JPH0814546B2 - 光学式形状検査装置 - Google Patents
光学式形状検査装置Info
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- JPH0814546B2 JPH0814546B2 JP62112051A JP11205187A JPH0814546B2 JP H0814546 B2 JPH0814546 B2 JP H0814546B2 JP 62112051 A JP62112051 A JP 62112051A JP 11205187 A JP11205187 A JP 11205187A JP H0814546 B2 JPH0814546 B2 JP H0814546B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 この発明は、部品の突出部の部品底面からの突出量を
光学的に検出するのに、突出部の画像が不鮮明であり検
出処理の遅いのに対処するために、部品と直交する方向
の光源からの光を部品面方向に変更し、突出部の背面よ
り照射してカメラに導入する光学手段と、部品面の傾き
を検出して突出量を検出する画像処理装置とを設けてあ
る。
光学的に検出するのに、突出部の画像が不鮮明であり検
出処理の遅いのに対処するために、部品と直交する方向
の光源からの光を部品面方向に変更し、突出部の背面よ
り照射してカメラに導入する光学手段と、部品面の傾き
を検出して突出量を検出する画像処理装置とを設けてあ
る。
この発明は、突出部を有する部品、特にスモール・ア
ウトライン・パッケージ（SOP）型タイプのICのリード
部分の形状を検査する光学式形状検査に関するものであ
る。
ウトライン・パッケージ（SOP）型タイプのICのリード
部分の形状を検査する光学式形状検査に関するものであ
る。
近年、情報，通信の分野で使用されるプリント板は高
密度化が促進されている。これに伴って、実装される電
子部品のリード部の高精度な成形が要求され、プリント
板への実装前のリード部の外観検査が重要な課題となっ
ている。したがって、正確なしかも迅速なリード部の形
状検査の行える光学式形状検査装置が必要とされてい
る。
密度化が促進されている。これに伴って、実装される電
子部品のリード部の高精度な成形が要求され、プリント
板への実装前のリード部の外観検査が重要な課題となっ
ている。したがって、正確なしかも迅速なリード部の形
状検査の行える光学式形状検査装置が必要とされてい
る。
従来、光源からの光をICのリードに照射し、その反射
光によって生ずる映像を画像処理装置で処理を行い、リ
ード位置を検出する装置である。
光によって生ずる映像を画像処理装置で処理を行い、リ
ード位置を検出する装置である。
従来の装置は、第９図に示すように構成されている。
即ち、第９図（ａ）のように光源20をカメラ50の方向に
設け、リード１−１〜１−ｍからの反射光を撮影レンズ
５−３を介してカメラ50で受光し、この画像データを画
像処理装置60にて処理する。この場合の画像データは、
リードのみでなく部品その他からの乱反射によるデータ
も含み、正常なリード形状の撮像が困難であるという欠
点がある。
即ち、第９図（ａ）のように光源20をカメラ50の方向に
設け、リード１−１〜１−ｍからの反射光を撮影レンズ
５−３を介してカメラ50で受光し、この画像データを画
像処理装置60にて処理する。この場合の画像データは、
リードのみでなく部品その他からの乱反射によるデータ
も含み、正常なリード形状の撮像が困難であるという欠
点がある。
又第９図（ｂ）に示すように、前記反射光のために生
ずる欠点を解決するため、光源20をリード部の背面に設
け、リードの背面から照射する方法が考えられるが、フ
ラットリード型のIC1のリードの形状を検出しようとす
ると、リードの突出部が少なく且つ光源が撮像系の光軸
上に配置することが困難である。
ずる欠点を解決するため、光源20をリード部の背面に設
け、リードの背面から照射する方法が考えられるが、フ
ラットリード型のIC1のリードの形状を検出しようとす
ると、リードの突出部が少なく且つ光源が撮像系の光軸
上に配置することが困難である。
第９図（ｃ）のように、撮影レンズ５−３と反対側に
光源20を配置すると、反対側のリード例えば１−ｍの影
を撮像し不正確となる。
光源20を配置すると、反対側のリード例えば１−ｍの影
を撮像し不正確となる。
反対側のリードの撮像を排除するため、第９図（ｄ）
