JPH08148450A - 半導体ウエハのシリコンスラッジ洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハのシリコンスラッジ洗浄方法Info
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- JPH08148450A JPH08148450A JP6309491A JP30949194A JPH08148450A JP H08148450 A JPH08148450 A JP H08148450A JP 6309491 A JP6309491 A JP 6309491A JP 30949194 A JP30949194 A JP 30949194A JP H08148450 A JPH08148450 A JP H08148450A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、少なくとも第一次乾燥工程の
直後に半導体ウエハ回転工程と第二次乾燥工程とブラシ
洗浄工程とを同時に併用する併用工程を経ること課題を
解決し、従って、研削加工後の半導体ウエハにシリコン
スラッジの再付着を防止し、更に、液体の染み、跡、く
もり等の乾燥痕を残さない洗浄方法を提供することを目
的とするものである。 【構成】本発明の構成は、洗浄ケーシングと、半導体ウ
エハの吸着部を備えた回転軸と、回転軸と接続させた回
転手段と、吸着部と連通させたバキューム手段と、吸着
部の水平方向に配設した上下一対の回転ブラシと、夫々
の回転ブラシと接続させたブラシ回転手段と、ブラシ回
転手段と共に回転ブラシと連通させたブラシ進退手段
と、洗浄液又は純水を吐出させる液体吐出手段と、低圧
ドライエア及び高圧ドライエアを吐出させるドライエア
吐出手段とから成る構成である。
直後に半導体ウエハ回転工程と第二次乾燥工程とブラシ
洗浄工程とを同時に併用する併用工程を経ること課題を
解決し、従って、研削加工後の半導体ウエハにシリコン
スラッジの再付着を防止し、更に、液体の染み、跡、く
もり等の乾燥痕を残さない洗浄方法を提供することを目
的とするものである。 【構成】本発明の構成は、洗浄ケーシングと、半導体ウ
エハの吸着部を備えた回転軸と、回転軸と接続させた回
転手段と、吸着部と連通させたバキューム手段と、吸着
部の水平方向に配設した上下一対の回転ブラシと、夫々
の回転ブラシと接続させたブラシ回転手段と、ブラシ回
転手段と共に回転ブラシと連通させたブラシ進退手段
と、洗浄液又は純水を吐出させる液体吐出手段と、低圧
ドライエア及び高圧ドライエアを吐出させるドライエア
吐出手段とから成る構成である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、平面自動研削盤等の研
削加工を施した後に半導体ウエハに残留付着する微細な
シリコンスラッジの洗浄、及び、液体の乾燥痕を残さな
い洗浄方法に関するものである。
削加工を施した後に半導体ウエハに残留付着する微細な
シリコンスラッジの洗浄、及び、液体の乾燥痕を残さな
い洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、この種の半導体ウエハの研削加工後
の洗浄はバキューム手段によって回転軸の上端に吸着
し、回転軸と共に半導体ウエハを回転させ、その上方か
ら純水或いは洗浄液を吐出させながら、半導体ウエハの
加工面を回転軸に放射状に設けた数本の刷子で拭き払う
ように洗浄しており、その後、回転による遠心力及びド
ライエアで乾燥させる方法で行なっていた。
の洗浄はバキューム手段によって回転軸の上端に吸着
し、回転軸と共に半導体ウエハを回転させ、その上方か
ら純水或いは洗浄液を吐出させながら、半導体ウエハの
加工面を回転軸に放射状に設けた数本の刷子で拭き払う
ように洗浄しており、その後、回転による遠心力及びド
ライエアで乾燥させる方法で行なっていた。
【０００３】
【解決しようとする課題】然し乍、現今の技術革新は目
覚ましいものがあり、其の先端技術による開発によっ
て、優れた様々な商品群が多数送出されており、特に、
この種のコンピュータ、マイコン等を搭載した電子関連
機器の開発は、実に日進月歩の感があり、更により高度
