JPH08124917A - 表面保護膜、樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
表面保護膜、樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】封止型半導体装置の封止部材の剥離およびクラ
ックの防止。 【構成】封止型半導体装置の半導体素子の表面保護膜
を、下記（化１）により表される繰返し単位を５％以上
有するポリイミド前駆体を含む組成物を加熱硬化させる
ことにより形成する。ただし、Ｒ2は炭素数４以上の４
価の有機基、Ｘは−ＣＯＯ−、−ＣＯ−、−ＮＨＣＯＯ
−、−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ−、−ＮＨ−、−Ｎ
Ｒ5−または−ＣＨ2Ｏ−、Ｔは−（ＣＨ2）kＯＣＯ
Ｒ6、−Ｒ6または−（ＣＨ2）kＯＲ6、ｎ＝５〜１０
０、ｍ＝０〜９５、ｎ＋ｍ＝１００であり、ｐ＝１〜
２、ｋ＝２〜４。Ｒ6はＣ１〜４のアルキル基。 【化１】
ックの防止。 【構成】封止型半導体装置の半導体素子の表面保護膜
を、下記（化１）により表される繰返し単位を５％以上
有するポリイミド前駆体を含む組成物を加熱硬化させる
ことにより形成する。ただし、Ｒ2は炭素数４以上の４
価の有機基、Ｘは−ＣＯＯ−、−ＣＯ−、−ＮＨＣＯＯ
−、−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ−、−ＮＨ−、−Ｎ
Ｒ5−または−ＣＨ2Ｏ−、Ｔは−（ＣＨ2）kＯＣＯ
Ｒ6、−Ｒ6または−（ＣＨ2）kＯＲ6、ｎ＝５〜１０
０、ｍ＝０〜９５、ｎ＋ｍ＝１００であり、ｐ＝１〜
２、ｋ＝２〜４。Ｒ6はＣ１〜４のアルキル基。 【化１】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置およびその
製造方法と表面保護膜とに係り、特に、ポリイミドで表
面保護された半導体素子を樹脂で封止する樹脂封止型半
導体装置およびその製造方法と、半導体素子の保護に好
適な表面保護膜とに関する。
製造方法と表面保護膜とに係り、特に、ポリイミドで表
面保護された半導体素子を樹脂で封止する樹脂封止型半
導体装置およびその製造方法と、半導体素子の保護に好
適な表面保護膜とに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
では、半導体チップ表面の保護や封止樹脂からのα線に
よる半導体チップの誤動作防止のために、半導体素子表
面にポリイミド系樹脂から成る表面保護膜を形成し、そ
の上からモールド樹脂による封止を行っている。
では、半導体チップ表面の保護や封止樹脂からのα線に
よる半導体チップの誤動作防止のために、半導体素子表
面にポリイミド系樹脂から成る表面保護膜を形成し、そ
の上からモールド樹脂による封止を行っている。
【０００３】現在、このような樹脂封止型半導体装置の
実装は、面付実装方法により行われることが主流になり
つつある。面付実装方法では、半導体装置のリードとプ
リント基板配線とを仮止めし、半導体装置、基板全体を
加熱してはんだ付けを行う。加熱の方法としては、主に
赤外線による輻射熱を利用する方法（赤外線リフロ
ー）、あるいはフッ素系不活性液体の凝縮熱を利用する
方法（ベーパーフェーズリフロー）が用いられている。
実装は、面付実装方法により行われることが主流になり
つつある。面付実装方法では、半導体装置のリードとプ
リント基板配線とを仮止めし、半導体装置、基板全体を
加熱してはんだ付けを行う。加熱の方法としては、主に
赤外線による輻射熱を利用する方法（赤外線リフロ
ー）、あるいはフッ素系不活性液体の凝縮熱を利用する
方法（ベーパーフェーズリフロー）が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような実装方法で
は、樹脂封止型半導体装置内の吸湿水分が、はんだ付け
時の加熱によって急激に気化し、その蒸気圧で発生する
応力により、封止部材の樹脂にクラックが生じる場合が
あり、信頼性上の大きな問題となっている（日本機械学
会論文集（Ａ編）５５巻５１０号３５６〜３６３頁（１
９８９年発行））。
は、樹脂封止型半導体装置内の吸湿水分が、はんだ付け
時の加熱によって急激に気化し、その蒸気圧で発生する
応力により、封止部材の樹脂にクラックが生じる場合が
あり、信頼性上の大きな問題となっている（日本機械学
会論文集（Ａ編）５５巻５１０号３５６〜３６３頁（１
９８９年発行））。
【０００５】上記課題を解決するため、従来の樹脂封止
型半導体装置において発生した樹脂クラックについて解
析したところ、半導体チップ表面のポリイミド系樹脂と
封止樹脂との界面で剥離が発生し、これを発端として封
止樹脂にクラックが生じる現象が見られることがわかっ
た。この現象は、ポリイミド系樹脂と封止樹脂との接着
性が十分ではないことに起因すると考えられる。
型半導体装置において発生した樹脂クラックについて解
析したところ、半導体チップ表面のポリイミド系樹脂と
封止樹脂との界面で剥離が発生し、これを発端として封
止樹脂にクラックが生じる現象が見られることがわかっ
た。この現象は、ポリイミド系樹脂と封止樹脂との接着
性が十分ではないことに起因すると考えられる。
【０００６】そこで、本発明は、はんだ付け実装時の封
止部材のクラックや剥離を防止するに好適な半導体装置
を提供することを第１の目的とし、そのような半導体装
置の製造方法を提供することを第２の目的とし、さら
に、そのような半導体装置に用いるのに好適な表面保護
膜を提供することを第３の目的とするる。
止部材のクラックや剥離を防止するに好適な半導体装置
を提供することを第１の目的とし、そのような半導体装
置の製造方法を提供することを第２の目的とし、さら
に、そのような半導体装置に用いるのに好適な表面保護
膜を提供することを第３の目的とするる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の第１の目的を達成
するために、本発明では、下記一般式（化１）により表
される繰返し単位を５モル％以上有するポリイミド前駆
体を含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得ら
れるポリイミド膜を表面保護膜とする半導体素子と、樹
脂からなる封止部材とを備える半導体装置が提供され
る。半導体素子は、半導体集積回路素子および個別トラ
ンジスタ素子のいずれであってもよい。なお、本発明で
用いられるポリアミド酸およびポリイミドの重量平均分
子量は、通常、２万〜１０万である。
するために、本発明では、下記一般式（化１）により表
される繰返し単位を５モル％以上有するポリイミド前駆
体を含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得ら
れるポリイミド膜を表面保護膜とする半導体素子と、樹
脂からなる封止部材とを備える半導体装置が提供され
る。半導体素子は、半導体集積回路素子および個別トラ
ンジスタ素子のいずれであってもよい。なお、本発明で
用いられるポリアミド酸およびポリイミドの重量平均分
子量は、通常、２万〜１０万である。
【０００８】
【化１】
【０００９】（ただし、Ｒ1は３価または４価の芳香族
基、Ｒ2４個以上の炭素を含む４価の有機基、Ｔは１５
個以下の炭素を含む１価の有機基を、それぞれ表し、ｐ
は１または２である。また、Ｘは、−ＣＯＯ−、−ＣＯ
−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ
−、−ＮＨ−、−ＮＲ5−、−ＣＨ2Ｏ−のうちの少なく
ともいずれかであり、Ｒ5は、炭素数５個以下のアルキ
ル基である。） 上記ポリイミド前駆体は、下記一般式（化１）により表
される第１の繰返し単位と、下記一般式（化２）で表さ
れる第２の繰返し単位とからなり、一分子中に存在する
第１の繰返し単位の数をｎとし、第２の繰返し単位の数
をｍとするとき、ｎ＝５〜１００、ｍ＝０〜９５、ｎ＋
ｍ＝１００であることが望ましい。
基、Ｒ2４個以上の炭素を含む４価の有機基、Ｔは１５
個以下の炭素を含む１価の有機基を、それぞれ表し、ｐ
は１または２である。また、Ｘは、−ＣＯＯ−、−ＣＯ
−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ
−、−ＮＨ−、−ＮＲ5−、−ＣＨ2Ｏ−のうちの少なく
ともいずれかであり、Ｒ5は、炭素数５個以下のアルキ
ル基である。） 上記ポリイミド前駆体は、下記一般式（化１）により表
される第１の繰返し単位と、下記一般式（化２）で表さ
れる第２の繰返し単位とからなり、一分子中に存在する
第１の繰返し単位の数をｎとし、第２の繰返し単位の数
をｍとするとき、ｎ＝５〜１００、ｍ＝０〜９５、ｎ＋
ｍ＝１００であることが望ましい。
【００１０】
【化１】
【００１１】
【化２】
【００１２】（ただし、Ｒ1は３価または４価の芳香族
基、Ｒ2およびＲ3は４個以上の炭素を含む４価の有機
基、Ｒ4は４個以上の炭素を含む２価の有機基、Ｔは１
５個以下の炭素を含む１価の有機基を、それぞれ表し、
ｐは１または２である。また、Ｘは、−ＣＯＯ−、−Ｃ
Ｏ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ
−、−ＮＨ−、−ＮＲ5−、−ＣＨ2Ｏ−のうちの少なく
ともいずれかであり、Ｒ5は、炭素数５個以下のアルキ
ル基である。） 上記ポリイミド前駆体を加熱硬化して得られるポリイミ
ド膜は、封止材との極めて良好な接着性を有するため、
はんだリフロー時に内部水蒸気圧が高まってもモールド
樹脂から剥離しない。したがって、このポリイミド膜か
らなる半導体素子の表面保護膜を備える本発明の半導体
装置では、モールド樹脂のクラックや、モールド樹脂と
ポリイミド表面保護膜との界面での剥離が防止される。
これは、上記一般式（化１）および（化２）で表される
繰返し単位を備えるポリイミド前駆体の側鎖のＸとＴと
の結合が、ポリイミド膜とする際の加熱硬化の過程で切
れ、残った結合残基がモールド樹脂（特にエポキシ樹
脂）の硬化過程で結合（化学結合、あるいは、極性基ど
うしの強い相互作用）するためであると考えられる。
基、Ｒ2およびＲ3は４個以上の炭素を含む４価の有機
基、Ｒ4は４個以上の炭素を含む２価の有機基、Ｔは１
５個以下の炭素を含む１価の有機基を、それぞれ表し、
ｐは１または２である。また、Ｘは、−ＣＯＯ−、−Ｃ
Ｏ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ
−、−ＮＨ−、−ＮＲ5−、−ＣＨ2Ｏ−のうちの少なく
ともいずれかであり、Ｒ5は、炭素数５個以下のアルキ
ル基である。） 上記ポリイミド前駆体を加熱硬化して得られるポリイミ
ド膜は、封止材との極めて良好な接着性を有するため、
はんだリフロー時に内部水蒸気圧が高まってもモールド
樹脂から剥離しない。したがって、このポリイミド膜か
らなる半導体素子の表面保護膜を備える本発明の半導体
装置では、モールド樹脂のクラックや、モールド樹脂と
ポリイミド表面保護膜との界面での剥離が防止される。
これは、上記一般式（化１）および（化２）で表される
繰返し単位を備えるポリイミド前駆体の側鎖のＸとＴと
の結合が、ポリイミド膜とする際の加熱硬化の過程で切
れ、残った結合残基がモールド樹脂（特にエポキシ樹
脂）の硬化過程で結合（化学結合、あるいは、極性基ど
うしの強い相互作用）するためであると考えられる。
【００１３】上記ポリイミド前駆体組成物は、ポリイミ
ド前駆体のみからなるものでもよく、ポリイミド前駆体
と適当な溶剤とからなるものであってもよいが、ポリイ
ミド前駆体の他に、さらに、炭素−炭素二重結合を持つ
アミン化合物と、感光剤とを含むことが好ましい。前駆
体組成物に感光性を付与できるため、製造工程を簡略化
できるからである。また、その量は、ポリイミド前駆体
を１００重量部とするとき、炭素−炭素二重結合を持つ
アミン化合物が１〜４００重量部、感光剤が０.１〜３
０重量部であることが望ましい。このような組成であれ
ば、形成されるポリイミド膜の封止部材との接着性を損
なうことなく、感光性を付与することができるからであ
る。このように、感光性のアミン化合物と感光剤とを含
むポリイミド前駆体組成物においても、加熱硬化過程で
側鎖のＸとＴとの結合が切れ、残った結合残基がモール
ド樹脂と結合することにより、表面保護膜と封止部材と
の強い接着性が確保されることには変わりがない。
ド前駆体のみからなるものでもよく、ポリイミド前駆体
と適当な溶剤とからなるものであってもよいが、ポリイ
ミド前駆体の他に、さらに、炭素−炭素二重結合を持つ
アミン化合物と、感光剤とを含むことが好ましい。前駆
体組成物に感光性を付与できるため、製造工程を簡略化
できるからである。また、その量は、ポリイミド前駆体
を１００重量部とするとき、炭素−炭素二重結合を持つ
アミン化合物が１〜４００重量部、感光剤が０.１〜３
０重量部であることが望ましい。このような組成であれ
ば、形成されるポリイミド膜の封止部材との接着性を損
なうことなく、感光性を付与することができるからであ
る。このように、感光性のアミン化合物と感光剤とを含
むポリイミド前駆体組成物においても、加熱硬化過程で
側鎖のＸとＴとの結合が切れ、残った結合残基がモール
ド樹脂と結合することにより、表面保護膜と封止部材と
の強い接着性が確保されることには変わりがない。
【００１４】また、上記第２の目的を達成するために、
本発明では、 （１）半導体素子表面の少なくとも一部に、上記ポリイ
ミド前駆体を含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化さ
せて得られるポリイミドからなる表面保護膜を形成する
表面保護膜形成工程 （２）上記表面保護膜を備える半導体素子を外部端子に
搭載する素子搭載工程 （３）上記リードフレーム上に搭載した半導体素子を、
モールド樹脂で封止する封止工程 の３工程を、この順で備える樹脂封止型半導体装置の製
造方法が提供される。
本発明では、 （１）半導体素子表面の少なくとも一部に、上記ポリイ
ミド前駆体を含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化さ
せて得られるポリイミドからなる表面保護膜を形成する
表面保護膜形成工程 （２）上記表面保護膜を備える半導体素子を外部端子に
搭載する素子搭載工程 （３）上記リードフレーム上に搭載した半導体素子を、
モールド樹脂で封止する封止工程 の３工程を、この順で備える樹脂封止型半導体装置の製
造方法が提供される。
【００１５】上記前駆体膜形成工程で用いられるポリイ
ミド前駆体組成物は、上記ポリイミド前駆体に加えて、
さらに炭素−炭素二重結合を持つアミン化合物と、感光
剤とを含むことが好ましい。前駆体組成物に感光性を付
与できるからである。また、その量は、ポリイミド前駆
体を１００重量部とするとき、炭素−炭素二重結合を持
つアミン化合物が１〜４００重量部、感光剤が０．１〜
３０重量部であることが望ましい。このような組成であ
れば、形成されるポリイミド膜の封止部材との接着性を
損なうことなく、感光性を付与することができるからで
ある。
ミド前駆体組成物は、上記ポリイミド前駆体に加えて、
さらに炭素−炭素二重結合を持つアミン化合物と、感光
剤とを含むことが好ましい。前駆体組成物に感光性を付
与できるからである。また、その量は、ポリイミド前駆
体を１００重量部とするとき、炭素−炭素二重結合を持
つアミン化合物が１〜４００重量部、感光剤が０．１〜
３０重量部であることが望ましい。このような組成であ
れば、形成されるポリイミド膜の封止部材との接着性を
損なうことなく、感光性を付与することができるからで
ある。
【００１６】半導体素子の表面保護膜は、半導体素子基
板（ウェハ）の表裏一方の面のうち、外部端子との導通
を図るための配線を接続するボンディングパッド部と、
半導体素子間を切断するためのスクライブ領域とには表
面保護膜が存在しないようにできるものでなければなら
ない。上述のように、感光性を有するポリイミド前駆体
組成物を用いることは、表面保護膜の形成において、フ
ォトエッチング技術によりパターン化加工することがで
きるため、特に半導体素子の表面保護膜に適している。
板（ウェハ）の表裏一方の面のうち、外部端子との導通
を図るための配線を接続するボンディングパッド部と、
半導体素子間を切断するためのスクライブ領域とには表
面保護膜が存在しないようにできるものでなければなら
ない。上述のように、感光性を有するポリイミド前駆体
組成物を用いることは、表面保護膜の形成において、フ
ォトエッチング技術によりパターン化加工することがで
きるため、特に半導体素子の表面保護膜に適している。
【００１７】本発明の半導体装置およびその製造方法で
は、側鎖に極性置換基を有するポリイミド前駆体からポ
リイミド膜を形成することにより、ポリイミド膜と封止
樹脂がその界面で極性置換基の相互作用で接着性を向上
させることができる。この良好な接着性のため、本発明
の半導体装置および本発明の製造方法により作製された
半導体装置では、保護膜と封止部材との間の剥離や、封
止部材のクラック発生といった問題が回避される。
は、側鎖に極性置換基を有するポリイミド前駆体からポ
リイミド膜を形成することにより、ポリイミド膜と封止
樹脂がその界面で極性置換基の相互作用で接着性を向上
させることができる。この良好な接着性のため、本発明
の半導体装置および本発明の製造方法により作製された
半導体装置では、保護膜と封止部材との間の剥離や、封
止部材のクラック発生といった問題が回避される。
【００１８】
【作用】次に、本発明の半導体装置について、図１に示
すリード・オン・チップ型（以下、ＬＯＣ型と略す）の
樹脂封止型半導体装置を例に説明する。なお、本発明の
半導体装置は、ＬＯＣ型には限られず、チップ・オン・
リード型（以下、ＣＯＬ型と略す）など、他の形態の樹
脂封止型半導体装置であってもよい。
すリード・オン・チップ型（以下、ＬＯＣ型と略す）の
樹脂封止型半導体装置を例に説明する。なお、本発明の
半導体装置は、ＬＯＣ型には限られず、チップ・オン・
リード型（以下、ＣＯＬ型と略す）など、他の形態の樹
脂封止型半導体装置であってもよい。
【００１９】本発明の封止型半導体装置は、表面の少な
くとも一部にポリイミドからなる表面保護膜２を備える
半導体素子１と、外部端子３と、表面保護膜２を介して
半導体素子１および外部端子３を接着する接着部材４
と、半導体素子１および外部端子３間の導通を図るため
の配線５と、半導体素子１および配線５の全体を封止す
る封止部材６とを備える。表面保護膜２は、上記ポリイ
ミド前駆体を加熱硬化して得られるポリイミドからな
る。なお、図１に示す半導体装置では、外部端子３はリ
ードフレームを兼ねている。
くとも一部にポリイミドからなる表面保護膜２を備える
半導体素子１と、外部端子３と、表面保護膜２を介して
半導体素子１および外部端子３を接着する接着部材４
と、半導体素子１および外部端子３間の導通を図るため
の配線５と、半導体素子１および配線５の全体を封止す
る封止部材６とを備える。表面保護膜２は、上記ポリイ
ミド前駆体を加熱硬化して得られるポリイミドからな
る。なお、図１に示す半導体装置では、外部端子３はリ
ードフレームを兼ねている。
【００２０】また、ＣＯＬ型の樹脂封止型半導体装置の
例として、図３に個別トランジスタ装置を示す。図３に
示す個別トランジスタ装置は、ポリイミドからなる表面
保護膜６６を備える個別トランジスタ素子７１と、外部
端子７０と、リードフレーム６５と、接着部材７２と、
トランジスタ素子７１と外部端子７０との導通を図るた
めの金による配線６７と、素子７１および配線６７の全
体を封止する封止部材６８とを備える。
例として、図３に個別トランジスタ装置を示す。図３に
示す個別トランジスタ装置は、ポリイミドからなる表面
保護膜６６を備える個別トランジスタ素子７１と、外部
端子７０と、リードフレーム６５と、接着部材７２と、
トランジスタ素子７１と外部端子７０との導通を図るた
めの金による配線６７と、素子７１および配線６７の全
体を封止する封止部材６８とを備える。
【００２１】表面保護膜６６は、上記一般式（化１）に
より表される第１の繰返し単位と上記一般式（化２）に
