JPH08148602A - 半導体搭載用多層配線板の製造方法 - Google Patents
半導体搭載用多層配線板の製造方法Info
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- JPH08148602A JPH08148602A JP6286838A JP28683894A JPH08148602A JP H08148602 A JPH08148602 A JP H08148602A JP 6286838 A JP6286838 A JP 6286838A JP 28683894 A JP28683894 A JP 28683894A JP H08148602 A JPH08148602 A JP H08148602A
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- cavity
- multilayer wiring
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線板の設計自由度に優れ、かつ効率的に半
導体搭載用のキャビティを形成する。 【構成】 配線板等を積層編成し、これをプレス加工機
で加圧し、加熱硬化して積層一体形成した後、これをド
リルでスルーホール孔３０をあけ、この孔３０の内壁お
よび表面に無電解銅めっき３１を施し、その後、外層導
体回路を形成するためにエッチングレジスト３２を塗布
する。続いて、キャビティ２１に対応する部分の銅層４
をエッチングした後、同じくキャビティ２１に対応する
部分のニッケル合金層５をエッチングし、外層導体回路
を形成するとともに、キャビティ２１を形成する。
導体搭載用のキャビティを形成する。 【構成】 配線板等を積層編成し、これをプレス加工機
で加圧し、加熱硬化して積層一体形成した後、これをド
リルでスルーホール孔３０をあけ、この孔３０の内壁お
よび表面に無電解銅めっき３１を施し、その後、外層導
体回路を形成するためにエッチングレジスト３２を塗布
する。続いて、キャビティ２１に対応する部分の銅層４
をエッチングした後、同じくキャビティ２１に対応する
部分のニッケル合金層５をエッチングし、外層導体回路
を形成するとともに、キャビティ２１を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを搭載す
るキャビティを設けた半導体搭載用多層配線板の製造方
法に関する。
るキャビティを設けた半導体搭載用多層配線板の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層配線板は、通常、絶縁基板，電源
層，グランド層，内部に形成された導体回路，表面に形
成された導体回路，内部に形成された導体回路とを接続
するバイアホール，部品実装スルーホールおよび部品実
装時のはんだによる回路の短絡を防ぐソルダーレジスト
等で形成されている。
層，グランド層，内部に形成された導体回路，表面に形
成された導体回路，内部に形成された導体回路とを接続
するバイアホール，部品実装スルーホールおよび部品実
装時のはんだによる回路の短絡を防ぐソルダーレジスト
等で形成されている。
【０００３】その製造法には何種類かあり、例えば内部
に形成された導体回路，電源層およびグランド層となる
内層板における銅箔の不要な箇所を除去して内層導体回
路を形成し、これを接着シート（プリプレグ）を用いて
積層した後に必要な箇所にドリル等を用いて穴をあけ、
このあけられた穴の内壁を無電解銅めっき等でスルーホ
ールを形成した後、表面銅箔の不要な箇所を除去して表
面の外層導体回路を形成し、その後、ソルダーレジスト
を塗布する製造方法や、積層後に表面の外層導体回路に
なる箇所に永久レジストを用いて穴をあけた後、外層導
体回路とスルーホールとを無電解めっきにより形成する
製造方法が知られている。
に形成された導体回路，電源層およびグランド層となる
内層板における銅箔の不要な箇所を除去して内層導体回
路を形成し、これを接着シート（プリプレグ）を用いて
積層した後に必要な箇所にドリル等を用いて穴をあけ、
このあけられた穴の内壁を無電解銅めっき等でスルーホ
ールを形成した後、表面銅箔の不要な箇所を除去して表
面の外層導体回路を形成し、その後、ソルダーレジスト
を塗布する製造方法や、積層後に表面の外層導体回路に
なる箇所に永久レジストを用いて穴をあけた後、外層導
体回路とスルーホールとを無電解めっきにより形成する
製造方法が知られている。
【０００４】また、内層導体回路を形成した複数枚の基
板を、ガイドピンを用いて位置合わせし、これを一括し
て積層一体化した後、外層導体回路の形成、回路の接続
を行う製造方法も知られている。
板を、ガイドピンを用いて位置合わせし、これを一括し
て積層一体化した後、外層導体回路の形成、回路の接続
を行う製造方法も知られている。
【０００５】次に、半導体チップ搭載用パッケージに関
するものには、パッケージの外側の一部に導体を形成す
るリードレスチップキャリアとすることが、特開昭５９
−１５８５７９号公報に開示されている。
するものには、パッケージの外側の一部に導体を形成す
るリードレスチップキャリアとすることが、特開昭５９
−１５８５７９号公報に開示されている。
【０００６】また、端子ピンが配線板のスルーホールに
接続されるピングリッドアレイの製造方法について、特
公昭５８−１１１００号公報に開示されている。
接続されるピングリッドアレイの製造方法について、特
公昭５８−１１１００号公報に開示されている。
【０００７】また、ピングリッドアレイにおける端子ピ
ンに代えてはんだボールを設け、はんだ付けによって搭
載されるボールグリッドアレイの製造方法については、
特公昭５８−１１１００号公報に開示されている。
ンに代えてはんだボールを設け、はんだ付けによって搭
載されるボールグリッドアレイの製造方法については、
特公昭５８−１１１００号公報に開示されている。
【０００８】また、端子部を先に形成し、テープ状絶縁
フィルムで絶縁化したテープ自動化キャリアとする方法
については、特公昭５８−２６８２８号公報に開示され
ている。
フィルムで絶縁化したテープ自動化キャリアとする方法
については、特公昭５８−２６８２８号公報に開示され
ている。
【０００９】このような半導体チップ搭載用パッケージ
は、パッケージ用の絶縁材料として、セラミックスが多
く用いられ、しかも、半導体チップを搭載するためのキ
ャビティに搭載された半導体チップと導体回路とをボン
ディングワイヤで結線した後、半導体チップを含む結線
部分を有機絶縁材料からなる絶縁樹脂で封止されてい
る。
は、パッケージ用の絶縁材料として、セラミックスが多
く用いられ、しかも、半導体チップを搭載するためのキ
ャビティに搭載された半導体チップと導体回路とをボン
ディングワイヤで結線した後、半導体チップを含む結線
部分を有機絶縁材料からなる絶縁樹脂で封止されてい
る。
【００１０】さらに、多層配線板の製造技術を用い、半
導体チップを搭載するためのキャビティを形成した後、
端子ピンが配線板のスルーホールに接続されるピングリ
ットアレイの製造について、特公平３−２５０２３号公
報に開示されている。
導体チップを搭載するためのキャビティを形成した後、
端子ピンが配線板のスルーホールに接続されるピングリ