な応用技術の開発に鎬を削っている現状にあり、この
為、半導体ウエハはより超高精度の平坦精度及び鏡面精
度とが最も重要と成っており、又、小型化に繋がる或は
大量集積回路化の図れるような極薄化と、生産性の観点
からの拡径化された半導体ウエハが要求されてきてい
る。
覚ましいものがあり、其の先端技術による開発によっ
て、優れた様々な商品群が多数送出されており、特に、
この種のコンピュータ、マイコン等を搭載した電子関連
機器の開発は、実に日進月歩の感があり、更により高度
な応用技術の開発に鎬を削っている現状にあり、この
為、半導体ウエハはより超高精度の平坦精度及び鏡面精
度とが最も重要と成っており、又、小型化に繋がる或は
大量集積回路化の図れるような極薄化と、生産性の観点
からの拡径化された半導体ウエハが要求されてきてい
る。
【０００４】つまり、前述の従来の方法では従来レベル
の品質の半導体ウエハであれば問題は無かったものの、
昨今要求されるような超高精度の平坦精度及び鏡面精
度、極薄化、拡径化された超高品質の半導体ウエハで対
処できなく成っている実情にある。
の品質の半導体ウエハであれば問題は無かったものの、
昨今要求されるような超高精度の平坦精度及び鏡面精
度、極薄化、拡径化された超高品質の半導体ウエハで対
処できなく成っている実情にある。
【０００５】前述の従来の洗浄方法では半導体ウエハに
残留する微細なシリコンスラッジは純水或いは洗浄液等
の液体を吐出させて刷子で拭き払うように洗浄していた
が、この方法では、シリコンスラッジは一旦浮遊はする
ものの、半導体ウエハを乾燥させる段階で再付着するこ
とが判明し、更に、純水或いは洗浄液等の液体が乾燥に
よって染み、跡、くもりとして乾燥痕が残留しており、
超高精度の鏡面加工、平坦加工ができない課題が発生し
ている。
残留する微細なシリコンスラッジは純水或いは洗浄液等
の液体を吐出させて刷子で拭き払うように洗浄していた
が、この方法では、シリコンスラッジは一旦浮遊はする
ものの、半導体ウエハを乾燥させる段階で再付着するこ
とが判明し、更に、純水或いは洗浄液等の液体が乾燥に
よって染み、跡、くもりとして乾燥痕が残留しており、
超高精度の鏡面加工、平坦加工ができない課題が発生し
ている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みて、鋭意研鑽の結果、前述の課題の解決を図ること
を目的とするものであって、少なくとも第一次乾燥工程
の直後に半導体ウエハ回転工程と第二次乾燥工程とブラ
シ洗浄工程とを同時に併用する併用工程を経ること課題
を解決し、従って、研削加工後の半導体ウエハにシリコ
ンスラッジの再付着を防止し、更に、液体の染み、跡、
くもり等の乾燥痕を残さない洗浄方法を提供することを
目的とするものである。
鑑みて、鋭意研鑽の結果、前述の課題の解決を図ること
を目的とするものであって、少なくとも第一次乾燥工程
の直後に半導体ウエハ回転工程と第二次乾燥工程とブラ
シ洗浄工程とを同時に併用する併用工程を経ること課題
を解決し、従って、研削加工後の半導体ウエハにシリコ
ンスラッジの再付着を防止し、更に、液体の染み、跡、
くもり等の乾燥痕を残さない洗浄方法を提供することを
目的とするものである。
【０００７】
【発明の構成】本発明の半導体ウエハのシリコンスラッ
ジ洗浄方法に用いる洗浄装置の構成は、有底円筒状の洗
浄ケーシングと、洗浄ケーシングへ立設させ半導体ウエ
ハの吸着部を備えた回転軸と、回転軸と接続させた回転
手段と、吸着部と連通させたバキューム手段と、吸着部
の水平方向に配設した上下一対の回転ブラシと、夫々の
回転ブラシと接続させたブラシ回転手段と、ブラシ回転
手段と共に回転ブラシと連通させたブラシ進退手段と、
洗浄液又は純水を吐出させる液体吐出手段と、低圧ドラ
イエア及び高圧ドライエアを吐出させるドライエア吐出
手段とから成る構成である。
ジ洗浄方法に用いる洗浄装置の構成は、有底円筒状の洗
浄ケーシングと、洗浄ケーシングへ立設させ半導体ウエ
ハの吸着部を備えた回転軸と、回転軸と接続させた回転
手段と、吸着部と連通させたバキューム手段と、吸着部
の水平方向に配設した上下一対の回転ブラシと、夫々の
回転ブラシと接続させたブラシ回転手段と、ブラシ回転
手段と共に回転ブラシと連通させたブラシ進退手段と、