より表される第２の繰返し単位とを有するポリイミド前
駆体を含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得
られるポリイミドの膜である。
より表される第１の繰返し単位と上記一般式（化２）に
より表される第２の繰返し単位とを有するポリイミド前
駆体を含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得
られるポリイミドの膜である。
【００２２】トランジスタ素子７１は、コレクタを兼ね
るシリコン基板６１と、基板６１に作り込まれたベース
６２およびエミッタ６３と、基板６１のベース６２およ
びエミッタ６３の作られている側の表面に形成されたＳ
ｉＯ2層６４とからなる。ＳｉＯ2層６４には、ベース６
２およびエミッタ６３の電極部に、ボンディングパッド
部を形成するための貫通孔が形成されており、該貫通孔
にはアルミニウムが充填されて、ボンディングパッド部
の導体層６５を形成している。上記表面保護膜は、この
ボンディングパッド部の部分に貫通孔が設けられてお
り、上記配線６７は、このボンディングパッド部の導体
層６５と外部端子７０とを接続している。
るシリコン基板６１と、基板６１に作り込まれたベース
６２およびエミッタ６３と、基板６１のベース６２およ
びエミッタ６３の作られている側の表面に形成されたＳ
ｉＯ2層６４とからなる。ＳｉＯ2層６４には、ベース６
２およびエミッタ６３の電極部に、ボンディングパッド
部を形成するための貫通孔が形成されており、該貫通孔
にはアルミニウムが充填されて、ボンディングパッド部
の導体層６５を形成している。上記表面保護膜は、この
ボンディングパッド部の部分に貫通孔が設けられてお
り、上記配線６７は、このボンディングパッド部の導体
層６５と外部端子７０とを接続している。
【００２３】はんだ付け実装時の封止部材６、６８のク
ラックや、封止部材６、６８と表面保護膜２、６６との
剥離を防止するには、表面保護膜２、６６と封止部材
６、６８との界面で、表面保護膜２、６６を形成するポ
リイミドと封止部材６を形成するモールド樹脂との間
に、化学結合あるいは強固な分子間相互作用が存在する
ことが有効である。そこで、本発明では、表面保護膜２
を形成するポリイミドに、エポキシ樹脂等のモールド樹
脂と反応または相互作用する極性置換基を側鎖に有する
ポリイミド前駆体組成物を加熱硬化して得られるものを
用いた。このようにすれば、表面保護膜２、６６は封止
部材６、６８と極めて良く接着し、はんだリフロー時の
内部水蒸気圧の発生によっても、表面保護膜２、６６と
封止部材６、６８との剥離や、封止部材６、６８のクラ
ックを抑制することができる。
ラックや、封止部材６、６８と表面保護膜２、６６との
剥離を防止するには、表面保護膜２、６６と封止部材
６、６８との界面で、表面保護膜２、６６を形成するポ
リイミドと封止部材６を形成するモールド樹脂との間
に、化学結合あるいは強固な分子間相互作用が存在する
ことが有効である。そこで、本発明では、表面保護膜２
を形成するポリイミドに、エポキシ樹脂等のモールド樹
脂と反応または相互作用する極性置換基を側鎖に有する
ポリイミド前駆体組成物を加熱硬化して得られるものを
用いた。このようにすれば、表面保護膜２、６６は封止
部材６、６８と極めて良く接着し、はんだリフロー時の
内部水蒸気圧の発生によっても、表面保護膜２、６６と
封止部材６、６８との剥離や、封止部材６、６８のクラ
ックを抑制することができる。
【００２４】つぎに、本発明の半導体装置の製造方法に
ついて、図２を用いて詳述する。なお、図２には、図１
に示したＬＯＣ型半導体装置の製造方法を示したが、本
発明の製造方法は、ＬＯＣ型半導体装置の製造方法には
限られず、半導体素子と外部端子（リードフレーム）と
をあらかじめ接着してからモールド樹脂により封止して
得られる半導体装置であれば、ＣＯＬ型など他の半導体
装置の製造にも適用できる。
ついて、図２を用いて詳述する。なお、図２には、図１
に示したＬＯＣ型半導体装置の製造方法を示したが、本
発明の製造方法は、ＬＯＣ型半導体装置の製造方法には
限られず、半導体素子と外部端子（リードフレーム）と
をあらかじめ接着してからモールド樹脂により封止して
得られる半導体装置であれば、ＣＯＬ型など他の半導体
装置の製造にも適用できる。
【００２５】（１）表面保護膜形成工程 図２（ａ）に示すように、素子領域および配線層を作り
込んだシリコンウェハ９上にポリイミドからなる表面保
護膜２を形成する。表面保護膜２の形成方法としては、
例えば、上述のポリイミド前駆体を含むポリイミド前駆
体組成物をウェハ９表面に塗布し、加熱硬化させる方法
や、予めシート上に成形したポリイミド前駆体組成物を
ウェハ９表面に載置し、加熱硬化させる方法などがあ
る。
込んだシリコンウェハ９上にポリイミドからなる表面保
護膜２を形成する。表面保護膜２の形成方法としては、
例えば、上述のポリイミド前駆体を含むポリイミド前駆
体組成物をウェハ９表面に塗布し、加熱硬化させる方法
や、予めシート上に成形したポリイミド前駆体組成物を
ウェハ９表面に載置し、加熱硬化させる方法などがあ
る。
【００２６】なお、表面保護膜２はあらかじめ定められ
たパターンを形成しており、ボンディングパッド部７、
スクライブ領域８の部分で素子１の表面が露出してい
る。ボンディングパッド部７とスクライブ領域８とを除
くパターンの表面保護膜を形成するには、フォトレジス
トとポリイミドのエッチング液とを用いるウエットエッ
チ法、あるいはパターン形成された無機膜または金属膜
をマスクとし、露出したポリイミド膜を酸素プラズマで
除去するドライエッチ法等のフォトエッチング技術を用
いることができる。
たパターンを形成しており、ボンディングパッド部７、
スクライブ領域８の部分で素子１の表面が露出してい
る。ボンディングパッド部７とスクライブ領域８とを除
くパターンの表面保護膜を形成するには、フォトレジス
トとポリイミドのエッチング液とを用いるウエットエッ
チ法、あるいはパターン形成された無機膜または金属膜
をマスクとし、露出したポリイミド膜を酸素プラズマで
除去するドライエッチ法等のフォトエッチング技術を用
いることができる。
【００２７】ポリイミド前駆体組成物に感光性が付与さ
れている場合には、半導体素子基板９上にポリイミド前
駆体組成物を塗布して乾燥皮膜とした後に、フォトマス
クを介して紫外線、あるいは放射線を照射し、次いで現
像によってポリイミド前駆体のパターンとし、さらに加
熱硬化によってポリイミドのパターンとすることができ
る。また、マスクを用い、領域７、８の部分を除いてポ
リイミド前駆体組成物を塗布するなどしても、表面保護
膜２をパターン化することができる。
れている場合には、半導体素子基板９上にポリイミド前
駆体組成物を塗布して乾燥皮膜とした後に、フォトマス
クを介して紫外線、あるいは放射線を照射し、次いで現
像によってポリイミド前駆体のパターンとし、さらに加
熱硬化によってポリイミドのパターンとすることができ
る。また、マスクを用い、領域７、８の部分を除いてポ
リイミド前駆体組成物を塗布するなどしても、表面保護
膜２をパターン化することができる。
【００２８】このようにして表面保護膜２を形成したシ
リコンウェハ９のスクライブ領域を切断し、表面保護膜
２を備える半導体素子１（図２（ｂ）に示す）を得る。
なお、ここではシリコンウェハ９上にあらかじめ表面保
護膜２を形成してからこれを切断し、表面保護膜２を備
える半導体素子１を得る方法について説明したが、本発
明はこれに限られず、シリコンウェハ９を切断し半導体
素子１を得たのち、得られた半導体素子１の表面にポリ
イミド前駆体組成物の膜を形成し、これを加熱硬化させ
て、表面保護膜２を備える半導体素子１を得ても良い。
リコンウェハ９のスクライブ領域を切断し、表面保護膜
２を備える半導体素子１（図２（ｂ）に示す）を得る。
なお、ここではシリコンウェハ９上にあらかじめ表面保
護膜２を形成してからこれを切断し、表面保護膜２を備
える半導体素子１を得る方法について説明したが、本発
明はこれに限られず、シリコンウェハ９を切断し半導体
素子１を得たのち、得られた半導体素子１の表面にポリ
イミド前駆体組成物の膜を形成し、これを加熱硬化させ
て、表面保護膜２を備える半導体素子１を得ても良い。
【００２９】（２）素子搭載工程 ポリイミドフィルムの表裏一方の面にポリアミドイミド
エーテル層を形成し、接着部材４を得る。この接着部材
４のポリアミドイミドエーテル層を形成していない側に
外部端子３を、ポリアミドイミドエーテル層を形成して
ある側に、ポリアミドイミドエーテル層と表面保護膜２
とが対向するように半導体素子１を、それぞれ配置し、
４００℃にて熱圧着して、図２（ｃ）に示すような半導
体素子１と外部端子３とが表面保護膜２および接着部材
４を介して接続されたものを得る。さらに、図２（ｄ）
に示すように、半導体素子１のボンディングパッド部７
と外部端子３との間にワイヤボンダーで金線５を配線し
て、半導体素子１と外部端子３との導通を確保する。
エーテル層を形成し、接着部材４を得る。この接着部材
４のポリアミドイミドエーテル層を形成していない側に
外部端子３を、ポリアミドイミドエーテル層を形成して
ある側に、ポリアミドイミドエーテル層と表面保護膜２
とが対向するように半導体素子１を、それぞれ配置し、
４００℃にて熱圧着して、図２（ｃ）に示すような半導
体素子１と外部端子３とが表面保護膜２および接着部材
４を介して接続されたものを得る。さらに、図２（ｄ）
に示すように、半導体素子１のボンディングパッド部７
と外部端子３との間にワイヤボンダーで金線５を配線し
て、半導体素子１と外部端子３との導通を確保する。
【００３０】（３）封止工程 図２（ｅ）に示すように、シリカ含有エポキシ系樹脂を
用いて、成型温度１８０℃、成型圧力７０ｋｇ／ｃｍ2
でモールドすることにより、封止部材６を形成する。最
後に、外部端子３を所定の形に折り曲げることにより、
図２（ｆ）に示す樹脂封止型半導体装置が得られる。
用いて、成型温度１８０℃、成型圧力７０ｋｇ／ｃｍ2
でモールドすることにより、封止部材６を形成する。最
後に、外部端子３を所定の形に折り曲げることにより、
図２（ｆ）に示す樹脂封止型半導体装置が得られる。
【００３１】さらに、本発明では上記の第３の目的を達
成するために、上記一般式（化１）および（化２）によ
り表される繰返し単位を有する上述のポリイミド前駆体
を含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得られ
るポリイミド膜からなる、半導体素子の表面保護膜が提
供される。なお、本発明の表面保護膜は、α線遮蔽膜と
して用いることもできる。上記一般式（化１）および
（化２）で表される繰返し単位を有する上述のポリイミ
ド前駆体を加熱硬化して得られるポリイミド膜は、封止
材との極めて良好な接着性を有し、さらに耐熱性、機械
特性に優れているため、半導体、特に、モールド樹脂に
より封止される封止型半導体装置の半導体の表面保護に
適している。
成するために、上記一般式（化１）および（化２）によ
り表される繰返し単位を有する上述のポリイミド前駆体
を含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得られ
るポリイミド膜からなる、半導体素子の表面保護膜が提
供される。なお、本発明の表面保護膜は、α線遮蔽膜と
して用いることもできる。上記一般式（化１）および
（化２）で表される繰返し単位を有する上述のポリイミ
ド前駆体を加熱硬化して得られるポリイミド膜は、封止
材との極めて良好な接着性を有し、さらに耐熱性、機械
特性に優れているため、半導体、特に、モールド樹脂に
より封止される封止型半導体装置の半導体の表面保護に
適している。
【００３２】つぎに、上記一般式（化１）および（化
２）で示される繰返し単位を有する上述のポリイミド前
駆体について詳述する。
２）で示される繰返し単位を有する上述のポリイミド前
駆体について詳述する。
【００３３】最終的に得られるポリイミド膜の機械特性
および耐熱性の観点から、本発明で用いられるポリイミ
ド前駆体の繰返し単位を示す一般式（化１）の、一般式
（化１）のＲ1は、３価または４価の芳香族基であり、
異なる２種以上の基が混在していてもよい。Ｒ1の具体
例としては、最終的に得られるポリイミド膜の機械特性
および耐熱性の観点から、下記化学式群（化３）に示す
構造のものが挙げられるが、これに限定されない。
および耐熱性の観点から、本発明で用いられるポリイミ
ド前駆体の繰返し単位を示す一般式（化１）の、一般式
（化１）のＲ1は、３価または４価の芳香族基であり、
異なる２種以上の基が混在していてもよい。Ｒ1の具体
例としては、最終的に得られるポリイミド膜の機械特性
および耐熱性の観点から、下記化学式群（化３）に示す
構造のものが挙げられるが、これに限定されない。
【００３４】
【化３】
【００３５】一般式（化１）および一般式（化２）にお
いて、Ｒ2およびＲ3は、最終的に得られるポリイミド膜
の機械特性および耐熱性の観点から、４個以上の炭素を
含む４価の有機基から、それぞれ独立に選ばれる。Ｒ2
およびＲ3は、同じものでも、ことなるものでもよく、
Ｒ2および／またはＲ3として、ことなる２種以上の基が
混在していてもよい（この場合、ポリイミド前駆体は共
重合体となる）。最終的に得られるポリイミド膜の機械
特性および耐熱性の観点から、Ｒ2およびＲ3の具体例と
して、下記化学式群（化４）に示す構造のものが挙げら
れるが、これに限定されない。
いて、Ｒ2およびＲ3は、最終的に得られるポリイミド膜
の機械特性および耐熱性の観点から、４個以上の炭素を
含む４価の有機基から、それぞれ独立に選ばれる。Ｒ2
およびＲ3は、同じものでも、ことなるものでもよく、
Ｒ2および／またはＲ3として、ことなる２種以上の基が
混在していてもよい（この場合、ポリイミド前駆体は共
重合体となる）。最終的に得られるポリイミド膜の機械
特性および耐熱性の観点から、Ｒ2およびＲ3の具体例と
して、下記化学式群（化４）に示す構造のものが挙げら
れるが、これに限定されない。
【００３６】
【化４】
【００３７】同様に、最終的に得られるポリイミド膜の
機械特性および耐熱性の観点から、一般式（化２）にお
けるＲ4は、４個以上の炭素を含む２価の有機基であ
り、異なる２種以上の基が混在していてもよい。Ｒ4の
具体例としては、最終的に得られるポリイミド膜の機械
特性および耐熱性の観点から、下記化学式群（化５）に
示す構造のものが挙げられるが、これに限定されない。
機械特性および耐熱性の観点から、一般式（化２）にお
けるＲ4は、４個以上の炭素を含む２価の有機基であ
り、異なる２種以上の基が混在していてもよい。Ｒ4の
具体例としては、最終的に得られるポリイミド膜の機械
特性および耐熱性の観点から、下記化学式群（化５）に
示す構造のものが挙げられるが、これに限定されない。
【００３８】
【化５】
【００３９】また、一般式（化１）において、Ｘは、−
ＣＯＯ−、−ＣＯ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＣＯ−、
−ＮＨＣＯＮＨ−、−ＮＨ−、−ＮＲ5−、および、−
ＣＨ2Ｏ−から選ばれる少なくともいずれかの基であ
る。これらの基のうち、エポキシ樹脂等のモールド樹脂
との反応性、および、Ｘ−Ｔ結合の加熱硬化時の切れ易
さの観点から、−ＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＣ
ＯＮＨ−が好ましい。特に、−Ｘ−Ｔは、−ＮＨＣＯＯ
−Ｔ、−ＮＨＣＯＮＨ−Ｔであることが特に好ましい。
ここでＲ5は炭素数５個以下のアルキル基を表し、具体
的には−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ
(ＣＨ3）2等が挙げられる。なお、Ｘの各基の２つの結
合手のうち、ここでは右側に表現された結合がＴとの結
合であることが望ましい。
ＣＯＯ−、−ＣＯ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＣＯ−、
−ＮＨＣＯＮＨ−、−ＮＨ−、−ＮＲ5−、および、−
ＣＨ2Ｏ−から選ばれる少なくともいずれかの基であ
る。これらの基のうち、エポキシ樹脂等のモールド樹脂
との反応性、および、Ｘ−Ｔ結合の加熱硬化時の切れ易
さの観点から、−ＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＣ
ＯＮＨ−が好ましい。特に、−Ｘ−Ｔは、−ＮＨＣＯＯ
−Ｔ、−ＮＨＣＯＮＨ−Ｔであることが特に好ましい。
ここでＲ5は炭素数５個以下のアルキル基を表し、具体
的には−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ
(ＣＨ3）2等が挙げられる。なお、Ｘの各基の２つの結
合手のうち、ここでは右側に表現された結合がＴとの結
合であることが望ましい。
【００４０】一般式（化１）において、Ｔは１５個以下
の炭素を含む１価の有機基を表し、Ｘ−Ｔ結合の加熱硬
化時の切れ易さの観点から、下記一般式群（化７）のう
ちのいずれかの構造式により表される基が好ましい。
の炭素を含む１価の有機基を表し、Ｘ−Ｔ結合の加熱硬
化時の切れ易さの観点から、下記一般式群（化７）のう
ちのいずれかの構造式により表される基が好ましい。
【００４１】
【化７】
【００４２】Ｔの具体例としては、合成の容易さの観点
から、−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ
(ＣＨ3）2、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ(Ｃ
Ｈ3）2、−ＣＨ(ＣＨ3)ＣＨ2ＣＨ3、−Ｃ(ＣＨ3）3、−
ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣＨ(ＣＨ3）2、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯ
Ｃ(ＣＨ3）3、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2
ＯＣＯＣ6Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣ6Ｈ5、−Ｃ
Ｈ2ＣＨ2ＯＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−Ｃ
Ｈ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ
ＣＯＣ6Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2
ＯＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣ2Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ
Ｃ2Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2CH3、−ＣＨ2
ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ(Ｃ
Ｈ3）2、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ(ＣＨ3）2、−ＣＨ2ＣＨ2
ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2Ｃ
Ｈ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ(Ｃ
Ｈ3）2、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ(ＣＨ3）2、−ＣＨ2
ＣＨ2ＣＨ2ＯＣ(ＣＨ3）3、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣ(Ｃ
Ｈ3）3、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣ6Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ
Ｃ6Ｈ5等の、炭素−炭素間の二重結合を含まない一価の
有機基が挙げられる。特に、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣＨ
(ＣＨ3）2、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣ(ＣＨ3）3、−ＣＨ2
ＣＨ2ＯＣＯＣＨ3は、合成が容易であり、かつ、系外へ
の脱離性の良さから好ましい。
から、−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ
(ＣＨ3）2、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ(Ｃ
Ｈ3）2、−ＣＨ(ＣＨ3)ＣＨ2ＣＨ3、−Ｃ(ＣＨ3）3、−
ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣＨ(ＣＨ3）2、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯ
Ｃ(ＣＨ3）3、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2
ＯＣＯＣ6Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣ6Ｈ5、−Ｃ
Ｈ2ＣＨ2ＯＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−Ｃ
Ｈ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ
ＣＯＣ6Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2
ＯＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣ2Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ
Ｃ2Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2CH3、−ＣＨ2
ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ(Ｃ
Ｈ3）2、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ(ＣＨ3）2、−ＣＨ2ＣＨ2
ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2Ｃ
Ｈ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ(Ｃ
Ｈ3）2、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ(ＣＨ3）2、−ＣＨ2
ＣＨ2ＣＨ2ＯＣ(ＣＨ3）3、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣ(Ｃ
Ｈ3）3、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣ6Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ
Ｃ6Ｈ5等の、炭素−炭素間の二重結合を含まない一価の
有機基が挙げられる。特に、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣＨ
(ＣＨ3）2、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣ(ＣＨ3）3、−ＣＨ2
ＣＨ2ＯＣＯＣＨ3は、合成が容易であり、かつ、系外へ
の脱離性の良さから好ましい。
【００４３】特に、Ｒ1は下記構造式（化６）で表され
る基が好ましく、また、Ｘは−ＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＯ
−、および−ＮＨＣＯＮＨ−から選ばれる基が好まし
く、Ｔは下記一般式群（化７）のいずれかの一般式で表
される基が好ましい。
る基が好ましく、また、Ｘは−ＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＯ
−、および−ＮＨＣＯＮＨ−から選ばれる基が好まし
く、Ｔは下記一般式群（化７）のいずれかの一般式で表
される基が好ましい。
【００４４】
【化６】
【００４５】
【化７】
【００４６】すなわち、上述のポリイミド前駆体のう
ち、特に、下記一般式（化８）〜（化１０）のいずれか
により表される第１の繰返し単位と、下記一般式（化
２）で表される第２の繰返し単位とからなり、一分子中
に存在する第１の繰返し単位の数をｎとし、第２の繰返
し単位の数をｍとするとき、ｎ＝５〜１００、ｍ＝０〜
９５、ｎ＋ｍ＝１００であるポリイミド前駆体が好まし
い。
ち、特に、下記一般式（化８）〜（化１０）のいずれか
により表される第１の繰返し単位と、下記一般式（化
２）で表される第２の繰返し単位とからなり、一分子中
に存在する第１の繰返し単位の数をｎとし、第２の繰返
し単位の数をｍとするとき、ｎ＝５〜１００、ｍ＝０〜
９５、ｎ＋ｍ＝１００であるポリイミド前駆体が好まし
い。
【００４７】
【化８】
【００４８】
【化９】
【００４９】
【化１０】
【００５０】
【化２】
【００５１】（ただし、Ｒ2およびＲ3は４個以上の炭素
を含む４価の有機基であり、Ｒ4は４個以上の炭素を含
む２価の有機基であり、Ａは−ＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＯ
−、および−ＮＨＣＯＮＨ−のうちの少なくともいずれ
かであり、Ｒ5は、炭素数５個以下のアルキル基であ
り、ｋは２〜４の整数であり、Ｒ6は、フェニル基また
は炭素数４個以下のアルキル基である。） これは、得られるポリイミドの耐熱性および接着性がよ
く、本発明に適しているからである。
を含む４価の有機基であり、Ｒ4は４個以上の炭素を含
む２価の有機基であり、Ａは−ＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＯ
−、および−ＮＨＣＯＮＨ−のうちの少なくともいずれ
かであり、Ｒ5は、炭素数５個以下のアルキル基であ
り、ｋは２〜４の整数であり、Ｒ6は、フェニル基また
は炭素数４個以下のアルキル基である。） これは、得られるポリイミドの耐熱性および接着性がよ
く、本発明に適しているからである。
【００５２】ここで、Ｒ6は、合成の容易さの観点か
ら、フェニル基または炭素数４個以下のアルキル基であ
り、具体的には−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2Ｃ
Ｈ3、−ＣＨ(ＣＨ3）2、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−Ｃ
Ｈ2ＣＨ(ＣＨ3）2、−ＣＨ(ＣＨ3）ＣＨ2ＣＨ3、−Ｃ
(ＣＨ3）3、−Ｃ6Ｈ5が挙げられる。これらの基のう
ち、−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ
(ＣＨ3）2、−Ｃ(ＣＨ3）3は、合成が容易な上、ポリア
ミド酸から脱離したのち、脱離部分が容易に分解して系
から除かれるため、特に好ましい。また、Ａは−ＣＯＯ
−、−ＮＨＣＯＯ−、および−ＮＨＣＯＮＨ−から選ば
れる２価の有機基であるが、これらのうち、Ｒ1である
ベンゼン環に直接窒素原子が結合するものが、特に好ま
しい。
ら、フェニル基または炭素数４個以下のアルキル基であ
り、具体的には−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2Ｃ
Ｈ3、−ＣＨ(ＣＨ3）2、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−Ｃ
Ｈ2ＣＨ(ＣＨ3）2、−ＣＨ(ＣＨ3）ＣＨ2ＣＨ3、−Ｃ
(ＣＨ3）3、−Ｃ6Ｈ5が挙げられる。これらの基のう
ち、−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ
(ＣＨ3）2、−Ｃ(ＣＨ3）3は、合成が容易な上、ポリア
ミド酸から脱離したのち、脱離部分が容易に分解して系
から除かれるため、特に好ましい。また、Ａは−ＣＯＯ
−、−ＮＨＣＯＯ−、および−ＮＨＣＯＮＨ−から選ば
れる２価の有機基であるが、これらのうち、Ｒ1である
ベンゼン環に直接窒素原子が結合するものが、特に好ま
しい。
【００５３】つぎに、本発明で用いられる炭素−炭素二
重結合を持つアミン化合物について詳述する。本発明で
用いられる炭素−炭素二重結合を持つアミン化合物とし
ては、下記一般式（化１１）で表される化合物を用いる
ことができるが、これに限定されない。
重結合を持つアミン化合物について詳述する。本発明で
用いられる炭素−炭素二重結合を持つアミン化合物とし
ては、下記一般式（化１１）で表される化合物を用いる
ことができるが、これに限定されない。
【００５４】
【化１１】
【００５５】（ただし、一般式（化１１）において、Ｒ
7、Ｒ8、およびＲ9は、水素、アルキル基、フェニル
基、ビニル基、およびプロペニル基のうちから、それぞ
れ独立に選択された基であり、Ｒ10およびＲ11はそれぞ
れ独立に選択された低級アルキル基であり、Ｒ12は低級
アルキレン基を表す。） 上記一般式（化１１）で表される化合物の具体例として
は、アクリル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチ
ル、アクリル酸３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピ
ル、アクリル酸４−（Ｎ，Ｎ−メチルアミノ）ブチル、
アクリル酸５−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ペンチル、
アクリル酸６−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ヘキシル、
アクリル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エチル、ア
クリル酸３−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）プロピル、ア
クリル酸４−（Ｎ，Ｎ−エチルアミノ）ブチル、アクリ
ル酸５−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ペンチル、アクリ
ル酸６−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ヘキシル、メタク
リル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル、メタク
リル酸３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピル、メタ
クリル酸４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ブチル、メタ
クリル酸５−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ペンチル、メ
タクリル酸６−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ヘキシル、
メタクリル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エチル、
メタクリル酸３−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）プロピ
ル、メタクリル酸４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ブチ
ル、メタクリル酸５−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ペン
チル、メタクリル酸６−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ヘ
キシル、ソルビン酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エ
チル、ソルビン酸３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロ
ピル、ソルビン酸４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ブチ
ル、ソルビン酸５−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ペンチ
ル、ソルビン酸６−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ヘキシ
ル、ソルビン酸２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エチ
ル、ソルビン酸３−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）プロピ
ル、ソルビン酸４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ブチ
ル、ソルビン酸５−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ペンチ
ル、ソルビン酸６−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ヘキシ
ル、ケイ皮酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル、
ケイ皮酸３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピル、ケ
イ皮酸４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ブチル、ケイ皮
酸５−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ペンチル、ケイ皮酸
６−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ヘキシル、ケイ皮酸２
−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エチル、ケイ皮酸３−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）プロピル、ケイ皮酸４−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ブチル、ケイ皮酸５−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ペンチル、ケイ皮酸６−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ヘキシル等が挙げられる。
7、Ｒ8、およびＲ9は、水素、アルキル基、フェニル
基、ビニル基、およびプロペニル基のうちから、それぞ
れ独立に選択された基であり、Ｒ10およびＲ11はそれぞ
れ独立に選択された低級アルキル基であり、Ｒ12は低級
アルキレン基を表す。） 上記一般式（化１１）で表される化合物の具体例として
は、アクリル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチ
ル、アクリル酸３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピ
ル、アクリル酸４−（Ｎ，Ｎ−メチルアミノ）ブチル、
アクリル酸５−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ペンチル、
アクリル酸６−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ヘキシル、
アクリル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エチル、ア
クリル酸３−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）プロピル、ア
クリル酸４−（Ｎ，Ｎ−エチルアミノ）ブチル、アクリ
ル酸５−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ペンチル、アクリ
ル酸６−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ヘキシル、メタク
リル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル、メタク
リル酸３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピル、メタ
クリル酸４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ブチル、メタ
クリル酸５−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ペンチル、メ
タクリル酸６−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ヘキシル、
メタクリル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エチル、
メタクリル酸３−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）プロピ
ル、メタクリル酸４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ブチ
ル、メタクリル酸５−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ペン
チル、メタクリル酸６−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ヘ
キシル、ソルビン酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エ
チル、ソルビン酸３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロ
ピル、ソルビン酸４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ブチ
ル、ソルビン酸５−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ペンチ
ル、ソルビン酸６−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ヘキシ
ル、ソルビン酸２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エチ
ル、ソルビン酸３−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）プロピ
ル、ソルビン酸４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ブチ
ル、ソルビン酸５−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ペンチ
ル、ソルビン酸６−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ヘキシ
ル、ケイ皮酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル、
ケイ皮酸３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピル、ケ
イ皮酸４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ブチル、ケイ皮
酸５−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ペンチル、ケイ皮酸