ットアレイの製造について、特公平３−２５０２３号公
報に開示されている。
【００１１】ところで、半導体チップを搭載するための
キャビティを形成する方法としては、特公平２−５０１
４号公報において、キャビティを形成するための開口を
有する複数の絶縁層と，これら複数の絶縁層に形成され
た複数の導体回路層および電気的接続を行うバイアホー
ルを有する絶縁回路板と、そのキャビティを形成するた
めの開口を塞ぐ板体とを重ね、加熱硬化して積層一体化
した後、スルーホールとなる孔をあけ、少なくとも孔内
壁を金属化した後、キャビティを形成するよう座ぐり加
工を行うものが開示されている。
キャビティを形成する方法としては、特公平２−５０１
４号公報において、キャビティを形成するための開口を
有する複数の絶縁層と，これら複数の絶縁層に形成され
た複数の導体回路層および電気的接続を行うバイアホー
ルを有する絶縁回路板と、そのキャビティを形成するた
めの開口を塞ぐ板体とを重ね、加熱硬化して積層一体化
した後、スルーホールとなる孔をあけ、少なくとも孔内
壁を金属化した後、キャビティを形成するよう座ぐり加
工を行うものが開示されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
キャビティを有する半導体搭載用多層配線板の製造方法
では、キャビティを先に設けるので、その後、エッチン
グ工程やめっき工程に用いられる処理液の侵入を防ぐた
めには、プラスチック板で開口を塞いでおき、後に座ぐ
り加工を行っていた。このため、加工工程が長くなると
ともに、導体回路のうち半導体チップと配線される部分
が、座ぐり加工の作業誤差によって削られ、設計の自由
度を低下させるという問題点があった。
キャビティを有する半導体搭載用多層配線板の製造方法
では、キャビティを先に設けるので、その後、エッチン
グ工程やめっき工程に用いられる処理液の侵入を防ぐた
めには、プラスチック板で開口を塞いでおき、後に座ぐ
り加工を行っていた。このため、加工工程が長くなると
ともに、導体回路のうち半導体チップと配線される部分
が、座ぐり加工の作業誤差によって削られ、設計の自由
度を低下させるという問題点があった。
【００１３】また、隣接する絶縁層間の熱履歴の差異に
よる各層間の剥離現象やボイドが多く発生するという問
題点があった。この現象は特に、スルーホールの多い箇
所で頻発に発生した。
よる各層間の剥離現象やボイドが多く発生するという問
題点があった。この現象は特に、スルーホールの多い箇
所で頻発に発生した。
【００１４】本発明は、上記問題点に鑑み、配線板の設
計自由度に優れ、かつ効率的に半導体搭載用のキャビテ
ィを形成することができ、加えて、熱履歴に対する剥離
やボイドの発生を防止して絶縁性に対する信頼性を高め
るとともに、スルーホールと導体回路との接続に関する
信頼性も優れた半導体搭載用多層配線板の製造法を提供
することを目的とする。
計自由度に優れ、かつ効率的に半導体搭載用のキャビテ
ィを形成することができ、加えて、熱履歴に対する剥離
やボイドの発生を防止して絶縁性に対する信頼性を高め
るとともに、スルーホールと導体回路との接続に関する
信頼性も優れた半導体搭載用多層配線板の製造法を提供
することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、複数の絶縁層と導体回路が形成された
複数の基板を積層することによって多層配線板を得る多
層配線板の製造方法において、キャビティに対応する第
１の開口部を有する少なくとも一つの絶縁層と、上記ャ
ビティに対応する第２の開口部および導体回路が形成さ
れた少なくとも一つの基板と、上記第１、第２の開口部
を覆うとともに少なくとも一方の最外側に、銅層／ニッ
ケルあるいはニッケル合金層の２層からなる金属箔層と
を備え、これら絶縁層，基板および金属箔層を積層し、
加熱硬化して積層一体化する一体化工程と、上記絶縁
層，基板および金属箔層を貫通するとともに、少なくと
も孔内壁を金属化してスルーホールを形成するスルーホ
ール形成工程と、外層導体回路のエッチングレジストを
形成するとともに、上記金属箔層の銅層およびニッケル
あるいはニッケル合金層をエッチング処理し、上記第
１、第２の開口部に対応する箇所にキャビティを形成す
るキャビティ形成工程とを含むことを特徴とする。
めに、本発明は、複数の絶縁層と導体回路が形成された
複数の基板を積層することによって多層配線板を得る多
層配線板の製造方法において、キャビティに対応する第
１の開口部を有する少なくとも一つの絶縁層と、上記ャ
ビティに対応する第２の開口部および導体回路が形成さ
れた少なくとも一つの基板と、上記第１、第２の開口部
を覆うとともに少なくとも一方の最外側に、銅層／ニッ
ケルあるいはニッケル合金層の２層からなる金属箔層と
を備え、これら絶縁層，基板および金属箔層を積層し、
加熱硬化して積層一体化する一体化工程と、上記絶縁
層，基板および金属箔層を貫通するとともに、少なくと
も孔内壁を金属化してスルーホールを形成するスルーホ
ール形成工程と、外層導体回路のエッチングレジストを
形成するとともに、上記金属箔層の銅層およびニッケル
あるいはニッケル合金層をエッチング処理し、上記第
１、第２の開口部に対応する箇所にキャビティを形成す
るキャビティ形成工程とを含むことを特徴とする。
【００１６】使用する銅層およびニッケルないしニッケ
ル合金層の２層からなる金属箔としては、銅層の厚みが
５〜３５μｍ、ニッケルないしニッケル合金層の厚みが
１〜２０μｍのものが回路加工性においても、また、キ
ャビティを銅エッチング液から保護するためにおいても
望ましい。さらに望ましくは銅層の厚みが１５〜１８μ
ｍ、ニッケルあるいはニッケル合金からなる層の厚みが
５〜１０μｍのものが良い。しかしながら、厚みはこれ
らに限定するものではなく、上記目的に適合する範囲
で、市販品でこれらに適合するものを使用することもで
きる。
ル合金層の２層からなる金属箔としては、銅層の厚みが
５〜３５μｍ、ニッケルないしニッケル合金層の厚みが
１〜２０μｍのものが回路加工性においても、また、キ
ャビティを銅エッチング液から保護するためにおいても
望ましい。さらに望ましくは銅層の厚みが１５〜１８μ
ｍ、ニッケルあるいはニッケル合金からなる層の厚みが
５〜１０μｍのものが良い。しかしながら、厚みはこれ
らに限定するものではなく、上記目的に適合する範囲
で、市販品でこれらに適合するものを使用することもで
きる。
【００１７】外層回路用エッチングレジストとしては、
電着レジスト、はんだレジスト、ドライフィルム等、外
層とスルーホール内壁を保護できる市販品であれば特に
限定しない。
電着レジスト、はんだレジスト、ドライフィルム等、外
層とスルーホール内壁を保護できる市販品であれば特に
限定しない。
【００１８】銅層のエッチング液としては、アルカリエ
ッチング液が好ましく、さらに好ましくはメルテックス
社製Ａプロセス液が良い。しかし、これ以外の、公知で
ありまた市販の銅エッチング液を使用することもでき
る。ニッケル層エッチング液としては、トップリップＡ
Ｚ（奥野製薬製），Ｋ−２００（日本カニゼン製），メ
ックリムーバＳ−６ＫＭ（メック製）等が使用できる
が、銅を侵さず、ニッケルのみ選択的にエッチングする
ものであれば、これ以外の市販品を使用しても構わな
い。
ッチング液が好ましく、さらに好ましくはメルテックス
