JPH08139355A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
- Publication number
- JPH08139355A JPH08139355A JP6273816A JP27381694A JPH08139355A JP H08139355 A JPH08139355 A JP H08139355A JP 6273816 A JP6273816 A JP 6273816A JP 27381694 A JP27381694 A JP 27381694A JP H08139355 A JPH08139355 A JP H08139355A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラスチックファイバーを利用した短距離光
通信に使用される０．６μm 帯の受光素子において、大
受光径・高速特性・高量子効率を有する素子を提供す
る。 【構成】 光吸収層にｉ−ＧａＡｓ、表面再結合防止用
の窓層としてＡｌＧａＩｎＰを、また正孔のパイルアッ
プ防止用として両者の間にＡｌＧａＡｓを挿入した化合
物半導体材料によるＰＩＮ−ＰＤを構成する。また、上
記光通信には、アライメントフリーにするためより大き
な受光径が必要とされるが、これによる容量増加と素子
帯域がトレードオフの関係にあり、大受光径・広帯域を
実現することが難しい。そこで、素子構造内に２つのｐ
ｎ接合を形成することで容量の低減を図り、素子特性を
改善した。
通信に使用される０．６μm 帯の受光素子において、大
受光径・高速特性・高量子効率を有する素子を提供す
る。 【構成】 光吸収層にｉ−ＧａＡｓ、表面再結合防止用
の窓層としてＡｌＧａＩｎＰを、また正孔のパイルアッ
プ防止用として両者の間にＡｌＧａＡｓを挿入した化合
物半導体材料によるＰＩＮ−ＰＤを構成する。また、上
記光通信には、アライメントフリーにするためより大き
な受光径が必要とされるが、これによる容量増加と素子
帯域がトレードオフの関係にあり、大受光径・広帯域を
実現することが難しい。そこで、素子構造内に２つのｐ
ｎ接合を形成することで容量の低減を図り、素子特性を
改善した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信や光情報処理、
光計測等で用いられる半導体受光素子において、主にＰ
ＩＮ型フォトダオード（ＰＩＮ−ＰＤ）に関するもので
ある。
光計測等で用いられる半導体受光素子において、主にＰ
ＩＮ型フォトダオード（ＰＩＮ−ＰＤ）に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＧＩ型プラスチックファイバーを
利用した０．６μm 帯光短距離光通信の研究が検討され
ている。ＧＩプラスチックファイバーを用いた場合、伝
送ロスが大きいので長距離の伝送には不向きであるが、
ビル内あるいはコンピュータ間での短距離光通信におい
ては、極めて安価であり、且つ、アライメントが容易と
いう利点から期待されている。この短距離光通信に用い
られる受光素子の候補としては、従来、１μm 帯の光通
信用半導体受光素子として利用されているＳｉを材料と
したＰＩＮ型受光素子（「光通信素子工学」、米津氏
著、工学図書株式会社刊、３６４頁（１９８３）に記
載）が挙げられている。この半導体受光素子は、内部利
得効果は有しないが、構造が簡単であり且つ比較的安価
であること、また２０Ｖ程度の動作電圧で駆動できるこ
と、さらに帯域としては１．５ＧＨｚ程度を有している
こと等の特徴を有している。
利用した０．６μm 帯光短距離光通信の研究が検討され
ている。ＧＩプラスチックファイバーを用いた場合、伝
送ロスが大きいので長距離の伝送には不向きであるが、
ビル内あるいはコンピュータ間での短距離光通信におい
ては、極めて安価であり、且つ、アライメントが容易と
いう利点から期待されている。この短距離光通信に用い
られる受光素子の候補としては、従来、１μm 帯の光通
信用半導体受光素子として利用されているＳｉを材料と
したＰＩＮ型受光素子（「光通信素子工学」、米津氏