のように光源20をIC1の底面に密着させる場合が考えら
れる。しかしこの場合、光源20を形成するランプの上部
にあるガラス厚のためランプ中心がリード位置からはず
れ、リード背面に十分な光量がえられず、さらにICへの
熱伝導によってICが損傷するという問題も生じる。
のように光源20をIC1の底面に密着させる場合が考えら
れる。しかしこの場合、光源20を形成するランプの上部
にあるガラス厚のためランプ中心がリード位置からはず
れ、リード背面に十分な光量がえられず、さらにICへの
熱伝導によってICが損傷するという問題も生じる。
また撮影レンズ５−３に高倍率のものを用いれば高精
度の計測が可能となるが、反面IC1の全体を同一視野に
入れることが出来ないという不都合がある。
度の計測が可能となるが、反面IC1の全体を同一視野に
入れることが出来ないという不都合がある。
したがって、倍率を高くすれば視野が狭くなり、視野
を広くすると低倍率となると云う問題がある。
を広くすると低倍率となると云う問題がある。
カメラ50で得られた画像データは、画像処理装置60に
入力される。画像処理装置60は、画像データをA/D変換
してフレームメモリに格納し、この格納値を２値化す
る。この２値化の方法は、一般に、対象物と背景の割合
から累積ヒストグラムによって「しきい値」即ちスライ
スレベルを決定するｐタイル法、対象物と背景とがヒス
トグラム上でそれぞれ大きなピークを示すときは、この
ピーク間の谷を見付けるモード法を用いてスライスレベ
ルを決定し、２値化し画像処理をしてリード位置を検出
している。
入力される。画像処理装置60は、画像データをA/D変換
してフレームメモリに格納し、この格納値を２値化す
る。この２値化の方法は、一般に、対象物と背景の割合
から累積ヒストグラムによって「しきい値」即ちスライ
スレベルを決定するｐタイル法、対象物と背景とがヒス
トグラム上でそれぞれ大きなピークを示すときは、この
ピーク間の谷を見付けるモード法を用いてスライスレベ
ルを決定し、２値化し画像処理をしてリード位置を検出
している。
従来の装置は、リードを照射する光学系に問題があ
り、適切にして正確なリード形状が得られず且つリード
を拡大しようとするとカメラの視野が狭くなると云う問
題と、画像処理装置はｐタイル法，モード法を用いて画
像データの処理を行い、その処理が遅いと云う問題があ
った。
り、適切にして正確なリード形状が得られず且つリード
を拡大しようとするとカメラの視野が狭くなると云う問
題と、画像処理装置はｐタイル法，モード法を用いて画
像データの処理を行い、その処理が遅いと云う問題があ
った。
この発明は、上記した従来の状況から、鮮明な画像デ
ータが得られ高速処理が可能な光学的形状検査装置を提
供することを目的とするものである。
ータが得られ高速処理が可能な光学的形状検査装置を提
供することを目的とするものである。
この発明は、第１図の原理図に示すように、部品、例
えばIC1の突出部であるリード１−１〜１−ｎの背面か
ら光学手段４で散乱した光源２からの光を照射し、リー
ド１−１〜１−ｎの形状の撮像を画像処理して形状検査
を行う光学式形状検査装置において、IC1のリード１−
１〜１−ｎを計測方向に光学的に拡大するシリンドリカ
ルレンズ５−２を含む光学手段４と、このシリンドリカ
ルレンズ５−２の通過光をIC1の横側で受光して撮像を
行うカメラ５と、このカメラ５の撮像からIC1の底面位
置とリード１−１〜１−ｎの底面位置からの突出量を画
像処理によって検出する画像処理装置６とで構成する。
えばIC1の突出部であるリード１−１〜１−ｎの背面か
ら光学手段４で散乱した光源２からの光を照射し、リー
ド１−１〜１−ｎの形状の撮像を画像処理して形状検査
を行う光学式形状検査装置において、IC1のリード１−
１〜１−ｎを計測方向に光学的に拡大するシリンドリカ
ルレンズ５−２を含む光学手段４と、このシリンドリカ
ルレンズ５−２の通過光をIC1の横側で受光して撮像を
行うカメラ５と、このカメラ５の撮像からIC1の底面位
置とリード１−１〜１−ｎの底面位置からの突出量を画
像処理によって検出する画像処理装置６とで構成する。
光学手段４は、例えば光拡散板４−１と三角プリズム
４−２とで構成されており、光源２からの光は光拡散板
４−１で散乱されて、頂点がIC1の底面に当接する三角
プリズム４−２でIC底面に平行方向に進行するようにし
てある。一方カメラ５には、絞り５−１とシリンドリカ
ルレンズ５−２が設けてあり、シリンドリカルレンズ５
