JPH08143360A - 高周波用誘電体磁器組成物 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH08143360A JPH08143360A JP6312449A JP31244994A JPH08143360A JP H08143360 A JPH08143360 A JP H08143360A JP 6312449 A JP6312449 A JP 6312449A JP 31244994 A JP31244994 A JP 31244994A JP H08143360 A JPH08143360 A JP H08143360A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- value
- resonance frequency
- dielectric
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波帯域でも無負荷Ｑ値が従来より高く，
且つ共振周波数の温度係数が小さく，該温度係数をマイ
ナス値からプラス値まで自由に変化させることができ
る，高周波用誘電体磁器組成物を提供すること。 【構成】 高周波用誘電体磁器組成物は，一般式Ｂａ
1-X ＳｒX （ＺｎU ＮｉVＭｇw Ｔａ2/3 ）Ｏ
(8/3)+(U+V+W) により表される組成である。一般式中の
Ｘ，Ｕ，Ｖ，Ｗは，０．００５≦Ｘ≦０．０６，０．０
５≦Ｕ≦０．３３，０≦Ｖ≦０．１０，０．０１≦Ｗ≦
０．２５（但し，０．２９≦Ｕ＋Ｖ＋Ｗ≦０．３４）の
範囲内にある。
且つ共振周波数の温度係数が小さく，該温度係数をマイ
ナス値からプラス値まで自由に変化させることができ
る，高周波用誘電体磁器組成物を提供すること。 【構成】 高周波用誘電体磁器組成物は，一般式Ｂａ
1-X ＳｒX （ＺｎU ＮｉVＭｇw Ｔａ2/3 ）Ｏ
(8/3)+(U+V+W) により表される組成である。一般式中の
Ｘ，Ｕ，Ｖ，Ｗは，０．００５≦Ｘ≦０．０６，０．０
５≦Ｕ≦０．３３，０≦Ｖ≦０．１０，０．０１≦Ｗ≦
０．２５（但し，０．２９≦Ｕ＋Ｖ＋Ｗ≦０．３４）の
範囲内にある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，誘電体磁器組成物に関
し，特に高周波帯域においても無負荷Ｑ値が高く，か
つ，共振周波数の温度係数が小さく，その温度係数を自
由に制御することができる高周波用誘電体磁器組成物に
関する。
し，特に高周波帯域においても無負荷Ｑ値が高く，か
つ，共振周波数の温度係数が小さく，その温度係数を自
由に制御することができる高周波用誘電体磁器組成物に
関する。
【０００２】
【従来技術】誘電体磁器は，マイクロ波又はミリ波等の
高周波帯域における誘電体共振器やＭＩＣ用誘電体基板
に利用されている。かかる誘電体磁器には，適度に大き
い誘電率，高い無負荷Ｑ値（誘電損失の逆数），低い共
振周波数温度係数等の特性が要求される。上記高周波用
誘電体磁器の組成物としては，従来，ＢａＯ−ＴｉＯ2
系化合物，（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4 ，Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｔ
ａ2/3 ）Ｏ3 ，又はＢａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 系の
複合ペロブスカイト型構造を有する組成物等が知られて
いる。
高周波帯域における誘電体共振器やＭＩＣ用誘電体基板
に利用されている。かかる誘電体磁器には，適度に大き
い誘電率，高い無負荷Ｑ値（誘電損失の逆数），低い共
振周波数温度係数等の特性が要求される。上記高周波用
誘電体磁器の組成物としては，従来，ＢａＯ−ＴｉＯ2
系化合物，（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4 ，Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｔ
ａ2/3 ）Ｏ3 ，又はＢａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 系の
複合ペロブスカイト型構造を有する組成物等が知られて
いる。
【０００３】特に，最近，自動車電話，衛星通信，衛星
放送等のマイクロ波技術が進歩し，これに伴い，誘電体
磁器には，高周波帯域においてもより高い無負荷Ｑ値が