洗浄液又は純水を吐出させる液体吐出手段と、低圧ドラ
イエア及び高圧ドライエアを吐出させるドライエア吐出
手段とから成る構成である。
【０００８】
【発明の作用】本発明は少なくとも第一次乾燥工程の直
後に半導体ウエハ回転工程と第二次乾燥工程とブラシ洗
浄工程とを同時に併用する併用工程を経ることによっ
て、シリコンスラッジの再付着を防止し、更に、液体の
乾燥による染み、跡、くもり等の乾燥痕の残留を防止す
るために、半導体ウエハの超高精度の平坦精度、鏡面精
度を維持するものである。
後に半導体ウエハ回転工程と第二次乾燥工程とブラシ洗
浄工程とを同時に併用する併用工程を経ることによっ
て、シリコンスラッジの再付着を防止し、更に、液体の
乾燥による染み、跡、くもり等の乾燥痕の残留を防止す
るために、半導体ウエハの超高精度の平坦精度、鏡面精
度を維持するものである。
【０００９】
【発明の実施例】以下、実施例の図面によって、本発明
の半導体ウエハのシリコンスラッジ洗浄方法を具体的に
説明する。
の半導体ウエハのシリコンスラッジ洗浄方法を具体的に
説明する。
【００１０】図１は本発明の半導体ウエハのシリコンス
ラッジ洗浄方法の実施例を説明するため洗浄装置の概要
斜視図であり、図２は本発明の半導体ウエハのシリコン
スラッジ洗浄方法の実施例を説明するため洗浄装置の概
要断面図である。
ラッジ洗浄方法の実施例を説明するため洗浄装置の概要
斜視図であり、図２は本発明の半導体ウエハのシリコン
スラッジ洗浄方法の実施例を説明するため洗浄装置の概
要断面図である。
【００１１】本発明は、平面自動研削盤等の研削加工を
施した後に半導体ウエハＷに残留付着する微細なシリコ
ンスラッジの洗浄、及び、液体の乾燥痕を残さない洗浄
方法に関するものであり、有底円筒状の洗浄ケーシング
１と、該洗浄ケーシング１の底面１ａの中心辺へ立設さ
せ上端へ半導体ウエハＷの吸着部２ａを備えた回転軸２
と、該回転軸２と接続させた回転手段３と、前記吸着部
２ａと回転軸２を介して連通させたバキューム手段４
と、前記吸着部２ａの水平方向に配設した上下一対の回
転ブラシ５と、該夫々の回転ブラシ５と接続させた夫々
のブラシ回転手段６と、該ブラシ回転手段６と共に夫々
の回転ブラシ５と連通させた夫々のブラシ進退手段７
と、洗浄液又は純水を吐出させる液体吐出手段８と、低
圧ドライエア及び高圧ドライエアを吐出させるドライエ
ア吐出手段９とから成る洗浄装置を用いて、研削加工後
の半導体ウエハＷを回転軸２の上端の吸着部２ａへバキ
ューム手段４を作動させてバキューム吸着させるバキュ
ーム吸着工程と、半導体ウエハＷを回転軸２と共に回転
手段３を作動させて回転させる半導体ウエハ回転工程
と、液体吐出手段８を作動させて半導体ウエハＷに洗浄
液又は純水を吐出させる液体吐出工程と、ドライエア吐
出手段９を作動させて半導体ウエハＷに低圧ドライエア
を吐出させて乾燥させる第一次乾燥工程と、ドライエア
吐出手段９を作動させて半導体ウエハＷに高圧ドライエ
アを吐出させて乾燥させる第二次乾燥工程と、上下一対
の回転ブラシ５を夫々のブラシ回転手段６を作動させて
回転させると共に夫々のブラシ進退手段７を作動させて
夫々の回転ブラシ５を進退させるブラシ洗浄工程とを夫
々含み、少なくとも前記第一次乾燥工程の直後に半導体
ウエハ回転工程と第二次乾燥工程とブラシ洗浄工程とを
同時に併用する併用工程を経るものである。
施した後に半導体ウエハＷに残留付着する微細なシリコ
ンスラッジの洗浄、及び、液体の乾燥痕を残さない洗浄
方法に関するものであり、有底円筒状の洗浄ケーシング
１と、該洗浄ケーシング１の底面１ａの中心辺へ立設さ
せ上端へ半導体ウエハＷの吸着部２ａを備えた回転軸２
と、該回転軸２と接続させた回転手段３と、前記吸着部
２ａと回転軸２を介して連通させたバキューム手段４
と、前記吸着部２ａの水平方向に配設した上下一対の回
転ブラシ５と、該夫々の回転ブラシ５と接続させた夫々
のブラシ回転手段６と、該ブラシ回転手段６と共に夫々
の回転ブラシ５と連通させた夫々のブラシ進退手段７
と、洗浄液又は純水を吐出させる液体吐出手段８と、低
圧ドライエア及び高圧ドライエアを吐出させるドライエ
ア吐出手段９とから成る洗浄装置を用いて、研削加工後
の半導体ウエハＷを回転軸２の上端の吸着部２ａへバキ