−２によりリードの計測方向に対してのみ倍率を上げ、
絞り５−１の開口部を狭くすることにより焦点深度を大
きくし、リードに対して縦横の両方向同時に焦点合わせ
を行う。
４−２とで構成されており、光源２からの光は光拡散板
４−１で散乱されて、頂点がIC1の底面に当接する三角
プリズム４−２でIC底面に平行方向に進行するようにし
てある。一方カメラ５には、絞り５−１とシリンドリカ
ルレンズ５−２が設けてあり、シリンドリカルレンズ５
−２によりリードの計測方向に対してのみ倍率を上げ、
絞り５−１の開口部を狭くすることにより焦点深度を大
きくし、リードに対して縦横の両方向同時に焦点合わせ
を行う。
画像処理装置６では、第５図（ｂ）に示す入力画像の
輝度分布をフレームメモリ６−３上を検索して、視野内
の右下或いは左下の輝度をスライスレベルとして２値化
する。又、リードのIC底面からの突出量（突出長さ）を
測定するための基準となるIC底面を第６図に示すよう
に、第６図（ａ）の２値化画像データの第６図（ｂ）に
示す水平輝度分布から求める。
輝度分布をフレームメモリ６−３上を検索して、視野内
の右下或いは左下の輝度をスライスレベルとして２値化
する。又、リードのIC底面からの突出量（突出長さ）を
測定するための基準となるIC底面を第６図に示すよう
に、第６図（ａ）の２値化画像データの第６図（ｂ）に
示す水平輝度分布から求める。
即ち、水平輝度分布の任意の位置A0の水平方向の白レ
ベルの画素数を累計し、その値が目標値より小さいなら
ば、A0より所定距離Ｌだけ下方向に、逆にもし累積値が
目標より大きいならば、A0より距離Ｌだけ上方向に移動
してA1を求め、次ぎにA1位置から上記したと同じ方法で
L/2の移動してA2位置を求める。このように順次1/2にな
るように移動を繰り返してIC底面を検出する。このよう
にすることによって画像処理の時間短縮が可能になると
ともに、高精度の計測が可能となる。
ベルの画素数を累計し、その値が目標値より小さいなら
ば、A0より所定距離Ｌだけ下方向に、逆にもし累積値が
目標より大きいならば、A0より距離Ｌだけ上方向に移動
してA1を求め、次ぎにA1位置から上記したと同じ方法で
L/2の移動してA2位置を求める。このように順次1/2にな
るように移動を繰り返してIC底面を検出する。このよう
にすることによって画像処理の時間短縮が可能になると
ともに、高精度の計測が可能となる。
第２図は本発明の一実施例を示す模式図である。この
図はSOP（SMALL−OUTLINE−PACKAGE）タイプのICのリー
ドの上下方向の曲がりによるIC底面からの突出量（以
後、浮き量と記す）を検出する場合を示している。
図はSOP（SMALL−OUTLINE−PACKAGE）タイプのICのリー
ドの上下方向の曲がりによるIC底面からの突出量（以
後、浮き量と記す）を検出する場合を示している。
光源２はIC1の底面に直交する方向に設けてある。こ
の光源２からの光は集光レンズ３を通り、光学手段４を
形成する光拡散板４−１と三角プリズム４−２を照射す
る。従って、光源光は光拡散板４−１で散乱されて三角
プリズム４−２を照射し、散乱光が三角プリズム４−２
から照射される。但しこの光学手段４は第３図に示すも
のでもよい。即ち、IC底面に当接した光拡散板４−３を
屋根型に構成し、光源２を遠方に設け光源光を光ファイ
バー２−１を介して光拡散板４−３を照射するようにし
てある。
の光源２からの光は集光レンズ３を通り、光学手段４を
形成する光拡散板４−１と三角プリズム４−２を照射す
る。従って、光源光は光拡散板４−１で散乱されて三角
プリズム４−２を照射し、散乱光が三角プリズム４−２
から照射される。但しこの光学手段４は第３図に示すも
のでもよい。即ち、IC底面に当接した光拡散板４−３を
屋根型に構成し、光源２を遠方に設け光源光を光ファイ
バー２−１を介して光拡散板４−３を照射するようにし
てある。
一方、IC1の上面は真空吸着ヘッド７によって、その
底面が三角プリズム４−２の頂点に当接するように保持
される。
底面が三角プリズム４−２の頂点に当接するように保持
される。
三角プリズム４−２を出射した散乱光はリード１−11
−ｎの背面を照射しリード間隙を通過した光は、シリン
ドリカルレンズ５−２と撮影レンズ５−３と絞り機構、
即ち絞り５−１を介してカメラ５に入射する。
−ｎの背面を照射しリード間隙を通過した光は、シリン
ドリカルレンズ５−２と撮影レンズ５−３と絞り機構、
即ち絞り５−１を介してカメラ５に入射する。
第２図ではカメラ５の位置をICの水平面に設けてある
