JPH08130359A - 金属薄膜パターン形成法 - Google Patents
金属薄膜パターン形成法Info
- Publication number
- JPH08130359A JPH08130359A JP6304141A JP30414194A JPH08130359A JP H08130359 A JPH08130359 A JP H08130359A JP 6304141 A JP6304141 A JP 6304141A JP 30414194 A JP30414194 A JP 30414194A JP H08130359 A JPH08130359 A JP H08130359A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- metal thin
- substrate
- laser beam
- long
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エキシマレーザ光によって厚い金属薄膜でも
シャープなパターンの形成を可能にすることを目的とす
る。 【構成】 基板の表面に形成された金属薄膜の表面に、
長鎖高分子材料からなる薄膜を配置する。この薄膜の表
面からエキシマレーザ光をパターン転写して照射する。
レーザ光が長鎖高分子材料の薄膜に照射されると、その
照射部分における分子間の結合鎖が切断され、アブレー
ションを起こす。このアブレーションの発生によってそ
の照射部分からの溶発分子が超音速で外部に飛散する。
この飛散の際の反作用により、レーザ光の照射部分には
金属薄膜の表面に向かって強い圧力が発生する。この圧
力により金属薄膜に歪みが生じ、基板から剥離する。
シャープなパターンの形成を可能にすることを目的とす
る。 【構成】 基板の表面に形成された金属薄膜の表面に、
長鎖高分子材料からなる薄膜を配置する。この薄膜の表
面からエキシマレーザ光をパターン転写して照射する。
レーザ光が長鎖高分子材料の薄膜に照射されると、その
照射部分における分子間の結合鎖が切断され、アブレー
ションを起こす。このアブレーションの発生によってそ
の照射部分からの溶発分子が超音速で外部に飛散する。
この飛散の際の反作用により、レーザ光の照射部分には
金属薄膜の表面に向かって強い圧力が発生する。この圧
力により金属薄膜に歪みが生じ、基板から剥離する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属薄膜パターン形成
法、特にエキシマレーザ光を利用する金属薄膜パターン
形成法に関する。
法、特にエキシマレーザ光を利用する金属薄膜パターン
形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば電子機器に使用されるプリント
基板は、金版の表面に金属薄膜を形成し、この金属薄膜
を所要のパターンにしたがって加工することによって製
作される。通常このパターン形成にはエッチング法が利
用されているが、これによるとレジストの塗布、除去、
エッチング処理など、多数の工程を必要とするので、極
めて面倒である。
基板は、金版の表面に金属薄膜を形成し、この金属薄膜
を所要のパターンにしたがって加工することによって製
作される。通常このパターン形成にはエッチング法が利
用されているが、これによるとレジストの塗布、除去、
エッチング処理など、多数の工程を必要とするので、極
めて面倒である。
【０００３】これを解決するために、金属薄膜に直接エ
キシマレーザ光をパターン転写して照射を行なうことが
考えられている。これはレーザ光が照射された金属膜部
分のみを基板から剥離させて、任意のパターンを形成す
る方法である。これによればレーザ光の照射のみでよ
く、エッチング法のように多数の工程は不要であり、ク
リーンな加工が可能となる。
キシマレーザ光をパターン転写して照射を行なうことが
考えられている。これはレーザ光が照射された金属膜部
分のみを基板から剥離させて、任意のパターンを形成す
る方法である。これによればレーザ光の照射のみでよ
く、エッチング法のように多数の工程は不要であり、ク
リーンな加工が可能となる。
【０００４】周知のようにエキシマレーザ光は、紫外か
ら真空紫外域の光子エネルギーの大きな光であり、また
数十ｎｓの短パルスでレーザを発振するため、数ＭＷ以
上の非常に高いパワーの光であり、周囲に熱が拡散する
ことがない。したがって加工周辺部に熱影響を与えるこ
となく、高品位の加工が可能となる。
ら真空紫外域の光子エネルギーの大きな光であり、また
数十ｎｓの短パルスでレーザを発振するため、数ＭＷ以
上の非常に高いパワーの光であり、周囲に熱が拡散する
ことがない。したがって加工周辺部に熱影響を与えるこ
となく、高品位の加工が可能となる。
【０００５】しかしこのように金属薄膜にレーザ光を直
接照射してパターンを形成する方法によるときは、その
加工が可能な金属の膜厚は、せいぜい０．３μｍ以下に
限られている。その理由は、この方法による金属薄膜の
剥離のメカニズムは、レーザ照射による局部的な熱歪み
によるものであるが、金属薄膜が厚くなると、この熱歪
みが金属薄膜の下面まで達しないようになり、そのため
に金属薄膜が基板の表面から剥離しないことに基づく。
接照射してパターンを形成する方法によるときは、その
加工が可能な金属の膜厚は、せいぜい０．３μｍ以下に
限られている。その理由は、この方法による金属薄膜の
剥離のメカニズムは、レーザ照射による局部的な熱歪み
によるものであるが、金属薄膜が厚くなると、この熱歪
みが金属薄膜の下面まで達しないようになり、そのため
に金属薄膜が基板の表面から剥離しないことに基づく。
【０００６】厚みのある金属薄膜に対しては、多量のレ