ューム手段４を作動させてバキューム吸着させるバキュ
ーム吸着工程と、半導体ウエハＷを回転軸２と共に回転
手段３を作動させて回転させる半導体ウエハ回転工程
と、液体吐出手段８を作動させて半導体ウエハＷに洗浄
液又は純水を吐出させる液体吐出工程と、ドライエア吐
出手段９を作動させて半導体ウエハＷに低圧ドライエア
を吐出させて乾燥させる第一次乾燥工程と、ドライエア
吐出手段９を作動させて半導体ウエハＷに高圧ドライエ
アを吐出させて乾燥させる第二次乾燥工程と、上下一対
の回転ブラシ５を夫々のブラシ回転手段６を作動させて
回転させると共に夫々のブラシ進退手段７を作動させて
夫々の回転ブラシ５を進退させるブラシ洗浄工程とを夫
々含み、少なくとも前記第一次乾燥工程の直後に半導体
ウエハ回転工程と第二次乾燥工程とブラシ洗浄工程とを
同時に併用する併用工程を経るものである。
【００１２】通常、この種の洗浄装置を用いる平面自動
研削盤は所定の加工を施すダイアモンドカップホイール
等の加工具を下端に取着した数本のスピンドル軸を上方
から垂下させ、該スピンドル軸の下方には間欠的に自転
停止を繰り返すロータリーテーブルの面上へ複数の自転
する円盤状のバキュームチャックが配設され、該バキュ
ームチャックへは半導体ウエハＷが吸着され、該半導体
ウエハＷと共にバキュームチャックが回転を始めると同
時に上方から加工具を設けたスピンドル軸が降下し、求
められる厚さに研削加工されるものである。
研削盤は所定の加工を施すダイアモンドカップホイール
等の加工具を下端に取着した数本のスピンドル軸を上方
から垂下させ、該スピンドル軸の下方には間欠的に自転
停止を繰り返すロータリーテーブルの面上へ複数の自転
する円盤状のバキュームチャックが配設され、該バキュ
ームチャックへは半導体ウエハＷが吸着され、該半導体
ウエハＷと共にバキュームチャックが回転を始めると同
時に上方から加工具を設けたスピンドル軸が降下し、求
められる厚さに研削加工されるものである。
【００１３】そして、次の停止位置へ進行し順次各スピ
ンドル軸の下方で研削加工等を施され諸加工が完了し、
次いで、半導体ウエハＷはバキュームチャックより吸着
を開放され取り外され、半導体ウエハＷは所定の位置に
配設された洗浄装置に搬送され洗浄され、そして、格納
カセットに搬送され格納されるものである。
ンドル軸の下方で研削加工等を施され諸加工が完了し、
次いで、半導体ウエハＷはバキュームチャックより吸着
を開放され取り外され、半導体ウエハＷは所定の位置に
配設された洗浄装置に搬送され洗浄され、そして、格納
カセットに搬送され格納されるものである。
【００１４】即ち、本発明の半導体ウエハＷのシリコン
スラッジ洗浄方法に用いる洗浄装置は、有底円筒状の洗
浄ケーシング１の底面１ａの中心辺へ上端に膨出させた
パット状の半導体ウエハＷの吸着部２ａを備えた回転軸
２を立設させたものであり、該回転軸２は洗浄ケーシン
グ１の底面１ａの中心辺を貫通させて下方に組設したモ
ーター及びギア等の回転手段３と接続させると共に、前
記回転軸２は中空筒状として真空ポンプ等のバキューム
手段４と連通させているものである。
スラッジ洗浄方法に用いる洗浄装置は、有底円筒状の洗
浄ケーシング１の底面１ａの中心辺へ上端に膨出させた
パット状の半導体ウエハＷの吸着部２ａを備えた回転軸
２を立設させたものであり、該回転軸２は洗浄ケーシン
グ１の底面１ａの中心辺を貫通させて下方に組設したモ
ーター及びギア等の回転手段３と接続させると共に、前
記回転軸２は中空筒状として真空ポンプ等のバキューム
手段４と連通させているものである。
【００１５】そして、前記回転軸２の吸着部２ａの水平
方向に洗浄ケーシング１の側壁から上下一対の回転ブラ
シ５を突設させたものであり、夫々の回転ブラシ５は洗
浄ケーシング１の外側にモーター及びギア、ベルト等の
ブラシ回転手段６を組設したものであり、加えて、夫々
の回転ブラシ５を水平方向に進退して半導体ウエハＷの
両面と接触して自在に摺動するエア、オイル等のピスト
ン、シリンダによるブラシ進退手段７と連通させたもの
である。
方向に洗浄ケーシング１の側壁から上下一対の回転ブラ
シ５を突設させたものであり、夫々の回転ブラシ５は洗
浄ケーシング１の外側にモーター及びギア、ベルト等の
