JPH08153565A - Surge absorber - Google Patents

Surge absorber

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JPH08153565A
JPH08153565A JP6300514A JP30051494A JPH08153565A JP H08153565 A JPH08153565 A JP H08153565A JP 6300514 A JP6300514 A JP 6300514A JP 30051494 A JP30051494 A JP 30051494A JP H08153565 A JPH08153565 A JP H08153565A
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surge
surge absorber
conductive
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Yoshiyuki Tanaka
芳幸 田中
Fujio Ikeda
富士男 池田
Katsusaki Matsuzawa
功先 松沢
Takaaki Ito
隆明 伊藤
Masatoshi Abe
政利 阿部
Mikio Harada
三喜男 原田
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Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01TSPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
    • H01T4/00Overvoltage arresters using spark gaps
    • H01T4/10Overvoltage arresters using spark gaps having a single gap or a plurality of gaps in parallel
    • H01T4/12Overvoltage arresters using spark gaps having a single gap or a plurality of gaps in parallel hermetically sealed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/12Overvoltage protection resistors

Abstract

PURPOSE: To prevent overheat or firing of an electronic apparatus etc., by stopping electric discharge quickly when an over-current or over-voltage is impressed. CONSTITUTION: A surge absorber 15 is structured so that a surge absorptive element 20 is accommodated in a tube 11 holding insulativeness together with an inert gas 14 consisting of CO2 gas or a mixture of CO2 gas and He, Ne, Ar, etc. The element 20 is formed with a gap 23 to split a film on the peripheral surface of a columnar ceramic material 22 enclosed with an electroconductive ceramic thin film 21, and a pair of cap electrodes 24, 25 are provided at the ends of the ceramic material 23. A pair of sealed electrodes 12, 13 are opposingly attached sealedly at the two ends of the tube 11, and the element 20 is fixed by the sealed electrodes in sealed condition, which are connected electrically with the cap electrodes.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は電話機、ファクシミリ、
電話交換機、モデム等の通信機器用の電子機器に印加さ
れるサージ電圧の吸収機能に加えて、継続的な過電圧又
は過電流の電子機器への侵入時に電子機器やこの機器を
搭載するプリント基板の熱的損傷又は発火を防止するサ
ージアブソーバに関する。更に詳しくは、ギャップを有
するサージ吸収素子を不活性ガスとともに絶縁性を保つ
管に封止(hermetic seal)した放電型のサージアブソ
ーバに関するものである。本明細書で、過電圧又は過電
流とは、サージアブソーバの放電開始電圧を上回る異常
電圧とこれに伴う異常電流をいう。
The present invention relates to a telephone, a facsimile,
In addition to the function of absorbing surge voltage applied to electronic devices for communication equipment such as telephone exchanges and modems, the electronic device and the printed circuit board on which this device is mounted during continuous overvoltage or overcurrent intrusion into the electronic device. The present invention relates to a surge absorber that prevents thermal damage or ignition. More specifically, the present invention relates to a discharge type surge absorber in which a surge absorbing element having a gap is hermetically sealed with a tube that maintains insulation with an inert gas. In the present specification, the overvoltage or overcurrent refers to an abnormal voltage exceeding the discharge start voltage of the surge absorber and an abnormal current associated therewith.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ハーメチックシールしたギャップ
式サージアブソーバとして、図7及び図8に示すような
サージアブソーバ9a及び9bが知られている。2つの
サージアブソーバ9a及び9bに内蔵されるギャップ式
サージ吸収素子1は、SnO2のような導電性皮膜1a
で被包した円柱状のセラミック素体1bの中央に円周方
向に皮膜1aを2分割する幅数10μmのマイクロギャ
ップ1cを形成し、このセラミック素体1bの両端に一
対のキャップ電極1d,1eを冠着して作られる。マイ
クロギャップ1cにより2分割した皮膜間に電気的絶縁
が図られる。図7に示すように、サージアブソーバ9a
は、サージ吸収素子1を絶縁性を保つ管4内に収容して
サージ吸収素子1の両端に一対の封止電極2,3を配置
し、これらの封止電極2,3をキャップ電極1d,1e
に電気的に接続し同時に管4の内部にArガスのような
不活性ガス5を封入して作られる。封止電極2,3には
それぞれリード線6,7が接続される。
2. Description of the Related Art Conventionally, as hermetically sealed gap type surge absorbers, surge absorbers 9a and 9b as shown in FIGS. 7 and 8 have been known. The gap type surge absorbing element 1 built in the two surge absorbers 9a and 9b has a conductive film 1a such as SnO 2.
A microgap 1c having a width of several 10 μm that divides the coating film 1a into two in the circumferential direction is formed in the center of a cylindrical ceramic body 1b encapsulated by the above. It is made by wearing. Electrical insulation is achieved between the films divided into two by the microgap 1c. As shown in FIG. 7, the surge absorber 9a
Accommodates the surge absorbing element 1 in a tube 4 that maintains insulation properties, arranges a pair of sealing electrodes 2 and 3 at both ends of the surge absorbing element 1, and connects these sealing electrodes 2 and 3 to the cap electrodes 1d, 1e
And an inert gas 5 such as Ar gas is sealed inside the tube 4 at the same time. Lead wires 6 and 7 are connected to the sealing electrodes 2 and 3, respectively.

【0003】図8に示すように、サージアブソーバ9b
は、ギャップ式サージ吸収素子1をその両端のキャップ
電極1d,1eに接続したリード線6,7とともにガラ
ス管8で封止して作られる。ガラス管8にはArガスの
ような不活性ガス5が封入される。上記サージアブソー
バ9a又は9bでは雷サージ等に起因してリード線6,
7に異常電圧が印加すると、最初に円柱状のセラミック
素体1bを被包する導電性皮膜1aに沿ってグロー放電
が起こり、最終的に一対のキャップ電極1d,1e間で
のアーク放電に移行してサージ電圧を吸収する。
As shown in FIG. 8, a surge absorber 9b is provided.
Is made by sealing the gap type surge absorbing element 1 with the glass tubes 8 together with the lead wires 6 and 7 connected to the cap electrodes 1d and 1e at both ends thereof. The glass tube 8 is filled with an inert gas 5 such as Ar gas. In the above surge absorber 9a or 9b, the lead wires 6, 6
When an abnormal voltage is applied to 7, glow discharge first occurs along the conductive film 1a enclosing the cylindrical ceramic body 1b, and finally an arc discharge occurs between the pair of cap electrodes 1d and 1e. And absorb the surge voltage.