ーザ光を照射して熱的に溶融加工する方法も考えられる
が、そのときの熱影響によりシャープな加工は期待でき
ないし、また基板そのものを損傷してしまう可能性があ
る。
ーザ光を照射して熱的に溶融加工する方法も考えられる
が、そのときの熱影響によりシャープな加工は期待でき
ないし、また基板そのものを損傷してしまう可能性があ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、厚い金属薄
膜でもシャープなパターンの形成を可能にすることを目
的とする。
膜でもシャープなパターンの形成を可能にすることを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板の表面に
形成された金属薄膜の表面に、長鎖高分子材料からなる
膜を配置し、その表面からエキシマレーザ光をパターン
転写して照射することを特徴とする。
形成された金属薄膜の表面に、長鎖高分子材料からなる
膜を配置し、その表面からエキシマレーザ光をパターン
転写して照射することを特徴とする。
【０００９】
【作用】レーザ光が長鎖高分子材料（ポリマー）の膜に
照射されると、その照射部分における分子間の結合鎖が
切断され、アブレーション（溶発）を起こす。このアブ
レーションの発生によってその照射部分からの溶発分子
が超音速で外部に飛散するが、この飛散の際の反作用に
より、レーザ光の照射部分には金属薄膜の表面に向かっ
て強い圧力が発生する。
照射されると、その照射部分における分子間の結合鎖が
切断され、アブレーション（溶発）を起こす。このアブ
レーションの発生によってその照射部分からの溶発分子
が超音速で外部に飛散するが、この飛散の際の反作用に
より、レーザ光の照射部分には金属薄膜の表面に向かっ
て強い圧力が発生する。
【００１０】レーザ光による長鎖高分子材料による膜の
加工の終盤において、この膜が全て除去されると同時
に、このアブレーションの圧力により金属薄膜に歪みが
生じ、この歪みによって金属薄膜は基板の表面から剥離
する。このアブレーションにより発生する圧力による歪
みは、従来例における金属薄膜の熱歪みよりも遥かに大
きく、したがって膜厚の厚い金属薄膜であっても、確実
に基板の表面から剥離するようになる。そしてこのよう
に熱歪みによる剥離は、熱的に溶融するものではないた
め、シャープな加工が可能となる。
加工の終盤において、この膜が全て除去されると同時
に、このアブレーションの圧力により金属薄膜に歪みが
生じ、この歪みによって金属薄膜は基板の表面から剥離
する。このアブレーションにより発生する圧力による歪
みは、従来例における金属薄膜の熱歪みよりも遥かに大
きく、したがって膜厚の厚い金属薄膜であっても、確実
に基板の表面から剥離するようになる。そしてこのよう
に熱歪みによる剥離は、熱的に溶融するものではないた
め、シャープな加工が可能となる。
【００１１】
【実施例】本発明の実施例を図１によって説明する。１
はセラミック、ガラスエポキシ、プラスチック、ガラス
などからなる基板、２は金属薄膜で、これは銅、鉄、ニ
ッケル等の材料からなり、メッキ、蒸着などにより基板
１の表面に積層される。３はマスクで、このマスクを通
してエキシマレーザ光４が照射される。図の例はマスク
３を基板１の上に設置するコンタクトマスク法による場
合を示しているが、これに代えてマスクイメージを転写
レンズにより基板に転写するマスク転写法によってもよ
い。
はセラミック、ガラスエポキシ、プラスチック、ガラス
などからなる基板、２は金属薄膜で、これは銅、鉄、ニ
ッケル等の材料からなり、メッキ、蒸着などにより基板
１の表面に積層される。３はマスクで、このマスクを通
してエキシマレーザ光４が照射される。図の例はマスク
３を基板１の上に設置するコンタクトマスク法による場
合を示しているが、これに代えてマスクイメージを転写
レンズにより基板に転写するマスク転写法によってもよ
い。
【００１２】以上の構成は従来例と特に相違するもので
はないが、本発明にしたがい、金属薄膜２の表面に、長
鎖高分子材料からなる膜、たとえば薄膜５を配置する。
この薄膜５としては、長鎖高分子材料はレーザ光の照射
によってアブレーションされる物性を備えている。具体
的には高分子ポリイミド、ポリプロピレンなどが利用で
きる。
はないが、本発明にしたがい、金属薄膜２の表面に、長
鎖高分子材料からなる膜、たとえば薄膜５を配置する。
この薄膜５としては、長鎖高分子材料はレーザ光の照射
によってアブレーションされる物性を備えている。具体
的には高分子ポリイミド、ポリプロピレンなどが利用で
きる。
【００１３】薄膜５の膜厚としては、数μｍ〜数十μｍ
程度でよく、これを金属薄膜２の表面に設置する。その
設置方法としては、その膜を直接金属薄膜２の表面に設
置するか、または長鎖高分子材料の溶液を塗布するよう
にしてもよい。
程度でよく、これを金属薄膜２の表面に設置する。その
設置方法としては、その膜を直接金属薄膜２の表面に設
置するか、または長鎖高分子材料の溶液を塗布するよう
にしてもよい。
【００１４】レーザ光４はマスク３を通過して薄膜５に
照射される。この照射によって薄膜５はアブレーション
加工されるが、この加工時にはレーザ照射によりエネル
ギーが吸収され、薄膜５内において分子間の結合が切断
され、照射部分６から溶発分子７が超音速で外部に飛散
する。この飛散の際の反作用により、レーザ光の照射部
分６には金属薄膜２の表面に向かって強い圧力８が発生
する。
照射される。この照射によって薄膜５はアブレーション
加工されるが、この加工時にはレーザ照射によりエネル
ギーが吸収され、薄膜５内において分子間の結合が切断
され、照射部分６から溶発分子７が超音速で外部に飛散
する。この飛散の際の反作用により、レーザ光の照射部
分６には金属薄膜２の表面に向かって強い圧力８が発生
する。
【００１５】このようにして薄膜５の加工が進行し、そ
の終盤において照射部分６の薄膜５が全て除去されると
同時に、このアブレーションの際の反作用に基づく圧力
により、照射部分６に対応する薄膜金属２の部分に歪み
が生じ、その金属薄膜２の部分は基板１の表面から剥離
する。図３はその剥離後の状態を示す。加工後は薄膜５
を除去してパターン形成は終了する。
の終盤において照射部分６の薄膜５が全て除去されると
同時に、このアブレーションの際の反作用に基づく圧力
により、照射部分６に対応する薄膜金属２の部分に歪み
が生じ、その金属薄膜２の部分は基板１の表面から剥離
する。図３はその剥離後の状態を示す。加工後は薄膜５
を除去してパターン形成は終了する。
【００１６】このアブレーションによる圧力に基づく歪
みは、従来例によるレーザ光の照射に基づく熱歪みより
も遥かに大きく、したがって金属薄膜２は従来例に較べ
て基板１より容易に剥離する。具体的には本発明によれ
ば膜厚が１μｍ程度の金属薄膜でも、確実に剥離するこ
とが確かめられている。そしてこの剥離はレーザ光によ
り熱的に溶融加工するものとは相違するので、シャープ
に剥離することができる。更に基板１に対して金属薄膜
２が強固に密着していることにより、従来法では剥離が
不可能であるような場合でも、本発明方法によれば、そ
の剥離は可能である。
みは、従来例によるレーザ光の照射に基づく熱歪みより
も遥かに大きく、したがって金属薄膜２は従来例に較べ
て基板１より容易に剥離する。具体的には本発明によれ
ば膜厚が１μｍ程度の金属薄膜でも、確実に剥離するこ
とが確かめられている。そしてこの剥離はレーザ光によ
り熱的に溶融加工するものとは相違するので、シャープ
に剥離することができる。更に基板１に対して金属薄膜
２が強固に密着していることにより、従来法では剥離が
不可能であるような場合でも、本発明方法によれば、そ
の剥離は可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板の表面の金属薄膜をエキシマレーザ光によってパター
ン形成するにあたり、この金属薄膜として膜厚が厚いも
のであっても、基板の表面に長鎖高分子材料の膜を配置
することにより、シャープにパターン加工を可能とする
ことができる効果を奏する。
板の表面の金属薄膜をエキシマレーザ光によってパター
ン形成するにあたり、この金属薄膜として膜厚が厚いも
のであっても、基板の表面に長鎖高分子材料の膜を配置
することにより、シャープにパターン加工を可能とする
ことができる効果を奏する。
【図１】本発明の実施例方法を示す斜視図である。
【図２】加工状態を説明するための断面図である。
【図３】加工後の状態を示す断面図である。
１ 基板 ２ 金属薄膜 ３ マスク ４ エキシマレーザ ５ 長鎖高分子材料からなる薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板の表面に形成された金属薄膜の表面
に、エキシマレーザ光の照射によりアブレーションを発
生する長鎖高分子材料からなる膜を配置し、前記膜の表
面からエキシマレーザ光をパターン転写して照射するこ
とを特徴とする金属薄膜パターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6304141A JPH08130359A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 金属薄膜パターン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6304141A JPH08130359A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 金属薄膜パターン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08130359A true JPH08130359A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17929544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6304141A Pending JPH08130359A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 金属薄膜パターン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08130359A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110773878A (zh) * | 2019-09-17 | 2020-02-11 | 昆山市柳鑫电子有限公司 | 一种自动切除陶瓷覆铜板溢出钎料的装置及方法 |
-
1994
- 1994-10-31 JP JP6304141A patent/JPH08130359A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110773878A (zh) * | 2019-09-17 | 2020-02-11 | 昆山市柳鑫电子有限公司 | 一种自动切除陶瓷覆铜板溢出钎料的装置及方法 |
| CN110773878B (zh) * | 2019-09-17 | 2022-05-17 | 昆山市柳鑫电子有限公司 | 一种自动切除陶瓷覆铜板溢出钎料的装置及方法 |
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