JPH08181358A - 熱電変換素子並びにその製造方法及びその製造装置 - Google Patents

熱電変換素子並びにその製造方法及びその製造装置

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JPH08181358A
JPH08181358A JP6324285A JP32428594A JPH08181358A JP H08181358 A JPH08181358 A JP H08181358A JP 6324285 A JP6324285 A JP 6324285A JP 32428594 A JP32428594 A JP 32428594A JP H08181358 A JPH08181358 A JP H08181358A
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JP
Japan
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conversion element
thermoelectric conversion
conductor
mold
pressing
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JP6324285A
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English (en)
Inventor
Joji Hachisuga
譲 二 蜂須賀
Makoto Yamazaki
崎 誠 山
Ryuichi Uchino
野 龍 一 内
Michiharu Yokoi
井 道 治 横
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Aisin Corp
Original Assignee
Aisin Seiki Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 熱電変換素子の通電面に形成される導電体の
密着力が強い熱電変換素子の提供を目的とする。 【構成】 少なくとも電極が電気的に接続される熱電変
換素子の対向する通電面に、導電体を焼結してなること
を特徴とする熱電変換素子。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、熱電変換素子並びにそ
の製造方法及びその製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の技術としては、例えば特
開平3−16281号公報に開示される技術が知られて
いる。これは、主成分がテルル化ビスマス及びテルル化
アンチモンの固溶体粉末を、真空中又は不活性ガス中で
加熱しながら加圧、成形した、粉末焼結体より熱電変換
素子を構成したものである。
【0003】更に、上記方法により成形した熱電変換素
子の電極が接着される通電面に、電極をはんだ付けによ
り接着可能とするため、導電体であるニッケルでメッキ
している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術にお
いては、熱電変換素子に電極を接着可能とするためにニ
ッケルメッキを施しているが、メッキでは熱電変換素子
との密着力が小さく剥がれやすいという問題がある。も
し、メッキが剥がれれば、熱電変換素子に電流を流すと
メッキと熱電変換素子との間にスパークが発生する。ス
パークが発生すると、このときの熱ではんだは溶け、は
んだ付け不良の事態を招くことになる。そして、はんだ
付け不良になると、熱電変換素子の性能が設計通りの十
分な性能が得られなくなる。
【0005】本発明は、熱電変換素子の通電面に形成さ
れる導電体の密着力が強い熱電変換素子の提供を技術的
課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記した技術的課題を解
決するため請求項1の発明において講じた技術的手段
は、少なくとも電極が電気的に接続される熱電変換素子
の対向する通電面に、導電体を焼結してなることであ
る。
【0007】請求項2の発明において講じた技術的手段
は、熱電変換素子を嵌入可能な凹部を有した第1型と、
凹部に嵌入された熱電変換素子をその押圧面にて押圧可
能な第2型と、第1型及び第2型にて熱電変換素子を押
圧する際に熱電変換素子を加熱可能な加熱手段とを有
し、凹部の少なくとも底面に導電体の箔又は粉を設置し
た後、電極が電気的に接続される熱電変換素子の一方の
通電面が導電体に接触するように嵌入させ、更に一方の
通電面に対向する他方の通電面に導電体の箔又は粉を設
置し、第1型と第2型にて熱電変換素子を押圧しながら
加熱手段にて熱電変換素子を加熱することである。
【0008】請求項3の発明において講じた技術的手段
は、熱電変換素子を嵌入可能な凹部を有した第1型と、
熱電変換素子を保持可能な凸部を有した第2型と、第1
型及び第2型にて熱電変換素子を押圧する際に熱電変換
素子を加熱可能な加熱手段とを有し、第2型の凸部に導
電体の箔又は粉を設置した後、電極が電気的に接続され