【0004】上記サージアブソーバ9a又は9bは、電
子機器の一対の入力線路にこの電子機器に並列に接続さ
れ、電子機器の使用電圧より高い電圧で動作するように
構成される。即ち、上記サージアブソーバはその放電開
始電圧より低い電圧では抵抗値の高い抵抗体であるが、
印加電圧がその放電開始電圧以上のときには数10Ω以
下の抵抗値の低い抵抗体になる。電子機器に雷サージ等
の数kV〜数10kVのサージ電圧が瞬間的に印加され
ると、上記サージアブソーバが放電し、このサージ電圧
を吸収して電子機器を保護するようになっている。
The surge absorber 9a or 9b is connected to a pair of input lines of an electronic device in parallel with the electronic device and is configured to operate at a voltage higher than the operating voltage of the electronic device. That is, although the surge absorber is a resistor having a high resistance value at a voltage lower than its discharge starting voltage,
When the applied voltage is equal to or higher than the discharge start voltage, the resistance element has a low resistance value of several tens Ω or less. When a surge voltage such as a lightning surge of several kV to several tens of kV is momentarily applied to the electronic device, the surge absorber is discharged, and the surge voltage is absorbed to protect the electronic device.

【0005】しかし、電子機器を含む回路に過電圧又は
過電流(例えばAC600Vで300mA)が何らかの
原因により継続して加わると、上記サージアブソーバに
電流が流れ続ける。この結果、サージアブソーバが発熱
し周辺の電子機器の発火の原因となる。通常、このよう
な過電圧又は過電流が回路に継続して侵入することは考
えられないが、不慮の事故を想定して最大限の安全対策
を施していく考えが広まってきている。例えば、米国の
UL(Underwriter's Laboratories Inc.)では、この
ような継続的な過電圧又は過電流の侵入時にサージアブ
ソーバが通信機器に火災や電撃の危険を与えてはならな
いように、サージアブソーバに対して所定の安全規格を
制定している。
However, if an overvoltage or an overcurrent (for example, 300 mA at 600 VAC) is continuously applied to a circuit including electronic equipment, a current continues to flow in the surge absorber. As a result, the surge absorber generates heat, which causes ignition of electronic devices in the vicinity. Normally, it is unlikely that such an overvoltage or overcurrent will continue to enter the circuit, but it is becoming more and more popular to take maximum safety measures in anticipation of an unexpected accident. For example, in the United States UL (Underwriter's Laboratories Inc.), surge absorbers must be installed so that they do not pose a risk of fire or electric shock to communication equipment during such continuous overvoltage or overcurrent intrusion. Established prescribed safety standards.

【0006】従来、こうした安全規格に適合し、継続的
な過電圧又は過電流に起因した電子機器の発火を防止し
得る別のサージアブソーバとして、図5に示すように低
融点金属線10を図7に示したサージアブソーバ9aの
管4の表面に密着させたサージアブソーバ9cが知られ
ている。このサージアブソーバ9cは低融点金属線10
とサージアブソーバ9aを基板10aとカバー10bに
より密封し、低融点金属線10の端子10c,10d
と、リード線6,7の端子10e,10fとを基板10
aからそれぞれ別々に突設している。このサージアブソ
ーバ9cは、継続的な過電圧又は過電流(例えばAC6
00Vで300mA)の侵入があると低融点金属線10
が直ちに溶断して、サージアブソーバ9aの異常発熱の
みならず、電子機器やこの機器を搭載するプリント基板
の熱的損傷、発火等を防止できる。
As another conventional surge absorber that complies with such safety standards and can prevent ignition of electronic equipment due to continuous overvoltage or overcurrent, a low melting point metal wire 10 as shown in FIG. 5 is used. There is known a surge absorber 9c which is in close contact with the surface of the tube 4 of the surge absorber 9a shown in FIG. This surge absorber 9c has a low melting point metal wire 10
The surge absorber 9a and the surge absorber 9a are sealed by the substrate 10a and the cover 10b, and the terminals 10c and 10d of the low melting point metal wire 10 are sealed.
And the terminals 10e and 10f of the lead wires 6 and 7 on the substrate 10
They are separately projected from a. The surge absorber 9c has a continuous overvoltage or overcurrent (for example, AC6).
The low melting point metal wire 10 when there is an intrusion of 300 mA at 00V.
It is possible to prevent not only abnormal heat generation of the surge absorber 9a, but also thermal damage and ignition of the electronic device and the printed circuit board on which the device is mounted.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、サージアブソ
ーバ9cは、上記特長がある反面、高いサージ電流が侵
入すると、低融点金属線10が容易に溶断するためサー
ジ耐量が比較的低い欠点があった。また上記サージアブ
ソーバ9cは部品点数が多く構造が複雑で、小型化しに
くく、製造コストを低減することは至難であった。
However, the surge absorber 9c has the above-mentioned features, but has a drawback that the low melting point metal wire 10 is easily fused when a high surge current enters, so that the surge absorber 9c has a relatively low surge resistance. . Further, the surge absorber 9c has a large number of parts, has a complicated structure, is difficult to be miniaturized, and is difficult to reduce the manufacturing cost.

【0008】本発明の目的は、雷サージのような瞬間的
なサージ電圧を吸収することに加えて、継続的な過電圧
又は過電流の侵入があった場合にはサージアブソーバの
異常発熱のみならず、電子機器やこの機器を搭載するプ
リント基板の熱的損傷、発火等を防止することができ、
しかも高いサージ耐量を有するサージアブソーバを提供
することにある。本発明の別の目的は、部品点数が少な
くて済み、製造が簡単で、小型化し易く量産性に優れた
サージアブソーバを提供することにある。本発明の更に
別の目的は、サージインパルスに対して応答性が良く、
放電開始電圧を高くし得るサージアブソーバを提供する
ことにある。
The object of the present invention is not only to absorb a momentary surge voltage such as lightning surge, but also to not only abnormal heat generation of the surge absorber when a continuous overvoltage or overcurrent is introduced. It is possible to prevent thermal damage, ignition, etc. of electronic devices and printed circuit boards equipped with this device.
Moreover, it is to provide a surge absorber having a high surge resistance. Another object of the present invention is to provide a surge absorber that requires a small number of parts, is easy to manufacture, is easy to miniaturize, and is excellent in mass productivity. Still another object of the present invention is to have a good response to a surge impulse,
An object of the present invention is to provide a surge absorber capable of increasing the discharge start voltage.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、図1に示すように、本発明の第1のサージアブソー
バ15は、導電性皮膜21で被包した円柱状のセラミッ
ク素体22の周面に皮膜21を分割するギャップ23が
形成され、セラミック素体22の両端に一対のキャップ
電極24,25を有するサージ吸収素子20が不活性ガ
ス14とともに絶縁性を保つ管11内に収容され、この
絶縁性を保つ管11の両端に一対の封止電極12,13
が相対向して封着され、一対の封止電極12,13が封
着状態でサージ吸収素子20を固定し、かつ一対のキャ
ップ電極24,25に電気的に接続される。その特徴あ
る構成は、導電性皮膜21が導電性セラミック薄膜であ
って、不活性ガス14がCO2ガスだけであるか、或い
はCO2ガスとHe,Ne,Ar,Kr,Xe又はN2
スの混合ガスであることにある。第1のサージアブソー
バでは、図示しないが図1の一対のキャップ電極24,
25を省略して、一対の封止電極を導電性皮膜に電気的
に直接接続してもよい。
In order to achieve the above object, as shown in FIG. 1, a first surge absorber 15 of the present invention comprises a cylindrical ceramic body 22 covered with a conductive coating 21. A surge absorbing element 20 having a gap 23 that divides the coating film 21 on the peripheral surface of the ceramic element body 22 and having a pair of cap electrodes 24 and 25 at both ends of the ceramic body 22 is housed in the tube 11 that maintains the insulating property together with the inert gas 14. A pair of sealing electrodes 12 and 13 are provided on both ends of the tube 11 that maintains the insulating property.
Are opposed to each other and sealed, and the pair of sealing electrodes 12 and 13 fixes the surge absorbing element 20 in the sealed state and is electrically connected to the pair of cap electrodes 24 and 25. The characteristic structure is that the conductive film 21 is a conductive ceramic thin film and the inert gas 14 is only CO 2 gas, or CO 2 gas and He, Ne, Ar, Kr, Xe or N 2 gas. It is to be a mixed gas of. In the first surge absorber, although not shown, the pair of cap electrodes 24,
25 may be omitted and the pair of sealing electrodes may be electrically connected directly to the conductive film.

