JPH0812823A - 電気絶縁性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電気絶縁用、特に高圧ケーブル、及びこれら
の接続部、端末部等の高圧電気絶縁性用部材として好適
な電気絶縁性組成物を提供する。 【構成】 低密度ポリエチレン１００重量部に対して、
３，４−イソプレン−スチレンジブロック共重合体、
３，４−イソプレン−スチレントリブロック共重合体、
水素添加３，４−イソプレン−スチレンジブロック共重
合体、及び水素添加３，４−イソプレン−スチレントリ
ブロック共重合体の少なくとも１種または２種以上を３
〜６０重量部配合してなることを特徴とする電気絶縁性
組成物とすることで、高度な電気特性を有し、特にイン
パルス破壊特性、及び高温下におけるインパルス破壊特
性に優れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電気絶縁用、特に高圧
ケーブル、及びこれらの接続部、端末部等の高圧電気絶
縁部材として好適な電気絶縁性組成物に関するものであ
る。

【０００２】

【従来技術および発明が解決しようとする課題】最近、
電力ケーブルに要求される電圧階級は年々大きく上昇
し、より高度な信頼性が求められている。かかる電力ケ
ーブルの電気絶縁性組成物として、従来まで低密度ポリ
エチレン、または架橋ポリエチレンが汎用されていた。
ところで、当該電力ケーブルには落雷等の事故により、
瞬間的ではあるが、大きな電圧が負荷されることがあ
る。このため、電力ケーブルに用いられる電気絶縁材料
にはこのような事故に対応する強い抵抗力を有すること
が重要となり、衝撃破壊電圧特性（インパルス破壊特
性）が重要な特性となる。

【０００３】また、大容量の電力ケーブルの運転時にお
ける、導体の発熱により９０℃程度の高温となり、これ
ら大容量電力ケーブルの絶縁層は、かかる高温度におい
てもインパルス破壊特性が良好なことが要求される。す
なわち、該電力ケーブルの事故時においては、絶縁層が
９０℃付近の高温の状態においても前記したインパルス
破壊特性に優れることが必要となる。

【０００４】しかしながら、従来までの低密度ポリエチ
レン、または架橋ポリエチレンの絶縁層とする電力ケー
ブルはインパルス破壊特性、特に９０℃のおけるインパ
ルス破壊特性が必ずしも十分とは言えなかった。

【０００５】本発明者らは、インパルス破壊特性が良好
な電気絶縁用、特に高圧ケーブル、及びこれらの接続
部、端末部等の高圧電気絶縁部材として好適な電気絶縁
性組成物について鋭意研究を重ねた結果、低密度ポリエ
チレンに対して、３，４−イソプレン−スチレンジブロ
ック共重合体、３，４−イソプレン−スチレントリブロ
ック共重合体、水素添加３，４−イソプレン−スチレン
ジブロック共重合体、及び水素添加３，４−イソプレン
−スチレントリブロック共重合体の少なくとも１種また
は２種以上を配合した組成物は、高度な電気特性を有
し、特にインパルス破壊特性、及び高温下におけるイン
パルス破壊特性が極めて良好であることを見出し、本発
明するに至った。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記課題は、低密度ポリ
エチレン１００重量部に対して、３，４−イソプレン−
スチレンジブロック共重合体、３，４−イソプレン−ス
チレントリブロック共重合体、水素添加３，４−イソプ
レン−スチレンジブロック共重合体、及び水素添加３，
４−イソプレン−スチレントリブロック共重合体の少な
くとも１種または２種以上を３〜６０重量部配合してな
ることを特徴とする電気絶縁性組成物によって解決され
る。好ましくはＪＩＳ Ｋ６７６０によって測定された
メルトインデックス及び密度がそれぞれ０．２〜３．０
ｇ／１０ｍｉｎ、０．９１５〜０．９２５ｇ／ｃｍ³ で
ある低密度ポリエチレン１００重量部に対して、３，４
−イソプレン−スチレンジブロック共重合体、３，４−
イソプレン−スチレントリブロック共重合体、水素添加
３，４−イソプレン−スチレンジブロック共重合体、及
び水素添加３，４−イソプレン−スチレントリブロック
共重合体の少なくとも１種または２種以上を３〜６０重
量部配合してなることを特徴とする電気絶縁性組成物に
よって解決される。

