JPH08184818A - アクティブマトリクス表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 一対の透明な絶縁性の基板１・２と、上記基
板１上にマトリクス状に形成された絵素電極３と、基板
２の上記絵素電極３の対向面側に形成され、この対向す
る絵素電極３の表示領域以外の部分を覆う遮光膜７とを
有する。上記遮光膜７は、光の入射側にアルミニウム薄
膜からなる第１薄膜層７ａ、この第１薄膜７ａ上に酸化
アルミニウム薄膜からなる第２薄膜層７ｂが形成されて
いる。 【効果】 強い照射光を用いて表示画面の高輝度化が図
れ、しかも、温度上昇が小さく、高コントラスト値を有
する投射型の画像表示装置に好適に使用されるアクティ
ブマトリクス表示素子を容易に、しかも安価に提供する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、スクリーン上に画像を
拡大投射する投射型の画像表示装置に好適に用いられる
アクティブマトリクス表示素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクス表示素子において
は、対向する基板の一方に絵素電極がマトリクス状に配
列されて、絵素と呼ばれる表示単位が構成されている。
これらの絵素電極には、薄膜トランジスタ（Thin Film
Transistor，以下、ＴＦＴと称する）等のスイッチング
素子を介して独立した駆動電圧が印加される。駆動電圧
が印加されると、絵素電極と他方の基板上の対向電極と
の間に封入された液晶等の表示媒体の光学的性質が変化
し、絵素が表示される。これらの複数の絵素によって画
像や文字等が表示される。

【０００３】このような表示素子は、従来、パーソナル
コンピュータ、ワードプロセッサ、ポケットテレビ等
の、直視型の画像表示装置に用いられてきた。しかし、
近年、これらの表示素子は、画像を投影レンズによって
スクリーン上に拡大投射する投射型の画像表示装置にも
用いられるようになった。

【０００４】ところで、アクティブマトリクス方式の表
示素子に用いられるＴＦＴには、アモルファスシリコ
ン、多結晶シリコン等の半導体が使われる。これらの半
導体では、一般に光によってキャリアが励起され、スイ
ッチング素子としてのオフ特性が悪くなるという問題点
があった。この問題点を解決するために、特開昭５６−
１４０３２号公報には、ＴＦＴを覆った遮光膜が設けら
れているアクティブマトリクス表示素子が開示されてい
る。また、ＴＦＴを駆動するバス配線と絵素電極との間
の浮遊容量を低減するために、通常これらの間にギャッ
プを設け、これらが互いに重なり合わないように設計さ
れている。ところが、このギャップから光が漏れるた
め、コントラストが低下するという問題点があった。

【０００５】そこで、このようなコントラストの低下を
避けるために、例えば特開昭５９−１１６７２１号公報
には、ＴＦＴと光源との間に、絵素よりも小さな開口部
を有する遮光膜が設けられた「液晶表示装置」が開示さ
れている。一般に、表示に寄与しない遮光膜によって反
射した光が目に入るとコントラストが低下するので、直
視型の画像表示装置に用いられる遮光膜には、反射率の
低い金属が従来より用いられている。具体的には、クロ
ム、モリブデン、タンタル等が挙げられる。ところが、
投射型の画像表示装置においては、強い光が照射される
ため、上述のような反射率の低い金属からなる遮光膜を
設けると、遮光膜が光を吸収して表示素子の温度が上昇
し表示の不良を起こし、これによって、表示素子の信頼
性が低下するという問題が生じる。

【０００６】そこで、表示素子の温度上昇の問題を解決
するために、例えば特開平１−１０２４３０号公報に
は、遮光膜として、光の入射側に反射率の高い膜、液晶
層側に反射率の低い膜となる２層膜構造の遮光膜（第２
図）が開示されている。上記高反射率の膜の材料として
アルミニウムを使用し、低反射率の膜の材料としてクロ
ム等を使用している。このような遮光膜では、入射光に
よる温度上昇を抑える一方、液晶層内の入射光の反射に
よるＴＦＴへの光の入射を抑えることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
に遮光膜を高反射率の膜と低反射率の膜との２層構造と
した場合、上記したようにそれぞれ材料が異なるため、
それぞれの材料に応じた膜形成を行なう必要がある。こ
のため、入射光による温度上昇を抑える一方、液晶層内
の入射光の反射によるＴＦＴへの光の入射を抑えること
ができるものの、遮光膜を単層構造にした場合に比べ
て、遮光膜の材料費が向上すると共に製造工程が繁雑と
なる。したがって、アクティブマトリクス表示素子の製
造に係る費用が高くなるという問題が生じる。