【0010】また図2に示すように、本発明の第2のサ
ージアブソーバ35は、上記サージ吸収素子20のキャ
ップ電極24,25に一対のリード線26,27が接続
され、このサージ吸収素子20が不活性ガス14ととも
に絶縁性を保つ管16により封止され、かつ一対のリー
ド線26,27が管16から突出して形成される。その
特徴ある構成は、導電性皮膜21が導電性セラミック薄
膜であって、不活性ガス14がCO2ガスだけである
か、或いはCO2ガスとHe,Ne,Ar,Kr,Xe
又はN2ガスの混合ガスであることにある。
As shown in FIG. 2, in the second surge absorber 35 of the present invention, a pair of lead wires 26 and 27 are connected to the cap electrodes 24 and 25 of the surge absorbing element 20. Is sealed with a tube 16 which maintains insulation together with the inert gas 14, and a pair of lead wires 26 and 27 are formed so as to project from the tube 16. The characteristic structure is that the conductive film 21 is a conductive ceramic thin film and the inert gas 14 is only CO 2 gas, or CO 2 gas and He, Ne, Ar, Kr, Xe.
Alternatively, it is a mixed gas of N 2 gas.

【0011】以下、本発明を詳述する。図1及び図2に
示すように、ギャップ式サージアブソーバ15及び35
は絶縁性を保つ管11及び28の内部にサージ吸収素子
20がそれぞれ収容される。サージ吸収素子20は導電
性皮膜21で被包した円柱状のセラミック素体22の両
端に一対のキャップ電極24,25を冠着した後、セラ
ミック素体22の中央に円周方向にギャップ23を形成
して作られる。前述したようにサージアブソーバ15で
はキャップ電極24,25を省略してもよい。導電性皮
膜21はスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティ
ング法、めっき法、CVD法等の薄膜形成法によりセラ
ミック素体22を被包するようにセラミック素体22の
表面に形成される。本発明の導電性皮膜21は導電性セ
ラミック薄膜である。この導電性皮膜は導電性金属酸化
物、導電性窒化物又は導電性炭化物のいずれかよりなる
ことが好ましい。導電性金属酸化物としてはSnO2
Nb25,MnO2又はMoO3が例示され、特にSnO
2が成膜が容易でギャップを簡単に形成できるため好ま
しい。導電性窒化物としてはTiN又はTaNが例示さ
れ、導電性炭化物としてはSiCが例示される。
The present invention will be described in detail below. As shown in FIGS. 1 and 2, the gap type surge absorbers 15 and 35.
The surge absorbing elements 20 are housed inside the tubes 11 and 28 that maintain insulation. In the surge absorber 20, a pair of cap electrodes 24 and 25 are capped on both ends of a cylindrical ceramic body 22 covered with a conductive film 21, and then a gap 23 is circumferentially formed in the center of the ceramic body 22. Formed and made. As described above, the cap electrodes 24 and 25 may be omitted in the surge absorber 15. The conductive film 21 is formed on the surface of the ceramic body 22 so as to cover the ceramic body 22 by a thin film forming method such as a sputtering method, a vapor deposition method, an ion plating method, a plating method and a CVD method. The conductive film 21 of the present invention is a conductive ceramic thin film. This conductive film is preferably made of any one of a conductive metal oxide, a conductive nitride and a conductive carbide. The conductive metal oxide is SnO 2 ,
Nb 2 O 5 , MnO 2 or MoO 3 is exemplified, and particularly SnO.
2 is preferable because the film formation is easy and the gap can be easily formed. The conductive nitride is exemplified by TiN or TaN, and the conductive carbide is exemplified by SiC.

【0012】ギャップ23はレーザ光又はダイヤモンド
ブレードにより導電性皮膜21を分割するように形成さ
れる。この分割は多いほど放電開始電圧が向上し、寿命
を長くできる。ギャップ23が1本のときには、導電性
皮膜21は2分割され、複数本形成されれば、導電性皮
膜21は3つ以上に分割される。ギャップはレーザ光線
の焦点深度及び導電性皮膜の厚さから1本当り高々10
00μmの幅に形成される。ギャップ幅が広い程、放電
開始電圧を高くすることができる。このギャップ幅は1
本当り200〜1000μmが好ましく、500〜10
00μmが更に好ましい。1000μmを越えるとサー
ジインパルスに対する応答性が劣るようになり好ましく
ない。ギャップ23は導電性皮膜21のみを除去するこ
とにより、或いは導電性皮膜21と皮膜下のセラミック
素体22の表面を除去することにより形成される。
The gap 23 is formed by laser light or a diamond blade so as to divide the conductive film 21. The larger this division, the higher the discharge start voltage, and the longer the life. When the gap 23 is one, the conductive film 21 is divided into two, and when a plurality of gaps are formed, the conductive film 21 is divided into three or more. The gap is at most 10 per line due to the depth of focus of the laser beam and the thickness of the conductive film.
It is formed with a width of 00 μm. The wider the gap width, the higher the discharge starting voltage can be. This gap width is 1
200-1000 μm is preferable per line, 500-10
00 μm is more preferable. If it exceeds 1000 μm, the response to the surge impulse becomes poor, which is not preferable. The gap 23 is formed by removing only the conductive film 21 or by removing the surface of the conductive film 21 and the ceramic body 22 under the film.