要求されるようになってきた。また，誘電体磁器の温度
特性についても，共振周波数の温度係数（温度変化率）
が小さく，かつ，０ｐｐｍ／℃を中心にマイナス値から
プラス値まで自由に制御できることが要求されている。
放送等のマイクロ波技術が進歩し，これに伴い，誘電体
磁器には，高周波帯域においてもより高い無負荷Ｑ値が
要求されるようになってきた。また，誘電体磁器の温度
特性についても，共振周波数の温度係数（温度変化率）
が小さく，かつ，０ｐｐｍ／℃を中心にマイナス値から
プラス値まで自由に制御できることが要求されている。
【０００４】かかる要求に対し，従来，様々な提案がな
されている。まず，誘電体磁器の無負荷Ｑ値を高めるた
めに， 急速昇温焼成技術（特開昭６２─１７０１０２号公
報）， Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 の中のＢａを非化学量
論にして長時間焼成する技術（特開平４─２２４１６１
号公報）， 誘電体磁器組成物について，その一部成分の置換（特
開昭６０─２００８５５号公報）等が提案されている。
されている。まず，誘電体磁器の無負荷Ｑ値を高めるた
めに， 急速昇温焼成技術（特開昭６２─１７０１０２号公
報）， Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 の中のＢａを非化学量
論にして長時間焼成する技術（特開平４─２２４１６１
号公報）， 誘電体磁器組成物について，その一部成分の置換（特
開昭６０─２００８５５号公報）等が提案されている。
【０００５】次に，誘電体磁器の温度特性を改善するた
めに，無負荷Ｑ値の高い材料であるＢａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ
2/3 ）Ｏ3 に，ＢａＺｒＯ3 （特開平４─２２４１６１
号公報）又はＶ2 Ｏ5 （特開昭６０─２１０５６８号公
報）等の添加物を添加したり，Ｎｂにより上記のＴａ成
分を置換する方法が提案されている。これは，Ｂａ（Ｚ
ｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 が無負荷Ｑ値の高い材料である一
方，共振周波数温度係数がほぼ０ｐｐｍであることに鑑
み，この材料に上記添加又は置換を行うことにより，共
振周波数温度係数を目的に応じた値に制御するというも
のである。
めに，無負荷Ｑ値の高い材料であるＢａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ
2/3 ）Ｏ3 に，ＢａＺｒＯ3 （特開平４─２２４１６１
号公報）又はＶ2 Ｏ5 （特開昭６０─２１０５６８号公
報）等の添加物を添加したり，Ｎｂにより上記のＴａ成
分を置換する方法が提案されている。これは，Ｂａ（Ｚ
ｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 が無負荷Ｑ値の高い材料である一
方，共振周波数温度係数がほぼ０ｐｐｍであることに鑑
み，この材料に上記添加又は置換を行うことにより，共
振周波数温度係数を目的に応じた値に制御するというも
のである。
【０００６】
【解決しようとする課題】しかしながら，上記従来の誘
電体磁器組成物においては，無負荷Ｑ値が小さかった
り，共振周波数温度係数の制御が困難であったり，或い
は比誘電率が小さいなどといういずれかの問題があり，
高周波帯域で使用される共振器として不都合な点が多
い。
電体磁器組成物においては，無負荷Ｑ値が小さかった
り，共振周波数温度係数の制御が困難であったり，或い
は比誘電率が小さいなどといういずれかの問題があり，
高周波帯域で使用される共振器として不都合な点が多
い。
【０００７】例えば，上記の急速昇温焼成法を用いる
場合には，量産性，物性安定性などの面で難点がある。
また，上記の高温長期間焼成法を用いる場合には，成
分の蒸発やコストアップをもたらす。特に，共振周波数
温度係数の制御用として加える添加物は，無負荷Ｑ値の
劣化と共に，比誘電率に大きな変化をもたらす。このた
め，共振周波数温度係数を回路特性に適合させるために
は，ある程度無負荷Ｑ値又は誘電率を犠牲にしなければ
ならないという問題を生ずる。更に，上記Ｂａ（Ｚｎ
1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 材料に上記添加又は置換を行う場合
には，安定な物性が得られにくいなどの問題を生ずる。