ブラシ回転手段６を組設したものであり、加えて、夫々
の回転ブラシ５を水平方向に進退して半導体ウエハＷの
両面と接触して自在に摺動するエア、オイル等のピスト
ン、シリンダによるブラシ進退手段７と連通させたもの
である。
【００１６】更に、前記液体吐出手段８は液体ポンプ
（図示しない）、液体吐出管等によって洗浄液又は純水
等の液体を半導体ウエハＷに向けて吐出させるものであ
り、ドライエア吐出手段９はエアポンプ（図示しな
い）、エア吐出管等によって低圧ドライエア及び高圧ド
ライエアを吐出させるものであるが、低圧ドライエア及
び高圧ドライエアの切り換えはバルブを切り換えること
によって行っても、二組のドライエア吐出手段９を設け
ても構わないものである。
（図示しない）、液体吐出管等によって洗浄液又は純水
等の液体を半導体ウエハＷに向けて吐出させるものであ
り、ドライエア吐出手段９はエアポンプ（図示しな
い）、エア吐出管等によって低圧ドライエア及び高圧ド
ライエアを吐出させるものであるが、低圧ドライエア及
び高圧ドライエアの切り換えはバルブを切り換えること
によって行っても、二組のドライエア吐出手段９を設け
ても構わないものである。
【００１７】本発明の半導体ウエハＷのシリコンスラッ
ジ洗浄方法は前述の構成の洗浄装置を用いて実施するも
のであり、先ず、平面自動研削盤等のロータリーテーブ
ルに配設された複数のチャック上で最終工程の加工を施
された半導体ウエハＷは吸着パットを先端に設けた移送
アームによって洗浄ケーシング１の中心辺へ立設させた
回転軸２の上端の吸着部２ａへ移送されるものである。
ジ洗浄方法は前述の構成の洗浄装置を用いて実施するも
のであり、先ず、平面自動研削盤等のロータリーテーブ
ルに配設された複数のチャック上で最終工程の加工を施
された半導体ウエハＷは吸着パットを先端に設けた移送
アームによって洗浄ケーシング１の中心辺へ立設させた
回転軸２の上端の吸着部２ａへ移送されるものである。
【００１８】そして、バキューム吸着工程は移送された
研削加工後の半導体ウエハＷを回転軸２の上端の吸着部
２ａへバキューム手段４を作動させてバキューム吸着さ
せるものであり、半導体ウエハ回転工程は回転軸２の上
端の吸着部２ａへバキューム吸着させた状態で半導体ウ
エハＷを回転軸２と共に回転手段３を作動させて回転さ
せるものである。
研削加工後の半導体ウエハＷを回転軸２の上端の吸着部
２ａへバキューム手段４を作動させてバキューム吸着さ
せるものであり、半導体ウエハ回転工程は回転軸２の上
端の吸着部２ａへバキューム吸着させた状態で半導体ウ
エハＷを回転軸２と共に回転手段３を作動させて回転さ
せるものである。
【００１９】更に、液体吐出工程は半導体ウエハＷに液
体吐出手段８を作動させて洗浄液又は純水等の液体を吐
出させるものであり、第一次乾燥工程は半導体ウエハＷ
にドライエア吐出手段９を作動させて低圧ドライエアを
吐出させて完全に乾燥させない程度に乾燥させるもので
あり、第二次乾燥工程は半導体ウエハＷにドライエア吐
出手段９を作動させて高圧ドライエアを吐出させて完全
に乾燥させるものである。
体吐出手段８を作動させて洗浄液又は純水等の液体を吐
出させるものであり、第一次乾燥工程は半導体ウエハＷ
にドライエア吐出手段９を作動させて低圧ドライエアを
吐出させて完全に乾燥させない程度に乾燥させるもので
あり、第二次乾燥工程は半導体ウエハＷにドライエア吐
出手段９を作動させて高圧ドライエアを吐出させて完全
に乾燥させるものである。
【００２０】加えて、ブラシ洗浄工程は回転軸２の吸着
部２ａの水平方向に配設した上下一対の回転ブラシ５を
ブラシ回転手段６とブラシ進退手段７を作動させること
によって、夫々の回転ブラシ５を回転させると共に水平
方向に進退させるものであり、上下一対の回転ブラシ５
の間に半導体ウエハＷが位置し、半導体ウエハＷの上面
と下面とが同時に回転ブラシ５と接触するものである。
部２ａの水平方向に配設した上下一対の回転ブラシ５を
ブラシ回転手段６とブラシ進退手段７を作動させること
によって、夫々の回転ブラシ５を回転させると共に水平
方向に進退させるものであり、上下一対の回転ブラシ５
の間に半導体ウエハＷが位置し、半導体ウエハＷの上面
と下面とが同時に回転ブラシ５と接触するものである。
【００２１】本発明は前述のような各工程を含んでお