【0013】サージアブソーバ15はこのサージ吸収素
子20を絶縁性を保つ管11内に収容してセラミック素
体22の両端に一対の封止電極12,13を配置し、こ
れらの封止電極12,13をキャップ電極24,25に
電気的に接続するか、或いはキャップ電極24,25を
設けずに直接導電性皮膜21に電気的に接続し同時に絶
縁性を保つ管11内部に不活性ガス14を封入して作ら
れる。収容されたサージ吸収素子20は一対の封止電極
12,13を管11の両端に封着するときに封止電極1
2,13により固定される。一方、サージアブソーバ3
5はサージ吸収素子20のキャップ電極24,25の外
面にリード線26,27をそれぞれ接続した後、これを
絶縁性を保つ管28の中に収容し、不活性ガス14とと
もに封止する。リード線26,27は絶縁性を保つ管2
8から突出する。
The surge absorber 15 accommodates the surge absorbing element 20 in a tube 11 which maintains an insulating property, and disposes a pair of sealing electrodes 12 and 13 at both ends of a ceramic body 22. 13 is electrically connected to the cap electrodes 24 and 25, or is directly connected to the conductive film 21 without providing the cap electrodes 24 and 25, and at the same time, the inert gas 14 is provided inside the tube 11 that maintains insulation. Made by enclosing. The surge absorbing element 20 housed in the sealing electrode 1 is sealed when the pair of sealing electrodes 12 and 13 is sealed to both ends of the tube 11.
It is fixed by 2, 13. On the other hand, surge absorber 3
After connecting the lead wires 26 and 27 to the outer surfaces of the cap electrodes 24 and 25 of the surge absorbing element 20, respectively, the lead wire 5 is housed in a tube 28 that maintains insulation, and is sealed together with the inert gas 14. The lead wires 26 and 27 are tubes 2 that maintain insulation.
Project from 8.

【0014】本発明ではサージアブソーバ15及び35
とも不活性ガス14はCO2ガス単独であるか、或いは
CO2ガスとHe,Ne,Ar,Kr,Xe又はN2ガス
の混合ガスである。その混合割合はCO2ガスが少なく
とも70容積%であって、残部がHe,Ne,Ar,K
r,Xe又はN2ガスであることが好ましい。この混合
割合はCO2ガスが少なくとも50容積%でも、或いは
少なくとも30容積%でもよい。CO2ガスは放電時に
電子を吸着して負イオンになり放電開始電圧を高める負
性の封入ガスであって、800℃で封入しても分解する
ことがない特長がある。このCO2ガス又はCO2ガスと
He等の混合ガスの封入ガス圧は300〜1300To
rrが好ましく、800〜1300Torrが更に好ま
しい。封入ガス圧が300Torr未満ではCO2ガス
の封入効果に乏しく、1300Torrを越えると封入
機の耐久性に問題を生じ易い。放電開始電圧はパッシェ
ンの法則(Paschen's law)から上述したギャップ幅と
封入ガス圧の積(以下、pd値という)の関数であるた
め、封入ガス圧はギャップ幅に応じて設定される。本発
明の絶縁性を保つ管はガラス管、セラミック管等であ
る。ガラス管はホウケイ酸ガラスのような硬質ガラス、
又は鉛ガラス、ソーダ石灰ガラスのような軟質ガラスか
ら作られる。セラミック管はPLZT、透明アルミナの
ような可視光線を透過するセラミック焼結体から作られ
たもののみならず、他の絶縁性のあるセラミック管であ
ればよい。また本発明の絶縁性を保つ管は図2に示すサ
ージアブソーバ35のリード線26又は27に接触する
部分が絶縁性材料で作られ、その他の部分は導電性材料
からなる管も含む。
In the present invention, the surge absorbers 15 and 35 are
In both cases, the inert gas 14 is CO 2 gas alone or a mixed gas of CO 2 gas and He, Ne, Ar, Kr, Xe or N 2 gas. The mixing ratio is at least 70% by volume of CO 2 gas, and the balance is He, Ne, Ar, K.
It is preferably r, Xe or N 2 gas. The mixing ratio may be at least 50% by volume of CO 2 gas, or at least 30% by volume. CO 2 gas is a negative filling gas that adsorbs electrons during discharge and becomes negative ions to increase the discharge start voltage, and has a feature that it does not decompose even if it is filled at 800 ° C. The filling gas pressure of this CO 2 gas or a mixed gas of CO 2 gas and He or the like is 300 to 1300To.
rr is preferable, and 800 to 1300 Torr is further preferable. If the filling gas pressure is less than 300 Torr, the effect of filling the CO 2 gas is poor, and if it exceeds 1300 Torr, the durability of the filling machine is likely to have a problem. Since the discharge starting voltage is a function of the product of the gap width and the enclosed gas pressure (hereinafter referred to as the pd value) described above from Paschen's law, the enclosed gas pressure is set according to the gap width. The insulating tube of the present invention is a glass tube, a ceramic tube, or the like. The glass tube is a hard glass such as borosilicate glass,
Or made from soft glass such as lead glass, soda lime glass. The ceramic tube is not limited to one made of a ceramic sintered body that transmits visible light, such as PLZT or transparent alumina, but may be another ceramic tube having an insulating property. Further, the insulating tube according to the present invention includes a tube made of an insulating material at a portion in contact with the lead wire 26 or 27 of the surge absorber 35 shown in FIG. 2 and a tube made of a conductive material at the other portions.

【0015】[0015]

【作用】本発明のサージアブソーバ15又は35が接続
された線路に継続して過電圧又は過電流が侵入するとサ
ージアブソーバ15又は35は放電を生じる。封入ガス
としてCO2ガス又はCO2ガスを含む混合ガスを用いる
と従来のArガスと比べて、この放電の発熱による導電
性皮膜21の損傷程度がより一層甚だしくなり、ギャッ
プ間隔が広がる。この結果、サージアブソーバ15又は
35の致命的な熱損傷になり得る前にその抵抗値は高ま
って放電開始電圧及び放電維持電圧が過電圧より高くな
り、放電は停止する。また封入ガスにCO2ガス又はC
2ガスを含む混合ガスを用いることにより、ギャップ
幅が200〜1000μmの比較的広い範囲にあっても
サージインパルスに対する応答遅れが少なく、また80
0℃程度の封入温度でも封入ガスであるCO2ガスが分
解しない。
When the surge absorber 15 or 35 of the present invention is continuously connected to the line to which the surge absorber 15 or 35 is connected, the surge absorber 15 or 35 is discharged. When CO 2 gas or a mixed gas containing CO 2 gas is used as the filling gas, the degree of damage to the conductive film 21 due to the heat generation of this discharge becomes more serious and the gap interval is widened, as compared with the conventional Ar gas. As a result, before the surge absorber 15 or 35 can be fatally damaged by heat, its resistance value increases, the discharge start voltage and the discharge sustaining voltage become higher than the overvoltage, and the discharge is stopped. In addition, the filling gas is CO 2 gas or C
By using the mixed gas containing O 2 gas, the response delay to the surge impulse is small even when the gap width is in a relatively wide range of 200 to 1000 μm.
The CO 2 gas, which is the filling gas, does not decompose even at a filling temperature of about 0 ° C.