場合には，量産性，物性安定性などの面で難点がある。
また，上記の高温長期間焼成法を用いる場合には，成
分の蒸発やコストアップをもたらす。特に，共振周波数
温度係数の制御用として加える添加物は，無負荷Ｑ値の
劣化と共に，比誘電率に大きな変化をもたらす。このた
め，共振周波数温度係数を回路特性に適合させるために
は，ある程度無負荷Ｑ値又は誘電率を犠牲にしなければ
ならないという問題を生ずる。更に，上記Ｂａ（Ｚｎ
1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 材料に上記添加又は置換を行う場合
には，安定な物性が得られにくいなどの問題を生ずる。
【０００８】本発明はかかる従来の問題点に鑑み，高周
波帯域でも無負荷Ｑ値が高く，且つ共振周波数の温度係
数が小さく，該温度係数をマイナス値からプラス値まで
自由に変化させることができる，高周波用誘電体磁器組
成物を提供しようとするものである。
波帯域でも無負荷Ｑ値が高く，且つ共振周波数の温度係
数が小さく，該温度係数をマイナス値からプラス値まで
自由に変化させることができる，高周波用誘電体磁器組
成物を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題の解決手段】本発明は，一般式 Ｂａ1-X ＳｒX （ＺｎU ＮｉV Ｍｇw Ｔａ2/3 ）Ｏ
(8/3)+(U+V+W) からなる一般式により表される組成であって，上記一般
式中のＸ，Ｕ，Ｖ，Ｗが， ０．００５≦Ｘ≦０．０６ ０．０５≦Ｕ≦０．３３ ０≦Ｖ≦０．１０ ０．０１≦Ｗ≦０．２５ （但し，０．２９≦Ｕ＋Ｖ＋Ｗ≦０．３４） の範囲内にあることを特徴とする高周波用誘電体磁器組
成物にある。
(8/3)+(U+V+W) からなる一般式により表される組成であって，上記一般
式中のＸ，Ｕ，Ｖ，Ｗが， ０．００５≦Ｘ≦０．０６ ０．０５≦Ｕ≦０．３３ ０≦Ｖ≦０．１０ ０．０１≦Ｗ≦０．２５ （但し，０．２９≦Ｕ＋Ｖ＋Ｗ≦０．３４） の範囲内にあることを特徴とする高周波用誘電体磁器組
成物にある。
【００１０】本発明において，上記一般式中のＸは，バ
リウム（Ｂａ）の一部をストロンチウム（Ｓｒ）により
置換するＳｒ置換量を，モル数で示したものである。Ｘ
の範囲は，０．００５≦Ｘ≦０．０６である。この範囲
内において上記Ｓｒ置換量を増やすことにより，焼成時
間が短縮されると共に，共振周波数温度係数が連続的に
増加する（図１参照）。しかし，Ｘが０．０６を越える
場合には，無負荷Ｑ値が低下し，共振周波数温度係数も
過大となり，実用的ではなくなる。一方，Ｘが０．００
５未満の場合には，長時間の焼成が必要となったり，共
振周波数温度係数が過小となるなどの問題が生ずる。
リウム（Ｂａ）の一部をストロンチウム（Ｓｒ）により
置換するＳｒ置換量を，モル数で示したものである。Ｘ
の範囲は，０．００５≦Ｘ≦０．０６である。この範囲
内において上記Ｓｒ置換量を増やすことにより，焼成時
間が短縮されると共に，共振周波数温度係数が連続的に
増加する（図１参照）。しかし，Ｘが０．０６を越える
場合には，無負荷Ｑ値が低下し，共振周波数温度係数も
過大となり，実用的ではなくなる。一方，Ｘが０．００
５未満の場合には，長時間の焼成が必要となったり，共
振周波数温度係数が過小となるなどの問題が生ずる。
【００１１】次に，上記一般式中のＵは，誘電体磁器組
成物中の亜鉛（Ｚｎ）のモル数を示す。Ｕの範囲は，
０．０５≦Ｕ≦０．３３である。この範囲内においてＺ
ｎ量を変化させることにより，比誘電率，共振周波数温
度係数はともに緩やかに変化する。しかし，Ｕが０．３
３を越える場合には，誘電体磁器組成物が緻密化しない
という問題がある。一方，Ｕが０．０５未満の場合に
は，誘電体磁器組成物が緻密化しないまたは共振周波数
温度係数が過大となるなどの問題がある。
成物中の亜鉛（Ｚｎ）のモル数を示す。Ｕの範囲は，
０．０５≦Ｕ≦０．３３である。この範囲内においてＺ
ｎ量を変化させることにより，比誘電率，共振周波数温
度係数はともに緩やかに変化する。しかし，Ｕが０．３
３を越える場合には，誘電体磁器組成物が緻密化しない
という問題がある。一方，Ｕが０．０５未満の場合に
は，誘電体磁器組成物が緻密化しないまたは共振周波数
温度係数が過大となるなどの問題がある。
【００１２】次に，上記一般式中のＶは，誘電体磁器組
成物中のニッケル（Ｎｉ）のモル数を示す。Ｖの範囲
は，０≦Ｖ≦０．１０である。この範囲内においてＮｉ
量を変化させることにより，共振周波数温度係数の選択