６−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ヘキシル、ケイ皮酸２
−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エチル、ケイ皮酸３−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）プロピル、ケイ皮酸４−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ブチル、ケイ皮酸５−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ペンチル、ケイ皮酸６−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ヘキシル等が挙げられる。
【００５６】特に、メタクリル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアミノ）エチル、メタクリル酸３−（Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアミノ）プロピル、メタクリル酸４−（Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアミノ）ブチル、メタクリル酸５−（Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアミノ）ペンチル、メタクリル酸６−（Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアミノ）ヘキシル、メタクリル酸２−（Ｎ，Ｎ−
ジエチルアミノ）エチル、メタクリル酸３−（Ｎ，Ｎ−
ジエチルアミノ）プロピル、メタクリル酸４−（Ｎ，Ｎ
−ジエチルアミノ）ブチル、メタクリル酸５−（Ｎ，Ｎ
−ジエチルアミノ）ペンチル、メタクリル酸６−（Ｎ，
Ｎ−ジエチルアミノ）ヘキシルは、良好な感光性を付与
することができるため、好ましい。
ルアミノ）エチル、メタクリル酸３−（Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアミノ）プロピル、メタクリル酸４−（Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアミノ）ブチル、メタクリル酸５−（Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアミノ）ペンチル、メタクリル酸６−（Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアミノ）ヘキシル、メタクリル酸２−（Ｎ，Ｎ−
ジエチルアミノ）エチル、メタクリル酸３−（Ｎ，Ｎ−
ジエチルアミノ）プロピル、メタクリル酸４−（Ｎ，Ｎ
−ジエチルアミノ）ブチル、メタクリル酸５−（Ｎ，Ｎ
−ジエチルアミノ）ペンチル、メタクリル酸６−（Ｎ，
Ｎ−ジエチルアミノ）ヘキシルは、良好な感光性を付与
することができるため、好ましい。
【００５７】炭素−炭素二重結合を持つアミン化合物の
配合割合は、一般式（化１）および（化２）で表される
繰り返し単位を主成分とする上述のポリイミド前駆体１
００重量部に対し、１重量部以上４００重量部以下が良
く、さらに好ましくは１０重量部以上２００重量部以下
で用いるのが望ましい。この範囲を逸脱すると、感光性
が不十分であったり、現像性や安定性に悪影響を及ぼす
ことがある。
配合割合は、一般式（化１）および（化２）で表される
繰り返し単位を主成分とする上述のポリイミド前駆体１
００重量部に対し、１重量部以上４００重量部以下が良
く、さらに好ましくは１０重量部以上２００重量部以下
で用いるのが望ましい。この範囲を逸脱すると、感光性
が不十分であったり、現像性や安定性に悪影響を及ぼす
ことがある。
【００５８】本発明で用いられる感光剤について詳述す
る。感光剤の種類としては、増感剤、光重合開始剤、増
感助剤、光重合助剤等を挙げることができる。これら
は、そのいずれかを用いてもよく、また、これらのうち
の２種以上を混合して用いてもよい。
る。感光剤の種類としては、増感剤、光重合開始剤、増
感助剤、光重合助剤等を挙げることができる。これら
は、そのいずれかを用いてもよく、また、これらのうち
の２種以上を混合して用いてもよい。
【００５９】本発明に用いることのできる感光剤の例と
して、ミヒラケトン、ビス−４，４’−ジエチルアミノ
ベンゾフェノン、ベンゾフェノン、３，５−ビス（ジエ
チルアミノベンジリデン）−Ｎ−メチル−４−ピペリド
ン、３，５−ビス（ジメチルアミノベンジリデン）−Ｎ
−メチル−４−ピペリドン、３，５−ビス（ジエチルア
ミノベンジリデン）−Ｎ−エチル−４−ピペリドン、
３，３’−カルボニルビス（７−ジエチルアミノ）クマ
リン、リボフラビンテトラブチレート、２−メチル−１
−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ
プロパン−１−オン、２，４−ジメチルチオキサント
ン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン、３，５−
ジメチルチオキサントン、３，５−ジイソプロピルチオ
キサントン、１−フェニル−２−（エトキシカルボニ
ル）オキシイミノプロパン−１−オン、ベンゾインエー
テル、ベンゾインイソプロピルエーテル、１，９−ベン
ズアントロン、５−ニトロ−１−アセトナフトン、５−
ニトロ−２−アセトナフトン、２−ニトロフルオレン、
アントロン、１，２−ベンズアントラキノン、１−フェ
ニル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、チオキサ
ンテン−９−オン、１０−チオキサンテノン、３−アセ
チルインドール、２，６−ジ（ｐ−ジメチルアミノベン
ザル）−４−カルボキシシクロヘキサノン、２，６−ジ
（ｐ−ジメチルアミノベンザル）−４−ヒドロキシシク
ロヘキサノン、２，６−ジ（ｐ−ジエチルアミノベンザ
ル）−４−カルボキシシクロヘキサノン、２，６−ジ
（ｐ−ジエチルアミノベンザル）−４−ヒドロキシシク
ロヘキサノン、４，６−ジメチル−７−エチルアミノク
マリン、７−ジエチルアミノ−４−メチルクマリン、７
−ジエチルアミノ−３−（１−メチルベンゾイミダゾリ
ル）クマリン、３−（２−ベンゾイミダゾリル）−７−
ジエチルアミノクマリン、３−（２−ベンゾチアゾリ
ル）−７−ジエチルアミノクマリン、２−（ｐ−ジメチ
ルアミノスチリル）ベンゾオキサゾール、２−（ｐ−ジ
メチルアミノスチリル）キノリン、４−（ｐ−ジメチル
アミノスチリル）キノリン、２−（ｐ−ジメチルアミノ
スチリル）ベンゾチアゾール、２−（ｐ−ジメチルアミ
ノスチリル）−３，３−ジメチル−３Ｈ−インドール等
の増感剤を用いることができる。なお、これらの化合物
は、このうちの１種類を用いてもよく、２種以上を混合
して用いてもよい。
して、ミヒラケトン、ビス−４，４’−ジエチルアミノ
ベンゾフェノン、ベンゾフェノン、３，５−ビス（ジエ
チルアミノベンジリデン）−Ｎ−メチル−４−ピペリド
ン、３，５−ビス（ジメチルアミノベンジリデン）−Ｎ
−メチル−４−ピペリドン、３，５−ビス（ジエチルア
ミノベンジリデン）−Ｎ−エチル−４−ピペリドン、
３，３’−カルボニルビス（７−ジエチルアミノ）クマ
リン、リボフラビンテトラブチレート、２−メチル−１
−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ
プロパン−１−オン、２，４−ジメチルチオキサント
ン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン、３，５−
ジメチルチオキサントン、３，５−ジイソプロピルチオ
キサントン、１−フェニル−２−（エトキシカルボニ
ル）オキシイミノプロパン−１−オン、ベンゾインエー
テル、ベンゾインイソプロピルエーテル、１，９−ベン
ズアントロン、５−ニトロ−１−アセトナフトン、５−
ニトロ−２−アセトナフトン、２−ニトロフルオレン、
アントロン、１，２−ベンズアントラキノン、１−フェ
ニル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、チオキサ
ンテン−９−オン、１０−チオキサンテノン、３−アセ
チルインドール、２，６−ジ（ｐ−ジメチルアミノベン
ザル）−４−カルボキシシクロヘキサノン、２，６−ジ
（ｐ−ジメチルアミノベンザル）−４−ヒドロキシシク
ロヘキサノン、２，６−ジ（ｐ−ジエチルアミノベンザ
ル）−４−カルボキシシクロヘキサノン、２，６−ジ
（ｐ−ジエチルアミノベンザル）−４−ヒドロキシシク
ロヘキサノン、４，６−ジメチル−７−エチルアミノク
マリン、７−ジエチルアミノ−４−メチルクマリン、７
−ジエチルアミノ−３−（１−メチルベンゾイミダゾリ
ル）クマリン、３−（２−ベンゾイミダゾリル）−７−
ジエチルアミノクマリン、３−（２−ベンゾチアゾリ
ル）−７−ジエチルアミノクマリン、２−（ｐ−ジメチ
ルアミノスチリル）ベンゾオキサゾール、２−（ｐ−ジ
メチルアミノスチリル）キノリン、４−（ｐ−ジメチル
アミノスチリル）キノリン、２−（ｐ−ジメチルアミノ
スチリル）ベンゾチアゾール、２−（ｐ−ジメチルアミ
ノスチリル）−３，３−ジメチル−３Ｈ−インドール等
の増感剤を用いることができる。なお、これらの化合物
は、このうちの１種類を用いてもよく、２種以上を混合
して用いてもよい。
【００６０】これらの中で好ましいものの例としては、
ミヒラケトン、ビス−４，４’−ジエチルアミノベンゾ
フェノン、３，５−ビス（ジエチルアミノベンジリデ
ン）−Ｎ−メチル−４−ピペリドン、３，５−ビス（ジ
メチルアミノベンジリデン）−Ｎ−メチル−４−ピペリ
ドン、３，５−ビス（ジエチルアミノベンジリデン）−
Ｎ−エチル−４−ピペリドン、３，３’−カルボニルビ
ス（７−ジエチルアミノ）クマリン、リボフラビンテト
ラブチレート、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）
フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、
２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジイソプロ
ピルチオキサントン、３，５−ジメチルチオキサント
ン、３，５−ジイソプロピルチオキサントン、１−フェ
ニル−２−（エトキシカルボニル）オキシイミノプロパ
ン−１−オン、５−ニトロアセナフテン、２，６−ジ
（ｐ−ジメチルアミノベンザル）−４−カルボキシシク
ロヘキサノン、２，６−ジ（ｐ−ジメチルアミノベンザ
ル）−４−ヒドロキシシクロヘキサノン、２，６−ジ
（ｐ−ジエチルアミノベンザル）−４−カルボキシシク
ロヘキサノン、２，６−ジ（ｐ−ジエチルアミノベンザ
ル）−４−ヒドロキシシクロヘキサノン、４，６−ジメ
チル−７−エチルアミノクマリン、７−ジエチルアミノ
−４−メチルクマリン、７−ジエチルアミノ−３−（１
−メチルベンゾイミダゾリル）クマリン、３−（２−ベ
ンゾイミダゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン、３
−（２−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマ
リンが挙げられる。
ミヒラケトン、ビス−４，４’−ジエチルアミノベンゾ
フェノン、３，５−ビス（ジエチルアミノベンジリデ
ン）−Ｎ−メチル−４−ピペリドン、３，５−ビス（ジ
メチルアミノベンジリデン）−Ｎ−メチル−４−ピペリ
ドン、３，５−ビス（ジエチルアミノベンジリデン）−
Ｎ−エチル−４−ピペリドン、３，３’−カルボニルビ
ス（７−ジエチルアミノ）クマリン、リボフラビンテト
ラブチレート、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）
フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、
２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジイソプロ
ピルチオキサントン、３，５−ジメチルチオキサント
ン、３，５−ジイソプロピルチオキサントン、１−フェ
ニル−２−（エトキシカルボニル）オキシイミノプロパ
ン−１−オン、５−ニトロアセナフテン、２，６−ジ
（ｐ−ジメチルアミノベンザル）−４−カルボキシシク
ロヘキサノン、２，６−ジ（ｐ−ジメチルアミノベンザ
ル）−４−ヒドロキシシクロヘキサノン、２，６−ジ
（ｐ−ジエチルアミノベンザル）−４−カルボキシシク
ロヘキサノン、２，６−ジ（ｐ−ジエチルアミノベンザ
ル）−４−ヒドロキシシクロヘキサノン、４，６−ジメ
チル−７−エチルアミノクマリン、７−ジエチルアミノ
−４−メチルクマリン、７−ジエチルアミノ−３−（１
−メチルベンゾイミダゾリル）クマリン、３−（２−ベ
ンゾイミダゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン、３
−（２−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマ
リンが挙げられる。
【００６１】また、本発明の感光剤として、４−ジエチ
ルアミノエチルベンゾエート、４−ジメチルアミノエチ
ルベンゾエート、４−ジエチルアミノプロピルベンゾエ
ート、４−ジメチルアミノプロピルベンゾエート、４−
ジメチルアミノイソアミルベンゾエート、Ｎ−フェニル
グリシン、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−
（４−シアノフェニル）グリシン、４−ジメチルアミノ
ベンゾニトリル、エチレングリコールジチオグリコレー
ト、エチレングリコールジ（３−メルカプトプロピオネ
ート）、トリメチロールプロパンチオグリコレート、ト
リメチロールプロパントリ（３−メルカプトプロピオネ
ート）、ペンタエリスリトールテトラチオグリコレー
ト、ペンタエリスリトールテトラ（３−メルカプトプロ
ピオネート）、トリメチロールエタントリチオグリコレ
ート、トリメチロールプロパントリチオグリコレート、
トリメチロールエタントリ（３−メルカプトプロピオネ
ート）、ジペンタエリスリトールヘキサ（３−メルカプ
トプロピオネート）、チオグリコール酸、α−メルカプ
トプロピオン酸、ｔ−ブチルペルオキシベンゾエート、
ｔ−ブチルペルオキシメトキシベンゾエート、ｔ−ブチ
ルペルオキシニトロベンゾエート、ｔ−ブチルペルオキ
シエチルベンゾエート、フェニルイソプロピルペルオキ
シベンゾエート、ジｔ−ブチルジペルオキシイソフタレ
ート、トリｔ−ブチルトリペルオキシトリメリテート、
トリｔ−ブチルトリペルオキシトリメシテート、テトラ
ｔ−ブチルテトラペルオキシピロメリテート、２，５−
ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルペルオキシ）ヘキサ
ン、３，３'，４，４'−テトラ（ｔ−ブチルペルオキシ
カルボニル）ベンゾフェノン、３，３'，４，４'−テト
ラ（ｔ−アミルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノ
ン、３，３'，４，４'−テトラ（ｔ−ヘキシルペルオキ
シカルボニル）ベンゾフェノン、２，６−ジ（ｐ−アジ
ドベンザル）−４−ヒドロキシシクロヘキサノン、２，
６−ジ（ｐ−アジドベンザル）−４−カルボキシシクロ
ヘキサノン、２，６−ジ（ｐ−アジドベンザル）−４−
メトキシシクロヘキサノン、２，６−ジ（ｐ−アジドベ
ンザル）−４−ヒドロキシメチルシクロヘキサノン、
３，５−ジ（ｐ−アジドベンザル）−１−メチル−４−
ピペリドン、３，５−ジ（ｐ−アジドベンザル）−４−
ピペリドン、３，５−ジ（ｐ−アジドベンザル）−Ｎ−
アセチル−４−ピペリドン、３，５−ジ（ｐ−アジドベ
ンザル）−Ｎ−メトキシカルボニル−４−ピペリドン、
２，６−ジ（ｐ−アジドベンザル）−４−ヒドロキシシ
クロヘキサノン、２，６−ジ（ｍ−アジドベンザル）−
４−カルボキシシクロヘキサノン、２，６−ジ（ｍ−ア
ジドベンザル）−４−メトキシシクロヘキサノン、２，
６−ジ（ｍ−アジドベンザル）−４−ヒドロキシメチル
シクロヘキサノン、３，５−ジ（ｍ−アジドベンザル）
−Ｎ−メチル−４−ピペリドン、３，５−ジ（ｍ−アジ
ドベンザル）−４−ピペリドン、３，５−ジ（ｍ−アジ
ドベンザル）−Ｎ−アセチル−４−ピペリドン、３，５
−ジ（ｍ−アジドベンザル）−Ｎ−メトキシカルボニル
−４−ピペリドン、２，６−ジ（ｐ−アジドシンナミリ
デン）−４−ヒドロキシシクロヘキサノン、２，６−ジ
（ｐ−アジドシンナミリデン）−４−カルボキシシクロ
ヘキサノン、２，６−ジ（ｐ−アジドシンナミリデン）
−４−ヒドロキシメチルシクロヘキサノン、３，５−ジ
（ｐ−アジドシンナミリデン）−Ｎ−メチル−４−ピペ
リドン、４，４’−ジアジドカルコン、３，３’−ジア
ジドカルコン、３，４’−ジアジドカルコン、４，３’
−ジアジドカルコン、１，３−ジフェニル−１，２，３
−プロパントリオン−２−（ｏ−アセチル）オキシム、
１，３−ジフェニル−１，２，３−プロパントリオン−
２−（ｏ−ｎ−プロピルカルボニル）オキシム、１，３
−ジフェニル−１，２，３−プロパントリオン−２−
（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１，３−ジフェ
ニル−１，２，３−プロパントリオン−２−（ｏ−エト
キシカルボニル）オキシム、１，３−ジフェニル−１，
２，３−プロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オ
キシム、１，３−ジフェニル−１，２，３−プロパント
リオン−２−（ｏ−フェニルオキシカルボニル）オキシ
ム、１，３−ビス（ｐ−メチルフェニル）−１，２，３
−プロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシ
ム、１，３−ビス（ｐ−メトキシフェニル）−１，２，
３−プロパントリオン−２−（ｏ−エトキシカルボニ
ル）オキシム、１−（ｐ−メトキシフェニル）−３−
（ｐ−ニトロフェニル）−１，２，３−プロパントリオ
ン−２−（ｏ−フェニルオキシカルボニル）オキシム等
の増感助剤を用いることができる。これらの化合物は、
このうちの１種類を用いてもよく、２種以上を混合して
用いてもよい。
ルアミノエチルベンゾエート、４−ジメチルアミノエチ
ルベンゾエート、４−ジエチルアミノプロピルベンゾエ
ート、４−ジメチルアミノプロピルベンゾエート、４−
ジメチルアミノイソアミルベンゾエート、Ｎ−フェニル
グリシン、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−
（４−シアノフェニル）グリシン、４−ジメチルアミノ
ベンゾニトリル、エチレングリコールジチオグリコレー
ト、エチレングリコールジ（３−メルカプトプロピオネ
ート）、トリメチロールプロパンチオグリコレート、ト
リメチロールプロパントリ（３−メルカプトプロピオネ
ート）、ペンタエリスリトールテトラチオグリコレー
ト、ペンタエリスリトールテトラ（３−メルカプトプロ
ピオネート）、トリメチロールエタントリチオグリコレ
ート、トリメチロールプロパントリチオグリコレート、
トリメチロールエタントリ（３−メルカプトプロピオネ
ート）、ジペンタエリスリトールヘキサ（３−メルカプ
トプロピオネート）、チオグリコール酸、α−メルカプ
トプロピオン酸、ｔ−ブチルペルオキシベンゾエート、
ｔ−ブチルペルオキシメトキシベンゾエート、ｔ−ブチ
ルペルオキシニトロベンゾエート、ｔ−ブチルペルオキ
シエチルベンゾエート、フェニルイソプロピルペルオキ
シベンゾエート、ジｔ−ブチルジペルオキシイソフタレ
ート、トリｔ−ブチルトリペルオキシトリメリテート、
トリｔ−ブチルトリペルオキシトリメシテート、テトラ
ｔ−ブチルテトラペルオキシピロメリテート、２，５−
ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルペルオキシ）ヘキサ