著、工学図書株式会社刊、３６４頁（１９８３）に記
載）が挙げられている。この半導体受光素子は、内部利
得効果は有しないが、構造が簡単であり且つ比較的安価
であること、また２０Ｖ程度の動作電圧で駆動できるこ
と、さらに帯域としては１．５ＧＨｚ程度を有している
こと等の特徴を有している。
【０００３】図６に、典型的なＳｉのＰＩＮ−ＰＤの構
造図を示す。この構造は、リーチスルー型と呼ばれるも
のである動作原理は、逆バイアスを印加すると空乏層
が、ｎ+ ／ｐ- （ｉ）界面から基板側に伸びる。その空
乏化したＳｉ光吸収層１２で発生した光キャリアのう
ち、電界により正孔がｐ電極側に、電子がｎ電極側に走
行、その後電極に到達して電流となることで光電変換が
なされる。
造図を示す。この構造は、リーチスルー型と呼ばれるも
のである動作原理は、逆バイアスを印加すると空乏層
が、ｎ+ ／ｐ- （ｉ）界面から基板側に伸びる。その空
乏化したＳｉ光吸収層１２で発生した光キャリアのう
ち、電界により正孔がｐ電極側に、電子がｎ電極側に走
行、その後電極に到達して電流となることで光電変換が
なされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】プラスチックファイバ
ーのコア径は６００μm 程度あり、受光素子の受光径と
しては、５００μm φ以上が求められる。しかしなが
ら、５００μm φ以上のように大受光径化した場合、素
子の容量が増大し、素子の帯域はＣＲ時定数に制限さ
れ、高速特性を得ることとができなかった。
ーのコア径は６００μm 程度あり、受光素子の受光径と
しては、５００μm φ以上が求められる。しかしなが
ら、５００μm φ以上のように大受光径化した場合、素
子の容量が増大し、素子の帯域はＣＲ時定数に制限さ
れ、高速特性を得ることとができなかった。
【０００５】またＳｉのＰＩＮ−ＰＤでは、図６に示し
たようにホモ接合構造であり、表面再結合と表面高濃度
層内での光励起−再結合により外部量子効率が劣化す
る。これは、特に短波長になるほど、顕著になる。更
に、０．６μm 光に対するＳｉの吸収係数が小さいため
に、光吸収層を厚くする必要があり（例えば、１０〜２
０μm ）、これより走行時間律速による帯域制限が生じ
ている。
たようにホモ接合構造であり、表面再結合と表面高濃度
層内での光励起−再結合により外部量子効率が劣化す
る。これは、特に短波長になるほど、顕著になる。更
に、０．６μm 光に対するＳｉの吸収係数が小さいため
に、光吸収層を厚くする必要があり（例えば、１０〜２
０μm ）、これより走行時間律速による帯域制限が生じ
ている。
【０００６】本発明の目的は、０．６μm 帯光に感度を
有するＰＩＮ−ＰＤにおいて、大受光径・高量子効率・
広帯域のＰＩＮ−ＰＤを提供することである。
有するＰＩＮ−ＰＤにおいて、大受光径・高量子効率・
広帯域のＰＩＮ−ＰＤを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体受光素子
は、半導体基板上に光吸収層を積層して形成する半導体
受光素子において、前記半導体受光素子の構造内に２つ
以上のｐｎ接合を有することを特徴とする。また、前記
半導体受光素子は光吸収層が０．６μm 帯光に感度を有
するＧａＡｓで形成することを特徴とする。また、前記
半導体受光素子はウインドー構造を持ち、表面再結合を
抑制する前記ウインドー構造がＡｌＧａＩｎＰで形成さ
れていることを特徴とする。また前記半導体受光素子は
ＧａＡｓ光吸収層とＡｌＧａＩｎＰ窓層との間にＡｌＧ
ａＡｓ層を配置したことを特徴とする。
は、半導体基板上に光吸収層を積層して形成する半導体
受光素子において、前記半導体受光素子の構造内に２つ
以上のｐｎ接合を有することを特徴とする。また、前記
半導体受光素子は光吸収層が０．６μm 帯光に感度を有
するＧａＡｓで形成することを特徴とする。また、前記
半導体受光素子はウインドー構造を持ち、表面再結合を
抑制する前記ウインドー構造がＡｌＧａＩｎＰで形成さ
れていることを特徴とする。また前記半導体受光素子は
ＧａＡｓ光吸収層とＡｌＧａＩｎＰ窓層との間にＡｌＧ