が、三角プリズム４−２の出射光を受光する位置であれ
ばよい。
が、三角プリズム４−２の出射光を受光する位置であれ
ばよい。
従って、リード１−１〜１−ｎの背面からの散乱光で
生ずるリードの映像はシリンドリカルレンズ５−２で計
測方向である上下方向に拡大される。又絞り５−１の開
口面積を小さくし焦点深度を大きくし縦横方向同時に焦
点合わせを行い、リードの映像をカメラ５で画像データ
とする。
生ずるリードの映像はシリンドリカルレンズ５−２で計
測方向である上下方向に拡大される。又絞り５−１の開
口面積を小さくし焦点深度を大きくし縦横方向同時に焦
点合わせを行い、リードの映像をカメラ５で画像データ
とする。
この画像データはカメラコントロールユニット（以後
CCU）と記す）８−１と８−２に入力される。CCU8−1,8
−２は入力される画像データをビデオセパレータ９とカ
メラ制御部10に入力する。このビデオセパレータ９は、
画像モニタ11の表示画面の上半分に例えば、右側のカメ
ラ映像を、表示画面の下半分に左側のカメラの映像を表
示し、１台の画像モニタで両面の映像の観察を可能とし
ている。
CCU）と記す）８−１と８−２に入力される。CCU8−1,8
−２は入力される画像データをビデオセパレータ９とカ
メラ制御部10に入力する。このビデオセパレータ９は、
画像モニタ11の表示画面の上半分に例えば、右側のカメ
ラ映像を、表示画面の下半分に左側のカメラの映像を表
示し、１台の画像モニタで両面の映像の観察を可能とし
ている。
カメラ制御部10は、画像処理装置６の画像処理部６−
１によって制御されており、画像処理部６−１の要求に
よって画像データをA/Dコンバータ６−２に送る。A/Dコ
ンバータ６−２は、画像データをデジタル信号に変換し
てフレームメモリ６−３に格納する。このフレームメモ
リ６−３の処理状態は処理画像モニタ12にて観察され
る。
１によって制御されており、画像処理部６−１の要求に
よって画像データをA/Dコンバータ６−２に送る。A/Dコ
ンバータ６−２は、画像データをデジタル信号に変換し
てフレームメモリ６−３に格納する。このフレームメモ
リ６−３の処理状態は処理画像モニタ12にて観察され
る。
このフレームメモリ６−３から、画像処理部６−１が
後述する処理を行い、ICのリード右側カメラで得られた
画像データの良否を判定する。この判定を終了すると、
画像処理部６−１はカメラ制御部10を制御して左側カメ
ラからの画像データの判定をする。左右カメラの画像デ
ータの判定が終了すると、真空吸着ヘッド７の制御部７
−１に信号を送り、このICを別のICと取替えて検査をす
る。
後述する処理を行い、ICのリード右側カメラで得られた
画像データの良否を判定する。この判定を終了すると、
画像処理部６−１はカメラ制御部10を制御して左側カメ
ラからの画像データの判定をする。左右カメラの画像デ
ータの判定が終了すると、真空吸着ヘッド７の制御部７
−１に信号を送り、このICを別のICと取替えて検査をす
る。
画像処理部６−１の動作を第４図に示すフローチャー
トによって説明する。画像データが格納されたフレーム
メモリ６−３の画像データは、（第４図（イ）で示す状
態）何等かの方法で２値化する必要がある。この発明の
２値化の方法を第５図に基づいて説明する。画像データ
は、第５図（ａ）に示す濃度ヒストグラムをもってい
る。このヒストグラムは、ほぼ完全な双峰型を示し、最
適な２値化スライスレベルは２つの山の間の谷であるこ
とは明確であり、頻度の高い山の最も低い輝度レベルの
分布（Ｇ点）よりやや低いレベルを２値化のレベルとす
ればよいことは周知のことである。
トによって説明する。画像データが格納されたフレーム
メモリ６−３の画像データは、（第４図（イ）で示す状
態）何等かの方法で２値化する必要がある。この発明の
２値化の方法を第５図に基づいて説明する。画像データ
は、第５図（ａ）に示す濃度ヒストグラムをもってい
る。このヒストグラムは、ほぼ完全な双峰型を示し、最
適な２値化スライスレベルは２つの山の間の谷であるこ
とは明確であり、頻度の高い山の最も低い輝度レベルの
分布（Ｇ点）よりやや低いレベルを２値化のレベルとす
ればよいことは周知のことである。
一方、フレームメモリ６−３内の画像データの輝度分
布は、第５図（ｂ）に示すようになっている。即ち、第
５図（ａ）に示すA,B・・Ｈの輝度は、第５図（ｂ）の
点線で示す位置にそれぞれ該当する。これは、光源の光
束分布がランプ光軸付近が最も密であり、光軸からはな