社製Ａプロセス液が良い。しかし、これ以外の、公知で
ありまた市販の銅エッチング液を使用することもでき
る。ニッケル層エッチング液としては、トップリップＡ
Ｚ（奥野製薬製），Ｋ−２００（日本カニゼン製），メ
ックリムーバＳ−６ＫＭ（メック製）等が使用できる
が、銅を侵さず、ニッケルのみ選択的にエッチングする
ものであれば、これ以外の市販品を使用しても構わな
い。
【００１９】また、本発明は、複数の絶縁層と導体回路
が形成された複数の基板を積層することによって多層配
線板を得る多層配線板の製造方法において、キャビティ
に対応する第１の開口部を有する絶縁層と、上記ャビテ
ィに対応する第２の開口部および導体回路が形成された
基板と、上記第１、第２の開口部を覆うとともに最外側
に、銅層／ニッケルあるいはニッケル合金層の２層から
なる金属箔層とを備え、これら絶縁層，基板および金属
箔層を積層し、加熱硬化して積層一体化する一体化工程
と、上記絶縁層，基板および金属箔層を貫通するととも
に、少なくとも孔内壁を金属化してスルーホールを形成
するスルーホール形成工程と、外層導体回路のエッチン
グレジストを形成するとともに、ヒートシンクとする箇
所を除き、上記金属箔層の銅層およびニッケルあるいは
ニッケル合金層をエッチング処理し、上記第１、第２の
開口部に対応する箇所にキャビティを形成するキャビテ
ィ形成工程とを含むことを特徴とする。
が形成された複数の基板を積層することによって多層配
線板を得る多層配線板の製造方法において、キャビティ
に対応する第１の開口部を有する絶縁層と、上記ャビテ
ィに対応する第２の開口部および導体回路が形成された
基板と、上記第１、第２の開口部を覆うとともに最外側
に、銅層／ニッケルあるいはニッケル合金層の２層から
なる金属箔層とを備え、これら絶縁層，基板および金属
箔層を積層し、加熱硬化して積層一体化する一体化工程
と、上記絶縁層，基板および金属箔層を貫通するととも
に、少なくとも孔内壁を金属化してスルーホールを形成
するスルーホール形成工程と、外層導体回路のエッチン
グレジストを形成するとともに、ヒートシンクとする箇
所を除き、上記金属箔層の銅層およびニッケルあるいは
ニッケル合金層をエッチング処理し、上記第１、第２の
開口部に対応する箇所にキャビティを形成するキャビテ
ィ形成工程とを含むことを特徴とする。
【００２０】この時に、金属箔の回路となる銅層側の、
ヒートシンクを形成する箇所に、金属性の突出部を形成
すれば、ヒートシンクの高さを調節でき、ワイヤボンデ
ィング作業を容易にすることができ好ましい。
ヒートシンクを形成する箇所に、金属性の突出部を形成
すれば、ヒートシンクの高さを調節でき、ワイヤボンデ
ィング作業を容易にすることができ好ましい。
【００２１】本発明の隣接しあう絶縁層にガラス転移点
の差が６０℃以内の材料を用いることについては、これ
らの材料のガラス転移点を調査し、その差が６０℃以内
の物を隣接させて用いるものである。さらには、このガ
ラス転移点の差は３０℃以内であることは好ましい。
の差が６０℃以内の材料を用いることについては、これ
らの材料のガラス転移点を調査し、その差が６０℃以内
の物を隣接させて用いるものである。さらには、このガ
ラス転移点の差は３０℃以内であることは好ましい。
【００２２】例えば、第１層にエポキシ樹脂含浸のガラ
ス布銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成
工業株式会社製、商品名）を用いたときには、この積層
板のガラス転移点が１５５〜１６０℃であることから、
隣接する絶縁層として使用できるものとしては、ガラス
転移点が１００〜２１５℃のものであり、例えばエポキ
シ樹脂含浸プリプレグＧＥＡ−６７９（日立化成工業株
式会社製、商品名）、ポリイミド樹脂含浸プリプレグで
あるＧＩＡ−６７１Ｎ（日立化成工業株式会社製、商品
名）、ＢＴレジン系プリプレグであるＧＨＰＬ−８３０
（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）、ＡＳ−３００
０，ＡＳ−２２１０，ＡＳ−２２５０（日立化成工業株
式会社製、商品名）等がある。
ス布銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成
工業株式会社製、商品名）を用いたときには、この積層
板のガラス転移点が１５５〜１６０℃であることから、
隣接する絶縁層として使用できるものとしては、ガラス
転移点が１００〜２１５℃のものであり、例えばエポキ
シ樹脂含浸プリプレグＧＥＡ−６７９（日立化成工業株
式会社製、商品名）、ポリイミド樹脂含浸プリプレグで
あるＧＩＡ−６７１Ｎ（日立化成工業株式会社製、商品
名）、ＢＴレジン系プリプレグであるＧＨＰＬ−８３０
（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）、ＡＳ−３００
０，ＡＳ−２２１０，ＡＳ−２２５０（日立化成工業株
式会社製、商品名）等がある。
【００２３】特に好ましいのは、ガラス転移点が１３０
〜１８５℃のものであり、ポリイミド樹脂含浸プリプレ
グＧＩＡ−６７１Ｎ（日立化成工業株式会社製、商品
名）、ＢＴレジン系プリプレグであるＧＨＰＬ−８３０
（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）、ＡＳ−２２１
０，ＡＳ−２２５０（日立化成工業株式会社製、商品
名）を用いることができる。
〜１８５℃のものであり、ポリイミド樹脂含浸プリプレ
グＧＩＡ−６７１Ｎ（日立化成工業株式会社製、商品
名）、ＢＴレジン系プリプレグであるＧＨＰＬ−８３０
（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）、ＡＳ−２２１
０，ＡＳ−２２５０（日立化成工業株式会社製、商品
名）を用いることができる。
【００２４】第１層にポリイミド樹脂含浸のガラス布銅
張り積層板であるＭＣＬ−Ｉ−６７１（日立化成工業株
式会社製、商品名）を用いたときには、この積層板の絶
縁材が２１０〜２３０℃であることから、隣接する絶縁
層として使用できるものとしては、ガラス転移点が１５
５〜２８５℃のものであり、例えばエポキシ樹脂含浸プ
リプレグＧＥＡ−６７１（日立化成工業株式会社製、商
品名）、ポリイミド樹脂含浸プリプレグであるＧＩＡ−
６７１Ｎ（日立化成工業株式会社製、商品名）、ＢＴレ
ジン系プリプレグであるＧＨＰＬ−８３０（三菱瓦斯化
学株式会社製、商品名）、ＡＳ−２２１０，ＡＳ−２２
５０（日立化成工業株式会社製、商品名）等がある。
張り積層板であるＭＣＬ−Ｉ−６７１（日立化成工業株
式会社製、商品名）を用いたときには、この積層板の絶
縁材が２１０〜２３０℃であることから、隣接する絶縁
層として使用できるものとしては、ガラス転移点が１５
５〜２８５℃のものであり、例えばエポキシ樹脂含浸プ
リプレグＧＥＡ−６７１（日立化成工業株式会社製、商
品名）、ポリイミド樹脂含浸プリプレグであるＧＩＡ−
６７１Ｎ（日立化成工業株式会社製、商品名）、ＢＴレ
ジン系プリプレグであるＧＨＰＬ−８３０（三菱瓦斯化
学株式会社製、商品名）、ＡＳ−２２１０，ＡＳ−２２
５０（日立化成工業株式会社製、商品名）等がある。
【００２５】第１層にＢＴレジン樹脂系銅張り積層板で