【０００８】本発明は、上記の問題点に鑑みなされたも
のであり、その目的は、強い照射光を用いて表示画面の
高輝度化が図れると共に、温度上昇が小さく、高コント
ラスト値を有する投射型の画像表示装置に好適に使用さ
れ、しかも、容易に且つ安価に製造し得るアクティブマ
トリクス表示素子を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１のアクティブマ
トリクス表示素子は、一対の透明な絶縁性の基板と、上
記一対の基板の一方にマトリクス状に形成された絵素電
極と、他方の基板の上記絵素電極との対向面側に形成さ
れ、この対向する絵素電極の表示領域以外の部分を覆う
遮光膜とを有し、上記遮光膜は、基板上に形成されたア
ルミニウム薄膜層と、このアルミニウム薄膜層上に形成
された酸化アルミニウム薄膜層とからなることを特徴と
している。

【００１０】請求項２のアクティブマトリクス表示素子
は、一対の透明な絶縁性の基板と、上記一対の基板の一
方にマトリクス状に形成された絵素電極と、他方の基板
の上記絵素電極との対向面側に形成され、この対向する
絵素電極の表示領域以外の部分を覆うアルミニウム薄膜
からなる遮光膜とを有し、上記遮光膜は、基板上に常温
で形成された第１薄膜層と、この第１薄膜層上に上記第
１薄膜層よりも光の反射率が低くなるように、上記第１
薄膜層の形成温度よりも高い温度で形成された第２薄膜
層とからなることを特徴としている。

【００１１】

【作用】請求項１の構成によれば、遮光膜が、基板上に
形成されたアルミニウム薄膜層と、このアルミニウム薄
膜上に形成された酸化アルミニウム薄膜層とからなるこ
とで、遮光膜の光の入射側での光の反射率は高く、絵素
電極側での光の反射率を光の入射側よりも低くすること
ができる。

【００１２】これにより、アクティブマトリクス表示素
子への入射光は、遮光膜の開口部より絵素電極側に透過
する一方、遮光膜のアルミニウム薄膜層により殆ど反射
される。また、遮光膜の端縁部への照射光は、回折光と
なっても、酸化アルミニウム薄膜層により吸収されてし
まうので、光漏れを起こしたりすることはない。さら
に、遮光膜の開口部より入射した照射光は、その殆どが
透過するが、仮に絵素電極上で反射しても、その反射光
は、遮光膜の酸化アルミニウム薄膜層に吸収されるた
め、散乱光等が発生することはなく、絵素電極を駆動す
るための、例えば薄膜トランジスタ等の能動素子に入射
される光を抑えることができる。

【００１３】また、遮光膜は、基板にアルミニウム薄膜
を形成した後、その表面を酸化処理するだけで形成する
ことができるので、高反射率の膜としてアルミニウム膜
を使用し、低反射率の膜としてクロム膜を使用した場合
のように、別々の材料にて遮光膜を製造した場合に比べ
て、遮光膜の材料費を低減すると共に製造工程を簡略化
することができる。

【００１４】したがって、強い照射光を用いて表示画面
の高輝度化が図れ、しかも、温度上昇が小さく、高コン
トラスト値を有する投射型の画像表示装置に好適に使用
されるアクティブマトリクス表示素子を容易に、しかも
安価に提供することができる。

【００１５】請求項２の構成によれば、遮光膜が、基板
上に常温で形成された第１薄膜層と、この第１薄膜層上
に上記第１薄膜層よりも光の反射率が低くなるように、
上記第１薄膜層の形成温度よりも高い温度で形成された
第２薄膜層とからなることで、遮光膜の光の入射側での
光の反射率は高く、絵素電極側での光の反射率を光の入
射側よりも低くすることができる。

【００１６】このことは、膜形成時の温度とその膜の鏡
面反射率との関係、例えばアルミニウム薄膜をスパッタ
リングにより形成した場合、アルミニウムがスパッタリ
ングされる基板の温度が上昇すれば、形成されるアルミ
ニウムの鏡面反射率が低下するという関係から明らかで
ある。この場合、一般に、基板温度が約１２０℃以上に
なれば、急激に鏡面反射率が低下し、特に、２００℃〜
３００℃の高温では、その低下が著しいことが分かって
いる。