【０００７】

【作用】低密度ポリエチレン１００重量部に対して、
３，４−イソプレン−スチレンジブロック共重合体、
３，４−イソプレン−スチレントリブロック共重合体、
水素添加３，４−イソプレン−スチレンジブロック共重
合体、及び水素添加３，４−イソプレン−スチレントリ
ブロック共重合体の少なくとも１種または２種以上を３
〜６０重量部配合した組成物とすることで、高度な電気
特性を有し、特にインパルス破壊特性、及び高温下にお
けるインパルス破壊特性が極めて良好となる。

【０００８】次に本発明で用いる材料について詳細に説
明する。本発明に用いる低密度ポリエチレンとしては、
いわゆる高圧法による低密度ポリエチレンであって、例
えばエチレンを酸素、ペルオキシド、アゾ化合物等の開
始剤により１０００〜２０００気圧程度、１５０〜２５
０℃程度の条件下にて重合されたものである。

【０００９】本発明に用いる低密度ポリエチレンは、い
わゆる高圧法による低密度ポリエチレンであれば、公知
の低密度ポリエチレンを用いることができるが、例えば
ＪＩＳ Ｋ６７６０によって測定されたメルトインデッ
クス（以下、単にメルトインデックスという）が０．１
〜４．０、好ましくは０．２〜３．０、就中０．８〜
１．３ｇ／１０ｍｉｎ、ＪＩＳ Ｋ６７６０によって測
定した密度（以下、単に密度という）が０．９０５〜
０．９３０、好ましくは０．９１５〜０．９２５ｇ／ｃ
ｍ³ 就中０．９１８〜０．９２２ｇ／ｃｍ³ である。メ
ルトインデックスが０．１ｇ／１０ｍｉｎよりも小さ
い、または４．０ｇ／１０ｍｉｎよりも大きいものは成
型加工性に劣る傾向にある。また、密度が０．９０５ｇ
／ｃｍ³ よりも小さいもの、０．９３０ｇ／ｃｍ³ より
も大きいものはインパルス破壊強度に劣る傾向にある。

【００１０】また、本発明に用いる低密度ポリエチレン
は、破断点伸びは４５０〜８００％、就中５３０〜７５
０％、熱分析（ＤＳＣ）法による融点が１００〜１１５
℃、好ましくは１０５〜１１０℃であるものを用いるこ
とが好ましい。破断点伸びは４５０％よりも小さくて
も、８００％よりも大きくても機械的強度の点で問題が
生じる傾向がある。熱分析（ＤＳＣ）法による融点が１
００℃未満のものでは、機械的強度の点で問題が生じる
傾向にあり、１１０℃よりも大きいものはインパルス破
壊強度に劣る傾向にある。なお、熱分析（ＤＳＣ）法に
よる融点の測定方法は、具体的には昇温速度１０℃／ｍ
ｉｎ、窒素ガス雰囲気（１００ｍｌ／ｍｉｎ）条件下で
行なう。

【００１１】上記の中でも、ＪＩＳ Ｋ６７６０によっ
て測定されたメルトインデックス及び密度がそれぞれ
０．２〜３．０ｇ／１０ｍｉｎ、０．９１５〜０．９２
５ｇ／ｃｍ³ であるものが好ましく、特にＪＩＳ Ｋ６
７６０によって測定されたメルトインデックス及び密度
がそれぞれ０．２〜３．０ｇ／１０ｍｉｎ、０．９１５
〜０．９２５ｇ／ｃｍ³ であって、かつ熱分析（ＤＳ
Ｃ）法による融点が１０５〜１１０℃であるものが好ま
しい。