【0016】[0016]

【実施例】次に、本発明の実施例を比較例とともに図面
に基づいて詳しく説明する。 <実施例1>図1に示すギャップ式サージアブソーバ1
5を次の方法により製造した。先ず絶縁性を保つ管11
内に収容されるサージ吸収素子20を用意した。このサ
ージ吸収素子20の円柱状のセラミック素体22はムラ
イト焼結体からなり、この表面は酸化錫(SnO2)か
らなる導電性皮膜21で被包される。このSnO2薄膜
は高温に保持したセラミック素体22の表面に塩化錫
(SnCl4)を吹付けることにより得られる。このセ
ラミック素体22の両端にステンレス製のキャップ電極
24と25が冠着される。セラミック素体22の中央部
にレーザビームを照射して導電性皮膜21及びセラミッ
ク素体22を円周方向にトリミングして幅約30μmで
セラミック素体22の表面から30μmの深さの1本の
ギャップ23を形成した。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings together with comparative examples. <Example 1> A gap type surge absorber 1 shown in FIG.
5 was manufactured by the following method. First, the tube 11 that maintains the insulation
A surge absorbing element 20 housed inside was prepared. The cylindrical ceramic body 22 of the surge absorbing element 20 is made of a mullite sintered body, and its surface is covered with a conductive film 21 made of tin oxide (SnO 2 ). This SnO 2 thin film is obtained by spraying tin chloride (SnCl 4 ) on the surface of the ceramic body 22 kept at a high temperature. Cap electrodes 24 and 25 made of stainless steel are attached to both ends of the ceramic body 22. The conductive film 21 and the ceramic element body 22 are circumferentially trimmed by irradiating the central portion of the ceramic element body 22 with a laser beam to obtain one of the width of about 30 μm and the depth of 30 μm from the surface of the ceramic element body 22. The gap 23 was formed.

【0017】絶縁性を保つ管11として低融点の鉛ガラ
ス管を用意し、このガラス管11をカーボンヒータを設
けた封着室(図示せず)に配置した。ガラス管11の内
部にサージ吸収素子20を入れ、封止電極12及び13
をガラス管11内に挿入し、サージ吸収素20を挟持し
た。封止電極12がキャップ電極24に、また封止電極
13がキャップ電極25に電気的にそれぞれ接続され
た。封着室を負圧にすることによりガラス管内部の空気
を抜いた後、代わりに二酸化炭素(CO2)ガスを封着
室に供給して800Torrの圧力でガラス管内にこの
CO2ガス14を導入した。この状態でカーボンヒータ
によりガラス管11及び封止電極12,13を740
℃、1分間加熱した。封止電極12,13がガラス管1
1に封着した。このサージアブソーバ15は長さ7.0
mmで外径3.3mmの寸法を有した。
A low melting point lead glass tube was prepared as the tube 11 for maintaining insulation, and the glass tube 11 was placed in a sealing chamber (not shown) provided with a carbon heater. The surge absorbing element 20 is placed inside the glass tube 11, and the sealing electrodes 12 and 13 are inserted.
Was inserted into the glass tube 11 to sandwich the surge absorbing element 20. The sealing electrode 12 was electrically connected to the cap electrode 24, and the sealing electrode 13 was electrically connected to the cap electrode 25. After the air inside the glass tube is evacuated by setting the negative pressure in the sealing chamber, carbon dioxide (CO 2 ) gas is supplied to the sealing chamber instead and the CO 2 gas 14 is supplied into the glass tube at a pressure of 800 Torr. Introduced. In this state, the glass tube 11 and the sealing electrodes 12 and 13 are 740 with a carbon heater.
Heated at 1 ° C for 1 minute. The sealing electrodes 12 and 13 are the glass tube 1.
Sealed to 1. This surge absorber 15 has a length of 7.0.
The outer diameter was 3.3 mm and the outer diameter was 3.3 mm.

【0018】<実施例2>実施例1のSnO2からなる
導電性皮膜21の代わりにSiCを用いた以外は、実施
例1と同様にしてサージアブソーバ15を作製した。
Example 2 A surge absorber 15 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that SiC was used instead of the conductive film 21 made of SnO 2 in Example 1.

【0019】<実施例3>図3に示すように、幅500
μmの1本のギャップ23を導電性皮膜21のみトリミ
ングした(セラミック素体22の表面からの深さを0μ
mにした)以外は実施例1と同様にしてサージアブソー
バ15を作製した。
<Embodiment 3> As shown in FIG.
Only the conductive film 21 was trimmed with one gap 23 of μm (the depth from the surface of the ceramic body 22 was 0 μm).
The surge absorber 15 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that (m was set to m).

【0020】<実施例4>実施例3のSnO2からなる
導電性皮膜21の代わりにSiCを用いた以外は、実施
例3と同様にしてサージアブソーバ15を作製した。
Example 4 A surge absorber 15 was manufactured in the same manner as in Example 3 except that SiC was used instead of the conductive film 21 made of SnO 2 in Example 3.

【0021】<実施例5>図4に示すように、幅500
μmの2本のギャップ23,23を0.5mmの間隔を
あけて導電性皮膜21のみにトリミングした(セラミッ
ク素体22の表面からの深さ0μmにした)以外は実施
例1と同様にしてサージアブソーバ15を作製した。図
3及び図4において図1と同一符号は同一部品を表す。
<Embodiment 5> As shown in FIG.
The same procedure as in Example 1 was performed except that the two gaps 23 of 23 μm were trimmed only in the conductive film 21 with a gap of 0.5 mm (the depth from the surface of the ceramic body 22 was 0 μm). The surge absorber 15 was manufactured. 3 and 4, the same reference numerals as those in FIG. 1 represent the same parts.

【0022】<実施例6>実施例5のSnO2からなる
導電性皮膜21の代わりにSiCを用いた以外は、実施
例5と同様にしてサージアブソーバ15を作製した。
Example 6 A surge absorber 15 was manufactured in the same manner as in Example 5 except that SiC was used instead of the conductive film 21 made of SnO 2 in Example 5.

【0023】<実施例7>封入ガスとして30容積%の
CO2ガスと70容積%のArガスの混合ガスを用いた
以外は、実施例1と同様にしてサージアブソーバ15を
作製した。
<Example 7> A surge absorber 15 was produced in the same manner as in Example 1 except that a mixed gas of 30% by volume of CO 2 gas and 70% by volume of Ar gas was used as a filling gas.

【0024】<実施例8>封入ガスとして50容積%の
CO2ガスと50容積%のArガスの混合ガスを用いた
以外は、実施例1と同様にしてサージアブソーバ15を
作製した。
<Example 8> A surge absorber 15 was produced in the same manner as in Example 1 except that a mixed gas of 50% by volume of CO 2 gas and 50% by volume of Ar gas was used as a filling gas.