ン、３，３'，４，４'−テトラ（ｔ−ブチルペルオキシ
カルボニル）ベンゾフェノン、３，３'，４，４'−テト
ラ（ｔ−アミルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノ
ン、３，３'，４，４'−テトラ（ｔ−ヘキシルペルオキ
シカルボニル）ベンゾフェノン、２，６−ジ（ｐ−アジ
ドベンザル）−４−ヒドロキシシクロヘキサノン、２，
６−ジ（ｐ−アジドベンザル）−４−カルボキシシクロ
ヘキサノン、２，６−ジ（ｐ−アジドベンザル）−４−
メトキシシクロヘキサノン、２，６−ジ（ｐ−アジドベ
ンザル）−４−ヒドロキシメチルシクロヘキサノン、
３，５−ジ（ｐ−アジドベンザル）−１−メチル−４−
ピペリドン、３，５−ジ（ｐ−アジドベンザル）−４−
ピペリドン、３，５−ジ（ｐ−アジドベンザル）−Ｎ−
アセチル−４−ピペリドン、３，５−ジ（ｐ−アジドベ
ンザル）−Ｎ−メトキシカルボニル−４−ピペリドン、
２，６−ジ（ｐ−アジドベンザル）−４−ヒドロキシシ
クロヘキサノン、２，６−ジ（ｍ−アジドベンザル）−
４−カルボキシシクロヘキサノン、２，６−ジ（ｍ−ア
ジドベンザル）−４−メトキシシクロヘキサノン、２，
６−ジ（ｍ−アジドベンザル）−４−ヒドロキシメチル
シクロヘキサノン、３，５−ジ（ｍ−アジドベンザル）
−Ｎ−メチル−４−ピペリドン、３，５−ジ（ｍ−アジ
ドベンザル）−４−ピペリドン、３，５−ジ（ｍ−アジ
ドベンザル）−Ｎ−アセチル−４−ピペリドン、３，５
−ジ（ｍ−アジドベンザル）−Ｎ−メトキシカルボニル
−４−ピペリドン、２，６−ジ（ｐ−アジドシンナミリ
デン）−４−ヒドロキシシクロヘキサノン、２，６−ジ
（ｐ−アジドシンナミリデン）−４−カルボキシシクロ
ヘキサノン、２，６−ジ（ｐ−アジドシンナミリデン）
−４−ヒドロキシメチルシクロヘキサノン、３，５−ジ
（ｐ−アジドシンナミリデン）−Ｎ−メチル−４−ピペ
リドン、４，４’−ジアジドカルコン、３，３’−ジア
ジドカルコン、３，４’−ジアジドカルコン、４，３’
−ジアジドカルコン、１，３−ジフェニル−１，２，３
−プロパントリオン−２−（ｏ−アセチル）オキシム、
１，３−ジフェニル−１，２，３−プロパントリオン−
２−（ｏ−ｎ−プロピルカルボニル）オキシム、１，３
−ジフェニル−１，２，３−プロパントリオン−２−
（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１，３−ジフェ
ニル−１，２，３−プロパントリオン−２−（ｏ−エト
キシカルボニル）オキシム、１，３−ジフェニル−１，
２，３−プロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オ
キシム、１，３−ジフェニル−１，２，３−プロパント
リオン−２−（ｏ−フェニルオキシカルボニル）オキシ
ム、１，３−ビス（ｐ−メチルフェニル）−１，２，３
−プロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシ
ム、１，３−ビス（ｐ−メトキシフェニル）−１，２，
３−プロパントリオン−２−（ｏ−エトキシカルボニ
ル）オキシム、１−（ｐ−メトキシフェニル）−３−
（ｐ−ニトロフェニル）−１，２，３−プロパントリオ
ン−２−（ｏ−フェニルオキシカルボニル）オキシム等
の増感助剤を用いることができる。これらの化合物は、
このうちの１種類を用いてもよく、２種以上を混合して
用いてもよい。
【００６２】これら増感助剤のうち、４−ジエチルアミ
ノエチルベンゾエート、４−ジメチルアミノエチルベン
ゾエート、４−ジメチルアミノイソアミルベンゾエー
ト、Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニル
グリシン、Ｎ−（４−シアノフェニル）グリシン、４−
ジメチルアミノベンゾニトリル、ペンタエリスリトール
テトラチオグリコレート、ペンタエリスリトールテトラ
（３−メルカプトプロピオネート）、トリメチロールエ
タントリチオグリコレート、トリメチロールプロパント
リチオグリコレート、トリメチロールエタントリ（３−
メルカプトプロピオネート）、チオグリコール酸、ｔ−
ブチルペルオキシメトキシベンゾエート、ｔ−ブチルペ
ルオキシニトロベンゾエート、ｔ−ブチルペルオキシエ
チルベンゾエート、フェニルイソプロピルペルオキシベ
ンゾエート、ジｔ−ブチルジペルオキシイソフタレー
ト、トリｔ−ブチルトリペルオキシトリメリテート、ト
リｔ−ブチルトリペルオキシトリメシテート、テトラｔ
−ブチルテトラペルオキシピロメリテート、２，５−ジ
メチル−２，５−ジ（ベンゾイルペルオキシ）ヘキサ
ン、３，３'，４，４'−テトラ（ｔ−ブチルペルオキシ
カルボニル）ベンゾフェノン、３，３'，４，４'−テト
ラ（ｔ−アミルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノ
ン、３，３'，４，４'−テトラ（ｔ−ヘキシルペルオキ
シカルボニル）ベンゾフェノン、１，３−ジフェニル−
１，２，３−プロパントリオン−２−（ｏ−エトキシカ
ルボニル）オキシムが特に好ましい。
ノエチルベンゾエート、４−ジメチルアミノエチルベン
ゾエート、４−ジメチルアミノイソアミルベンゾエー
ト、Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニル
グリシン、Ｎ−（４−シアノフェニル）グリシン、４−
ジメチルアミノベンゾニトリル、ペンタエリスリトール
テトラチオグリコレート、ペンタエリスリトールテトラ
（３−メルカプトプロピオネート）、トリメチロールエ
タントリチオグリコレート、トリメチロールプロパント
リチオグリコレート、トリメチロールエタントリ（３−
メルカプトプロピオネート）、チオグリコール酸、ｔ−
ブチルペルオキシメトキシベンゾエート、ｔ−ブチルペ
ルオキシニトロベンゾエート、ｔ−ブチルペルオキシエ
チルベンゾエート、フェニルイソプロピルペルオキシベ
ンゾエート、ジｔ−ブチルジペルオキシイソフタレー
ト、トリｔ−ブチルトリペルオキシトリメリテート、ト
リｔ−ブチルトリペルオキシトリメシテート、テトラｔ
−ブチルテトラペルオキシピロメリテート、２，５−ジ
メチル−２，５−ジ（ベンゾイルペルオキシ）ヘキサ
ン、３，３'，４，４'−テトラ（ｔ−ブチルペルオキシ
カルボニル）ベンゾフェノン、３，３'，４，４'−テト
ラ（ｔ−アミルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノ
ン、３，３'，４，４'−テトラ（ｔ−ヘキシルペルオキ
シカルボニル）ベンゾフェノン、１，３−ジフェニル−
１，２，３−プロパントリオン−２−（ｏ−エトキシカ
ルボニル）オキシムが特に好ましい。
【００６３】さらに、本発明に用いられる感光剤には、
アクリジン、ニトロピレン、１，８−ジニトロピレン、
ピレン−１，６−キノン−９−フルオレン、アントアン
トロン、２−クロロ−１，２−ベンズアントラキノン、
２−ブロモベンズアントラキノン、３，５−ジエチルチ
オキサントン、ベンジル、３−アセチルフェナントレ
ン、１−インダノン、７−Ｈ−ベンズ［ｄｅ］アントラ
セン−７−オン、１−ネフトルアルデヒド等の光重合開
始剤を用いることができる。これらの化合物は、このう
ちの１種類を用いてもよく、２種以上を混合して用いて
もよい。
アクリジン、ニトロピレン、１，８−ジニトロピレン、
ピレン−１，６−キノン−９−フルオレン、アントアン
トロン、２−クロロ−１，２−ベンズアントラキノン、
２−ブロモベンズアントラキノン、３，５−ジエチルチ
オキサントン、ベンジル、３−アセチルフェナントレ
ン、１−インダノン、７−Ｈ−ベンズ［ｄｅ］アントラ
セン−７−オン、１−ネフトルアルデヒド等の光重合開
始剤を用いることができる。これらの化合物は、このう
ちの１種類を用いてもよく、２種以上を混合して用いて
もよい。
【００６４】これらの中で好ましいものの例としては、
４−ジエチルアミノエチルベンゾエート、４−ジメチル
アミノエチルベンゾエート、４−ジメチルアミノイソア
ミルベンゾエート、Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−メチル
−Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−（４−シアノフェニル）
グリシン、４−ジメチルアミノベンゾニトリル、ペンタ
エリスリトールテトラチオグリコレート、ペンタエリス
リトールテトラ（３−メルカプトプロピオネート）、ト
リメチロールエタントリチオグリコレート、トリメチロ
ールプロパントリチオグリコレート、トリメチロールエ
タントリ（３−メルカプトプロピオネート）、チオグリ
コール酸、ｔ−ブチルペルオキシメトキシベンゾエー
ト、ｔ−ブチルペルオキシニトロベンゾエート、ｔ−ブ
チルペルオキシエチルベンゾエート、フェニルイソプロ
ピルペルオキシベンゾエート、ジｔ−ブチルジペルオキ
シイソフタレート、トリｔ−ブチルトリペルオキシトリ
メリテート、トリｔ−ブチルトリペルオキシトリメシテ
ート、テトラｔ−ブチルテトラペルオキシピロメリテー
ト、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルペルオ
キシ）ヘキサン、３，３'，４，４'−テトラ（ｔ−ブチ
ルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３'，
４，４'−テトラ（ｔ−アミルペルオキシカルボニル）
ベンゾフェノン、３，３'，４，４'−テトラ（ｔ−ヘキ
シルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、１，３−
ジフェニル−１，２，３−プロパントリオン−２−（ｏ
−エトキシカルボニル）オキシムが挙げられる。
４−ジエチルアミノエチルベンゾエート、４−ジメチル
アミノエチルベンゾエート、４−ジメチルアミノイソア
ミルベンゾエート、Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−メチル
−Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−（４−シアノフェニル）
グリシン、４−ジメチルアミノベンゾニトリル、ペンタ
エリスリトールテトラチオグリコレート、ペンタエリス
リトールテトラ（３−メルカプトプロピオネート）、ト
リメチロールエタントリチオグリコレート、トリメチロ
ールプロパントリチオグリコレート、トリメチロールエ
タントリ（３−メルカプトプロピオネート）、チオグリ
コール酸、ｔ−ブチルペルオキシメトキシベンゾエー
ト、ｔ−ブチルペルオキシニトロベンゾエート、ｔ−ブ
チルペルオキシエチルベンゾエート、フェニルイソプロ
ピルペルオキシベンゾエート、ジｔ−ブチルジペルオキ
シイソフタレート、トリｔ−ブチルトリペルオキシトリ
メリテート、トリｔ−ブチルトリペルオキシトリメシテ
ート、テトラｔ−ブチルテトラペルオキシピロメリテー
ト、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルペルオ
キシ）ヘキサン、３，３'，４，４'−テトラ（ｔ−ブチ
ルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３'，
４，４'−テトラ（ｔ−アミルペルオキシカルボニル）
ベンゾフェノン、３，３'，４，４'−テトラ（ｔ−ヘキ
シルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、１，３−
ジフェニル−１，２，３−プロパントリオン−２−（ｏ
−エトキシカルボニル）オキシムが挙げられる。
【００６５】感光剤の好適な配合割合は、一般式（化
１）および（化２）で表される繰返し単位を有する上述
のポリイミド前駆体１００重量部に対し、０．１〜３０
重量部が好ましく、さらに好ましくは０．３〜２０重量
部の範囲である。この範囲を逸脱すると増感効果が得ら
れなかったり、現像性に好ましくない影響を及ぼすこと
がある。
１）および（化２）で表される繰返し単位を有する上述
のポリイミド前駆体１００重量部に対し、０．１〜３０
重量部が好ましく、さらに好ましくは０．３〜２０重量
部の範囲である。この範囲を逸脱すると増感効果が得ら
れなかったり、現像性に好ましくない影響を及ぼすこと
がある。
【００６６】なお、本発明に用いられるポリイミド前駆
体組成物は、塗布に必要な粘性を得るために、溶剤を含
んでいてもよい。溶剤としては、溶解性の観点から非プ
ロトン性極性溶剤が望ましく、具体的にはＮ−メチル−
２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ−
ベンジル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホ
キシド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、Ｎ−アセチ
ル−ε−カプロラクタム、ジメチルイミダゾリジノン、
ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレン
グリコールジメチルエーテル、γ−ブチロラクトンなど
を用いることがでできる。溶剤として、これらのうちか
ら選ばれる一種類の溶剤を用いてもよいし、複数種類の
溶剤を混合して用いてもよい。また、塗布性を改善する
ために、トルエン、キシレン、メトキシベンゼン等の芳
香族系溶剤をポリマーの溶解に悪影響を及ぼさない範囲
で混合して用いても差し支えない。
体組成物は、塗布に必要な粘性を得るために、溶剤を含
んでいてもよい。溶剤としては、溶解性の観点から非プ
ロトン性極性溶剤が望ましく、具体的にはＮ−メチル−
２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ−
ベンジル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホ
キシド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、Ｎ−アセチ
ル−ε−カプロラクタム、ジメチルイミダゾリジノン、
ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレン
グリコールジメチルエーテル、γ−ブチロラクトンなど
を用いることがでできる。溶剤として、これらのうちか
ら選ばれる一種類の溶剤を用いてもよいし、複数種類の
溶剤を混合して用いてもよい。また、塗布性を改善する
ために、トルエン、キシレン、メトキシベンゼン等の芳
香族系溶剤をポリマーの溶解に悪影響を及ぼさない範囲
で混合して用いても差し支えない。
【００６７】なお、本発明では、溶液状態のポリイミド
前駆体、および、ポリイミド前駆体組成物の塗布に際し
ては、スピンナーを用いた回転塗布、浸漬、噴霧印刷、
スクリーン印刷などの種々の方法を採ることができる。
また、塗布膜厚は塗布条件や固形分濃度によって調節可
能であり、塗布後、乾燥工程をへて支持基板上で塗膜を
形成したのち、加熱硬化することが望ましい。乾燥は５
０℃以上１２０℃以下の範囲から選択される温度で行わ
れる。５０℃より低いと溶剤の蒸発に時間がかかった
り、乾燥が不十分であったりして実用的でないことがあ
る。
前駆体、および、ポリイミド前駆体組成物の塗布に際し
ては、スピンナーを用いた回転塗布、浸漬、噴霧印刷、
スクリーン印刷などの種々の方法を採ることができる。
また、塗布膜厚は塗布条件や固形分濃度によって調節可
能であり、塗布後、乾燥工程をへて支持基板上で塗膜を
形成したのち、加熱硬化することが望ましい。乾燥は５
０℃以上１２０℃以下の範囲から選択される温度で行わ
れる。５０℃より低いと溶剤の蒸発に時間がかかった
り、乾燥が不十分であったりして実用的でないことがあ
る。
【００６８】本発明に用いられる感光性を付与されたポ
リイミド前駆体組成物は、通常のフォトリソグラフィー
技術でパターン加工が可能である。このポリイミド前駆
体組成物を半導体素子表面に塗布し、乾燥工程をへて半
導体素子表面に塗膜を形成したのち、フォトマスクを介
して紫外線を照射し、次いで未露光部を現像液で溶解除
去することにより、所望のリーフ・パターンを得ること
ができる。なお、塗膜の乾燥は５０℃以上１２０℃以下
の範囲から選択される温度で行われることが望ましい。
５０℃より低いと溶剤の蒸発に時間がかかったり、乾燥
が不十分であったりして実用的でない。１２０℃より高
いと熱反応による部分的な架橋反応のため現像性が損な
われる。
リイミド前駆体組成物は、通常のフォトリソグラフィー
技術でパターン加工が可能である。このポリイミド前駆
体組成物を半導体素子表面に塗布し、乾燥工程をへて半
導体素子表面に塗膜を形成したのち、フォトマスクを介
して紫外線を照射し、次いで未露光部を現像液で溶解除
去することにより、所望のリーフ・パターンを得ること
ができる。なお、塗膜の乾燥は５０℃以上１２０℃以下
の範囲から選択される温度で行われることが望ましい。
５０℃より低いと溶剤の蒸発に時間がかかったり、乾燥
が不十分であったりして実用的でない。１２０℃より高
いと熱反応による部分的な架橋反応のため現像性が損な
われる。
【００６９】現像液には、本組成物の良溶媒であるＮ−
メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリド
ン、Ｎ−ベンジル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、Ｎ
−アセチル−ε−カプロラクタム、ジメチルイミダゾリ
ジノン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリ
エチレングリコールジメチルエーテル、γ−ブチロラク
トンなどのうちから適宜選択された溶剤を用いるか、あ
るいは、これらの良溶媒のいずれかと、メタノール、エ
タノール、イソプロピルアルコール、トルエン、キシレ
ン、１，２−ジメトキシエタン、２−メトキシエタノー
ル、１−アセトキシ−２−メトキシエタン、水等、本組
成物の非溶剤との混合液を用いることができる。
メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリド
ン、Ｎ−ベンジル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、Ｎ
−アセチル−ε−カプロラクタム、ジメチルイミダゾリ
ジノン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリ
エチレングリコールジメチルエーテル、γ−ブチロラク
トンなどのうちから適宜選択された溶剤を用いるか、あ
るいは、これらの良溶媒のいずれかと、メタノール、エ
タノール、イソプロピルアルコール、トルエン、キシレ
ン、１，２−ジメトキシエタン、２−メトキシエタノー
ル、１−アセトキシ−２−メトキシエタン、水等、本組
成物の非溶剤との混合液を用いることができる。
【００７０】現像によって形成したレリーフ・パターン
は次いでリンス液により洗浄して、現像溶剤を除去す
る。リンス液には現像液との混和性の良いメタノール、
エタノール、イソプロピルアルコール、トルエン、キシ
レン、１，２−ジメトキシエタン、２−メトキシエタノ
ール、１−アセトキシ−２−メトキシエタン、水などが
好適な例としてあげられる。
は次いでリンス液により洗浄して、現像溶剤を除去す
る。リンス液には現像液との混和性の良いメタノール、
エタノール、イソプロピルアルコール、トルエン、キシ
レン、１，２−ジメトキシエタン、２−メトキシエタノ
ール、１−アセトキシ−２−メトキシエタン、水などが
好適な例としてあげられる。
【００７１】得られたポリイミド前駆体膜を、２００℃
から４５０℃までの範囲から選ばれた加熱温度で処理す
ることにより、高耐熱性を有し、機械特性の優れたポリ
イミドが得られる。加熱温度が２００℃より低いとイミ
ド環形成反応が起こらないか、あるいは極端に遅くなり
実用的でない。４５０℃より高い場合は硬化物自身の熱
分解が起こり、好ましくない。加熱温度が３００℃を超
える場合はＮ2などの不活性ガス雰囲気にするのが望ま
しい。
から４５０℃までの範囲から選ばれた加熱温度で処理す