【００１２】上記低密度ポリエチレンに市販品として
は、三菱油化社製ＺＦ−３０Ｒ（メルトインデックス
１．１ｇ／１０ｍｉｎ、密度０．９２０ｇ／ｃｍ³ ）、
三菱油化社製ＨＥ−３０（メルトインデックス０．３ｇ
／１０ｍｉｎ、密度０．９２０ｇ／ｃｍ³ ）、三菱油化
社製ＺＦ−５０（メルトインデックス０．７ｇ／１０ｍ
ｉｎ、密度０．９２４ｇ／ｃｍ³ ）、宇部興産社製ＵＢ
ＥＣ５３０（メルトインデックス１．１ｇ／１０ｍｉ
ｎ、密度０．９２０ｇ／ｃｍ³ ）、住友化学社製スミカ
センＣ−２１５（メルトインデックス１．４ｇ／１０ｍ
ｉｎ、密度０．９２０ｇ／ｃｍ³ ）、日本石油社製Ｗ−
３００（メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ、密
度０．９１９ｇ／ｃｍ³ ）等が挙げられる。特に三菱油
化社製ＺＦ−３０Ｒ（メルトインデックス１．１ｇ／１
０ｍｉｎ、密度０．９２０ｇ／ｃｍ³ ）は好適に用いら
れる。

【００１３】本発明で用いる３，４−イソプレン−スチ
レンジブロック共重合体としては、３，４−ポリイソプ
レンブロック部分とポリスチレンブロック部分とが結合
されたものであり、公知の３，４−イソプレン−スチレ
ンジブロック共重合体を用いることができる。重量平均
分子量は、通常１０万〜５０万、好ましくは２０万〜４
０万、さらに好ましくは３０〜３７万である。また、
３，４−イソプレン−スチレンジブロック共重合体にお
けるポリスチレンブロック部分の比率は、５〜３５重量
％、好ましくは７〜３０重量％、より好ましくは１０〜
２５重量％である。また、本発明で用いる水素添加３，
４−イソプレン−スチレンジブロック共重合体として
は、公知のものを適宜用いることができるが、好ましく
は上記の３，４−イソプレン−スチレンジブロック共重
合体に水素を４０〜９０重量％、さらに好ましくは５０
〜８０重量％、より好ましくは６０〜７５重量％程度添
加したものである。

【００１４】また、本発明で用いる３，４−イソプレン
−スチレントリブロック共重合体としては、３，４−イ
ソプレンブロック部分の両端にポリスチレンブロック部
分が結合されたものであり、公知の３，４−イソプレン
−スチレントリブロック共重合体を用いることができ
る。重量平均分子量は通常７万〜３０万、好ましくは１
０万〜２０万、さらに好ましくは１３〜１７万である。
また、３，４−イソプレン−スチレントリブロック共重
合体におけるポリスチレンブロック部分の比率は、１０
〜３０重量％、好ましくは１５〜２５重量％、より好ま
しくは１８〜２２重量％である。また、本発明で用いる
水素添加３，４−イソプレン−スチレントリブロック共
重合体としては、公知のものを適宜用いることができる
が、好ましく上記の３，４−イソプレン−スチレントリ
ブロック共重合体に水素を４０〜９０重量％、さらに好
ましくは５０〜８０重量％、より好ましくは６０〜７５
重量％程度添加したものである。

【００１５】３，４−イソプレン−スチレンジブロック
共重合体、３，４−イソプレン−スチレントリブロック
共重合体、水素添加３，４−イソプレン−スチレンジブ
ロック共重合体、及び水素添加３，４−イソプレン−ス
チレントリブロック共重合体の少なくとも１種または２
種以上の配合量は、低密度ポリエチレン１００重量部に
対して、３〜６０重量部、好ましくは１０〜５０重量
部、さらに好ましくは１０〜４０重量部配合である。３
重量部未満であるとインパルス破壊特性が低下する傾向
にあり、また６０重量部よりも大きくてもしてインパル
ス破壊特性が低下する傾向にある。