ａＡｓ層を配置したことを特徴とする。
【０００８】
【作用】図１は、本発明の半導体受光素子の作用を説明
するための図であり、図１（ａ）は素子構造の概略図で
あり、図１（ｂ）はその等価回路をしめす。図１（ａ）
に示す素子構造のようにｐ+ −ｉ−ｎ−ｐ+ となるよう
に各層を積層し、ｐｎ接合を２箇所もうける。これによ
り容量が２カ所で直列に生じる。図１（ｂ）に示す等価
回路ではＩｐは光吸収層で発生した光電流、Ｃ１は光吸
収層の静電容量、Ｒ１は２つの容量を接続するｎ層の抵
抗、Ｒ２は順バイアスされるダイオードの抵抗で、上記
光電流に依存する。Ｃ２は順バイアスされるダイオード
の静電容量である。Ｃｓは寄生容量、ＲＬは負荷抵抗と
なっている。
するための図であり、図１（ａ）は素子構造の概略図で
あり、図１（ｂ）はその等価回路をしめす。図１（ａ）
に示す素子構造のようにｐ+ −ｉ−ｎ−ｐ+ となるよう
に各層を積層し、ｐｎ接合を２箇所もうける。これによ
り容量が２カ所で直列に生じる。図１（ｂ）に示す等価
回路ではＩｐは光吸収層で発生した光電流、Ｃ１は光吸
収層の静電容量、Ｒ１は２つの容量を接続するｎ層の抵
抗、Ｒ２は順バイアスされるダイオードの抵抗で、上記
光電流に依存する。Ｃ２は順バイアスされるダイオード
の静電容量である。Ｃｓは寄生容量、ＲＬは負荷抵抗と
なっている。
【０００９】大受光径の素子の場合、ＣＲ時定数制限に
より帯域が制限される。帯域ｆは、ｆ＝１／（２πＣ
Ｒ）で表されるが、負荷抵抗５０Ωの場合、素子容量が
３ｐＦでの帯域は約１ＧＨｚ程度であるが、本発明では
上記の本発明３の素子の等価回路に示すように容量が直
列に配置することにより容量を１／２程度まで低減する
ことが可能であり、この場合上記帯域計算例の１ＧＨｚ
に対し、同受光径において２ＧＨｚを得ることができ
る。即ち、ＣＲ制限の帯域を２倍に拡大することが可能
となる。
より帯域が制限される。帯域ｆは、ｆ＝１／（２πＣ
Ｒ）で表されるが、負荷抵抗５０Ωの場合、素子容量が
３ｐＦでの帯域は約１ＧＨｚ程度であるが、本発明では
上記の本発明３の素子の等価回路に示すように容量が直
列に配置することにより容量を１／２程度まで低減する
ことが可能であり、この場合上記帯域計算例の１ＧＨｚ
に対し、同受光径において２ＧＨｚを得ることができ
る。即ち、ＣＲ制限の帯域を２倍に拡大することが可能
となる。
【００１０】さらに、光吸収層に化合物半導体材料であ
るＧａＡｓを用いることにより、光吸収係数の改善と光
吸収層薄膜化による帯域改善を図ることができる。
るＧａＡｓを用いることにより、光吸収係数の改善と光
吸収層薄膜化による帯域改善を図ることができる。
【００１１】図２はＳｉとＧａＡｓの光波長と吸収係数
の関係を示している。図２から分かるように、０．６７
μm 光に対するＳｉの光吸収係数が３０００cm-1程度で
あるのに対し、ＧａＡｓにおいては、２００００cm-1と
約７倍の吸収係数を有していることが分かる。よって、
原理的には、同じ外部量子効率を得るためには、ＧａＡ
ｓの場合、Ｓｉの膜厚の１／７で良いことが分かる。こ
の光吸収層の薄膜化は、キャリアの走行時間短縮と比例
関係にあるので、ＰＩＮ−ＰＤの帯域は大幅に改善され
る。
の関係を示している。図２から分かるように、０．６７
μm 光に対するＳｉの光吸収係数が３０００cm-1程度で
あるのに対し、ＧａＡｓにおいては、２００００cm-1と
約７倍の吸収係数を有していることが分かる。よって、
原理的には、同じ外部量子効率を得るためには、ＧａＡ
ｓの場合、Ｓｉの膜厚の１／７で良いことが分かる。こ
の光吸収層の薄膜化は、キャリアの走行時間短縮と比例
関係にあるので、ＰＩＮ−ＰＤの帯域は大幅に改善され
る。
【００１２】図３は、半導体受光素子のバンド構造と光
吸収分布を示す。図３（ａ）は、ＧａＡｓ光吸収層が表
面に露出した素子のバンド図であり、図３（ｂ）は、再
結合防止用にＡｌＧａＩｎＰ窓層が配置されたときのバ
ンド図である。
吸収分布を示す。図３（ａ）は、ＧａＡｓ光吸収層が表
面に露出した素子のバンド図であり、図３（ｂ）は、再
結合防止用にＡｌＧａＩｎＰ窓層が配置されたときのバ
ンド図である。