可能範囲が広がる。しかし，Ｖが０．１０を越える場合
には，無負荷Ｑ値が低下し，また共振周波数温度係数が
小さくなりすぎるなどの不具合が生じる。
成物中のニッケル（Ｎｉ）のモル数を示す。Ｖの範囲
は，０≦Ｖ≦０．１０である。この範囲内においてＮｉ
量を変化させることにより，共振周波数温度係数の選択
可能範囲が広がる。しかし，Ｖが０．１０を越える場合
には，無負荷Ｑ値が低下し，また共振周波数温度係数が
小さくなりすぎるなどの不具合が生じる。
【００１３】次に，上記一般式中のＷは，誘電体磁器組
成物中のマグネシウム（Ｍｇ）のモル数を示す。Ｗの範
囲は，０．０１≦Ｗ≦０．２５である。この範囲内にＭ
ｇが存在することにより，誘電体磁器組成物中のＺｎＯ
成分の蒸発が抑制され，誘電特性のバラツキが小さくな
り，製造が容易となる。しかし，Ｗが０．２５を越える
場合には，誘電体磁器組成物が緻密化しないまたは共振
周波数温度係数が過大となるなどの問題がある。一方，
Ｗが０．０１未満の場合には，ＺｎＯ成分の蒸発に対す
る抑制作用が不十分であり，安定な物性が得られにく
い。
成物中のマグネシウム（Ｍｇ）のモル数を示す。Ｗの範
囲は，０．０１≦Ｗ≦０．２５である。この範囲内にＭ
ｇが存在することにより，誘電体磁器組成物中のＺｎＯ
成分の蒸発が抑制され，誘電特性のバラツキが小さくな
り，製造が容易となる。しかし，Ｗが０．２５を越える
場合には，誘電体磁器組成物が緻密化しないまたは共振
周波数温度係数が過大となるなどの問題がある。一方，
Ｗが０．０１未満の場合には，ＺｎＯ成分の蒸発に対す
る抑制作用が不十分であり，安定な物性が得られにく
い。
【００１４】次に，上記一般式中のＵ，Ｖ，Ｗの総和量
の範囲は，０．２９≦Ｕ＋Ｖ＋Ｗ≦０．３４である。上
記総和量が０．２９未満の場合，又は０．３４を越える
場合には，緻密な磁器が得られない。
の範囲は，０．２９≦Ｕ＋Ｖ＋Ｗ≦０．３４である。上
記総和量が０．２９未満の場合，又は０．３４を越える
場合には，緻密な磁器が得られない。
【００１５】上記高周波用誘電体磁器組成物は，所定量
の出発原料を湿式混合し，乾燥し，仮焼成し，次いで粉
砕，整粒した後，成形，焼成する方法等によって製造す
ることができる。上記出発原料としては，Ｂａ，Ｓｒ，
Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｔａの酸化物又は炭酸塩が一般に用
いられるが，その一部に塩化物，硝酸塩を使用すること
も可能である。
の出発原料を湿式混合し，乾燥し，仮焼成し，次いで粉
砕，整粒した後，成形，焼成する方法等によって製造す
ることができる。上記出発原料としては，Ｂａ，Ｓｒ，
Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｔａの酸化物又は炭酸塩が一般に用
いられるが，その一部に塩化物，硝酸塩を使用すること
も可能である。
【００１６】
【作用及び効果】本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は，上記特定の成分及び組成であるため，高周波帯域で
も，従来より無負荷Ｑ値が高く，また，共振周波数の温
度係数が小さい。更に，上記の組成範囲内においてＢａ
の一部をＳｒにより置換するＳｒ置換量を調整すること
により，誘電体磁器組成物の共振周波数の温度係数をマ
イナス値からプラス値まで自由に変化させることができ
る（図１）。従って，本発明の誘電体磁器組成物は，高
周波帯域における誘電体共振器，回路基板のセラミック
材料等として利用価値が高い。
は，上記特定の成分及び組成であるため，高周波帯域で
も，従来より無負荷Ｑ値が高く，また，共振周波数の温
度係数が小さい。更に，上記の組成範囲内においてＢａ
の一部をＳｒにより置換するＳｒ置換量を調整すること
により，誘電体磁器組成物の共振周波数の温度係数をマ
イナス値からプラス値まで自由に変化させることができ
る（図１）。従って，本発明の誘電体磁器組成物は，高
周波帯域における誘電体共振器，回路基板のセラミック
材料等として利用価値が高い。
【００１７】本発明によれば，高周波帯域でも無負荷Ｑ
値が従来より高く，且つ共振周波数の温度係数が小さ
く，共振周波数の温度係数をマイナス値からプラス値ま
で自由に変化させることができる，高周波用誘電体磁器
組成物を提供することができる。
値が従来より高く，且つ共振周波数の温度係数が小さ
く，共振周波数の温度係数をマイナス値からプラス値ま
で自由に変化させることができる，高周波用誘電体磁器
組成物を提供することができる。
