JPH08162441A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH08162441A JPH08162441A JP30251694A JP30251694A JPH08162441A JP H08162441 A JPH08162441 A JP H08162441A JP 30251694 A JP30251694 A JP 30251694A JP 30251694 A JP30251694 A JP 30251694A JP H08162441 A JPH08162441 A JP H08162441A
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- gas
- dry etching
- etching
- etching method
- oxygen gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、エッチング加工面の粗さが小さ
く、かつ、ピットの発生を低減可能なドライエッチング
方法を提供することを目的とする。 【構成】 化合物半導体材料のドライエッチング方法に
おいて、該化合物半導体材料がＧａ系の窒化物からなる
薄膜であり、プラズマ励起するガスが少なくとも酸素ガ
スを含む塩素系ガスであり、かつ、該塩素系ガスがＣｌ
2，ＳｉＣｌ4，ＢＣｌ3のうち少なくとも１つの材料か
らなることを特徴とする。また、前記酸素ガスの流量
が、０．２５〜０．４５ｓｃｃｍであることを特徴とす
る。さらに、前記酸素ガスの流量が、０．５〜０．３５
ｓｃｃｍであることを特徴とする。
く、かつ、ピットの発生を低減可能なドライエッチング
方法を提供することを目的とする。 【構成】 化合物半導体材料のドライエッチング方法に
おいて、該化合物半導体材料がＧａ系の窒化物からなる
薄膜であり、プラズマ励起するガスが少なくとも酸素ガ
スを含む塩素系ガスであり、かつ、該塩素系ガスがＣｌ
2，ＳｉＣｌ4，ＢＣｌ3のうち少なくとも１つの材料か
らなることを特徴とする。また、前記酸素ガスの流量
が、０．２５〜０．４５ｓｃｃｍであることを特徴とす
る。さらに、前記酸素ガスの流量が、０．５〜０．３５
ｓｃｃｍであることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチング方法
に係る。より詳細には、プラズマ励起するガスとして、
少なくとも酸素ガスを含む塩素系ガスを用いる化合物半
導体材料のドライエッチング方法に関する。
に係る。より詳細には、プラズマ励起するガスとして、
少なくとも酸素ガスを含む塩素系ガスを用いる化合物半
導体材料のドライエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、化合物半導体材料のドライエッチ
ング方法としては、次の技術が知られている。 （１）ドライエッチング装置としては、平行平板型反応
性イオンエッチング（Reactive Ion Etching, ＲＩＥ）
装置が多用される。ＲＩＥは、プラズマ中の中性活性種
の濃度が高いため反応性が高いという特長があり、異種
薄膜間のエッチング速度比の向上が課題である「電子素
子」に適している。 （２）ドライエッチングに用いるガスとしては、電気的
陰性度や電子親和力の高いハロゲンガスが主に用いられ
るが、なかでも「電子素子」に用いられるＧａＡｓ等に
対しては、塩素（Ｃｌ2）系が好ましい。また、エッチ
ング中の表面酸化によりＧａＡｓ等のエッチング速度が
低下する場合には、Ｃｌ2のほかにＣＣｌ4やＢＣｌ3な
どの還元性ガスを添加して酸化物を分解するか、Ａｒガ
スの混合により酸化物のスパッタを促進することで改善
される。