【0025】<比較例1>図7に示すギャップ式サージ
アブソーバ9aを比較例1とした。このサージアブソー
バ9aは、実施例1のSnO2からなる導電性皮膜21
の代わりにチタンからなる導電性皮膜1aをスパッタリ
ングにより形成し、実施例1のCO2ガスの代わりにA
rガスを封入した。それ以外は実施例1と同様にしてサ
ージアブソーバ9aを作製した。
<Comparative Example 1> The gap type surge absorber 9a shown in FIG. The surge absorber 9a has a conductive film 21 made of SnO 2 according to the first embodiment.
A conductive coating film 1a made of titanium is formed by sputtering instead of, and A 2 is used instead of CO 2 gas in Example 1.
R gas was enclosed. A surge absorber 9a was manufactured in the same manner as in Example 1 except for the above.

【0026】<比較例2>図5に示すサージアブソーバ
9cを比較例2とした。このサージアブソーバ9cは、
比較例1のサージアブソーバ9aの絶縁性を保つ管4の
外面に(8×20)μsec−500Aで初めて溶断す
る低融点金属線10を巡らせ、その両端を基板10aを
貫通する端子10c,10dに接続した。またサージア
ブソーバ9aのリード線6,7に基板10aを貫通する
端子10e,10fに接続した。これらのサージアブソ
ーバ9a及び低融点金属線10をカバー10bにより密
封した。カバー10bは、たて1.8cm、よこ0.9
cm、高さ1.05cmの寸法を有する。
<Comparative Example 2> The surge absorber 9c shown in FIG. This surge absorber 9c
A low melting point metal wire 10 that melts for the first time at (8 × 20) μsec-500 A is circulated on the outer surface of the tube 4 which maintains the insulating property of the surge absorber 9a of Comparative Example 1, and both ends thereof are connected to terminals 10c and 10d penetrating the substrate 10a. Connected Further, the lead wires 6 and 7 of the surge absorber 9a were connected to terminals 10e and 10f penetrating the substrate 10a. The surge absorber 9a and the low melting point metal wire 10 were sealed with a cover 10b. The cover 10b has a height of 1.8 cm and a width of 0.9.
It has dimensions of cm and height 1.05 cm.

【0027】<比較例3>図示しないが、幅30μmの
6本のギャップを0.1mm間隔でセラミック素体の表
面からの深さ30μmでトリミングした以外は比較例1
と同様にしてサージアブソーバを作製した。
Comparative Example 3 Although not shown, Comparative Example 1 except that six gaps having a width of 30 μm were trimmed at a depth of 30 μm from the surface of the ceramic body at 0.1 mm intervals.
A surge absorber was manufactured in the same manner as in.

【0028】<比較例4>図示しないが、幅30μmの
12本のギャップを0.1mm間隔でセラミック素体の
表面からの深さ30μmでトリミングした以外は比較例
1と同様にしてサージアブソーバを作製した。
Comparative Example 4 Although not shown, a surge absorber was prepared in the same manner as Comparative Example 1 except that 12 gaps having a width of 30 μm were trimmed at a depth of 30 μm from the surface of the ceramic body at intervals of 0.1 mm. It was made.

【0029】<比較試験と評価>実施例1〜8と比較例
1〜4のサージアブソーバについて、それぞれ放電開
始電圧、(1.2×50)μsec10kVサージ電
圧に対する応答電圧、絶縁抵抗及び静電容量を測定
し、過電圧・過電流の印加試験及びサージ耐量試験
を行った。ただし、比較例2のサージアブソーバ9cは
図6に示すように端子10d及び端子10eを接続して
サージアブソーバ9aと低融点金属線10とを直列に接
続することにより、端子10c及び端子10fにて測定
又は試験した。また過電圧・過電流の印加試験はAC
600V−300mAの過電圧・過電流を5分間印加し
た。またサージ耐量試験は(8×20)μsecサー
ジにて耐え得る電流値を測定した。その結果を表1に示
す。
<Comparison Test and Evaluation> With respect to the surge absorbers of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 4, the discharge start voltage, the response voltage to the (1.2 × 50) μsec 10 kV surge voltage, the insulation resistance, and the electrostatic capacitance, respectively. Was measured, and an overvoltage / overcurrent application test and a surge withstand test were performed. However, in the surge absorber 9c of Comparative Example 2, the terminals 10d and 10e are connected and the surge absorber 9a and the low melting point metal wire 10 are connected in series as shown in FIG. Measured or tested. The overvoltage / overcurrent application test is AC
An overvoltage / overcurrent of 600 V-300 mA was applied for 5 minutes. In the surge withstand test, a current value which can withstand a (8 × 20) μsec surge was measured. Table 1 shows the results.

【0030】[0030]

【表1】 [Table 1]

【0031】表1において、(※)はサージ印加により強
制的に放電を発生させたときの観察結果である。表1か
ら明らかなように、比較例1、比較例3及び比較例4の
サージアブソーバは過電圧・過電流の印加試験で放電
を持続する欠点があり、比較例2のサージアブソーバ9
cはサージ耐量が500Aと低かった。これに対して
実施例1〜8のサージアブソーバは過電圧・過電流の
印加試験で放電はいずれも数秒で停止し、サージ耐量
はいずれも1000Aと高かった。また応答電圧に関
して比較例3及び比較例4よりも実施例3及び実施例5
の方が低く、実施例3及び5のサージアブソーバは比較
例3及び4のサージアブソーバよりサージインパルスに
対する応答性に優れていた。
In Table 1, (*) is an observation result when a discharge is forcibly generated by applying a surge. As is clear from Table 1, the surge absorbers of Comparative Example 1, Comparative Example 3, and Comparative Example 4 have the drawback of sustaining discharge in the overvoltage / overcurrent application test, and the surge absorber 9 of Comparative Example 2 has a drawback.
c had a low surge resistance of 500A. On the other hand, in the surge absorbers of Examples 1 to 8, discharge was stopped in a few seconds in the overvoltage / overcurrent application test, and the surge withstand capability was as high as 1000A. Further, regarding the response voltage, the third embodiment and the fifth embodiment are more preferable than the third and fourth embodiments.
The surge absorbers of Examples 3 and 5 were superior to the surge absorbers of Comparative Examples 3 and 4 in response to surge impulses.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、雷
サージのような瞬間的なサージ電圧を吸収することに加
えて、継続的な過電圧又は過電流の侵入があった場合に
は導電性セラミック薄膜の導電性皮膜が熱損傷して、ギ
ャップ間隔が広がることにより放電開始電圧及び放電維
持電圧が上昇し、サージアブソーバの異常発熱のみなら
ず、電子機器及びこの機器を搭載するプリント基板の熱
的損傷、発火等を防止することができる。また本発明の
サージアブソーバは従来のような低融点金属線を用いな
いため、部品点数を減少してコストを削減でき、占有ス
ペースが僅かで済み、組立が簡便で量産性に優れる。更
にギャップ幅を200〜1000μmにすることによ
り、少ないギャップ本数でもpd値を大きくすることが
でき、容易にサージアブソーバの放電開始電圧を高くで
き、しかもギャップ形成時間を短縮することができる。
特に封入ガスにCO2ガス又はCO2ガスを含む混合ガス
を用いることにより、ギャップ幅が200〜1000μ
mの比較的広い範囲にあってもサージインパルスに対す
る応答遅れが少なく、また800℃程度の封入温度でも
封入ガスであるCO2ガスが熱的に安定なため、800
℃までの封入が可能となり、封入方法が限定されず、生
産性が向上する利点もある。
As described above, according to the present invention, in addition to absorbing a momentary surge voltage such as a lightning surge, when there is a continuous overvoltage or overcurrent intrusion, The conductive film of the conductive ceramic thin film is thermally damaged and the gap interval is widened to increase the discharge start voltage and the discharge sustaining voltage, which causes not only abnormal heat generation of the surge absorber but also electronic equipment and a printed circuit board on which the equipment is mounted. It is possible to prevent thermal damage, ignition, etc. Further, since the surge absorber of the present invention does not use the conventional low-melting-point metal wire, the number of parts can be reduced, the cost can be reduced, the occupying space is small, the assembly is easy, and the mass productivity is excellent. Further, by setting the gap width to 200 to 1000 μm, the pd value can be increased even with a small number of gaps, the discharge start voltage of the surge absorber can be easily increased, and the gap formation time can be shortened.
In particular, by using CO 2 gas or a mixed gas containing CO 2 gas as the filling gas, the gap width is 200 to 1000 μm.
Even in a relatively wide range of m, the response delay to the surge impulse is small, and the CO 2 gas, which is the sealed gas, is thermally stable even at a sealed temperature of about 800 ° C.
Encapsulation up to ° C is possible, the encapsulation method is not limited, and there is an advantage that productivity is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のギャップ式サージアブソーバの中央縦
断面図。
FIG. 1 is a central longitudinal sectional view of a gap type surge absorber of the present invention.