【００１３】また、各々の素子における光吸収分布も合
わせて示している。図３（ａ）の場合、ｐ+ −ｉ−ｎ+
ホモ接合であるので、ｐ+ 表面層近傍で吸収された光に
よるフォトキャリアのほとんどは表面欠陥等のトラップ
に捕獲、あるいは、ｐ+ 中性領域での再結合により光電
流に寄与しない。０．６μm 光を受光する場合、表面近
傍での吸収が大きく、よって量子効率が小さくなる。
わせて示している。図３（ａ）の場合、ｐ+ −ｉ−ｎ+
ホモ接合であるので、ｐ+ 表面層近傍で吸収された光に
よるフォトキャリアのほとんどは表面欠陥等のトラップ
に捕獲、あるいは、ｐ+ 中性領域での再結合により光電
流に寄与しない。０．６μm 光を受光する場合、表面近
傍での吸収が大きく、よって量子効率が小さくなる。
【００１４】一方、図３（ｂ）のように、表面側にワイ
ドギャップの窓層を配置した場合、０．６μm 光は窓層
では吸収されず、ＧａＡｓ層でのみ吸収される。そのう
え、ＧａＡｓ層で発生したフォトキャリアは、（ａ）と
比べて中性領域での光吸収が無く、且つ、ヘテロ界面で
の再結合の影響は比較的少ないため、外部量子効率を大
幅に改善することができる。
ドギャップの窓層を配置した場合、０．６μm 光は窓層
では吸収されず、ＧａＡｓ層でのみ吸収される。そのう
え、ＧａＡｓ層で発生したフォトキャリアは、（ａ）と
比べて中性領域での光吸収が無く、且つ、ヘテロ界面で
の再結合の影響は比較的少ないため、外部量子効率を大
幅に改善することができる。
【００１５】図４は、ＧａＡｓ光吸収層とＡｌＧａＩｎ
Ｐ窓層との間にＡｌＧａＡｓパイルアップ防止層を配置
したときのバンド図を示す。ＧａＡｓ光吸収層で発生し
たフォトキャリアの内、電子はｎ側電極側に、正孔はｐ
側電極側に走行するが、正孔に関してはＡｌＧａＩｎＰ
窓層との価電子帯エネルギー差が０．２ｅＶ程度あるの
で、正孔パイルアップが生じて素子の帯域を劣化させて
しまう。そこで、図４のように光吸収層と窓層の禁制帯
幅の中間値程度の禁制帯幅を有するＡｌＧａＡｓパイル
アップ防止層を配置すると、正孔が感じる障壁の高さが
０．１ｅＶ×２となり、パイルアップ現象が緩和され
る。これより、更に帯域を改善することができる。
Ｐ窓層との間にＡｌＧａＡｓパイルアップ防止層を配置
したときのバンド図を示す。ＧａＡｓ光吸収層で発生し
たフォトキャリアの内、電子はｎ側電極側に、正孔はｐ
側電極側に走行するが、正孔に関してはＡｌＧａＩｎＰ
窓層との価電子帯エネルギー差が０．２ｅＶ程度あるの
で、正孔パイルアップが生じて素子の帯域を劣化させて
しまう。そこで、図４のように光吸収層と窓層の禁制帯
幅の中間値程度の禁制帯幅を有するＡｌＧａＡｓパイル
アップ防止層を配置すると、正孔が感じる障壁の高さが
０．１ｅＶ×２となり、パイルアップ現象が緩和され
る。これより、更に帯域を改善することができる。
【００１６】
【実施例】本発明の実施例について、図面を用いて詳細
に説明する。図５は、本発明の実施例のＰＩＮ−ＰＤの
断面図である。構造としては、まず、ｐ型ＧａＡｓ（１
００）基板４上にｎ+ 型ＧａＡｓバッファ層２（ｎ＝１
×１０18cm-3）を０．３μm 、ｎ−型ＧａＡｓ光吸収層
３（ｎ＝１×１０15cm-3）を５μm 、ｎ−型ＡｌＧａＡ
ｓパイルアップ防止層６（ｎ＝１×１０15cm-3）を１０
０Ａ（オングストローム）、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ窓層５
（ｎ＝２×１０16cm-3，λｇ＝６００nm）を１μm 積層
する。その後、ｐ+ 型受光領域７（ｐ＝５×１０18c
m-3）は、Ｃｄ３Ｐ２を拡散源とした５７０℃でのＣｄ
拡散により作製した。ｐｎ接合径は５００μm とした。
さらに、パッシベーション膜として表面にＳｉＮX 膜８
を８００Ａ（オングストローム）堆積させ、基板ｐ側電
極１０として、ＡｕＺｎを５００Ａ（オングストロー
ム）、ＴｉＰｔＡｕを２０００Ａ（オングストローム）
堆積する。また、受光領域ｐ側電極１０として、ＡｕＺ
ｎを５００Ａ（オングストローム）、ＴｉＰｔＡｕを２
０００Ａ（オングストローム）堆積することにより、素
子構造を完成する。