ング方法としては、次の技術が知られている。 （１）ドライエッチング装置としては、平行平板型反応
性イオンエッチング（Reactive Ion Etching, ＲＩＥ）
装置が多用される。ＲＩＥは、プラズマ中の中性活性種
の濃度が高いため反応性が高いという特長があり、異種
薄膜間のエッチング速度比の向上が課題である「電子素
子」に適している。 （２）ドライエッチングに用いるガスとしては、電気的
陰性度や電子親和力の高いハロゲンガスが主に用いられ
るが、なかでも「電子素子」に用いられるＧａＡｓ等に
対しては、塩素（Ｃｌ2）系が好ましい。また、エッチ
ング中の表面酸化によりＧａＡｓ等のエッチング速度が
低下する場合には、Ｃｌ2のほかにＣＣｌ4やＢＣｌ3な
どの還元性ガスを添加して酸化物を分解するか、Ａｒガ
スの混合により酸化物のスパッタを促進することで改善
される。
【０００３】しかし、上記従来技術には、例えばＧａの
窒化物からなる薄膜に適用した場合、次のような問題が
ある。 （１）の技術は、エッチング面の粗さを増大する。 （２）の技術は、結晶欠陥に起因する穴、すなわち
「ピット」が多発する。
窒化物からなる薄膜に適用した場合、次のような問題が
ある。 （１）の技術は、エッチング面の粗さを増大する。 （２）の技術は、結晶欠陥に起因する穴、すなわち
「ピット」が多発する。
【０００４】図３（ａ）は、上記及びの状態を示す
模式的断面図である。例えば、エッチングされる試料３
０１は、サファイア基板３１１とＧａＮ膜３１２から構
成される。ＧａＮ膜３１２の表面上には、ラインパター
ンを有するマスク３０２が設けてある。図面上方からエ
ッチングすることにより、ラインパターンに対応した溝
が形成される。しかし、その凹部底面は、上述した粗さ
の大きな部分３０３とピット部分３０４からなる不安定
な形態をとる。このような形態の上に、さらに薄膜を積
層して設けた場合、薄膜内部に欠陥や亀裂などが生じや
すく、電気的にも光学的にも不具合となる。従って、化
合物半導体材料を用いて各種素子を作製する場合には、
図３（ｂ）に示すようなエッチング面の平坦化技術の開
発が望まれている。
模式的断面図である。例えば、エッチングされる試料３
０１は、サファイア基板３１１とＧａＮ膜３１２から構
成される。ＧａＮ膜３１２の表面上には、ラインパター
ンを有するマスク３０２が設けてある。図面上方からエ
ッチングすることにより、ラインパターンに対応した溝
が形成される。しかし、その凹部底面は、上述した粗さ
の大きな部分３０３とピット部分３０４からなる不安定
な形態をとる。このような形態の上に、さらに薄膜を積
層して設けた場合、薄膜内部に欠陥や亀裂などが生じや
すく、電気的にも光学的にも不具合となる。従って、化
合物半導体材料を用いて各種素子を作製する場合には、
図３（ｂ）に示すようなエッチング面の平坦化技術の開
発が望まれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、エッチング
加工面の粗さが小さく、かつ、結晶欠陥に起因するピッ
トの発生を低減可能なドライエッチング方法を提供する
ことを目的とする。
加工面の粗さが小さく、かつ、結晶欠陥に起因するピッ
トの発生を低減可能なドライエッチング方法を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法は、化合物半導体材料のドライエッチング方法に
おいて、該化合物半導体材料がＧａ系の窒化物からなる
薄膜であり、プラズマ励起するガスが少なくとも酸素ガ
スを含む塩素系ガスであり、かつ、該塩素系ガスがＣｌ
2，ＳｉＣｌ4，ＢＣｌ3のうち少なくとも１つの材料か
らなることを特徴とする。
グ方法は、化合物半導体材料のドライエッチング方法に
おいて、該化合物半導体材料がＧａ系の窒化物からなる
薄膜であり、プラズマ励起するガスが少なくとも酸素ガ