り、加えて、少なくとも半導体ウエハＷにドライエア吐
出手段９を作動させて低圧ドライエアを吐出させて乾燥
させる第一次乾燥工程を行った直後に、半導体ウエハＷ
を回転軸２と共に回転手段３を作動させて回転させる半
導体ウエハ回転工程と、高圧ドライエアを吐出させて乾
燥させる第二次乾燥工程と、ブラシ回転手段６とブラシ
進退手段７を作動させて上下一対の回転ブラシ５を回転
させると共に水平方向に進退させ、半導体ウエハＷの両
面に夫々の回転ブラシ５を接触させるブラシ洗浄工程と
を同時に併用する併用工程を経るものである。
り、加えて、少なくとも半導体ウエハＷにドライエア吐
出手段９を作動させて低圧ドライエアを吐出させて乾燥
させる第一次乾燥工程を行った直後に、半導体ウエハＷ
を回転軸２と共に回転手段３を作動させて回転させる半
導体ウエハ回転工程と、高圧ドライエアを吐出させて乾
燥させる第二次乾燥工程と、ブラシ回転手段６とブラシ
進退手段７を作動させて上下一対の回転ブラシ５を回転
させると共に水平方向に進退させ、半導体ウエハＷの両
面に夫々の回転ブラシ５を接触させるブラシ洗浄工程と
を同時に併用する併用工程を経るものである。
【００２２】前記液体吐出工程によって半導体ウエハＷ
の上面から一旦浮遊したシリコンスラッジの大半は半導
体ウエハ回転工程の遠心力によって外方にふき飛ばされ
るものであるが、一部のシリコンスラッジは第一次乾燥
工程と共に再付着し、完全に乾燥する第二次乾燥工程の
時、同時にブラシ洗浄工程とを施すことによって、半導
体ウエハＷにシリコンスラッジの再付着を防止し、更
に、液体の染み、跡、くもり等の乾燥痕を残さないもの
である。
の上面から一旦浮遊したシリコンスラッジの大半は半導
体ウエハ回転工程の遠心力によって外方にふき飛ばされ
るものであるが、一部のシリコンスラッジは第一次乾燥
工程と共に再付着し、完全に乾燥する第二次乾燥工程の
時、同時にブラシ洗浄工程とを施すことによって、半導
体ウエハＷにシリコンスラッジの再付着を防止し、更
に、液体の染み、跡、くもり等の乾燥痕を残さないもの
である。
【００２３】
【発明の効果】前述の如く本発明は、半導体ウエハを研
削加工した後に、半導体ウエハに残留するシリコンスラ
ッジを完全に除去するもので、更に、液体の染み、跡、
くもり等の乾燥痕を残さないものであり、超高精度の平
坦精度の半導体ウエハの品質が維持され、その貢献性は
有益であって、極めて有意義な効果を奏することができ
るものである。
削加工した後に、半導体ウエハに残留するシリコンスラ
ッジを完全に除去するもので、更に、液体の染み、跡、
くもり等の乾燥痕を残さないものであり、超高精度の平
坦精度の半導体ウエハの品質が維持され、その貢献性は
有益であって、極めて有意義な効果を奏することができ
るものである。
【図１】図１は本発明の半導体ウエハのシリコンスラッ
ジ洗浄方法の実施例を説明するため洗浄装置の概要斜視
図である。
ジ洗浄方法の実施例を説明するため洗浄装置の概要斜視
図である。
【図２】図２は本発明の半導体ウエハのシリコンスラッ
ジ洗浄方法の実施例を説明するため洗浄装置の概要断面
図である。
ジ洗浄方法の実施例を説明するため洗浄装置の概要断面
図である。
Ｗ 半導体ウエハ １ 洗浄ケーシング １ａ 底面 ２ 回転軸 ２ａ 吸着部 ３ 回転手段 ４ バキューム手段 ５ 回転ブラシ ６ ブラシ回転手段 ７ ブラシ進退手段 ８ 液体吐出手段 ９ ドライエア吐出手段
Claims (1)
- 【請求項１】有底円筒状の洗浄ケーシングと、該洗浄ケ
ーシングの底面の中心辺へ立設させ上端へ半導体ウエハ
の吸着部を備えた回転軸と、該回転軸と接続させた回転
手段と、前記吸着部と回転軸を介して連通させたバキュ
ーム手段と、前記吸着部の水平方向に配設した上下一対
の回転ブラシと、該夫々の回転ブラシと接続させた夫々
のブラシ回転手段と、該ブラシ回転手段と共に夫々の回
転ブラシと連通させた夫々のブラシ進退手段と、洗浄液
又は純水を吐出させる液体吐出手段と、低圧ドライエア
及び高圧ドライエアを吐出させるドライエア吐出手段と
から成る洗浄装置を用いて、研削加工後の半導体ウエハ
を回転軸の上端の吸着部へバキューム手段を作動させて
バキューム吸着させるバキューム吸着工程と、半導体ウ
エハを回転軸と共に回転手段を作動させて回転させる半