あるＣＣＨ−ＨＬ−８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、
商品名）を用いたときには、この積層板の絶縁材が１６
５〜１８５℃であることから、隣接する絶縁層として使
用できるものとしては、ガラス転移点が１１０〜２４０
℃のものであり、例えばエポキシ樹脂含浸プリプレグＧ
ＥＡ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）、ポ
リイミド樹脂含浸プリプレグＧＩＡ−６７１Ｎ（日立化
成工業株式会社製、商品名）、ＢＴレジン系プリプレグ
であるＧＨＰＬ−８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商
品名）、ＡＳ−３０００，ＡＳ−２２１０，ＡＳ−２２
５０（日立化成工業株式会社製、商品名）等がある。
あるＣＣＨ−ＨＬ−８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、
商品名）を用いたときには、この積層板の絶縁材が１６
５〜１８５℃であることから、隣接する絶縁層として使
用できるものとしては、ガラス転移点が１１０〜２４０
℃のものであり、例えばエポキシ樹脂含浸プリプレグＧ
ＥＡ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）、ポ
リイミド樹脂含浸プリプレグＧＩＡ−６７１Ｎ（日立化
成工業株式会社製、商品名）、ＢＴレジン系プリプレグ
であるＧＨＰＬ−８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商
品名）、ＡＳ−３０００，ＡＳ−２２１０，ＡＳ−２２
５０（日立化成工業株式会社製、商品名）等がある。
【００２６】特に好ましくは、ガラス転移点が１４０〜
２１０℃のものであり、例えばポリイミド樹脂含浸プリ
プレグＧＩＡ−６７１Ｎ（日立化成工業株式会社製、商
品名）、ＢＴレジン系プリプレグであるＧＨＰＬ−８３
０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）、ＡＳ−２２１
０，ＡＳ−２２５０（日立化成工業株式会社製、商品
名）等を用いることができる。
２１０℃のものであり、例えばポリイミド樹脂含浸プリ
プレグＧＩＡ−６７１Ｎ（日立化成工業株式会社製、商
品名）、ＢＴレジン系プリプレグであるＧＨＰＬ−８３
０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）、ＡＳ−２２１
０，ＡＳ−２２５０（日立化成工業株式会社製、商品
名）等を用いることができる。
【００２７】第１層にエポキシソルダーレジストである
ＣＣＲ−５０６（株式会社アサヒ化学研究所製、商品
名）を用いたときには、この絶縁材のガラス転移点が１
００〜１１５℃であることから、隣接する絶縁層として
使用できるものとしては、ガラス転移点が４５〜１７０
℃のものであり、例えばエポキシ樹脂含浸プリプレグＧ
ＥＡ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品
名）、ＡＳ−３０００（日立化成工業株式会社製、商品
名）等がある。
ＣＣＲ−５０６（株式会社アサヒ化学研究所製、商品
名）を用いたときには、この絶縁材のガラス転移点が１
００〜１１５℃であることから、隣接する絶縁層として
使用できるものとしては、ガラス転移点が４５〜１７０
℃のものであり、例えばエポキシ樹脂含浸プリプレグＧ
ＥＡ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品
名）、ＡＳ−３０００（日立化成工業株式会社製、商品
名）等がある。
【００２８】さらに、本発明における絶縁層の組み合わ
せは、上記例示に限定されることなく選択することがで
きる。
せは、上記例示に限定されることなく選択することがで
きる。
【００２９】この複数の絶縁層のうち、少なくとも内層
の１層が、ガラス織布あるいは不織布等の強化材を含ま
ないことが好ましく、そのＢステージでの樹脂フローが
１％未満であり、その粘弾性が３０℃において２０００
〜５０００ＭＰａの範囲であり、かつ成形温度で１０Ｍ
Ｐａ以下であることが好ましい。
の１層が、ガラス織布あるいは不織布等の強化材を含ま
ないことが好ましく、そのＢステージでの樹脂フローが
１％未満であり、その粘弾性が３０℃において２０００
〜５０００ＭＰａの範囲であり、かつ成形温度で１０Ｍ
Ｐａ以下であることが好ましい。
【００３０】このようなガラス繊維等の強化材を含まな
い材料としては、高分子エポキシフィルムや、ポリイミ
ドフィルム、エポキシソルダーレジストインク等があ
り、Ｂステージ状態で使用可能なものとしては、市販の
もので、ＡＳ−３０００，ＡＳ−２２１０，ＡＳ−２２
５０（日立化成工業株式会社製、商品名）等がある。
い材料としては、高分子エポキシフィルムや、ポリイミ
ドフィルム、エポキシソルダーレジストインク等があ
り、Ｂステージ状態で使用可能なものとしては、市販の
もので、ＡＳ−３０００，ＡＳ−２２１０，ＡＳ−２２
５０（日立化成工業株式会社製、商品名）等がある。
【００３１】ポリイミドフィルムとしては、化学式４〜
６で示される構成を含むポリイミドを４０〜７０重量
％、ビスマレイミドとジアミンとの反応物を１５〜４５
重量％、エポキシ樹脂を１５〜４５重量％含む熱硬化性
樹脂を用いることができる。
６で示される構成を含むポリイミドを４０〜７０重量
％、ビスマレイミドとジアミンとの反応物を１５〜４５
重量％、エポキシ樹脂を１５〜４５重量％含む熱硬化性
樹脂を用いることができる。
【００３２】
【化４】 （ただし、化学式４中のＡｒは、以下の化学式５または
６に示す基であり、化学式５で示す基が１０〜９８モル
％、化学式６で示す基が９０〜５モル％含まれるものと
する。）
６に示す基であり、化学式５で示す基が１０〜９８モル
％、化学式６で示す基が９０〜５モル％含まれるものと
する。）
【００３３】
【化５】 （ただし、化学式５のＺは、−Ｃ（＝Ｏ）＝，−ＳＯ2
−，−Ｏ−，−Ｓ−，−（ＣＨ2 ）m −，−ＮＨ−Ｃ
（＝Ｏ）−，−Ｃ（ＣＨ3 ）2 −，−Ｃ（ＣＦ3 ）
2 −，−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−を示し、ｎ及びｍは１以上の
整数を示し、複数のＺはそれぞれ同一であっても、また
異なるものでもよく、各ベンゼン環の水素は置換基で適
宜置換されていてもよいものとする。）
−，−Ｏ−，−Ｓ−，−（ＣＨ2 ）m −，−ＮＨ−Ｃ
（＝Ｏ）−，−Ｃ（ＣＨ3 ）2 −，−Ｃ（ＣＦ3 ）
2 −，−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−を示し、ｎ及びｍは１以上の
整数を示し、複数のＺはそれぞれ同一であっても、また
異なるものでもよく、各ベンゼン環の水素は置換基で適
宜置換されていてもよいものとする。）
【００３４】
【化６】 （ただし、化学式６中でＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 およびＲ
4 は、それぞれ独立に水素または炭素数１〜４のアルキ
ル基、もしくはアルコキシ基を示し、これらのうち少な
くとも２個以上はアルキル基、もしくはアルコキシ基で