【００１６】本発明の絶縁性組成物は必要に応じて架橋
して用いてもよい。この場合、架橋剤として、ジアルキ
ルパーオキサイド、ジアルコキシパーオキサイド、ジア
シルパーオキサイド等の有機過酸化物が用いられる。例
えば、ジクミルパーオキサイド、ジターシャリーブチル
パーオキサイド等を適宜用いればよい。また、テトラメ
チルチウラムジサルファイド、ジベンゾチアジルジサル
ファイド、ジブチルジチオジチカルバミン亜鉛等の有機
硫黄化合物及び硫黄とこれらの化合物との混合物を用い
ることができる。これらの中で、ジクミルパーオキサイ
ド、ジターシャリーブチルパーオキサイドが好ましい。
本発明の電気絶縁性組成物を架橋剤によって架橋する場
合には、１５０〜２９０℃、好ましくは１７０〜２５０
℃にて、１０〜１２０分間加熱処理すればよい。

【００１７】また、架橋は、シラン架橋タイプであって
もよい。例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルト
リエトキシシランのようなシラン化合物と、ジクミルオ
キサイド、ヒドロキシペプチルオキサイド等のラジカル
発生剤とにより低密度ポリエチレンにグラフトさせ、該
シラングラフト化された低密度ポリエチレンをジブチル
チンジウラレート、ジブチルチンジアセテート等のシラ
ノール縮合触媒を添加混合し、水分存在下で架橋すれば
よい。

【００１８】また、本発明の組成物は電子線照射によっ
て架橋してもよい。電子線の照射量は通常２〜３０Ｍｒ
ａｄ程度である。

【００１９】さらに本発明の組成物を架橋するときには
架橋助剤を配合してもよい。架橋助剤としては、ジビニ
ルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルイソフタレ
ート、４，４´−イソプロピリデンジフェノールビス
（ジエチレングリコールメタクリレート）エーテル、ト
リアリルトリメリテート、２，２´−ビス（４−アクリ
ロキシジエトキシフェニル）プロパン等の芳香族多官能
性化合物、ｓｙｎ−１，２−ポリブタジエン、１，４−
ブタンジオールジアクリレート、Ｎ，Ｎ´−メチレンビ
スアクリルアミド、エチレングリコールジメタアクリレ
ート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、トリ
メチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリス
リトールテトラメタクリレート、１，６−ヘキサジオー
ルメタクリレート、テトラヘキサンジオールジメタクリ
レート等の脂肪族多官能性化合物、トリアリルイソシア
ヌレート、トリアリルシアヌレート、トリアクリロイル
ヘキサヒドロ−１，３，５−トリアジン、ジアクリルク
ロレンデート等の脂肪族多官能性環状化合物、アルムニ
ウムアクリレート、アルミニウムメタクリレート、亜鉛
アクリレート、亜鉛メタクリレート、マグネシウムアク
リレート、マグネシウムメタクリレート、カルシウムア
クリレート、カルシウムメタクリレート、ジルコンアク
リレート、ジルコンメタクリレート等の含金属多官能性
化合物等を例示され、これらの１種または２種以上を
０．１〜３．０重量部程度添加すれば良い。上記架橋助
剤中、トリアリルイソシアヌレート、トリアリルシアヌ
レート、トリアクリロイルヘキサヒドロ−１，３，５−
トリアジンが好ましい。

【００２０】本発明の低密度ポリエチレン１００重量部
に対して、３，４−イソプレン−スチレンジブロック共
重合体、３，４−イソプレン−スチレントリブロック共
重合体、水素添加３，４−イソプレン−スチレンジブロ
ック共重合体、及び水素添加３，４−イソプレン−スチ
レントリブロック共重合体の少なくとも１種または２種
以上を３〜６０重量部配合してなる電気絶縁性組成物に
は、本発明の目的を損なわない程度に酸化防止剤、滑
剤、安定剤、充填剤、着色剤等を配合してもよい。