る熱電変換素子の一方の通電面が導電体に接触するよう
に配置し、更に一方の通電面に対向する他方の通電面に
導電体の箔又は粉を設置し、第1型と第2型にて熱電変
換素子を押圧しながら加熱手段にて熱電変換素子を加熱
することである。
【0009】請求項4の発明において講じた技術的手段
は、熱電変換素子を嵌入可能な凹部を有した第1型と、
凹部に嵌入された熱電変換素子をその押圧面にて押圧可
能な第2型と、第1及び第2型にて熱電変換素子を押圧
する際に熱電変換素子を加熱可能な加熱手段を備えたこ
とである。
【0010】
【作用】請求項1の発明においては、熱電変換素子の通
電面に導電体を焼結してなるため、熱電変換素子と導電
体との密着力に優れたものである。
【0011】請求項2及び請求項3の発明においては、
熱電変換素子の通電面に導電体の箔又は粉を接触させた
状態で加圧しながら加熱することにより、融点が比較的
低い熱電変換素子の方が導電体の箔又は粉に拡散して、
焼結される。
【0012】請求項4の発明においては、熱電変換素子
の通電面、もしくは第1及び第2型が熱電変換素子に接
触する部位に、導電体の箔又は粉を設置させた状態で、
熱電変換素子を第1型と第2型にて加圧し、更に加熱手
段により加熱する。これにより、融点が比較的低い熱電
変換素子の方が導電体の箔又は粉に拡散して、焼結され
る。
【0013】
【実施例】本発明に係る実施例を図面に基づいて説明す
る。
【0014】図1は、本実施例の熱電変換素子の外観斜
視図である。同図において、熱電変換素子11は、略立
方体状を呈していて、その通電面(図中上面及び下面)
には、ニッケルや銅などの導電体で且つ熱伝導の良好な
材料よりなる金属層11、12が形成されている。金属
層12、13は、熱電変換素子11に焼結されて焼結体
10を構成している。
【0015】図2及び図3は、図1に示す熱電変換素子
の焼結体10の製造方法を工程別に表していて、図に基
づいて焼結体10の製造方法を説明する。
【0016】先ず、図2を用いて第1の方法を説明す
る。第1型20には、略立方体状を呈した熱電変換素子
11が嵌入可能な凹部21が形成されている。この凹部
21の底面に上述した金属層12、13の材料となる導
電体の箔(又は粉)22を設置し、そこへ熱電変換素子
11の一方の通電面が導電体の箔22に接触するように
熱電変換素子11を嵌め込む。次に、熱電変換素子11
の他方の通電面となる上面に同じように導電体の箔23
を設置する。そして、第2型24を下降させて、第1型
20と第2型24とで熱電変換素子11を押圧する。こ
のとき、スイッチ25を閉とする。これにより、第1型
20及び第2型24にそれぞれ接続された電極から型2
0、24、熱電変換素子11、並びに導電体の箔22、
23に電流が流れてジュール熱が発生する。このジュー
ル熱によって、熱電変換素子11が導電体の箔22、2
3に拡散しながら押圧され、焼結される。尚、スイッチ
25、電源26は、加熱手段を構成している。
【0017】次に、図3を用いて第2の方法を説明す
る。尚、第1の方法と同じ名称の部材には、同一符号を
用いている。第2型24には、略立方体状を呈した熱電
変換素子11を保持可能な凸部24aが形成されてい
る。この凸部24aの上面に、導電体の箔(又は粉)2
3を設置し、そこへ熱電変換素子11の一方の通電面が
導電体の箔23に接触するように熱電変換素子11を置
く。次に、熱電変換素子11の他方の通電面となる上面
に同じように導電体の箔22を設置する。そして第1型
20を、第1型20に形成された凹部21内に熱電変換
素子11が嵌入するように下降させ、第1型20と第2
型24とで熱電変換素子11を押圧する。このとき、上
述した第1の方法と同じようにスイッチ25を閉とす
る。これにより、型20、24内を電流が流れてジュー
ル熱が発生し、熱電変換素子11が加熱される。そし
て、第1の方法と同じように熱電変換素子11が導電体
の箔22、23に拡散し、押圧されて、焼結される。
【0018】本実施例においては、熱電変換素子11の
通電面に導電体よりなる金属層12、13を焼結してな
るため、熱電変換素子11と金属層12、13との密着
力に優れたものであり、はんだ付け不良による熱電変換
素子11の性能低下を防止することができる。
【0019】又、本実施例においては、熱電変換素子1
1の通電面に導電体の箔(又は粉)22、23を接触さ
せた状態で加圧しながら加熱することにより、融点が比
較的低い熱電変換素子11の方が導電体の箔22、23
に拡散して焼結されるため、熱電変換素子11と導電体
の箔22、23(即ち、金属層12、13)との密着力
に優れ、はんだ付け不良による熱電変換素子の性能低下
を防止することができる。
【0020】尚、本実施例においては、加熱手段として
電源26とスイッ25を用い、型20、24に電流を流
して加熱する方法を採用しているため、型20、24の
加熱の時間を短くすることができたり、熱電変換素子1
1内部の変質を少なくし性能を安定させることができた
りする利点がある。しかしながら、特にこのジュール熱
を利用する方法に限定するものではなく、ヒーターや熱
媒体を利用した方法を採用してもよい。
【0021】
【発明の効果】請求項1の発明においては、熱電変換素