あり、Ｘは、−ＣＨ2−，−Ｃ（ＣＨ3 ）2 −，−Ｏ
−，−ＳＯ2 −，−Ｃ（＝Ｏ）−，−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）
−を示すものとする。）
4 は、それぞれ独立に水素または炭素数１〜４のアルキ
ル基、もしくはアルコキシ基を示し、これらのうち少な
くとも２個以上はアルキル基、もしくはアルコキシ基で
あり、Ｘは、−ＣＨ2−，−Ｃ（ＣＨ3 ）2 −，−Ｏ
−，−ＳＯ2 −，−Ｃ（＝Ｏ）−，−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）
−を示すものとする。）
【００３５】そのＢステージでの粘弾性を、３０℃にお
いて２０００〜５０００ＭＰａの範囲とし、かつ成形温
度で１０ＭＰａ以下にするためには、骨格としての高分
子成分の分子量の制御、高分子成分と低分子成分の配合
比の制御、必要ならば高分子成分の架橋剤の量の制御等
によって達成できる。例えば、市販のＡＳ−３０００
（日立化成工業株式会社製、商品名）はＢステージの粘
弾性を、３０℃において２０００〜５０００ＭＰａに、
成形温度での粘弾性を２〜５ＭＰａにしており、ＡＳ−
２２１０，ＡＳ−２２５０（日立化成工業株式会社製、
商品名）では、３０℃で２０００〜５０００ＭＰａに、
成形温度での粘弾性を１０ＫＰａ以下にしている。
いて２０００〜５０００ＭＰａの範囲とし、かつ成形温
度で１０ＭＰａ以下にするためには、骨格としての高分
子成分の分子量の制御、高分子成分と低分子成分の配合
比の制御、必要ならば高分子成分の架橋剤の量の制御等
によって達成できる。例えば、市販のＡＳ−３０００
（日立化成工業株式会社製、商品名）はＢステージの粘
弾性を、３０℃において２０００〜５０００ＭＰａに、
成形温度での粘弾性を２〜５ＭＰａにしており、ＡＳ−
２２１０，ＡＳ−２２５０（日立化成工業株式会社製、
商品名）では、３０℃で２０００〜５０００ＭＰａに、
成形温度での粘弾性を１０ＫＰａ以下にしている。
【００３６】複数の絶縁層に形成された複数の回路層お
よび該回路層間の電気的接続を行うバイアホールを有す
る絶縁回路板としては、上記絶縁層を用いた銅張り積層
板を用いることができる。本発明に用いる絶縁層として
は、一般的なガラス織布あるいは不織布にエポキシ樹
脂，ポリイミド樹脂等を含浸したものを用いることがで
きる。
よび該回路層間の電気的接続を行うバイアホールを有す
る絶縁回路板としては、上記絶縁層を用いた銅張り積層
板を用いることができる。本発明に用いる絶縁層として
は、一般的なガラス織布あるいは不織布にエポキシ樹
脂，ポリイミド樹脂等を含浸したものを用いることがで
きる。
【００３７】さらに、他の配線板との接続を行う端子
を、その一方の面を設け、その面と同一面あるいは、反
対面にキャビティの開口部を設けることができる。例え
ば、他の配線板との接続を行う端子をピンとすると、ピ
ングリッドアレイを構成することができ、他の配線板と
の接続を行う端子をはんだボールによる接続のためのラ
ンド部とすることにより、ボールグリッドアレイを構成
することができる。さらに、これらを組合わせて用いる
こともでき、実装密度の高いチップキャリアであれば、
この他にどのようなものにでも用いることができる。
を、その一方の面を設け、その面と同一面あるいは、反
対面にキャビティの開口部を設けることができる。例え
ば、他の配線板との接続を行う端子をピンとすると、ピ
ングリッドアレイを構成することができ、他の配線板と
の接続を行う端子をはんだボールによる接続のためのラ
ンド部とすることにより、ボールグリッドアレイを構成
することができる。さらに、これらを組合わせて用いる
こともでき、実装密度の高いチップキャリアであれば、
この他にどのようなものにでも用いることができる。
【００３８】
【作用】本発明では、絶縁層，導体回路が形成された基
板および銅層等の金属箔により、内部に開口部が設けた
状態でこれらが積層一体化され、その後、スルーホール
孔があけられ、孔内壁が金属化され、次に、金属箔のう
ち開口に対応する箇所がエッチング処理されるため、め
っき工程やエッチング工程に用いられる処理液の侵入を
防止してキャビティが形成される。
板および銅層等の金属箔により、内部に開口部が設けた
状態でこれらが積層一体化され、その後、スルーホール
孔があけられ、孔内壁が金属化され、次に、金属箔のう
ち開口に対応する箇所がエッチング処理されるため、め
っき工程やエッチング工程に用いられる処理液の侵入を
防止してキャビティが形成される。
【００３９】
【実施例】以下、本発明の半導体搭載用多層配線板の製
造方法になる実施例について、キャビティを有するピン
グリッドアレイの製造方法を例にとり説明する。
造方法になる実施例について、キャビティを有するピン
グリッドアレイの製造方法を例にとり説明する。
【００４０】＜実施例１＞この実施例１の半導体搭載用
多層配線板の製造方法は、まず、次のようにして配線基
板等を積層一体化形成する。
多層配線板の製造方法は、まず、次のようにして配線基
板等を積層一体化形成する。
【００４１】プレス加工機の上側プレス鏡板１と下側プ
レス鏡板１５との間で、図１に示すように、下から順に
保護フイルム１４、銅層１３、ニッケル合金層１２、接
着フイルム１１、端子部９が形成された第２の基板１
０、接着フイルム８、第１の基板７、接着フイルム６、
ニッケル合金層５、銅層４、クッション材３、成型品２
の順で積層編成する。
レス鏡板１５との間で、図１に示すように、下から順に
保護フイルム１４、銅層１３、ニッケル合金層１２、接
着フイルム１１、端子部９が形成された第２の基板１
０、接着フイルム８、第１の基板７、接着フイルム６、
ニッケル合金層５、銅層４、クッション材３、成型品２
の順で積層編成する。
【００４２】その後、このようにして積層編成したもの
を、上下のプレス鏡板１，１５の間で加圧し、加熱硬化
してこれらのものを積層一体化して多層板を形成する。
このときの積層条件は、２０kgf/cm2 、１８０℃で１８
０分間である。
を、上下のプレス鏡板１，１５の間で加圧し、加熱硬化
してこれらのものを積層一体化して多層板を形成する。
このときの積層条件は、２０kgf/cm2 、１８０℃で１８
０分間である。
【００４３】ここで、第１の基板７は、半導体チップ搭
載用の第１の開口部１９ａを有し、かつ、半導体チップ
とボンディングワイヤで結線するため端子部の有しな
い、厚さ０．４mmのＢＴレジン系銅張り積層板ＣＣＨ−
ＨＬ−８３０（日立化成工業株式会社製、商品名）が使
用されている。
載用の第１の開口部１９ａを有し、かつ、半導体チップ
とボンディングワイヤで結線するため端子部の有しな
い、厚さ０．４mmのＢＴレジン系銅張り積層板ＣＣＨ−
ＨＬ−８３０（日立化成工業株式会社製、商品名）が使
用されている。
【００４４】接着フィルム６，８は、第１の基板７と同
径の半導体チップ搭載用の開口部を有し、ガラス転移点
が１７０℃、厚さが０．０５mmのポリイミドの接着フィ
ルムＡＳ−２２５０（日立化成工業株式会社製、商品
名）が使用されている。
径の半導体チップ搭載用の開口部を有し、ガラス転移点
が１７０℃、厚さが０．０５mmのポリイミドの接着フィ
ルムＡＳ−２２５０（日立化成工業株式会社製、商品
名）が使用されている。