【００２１】酸化防止剤としては、ヒンダードフェノー
ル系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤等が例示される。
ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、公知もの
を使用でき、例えば、テトラキス［メチレン−３−
（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ノール）プロピオネート］（チバガイギー社製イルガノ
ックス１０１０）、２，２−チオ［ジエチル−ビス−３
−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェノール）プロピオネート］（チバガイギー社製イルガ
ノックス１０３５）、４，４´−チオビス（３−メチル
−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）（大内新興社製ノ
クラック３００）、４，４´−メチレン−ビス（３，５
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）（英ＩＣＩ社製ア
イオノックス２２０）、アミン系酸化防止剤としては、
例えばＮ，Ｎ´−ジ−β−ナフチル−ｐ−フェニレンジ
アミン（大内新興社製ノクラックホワイト）、Ｎ，Ｎ´
−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（大内新興社製
ノクラックＤＰ）、Ｎ，Ｎ´−ジイソプロピル−ｐ−フ
ェニレンジアミン（デユポン社製アンチオキシダントＮ
ｏ．２３）、Ｎ，Ｎ´−ビス（１−メチル−ヘプチル）
−ｐ−フェニレンジアミン（Ｅａｓｔｍａｎ ｃｈｅｍ
社製Ｅａｓｔｚｏｎｅ３０）、フェニル，ヘキシル−ｐ
−フェニレンジアミン（Ｐｅｎｎｗａｌｔ社製ＮＴＯ３
´３´）、Ｎ，Ｎ´−ジ−β−ナフチル−ｐ−フェニレ
ンジアミン（精工化学社製Ｎｏｎｆｅｌｅｘ Ｆ）、
Ｎ，Ｎ´−ビス（１−エチル，３−メチルペンチル）−
ｐ−フェニレンジアミン（ユニロイヤル社製Ｆｌｅｘｚ
ｏｎ８−Ｌ）、２−メルカプトメチルベンズイミダゾー
ル（大内新興社製ノクラックＭＭＢ）、２−メルカプト
メチルベンズイミダゾール亜鉛塩（大内新興社製ノクラ
ックＭＭＢＺ）等を挙げることができる。上記の酸化防
止剤の中でもヒンダードフェノール系酸化防止剤、特に
４，４´−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノール）が好ましい。

【００２２】滑剤としては、従来公知のものが広く使用
でき、例えばステアリン酸、及びステアリン酸亜鉛、ス
テアリン酸スズ、ステアリン酸カルシウム、ステアリン
酸鉛、ステアリン酸マグネシウム等のステアリン酸金属
塩、イソステアリン酸、酪酸、カプリン酸、カプロン
酸、ラウリン酸、オレイン酸、及びそれらの金属塩、ビ
ニルステアレート、ｎ−ブチルステアレート等の脂肪酸
エステル、ステアリン酸アミド、オキシステアリン酸ア
ミド、オレイン酸アミド、リシノール酸等の脂肪酸アマ
イド、パラフィン等の１種または２種以上が用いられ
る。

【００２３】本発明の電気絶縁性組成物は、通常の混練
手段によって、例えばバンバリーミキサー、ヘンシュル
ミキサー、ニーダ、ロール、ブレンダなどによって混練
され、次いで押出し機、射出成型機などの成型機を用い
て特定の製品形状、例えば電線用電気絶縁層、高圧ケー
ブルの接続部、端末部等の機器用高圧電気絶縁性用部
材、テープ、シート、スペーサー、プラグ、ソケット、
パイプ、絶縁棒、各種電装成型品、回路部品、封止材料
等に加工される。

【００２４】本発明の電気絶縁性組成物を電力ケーブル
の絶縁層として用いる場合には、公知の方法にて形成す
ればよい。例えば、加圧押出、チュービング法によって
導体上に連続形成される。また、６６ｋｖ以上程度の電
力ケーブルでは、内部半導電層、外部半導電層を適宜設
ければよい。導体上にセパレーターテープを施すもの、
絶縁層上にさらにシース層を設ける態様であってよい。

【００２５】本発明の絶縁性組成物を電力ケーブルの絶
縁体として用いる場合には、ケーブルの導体は、純銅、
軟銅、硬銅等の公知の導体を用いればよい。絶縁層の厚
さは、送電容量に応じて適宜設計すればよく、たとえば
１〜３０ｍｍ程度である。

【００２６】（実施例１〜２０、比較例１〜１０）表
１、表２に示す各成分をロールミルを用いて１２０℃に
て混練し、圧縮成型器中で１２０℃で１５分間溶融成型
し、厚さ０．３ｍｍのシートを得た。なお、架橋の場合
は、１８０℃で２０分間加熱プレス成型を行った。該シ
ートは室温または９０℃にてインパルス破壊特性試験を
行った。