【００１７】したがって、遮光膜を形成する工程、例え
ばアルミニウム薄膜層をスパッタリングにより形成する
工程において、アルミニウム薄膜層が形成される基板の
温度を換えるだけで光の反射率を、光の入射側と絵素電
極側とで換えることができる。これにより、従来のよう
に、異なる素材により積層された遮光膜を製造する場合
に比べて、製造工程を簡略化することができ、製造に係
る装置の簡素化も図ることができるので、アクティブマ
トリクス表示素子の製造を、容易に、しかも安価に提供
することができる。

【００１８】

【実施例】

〔実施例１〕本発明の一実施例について図１および図３
に基づいて説明すれば、以下の通りである。

【００１９】本実施例に係るアクティブマトリクス表示
素子としての液晶表示素子１１は、図１に示すように、
一対の透明な絶縁性の基板（例えば、ガラス基板）１・
２を有している。

【００２０】一方の基板１上には、絵素電極３が形成さ
れている。この絵素電極３は、同じく基板１上に形成さ
れた、スイッチング素子として機能する薄膜トランジス
タ（Thin Film Transistor，以下、ＴＦＴと称する）４
に接続されている。また、図２に示すように、各絵素電
極３…の間には、透明性の絶縁材料、例えばシリコンか
らなる絶縁膜１０（図１）を介してゲートバス配線５お
よびソースバス配線６が互いに直交するように設けられ
ている。

【００２１】他方の基板２上には、遮光膜７が形成され
ている。この遮光膜７は、対向する基板１上の、ＴＦＴ
４、および絵素電極３の周縁部を覆うように、即ち、絵
素電極３の表示領域以外の部分を覆うように形成されて
いる。また、遮光膜７は、光の反射率の異なる層、第１
薄膜層７ａと第２薄膜層７ｂとの２層からなる積層構造
となっている。上記第１薄膜層７ａは、高い反射率で光
を反射するアルミニウム薄膜からなり、また、上記第２
薄膜層７ｂは、第１薄膜層７ａよりも光の反射率が低い
代わりに高い光の吸収率を示す酸化アルミニウム薄膜か
らなっている。

【００２２】上記の遮光膜７は、以下のようにして形成
される。まず、基板２上に、例えばスパッタリング法等
の薄膜形成技術によって、アルミニウム薄膜である第１
薄膜層７ａを形成する。次に、この第１薄膜層７ａに、
例えばフォトリソグラフィ法を用いて、上記の基板１上
の絵素電極３の絵素領域と対向する位置に開口部７ｃを
設ける。即ち、ＴＦＴ４を覆い、かつ、絵素電極３の周
縁部を覆い囲むように、マトリクス状に第１薄膜層７ａ
が形成される。そして、この基板２に、酸化炉処理、ま
たは陽極酸化法を施して、アルミニウム薄膜からなる第
１薄膜層７ａの表面を酸化させて、第２薄膜層７ｂであ
る酸化アルミニウム薄膜を形成する。このようにして、
基板２上に、第１薄膜層７ａのアルミニウム薄膜に第２
薄膜層７ｂの酸化アルミニウム薄膜が積層された遮光膜
７が形成される。

【００２３】また、基板２上には、この遮光膜７を覆っ
て、全面に、スパッタリングによりＩＴＯ（Indium-Tin
Oxide）膜からなる対向電極８が形成されている。さら
に、この対向電極８上に、ポリイミド樹脂を焼成して、
ラビング処理を行なった配向膜９が設けられている。そ
して、これらの基板１および２間に、液晶（図示せず）
が封入されている。

【００２４】上記の構成の液晶表示素子１１は、一般
に、図３に示すように、投射型の画像表示装置に使用さ
れる。この液晶表示素子１１の両側には、偏光板１４・
１５が配置されている。上記投射型の画像表示装置で
は、記液晶表示素子１１を、ツイスティッドネマティッ
ク（ＴＮ）モードにて表示させている。これにより、上
記偏光板１４・１５は、光軸を互いに直交するように配
置されている。

【００２５】上記投射型の画像表示装置は、上記液晶表
示素子１１に光を照射する光源１２と、この光源１２か
らの出射光を平行にするレンズ１３、液晶表示素子１１
から出射された画像を拡大するレンズ１６、拡大された
画像を投影するスクリーン１７を有している。