スを含む塩素系ガスであり、かつ、該塩素系ガスがＣｌ
2，ＳｉＣｌ4，ＢＣｌ3のうち少なくとも１つの材料か
らなることを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明では、プラズマ励起するガスを、少なく
とも酸素ガスを含む塩素系ガスとしたため、エッチング
加工面の粗さが小さくなる。また、該塩素系ガスを、Ｃ
ｌ2，ＳｉＣｌ4，ＢＣｌ3のうち少なくとも１つの材料
としたことにより、表面酸化が起こりづらく、かつ炭素
などの不純物汚染を防止できる。その結果、エッチング
加工面の平坦性向上と、エッチング速度の低減回避とを
同時に実現できる。
とも酸素ガスを含む塩素系ガスとしたため、エッチング
加工面の粗さが小さくなる。また、該塩素系ガスを、Ｃ
ｌ2，ＳｉＣｌ4，ＢＣｌ3のうち少なくとも１つの材料
としたことにより、表面酸化が起こりづらく、かつ炭素
などの不純物汚染を防止できる。その結果、エッチング
加工面の平坦性向上と、エッチング速度の低減回避とを
同時に実現できる。
【０００８】また、前記酸素ガスの流量を、０．２５〜
０．４５ｓｃｃｍの範囲に限定した場合、ピットの発生
する数が１［個／μｍ2］以下であり、かつ、前記酸素
ガスを添加する前のエッチング速度より高速化できる。
特に、前記酸素ガスの流量を、０．５〜０．３５ｓｃｃ
ｍとした場合、ピットの発生数が０であり、前記酸素ガ
スを添加する前のエッチング速度に比べて、５０％以上
高いエッチング速度が得られるためより好ましい。
０．４５ｓｃｃｍの範囲に限定した場合、ピットの発生
する数が１［個／μｍ2］以下であり、かつ、前記酸素
ガスを添加する前のエッチング速度より高速化できる。
特に、前記酸素ガスの流量を、０．５〜０．３５ｓｃｃ
ｍとした場合、ピットの発生数が０であり、前記酸素ガ
スを添加する前のエッチング速度に比べて、５０％以上
高いエッチング速度が得られるためより好ましい。
【０００９】
（化合物半導体材料）化合物半導体材料としては、例え
ば、電子素子としてＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ系材料が、
光素子としてはＩｎＰ系材料が挙げられる。Ｓｉのドラ
イエッチングは、集積回路の微細化、大口径ウエハに対
応する均一性・高選択比など、実用レベルでの高集積化
に開発の中心課題があるのに対して、化合物半導体のド
ライエッチングは、電気的能動層、光学的活性層に対す
る処理が中心である。従って、化合物半導体の開発課題
は、微細化以前の問題として平滑化、高清浄化、無損傷
化など、加工表面の高品質化にある。特に、最近は、エ
ッチング面の粗さ制御に加えて、結晶欠陥に起因する
穴、すなわち「ピット」を低減する技術の開発が望まれ
ている。
ば、電子素子としてＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ系材料が、
光素子としてはＩｎＰ系材料が挙げられる。Ｓｉのドラ
イエッチングは、集積回路の微細化、大口径ウエハに対
応する均一性・高選択比など、実用レベルでの高集積化
に開発の中心課題があるのに対して、化合物半導体のド
ライエッチングは、電気的能動層、光学的活性層に対す
る処理が中心である。従って、化合物半導体の開発課題
は、微細化以前の問題として平滑化、高清浄化、無損傷
化など、加工表面の高品質化にある。特に、最近は、エ
ッチング面の粗さ制御に加えて、結晶欠陥に起因する
穴、すなわち「ピット」を低減する技術の開発が望まれ
ている。
【００１０】（ドライエッチング方法）ドライエッチン
グ方法としては、例えば、平行平板型反応性イオンエッ
チング（Reactive Ion Etching, ＲＩＥ）、反応性イオ
ンビームエッチング（ReactiveIon Beam Etching, ＲＩ