れるほど疎となっているためであり、ランプの光軸上に
ある入力画像中のＡの部分が最も明るくフレームメモリ
の右下及び左下にゆく程暗くなるからである。
布は、第５図（ｂ）に示すようになっている。即ち、第
５図（ａ）に示すA,B・・Ｈの輝度は、第５図（ｂ）の
点線で示す位置にそれぞれ該当する。これは、光源の光
束分布がランプ光軸付近が最も密であり、光軸からはな
れるほど疎となっているためであり、ランプの光軸上に
ある入力画像中のＡの部分が最も明るくフレームメモリ
の右下及び左下にゆく程暗くなるからである。
従って、フレームメモリ上で入力画像データの右下或
いは左下部分の明るさ、即ちＧ点よりやや低い輝度を２
値化スライスレベルとすればよい。従って２値化が簡単
で然も高速で決定可能となる。
いは左下部分の明るさ、即ちＧ点よりやや低い輝度を２
値化スライスレベルとすればよい。従って２値化が簡単
で然も高速で決定可能となる。
上記したように第４図（ロ）の２値画像化がされる。
次にリードの形状を検出するために、リードの長さ方
向の曲がり、即ちリードの浮き量は、リードの長さを計
測すると判るので各リードの長さ（浮き量）を計測する
ための基準（この場合ICの底面）即ち、測長開始位置を
求める必要がある。これが、第４図（ハ）の処理であ
る。即ち、第６図（ａ）に示す２値化画像は、画面の約
半分はICの影であるから白レベルの画素はなく、逆に画
面の約下半分は背景部分（三角プリズム）であり輝度が
高く白レベルが大半であるので、この水平方向の投影分
布は第６図（ｂ）に示すようになる。
向の曲がり、即ちリードの浮き量は、リードの長さを計
測すると判るので各リードの長さ（浮き量）を計測する
ための基準（この場合ICの底面）即ち、測長開始位置を
求める必要がある。これが、第４図（ハ）の処理であ
る。即ち、第６図（ａ）に示す２値化画像は、画面の約
半分はICの影であるから白レベルの画素はなく、逆に画
面の約下半分は背景部分（三角プリズム）であり輝度が
高く白レベルが大半であるので、この水平方向の投影分
布は第６図（ｂ）に示すようになる。
この投影分布上の任意の位置A0の水平方向の白レベル
の画素数を累計し、その値が目標値より小さい（大き
い）と、位置A0より画面の下方（上方）位置に所要距離
Ｌ移動しA1とする。次に位置A1から上記したことを移動
距離L/2として行い、順次A2,A3・・と移動距離を半分に
して行う。この操作を（Log2L＋１）回繰り換えすこと
によって、累計画素数が目標値T1に最も近い位置即ちIC
の底面位置が得られる。
の画素数を累計し、その値が目標値より小さい（大き
い）と、位置A0より画面の下方（上方）位置に所要距離
Ｌ移動しA1とする。次に位置A1から上記したことを移動
距離L/2として行い、順次A2,A3・・と移動距離を半分に
して行う。この操作を（Log2L＋１）回繰り換えすこと
によって、累計画素数が目標値T1に最も近い位置即ちIC
の底面位置が得られる。
例えば、フレームメモリ６−３が縦512画素で形成さ
れた容量であると、開始位置A0を256としＬを128とすれ
ば、探索範囲がＡ±2L即ち０〜512となり、（Log2128＋
１）回、即ち８回水平方向の画素数を累計することによ
り底面が求められる。
れた容量であると、開始位置A0を256としＬを128とすれ
ば、探索範囲がＡ±2L即ち０〜512となり、（Log2128＋
１）回、即ち８回水平方向の画素数を累計することによ
り底面が求められる。
上記したようにして、IC底面の位置の検出を行うが、
此のICは、真空吸着ヘッド７の吸着面と三角プリズム４
−２の位置、カメラレンズ５−３の回転、シリンドリカ
ルレンズ５−２の歪等によって多少傾いたり湾曲してい
る。したがってこの補正をする必要がある。
此のICは、真空吸着ヘッド７の吸着面と三角プリズム４
−２の位置、カメラレンズ５−３の回転、シリンドリカ
ルレンズ５−２の歪等によって多少傾いたり湾曲してい
る。したがってこの補正をする必要がある。
この場合、第７図に示すようにフレームメモリの２値
画像を縦にｎ（例えば16）等分して、その各々のICの底
面位置を上記の方法で求め、隣接する領域の底面位置か
らその領域内のすべての地点の底面を算出する。上記処
理によって底面の位置検出をして底面の補正をする。こ
れが第４図（ハ）の処理である。
画像を縦にｎ（例えば16）等分して、その各々のICの底
面位置を上記の方法で求め、隣接する領域の底面位置か
らその領域内のすべての地点の底面を算出する。上記処