【００２６】即ち、上記投射型の画像表示装置では、光
源１２から出射された光は、レンズ１３にて平行光に変
換されて偏光板１４に出射される。この光は、偏光板１
４にて偏光され、液晶表示素子１１にて電圧が印加され
た画素領域において９０°回転して偏光板１５側に出射
される一方、液晶表示素子１１にて電圧が印加されてい
ない画素領域においては変調されずに偏光板１５側に出
射される。この９０°回転した光、即ち変調された光
は、偏光板１５を透過するが、変調されない光は、偏光
板１５にて遮断される。そして、偏光板１５を透過した
光は、レンズ１６を介してスクリーン１７上に拡大投影
される。したがって、光源１２から出射された光によ
り、液晶表示素子１１にて形成された画像は、スクリー
ン１７に拡大投影される。

【００２７】このときの液晶表示素子１１の表示画面の
大きさは対角線が７５ｍｍ（およそ３インチ）である。
また、絵素ピッチは縦１９０μｍ×横１６１μｍであ
り、絵素領域（開口部）は縦８８μｍ×横１０４μｍで
あり、画面中の絵素領域の占める割合（開口率）は３０
％である。

【００２８】上記の構成において、液晶表示素子１１
は、図１に示すように、光源１２（図３）からの光が、
基板２側から入射され、基板１側からスクリーン１７
（図３）に出射される。このとき、液晶表示素子１１へ
の入射光は、遮光膜７の開口部７ｃを透過する一方、遮
光膜７の第１薄膜層７ａのアルミニウム薄膜により殆ど
反射される。このときの反射率は、約８０％であった。
この反射率は、従来のクロム等から成る遮光膜の反射率
５０％に比較して、かなり高い値である。この第１薄膜
層７ａの反射率の高さ故に、温度上昇が引き起こされる
ことはない。

【００２９】また、遮光膜７の端縁部への照射光は、回
折光となっても、第２薄膜層７ｂの酸化アルミニウム薄
膜により吸収されてしまうので、光漏れを起こしたりす
ることはない。

【００３０】さらに、遮光膜７の開口部７ｃより入射し
た照射光は、その殆どが液晶層を透過するが、仮に絵素
電極３上で反射しても、その反射光は、遮光膜７の第２
薄膜層７ｂの酸化アルミニウム薄膜に吸収されるため、
散乱光等が発生することはなく、ＴＦＴ４に入射される
光を抑えることができる。

【００３１】したがって、本実施例の液晶表示素子１１
を投射型の画像表示装置に用いた場合、光源に高輝度の
ものを使用したとしても、まず、遮光膜７に照射される
光は、その遮光膜７の第１薄膜層７ａの反射率の高さ故
に、温度上昇等をもたらすことなく反射されて、遮光さ
れる。また、回折光、あるいは開口部７ｃから入射して
絵素電極３上で反射した光も、遮光膜７の第２薄膜層７
ｂに吸収されてしまい、散乱光等となって光漏れを起こ
すことはない。即ち、表示に寄与する以外の光は、何等
不都合をもたらすことなく、このアルミニウム薄膜であ
る第１薄膜層７ａおよび酸化アルミニウム薄膜である第
２薄膜層７ｂから成る遮光膜７により、反射あるいは吸
収されて、完全に遮光されてしまう。これにより、従来
用いられているよりもより高輝度の光源を使用して、輝
度が高く、かつ、高コントラストである画像表示を実現
することができる。

【００３２】また、遮光膜７は、第１薄膜層７ａがアル
ミニウム薄膜からなり、第２薄膜層７ｂが第１薄膜層７
ａを酸化した酸化アルミニウム薄膜からなることで、従
来のように、高反射率の膜と低反射率の膜とを、別々
の、例えば高反射率の膜としてアルミニウム膜を使用
し、低反射率の膜としてクロム膜を使用した場合に比べ
て、遮光膜７の材料費を低減すると共に製造工程を簡略
化することができる。したがって、液晶表示素子１１の
製造に係る時間および費用を低減することができる。

【００３３】以上のことから、本実施例の遮光膜７によ
れば、強い照射光を用いて表示画面の高輝度化が図れ、
しかも、温度上昇が小さく、高コントラスト値を有する
投射型の画像表示装置に好適に使用されるアクティブマ
トリクス表示素子としての液晶表示素子１１を容易に、
しかも安価に提供することができる。