ることにより、高耐熱性を有し、機械特性の優れたポリ
イミドが得られる。加熱温度が２００℃より低いとイミ
ド環形成反応が起こらないか、あるいは極端に遅くなり
実用的でない。４５０℃より高い場合は硬化物自身の熱
分解が起こり、好ましくない。加熱温度が３００℃を超
える場合はＮ2などの不活性ガス雰囲気にするのが望ま
しい。
【００７２】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。なお、以
下の各実施例において、粘度は、ＤＶＲ−Ｅ型粘度計
（（株）トキメック製）により２５℃で測定した。
下の各実施例において、粘度は、ＤＶＲ−Ｅ型粘度計
（（株）トキメック製）により２５℃で測定した。
【００７３】（合成例１）下記一般式（化１２）により
表される第１の繰返し単位と、下記一般式（化１３）で
表される第２の繰返し単位とからなり、一分子中に存在
する第１の繰返し単位の数をと第２の繰返し単位の数と
の和を１００とするとき、第１の繰返し単位の数は９５
であり、第２の繰返し単位の数は５であるであるポリイ
ミド前駆体（以下、化合物１と呼ぶ）を合成した。
表される第１の繰返し単位と、下記一般式（化１３）で
表される第２の繰返し単位とからなり、一分子中に存在
する第１の繰返し単位の数をと第２の繰返し単位の数と
の和を１００とするとき、第１の繰返し単位の数は９５
であり、第２の繰返し単位の数は５であるであるポリイ
ミド前駆体（以下、化合物１と呼ぶ）を合成した。
【００７４】
【化１２】
【００７５】
【化１３】
【００７６】（１）ジアミン化合物の合成 まず、２−（３，５-ジアミノベンゾイルオキシ)エチル
イソプロピレート（化合物４）を、下記反応式（化１
４）にしたがって二段階の反応で合成した。
イソプロピレート（化合物４）を、下記反応式（化１
４）にしたがって二段階の反応で合成した。
【００７７】
【化１４】
【００７８】滴下漏斗、還流冷却管、温度計、撹拌羽根
を備えた容量１リットルの４つ口フラスコに、３，５−
ジニトロベンゾイルクロライド（化合物２）８３ｇ
（０．３６ｍｏｌ）、ピリジン２８ｇ（０．３６ｍｏ
ｌ）を入れ、ジクロロメタン１００ｍｌに溶解した。フ
ラスコを氷水で１０℃に冷し、２-メチルプロピオン酸
２−ヒドロキシエチル６２ｇ（０．４７ｍｏｌ）を２０
分間で１０℃を保って撹拌しながら滴下した。滴下後５
０℃のオイルバスにフラスコを浸し、１時間撹拌した。
室温まで冷却し、５０ｍｌの水を加えて数分撹拌し後、
溶液全部を分液漏斗に移し水層を分離しさらに、分液漏
斗に下層の有機層を戻し、これに５％炭酸ナトリウム水
溶液を加えて混合したのち、下層の有機層を取り出し、
これを無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後の溶液
からジクロロメタンをエバポレーターで留去すると固体
が析出した。この固体をメタノール２００ｍｌと水１０
０ｍｌの混合溶媒で再結晶し２−(３，５−ジニトロベ
ンゾイルオキシ)エチルイソプロピレート（化合物３）
を得た。収量１００ｇ（８６％）、融点５５〜５８℃で
あった。
を備えた容量１リットルの４つ口フラスコに、３，５−
ジニトロベンゾイルクロライド（化合物２）８３ｇ
（０．３６ｍｏｌ）、ピリジン２８ｇ（０．３６ｍｏ
ｌ）を入れ、ジクロロメタン１００ｍｌに溶解した。フ
ラスコを氷水で１０℃に冷し、２-メチルプロピオン酸
２−ヒドロキシエチル６２ｇ（０．４７ｍｏｌ）を２０
分間で１０℃を保って撹拌しながら滴下した。滴下後５
０℃のオイルバスにフラスコを浸し、１時間撹拌した。
室温まで冷却し、５０ｍｌの水を加えて数分撹拌し後、
溶液全部を分液漏斗に移し水層を分離しさらに、分液漏
斗に下層の有機層を戻し、これに５％炭酸ナトリウム水
溶液を加えて混合したのち、下層の有機層を取り出し、
これを無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後の溶液
からジクロロメタンをエバポレーターで留去すると固体
が析出した。この固体をメタノール２００ｍｌと水１０
０ｍｌの混合溶媒で再結晶し２−(３，５−ジニトロベ
ンゾイルオキシ)エチルイソプロピレート（化合物３）
を得た。収量１００ｇ（８６％）、融点５５〜５８℃で
あった。
【００７９】次に、熱電対温度計、撹拌羽根を備えた５
ｌのオートクレープに、５％パラジウムカーボン９ｇ、
２−(３，５−ジニトロベンゾイルオキシ)エチルイソプ
ロピレート（化合物３）９０ｇ（０．２７ｍｏｌ）、エ
タノール９００ｍｌを入れ密閉した。内部を水素置換
後、水素を導入し圧力５ｋｇ/ｃｍ2とし、室温(７℃)で
撹拌を開始した。１０分後温度は３４℃に上がり、圧力
は１ｋｇ/ｃｍ2に低下したため、水素を導入し圧力を５
ｋｇ/ｃｍ2とし撹拌を続けた。さらに１０分後温度は５
０℃になり、圧力は１ｋｇ/ｃｍ2に低下したため、再び
水素を導入し圧力を５ｋｇ/ｃｍ2とし撹拌を続けた。こ
の後、温度は下がりはじめ、圧力は４ｋｇ/ｃｍ2で一定
となったためそのまま１００分間撹拌を続けた(温度は
１８℃まで降下)。内部を窒素で置換後、オートクレー
プ内の溶液を取り出し、パラジウムカーボンを濾過によ
って除き、瀘液をエバポレーターで濃縮すると固体が析
出した。この固体をトルエン２００ｍｌで再結晶し２−
(３，５−ジアミノベンゾイルオキシ)エチルイソプロピ
レート（化合物４）を得た。収量６０ｇ（８３％）、融
点８１〜８３℃であった。
ｌのオートクレープに、５％パラジウムカーボン９ｇ、
２−(３，５−ジニトロベンゾイルオキシ)エチルイソプ
ロピレート（化合物３）９０ｇ（０．２７ｍｏｌ）、エ
タノール９００ｍｌを入れ密閉した。内部を水素置換
後、水素を導入し圧力５ｋｇ/ｃｍ2とし、室温(７℃)で
撹拌を開始した。１０分後温度は３４℃に上がり、圧力
は１ｋｇ/ｃｍ2に低下したため、水素を導入し圧力を５
ｋｇ/ｃｍ2とし撹拌を続けた。さらに１０分後温度は５
０℃になり、圧力は１ｋｇ/ｃｍ2に低下したため、再び
水素を導入し圧力を５ｋｇ/ｃｍ2とし撹拌を続けた。こ
の後、温度は下がりはじめ、圧力は４ｋｇ/ｃｍ2で一定
となったためそのまま１００分間撹拌を続けた(温度は
１８℃まで降下)。内部を窒素で置換後、オートクレー
プ内の溶液を取り出し、パラジウムカーボンを濾過によ
って除き、瀘液をエバポレーターで濃縮すると固体が析
出した。この固体をトルエン２００ｍｌで再結晶し２−
(３，５−ジアミノベンゾイルオキシ)エチルイソプロピ
レート（化合物４）を得た。収量６０ｇ（８３％）、融
点８１〜８３℃であった。
【００８０】得られた化合物（化合物４）の構造は、表
１に示す赤外線吸収スペクトル（ＩＲ）およびプロトン
核磁気共鳴スペクトル（Ｈ1−ＮＭＲ）の分析結果によ
り確認した。
１に示す赤外線吸収スペクトル（ＩＲ）およびプロトン
核磁気共鳴スペクトル（Ｈ1−ＮＭＲ）の分析結果によ
り確認した。
【００８１】
【表１】
【００８２】（２）ポリイミド前駆体の合成 得られたジアミン体（化合物４）を用いて、下記反応式
（化１５）に示すように、ポリイミド前駆体であるポリ
アミド酸を合成した。
（化１５）に示すように、ポリイミド前駆体であるポリ
アミド酸を合成した。
【００８３】
【化１５】
【００８４】温度計、撹拌羽根(モ−タ−駆動)を備えた
容量１００ｍｌの４つ口フラスコ中に、溶媒としてカル
シウムハイドライドにより脱水乾燥したＮ−メチル−２
−ピロリドン(以下、ＮＭＰと略す)３２．７２ｇを入
れ、ジアミン体（化合物４）４．９２１ｇ(０．０１８
５ｍｏｌ)、ビス(３−アミノプロピル)テトラメチルジ
シロキサン（化合物５）０．２４２５ｇ(０．０００９
７６ｍｏｌ)を加え撹拌溶解した。この溶液に対して、
粉末状のビフェニルテトラカルボン酸二無水物(ＢＰＤ
Ａ)５．７４２ｇ(０．０１９５ｍｏｌ)を少量ずつ加え
た。この時、液温は３５℃に上昇し、１時間後液温は室
温に下がり、２時間後ＢＰＤＡは溶解した。その後室温
で４時間撹拌すると、粘度は３．１０Ｐａ・ｓとなっ
た。この溶液(固形分濃度２５％)を５μｍ孔のフィルタ
を用いて加圧濾過して、求めるポリアミド酸である化合
物１を得た。
容量１００ｍｌの４つ口フラスコ中に、溶媒としてカル
シウムハイドライドにより脱水乾燥したＮ−メチル−２
−ピロリドン(以下、ＮＭＰと略す)３２．７２ｇを入
れ、ジアミン体（化合物４）４．９２１ｇ(０．０１８
５ｍｏｌ)、ビス(３−アミノプロピル)テトラメチルジ
シロキサン（化合物５）０．２４２５ｇ(０．０００９
７６ｍｏｌ)を加え撹拌溶解した。この溶液に対して、
粉末状のビフェニルテトラカルボン酸二無水物(ＢＰＤ
Ａ)５．７４２ｇ(０．０１９５ｍｏｌ)を少量ずつ加え
た。この時、液温は３５℃に上昇し、１時間後液温は室
温に下がり、２時間後ＢＰＤＡは溶解した。その後室温
で４時間撹拌すると、粘度は３．１０Ｐａ・ｓとなっ
た。この溶液(固形分濃度２５％)を５μｍ孔のフィルタ
を用いて加圧濾過して、求めるポリアミド酸である化合
物１を得た。
【００８５】（合成例２）下記一般式（化１６）により
表される第１の繰返し単位と、下記一般式（化１３）で
表される第２の繰返し単位とからなり、一分子中に存在
する第１の繰返し単位の数をと第２の繰返し単位の数と
の和を１００とするとき、第１の繰返し単位の数は９５
であり、第２の繰返し単位の数は５であるであるポリイ
ミド前駆体（以下、化合物６と呼ぶ）を合成した。
表される第１の繰返し単位と、下記一般式（化１３）で
表される第２の繰返し単位とからなり、一分子中に存在
する第１の繰返し単位の数をと第２の繰返し単位の数と
の和を１００とするとき、第１の繰返し単位の数は９５
であり、第２の繰返し単位の数は５であるであるポリイ
ミド前駆体（以下、化合物６と呼ぶ）を合成した。
【００８６】
【化１６】
【００８７】
【化１３】
【００８８】（１）ジアミン化合物の合成 まず、３，５−ジアミノフェニルカルバミド酸−２−イ
ソプロポキシカルボニルエチル（化合物９）を、下記反
応式（化１７）にしたがって二段階の反応で合成した。
ソプロポキシカルボニルエチル（化合物９）を、下記反
応式（化１７）にしたがって二段階の反応で合成した。
【００８９】
【化１７】
【００９０】窒素導入管、滴下漏斗、還流冷却管、温度
計、撹拌羽根を備えた容量０．３リットルの４つ口フラ
スコに、窒気流下で３，５−ジニトロフェニルカルボニ
ルアジド１９．５ｇ（０．０８２２ｍｏｌ）を入れ、ア
セトニトリルを加えて溶解して全量を５０ｍｌとしたの
ち、加熱還流して３，５−ジニトロフェニルイソシアナ
ート（化合物７）のアセトニトリル溶液５０ｍｌを得
た。このフラスコを氷水で冷しながら２−メチルプロピ
オン酸２−ヒドロキシエチル１２．０ｇ（０．０９０９
ｍｏｌ）を滴下撹拌した。滴下後室温で２時間撹拌し、
５０ｍｌの水を加えて数分撹拌し後、ジクロロメタンを
加え溶液全部を分液漏斗に移し水層を分離後、下層の有
機層を分液漏斗に戻して５％炭酸ナトリウム水溶液を加
え、混合した後、下層の有機層を取り出し、これを無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後の溶液からジクロ
ロメタンをエバポレーターで留去すると固体が析出し
た。この固体をブタノールで再結晶し黄色粉末の３，５
−ジニトロフェニルカルバミド酸−２−イソプロポキシ
カルボニルエチル（化合物８）を得た。収量１４．４ｇ
（５０％）、融点９４〜９５℃であった。
計、撹拌羽根を備えた容量０．３リットルの４つ口フラ
スコに、窒気流下で３，５−ジニトロフェニルカルボニ
ルアジド１９．５ｇ（０．０８２２ｍｏｌ）を入れ、ア
セトニトリルを加えて溶解して全量を５０ｍｌとしたの
ち、加熱還流して３，５−ジニトロフェニルイソシアナ
ート（化合物７）のアセトニトリル溶液５０ｍｌを得
た。このフラスコを氷水で冷しながら２−メチルプロピ
オン酸２−ヒドロキシエチル１２．０ｇ（０．０９０９
ｍｏｌ）を滴下撹拌した。滴下後室温で２時間撹拌し、
５０ｍｌの水を加えて数分撹拌し後、ジクロロメタンを
加え溶液全部を分液漏斗に移し水層を分離後、下層の有
機層を分液漏斗に戻して５％炭酸ナトリウム水溶液を加
え、混合した後、下層の有機層を取り出し、これを無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後の溶液からジクロ
ロメタンをエバポレーターで留去すると固体が析出し
た。この固体をブタノールで再結晶し黄色粉末の３，５
−ジニトロフェニルカルバミド酸−２−イソプロポキシ
カルボニルエチル（化合物８）を得た。収量１４．４ｇ
（５０％）、融点９４〜９５℃であった。
【００９１】次に、熱電対温度計、撹拌羽根を備えた容
量５リットルのオートクレーブに、５％パラジウムカー
ボン４．８ｇ、３，５−ジニトロフェニルカルバミド酸
−２−イソプロポキシカルボニルエチル（化合物８）４
８．０ｇ（０．１４１ｍｏｌ）、エタノール７００ｍｌ
を入れ密閉した。内部を水素置換後、水素を導入し圧力
５ｋｇ/ｃｍ2とし、室温(２０℃)で撹拌を開始した。１
０分後温度は３４℃に上がり、圧力は１ｋｇ/ｃｍ2に低
下したため、水素を導入し圧力を５ｋｇ/ｃｍ2とし撹拌
を続けた。さらに２０分後温度は３０℃になり、圧力は
２．５ｋｇ/ｃｍ2に低下したため、再び水素を導入し圧
力を５ｋｇ/ｃｍ2とし撹拌を続けた。この後、温度は下
がりはじめ、圧力は３ｋｇ/ｃｍ2で一定となったためそ
のまま７０分間撹拌を続けた(温度は２３℃まで降下)。
内部を窒素で置換後、オートクレーブ内の溶液を取り出
し、パラジウムカーボンを濾過によって除き、瀘液をエ
バポレーターで濃縮し、さらに回転ポンプで減圧し、溶
媒を留去すると褐色の粘性のある液体３，５−ジアミノ
フェニルカルバミド酸−２−イソプロポキシカルボニル
エチル（化合物９）を得た。収量３３．７ｇ（８５％）
であった。
量５リットルのオートクレーブに、５％パラジウムカー
ボン４．８ｇ、３，５−ジニトロフェニルカルバミド酸
−２−イソプロポキシカルボニルエチル（化合物８）４
８．０ｇ（０．１４１ｍｏｌ）、エタノール７００ｍｌ
を入れ密閉した。内部を水素置換後、水素を導入し圧力
５ｋｇ/ｃｍ2とし、室温(２０℃)で撹拌を開始した。１
０分後温度は３４℃に上がり、圧力は１ｋｇ/ｃｍ2に低
下したため、水素を導入し圧力を５ｋｇ/ｃｍ2とし撹拌
を続けた。さらに２０分後温度は３０℃になり、圧力は
２．５ｋｇ/ｃｍ2に低下したため、再び水素を導入し圧
力を５ｋｇ/ｃｍ2とし撹拌を続けた。この後、温度は下
がりはじめ、圧力は３ｋｇ/ｃｍ2で一定となったためそ
のまま７０分間撹拌を続けた(温度は２３℃まで降下)。
内部を窒素で置換後、オートクレーブ内の溶液を取り出
し、パラジウムカーボンを濾過によって除き、瀘液をエ
バポレーターで濃縮し、さらに回転ポンプで減圧し、溶
媒を留去すると褐色の粘性のある液体３，５−ジアミノ
フェニルカルバミド酸−２−イソプロポキシカルボニル
エチル（化合物９）を得た。収量３３．７ｇ（８５％）
であった。
【００９２】得られた化合物（化合物９）の構造は、赤
外線吸収スペクトル（ＩＲ）およびプロトン核磁気共鳴
スペクトル（Ｈ1−ＮＭＲ）の分析結果により確認し
た。分析結果を表２に示す。
外線吸収スペクトル（ＩＲ）およびプロトン核磁気共鳴
スペクトル（Ｈ1−ＮＭＲ）の分析結果により確認し
た。分析結果を表２に示す。
【００９３】
【表２】
【００９４】（２）ポリイミド前駆体の合成 つぎに、得られた３，５−ジアミノフェニルカルバミド
酸−２−イソプロポキシカルボニルエチル（化合物９）
を用い、下記反応式（化１８）に示すように、ポリイミ
ド前駆体であるポリアミド酸を合成した。
酸−２−イソプロポキシカルボニルエチル（化合物９）
を用い、下記反応式（化１８）に示すように、ポリイミ
ド前駆体であるポリアミド酸を合成した。
【００９５】
【化１８】
【００９６】温度計、撹拌羽根(モ−タ−駆動)を備えた
容量１００ｍｌの４つ口フラスコ中に、溶媒としてカル
シウムハイドライドにより脱水乾燥したＮＭＰ３２．８
ｇを入れ、ジアミン体（化合物９）５．１８１ｇ０．０
１８５ｍｏｌ)、ビス(３−アミノプロピル)テトラメチ
ルジシロキサン（化合物５）０．２４２５ｇ(０．００
０９７６ｍｏｌ)を加え撹拌溶解した。この溶液に対し
て、粉末状のＢＰＤＡ５.７４２ｇ(０．０１９５ｍｏ
ｌ)を少量ずつ加えた。この時、液温は３５℃に上昇
し、１時間後液温は室温に下がり、２時間後ＢＰＤＡは
溶解した。その後室温で４時間撹拌すると、粘度は３．
１０Ｐａ・ｓとなった。この溶液(固形分濃度２５％)を
５μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過して、求めるポリ
アミド酸である化合物６を得た。
容量１００ｍｌの４つ口フラスコ中に、溶媒としてカル
シウムハイドライドにより脱水乾燥したＮＭＰ３２．８
ｇを入れ、ジアミン体（化合物９）５．１８１ｇ０．０
１８５ｍｏｌ)、ビス(３−アミノプロピル)テトラメチ
ルジシロキサン（化合物５）０．２４２５ｇ(０．００
０９７６ｍｏｌ)を加え撹拌溶解した。この溶液に対し
て、粉末状のＢＰＤＡ５.７４２ｇ(０．０１９５ｍｏ
ｌ)を少量ずつ加えた。この時、液温は３５℃に上昇
し、１時間後液温は室温に下がり、２時間後ＢＰＤＡは
溶解した。その後室温で４時間撹拌すると、粘度は３．
１０Ｐａ・ｓとなった。この溶液(固形分濃度２５％)を
５μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過して、求めるポリ
アミド酸である化合物６を得た。
【００９７】（合成例３）下記一般式（化１９）により
表される第１の繰返し単位と、下記一般式（化１３）で
表される第２の繰返し単位とからなり、一分子中に存在
する第１の繰返し単位の数をと第２の繰返し単位の数と
の和を１００とするとき、第１の繰返し単位の数は９５
であり、第２の繰返し単位の数は５であるであるポリイ
ミド前駆体（以下、化合物１０と呼ぶ）を合成した。
表される第１の繰返し単位と、下記一般式（化１３）で
表される第２の繰返し単位とからなり、一分子中に存在
する第１の繰返し単位の数をと第２の繰返し単位の数と
の和を１００とするとき、第１の繰返し単位の数は９５
であり、第２の繰返し単位の数は５であるであるポリイ
ミド前駆体（以下、化合物１０と呼ぶ）を合成した。
【００９８】
【化１９】
【００９９】
【化１３】
【０１００】（１）ジアミン化合物の合成 まず、Ｎ−(３，５−ジアミノフェニル)−Ｎ−(２−イ
ソプロポキシカルボニルエチル)尿素（化合物１３）の
合成は、下記反応式（化２０）にしたがって三段階の反
応で合成した。
ソプロポキシカルボニルエチル)尿素（化合物１３）の
合成は、下記反応式（化２０）にしたがって三段階の反
応で合成した。
【０１０１】
【化２０】
【０１０２】まず、窒気流下で３，５−ジニトロフェニ
ルカルボニルアジド１９．５ｇ（０．０８２２ｍｏｌ）
にアセトニトリルを加えて溶解し、全量を５０ｍｌとし
たのち、加熱還流して３，５−ジニトロフェニルイソシ
アナート（化合物７）のアセトニトリル溶液５０ｍｌを
得た。
ルカルボニルアジド１９．５ｇ（０．０８２２ｍｏｌ）
にアセトニトリルを加えて溶解し、全量を５０ｍｌとし
たのち、加熱還流して３，５−ジニトロフェニルイソシ
アナート（化合物７）のアセトニトリル溶液５０ｍｌを
得た。
【０１０３】窒素導入管、滴下漏斗、還流冷却管、温度
計、撹拌羽根を備えた容量０．３リットルの４つ口フラ
スコに、窒気流下２−アミノエタノール１１．０ｇ
（０．１８０ｍｏｌ）を入れ、アセトニトリル５０ｍｌ
に撹拌し溶解した。その後フラスコを氷水で冷しながら
撹拌しつつ、上述の３，５−ジニトロフェニルイソシア
ナート（化合物７）のアセトニトリル溶液５０ｍｌを滴
下した。その後、室温で１時間撹拌し、これを０．７リ
ットルの水に注ぎ、析出した結晶を吸引濾過して集め
た。得られた結晶を水洗後、３５℃で１２時間真空乾燥
し、黄色粉末のＮ−(３，５−ジニトロフェニル)−Ｎ−
(２−ヒドロキシエチル)尿素（化合物１１）を得た。収
量１６．７ｇ（７４％）、融点１９２〜１９４℃であっ
た。
計、撹拌羽根を備えた容量０．３リットルの４つ口フラ
スコに、窒気流下２−アミノエタノール１１．０ｇ
（０．１８０ｍｏｌ）を入れ、アセトニトリル５０ｍｌ
に撹拌し溶解した。その後フラスコを氷水で冷しながら