理によって底面の位置検出をして底面の補正をする。こ
れが第４図（ハ）の処理である。
次にリードの位置をまず求める。これは底面の補正さ
れた仮想底面に対して行われ、第８図に示すように、２
値化画像を上記した仮想底面位置から例えば下方５画素
の位置でサーチして最初の白黒反転位置をリード１−１
の位置とし、リードピッチ分スキップしてサーチを行い
リード１−２〜１−ｎの位置を検出する。これが第４図
（ニ）の処理である。
れた仮想底面に対して行われ、第８図に示すように、２
値化画像を上記した仮想底面位置から例えば下方５画素
の位置でサーチして最初の白黒反転位置をリード１−１
の位置とし、リードピッチ分スキップしてサーチを行い
リード１−２〜１−ｎの位置を検出する。これが第４図
（ニ）の処理である。
次ぎに、各リードの浮き量（単位：画素）を求める。
これは上記のｎ等分したIC底面位置検出と同様な方法を
用いて求める。但し目標値は上記したICの底面位置検出
時の目標値と違い、リードの先端部に対応した値であ
り、例えば第６図（ｂ）の目標値T2である。この検出位
置と底面位置とからリードの浮き量を求める。第４図
（ホ）の処理である。
これは上記のｎ等分したIC底面位置検出と同様な方法を
用いて求める。但し目標値は上記したICの底面位置検出
時の目標値と違い、リードの先端部に対応した値であ
り、例えば第６図（ｂ）の目標値T2である。この検出位
置と底面位置とからリードの浮き量を求める。第４図
（ホ）の処理である。
上記した処理により各リードの浮き量（単位：画素）
が計測できる。したがって、予め実験によって実際の長
さは何画素に相当することを知っておけば、実際の浮き
量を求めることができる。
が計測できる。したがって、予め実験によって実際の長
さは何画素に相当することを知っておけば、実際の浮き
量を求めることができる。
片面のリード計測が終了すると画像処理部６−１は、
カメラ制御部10に信号を送り反対側のリードを同様に計
測する。第４図（ヘ），（ニ），（ホ）の処理である。
全部のリードの計測が終了すると、予め入力しておいた
浮き量の規格量と比較し良否の判定（第４図（ト））を
して、不良であると、取り外し信号を吸着ヘッド制御部
７−１に送り、ICを排除する（チ）。
カメラ制御部10に信号を送り反対側のリードを同様に計
測する。第４図（ヘ），（ニ），（ホ）の処理である。
全部のリードの計測が終了すると、予め入力しておいた
浮き量の規格量と比較し良否の判定（第４図（ト））を
して、不良であると、取り外し信号を吸着ヘッド制御部
７−１に送り、ICを排除する（チ）。
上記処理をICを取替えて繰り返し計測を行う。なお、
上記説明はSOP型のICを例として説明を行ったが、以外
の電子部品でもよく、また不透明物体により形成された
パターンの変形度チェックに適用しても何等支障される
ものはない。
上記説明はSOP型のICを例として説明を行ったが、以外
の電子部品でもよく、また不透明物体により形成された
パターンの変形度チェックに適用しても何等支障される
ものはない。
以上の説明から明らかなように、この発明によれば各
種の電子部品のリード部及び不透明物体で形成されるパ
ターンの計測が行え、精度向上，信頼性の向上及び能率
向上の面できわめて有効な効果を発揮する。
種の電子部品のリード部及び不透明物体で形成されるパ
ターンの計測が行え、精度向上，信頼性の向上及び能率
向上の面できわめて有効な効果を発揮する。
第１図は本発明の原理図、 第２図は本発明の一実施例を示す模式図 第３図は本発明の光学手段の他の実施例を示す斜視図、 第４図は本発明の画像処理装置の動作を示すフローチャ
ート、 第５図は本発明のスライスレベルを説明するための模式
図、 第６図は本発明のIC底面位置を求める方法を示す模式
図、 第７図は本発明のIC底面の傾きを求める方法を示す模式
図、 第８図は本発明のリード位置検索方法を説明するための
模式図、 第９図は従来の光学式形状検査装置の要部を示す模式図
である。 図において、１はIC、２は光源、４は光学手段、５はカ
メラ、５−１は絞り、５−２はシリンドリカルレンズ、
６は画像処理装置を示す。
ート、 第５図は本発明のスライスレベルを説明するための模式
図、 第６図は本発明のIC底面位置を求める方法を示す模式
図、 第７図は本発明のIC底面の傾きを求める方法を示す模式
図、 第８図は本発明のリード位置検索方法を説明するための
模式図、 第９図は従来の光学式形状検査装置の要部を示す模式図
である。 図において、１はIC、２は光源、４は光学手段、５はカ