【００３４】〔実施例２〕本発明の他の実施例について
図１および図４に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。尚、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示した部
材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記
し、その説明を省略する。

【００３５】本実施例に係るアクティブマトリクス表示
素子としての液晶表示素子２１は、図１に示すように、
上記実施例１の遮光膜７の代わりに遮光膜２２を有して
いる。本実施例における遮光膜２２は、第１薄膜層７ａ
が常温にて、第２薄膜層７ｂが２００〜３００℃の高温
にて、それぞれアルミニウムターゲットのスパッタリン
グ法により形成されたものである。即ち、第１薄膜層７
ａおよび第２薄膜層７ｂは、同じアルミニウム薄膜から
なっている。

【００３６】この場合、遮光膜２２に、例えばフォトリ
ソグラフィ法を用いて、上記の基板１上の絵素電極３の
絵素領域と対向する位置に開口部７ｃが形成される。即
ち、ＴＦＴ４を覆い、かつ、絵素電極３の周縁部を覆い
囲むように、マトリクス状に遮光膜２２が形成される。

【００３７】一般に、アルミニウムがスパッタリングさ
れる基板の温度が上昇すれば、形成されるアルミニウム
の鏡面反射率が低下する。これは、図４に示す純粋なア
ルミニウムを基板にスパッタリングした場合の基板温度
と鏡面反射率との関係を示すグラフ（日刊工業新聞社刊
『薄膜作成の基礎（第２版）』麻蒔立男著）から明らか
である。即ち、基板温度が約１２０℃以上になれば、ス
パッタリング速度に関係無く、急激に鏡面反射率が低下
し、特に、２００℃〜３００℃の高温では、その低下が
著しいことが分かる。

【００３８】したがって、常温にて形成された第１薄膜
層７ａであるアルミニウム薄膜は、光に対して高反射率
となっている。一方、２００℃〜３００℃の高温で形成
された第２薄膜層７ｂであるアルミニウム薄膜は、第１
薄膜層７ａと比較して光に対して低反射率となってい
る。

【００３９】上記構成の液晶表示素子２１を図３に示す
投射型の画像表示装置に用いた場合も、その効果は前記
実施例１と同様であった。

【００４０】このように、上記の遮光膜２２を備えた液
晶表示素子２１では、この遮光膜２２を形成する工程、
即ちアルミニウムをスパッタリングする工程において、
その基板温度を換えるだけで光の反射率を、基板２側と
基板１側とで換えるようになっている。したがって、本
実施例の遮光膜２２を備えた液晶表示素子２１では、従
来のように、異なる素材により積層された遮光膜を製造
する場合に比べて、製造工程を簡略化することができ、
製造に係る装置の簡素化も図ることができるので、液晶
表示素子２１の製造を、容易に、しかも安価に提供する
ことができる。

【００４１】

【発明の効果】請求項１の発明のアクティブマトリクス
表示素子は、以上のように、一対の透明な絶縁性の基板
と、上記一対の基板の一方にマトリクス状に形成された
絵素電極と、他方の基板の上記絵素電極との対向面側に
形成され、この対向する絵素電極の表示領域以外の部分
を覆う遮光膜とを有し、上記遮光膜は、基板上に形成さ
れたアルミニウム薄膜層と、このアルミニウム薄膜層上
に形成された酸化アルミニウム薄膜層とからなる構成で
ある。

【００４２】これにより、アクティブマトリクス表示素
子への入射光は、遮光膜の開口部より絵素電極側に透過
する一方、遮光膜のアルミニウム薄膜層により殆ど反射
される。また、遮光膜の端縁部への照射光は、回折光と
なっても、酸化アルミニウム薄膜層により吸収されてし
まうので、光漏れを起こしたりすることはない。さら
に、遮光膜の開口部より入射した照射光は、その殆どが
透過するが、仮に絵素電極上で反射しても、その反射光
は、遮光膜の酸化アルミニウム薄膜層に吸収されるた
め、散乱光等が発生することはなく、絵素電極を駆動す
るための、例えば薄膜トランジスタ等に入射される光を
抑えることができる。また、遮光膜は、例えば基板にア
ルミニウム薄膜を形成した後、酸化処理するだけで形成
することができるので、遮光膜を異なる素材で２層構造
とした場合よりも製造費および製造工程を簡略化するこ
とができる。