撹拌しつつ、上述の３，５−ジニトロフェニルイソシア
ナート（化合物７）のアセトニトリル溶液５０ｍｌを滴
下した。その後、室温で１時間撹拌し、これを０．７リ
ットルの水に注ぎ、析出した結晶を吸引濾過して集め
た。得られた結晶を水洗後、３５℃で１２時間真空乾燥
し、黄色粉末のＮ−(３，５−ジニトロフェニル)−Ｎ−
(２−ヒドロキシエチル)尿素（化合物１１）を得た。収
量１６．７ｇ（７４％）、融点１９２〜１９４℃であっ
た。
【０１０４】次に、滴下漏斗、還流冷却管、温度計、撹
拌羽根を備えた容量０．３リットルの４つ口フラスコ
に、Ｎ−(３，５−ジニトロフェニル)−Ｎ−(２−ヒド
ロキシエチル)尿素（化合物１２）１８．０ｇ（０．０
６６６ｍｏｌ）、ピリジン５．２７ｇ（０．０６６６ｍ
ｏｌ）を入れ、ジクロロメタン１５０ｍｌを加え撹拌す
ると黄色の懸濁液となった。つぎに、フラスコを氷水で
冷しながら撹拌しつつ、この懸濁液にイソブチリルクロ
ライド８．５２ｇ（０．０７９９ｍｏｌ）を滴下した。
滴下後、４０℃のオイルバスにフラスコを浸し、１時間
撹拌した。つぎに、室温まで冷却し、５０ｍｌの水を加
えて数分撹拌した後、溶液全部を分液漏斗に移し水層を
分離し、さらに、分液漏斗に下層の有機層を戻し、これ
に５％炭酸ナトリウム水溶液を加えて混合したのち、下
層の有機層を取りだし、これを無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。乾燥後の有機層から、ジクロロメタンをエバ
ポレーターで留去すると固体が析出した。この固体をメ
タノールと水（２：１）の混合溶媒で再結晶したとこ
ろ、黄色粉末のＮ−(３，５−ジニトロフェニル)−Ｎ−
(２−イソプロポキシカルボニルエチル)尿素（化合物１
２）が得られた。収量２０．４ｇ（９０％）、融点８９
〜９２℃。
拌羽根を備えた容量０．３リットルの４つ口フラスコ
に、Ｎ−(３，５−ジニトロフェニル)−Ｎ−(２−ヒド
ロキシエチル)尿素（化合物１２）１８．０ｇ（０．０
６６６ｍｏｌ）、ピリジン５．２７ｇ（０．０６６６ｍ
ｏｌ）を入れ、ジクロロメタン１５０ｍｌを加え撹拌す
ると黄色の懸濁液となった。つぎに、フラスコを氷水で
冷しながら撹拌しつつ、この懸濁液にイソブチリルクロ
ライド８．５２ｇ（０．０７９９ｍｏｌ）を滴下した。
滴下後、４０℃のオイルバスにフラスコを浸し、１時間
撹拌した。つぎに、室温まで冷却し、５０ｍｌの水を加
えて数分撹拌した後、溶液全部を分液漏斗に移し水層を
分離し、さらに、分液漏斗に下層の有機層を戻し、これ
に５％炭酸ナトリウム水溶液を加えて混合したのち、下
層の有機層を取りだし、これを無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。乾燥後の有機層から、ジクロロメタンをエバ
ポレーターで留去すると固体が析出した。この固体をメ
タノールと水（２：１）の混合溶媒で再結晶したとこ
ろ、黄色粉末のＮ−(３，５−ジニトロフェニル)−Ｎ−
(２−イソプロポキシカルボニルエチル)尿素（化合物１
２）が得られた。収量２０．４ｇ（９０％）、融点８９
〜９２℃。
【０１０５】次に、熱電対温度計、撹拌羽根を備えた容
量５リットルのオートクレーブに、５％パラジウムカー
ボン８．３ｇ、Ｎ−(３，５−ジニトロフェニル)−Ｎ−
(２−イソプロポキシカルボニルエチル)尿素（化合物１
２）８３．０ｇ（０．２４４ｍｏｌ）、エタノール８０
０ｍｌを入れ密閉した。内部を水素置換後、水素を導入
し圧力５ｋｇ/ｃｍ2とし、室温(１７℃)で撹拌を開始し
た。１０分後温度は４３℃に上がり、圧力は１ｋｇ/ｃ
ｍ2に低下したため、水素を導入し圧力を５ｋｇ/ｃｍ2
とし撹拌を続けた。さらに１０分後温度は５８℃にな
り、圧力は１ｋｇ/ｃｍ2に低下したため、再び水素を導
入し圧力を５ｋｇ/ｃｍ2とし撹拌を続けた。この後、温
度は下がりはじめ、圧力は４．５ｋｇ/ｃｍ2で一定とな
ったためそのまま６０分間撹拌を続けた(温度は２６℃
まで降下)。内部を窒素で置換後、オートクレーブ内の
溶液を取り出し、パラジウムカーボンを濾過によって除
き、瀘液をエバポレーターで濃縮すると固体が析出し
た。この固体をブタノール３００ｍｌで再結晶しＮ−
(３，５−ジアミノフェニル)−Ｎ−(２−イソプロポキ
シカルボニルエチル)尿素（化合物１３）を得た。収量
５５．０ｇ（８１％）、融点８９〜９０℃であった。
量５リットルのオートクレーブに、５％パラジウムカー
ボン８．３ｇ、Ｎ−(３，５−ジニトロフェニル)−Ｎ−
(２−イソプロポキシカルボニルエチル)尿素（化合物１
２）８３．０ｇ（０．２４４ｍｏｌ）、エタノール８０
０ｍｌを入れ密閉した。内部を水素置換後、水素を導入
し圧力５ｋｇ/ｃｍ2とし、室温(１７℃)で撹拌を開始し
た。１０分後温度は４３℃に上がり、圧力は１ｋｇ/ｃ
ｍ2に低下したため、水素を導入し圧力を５ｋｇ/ｃｍ2
とし撹拌を続けた。さらに１０分後温度は５８℃にな
り、圧力は１ｋｇ/ｃｍ2に低下したため、再び水素を導
入し圧力を５ｋｇ/ｃｍ2とし撹拌を続けた。この後、温
度は下がりはじめ、圧力は４．５ｋｇ/ｃｍ2で一定とな
ったためそのまま６０分間撹拌を続けた(温度は２６℃
まで降下)。内部を窒素で置換後、オートクレーブ内の
溶液を取り出し、パラジウムカーボンを濾過によって除
き、瀘液をエバポレーターで濃縮すると固体が析出し
た。この固体をブタノール３００ｍｌで再結晶しＮ−
(３，５−ジアミノフェニル)−Ｎ−(２−イソプロポキ
シカルボニルエチル)尿素（化合物１３）を得た。収量
５５．０ｇ（８１％）、融点８９〜９０℃であった。
【０１０６】得られたジアミン体（化合物１３）の構造
は、上記表２に示す赤外線吸収スペクトル（ＩＲ）およ
びプロトン核磁気共鳴スペクトル（Ｈ1−ＮＭＲ）の分
析結果により確認した。
は、上記表２に示す赤外線吸収スペクトル（ＩＲ）およ
びプロトン核磁気共鳴スペクトル（Ｈ1−ＮＭＲ）の分
析結果により確認した。
【０１０７】（２）ポリイミド前駆体の合成 つぎに、得られたＮ−(３，５−ジアミノフェニル)−Ｎ
−(２−イソプロポキシカルボニルエチル)尿素（化合物
１３）を用いて、下記反応式（化２１）に示すように、
ポリイミド前駆体であるポリアミド酸（化合物１０）を
合成した。
−(２−イソプロポキシカルボニルエチル)尿素（化合物
１３）を用いて、下記反応式（化２１）に示すように、
ポリイミド前駆体であるポリアミド酸（化合物１０）を
合成した。
【０１０８】
【化２１】
【０１０９】温度計、撹拌羽根(モ−タ−駆動)を備えた
容量１００ｍｌの４つ口フラスコ中に、溶媒としてカル
シウムハイドライドにより脱水乾燥したＮＭＰ３４．３
８ｇを入れ、ジアミン体（化合物１３）５．４７６ｇ
(０．０１８５ｍｏｌ)、ビス(３−アミノプロピル)テト
ラメチルジシロキサン（化合物５）０．２４２５ｇ
(０．０００９７６ｍｏｌ)を加え撹拌溶解した。この溶
液に対して、粉末状のＢＰＤＡ５．７４２ｇ(０．０１
９５ｍｏｌ)を少量ずつ加えた。この時、液温は３５℃
に上昇し、１時間後液温は室温に下がり、２時間後ＢＰ
ＤＡは溶解した。その後室温で４時間撹拌すると、粘度
は３．１０Ｐａ・ｓとなった。この溶液(固形分濃度２
５％)を５μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過して、求
めるポリアミド酸である化合物１０を得た。
容量１００ｍｌの４つ口フラスコ中に、溶媒としてカル
シウムハイドライドにより脱水乾燥したＮＭＰ３４．３
８ｇを入れ、ジアミン体（化合物１３）５．４７６ｇ
(０．０１８５ｍｏｌ)、ビス(３−アミノプロピル)テト
ラメチルジシロキサン（化合物５）０．２４２５ｇ
(０．０００９７６ｍｏｌ)を加え撹拌溶解した。この溶
液に対して、粉末状のＢＰＤＡ５．７４２ｇ(０．０１
９５ｍｏｌ)を少量ずつ加えた。この時、液温は３５℃
に上昇し、１時間後液温は室温に下がり、２時間後ＢＰ
ＤＡは溶解した。その後室温で４時間撹拌すると、粘度
は３．１０Ｐａ・ｓとなった。この溶液(固形分濃度２
５％)を５μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過して、求
めるポリアミド酸である化合物１０を得た。
【０１１０】（合成例４〜７）合成例４〜７において合
成される化合物１４〜１７の各化合物を構成する繰返し
単位と、その繰返し数（一分子中に存在する第１の繰返
し単位の数と第２の繰返し単位の数との和を１００とす
るときの、繰返し単位の数）とを、表３に示す。
成される化合物１４〜１７の各化合物を構成する繰返し
単位と、その繰返し数（一分子中に存在する第１の繰返
し単位の数と第２の繰返し単位の数との和を１００とす
るときの、繰返し単位の数）とを、表３に示す。
【０１１１】
【表３】
【０１１２】（１）ジアミン化合物の合成 まず、合成例１のジアミン化合物の合成と同様にして、
化合物２と、それぞれ適宜選択されたエステル体とを用
い、合成例１と同様にして、２−（３，５−ジアミノベ
ンゾイルオキシ)エチル−ｔ−ブチレート（化合物１
８）、２−（３，５−ジアミノベンゾイルオキシ)エチ
ルベンゾエート（化合物１９）、および２−（３，５−
ジアミノベンゾイルオキシ)プロピルベンゾエート（化
合物２０）を合成した。各化合物の収率は、化合物１７
が７２％（ジニトロ体の収率８３％、ジアミノ体の収率
８７％）、化合物１８が６８％（ジニトロ体の収率８２
％、ジアミノ体の収率８３％）、化合物１９が７３％
（ジニトロ体の収率８６％、ジアミノ体の収率８５％）
であった。それぞれの合成反応を、下記反応式（化２
２）および（化２３）に示す。（化２２）の（ａ）は化
合物１７の合成反応であり、（ｂ）は化合物１８の合成
反応であり、（化２３）の（ａ）は化合物１９の合成反
応であり、（ｂ）は化合物２０の合成反応である。
化合物２と、それぞれ適宜選択されたエステル体とを用
い、合成例１と同様にして、２−（３，５−ジアミノベ
ンゾイルオキシ)エチル−ｔ−ブチレート（化合物１
８）、２−（３，５−ジアミノベンゾイルオキシ)エチ
ルベンゾエート（化合物１９）、および２−（３，５−
ジアミノベンゾイルオキシ)プロピルベンゾエート（化
合物２０）を合成した。各化合物の収率は、化合物１７
が７２％（ジニトロ体の収率８３％、ジアミノ体の収率
８７％）、化合物１８が６８％（ジニトロ体の収率８２
％、ジアミノ体の収率８３％）、化合物１９が７３％
（ジニトロ体の収率８６％、ジアミノ体の収率８５％）
であった。それぞれの合成反応を、下記反応式（化２
２）および（化２３）に示す。（化２２）の（ａ）は化
合物１７の合成反応であり、（ｂ）は化合物１８の合成
反応であり、（化２３）の（ａ）は化合物１９の合成反
応であり、（ｂ）は化合物２０の合成反応である。
【０１１３】
【化２２】
【０１１４】
【化２３】
【０１１５】得られた化合物（化合物１７〜２０）の構
造は、表１に示した赤外線吸収スペクトルおよびプロト
ン核磁気共鳴スペクトルの分析結果により確認した。
造は、表１に示した赤外線吸収スペクトルおよびプロト
ン核磁気共鳴スペクトルの分析結果により確認した。
【０１１６】（２）ポリイミド前駆体の合成 得られたジアミン体（化合物１７〜２０）と化合物５と
を、ＢＰＤＡと共重合させ、ポリイミド前駆体であるポ
リアミド酸を合成した。合成方法は合成例１のポリイミ
ド前駆体の合成と同様である。各合成反応の反応式を、
下記反応式（化２４）〜（化２７）に示す。
を、ＢＰＤＡと共重合させ、ポリイミド前駆体であるポ
リアミド酸を合成した。合成方法は合成例１のポリイミ
ド前駆体の合成と同様である。各合成反応の反応式を、
下記反応式（化２４）〜（化２７）に示す。
【０１１７】
【化２４】
【０１１８】
【化２５】
【０１１９】
【化２６】
【０１２０】
【化２７】
【０１２１】（合成例８〜２１）合成例１〜７と同様に
して合成したジアミン化合物を用い、合成例１のポリイ
ミド前駆体の合成と同様にして、種々のポリイミド前駆
体を合成した。合成例８〜２１の各合成原料およびその
モル比を表４に示す。なお、ジアミンモノマと酸二無水
物モノマの量は、モル比で１：１とした。
して合成したジアミン化合物を用い、合成例１のポリイ
ミド前駆体の合成と同様にして、種々のポリイミド前駆
体を合成した。合成例８〜２１の各合成原料およびその
モル比を表４に示す。なお、ジアミンモノマと酸二無水
物モノマの量は、モル比で１：１とした。
【０１２２】
【表４】
【０１２３】本合成例８〜２１において合成された化合
物２１〜３４の各化合物を構成する繰返し単位と、その
繰返し数（一分子中に存在する繰返し単位の総数を１０
０とするときの、その繰返し単位の数）とを、表５〜表
９に示す。
物２１〜３４の各化合物を構成する繰返し単位と、その
繰返し数（一分子中に存在する繰返し単位の総数を１０
０とするときの、その繰返し単位の数）とを、表５〜表
９に示す。
【０１２４】
【表５】
【０１２５】
【表６】
【０１２６】
【表７】
【０１２７】
【表８】
【０１２８】
【表９】
【０１２９】（合成例２２〜２６）本合成例２２〜２４
において合成される化合物３５〜３７の各化合物を構成
する繰返し単位と、その繰返し数（一分子中に存在する
繰返し単位の総数を１００とするときの、その繰返し単
位の数）とを、表１０に示す。
において合成される化合物３５〜３７の各化合物を構成
する繰返し単位と、その繰返し数（一分子中に存在する
繰返し単位の総数を１００とするときの、その繰返し単
位の数）とを、表１０に示す。
【０１３０】
【表１０】
【０１３１】（１）ジアミン化合物の合成 化合物７と、イソプロパノールとを用い、合成例２にお
けるジアミンの合成と同様にして、３，５−ジアミノフ
ェニルカルバミド酸イソプロピル（化合物３８）を合成
した。化合物１７の収率は、７２％（ジニトロ体の収率
９３％、ジアミノ体の収率７７％）であった。得られた
化合物３８の構造は、表１１に示した赤外線吸収スペク
トルおよびプロトン核磁気共鳴スペクトルの分析結果に
より確認した。
けるジアミンの合成と同様にして、３，５−ジアミノフ
ェニルカルバミド酸イソプロピル（化合物３８）を合成
した。化合物１７の収率は、７２％（ジニトロ体の収率
９３％、ジアミノ体の収率７７％）であった。得られた
化合物３８の構造は、表１１に示した赤外線吸収スペク
トルおよびプロトン核磁気共鳴スペクトルの分析結果に
より確認した。
【０１３２】
【表１１】
【０１３３】（２）ポリイミド前駆体の合成 合成例１のポリイミド前駆体の合成と同様にして、種々
のポリイミド前駆体を合成した。合成例２２〜２４の各
合成原料およびそのモル比を表１２に示す。ジアミンモ
ノマと酸二無水物モノマの量は、モル比で１：１とし
た。なお、ＢＡＰＥはビス（ｐ−アミノフェニル）エー
テルを表し、ＢＡＰＳはビス（ｐ−アミノフェニル）ス
ルホンを表す。
のポリイミド前駆体を合成した。合成例２２〜２４の各
合成原料およびそのモル比を表１２に示す。ジアミンモ
ノマと酸二無水物モノマの量は、モル比で１：１とし
た。なお、ＢＡＰＥはビス（ｐ−アミノフェニル）エー
テルを表し、ＢＡＰＳはビス（ｐ−アミノフェニル）ス
ルホンを表す。
【０１３４】
【表１２】
【０１３５】（合成例２５〜２６）本合成例２５〜２６
において合成される化合物３９〜４０の各化合物を構成
する繰返し単位と、その繰返し数（一分子中に存在する
繰返し単位の総数を１００とするときの、その繰返し単
位の数）とを、表１３に示す。
において合成される化合物３９〜４０の各化合物を構成
する繰返し単位と、その繰返し数（一分子中に存在する
繰返し単位の総数を１００とするときの、その繰返し単
位の数）とを、表１３に示す。
【０１３６】
【表１３】
【０１３７】（１）ジアミン化合物の合成 まず、化合物７と２−メトキシエタノールとを用い、合
成例２におけるジアミンの合成と同様にして３，５−ジ
アミノフェニルカルバミド酸−２−メトキシエチル（化
合物４１）を合成した。収率は９０％（ジニトロ体の収
率９８％、ジアミノ体の収率９２％）であった。化合物
４１の構造は、上記表１１に示した赤外線吸収スペクト
ルおよびプロトン核磁気共鳴スペクトルの分析結果によ
り確認した。
成例２におけるジアミンの合成と同様にして３，５−ジ
アミノフェニルカルバミド酸−２−メトキシエチル（化
合物４１）を合成した。収率は９０％（ジニトロ体の収
率９８％、ジアミノ体の収率９２％）であった。化合物
４１の構造は、上記表１１に示した赤外線吸収スペクト
ルおよびプロトン核磁気共鳴スペクトルの分析結果によ
り確認した。
【０１３８】（２）ポリイミド前駆体の合成 合成例１のポリイミド前駆体の合成と同様にして、種々
のポリイミド前駆体を合成した。合成例２５〜２６の各
合成原料およびそのモル比を表１４に示す。ジアミンモ
ノマと酸二無水物モノマの量は、モル比で１：１とし
た。
のポリイミド前駆体を合成した。合成例２５〜２６の各
合成原料およびそのモル比を表１４に示す。ジアミンモ
ノマと酸二無水物モノマの量は、モル比で１：１とし
た。
【０１３９】
【表１４】
【０１４０】（合成例２７〜３０）本合成例２７〜３０
において合成される化合物４２〜４５の各化合物を構成
する繰返し単位と、その繰返し数（一分子中に存在する
繰返し単位の総数を１００とするときの、その繰返し単
位の数）とを、表１５および表１６に示す。
において合成される化合物４２〜４５の各化合物を構成
する繰返し単位と、その繰返し数（一分子中に存在する
繰返し単位の総数を１００とするときの、その繰返し単
位の数）とを、表１５および表１６に示す。
【０１４１】
【表１５】
【０１４２】
【表１６】
【０１４３】（１）ジアミン化合物の合成 化合物７と１−アミノプロパンとを用い、実施例３にお
ける化合物１１の合成と同様にしてジニトロ体を合成
し、実施例３と同様にしてニトロ基を還元して、Ｎ−
（３，５−ジアミノフェニル）−Ｎ−プロピル尿素（化
合物４６）を合成した。収率は６８％（ジニトロ体の収
率８７％、ジアミノ体の収率７８％）であった。
ける化合物１１の合成と同様にしてジニトロ体を合成
し、実施例３と同様にしてニトロ基を還元して、Ｎ−
（３，５−ジアミノフェニル）−Ｎ−プロピル尿素（化
合物４６）を合成した。収率は６８％（ジニトロ体の収
率８７％、ジアミノ体の収率７８％）であった。
【０１４４】化合物７と１−アミノ−２−メトキシエタ
ンとを用い、実施例３における化合物１１の合成と同様
にしてジニトロ体を合成し、実施例３と同様にしてニト
ロ基を還元して、Ｎ−（３，５−ジアミノフェニル）−
Ｎ−（２−メトキシエチル)尿素（化合物４７）を合成
した。収率は４２％（ジニトロ体の収率９５％、ジアミ
ノ体の収率４４％）であった。
ンとを用い、実施例３における化合物１１の合成と同様
にしてジニトロ体を合成し、実施例３と同様にしてニト
ロ基を還元して、Ｎ−（３，５−ジアミノフェニル）−
Ｎ−（２−メトキシエチル)尿素（化合物４７）を合成
した。収率は４２％（ジニトロ体の収率９５％、ジアミ
ノ体の収率４４％）であった。
【０１４５】得られた化合物４５，４６の構造は、上記
表１１に示した赤外線吸収スペクトルおよびプロトン核
磁気共鳴スペクトルの分析結果により確認した。
表１１に示した赤外線吸収スペクトルおよびプロトン核
磁気共鳴スペクトルの分析結果により確認した。
【０１４６】（２）ポリイミド前駆体の合成 合成例１のポリイミド前駆体の合成と同様にして、種々
のポリイミド前駆体を合成した。合成例２７〜２９の各
合成原料およびそのモル比を表１７に示す。ジアミンモ
ノマと酸二無水物モノマの量は、モル比で１：１とし
た。
のポリイミド前駆体を合成した。合成例２７〜２９の各
合成原料およびそのモル比を表１７に示す。ジアミンモ
ノマと酸二無水物モノマの量は、モル比で１：１とし
た。
【０１４７】
【表１７】
【０１４８】（合成例３１〜３３）本合成例３１〜３３
において合成される化合物４８〜５０の各化合物を構成
する繰返し単位と、その繰返し数（一分子中に存在する
繰返し単位の総数を１００とするときの、その繰返し単
位の数）とを、表１８に示す。
において合成される化合物４８〜５０の各化合物を構成
する繰返し単位と、その繰返し数（一分子中に存在する
繰返し単位の総数を１００とするときの、その繰返し単
位の数）とを、表１８に示す。
【０１４９】
【表１８】
【０１５０】（１）ジアミン化合物の合成 １，３−ジアミノ−５−（メトキシメチル）ベンゼン