メラ、５−１は絞り、５−２はシリンドリカルレンズ、
６は画像処理装置を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】不透明な突出部を有する部品の前記突出部
の背面から光を照射し、前記突出部の形状の撮像を画像
処理して形状検査を行う光学式形状検査装置において、 前記部品の突出部を計測方向に光学的に拡大するシリン
ドリカルレンズを含む光学手段と、 該シリンドリカルレンズの通過光を前記部品の横側で受
光して前記撮像を行うカメラと、 該カメラの撮像から前記部品の底面位置と前記突出部の
該底面位置からの突出量を画像処理によって検出する画
像処理装置とからなることを特徴とする光学式形状検査
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62112051A JPH0814546B2 (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 光学式形状検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62112051A JPH0814546B2 (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 光学式形状検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63275937A JPS63275937A (ja) | 1988-11-14 |
| JPH0814546B2 true JPH0814546B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=14576793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62112051A Expired - Fee Related JPH0814546B2 (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 光学式形状検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0814546B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0628615U (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-15 | 株式会社中央理研 | Ｉｃの端子形状検査装置 |
| JP5255763B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2013-08-07 | リコー光学株式会社 | 光学検査方法および装置 |
| JP5136837B2 (ja) * | 2007-11-07 | 2013-02-06 | 住友電装株式会社 | 実装部品用検査装置および実装部品の検査方法 |
| CN114950990B (zh) * | 2020-11-30 | 2023-12-29 | 深圳市华力宇电子科技有限公司 | Ic芯片检测装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60247106A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Fujitsu Ltd | 形状検査装置 |
| JPS61213709A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-22 | Hitachi Ltd | 電子部品外観検査方法 |
| JPS63107034A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-12 | Toshiba Corp | 半導体装置外部リ−ドの検出方式 |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP62112051A patent/JPH0814546B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63275937A (ja) | 1988-11-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |