口の長
手方向に等間隔に配してもよく、その場合にガス供給口
の数を増やしてもよい。

【００２９】また、図２には、第１の原料ガスの供給口
として６つのガス供給口１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３
ｄ、１３ｅ、１３ｆを設けた例を示したが、この第２の
本発明において、ガス供給口の個数はこれに限られな
い。また、成膜装置におけるガスヘッドの個数は４つに
限られない。ガスヘッドが単独である場合にも本発明の
効果を得ることができる。

【００３０】このような成膜装置を用いて、原料ガスと
してＴＥＯＳ含有ガス、窒素ガス及びオゾンガスを使用
する場合、実施例１と同様に、ＴＥＯＳ含有ガスは、第
１の原料ガスのガス導入口１２から導入してガス供給口
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆを通
して供給し、窒素ガスは、第２の原料ガスのガス導入口
１４から導入してガス供給口１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、
１５ｄを通して供給し、オゾンガスは第３の原料ガスの
ガス導入口１６から導入してガス供給口１２ａ、１２
ｂ、１２ｃ、１２ｄを通して供給することが好ましい。

【００３１】実施例３実施例３の成膜装置は、図５〜８に示した従来の成膜装
置と同様に、４つの同じ形態のガスヘッドを有し、Ｓｉ
ウエハ等の基板を順次４つのガスヘッドの下に搬送し、
成膜を行うものである。しかし、このガスヘッドのトッ
ププレート４(III) は、図３の断面図に示したように、
第１の原料ガスのガス供給口１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、
１３ｄの上部からガス溜まり９ａ、９ｂに至るガス流路
の幅が、ガス噴出口の長手方向Ｌに徐々に広がってい
る。したがって、ガス噴出口から噴射するガスの流量分
布に対して、個々のガス供給口１３ａ、１３ｂ、１３
ｃ、１３ｄが及ぼす影響を緩和させることができる。よ
って、第１の原料ガスのガス噴出口からのガス流量分布
を均一化させ、均一な膜厚の薄膜を形成することが可能
となる。この実施例においては、特に、個々のガス供給
口１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄの上部からガス溜ま
り９ａ、９ｂに至るガス流路の断面形状が中心角９０°
以上の扇形となるようにすることが好ましい。これによ
り、ガス噴出口から噴射するガスの流量分布を一層均一
化させ、均一な膜厚に成膜することが可能となる。

【００３２】なお、同図のトッププレート４(III) にお
いて、第２の原料ガスのガス供給口１５ａ、１５ｂ、１
５ｃ、１５ｄ及び第３の原料のガス供給口１７ａ、１７
ｂ、１７ｃ、１７ｄは、従来例と同様に設けられている
が、第３の本発明においては、少なくとも一種の原料ガ
スの流路が上記のような形状に形成されていればよい。
必要に応じて、第２の原料ガスのガス供給口１５ａ、１
５ｂ、１５ｃ、１５ｄの上部からガス溜まりに至る流路
あるいは第３の原料のガス供給口１７ａ、１７ｂ、１７
ｃ、１７ｄの上部からガス溜まりに至る流路について
も、長手方向Ｌに徐々に流路幅を広げてもよい。

【００３３】また、図３には、第１の原料ガスの供給口
として４つのガス供給口１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３
ｄを設けた例を示したが、この第３の本発明において、
ガス供給口の個数はこれに限られない。また、成膜装置
におけるガスヘッドの個数は４つに限られない。ガスヘ
ッドが単独である場合にも本発明の効果を得ることがで
きる。

【００３４】このような成膜装置を用いて、原料ガスと
してＴＥＯＳ含有ガス、窒素ガス及びオゾンガスを使用
する場合、実施例１と同様に、ＴＥＯＳ含有ガスは第１
の原料ガスの導入口１２から導入してガス供給口１３
ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄを通して供給し、窒素ガス
は、第２の原料ガスのガス導入口１４から導入してガス
供給口１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄを通して供給
し、オゾンガスは第３の原料ガスの導入口１６から導入
してガス供給口１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄを通し
て供給することが好ましい。

【００３５】実施例４実施例４の成膜装置も、図５〜８に示した従来の成膜装
置と同様に、４つの形態のガスヘッドを有し、Ｓｉウエ
ハ等の基板を順次４つのガスヘッドの下に搬送し、成膜
を行うものである。しかし、この成膜装置は４つのガス
ヘッドとして同一形態のものを使用するのではない。図
４に示したように、ガス供給口１３ａ、１３ｂ、１３
ｃ、１３ｄの形成位置が、ガス噴出口１８の長手方向Ｌ
について互いに異なっているトッププレート４(IV-i)又
は４(IV-ii) を有する２種のガスヘッドを使用するもの
である。

【００３６】これらトッププレート４(IV-i)又は４(IV-
ii) を有するガスヘッド自体は、従来のガスヘッドと同
様に、ガス供給口１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄがガ
ス噴出口１８の長手方向の中心軸Ｌ₀に対して対称に配
されている。よって、これらトッププレート４(IV-i)又
は４(IV-ii) を有するガスヘッドの個々のガス流量分布
は不均一となる。しかし、トッププレート４(IV-i)を有
するガスヘッドとトッププレート４(IV-ii) を有するガ
スヘッドの双方を用いて基板に成膜すると、得られる基
板上の薄膜の厚さは、個々のガスヘッドによる不均一性
が相殺されて均一化されたものとなる。よって、この実
施例の装置によれば均一な膜厚に成膜することが可能と
なる。

【００３７】なお、同図の２種のトッププレート４(IV-
i)、４(IV-ii) において、両者の第２の原料ガスのガス
供給口１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ及び第３の原料
ガスのガス供給口１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄの形
成位置は、第１の原料のガス供給口１３ａ、１３ｂ、１
３ｃ、１３ｄの形成位置の相違ほど差異がないが、第４
の本発明においては、少なくとも一種の原料ガスの供給
口について、２以上のガスヘッドにおける形成位置が異
なっていればよい。必要に応じて、第２の原料ガスのガ
ス供給口１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄあるいは第３
の原料のガス供給口１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄの
形成位置も、２以上のガスヘッド間で大きく異ならせる
ことができる。

【００３８】また、図４には、第１の原料ガスの供給口
として４つのガス供給口１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３
ｄを設けた例を示したが、この第４の本発明において、
ガス供給口の個数はこれに限られない。また、成膜装置
におけるガスヘッドの個数は４つに限られない。この第
４の本発明の効果は、成膜装置に複数のガスヘッドが設
けられている場合に広く得ることができる。

【００３９】このような成膜装置を用いて、原料ガスと
してＴＥＯＳ含有ガス、窒素ガス及びオゾンガスを使用
する場合、実施例１と同様に、ＴＥＯＳ含有ガスは第１
の原料ガスの導入口１２から導入してガス供給口１３
ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄを通して供給し、窒素ガス
は、第２の原料ガスのガス導入口１４から導入してガス
供給口１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄを通して供給
し、オゾンガスは第３の原料ガスの導入口１６から導入
してガス供給口１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄを通し
て供給することが好ましい。

【００４０】以上、本発明の実施例を図面に基づいて説
明したが、本発明はこれらの実施例に限られない。これ
らの実施例の態様を組み合わせることもできる。

【００４１】また、本発明の成膜装置は、上述のように
半導体装置の製造工程において、ＳｉウエハにＴＥＯＳ
とオゾンとの反応による絶縁膜を常圧でＣＶＤ法により
形成する場合に好ましく使用することができるが、本発
明の装置の用途はこれに限られない。種々のＣＶＤ法に
よる成膜に使用することができる。

【００４２】

【発明の効果】本発明によれば、ＣＶＤ法により基板に
薄膜を形成する場合に、均一な厚さに成膜することが可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の成膜装置で使用するガスヘッドのトッ
ププレートの断面図である。