導体ウエハ回転工程と、液体吐出手段を作動させて半導
体ウエハに洗浄液又は純水を吐出させる液体吐出工程
と、ドライエア吐出手段を作動させて半導体ウエハに低
圧ドライエアを吐出させて乾燥させる第一次乾燥工程
と、ドライエア吐出手段を作動させて半導体ウエハに高
圧ドライエアを吐出させて乾燥させる第二次乾燥工程
と、上下一対の回転ブラシを夫々のブラシ回転手段を作
動させて回転させると共に夫々のブラシ進退手段を作動
させて夫々の回転ブラシを進退させるブラシ洗浄工程と
を夫々含み、少なくとも前記第一次乾燥工程の直後に半
導体ウエハ回転工程と第二次乾燥工程とブラシ洗浄工程
とを同時に併用する併用工程を経ることを特徴とする半
導体ウエハのシリコンスラッジ洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6309491A JPH08148450A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 半導体ウエハのシリコンスラッジ洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6309491A JPH08148450A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 半導体ウエハのシリコンスラッジ洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148450A true JPH08148450A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17993637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6309491A Pending JPH08148450A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 半導体ウエハのシリコンスラッジ洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08148450A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6257966B1 (en) | 1998-04-27 | 2001-07-10 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Wafer surface machining apparatus |
| US6295683B1 (en) * | 1999-12-09 | 2001-10-02 | United Microelectronics Corp. | Equipment for brushing the underside of a semiconductor wafer |
-
1994
- 1994-11-21 JP JP6309491A patent/JPH08148450A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6257966B1 (en) | 1998-04-27 | 2001-07-10 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Wafer surface machining apparatus |
| US6517420B2 (en) | 1998-04-27 | 2003-02-11 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Wafer surface machining apparatus |
| US6295683B1 (en) * | 1999-12-09 | 2001-10-02 | United Microelectronics Corp. | Equipment for brushing the underside of a semiconductor wafer |
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