【００４５】第２の基板１０は、第１の基板７より小さ
い半導体チップ搭載用の第２の開口部１９ｂを有し、か
つ、半導体チップとボンディングワイヤで接続するため
の端子部９を上部片面に有し、厚さ０．４mmのＢＴレジ
ン系銅張り積層板ＣＣＨ−ＨＬ−８３０（三菱瓦斯化学
工業株式会社製、商品名）が使用されている。
い半導体チップ搭載用の第２の開口部１９ｂを有し、か
つ、半導体チップとボンディングワイヤで接続するため
の端子部９を上部片面に有し、厚さ０．４mmのＢＴレジ
ン系銅張り積層板ＣＣＨ−ＨＬ−８３０（三菱瓦斯化学
工業株式会社製、商品名）が使用されている。
【００４６】接着フィルム１１は、端子部９が有する第
２の基板１０の面の反対面に対向して配置され、この基
板１０と同径の半導体チップ搭載用の開口部を有し、厚
さが０．０５mmのポリイミドの接着フィルムＡＳ−２２
５０（日立化成工業株式会社製、商品名）が使用されて
いる。
２の基板１０の面の反対面に対向して配置され、この基
板１０と同径の半導体チップ搭載用の開口部を有し、厚
さが０．０５mmのポリイミドの接着フィルムＡＳ−２２
５０（日立化成工業株式会社製、商品名）が使用されて
いる。
【００４７】銅層４は厚さ１８μｍの金属箔が使用さ
れ、ニッケル合金層５は厚さ１０μｍの金属箔が使用さ
れている。
れ、ニッケル合金層５は厚さ１０μｍの金属箔が使用さ
れている。
【００４８】図２（ａ）に示すよに、上述のようにして
積層一体化して形成された多層板Ａは、上側の銅層４お
よびニッケル合金層５と下側の銅層１３およびニッケル
合金層１２との間に開口部２０が設けられている。
積層一体化して形成された多層板Ａは、上側の銅層４お
よびニッケル合金層５と下側の銅層１３およびニッケル
合金層１２との間に開口部２０が設けられている。
【００４９】次に、図２（ｂ）に示すように、多層板Ａ
を、ドリルでスルーホール孔３０をあけ、この孔３０の
内壁および表面に無電解銅めっき３１を施し、その後、
外層導体回路を形成するためにエッチングレジスト３２
を塗布する。ただし、このエッチングレジスト３２は、
開口部２０を形成する部分には塗布されない。
を、ドリルでスルーホール孔３０をあけ、この孔３０の
内壁および表面に無電解銅めっき３１を施し、その後、
外層導体回路を形成するためにエッチングレジスト３２
を塗布する。ただし、このエッチングレジスト３２は、
開口部２０を形成する部分には塗布されない。
【００５０】続いて、図２（ｃ）に示すように、銅層４
をメルテックス社製Ａプロセス液によりエッチング処理
して外層導体回路を形成するとともに、銅層４の開口部
２０に対応する箇所を除去し、その後、ニッケル合金層
５を奥野製薬製トップリップＡＺによりエッチング処理
してキャビティ２１を形成する。
をメルテックス社製Ａプロセス液によりエッチング処理
して外層導体回路を形成するとともに、銅層４の開口部
２０に対応する箇所を除去し、その後、ニッケル合金層
５を奥野製薬製トップリップＡＺによりエッチング処理
してキャビティ２１を形成する。
【００５１】その後、キャビティ２１を形成されたもの
からエッチングレジスト３２を除去した後、両外側面で
金めっきが施される箇所を除き、エポキシ系ソルダーレ
ジストＣＣＲ−２２００（アサヒ化学研究所製、商品
名）を印刷し、１３０℃で２０分加熱硬化する。その
後、ワイヤボンディング部、ランド部及びスルーホール
内の銅皮膜表面に、ニッケルめっきを施して後、さらに
金めっきを施し、スルーホール３０に複数のピンを固定
して、キャビティを有するピングリッドアレイを作成す
る。
からエッチングレジスト３２を除去した後、両外側面で
金めっきが施される箇所を除き、エポキシ系ソルダーレ
ジストＣＣＲ−２２００（アサヒ化学研究所製、商品
名）を印刷し、１３０℃で２０分加熱硬化する。その
後、ワイヤボンディング部、ランド部及びスルーホール
内の銅皮膜表面に、ニッケルめっきを施して後、さらに
金めっきを施し、スルーホール３０に複数のピンを固定
して、キャビティを有するピングリッドアレイを作成す
る。
【００５２】＜実施例２＞実施例２では、上述した実施
例１と同様にしてキャビティを有するピングリッドアレ
イを製造する例であるが、次のよなもので構成されてい
る。
例１と同様にしてキャビティを有するピングリッドアレ
イを製造する例であるが、次のよなもので構成されてい
る。
【００５３】第１の基板７は、半導体チップ搭載用の第
１の開口部１９ａを有し、かつ、半導体チップとボンデ
ィングワイヤで結線するため端子部の有しない、厚さ
０．４mmのエポキシ系銅張り積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７
（日立化成工業株式会社製、商品名）が使用されてい
る。
１の開口部１９ａを有し、かつ、半導体チップとボンデ
ィングワイヤで結線するため端子部の有しない、厚さ
０．４mmのエポキシ系銅張り積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７
（日立化成工業株式会社製、商品名）が使用されてい
る。
【００５４】接着フィルム６，８は、第１の基板７と同
径の半導体チップ搭載用の開口部を有し、ガラス転移点
が１２０℃、厚さが０．０５mmのエポキシ接着フィルム
ＡＳ−３０００（日立化成工業株式会社製、商品名）が
使用されている。
径の半導体チップ搭載用の開口部を有し、ガラス転移点
が１２０℃、厚さが０．０５mmのエポキシ接着フィルム
ＡＳ−３０００（日立化成工業株式会社製、商品名）が
使用されている。
【００５５】第２の基板１０は、第１の基板７より小さ
い半導体チップ搭載用の第２の開口部１９ｂを有し、か
つ、半導体チップとボンディングワイヤで接続するため
の端子部９を上部片面に有し、厚さ０．４mmのエポキシ
系銅張り積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会
社製、商品名）が使用されている。
い半導体チップ搭載用の第２の開口部１９ｂを有し、か
つ、半導体チップとボンディングワイヤで接続するため
の端子部９を上部片面に有し、厚さ０．４mmのエポキシ
系銅張り積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会
社製、商品名）が使用されている。
【００５６】接着フィルム１１は、端子部９が有する第
２の基板１０の面の反対面に対向して配置され、この基
板１０と同径の半導体チップ搭載用の開口部を有し、厚
さが０．０５mmのエポキシ接着フィルムＡＳ−３０００
（日立化成工業株式会社製、商品名）が使用されてい
る。
２の基板１０の面の反対面に対向して配置され、この基
板１０と同径の半導体チップ搭載用の開口部を有し、厚
さが０．０５mmのエポキシ接着フィルムＡＳ−３０００
（日立化成工業株式会社製、商品名）が使用されてい
る。
【００５７】銅層４は厚さ１８μｍの金属箔が使用さ
れ、ニッケル合金層５は厚さ５μｍの金属箔が使用され
ている。
れ、ニッケル合金層５は厚さ５μｍの金属箔が使用され
ている。
【００５８】ただし、積層条件は、４０kgf/cm2 、１７
５℃で９０分間である。
５℃で９０分間である。
【００５９】このように、実施例１および２によれば、
積層一体して成形された多層板Ａは、 その後、スルー
ホールとなる孔３０があけられ、孔３０内壁が金属化さ