【図２】本発明の成膜装置で使用するガスヘッドのトッ
ププレートの断面図である。

【図３】本発明の成膜装置で使用するガスヘッドのトッ
ププレートの断面図である。

【図４】本発明の成膜装置で使用するガスヘッドのトッ
ププレートの断面図である。

【図５】一般的な成膜装置の概略構成図である。

【図６】従来の成膜装置のガスヘッドの断面図である。

【図７】従来の成膜装置のガスヘッドの正面説明図、側
面説明図、底面説明図である。

【図８】従来の成膜装置のガスヘッドのトッププレート
の断面図である。

【図９】従来の成膜装置におけるガス噴出口からのガス
流量分布の説明図（同図（ａ））及びそれにより得られ
る薄膜の膜厚分布図（同図（ｂ））である。

【符号の説明】

１Ｓｉウエハ２メッシュベルト３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、ガスヘッド４、４(I) 、４(II)、４(III) 、４(IV-i)、４(IV-ii)
、トッププレート５センタープレート６ボトムプレート７ベースプレート８ａ、８ｂ、８ｃ流路９ａ、９ｂガス溜まり１０ａ、１０ｂガス溜まり１１ａ、１１ｂガス溜まり１２第１の原料ガス（ＴＥＯＳ含有ガス）のガス導
入口１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆ
第１の原料ガス（ＴＥＯＳ含有ガス）のガス供給口１４第２の原料ガス（窒素ガス）のガス導入口１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ第２の原料ガス
（窒素ガス）のガス供給口１６第３の原料ガス（オゾンガス）のガス導入口１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ第３の原料ガス
（オゾンガス）のガス供給口１８第１の原料ガス（ＴＥＯＳ含有ガス）のガス噴
出口１９第２の原料ガス（窒素ガス）のガス噴出口２０第３の原料ガス（オゾンガス）のガス噴出口

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも第１の原料ガスの供給口とし
て複数のガス供給口を有し、該複数のガス供給口を通し
てスリット状のガス噴出口から原料ガスを噴出させるガ
スヘッドを備えたＣＶＤ用成膜装置において、少なくと
も第１の原料ガスのガス供給口が、ガス噴出口の長手方
向に垂直な任意の面内に同時に２以上存在しないように
配されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】さらに、第２及び第３の原料ガスの供給
口としてそれぞれ複数のガス供給口及びスリット状のガ
ス噴出口が設けられている請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】少なくとも第１の原料ガスの供給口とし
て複数のガス供給口を有し、該複数のガス供給口を通し
てスリット状のガス噴出口から原料ガスを噴出させるガ
スヘッドを備えたＣＶＤ用成膜装置において、少なくと
も第１の原料ガスの複数のガス供給口が、ガス噴出口の
長手方向に等間隔に配されていることを特徴とする成膜
装置。
【請求項４】さらに、第２及び第３の原料ガスの供給
口としてそれぞれ複数のガス供給口及びスリット状のガ
ス噴出口が設けられている請求項３記載の成膜装置。
【請求項５】少なくとも第１の原料ガスの供給口とし
て複数のガス供給口を有し、該複数のガス供給口を通し
てスリット状のガス噴出口から原料ガスを噴出させるガ
スヘッドを備えたＣＶＤ用成膜装置において、少なくと
も第１の原料ガスの各ガス供給口の上部からガス噴出口
に至るガス流路の幅が、ガス噴出口の長手方向に徐々に
広がっていることを特徴とする成膜装置。
【請求項６】さらに、第２及び第３の原料ガスの供給
口としてそれぞれ複数のガス供給口及びスリット状のガ
ス噴出口が設けられている請求項５記載の成膜装置。
【請求項７】少なくとも第１の原料ガスの供給口とし
て複数のガス供給口を有し、該複数のガス供給口を通し
てスリット状のガス噴出口から原料ガスを噴出させるガ
スヘッドを複数備えたＣＶＤ用成膜装置において、少な
くとも第１の原料ガスのガス供給口について、ガス噴出
口の長手方向の形成位置が、２以上のガスヘッドで互い
に異なっていることを特徴とする成膜装置。
【請求項８】複数のガスヘッドの各々に、さらに第２
及び第３の原料ガスの供給口としてそれぞれ複数のガス
供給口及びスリット状のガス噴出口が設けられている請
求項７記載の成膜装置。
【請求項９】請求項２、４、６又は８に記載の装置に
おいて、第１の原料ガスの供給口にＴＥＯＳ含有ガスを
供給し、第２及び第３の原料ガスの供給口にそれぞれ窒
素ガス及びオゾンガスを供給し、ＳｉウエハにＴＥＯＳ
含有ガス、窒素ガス及びオゾンガスを噴射させ、Ｓｉウ
エハ表面にＳｉ酸化膜を形成することを特徴とするＳｉ
酸化膜の形成方法。