子の通電面に導電体を焼結してなるため、熱電変換素子
と導電体との密着力に優れたものであり、はんだ付け不
良による熱電変換素子の性能低下を防止することができ
る。
【0022】請求項2及び請求項3の発明においては、
熱電変換素子の通電面に導電体の箔又は粉を接触させた
状態で加圧しながら加熱することにより、融点が比較的
低い熱電変換素子の方が導電体の箔又は粉に拡散して焼
結されるため、熱電変換素子と導電体との密着力に優
れ、はんだ付け不良による熱電変換素子の性能低下を防
止することができる。
【0023】請求項4の発明においては、熱電変換素子
の通電面、もしくは第1及び第2型が熱電変換素子に接
触する部位に、導電体の箔又は粉を設置させた状態で、
熱電変換素子を第1型と第2型にて加圧し、更に加熱手
段により加熱する。これにより、融点が比較的低い熱電
変換素子の方が導電体の箔又は粉に拡散して、焼結され
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る熱電変換素子の外観斜視図を示
す。
【図2】本発明に係る熱電変換素子の製造方法を表した
工程図を示す。
【図3】本発明に係る熱電変換素子の製造方法を表した
工程図を示す。
【符号の説明】
10・・・熱電変換素子の焼結体 11・・・熱電変換素子 12・・・金属層 13・・・金属層 20・・・第1型 21・・・凹部 22、23・・・導電体 24・・・第2型 25・・・スイッチ(加熱手段) 26・・・電源(加熱手段)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横 井 道 治 愛知県刈谷市朝日町2丁目1番地 アイシ ン精機株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも電極が電気的に接続される熱
    電変換素子の対向する通電面に、導電体を焼結してなる
    ことを特徴とする熱電変換素子。
  2. 【請求項2】 熱電変換素子を嵌入可能な凹部を有した
    第1型と、前記凹部に嵌入された前記熱電変換素子をそ
    の押圧面にて押圧可能な第2型と、前記第1型及び前記
    第2型にて前記熱電変換素子を押圧する際に前記熱電変
    換素子を加熱可能な加熱手段とを有し、前記凹部の少な
    くとも底面に導電体の箔又は粉を設置した後、電極が電
    気的に接続される前記熱電変換素子の一方の通電面が前
    記導電体に接触するように嵌入させ、更に前記一方の通
    電面に対向する他方の通電面に前記導電体の箔又は粉を
    設置し、前記第1型と前記第2型にて前記熱電変換素子
    を押圧しながら前記加熱手段にて前記熱電変換素子を加
    熱することを特徴とする熱電変換素子の製造方法。
  3. 【請求項3】 熱電変換素子を嵌入可能な凹部を有した
    第1型と、前記熱電変換素子を保持可能な凸部を有した
    第2型と、前記第1型及び前記第2型にて前記熱電変換
    素子を押圧する際に前記熱電変換素子を加熱可能な加熱
    手段とを有し、前記第2型の前記凸部に前記導電体の箔
    又は粉を設置した後、電極が電気的に接続される前記熱
    電変換素子の一方の通電面が前記導電体に接触するよう
    に配置し、更に前記一方の通電面に対向する他方の通電
    面に前記導電体の箔又は粉を設置し、前記第1型と前記
    第2型にて前記熱電変換素子を押圧しながら前記加熱手
    段にて前記熱電変換素子を加熱することを特徴とする熱
    電変換素子の製造方法。
  4. 【請求項4】 熱電変換素子を嵌入可能な凹部を有した
    第1型と、前記凹部に嵌入された前記熱電変換素子をそ
    の押圧面にて押圧可能な第2型と、前記第1及び前記第
    2型にて前記熱電変換素子を押圧する際に前記熱電変換
    素子を加熱可能な加熱手段を備えたことを特徴とする熱
    電変換素子の製造装置。
JP6324285A 1994-12-27 1994-12-27 熱電変換素子並びにその製造方法及びその製造装置 Pending JPH08181358A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1065222A (ja) * 1996-08-14 1998-03-06 Natl Aerospace Lab 熱電変換素子の製造方法
WO2003075393A1 (fr) * 2002-03-07 2003-09-12 Sony Corporation Module haute frequence

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1065222A (ja) * 1996-08-14 1998-03-06 Natl Aerospace Lab 熱電変換素子の製造方法
WO2003075393A1 (fr) * 2002-03-07 2003-09-12 Sony Corporation Module haute frequence

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