に説明する。図５は、本発明の実施例のＰＩＮ−ＰＤの
断面図である。構造としては、まず、ｐ型ＧａＡｓ（１
００）基板４上にｎ+ 型ＧａＡｓバッファ層２（ｎ＝１
×１０18cm-3）を０．３μm 、ｎ−型ＧａＡｓ光吸収層
３（ｎ＝１×１０15cm-3）を５μm 、ｎ−型ＡｌＧａＡ
ｓパイルアップ防止層６（ｎ＝１×１０15cm-3）を１０
０Ａ（オングストローム）、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ窓層５
（ｎ＝２×１０16cm-3，λｇ＝６００nm）を１μm 積層
する。その後、ｐ+ 型受光領域７（ｐ＝５×１０18c
m-3）は、Ｃｄ３Ｐ２を拡散源とした５７０℃でのＣｄ
拡散により作製した。ｐｎ接合径は５００μm とした。
さらに、パッシベーション膜として表面にＳｉＮX 膜８
を８００Ａ（オングストローム）堆積させ、基板ｐ側電
極１０として、ＡｕＺｎを５００Ａ（オングストロー
ム）、ＴｉＰｔＡｕを２０００Ａ（オングストローム）
堆積する。また、受光領域ｐ側電極１０として、ＡｕＺ
ｎを５００Ａ（オングストローム）、ＴｉＰｔＡｕを２
０００Ａ（オングストローム）堆積することにより、素
子構造を完成する。
【００１７】上述した素子構造のもとで、作用に述べた
原理により、帯域４ＧＨｚ、外部量子効率９０％のＰＩ
Ｎ−ＰＤを実現した。また本素子の動作電圧は５Ｖであ
る。
原理により、帯域４ＧＨｚ、外部量子効率９０％のＰＩ
Ｎ−ＰＤを実現した。また本素子の動作電圧は５Ｖであ
る。
【００１８】本発明による素子構造は、具体的には、Ｍ
ＯＶＰＥ、ＭＢＥ、ガスソースＭＢＥ等の成長技術によ
り、作製することができる。
ＯＶＰＥ、ＭＢＥ、ガスソースＭＢＥ等の成長技術によ
り、作製することができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明により、０．６μm 帯の光通信に
使用されるＰＩＮ−ＰＤにおいて、受光径５００μm
φ、且つ、帯域３ＧＨｚ以上の高速特性を有する高量子
効率な素子を提供することができる。
使用されるＰＩＮ−ＰＤにおいて、受光径５００μm
φ、且つ、帯域３ＧＨｚ以上の高速特性を有する高量子
効率な素子を提供することができる。
【図１】本発明の実施例の素子構造の概略図とその等価
回路図である。
回路図である。
【図２】ＳｉとＧａＡｓの光波長と吸収係数の関係を示
しめす図である。
しめす図である。
【図３】半導体受光素子のバンド構造と光吸収分布を示
す図である。
す図である。
【図４】本発明の実施例のバンド図である。
【図５】本発明の実施例を説明するための構造図であ
る。
る。
【図６】従来例のＳｉのＰＩＮ−ＰＤの構造図である。
２ ｎ+ 型ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ- 型ＧａＡｓ光吸収層 ４ ｐ型ＧａＡｓ基板 ５ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ窓層 ６ ｎ- 型ＡｌＧａＡｓパイルアップ防止層 ７ ｐ+ 型受光領域 ８ ＳｉＮX パッシベーション膜 ９ ｎ側オーミック電極 １０ ｐ側オーミック電極 １１ 入射光 １２ Ｓｉ光吸収層 １３ ＳｉＯ2 パッシベーション膜
Claims (4)
- 【請求項１】半導体基板上に光吸収層を積層して形成す
る半導体受光素子において、前記半導体受光素子の構造
内に２つ以上のｐｎ接合を有することを特徴とする半導
体受光素子。 - 【請求項２】前記半導体受光素子は光吸収層が０．６μ
ｍ帯光に感度を有するＧａＡｓで形成することを特徴と
する請求項１記載の半導体受光素子。 - 【請求項３】前記半導体受光素子はウインドー構造を持
ち、表面再結合を抑制する前記ウインドー構造がＡｌＧ
ａＩｎＰで形成されていることを特徴とする請求項２記
載の半導体受光素子。 - 【請求項４】前記半導体受光素子はＧａＡｓ光吸収層と
ＡｌＧａＩｎＰ窓層との間にＡｌＧａＡｓ層を配置した
ことを特徴とする請求項３記載の半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6273816A JPH08139355A (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6273816A JPH08139355A (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139355A true JPH08139355A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17532964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6273816A Pending JPH08139355A (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08139355A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7768048B2 (en) | 2003-09-09 | 2010-08-03 | Asahi Kasei Emd Corporation | Infrared sensor IC, and infrared sensor and manufacturing method thereof |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61220480A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Toshiba Corp | 半導体受光装置 |
| JPH01239975A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光非線形素子およびその作製方法 |
| JPH022691A (ja) * | 1988-06-17 | 1990-01-08 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| JPH04137768A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Toshiba Corp | 化合物半導体光電交換装置 |
| JPH04280678A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
-
1994
- 1994-11-08 JP JP6273816A patent/JPH08139355A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61220480A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Toshiba Corp | 半導体受光装置 |
| JPH01239975A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光非線形素子およびその作製方法 |
| JPH022691A (ja) * | 1988-06-17 | 1990-01-08 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| JPH04137768A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Toshiba Corp | 化合物半導体光電交換装置 |
| JPH04280678A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7768048B2 (en) | 2003-09-09 | 2010-08-03 | Asahi Kasei Emd Corporation | Infrared sensor IC, and infrared sensor and manufacturing method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970513 |