ＢＥ）、イオンビームアシストエッチング（Ion Beam A
ssisted Etching, ＩＢＡＥ）などが挙げられる。ＲＩ
Ｅは、プラズマ中の中性活性種の濃度が高く、従って反
応性が高いという特長を有する。ゆえに、異種薄膜間の
エッチング速度比の向上が必要な電子素子、すなわちＨ
ＥＭＴなどのヘテロ薄膜に適する。ＲＩＢＥは、イオン
の指向性が優れるため、垂直側壁をミラーファセットと
して利用することの多い光集積素子に適する。ＩＢＡＥ
は、Ａｒ+イオンビーム照射とＣｌガスのノズル照射を
併用し、試料表面にのみ高濃度のＣｌガスを供給させる
ことで、高いエッチング速度と優れた垂直異方性が得ら
れるという特長を有する。
グ方法としては、例えば、平行平板型反応性イオンエッ
チング（Reactive Ion Etching, ＲＩＥ）、反応性イオ
ンビームエッチング（ReactiveIon Beam Etching, ＲＩ
ＢＥ）、イオンビームアシストエッチング（Ion Beam A
ssisted Etching, ＩＢＡＥ）などが挙げられる。ＲＩ
Ｅは、プラズマ中の中性活性種の濃度が高く、従って反
応性が高いという特長を有する。ゆえに、異種薄膜間の
エッチング速度比の向上が必要な電子素子、すなわちＨ
ＥＭＴなどのヘテロ薄膜に適する。ＲＩＢＥは、イオン
の指向性が優れるため、垂直側壁をミラーファセットと
して利用することの多い光集積素子に適する。ＩＢＡＥ
は、Ａｒ+イオンビーム照射とＣｌガスのノズル照射を
併用し、試料表面にのみ高濃度のＣｌガスを供給させる
ことで、高いエッチング速度と優れた垂直異方性が得ら
れるという特長を有する。
【００１１】（Ｇａ系の窒化物からなる薄膜）Ｇａ系の
窒化物からなる薄膜としては、例えば、ＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition）法にて作製されたＧａＮ、Ｇａ
Ｐ（Ｎ）、ＧａＡｓＰ（Ｎ）などが挙げられる。特に、
発光ダイオード（Light Emitting Diode, ＬＥＤ）用途
では、発光中心波長が４９０ｎｍと短波長であり、か
つ、効率の良い発光が期待できる直接遷移型の半導体材
料であるＧａＮが、最近特に注目されている。
窒化物からなる薄膜としては、例えば、ＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition）法にて作製されたＧａＮ、Ｇａ
Ｐ（Ｎ）、ＧａＡｓＰ（Ｎ）などが挙げられる。特に、
発光ダイオード（Light Emitting Diode, ＬＥＤ）用途
では、発光中心波長が４９０ｎｍと短波長であり、か
つ、効率の良い発光が期待できる直接遷移型の半導体材
料であるＧａＮが、最近特に注目されている。
【００１２】（プラズマ励起するガス）プラズマ励起す
るガスとしては、Ｇａ系の化合物半導体材料をドライエ
ッチングする場合、塩素（Ｃｌ2）系が好ましく、例え
ば、Ｃｌ2，ＳｉＣｌ4，ＢＣｌ3，ＣＣｌ4，ＣＣｌ
3Ｆ，ＣＣｌ2Ｆ2等が挙げられる。特に、Ｃ元素を含ま
ないＣｌ2，ＳｉＣｌ4，ＢＣｌ3は、エッチング加工面
への不純物汚染が少ないため好ましい。
るガスとしては、Ｇａ系の化合物半導体材料をドライエ
ッチングする場合、塩素（Ｃｌ2）系が好ましく、例え
ば、Ｃｌ2，ＳｉＣｌ4，ＢＣｌ3，ＣＣｌ4，ＣＣｌ
3Ｆ，ＣＣｌ2Ｆ2等が挙げられる。特に、Ｃ元素を含ま
ないＣｌ2，ＳｉＣｌ4，ＢＣｌ3は、エッチング加工面
への不純物汚染が少ないため好ましい。
【００１３】（酸素ガスの流量）酸素ガスの流量として
は、例えば、０．２５〜０．４５ｓｃｃｍが挙げられ
る。この範囲では、単位面積（１μｍ2）当たりにおい
て、直径が１００ｎｍ以上のピットが発生する数を１以
下とすることができ、かつ、酸素ガスを添加する前より
も高いエッチング速度がえられるので好ましい。また、
前記酸素ガスの流量を、０．５〜０．３５ｓｃｃｍとし
た場合、ピットの発生数は０となり、かつ、エッチング
速度は、酸素ガスを添加する前のエッチング速度に比べ
て、５０％以上高くできるためより望ましい。
は、例えば、０．２５〜０．４５ｓｃｃｍが挙げられ
る。この範囲では、単位面積（１μｍ2）当たりにおい
て、直径が１００ｎｍ以上のピットが発生する数を１以
下とすることができ、かつ、酸素ガスを添加する前より
も高いエッチング速度がえられるので好ましい。また、
前記酸素ガスの流量を、０．５〜０．３５ｓｃｃｍとし
た場合、ピットの発生数は０となり、かつ、エッチング
速度は、酸素ガスを添加する前のエッチング速度に比べ
て、５０％以上高くできるためより望ましい。
【００１４】
【実施例】以下本発明の一実施例を、図１及び図２を参
照して説明する。
照して説明する。
【００１５】（実施例１）図２に示すＲＩＥ法によるド
ライエッチング装置を用い、ＧａＮ膜に対してエッチン
グ処理を行った。以下では、その処理方法について説明
する。括弧付きの番号は、作業手順を示す。
ライエッチング装置を用い、ＧａＮ膜に対してエッチン
グ処理を行った。以下では、その処理方法について説明
する。括弧付きの番号は、作業手順を示す。
【００１６】（１）エッチングする試料２０１として
は、サファイア基板（直径＝７５ｍｍ、厚さ＝０．３ｍ
ｍ）の表面上に、ＣＶＤ法で作製されたＧａＮ膜（膜厚
＝３．０μｍ）が設けてあるものを用いた。 （２）上記試料２０１は、その表面にマスク２０２（ラ
インパターン：開口幅＝５０μｍ、開口間隔＝１０μ
ｍ）が付けられ、反応容器２０３の中にあるステージ２
０４の上に配置した。但し、反応容器２０３の材質はＡ
ｌであり、かつ、その内壁面には陽極酸化処理がしてあ
るものを用いた。また、Ａｌで作製したステージ２０４
は、温度制御が可能であり、かつ、ＲＦ電源（図示せ
ず）に接続されている。
は、サファイア基板（直径＝７５ｍｍ、厚さ＝０．３ｍ
ｍ）の表面上に、ＣＶＤ法で作製されたＧａＮ膜（膜厚
＝３．０μｍ）が設けてあるものを用いた。 （２）上記試料２０１は、その表面にマスク２０２（ラ
インパターン：開口幅＝５０μｍ、開口間隔＝１０μ
ｍ）が付けられ、反応容器２０３の中にあるステージ２
０４の上に配置した。但し、反応容器２０３の材質はＡ
ｌであり、かつ、その内壁面には陽極酸化処理がしてあ
るものを用いた。また、Ａｌで作製したステージ２０４
は、温度制御が可能であり、かつ、ＲＦ電源（図示せ
ず）に接続されている。
【００１７】（３）反応容器２０３の中を、所定の圧力
（１×１０-2Ｐａ以下）まで真空ポンプ２０５にて減圧
した後、ステージ２０４を温度制御コントローラー（図
示せず）によって、基板温度を５０℃に保持した。
（１×１０-2Ｐａ以下）まで真空ポンプ２０５にて減圧
した後、ステージ２０４を温度制御コントローラー（図
示せず）によって、基板温度を５０℃に保持した。
【００１８】（４）反応容器２０３の中へ、シャワー状
のガス供給口２０６から、プラズマ励起するガスを導入
した。次に、圧力コントローラー２０７を用いて、エッ
チング圧力（５Ｐａ）に設定した。プラズマ励起するガ
スは（ＢＣｌ3＋Ｏ2）であり、ＢＣｌ3＝４０ｓｃｃｍ
（固定）、Ｏ2＝０〜１０ｓｃｃｍ（可変）とした。
のガス供給口２０６から、プラズマ励起するガスを導入
した。次に、圧力コントローラー２０７を用いて、エッ
チング圧力（５Ｐａ）に設定した。プラズマ励起するガ
スは（ＢＣｌ3＋Ｏ2）であり、ＢＣｌ3＝４０ｓｃｃｍ
（固定）、Ｏ2＝０〜１０ｓｃｃｍ（可変）とした。
【００１９】（５）ＲＦ電源からステージ２０４に印加
するパワーを１８０Ｗに固定し、適当なエッチング時間
処理することによって、ＧａＮ膜に深さ１μｍの溝を作
製した。このエッチング試料の作製は、各酸素流量ごと
に行った。エッチング処理後、反応容器２０３の中を、
再度所定の圧力（１×１０-2Ｐａ以下）まで真空ポンプ
２０５にて減圧した。
するパワーを１８０Ｗに固定し、適当なエッチング時間
処理することによって、ＧａＮ膜に深さ１μｍの溝を作
製した。このエッチング試料の作製は、各酸素流量ごと
に行った。エッチング処理後、反応容器２０３の中を、
再度所定の圧力（１×１０-2Ｐａ以下）まで真空ポンプ
２０５にて減圧した。
【００２０】（６）ＧａＮ膜に凹凸ラインパターンが設
けられた試料は、反応容器２０３から隣接した分析容器
２０８へ、基板搬送装置（図示せず）にて移動させた。
移動完了後、反応容器２０３と分析容器２０８の間にあ
るドアバルブ２０９は締められ、分析容器２０８を分離
した。
けられた試料は、反応容器２０３から隣接した分析容器
２０８へ、基板搬送装置（図示せず）にて移動させた。
移動完了後、反応容器２０３と分析容器２０８の間にあ
るドアバルブ２０９は締められ、分析容器２０８を分離
した。
【００２１】（７）分析容器２０８に設置された走査電
子顕微鏡（scanning electron microscope, ＳＥＭ）２
１０を用いて、上記凹凸ラインパターンの凹部底面に発
生するピットを観察した。
子顕微鏡（scanning electron microscope, ＳＥＭ）２
１０を用いて、上記凹凸ラインパターンの凹部底面に発
生するピットを観察した。
【００２２】図１は、酸素ガスの流量と、ピット数およ
びエッチング速度との関係を示すグラフである。ＳＥＭ
の観察条件は、二次電子像、倍率１５，０００、観察面
積１８μｍ2であり、直径１００ｎｍ以上のピットをカ
ウントした。
びエッチング速度との関係を示すグラフである。ＳＥＭ
の観察条件は、二次電子像、倍率１５，０００、観察面
積１８μｍ2であり、直径１００ｎｍ以上のピットをカ
ウントした。
【００２３】本例では、プラズマ励起するガスを、ＢＣ
ｌ3から（ＢＣｌ3＋Ｏ2）に代えることによって、ピッ
ト発生数を激減できることが分かった。また、酸素ガス
の流量が０．２５〜０．４５ｓｃｃｍの場合、ピット発
生数を１以下とすることができ、かつ、酸素ガスを添加
する前よりも高いエッチング速度がえられた。さらに、
酸素ガスの流量が０．５〜０．３５ｓｃｃｍの場合、ピ
ットの発生数は０となり、かつ、エッチング速度は、酸
素ガスを添加する前のエッチング速度に比べて、５０％
以上高くできることが確認された。
ｌ3から（ＢＣｌ3＋Ｏ2）に代えることによって、ピッ
ト発生数を激減できることが分かった。また、酸素ガス
の流量が０．２５〜０．４５ｓｃｃｍの場合、ピット発
生数を１以下とすることができ、かつ、酸素ガスを添加
する前よりも高いエッチング速度がえられた。さらに、
酸素ガスの流量が０．５〜０．３５ｓｃｃｍの場合、ピ
ットの発生数は０となり、かつ、エッチング速度は、酸
素ガスを添加する前のエッチング速度に比べて、５０％
以上高くできることが確認された。
【００２４】また、上述した結果（塩素系ガスをＢＣｌ
3とした場合の結果）は、塩素系ガスをＣｌ2，ＳｉＣｌ
4，ＢＣｌ3のうち少なくとも１つの材料からなるとした
場合においても、同様に確認された。
3とした場合の結果）は、塩素系ガスをＣｌ2，ＳｉＣｌ
4，ＢＣｌ3のうち少なくとも１つの材料からなるとした
場合においても、同様に確認された。
【００２５】
（請求項１）以上説明したように、請求項１に係る発明
によれば、エッチング加工面の粗さが小さく、かつ、凹
凸ラインパターンの凹部底面に発生するピット数を減少
させることが可能なドライエッチング方法がえられる。
によれば、エッチング加工面の粗さが小さく、かつ、凹
凸ラインパターンの凹部底面に発生するピット数を減少