【００２７】なお、実施例、比較例で用いた配合剤は、
以下の通りである。 １）低密度ポリエチレン（三菱油化社製、ＺＦ−３０
Ｒ、密度０．９２０ｇ／ｃｍ³ 、メルトインデックス
１．１ｇ／１０分、破断点伸び７４０％、ＤＳＣによる
融点１０６℃） ２）３，４−イソプレン−スチレンジブロック共重合体
（クラレ社製ＶＤ−２、重量平均分子量約３３万、スチ
レン含有率５．７重量％） ３）３，４−イソプレン−スチレンジブロック共重合体
（クラレ社製ＶＤ−３、重量平均分子量約３６万、スチ
レン含有率１１．４重量％） ４）３，４−イソプレン−スチレンジブロック共重合体
（クラレ社製ＶＤ−４、重量平均分子量約３６万、スチ
レン含有率２２．２重量％） ５）３，４−イソプレン−スチレンジブロック共重合体
（クラレ社製ＶＤ−５、重量平均分子量約３６万、スチ
レン含有率３０．８重量％） ６）３，４−イソプレン−スチレントリブロック共重合
体（クラレ社製ハイブラーＶＳ−１、スチレン含有率２
０重量％） ７）水素添加３，４−イソプレン−スチレントリブロッ
ク共重合体（クラレ社製ＨＶＳ−３、スチレン含有率２
０重量％） ８）ジクミルパーオキサイド（日本油脂製ＤＣＰ） ９）酸化防止剤（大内新興社製、Ｎ−３００、４，４´
−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノ
ール））

【００２８】（インパルス破壊特性試験）改良型ＭｃＫ
ｅｏｗｎ電極系にて１×４０μｓｅｃの負極インパルス
標準波を予想破壊電圧の７０％値を初期値として、室温
及び９０℃にて、５ｋｖ／３回印加のステップアップ昇
圧方式で課電した。なお、インパルス耐圧値は１条件に
つき１０試料のデータを採取し、ワイブル解析後、破壊
確率６３．３％における破壊値をもって、その試料のイ
ンパルス耐圧値とし、結果を表１及び表２に示した。

【００２９】

【表１】

【００３０】

【表２】

【００３１】本発明の絶縁性組成物は、非架橋の場合
で、低密度ポリエチレン単独よりもインパルス破壊電圧
が１０〜８０ｋｖ／ｍｍ大きく、また高温（９０℃）に
おいてもインパルス破壊電圧が３１〜９０ｋｖ／ｍｍ大
きい。また、架橋の場合においても、低密度ポリエチレ
ン単独よりもインパルス破壊電圧が２３〜５５ｋｖ／ｍ
ｍ大きく、また高温（９０℃）においてもインパルス破
壊電圧が５８〜７３ｋｖ／ｍｍ大きい。

【００３２】

【効果】本発明における絶縁性組成物は、電気破壊強度
等の電気特性、特に高温における、電気破壊強度が良好
である。したがって、高圧の電気絶縁体として極めて有
望なものであり、大容量の電力ケーブルの絶縁体として
適用でき、かつその信頼性が高まる。また、電気破壊強
度等の電気特性が優れているが故に、従来までの絶縁層
を低減することができ、電力ケーブルの小型化が図れ
る。

【表１】

【表１】

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 低密度ポリエチレン１００重量部に対し
   て、３，４−イソプレン−スチレンジブロック共重合
   体、３，４−イソプレン−スチレントリブロック共重合
   体、水素添加３，４−イソプレン−スチレンジブロック
   共重合体、及び水素添加３，４−イソプレン−スチレン
   トリブロック共重合体の少なくとも１種または２種以上
   を３〜６０重量部配合してなることを特徴とする電気絶
   縁性組成物。
2. 【請求項２】 上記低密度ポリエチレンが、ＪＩＳ Ｋ
   ６７６０によって測定されたメルトインデックス及び密
   度がそれぞれ０．２〜３．０ｇ／１０ｍｉｎ、０．９１
   ５〜０．９２５ｇ／ｃｍ³ である特許請求の範囲第１項
   記載の電気絶縁性組成物。