【００１８】
実施例１ 本例においては，誘電体磁器組成物の組成と，その誘電
率，無負荷Ｑ値，及び共振周波数温度係数との関係を測
定した。以下，本発明にかかる高周波用誘電体磁器組成
物を，比較例と共に説明する。 〔試料作製〕本発明，比較例ともに，表１に示すＸ，
Ｕ，Ｖ，Ｗの組成となるように，高純度のＢａＣＯ3 ，
ＳｒＣＯ3 ，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＭｇＯ，Ｔａ2 Ｏ5 を秤
量し，秤量原料をボールミルにより１６時間湿式混合し
た。溶媒としてメチルアルコールを用いた。表１中の
Ｘ，Ｕ，Ｖ，Ｗは，一般式 Ｂａ1-X ＳｒX （ＺｎU Ｎ
ｉV Ｍｇw Ｔａ2/3 ）Ｏ(8/3)+(U+V+W) のモル数を示
す。
率，無負荷Ｑ値，及び共振周波数温度係数との関係を測
定した。以下，本発明にかかる高周波用誘電体磁器組成
物を，比較例と共に説明する。 〔試料作製〕本発明，比較例ともに，表１に示すＸ，
Ｕ，Ｖ，Ｗの組成となるように，高純度のＢａＣＯ3 ，
ＳｒＣＯ3 ，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＭｇＯ，Ｔａ2 Ｏ5 を秤
量し，秤量原料をボールミルにより１６時間湿式混合し
た。溶媒としてメチルアルコールを用いた。表１中の
Ｘ，Ｕ，Ｖ，Ｗは，一般式 Ｂａ1-X ＳｒX （ＺｎU Ｎ
ｉV Ｍｇw Ｔａ2/3 ）Ｏ(8/3)+(U+V+W) のモル数を示
す。
【００１９】次に，上記混合物を乾燥した後，１１００
℃で３時間仮焼した。仮焼物を軽くほぐした後，バイン
ダーを加え，乳鉢を用いて整粒した。得られた粉末を一
軸プレスにて，１．２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力により，直
径１２．０ｍｍ，高さ６．０ｍｍの寸法の円板に成形し
た。この成形体を，空気中，１５５０℃，３時間焼成し
て，誘電体磁器組成物としての磁器試料とした（本発明
に係る試料１〜４，７〜１０，１３〜１８，及び比較例
に係る試料Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１９〜Ｃ２
２）。
℃で３時間仮焼した。仮焼物を軽くほぐした後，バイン
ダーを加え，乳鉢を用いて整粒した。得られた粉末を一
軸プレスにて，１．２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力により，直
径１２．０ｍｍ，高さ６．０ｍｍの寸法の円板に成形し
た。この成形体を，空気中，１５５０℃，３時間焼成し
て，誘電体磁器組成物としての磁器試料とした（本発明
に係る試料１〜４，７〜１０，１３〜１８，及び比較例
に係る試料Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１９〜Ｃ２
２）。
【００２０】〔測定方法〕得られた試料を測定冶具に合
わせて所定の形状に加工し，共振周波数１０ＧＨｚにお
ける比誘電率εr ，無負荷Ｑ値，及び共振周波数温度係
数τｆ（ｐｐｍ／℃）を測定した。その結果を表１に示
した。
わせて所定の形状に加工し，共振周波数１０ＧＨｚにお
ける比誘電率εr ，無負荷Ｑ値，及び共振周波数温度係
数τｆ（ｐｐｍ／℃）を測定した。その結果を表１に示
した。
【００２１】〔測定結果〕同表より知られるごとく，本
発明にかかる磁器試料は，いずれも，高周波帯域におい
ても無負荷Ｑ値が従来より高く，且つ共振周波数の温度
係数が小さい。一方，比較例に係る磁器試料は，緻密化
しない（Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２２），無負荷Ｑ値が小さ
い（Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１９，Ｃ２０），又は共振周波数温
度係数が大きい（Ｃ５，Ｃ２１）のいずれかの不具合が
生じた。
発明にかかる磁器試料は，いずれも，高周波帯域におい
ても無負荷Ｑ値が従来より高く，且つ共振周波数の温度
係数が小さい。一方，比較例に係る磁器試料は，緻密化
しない（Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２２），無負荷Ｑ値が小さ
い（Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１９，Ｃ２０），又は共振周波数温
度係数が大きい（Ｃ５，Ｃ２１）のいずれかの不具合が