【図2】本発明の別のギャップ式サージアブソーバの縦
断面図。
FIG. 2 is a vertical sectional view of another gap type surge absorber of the present invention.

【図3】本発明実施例のギャップ式サージアブソーバの
縦断面図。
FIG. 3 is a vertical cross-sectional view of the gap type surge absorber according to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の別の実施例のギャップ式サージアブソ
ーバの縦断面図。
FIG. 4 is a vertical sectional view of a gap type surge absorber according to another embodiment of the present invention.

【図5】従来例の低融点金属線付きサージアブソーバの
斜視図。
FIG. 5 is a perspective view of a conventional surge absorber with a low melting point metal wire.

【図6】比較試験時の図5のサージアブソーバの回路構
成図。
6 is a circuit configuration diagram of the surge absorber of FIG. 5 at the time of a comparative test.

【図7】従来例のギャップ式サージアブソーバの図1に
対応する断面図。
FIG. 7 is a sectional view of a conventional gap type surge absorber corresponding to FIG. 1.

【図8】従来例のギャップ式サージアブソーバの図2に
対応する断面図。
FIG. 8 is a sectional view of a conventional gap type surge absorber corresponding to FIG.

【符号の説明】 15,35 サージアブソーバ 11,28 絶縁性を保つ管(ガラス管) 12,13 封止電極 14 不活性ガス 16,17,26,27 リード線 20 サージ吸収素子 21 導電性皮膜 22 セラミック素体 23 ギャップ 24,25 キャップ電極[Explanation of symbols] 15,35 Surge absorber 11,28 Insulating tube (glass tube) 12,13 Sealing electrode 14 Inert gas 16,17,26,27 Lead wire 20 Surge absorbing element 21 Conductive film 22 Ceramic body 23 Gap 24,25 Cap electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 隆明 東京都千代田区大手町1丁目5番1号 三 菱マテリアル株式会社内 (72)発明者 阿部 政利 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社電子技術研究所内 (72)発明者 原田 三喜男 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社セラミックス工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Takaaki Ito 1-5-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Sanritsu Materials Co., Ltd. (72) Inventor Mikio Harada, 2270 Yokose, Yokoze-cho, Chichibu-gun, Saitama Sanryo Materials Co., Ltd. Ceramics Factory

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導電性皮膜(21)で被包した円柱状のセラ
ミック素体(22)の周面に前記皮膜(21)を分割するギャッ
プ(23)が形成され、前記セラミック素体(22)の両端に一
対のキャップ電極(24,25)を有するか又は有しないサー
ジ吸収素子(20)が不活性ガス(14)とともに絶縁性を保つ
管(11)内に収容され、前記管(11)の両端に一対の封止電
極(12,13)が相対向して封着され、前記一対の封止電極
(12,13)が封着状態で前記サージ吸収素子(20)を固定
し、かつ前記一対のキャップ電極(24,25)又は前記導電
性皮膜(21)に電気的に接続されたサージアブソーバにお
いて、 前記導電性皮膜(21)が導電性セラミック薄膜であって、
前記不活性ガス(14)がCO2ガスであることを特徴とす
るサージアブソーバ。
1. A gap (23) for dividing the coating film (21) is formed on the peripheral surface of a cylindrical ceramic body (22) covered with a conductive coating film (21), and the ceramic body (22) is formed. ) With or without a pair of cap electrodes (24, 25) on both ends of the surge absorbing element (20) is housed in a tube (11) that maintains insulation with the inert gas (14), ), A pair of sealing electrodes (12, 13) are sealed to face each other, and the pair of sealing electrodes
(12, 13) fixing the surge absorbing element (20) in a sealed state, and a surge absorber electrically connected to the pair of cap electrodes (24, 25) or the conductive film (21) The conductive film (21) is a conductive ceramic thin film,
A surge absorber, wherein the inert gas (14) is CO 2 gas.
【請求項2】 導電性皮膜(21)で被包した円柱状のセラ
ミック素体(22)の周面に前記皮膜(21)を分割するギャッ
プ(23)が形成され、前記セラミック素体(22)の両端に一
対のキャップ電極(24,25)を有するか又は有しないサー
ジ吸収素子(20)が不活性ガス(14)とともに絶縁性を保つ
管(11)内に収容され、前記管(11)の両端に一対の封止電
極(12,13)が相対向して封着され、前記一対の封止電極
(12,13)が封着状態で前記サージ吸収素子(20)を固定
し、かつ前記一対のキャップ電極(24,25)又は前記導電
性皮膜(21)に電気的に接続されたサージアブソーバにお
いて、 前記導電性皮膜(21)が導電性セラミック薄膜であって、
前記不活性ガス(14)がCO2ガスと、He,Ne,A
r,Kr,Xe又はN2ガスの混合ガスであることを特
徴とするサージアブソーバ。
2. A gap (23) dividing the coating (21) is formed on the peripheral surface of a cylindrical ceramic body (22) covered with a conductive coating (21), and the ceramic body (22) is formed. ) With or without a pair of cap electrodes (24, 25) on both ends of the surge absorbing element (20) is housed in a tube (11) that maintains insulation with the inert gas (14), ), A pair of sealing electrodes (12, 13) are sealed to face each other, and the pair of sealing electrodes
(12, 13) fixing the surge absorbing element (20) in a sealed state, and a surge absorber electrically connected to the pair of cap electrodes (24, 25) or the conductive film (21) The conductive film (21) is a conductive ceramic thin film,
The inert gas (14) is CO 2 gas, He, Ne, A
A surge absorber characterized by being a mixed gas of r, Kr, Xe or N 2 gas.
【請求項3】 導電性皮膜(21)で被包した円柱状のセラ
ミック素体(22)の周面に前記皮膜(21)を分割するギャッ
プ(23)が形成され、前記セラミック素体(22)の両端に一
対のキャップ電極(24,25)を有し、前記キャップ電極(2
4,25)に一対のリード線(26,27)が接続されたサージ吸収
素子(20)が不活性ガス(14)とともに絶縁性を保つ管(28)
により封止され、かつ前記一対のリード線(26,27)が前
記管(28)から突出したサージアブソーバにおいて、 前記導電性皮膜(21)が導電性セラミック薄膜であって、
前記不活性ガス(14)がCO2ガスであることを特徴とす
るサージアブソーバ。
3. A ceramic body (22) having a cylindrical shape and a gap (23) dividing the coating (21) is formed on the peripheral surface of the cylindrical ceramic body (22). ) Has a pair of cap electrodes (24, 25) at both ends, and the cap electrodes (2
A pipe (28) in which a surge absorbing element (20) in which a pair of lead wires (26, 27) is connected to (4, 25) maintains insulation with an inert gas (14).
In a surge absorber sealed by, and the pair of lead wires (26, 27) protruding from the tube (28), the conductive film (21) is a conductive ceramic thin film,
A surge absorber, wherein the inert gas (14) is CO 2 gas.
【請求項4】 導電性皮膜(21)で被包した円柱状のセラ
ミック素体(22)の周面に前記皮膜(21)を分割するギャッ
プ(23)が形成され、前記セラミック素体(22)の両端に一
対のキャップ電極(24,25)を有し、前記キャップ電極(2
4,25)に一対のリード線(26,27)が接続されたサージ吸収
素子(20)が不活性ガス(14)とともに絶縁性を保つ管(28)
により封止され、かつ前記一対のリード線(26,27)が前
記管(28)から突出したサージアブソーバにおいて、 前記導電性皮膜(21)が導電性セラミック薄膜であって、
前記不活性ガス(14)がCO2ガスと、He,Ne,A
r,Kr,Xe又はN2ガスの混合ガスであることを特
徴とするサージアブソーバ。
4. A gap (23) dividing the coating (21) is formed on the peripheral surface of a cylindrical ceramic body (22) covered with a conductive coating (21), and the ceramic body (22) is formed. ) Has a pair of cap electrodes (24, 25) at both ends, and the cap electrodes (2
A pipe (28) in which a surge absorbing element (20) in which a pair of lead wires (26, 27) is connected to (4, 25) maintains insulation with an inert gas (14).
In a surge absorber sealed by, and the pair of lead wires (26, 27) protruding from the tube (28), the conductive film (21) is a conductive ceramic thin film,
The inert gas (14) is CO 2 gas, He, Ne, A
A surge absorber characterized by being a mixed gas of r, Kr, Xe or N 2 gas.
【請求項5】 不活性ガスが少なくとも70容積%のC
2ガスと、He,Ne,Ar,Kr,Xe又はN2ガス
とを混合してなる請求項2又は4記載のサージアブソー
バ。
5. An inert gas containing at least 70% by volume of C
The surge absorber according to claim 2, wherein the O 2 gas is mixed with He, Ne, Ar, Kr, Xe or N 2 gas.
【請求項6】 不活性ガスが少なくとも50容積%のC
2ガスと、He,Ne,Ar,Kr,Xe又はN2ガス
とを混合してなる請求項2又は4記載のサージアブソー
バ。
6. An inert gas containing at least 50% by volume of C
The surge absorber according to claim 2, wherein the O 2 gas is mixed with He, Ne, Ar, Kr, Xe or N 2 gas.
【請求項7】 不活性ガスが少なくとも30容積%のC
2ガスと、He,Ne,Ar,Kr,Xe又はN2ガス
とを混合してなる請求項2又は4記載のサージアブソー
バ。
7. C containing at least 30% by volume of an inert gas.
The surge absorber according to claim 2, wherein the O 2 gas is mixed with He, Ne, Ar, Kr, Xe or N 2 gas.
【請求項8】 導電性セラミック薄膜が導電性金属酸化
物、導電性窒化物又は導電性炭化物のいずれかよりなる
請求項1ないし7いずれか記載のサージアブソーバ。
8. The surge absorber according to claim 1, wherein the conductive ceramic thin film is made of a conductive metal oxide, a conductive nitride or a conductive carbide.
【請求項9】 導電性金属酸化物がSnO2,Nb
25,MnO2又はMoO3である請求項8記載のサージ
アブソーバ。
9. The conductive metal oxide is SnO 2 , Nb.
The surge absorber according to claim 8, which is 2 O 5 , MnO 2 or MoO 3 .
【請求項10】 導電性窒化物がTiN又はTaNであ
る請求項8記載のサージアブソーバ。
10. The surge absorber according to claim 8, wherein the conductive nitride is TiN or TaN.
【請求項11】 導電性炭化物がSiCである請求項8
記載のサージアブソーバ。
11. The conductive carbide is SiC.
Surge absorber described.
【請求項12】 ギャップ(23)の幅が200μm〜10
00μmである請求項1ないし11いずれか記載のサー
ジアブソーバ。
12. The width of the gap (23) is 200 μm to 10 μm.
The surge absorber according to any one of claims 1 to 11, which has a diameter of 00 µm.
【請求項13】 ギャップ(23)の幅が200μm〜50
0μmである請求項12記載のサージアブソーバ。
13. The gap (23) has a width of 200 μm to 50 μm.
The surge absorber according to claim 12, which has a thickness of 0 μm.
【請求項14】 ギャップ(23)が導電性皮膜(21)を2分
割するようにセラミック素体(22)の周面に1本形成され
た請求項1ないし13いずれか記載のサージアブソー
バ。
14. The surge absorber according to claim 1, wherein one gap (23) is formed on the peripheral surface of the ceramic body (22) so as to divide the conductive film (21) into two.
【請求項15】 ギャップ(23)が導電性皮膜(21)を3つ
以上に分割するようにセラミック素体(22)の周面に複数
本形成された請求項1ないし13いずれか記載のサージ
アブソーバ。
15. The surge according to claim 1, wherein a plurality of gaps (23) are formed on the peripheral surface of the ceramic body (22) so as to divide the conductive film (21) into three or more. Absorber.
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