させることが可能なドライエッチング方法がえられる。
【００２６】（請求項２）請求項２に係る発明によれ
ば、ピット発生数が１以下で、かつ、エッチング速度が
向上するドライエッチング方法がえられる。
ば、ピット発生数が１以下で、かつ、エッチング速度が
向上するドライエッチング方法がえられる。
【００２７】（請求項３）請求項３に係る発明によれ
ば、ピット発生がなく、かつ、酸素ガスの無い場合より
５０％以上高いエッチング速度が可能なドライエッチン
グ方法がえられる。
ば、ピット発生がなく、かつ、酸素ガスの無い場合より
５０％以上高いエッチング速度が可能なドライエッチン
グ方法がえられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１に係る酸素ガスの流量とピット数およ
びエッチング速度との関係を示すグラフである。
びエッチング速度との関係を示すグラフである。
【図２】実施例１に係るＲＩＥ法によるドライエッチン
グ装置の概念図である。
グ装置の概念図である。
【図３】エッチング面の粗さとピットを示す模式的断面
図である。
図である。
２０１、３０１ 試料、 ２０２、３０２ マスク、 ２０３ 反応容器、 ２０４ ステージ、 ２０５ 真空ポンプ、 ２０６ ガス供給口、 ２０７ 圧力コントローラー、 ２０８ 分析容器、 ２０９ ドアバルブ、 ２１０ 走査電子顕微鏡、 ３０３ 粗さの大きな部分、 ３０４ ピット部分、 ３０５ 粗さの小さな部分、 ３１１ サファイア基板、 ３１２ ＧａＮ膜。
Claims (3)
- 【請求項１】 化合物半導体材料のドライエッチング方
法において、該化合物半導体材料がＧａ系の窒化物から
なる薄膜であり、プラズマ励起するガスが少なくとも酸
素ガスを含む塩素系ガスであり、かつ、該塩素系ガスが
Ｃｌ2，ＳｉＣｌ4，ＢＣｌ3のうち少なくとも１つの材
料からなることを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項２】 前記酸素ガスの流量が、０．２５〜０．
４５ｓｃｃｍであることを特徴とする請求項１に記載の
ドライエッチング方法。 - 【請求項３】 前記酸素ガスの流量が、０．５〜０．３
５ｓｃｃｍであることを特徴とする請求項１又は２に記
載のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30251694A JP3398896B2 (ja) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30251694A JP3398896B2 (ja) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162441A true JPH08162441A (ja) | 1996-06-21 |
| JP3398896B2 JP3398896B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=17909912
Family Applications (1)
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1994
- 1994-12-06 JP JP30251694A patent/JP3398896B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPWO2005041283A1 (ja) * | 2003-10-27 | 2007-04-26 | 住友電気工業株式会社 | 窒化ガリウム系半導体基板と窒化ガリウム系半導体基板の製造方法 |
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