生じた。
【００２２】
【表１】
【００２３】実施例２ 本例においては，図１に示すごとく，Ｂａの一部をＳｒ
により置換するＳｒ置換量と共振周波数温度係数との関
係を測定した。測定に際し，上記Ｓｒ置換量（Ｘ）を
０．００〜０．０８モル数の範囲内で変えた。また，図
１に示すごとく，上記Ｓｒ置換量（Ｘ）に対して，Ｚ
ｎ，Ｎｉ，Ｍｇのモル数Ｕ，Ｖ，Ｗを２段階（Ａ，Ｂ）
に設定した。その他は，実施例１と同様に，誘電体磁器
組成物を製造した。
により置換するＳｒ置換量と共振周波数温度係数との関
係を測定した。測定に際し，上記Ｓｒ置換量（Ｘ）を
０．００〜０．０８モル数の範囲内で変えた。また，図
１に示すごとく，上記Ｓｒ置換量（Ｘ）に対して，Ｚ
ｎ，Ｎｉ，Ｍｇのモル数Ｕ，Ｖ，Ｗを２段階（Ａ，Ｂ）
に設定した。その他は，実施例１と同様に，誘電体磁器
組成物を製造した。
【００２４】上記測定結果を，図１に示した。図１より
知られるごとく，上記Ｓｒ置換量（Ｘ）が増加すると，
誘電体磁器組成物の共振周波数温度係数もマイナス値か
らプラス値へと増加する。このことから，Ｓｒ置換量を
変えることにより，共振周波数温度係数を自由に制御で
きることがわかる。そして，このように共振周波数温度
係数を自由に変えることができるため，本発明の高周波
用誘電体磁器組成物は，高周波帯域における誘電体共振
器，ＭＩＣ用誘電体基板等に用いる場合に最適である。
知られるごとく，上記Ｓｒ置換量（Ｘ）が増加すると，
誘電体磁器組成物の共振周波数温度係数もマイナス値か
らプラス値へと増加する。このことから，Ｓｒ置換量を
変えることにより，共振周波数温度係数を自由に制御で
きることがわかる。そして，このように共振周波数温度
係数を自由に変えることができるため，本発明の高周波
用誘電体磁器組成物は，高周波帯域における誘電体共振
器，ＭＩＣ用誘電体基板等に用いる場合に最適である。
【図１】実施例２の高周波用誘電体磁器組成物におけ
る，Ｓｒ置換量と共振周波数温度係数との関係を示す線
図。
る，Ｓｒ置換量と共振周波数温度係数との関係を示す線
図。
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式 Ｂａ1-X ＳｒX （ＺｎU ＮｉV Ｍｇw Ｔａ2/3 ）Ｏ
(8/3)+(U+V+W) からなる一般式により表される組成であって，上記一般
式中のＸ，Ｕ，Ｖ，Ｗが， ０．００５≦Ｘ≦０．０６ ０．０５≦Ｕ≦０．３３ ０≦Ｖ≦０．１０ ０．０１≦Ｗ≦０．２５ （但し，０．２９≦Ｕ＋Ｖ＋Ｗ≦０．３４） の範囲内にあることを特徴とする高周波用誘電体磁器組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312449A JPH08143360A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312449A JPH08143360A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08143360A true JPH08143360A (ja) | 1996-06-04 |
Family
ID=18029336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6312449A Pending JPH08143360A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08143360A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474216B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2005-03-08 | (주)에어링크테크놀로지 | 고주파용 유전체 조성물 및 그 제조방법 |
-
1994
- 1994-11-21 JP JP6312449A patent/JPH08143360A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474216B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2005-03-08 | (주)에어링크테크놀로지 | 고주파용 유전체 조성물 및 그 제조방법 |
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