れ、次に、金属箔層４，５のうち第１の開口部１９ａに
対応する箇所がエッチング処理されてキャビティ２１が
形成されるため、めっき工程やエッチング工程に用いら
れる処理液の侵入を防ぐことができる。従って、ボンデ
ィングワイヤで半導体チップと接続する端子部９が傷つ
けられず、ボンディングワイヤの配線が制約されない。
このため、配線板の設計自由度に優れ、かつ、効率的に
半導体搭載用のキャビティを形成することができる。
積層一体して成形された多層板Ａは、 その後、スルー
ホールとなる孔３０があけられ、孔３０内壁が金属化さ
れ、次に、金属箔層４，５のうち第１の開口部１９ａに
対応する箇所がエッチング処理されてキャビティ２１が
形成されるため、めっき工程やエッチング工程に用いら
れる処理液の侵入を防ぐことができる。従って、ボンデ
ィングワイヤで半導体チップと接続する端子部９が傷つ
けられず、ボンディングワイヤの配線が制約されない。
このため、配線板の設計自由度に優れ、かつ、効率的に
半導体搭載用のキャビティを形成することができる。
【００６０】続いて、上述の実施例１，２と比較するた
め、次のような比較例を作成した。
め、次のような比較例を作成した。
【００６１】この比較例は、ガラス転移点が１００〜１
１５℃のエポキシソルダーレジストＣＣＲ−５０６（ア
サヒ化学研究所製、商品名）を第２の基板１０のワイヤ
ボンディング部側に印刷した以外は実施例１と同様にし
て作成したものである。
１５℃のエポキシソルダーレジストＣＣＲ−５０６（ア
サヒ化学研究所製、商品名）を第２の基板１０のワイヤ
ボンディング部側に印刷した以外は実施例１と同様にし
て作成したものである。
【００６２】このようにして作成した実施例１，２およ
び比較例のものは、初期の状態では、剥離、ポイドとも
になく、接着剤のしみだし量も、０．１５mm以下であっ
たが、２６０℃、３０秒間はんだフロート試験を行う
と、本実施例１，２のものでは剥離、ポイドとも発生し
なかったが、比較例のものでは、多数の剥離あるいはポ
イドが発生した。
び比較例のものは、初期の状態では、剥離、ポイドとも
になく、接着剤のしみだし量も、０．１５mm以下であっ
たが、２６０℃、３０秒間はんだフロート試験を行う
と、本実施例１，２のものでは剥離、ポイドとも発生し
なかったが、比較例のものでは、多数の剥離あるいはポ
イドが発生した。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、絶縁
層，導体回路が形成された基板および銅層等の金属箔層
により、内部に開口部が設けた状態でこれらが積層一体
化され、その後、スルーホール孔があけられ、孔内壁が
金属化され、次に、金属箔のうち開口に対応する箇所が
エッチング処理されてキャビティが形成されるため、め
っき工程やエッチング工程に用いられる処理液の侵入を
防ぐことができる。従って、ボンディングワイヤで半導
体チップと接続する導体回路が傷つけられず、ボンディ
ングワイヤの配線が制約されない。このため、配線板の
設計自由度に優れ、かつ、効率的に半導体搭載用のキャ
ビティを形成することができる。
層，導体回路が形成された基板および銅層等の金属箔層
により、内部に開口部が設けた状態でこれらが積層一体
化され、その後、スルーホール孔があけられ、孔内壁が
金属化され、次に、金属箔のうち開口に対応する箇所が
エッチング処理されてキャビティが形成されるため、め
っき工程やエッチング工程に用いられる処理液の侵入を
防ぐことができる。従って、ボンディングワイヤで半導
体チップと接続する導体回路が傷つけられず、ボンディ
ングワイヤの配線が制約されない。このため、配線板の
設計自由度に優れ、かつ、効率的に半導体搭載用のキャ
ビティを形成することができる。
【００６４】また、熱履歴に対する剥離やボイドの発生
を防止して絶縁性に対する信頼性を高めるとともに、ス
ルーホールと導体回路との接続の信頼性を増すことがで
きる。
を防止して絶縁性に対する信頼性を高めるとともに、ス
ルーホールと導体回路との接続の信頼性を増すことがで
きる。
【図１】配線板等を積層一体化するときの積層編成を示
す図。
す図。
【図２】ピングリッドアレイを製造する工程を示す図。
１，１５ プレス鏡板 ２ 成型品 ３ クッション材 ４，１３ 銅層 ５，１２ ニッケル合金層 ６，８，１１ 接着フィルム ７ 第１の基板 ９ 端子部 １０ 第２の基板 １４ 保護フィルム １９ａ 第１の開口部 １９ｂ 第２の開口部 ２０ 開口部 ２１ キャビティ ３０ スルーホール ３１ 無電解銅めっき ３２ エッチングレジスト
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｓ 6921−4Ｅ (72)発明者 小宮 良祐 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内 (72)発明者 杉山 孝 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内 (72)発明者 宮下 伸二郎 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内
Claims (9)
- 【請求項１】 複数の絶縁層と導体回路が形成された複
数の基板を積層することによって多層配線板を得る多層
配線板の製造方法において、 キャビティに対応する第１の開口部を有する少なくとも
一つの絶縁層と、上記ャビティに対応する第２の開口部
および導体回路が形成された少なくとも一つの基板と、
上記第１、第２の開口部を覆うとともに、少なくとも一
方の最外側に、銅層／ニッケルあるいはニッケル合金層
の２層からなる金属箔層とを備え、これら絶縁層，基板
および金属箔層を積層し、加熱硬化して積層一体化する
一体化工程と、 上記絶縁層，基板および金属箔層を貫通するとともに、
少なくとも孔内壁を金属化してスルーホールを形成する
スルーホール形成工程と、 外層導体回路のエッチングレジストを形成するととも
に、上記金属箔層の銅層およびニッケルあるいはニッケ
ル合金層をエッチング処理し、上記第１、第２の開口部
に対応する箇所にキャビティを形成するキャビティ形成
工程とを含むことを特徴とする半導体搭載用多層配線板
の製造方法。 - 【請求項２】 複数の絶縁層と導体回路が形成された複
数の基板を積層することによって多層配線板を得る多層
配線板の製造方法において、 キャビティに対応する第１の開口部を有する絶縁層と、
上記ャビティに対応する第２の開口部および導体回路が
形成された基板と、上記第１、第２の開口部を覆うとと
もに少なくとも一方の最外側に、銅層／ニッケルあるい
はニッケル合金層の２層からなる金属箔層とを備え、こ
れら絶縁層，基板および金属箔層を積層し、加熱硬化し
て積層一体化する一体化工程と、 上記絶縁層，基板および金属箔層を貫通するとともに、
少なくとも孔内壁を金属化してスルーホールを形成する
スルーホール形成工程と、 外層導体回路のエッチングレジストを形成するととも
に、ヒートシンクとする箇所を除き、上記金属箔層の銅
層およびニッケルあるいはニッケル合金層をエッチング
処理し、上記第１、第２の開口部に対応する箇所にキャ
ビティを形成するキャビティ形成工程とを含むことを特
徴とする半導体搭載用多層配線板の製造方法。 - 【請求項３】 複数の絶縁層あるいは複数の絶縁層のう