【００４３】したがって、強い照射光を用いて表示画面
の高輝度化が図れ、しかも、温度上昇が小さく、高コン
トラスト値を有する投射型の画像表示装置に好適に使用
されるアクティブマトリクス表示素子を容易に、しかも
安価に提供することができるという効果を奏する。

【００４４】請求項２の発明のアクティブマトリクス表
示素子は、以上のように、一対の透明な絶縁性の基板
と、上記一対の基板の一方にマトリクス状に形成された
絵素電極と、他方の基板の上記絵素電極との対向面側に
形成され、この対向する絵素電極の表示領域以外の部分
を覆うアルミニウム薄膜からなる遮光膜とを有し、上記
遮光膜は、基板上に常温で形成された第１薄膜層と、こ
の第１薄膜層上に上記第１薄膜層よりも光の反射率が低
くなるように、上記第１薄膜層の形成温度よりも高い温
度で形成された第２薄膜層とからなる構成である。

【００４５】これにより、アクティブマトリクス表示素
子への入射光は、遮光膜の開口部より絵素電極側に透過
する一方、遮光膜のアルミニウム薄膜層により殆ど反射
される。また、遮光膜の端縁部への照射光は、回折光と
なっても、酸化アルミニウム薄膜層により吸収されてし
まうので、光漏れを起こしたりすることはない。さら
に、遮光膜の開口部より入射した照射光は、その殆どが
透過するが、仮に絵素電極上で反射しても、その反射光
は、遮光膜の酸化アルミニウム薄膜層に吸収されるた
め、散乱光等が発生することはなく、絵素電極を駆動す
るための、例えば薄膜トランジスタ等に入射される光を
抑えることができる。

【００４６】また、遮光膜を形成する工程、例えばアル
ミニウム薄膜層をスパッタリングにより形成する工程に
おいて、アルミニウム薄膜層が形成される基板の温度を
換えるだけで光の反射率を、光の入射側と絵素電極側と
で換えることができる。

【００４７】したがって、従来のように、異なる素材に
より積層された遮光膜を製造する場合に比べて、製造工
程を簡略化することができ、製造に係る装置の簡素化も
図ることができるので、アクティブマトリクス表示素子
の製造を、容易に、しかも安価に提供することができる
という効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のアクティブマトリクス表示素子の概略
断面図である。

【図２】図１に示すアクティブマトリクス表示素子の絵
素電極形成側基板の概略の平面図である。

【図３】図１に示すアクティブマトリクス表示素子を備
えた投射型の画像表示装置の概略構成図である。

【図４】純粋なアルミニウムのスパッタリングでの基板
温度と鏡面反射率との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 基板 ３ 絵素電極 ７ 遮光膜 ７ａ 第１薄膜層（アルミニウム薄膜層） ７ｂ 第２薄膜層（酸化アルミニウム薄膜層） １１ 液晶表示素子（アクティブマトリクス表示素
子） ２１ 液晶表示素子（アクティブマトリクス表示素
子） ２２ 遮光膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 志彦 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 小橋 裕 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 植村 倫子 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一対の透明な絶縁性の基板と、 上記一対の基板の一方にマトリクス状に形成された絵素
   電極と、 他方の基板の上記絵素電極との対向面側に形成され、こ
   の対向する絵素電極の表示領域以外の部分を覆う遮光膜
   とを有し、 上記遮光膜は、基板上に形成されたアルミニウム薄膜層
   と、このアルミニウム薄膜層上に形成された酸化アルミ
   ニウム薄膜層とからなることを特徴とするアクティブマ
   トリクス表示素子。
2. 【請求項２】一対の透明な絶縁性の基板と、 上記一対の基板の一方にマトリクス状に形成された絵素
   電極と、 他方の基板の上記絵素電極との対向面側に形成され、こ
   の対向する絵素電極の表示領域以外の部分を覆うアルミ
   ニウム薄膜からなる遮光膜とを有し、 上記遮光膜は、基板上に常温で形成された第１薄膜層
   と、この第１薄膜層上に上記第１薄膜層よりも光の反射
   率が低くなるように、上記第１薄膜層の形成温度よりも
   高い温度で形成された第２薄膜層とからなることを特徴
   とするアクティブマトリクス表示素子。