ち少なくとも回路に接する１層が、ガラス織布あるいは
不織布等の強化材を含まないことを特徴とする請求項１
または２記載の半導体搭載用多層配線板の製造方法。 - 【請求項４】 金属箔の回路となる銅層側で、ヒートシ
ンクを形成する箇所に、金属性の突出部を形成したこと
を特徴とする請求項２記載の半導体搭載用多層配線板の
製造方法。 - 【請求項５】 複数の絶縁層あるいは複数の絶縁層のう
ち少なくとも回路に接する１層が、ガラス織布あるいは
不織布等の強化材を含まず、そのＢステージでの樹脂フ
ローが１％未満であり、その粘弾性が３０℃において２
０００〜５０００ＭＰａの範囲であり、かつ、成形温度
において１０ＭＰａの範囲にあることを特徴とする請求
項１乃至４のうちいずれか１つに記載の半導体搭載用多
層配線板の製造方法。 - 【請求項６】 積層成形時の温度が、１６５〜２００℃
の範囲であることを特徴とする請求項１乃至５のうちい
ずれか１つに記載の半導体搭載用多層配線板の製造方
法。 - 【請求項７】 複数の絶縁層あるいは複数の絶縁層のう
ち少なくとも回路に接する１層が、化学式１乃至３に示
される構成を含むポリイミドを４０〜７０重量％、ビス
マレイミドとジアミンとの反応物を１５〜４５重量％、
エポキシ樹脂を１５〜４５％含む熱硬化性樹脂であるこ
とを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１つに記
載の半導体搭載用多層配線板の製造方法。 【化１】 （ただし、化学式１中のＡｒは、以下の化学式２または
３に示す基であり、化学式２で示す基が１０〜９８モル
％、化学式３で示す基が９０〜５モル％含まれるものと
する。） 【化２】 （ただし、化学式２の乙は、−Ｃ（＝Ｏ）＝，−ＳＯ2
−，−Ｏ−，−Ｓ−，−（ＣＨ2 ）m −，−ＮＨ−Ｃ
（＝Ｏ）−，−Ｃ（ＣＨ3 ）2 −，−Ｃ（ＣＦ3）
2 −，−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−を示し、ｎ及びｍは１以上の
整数を示し、複数の乙は、それぞれ同一であっても、ま
た異なるものでもよく、各ベンゼン環の水素は置換基で
適宜置換されていてもよいものとする。） 【化３】 （ただし、化学式３中でＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 及びＲ4 は、
それぞれ独立に水素または炭素数１〜４のアルキル基、
もしくはアルコキシ基を示し、これらのう少なくとも２
個以上がアルキル基、もしくはアルコキシ基であり、Ｘ
は、−ＣＨ2 −，−ＣＣ（ＣＨ3 ）2 −，−Ｏ−，−Ｓ
Ｏ2 −，−Ｃ（＝Ｏ）−，−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−を示す
ものとする。） - 【請求項８】 上記積層一体化工程は、積層一体化され
るものの一方の外側に、クッション材を、このクッショ
ン材の外側にキャビティの部分に対応する位置に穴を設
けた成形品を、この成形品の外側にプレス鏡板を配置
し、また、上記積層一体化されるものの他方の外側に製
品の表面を保護するフィルム状物を、このフィルム状物
の外側にプレス鏡板を配置してプレス加工すること特徴
とする請求項１乃至７のうちいずれか１つに記載の半導
体搭載用多層配線板の製造方法。 - 【請求項９】隣接しあう絶縁層にガラス転移点の差が６
０℃以内の材料を用いることを特徴とする請求項１乃至
８のうちいずれか１つに記載の半導体搭載用多層配線板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6286838A JPH08148602A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 半導体搭載用多層配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6286838A JPH08148602A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 半導体搭載用多層配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148602A true JPH08148602A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17709695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6286838A Withdrawn JPH08148602A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 半導体搭載用多層配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08148602A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6320739B1 (en) | 1998-04-18 | 2001-11-20 | Tdk Corporation | Electronic part and manufacturing method therefor |
| WO2011080965A1 (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | 株式会社アイン | 配線板および配線板の製造法 |
| WO2015189903A1 (ja) * | 2014-06-09 | 2015-12-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ |
-
1994
- 1994-11-21 JP JP6286838A patent/JPH08148602A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6320739B1 (en) | 1998-04-18 | 2001-11-20 | Tdk Corporation | Electronic part and manufacturing method therefor |
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| WO2015189903A1 (ja) * | 2014-06-09 | 2015-12-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ |
| JP6005280B2 (ja) * | 2014-06-09 | 2016-10-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体パッケージの製造方法 |
| US9953844B2 (en) | 2014-06-09 | 2018-04-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Manufacturing method of semiconductor package |
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