（化合物５１）を、下記反応式（化２８）に従って、合
成した。
（化合物５１）を、下記反応式（化２８）に従って、合
成した。
【０１５１】
【化２８】
【０１５２】（２）ポリイミド前駆体の合成 合成例１のポリイミド前駆体の合成と同様にして、種々
のポリイミド前駆体を合成した。合成例２７〜２９の各
合成原料およびそのモル比を表１９に示す。ジアミンモ
ノマと酸二無水物モノマの量は、モル比で１：１とし
た。
のポリイミド前駆体を合成した。合成例２７〜２９の各
合成原料およびそのモル比を表１９に示す。ジアミンモ
ノマと酸二無水物モノマの量は、モル比で１：１とし
た。
【０１５３】
【表１９】
【０１５４】（合成例３４〜３５）本合成例３４〜３５
において合成される化合物５２〜５３の各化合物を構成
する繰返し単位と、その繰返し数（一分子中に存在する
繰返し単位の総数を１００とするときの、その繰返し単
位の数）とを、表２０に示す。
において合成される化合物５２〜５３の各化合物を構成
する繰返し単位と、その繰返し数（一分子中に存在する
繰返し単位の総数を１００とするときの、その繰返し単
位の数）とを、表２０に示す。
【０１５５】
【表２０】
【０１５６】（１）ジアミン化合物の合成 １，３−ジアミノ−５−（ジメチルアミノ）ベンゼン
（化合物５４）を、下記反応式（化２９）に従って合成
した。
（化合物５４）を、下記反応式（化２９）に従って合成
した。
【０１５７】
【化２９】
【０１５８】（２）ポリイミド前駆体の合成 合成例１のポリイミド前駆体の合成と同様にして、種々
のポリイミド前駆体を合成した。合成例３３〜３４の各
合成原料およびそのモル比を表２１に示す。ジアミンモ
ノマと酸二無水物モノマの量は、モル比で１：１とし
た。
のポリイミド前駆体を合成した。合成例３３〜３４の各
合成原料およびそのモル比を表２１に示す。ジアミンモ
ノマと酸二無水物モノマの量は、モル比で１：１とし
た。
【０１５９】
【表２１】
【０１６０】（合成例３６〜３８）本合成例３６〜３８
において合成される化合物５５〜５７の各化合物を構成
する繰返し単位と、その繰返し数（一分子中に存在する
繰返し単位の総数を１００とするときの、その繰返し単
位の数）とを、表２２に示す。
において合成される化合物５５〜５７の各化合物を構成
する繰返し単位と、その繰返し数（一分子中に存在する
繰返し単位の総数を１００とするときの、その繰返し単
位の数）とを、表２２に示す。
【０１６１】
【表２２】
【０１６２】（１）ジアミン化合物の合成 １，３−ジアミノ−５−（エチルアミノ）ベンゼン（化
合物５８）を、下記反応式（化３０）に従って合成し
た。
合物５８）を、下記反応式（化３０）に従って合成し
た。
【０１６３】
【化３０】
【０１６４】（２）ポリイミド前駆体の合成 合成例１のポリイミド前駆体の合成と同様にして、種々
のポリイミド前駆体を合成した。合成例３６〜３８の各
合成原料およびそのモル比を表２３に示す。ジアミンモ
ノマと酸二無水物モノマの量は、モル比で１：１とし
た。なお、ＤＰＥＡは、３，４；３’，４’−ジフェニ
ルエーテルテトラカルボン酸二無水物を表す。
のポリイミド前駆体を合成した。合成例３６〜３８の各
合成原料およびそのモル比を表２３に示す。ジアミンモ
ノマと酸二無水物モノマの量は、モル比で１：１とし
た。なお、ＤＰＥＡは、３，４；３’，４’−ジフェニ
ルエーテルテトラカルボン酸二無水物を表す。
【０１６５】
【表２３】
【０１６６】（合成例３９〜４２）本合成例３９〜４２
において合成される化合物５９〜６２の各化合物を構成
する繰返し単位と、その繰返し数（一分子中に存在する
繰返し単位の総数を１００とするときの、その繰返し単
位の数）とを、表２４および表２５に示す。
において合成される化合物５９〜６２の各化合物を構成
する繰返し単位と、その繰返し数（一分子中に存在する
繰返し単位の総数を１００とするときの、その繰返し単
位の数）とを、表２４および表２５に示す。
【０１６７】
【表２４】
【０１６８】
【表２５】
【０１６９】（１）ジアミン化合物の合成 イソブチル １−（３，５−ジアミノフェニル）ケトン
（化合物６３）を、下記反応式（化３１）に従って合成
した。
（化合物６３）を、下記反応式（化３１）に従って合成
した。
【０１７０】
【化３１】
【０１７１】（２）ポリイミド前駆体の合成 合成例１のポリイミド前駆体の合成と同様にして、種々
のポリイミド前駆体を合成した。合成例３９〜４２の各
合成原料およびそのモル比を表２６に示す。ジアミンモ
ノマと酸二無水物モノマの量は、モル比で１：１とし
た。
のポリイミド前駆体を合成した。合成例３９〜４２の各
合成原料およびそのモル比を表２６に示す。ジアミンモ
ノマと酸二無水物モノマの量は、モル比で１：１とし
た。
【０１７２】
【表２６】
【０１７３】（実施例１〜３、比較例１〜２）封止材樹
脂との接着性に効果が現われるためには、ジアミンモノ
マとしてN−（３，５−ジアミノフェニル)−N−（２−
イソプロポキシカルボニルエチル)尿素（化合物１３）
をどの程度ポリマに共重合させれば良いかを検討するた
め、N−（３，５−ジアミノフェニル)−N−（２−イソ
プロポキシカルボニルエチル)尿素（化合物１３）、ビ
ス（３−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン
（化合物５）、メタフェニレンジアミンを用い、種々の
比率で共重合したポリイミド前駆体を、合成例１と同様
にして合成した。ポリイミド前駆体は、合成例１と同様
に、溶媒に溶解した形で、固形分濃度２５％の溶液であ
るポリイミド前駆体組成物として得られた。
脂との接着性に効果が現われるためには、ジアミンモノ
マとしてN−（３，５−ジアミノフェニル)−N−（２−
イソプロポキシカルボニルエチル)尿素（化合物１３）
をどの程度ポリマに共重合させれば良いかを検討するた
め、N−（３，５−ジアミノフェニル)−N−（２−イソ
プロポキシカルボニルエチル)尿素（化合物１３）、ビ
ス（３−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン
（化合物５）、メタフェニレンジアミンを用い、種々の
比率で共重合したポリイミド前駆体を、合成例１と同様
にして合成した。ポリイミド前駆体は、合成例１と同様
に、溶媒に溶解した形で、固形分濃度２５％の溶液であ
るポリイミド前駆体組成物として得られた。
【０１７４】次に、素子領域および配線層を作り込んだ
シリコンウェハ上に、このポリイミド前駆体組成物を回
転塗布し、次いでホットプレート上で９０℃４分、１０
０℃４分の順に乾燥して１８μｍ厚の被膜を得た。さら
に２００℃３０分、３５０℃３０分の順に加熱してポリ
イミド膜へと硬化させた。ポリイミド膜の膜厚は１０μ
ｍであった。このポリイミド膜を環化ポリイソプレン系
フォトレジストとヒドラジン系ポリイミドエッチング液
を用いるフォトエッチング法によってボンディングパッ
ド部、スクライブ領域をパターン化し、フォトレジスト
を除去した。これにより、ボンディングパッド部および
スクライブ領域の部分の除去されたポリイミド膜である
表面保護膜の形成された基板が得られた。
シリコンウェハ上に、このポリイミド前駆体組成物を回
転塗布し、次いでホットプレート上で９０℃４分、１０
０℃４分の順に乾燥して１８μｍ厚の被膜を得た。さら
に２００℃３０分、３５０℃３０分の順に加熱してポリ
イミド膜へと硬化させた。ポリイミド膜の膜厚は１０μ
ｍであった。このポリイミド膜を環化ポリイソプレン系
フォトレジストとヒドラジン系ポリイミドエッチング液
を用いるフォトエッチング法によってボンディングパッ
ド部、スクライブ領域をパターン化し、フォトレジスト
を除去した。これにより、ボンディングパッド部および
スクライブ領域の部分の除去されたポリイミド膜である
表面保護膜の形成された基板が得られた。
【０１７５】次に、得られた基板をスクライブ領域で切
断し、チップに切り出した。このチップの表面に、下部
にポリアミドイミドエーテルの接着層を持つポリイミド
フィルム上に支持された外部端子を４００℃にて熱圧着
した。しかる後にボンディングパッド部と外部端子間を
ワイヤボンダーで金線を配線し、さらにシリカ含有のエ
ポキシ系封止材を用いて成型温度１８０℃、成型圧力７
０ｋｇ／ｃｍ2でモールドすることにより樹脂封止部を
形成した。最後に外部端子を所定の形に折り曲げること
によりＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）の完
成品を得た。
断し、チップに切り出した。このチップの表面に、下部
にポリアミドイミドエーテルの接着層を持つポリイミド
フィルム上に支持された外部端子を４００℃にて熱圧着
した。しかる後にボンディングパッド部と外部端子間を
ワイヤボンダーで金線を配線し、さらにシリカ含有のエ
ポキシ系封止材を用いて成型温度１８０℃、成型圧力７
０ｋｇ／ｃｍ2でモールドすることにより樹脂封止部を
形成した。最後に外部端子を所定の形に折り曲げること
によりＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）の完
成品を得た。
【０１７６】このようにして得られたＤＲＡＭを、温度
８５℃湿度８５％の雰囲気中に２００時間保持した後、
２６０℃で１０秒間（はんだリフロ−条件）加熱し、超
音波探照によって剥離の有無を評価した。全面に剥離が
認められるものを全面剥離、四隅のうちのいずれかが部
分的に剥離しているものを部分剥離、剥離が認められな
いものを剥離なしとした。また、これらとは別に、耐熱
性を評価するためそれぞれ厚さ１０μｍのポリイミドフ
ィルムを作成し、重量減少開始温度を測定した。なお、
重量減少開始温度は、３８０℃以上でなければ実用に耐
えないため、３８０℃以上のものを良好として評価し
た。各実施例および比較例における原料の量と評価結果
とを表２７に示す。
８５℃湿度８５％の雰囲気中に２００時間保持した後、
２６０℃で１０秒間（はんだリフロ−条件）加熱し、超
音波探照によって剥離の有無を評価した。全面に剥離が
認められるものを全面剥離、四隅のうちのいずれかが部
分的に剥離しているものを部分剥離、剥離が認められな
いものを剥離なしとした。また、これらとは別に、耐熱
性を評価するためそれぞれ厚さ１０μｍのポリイミドフ
ィルムを作成し、重量減少開始温度を測定した。なお、
重量減少開始温度は、３８０℃以上でなければ実用に耐
えないため、３８０℃以上のものを良好として評価し
た。各実施例および比較例における原料の量と評価結果
とを表２７に示す。
【０１７７】
【表２７】
【０１７８】表２７に示した評価結果から、化合物１３
は確かにモールド樹脂との接着性に効果があることがわ
かった。さらに、いずれの場合も良好な耐熱性が得られ
たが、このジアミンにより良好な接着性を得るために
は、このジアミン（化合物１３）を、ジアミンの総量に
対するモル比で５％以上共重合させることが望ましいこ
とが明らかとなった。
は確かにモールド樹脂との接着性に効果があることがわ
かった。さらに、いずれの場合も良好な耐熱性が得られ
たが、このジアミンにより良好な接着性を得るために
は、このジアミン（化合物１３）を、ジアミンの総量に
対するモル比で５％以上共重合させることが望ましいこ
とが明らかとなった。
【０１７９】（実施例４〜６、比較例３〜４）つぎに、
３，５−ジアミノフェニルカルバミド酸−２−イソプロ
ポキシカルボニルエチル（化合物９）をジアミンモノマ
として用いる場合について検討した。本実施例４〜６お
よび比較例３〜４では、N−（３，５−ジアミノフェニ
ル)−N−（２−イソプロポキシカルボニルエチル)尿素
（化合物１３）に替えて、３，５−ジアミノフェニルカ
ルバミド酸−２−イソプロポキシカルボニルエチル（化
合物９）を用い、実施例１〜３、比較例１〜２と同様に
して、剥離評価、および耐熱性評価を行った。各実施例
および比較例における原料の量と評価結果とを表２８に
示す。
３，５−ジアミノフェニルカルバミド酸−２−イソプロ
ポキシカルボニルエチル（化合物９）をジアミンモノマ
として用いる場合について検討した。本実施例４〜６お
よび比較例３〜４では、N−（３，５−ジアミノフェニ
ル)−N−（２−イソプロポキシカルボニルエチル)尿素
（化合物１３）に替えて、３，５−ジアミノフェニルカ
ルバミド酸−２−イソプロポキシカルボニルエチル（化
合物９）を用い、実施例１〜３、比較例１〜２と同様に
して、剥離評価、および耐熱性評価を行った。各実施例
および比較例における原料の量と評価結果とを表２８に
示す。
【０１８０】
【表２８】
【０１８１】表２８に示した評価結果から、化合物９は
確かにモールド樹脂との接着性に効果があることがわか
った。さらに、いずれの場合も良好な耐熱性が得られた
が、このジアミンにより良好な接着性を得るためには、
このジアミン（化合物９）を、ジアミンの総量に対する
モル比で５％以上共重合させることが望ましいことが明
らかとなった。
確かにモールド樹脂との接着性に効果があることがわか
った。さらに、いずれの場合も良好な耐熱性が得られた
が、このジアミンにより良好な接着性を得るためには、
このジアミン（化合物９）を、ジアミンの総量に対する
モル比で５％以上共重合させることが望ましいことが明
らかとなった。
【０１８２】（実施例７）化合物１を用いて、図１に示
す半導体装置（本実施例では、ダイナミックランダムア
クセスメモリ（ＤＲＡＭ））を作製し、その半導体素子
の表面保護膜２と、封止部材６との剥離性について検討
した。
す半導体装置（本実施例では、ダイナミックランダムア
クセスメモリ（ＤＲＡＭ））を作製し、その半導体素子
の表面保護膜２と、封止部材６との剥離性について検討
した。
【０１８３】（１）半導体装置の作製 合成例１で合成した化合物１のＮ−メチル−２−ピロリ
ドン溶液（固形分濃度２５ｗｔ％）であるポリイミド前
駆体組成物を、ＤＲＡＭの半導体素子領域および配線層
を作り込んだシリコンウェハ上に回転塗布し、次いでホ
ットプレートを用いて、９０℃で４分間、１００℃で４
分間、順次加熱して乾燥し、１８μｍ厚の被膜を得た。
さらに、２００℃で３０分、３５０℃で３０分の順に加
熱することによりポリイミド前駆体を硬化させ、ポリイ
ミド膜を得た。得られたポリイミド膜の膜厚は１０μｍ
であった。
ドン溶液（固形分濃度２５ｗｔ％）であるポリイミド前
駆体組成物を、ＤＲＡＭの半導体素子領域および配線層
を作り込んだシリコンウェハ上に回転塗布し、次いでホ
ットプレートを用いて、９０℃で４分間、１００℃で４
分間、順次加熱して乾燥し、１８μｍ厚の被膜を得た。
さらに、２００℃で３０分、３５０℃で３０分の順に加
熱することによりポリイミド前駆体を硬化させ、ポリイ
ミド膜を得た。得られたポリイミド膜の膜厚は１０μｍ
であった。
【０１８４】このポリイミド膜のボンディングパッド
部、スクライブ領域を環化ポリイソプレン系フォトレジ
ストとヒドラジン系ポリイミドエッチング液とを用いる
フォトエッチング法によって除去し、さらにフォトレジ
ストを除去して、ポリイミド膜である表面保護膜を得
た。
部、スクライブ領域を環化ポリイソプレン系フォトレジ
ストとヒドラジン系ポリイミドエッチング液とを用いる
フォトエッチング法によって除去し、さらにフォトレジ
ストを除去して、ポリイミド膜である表面保護膜を得
た。
【０１８５】これにより、図２（ａ）に示す表面保護膜
２を備えるシリコンウェハ９が得られたが、このシリコ
ンウェハ９は、ボンディングパッド部７およびスクライ
ブ領域８の部分で、下地であるシリコンウェハ９の表面
が露出している。このシリコンウェハ９をスクライブ領
域８で切断し、図２（ｂ）に示す表面保護膜２を備える
半導体素子１を得た。
２を備えるシリコンウェハ９が得られたが、このシリコ
ンウェハ９は、ボンディングパッド部７およびスクライ
ブ領域８の部分で、下地であるシリコンウェハ９の表面
が露出している。このシリコンウェハ９をスクライブ領
域８で切断し、図２（ｂ）に示す表面保護膜２を備える
半導体素子１を得た。
【０１８６】つぎに、図２（ｃ）に示すように、表裏一
方の面に接着剤としてポリアミドイミドエーテル層を形
成したポリイミドフィルムの接着部材４を用意し、この
接着部材４のポリアミドイミドエーテル層を形成してい
ない側に外部端子（リードフレーム）３を、ポリアミド
イミドエーテル層を形成してある側に、ポリアミドイミ
ドエーテル層と表面保護膜２とが対向するように半導体
素子１を、それぞれ配置し、４００℃にて熱圧着した。
方の面に接着剤としてポリアミドイミドエーテル層を形
成したポリイミドフィルムの接着部材４を用意し、この
接着部材４のポリアミドイミドエーテル層を形成してい
ない側に外部端子（リードフレーム）３を、ポリアミド
イミドエーテル層を形成してある側に、ポリアミドイミ
ドエーテル層と表面保護膜２とが対向するように半導体
素子１を、それぞれ配置し、４００℃にて熱圧着した。
【０１８７】しかる後に、図２（ｄ）に示すように、ボ
ンディングパッド部７と外部端子３との間にワイヤボン
ダーを用いて金線５を配線し、さらに、モールド樹脂と
してシリカ含有のエポキシ系封止材を用いて、成型温度
１８０℃、成型圧力７０ｋｇ／ｃｍ2でモールドするこ
とにより封止部材６を形成した。最後に、外部端子３を
所定の形に折り曲げることにより図２（ｆ）および図１
に示すＤＲＡＭの完成品を得た。
ンディングパッド部７と外部端子３との間にワイヤボン
ダーを用いて金線５を配線し、さらに、モールド樹脂と
してシリカ含有のエポキシ系封止材を用いて、成型温度
１８０℃、成型圧力７０ｋｇ／ｃｍ2でモールドするこ
とにより封止部材６を形成した。最後に、外部端子３を
所定の形に折り曲げることにより図２（ｆ）および図１
に示すＤＲＡＭの完成品を得た。
【０１８８】（２）剥離性の評価 本実施例７により得られたＤＲＡＭは、半導体素子の表
面保護膜として、化合物１のポリイミド前駆体を含むポ
リイミド前駆体組成物を加熱硬化して得られるポリイミ
ドの膜を備えている。
面保護膜として、化合物１のポリイミド前駆体を含むポ
リイミド前駆体組成物を加熱硬化して得られるポリイミ
ドの膜を備えている。
【０１８９】得られたＤＲＡＭを８５℃、８５％の恒
温、恒湿条件下で２００時間放置後、２６０℃で、１０
秒間（はんだリフロー条件）加熱し、超音波探照によっ
て剥離の有無を評価したところ、表面保護膜２と封止部
材６との間に剥離は認められず、信頼性の高い半導体装
置であった。
温、恒湿条件下で２００時間放置後、２６０℃で、１０
秒間（はんだリフロー条件）加熱し、超音波探照によっ
て剥離の有無を評価したところ、表面保護膜２と封止部
材６との間に剥離は認められず、信頼性の高い半導体装
置であった。
【０１９０】（比較例５）特公昭６３−３１９３９号公
報に記載された技術を用いた場合の実験結果を、比較例
として示す。
報に記載された技術を用いた場合の実験結果を、比較例
として示す。
【０１９１】（１）ポリイミド前駆体の調製 窒素気流下に、４，４´−ジアミノジフェニルエ−テル
１００ｇ（０．５モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン
とＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドの１：１混合液１７９
１ｇに溶解し、アミン溶液を調合した。次に、この溶液
を氷冷によって約１５℃の温度に保ちながら、撹拌下に
ピロメリット酸二無水物１０９ｇ（０．５モル）を加え
た。加え終えてからさらに１５℃で５時間反応させ、加
温による粘度調節を行って粘度２０ポアズ（２５℃）の
ポリアミド酸溶液を得た。
１００ｇ（０．５モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン
とＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドの１：１混合液１７９
１ｇに溶解し、アミン溶液を調合した。次に、この溶液
を氷冷によって約１５℃の温度に保ちながら、撹拌下に
ピロメリット酸二無水物１０９ｇ（０．５モル）を加え
た。加え終えてからさらに１５℃で５時間反応させ、加
温による粘度調節を行って粘度２０ポアズ（２５℃）の
ポリアミド酸溶液を得た。
【０１９２】（２）半導体装置の作製 次に、素子領域および配線層を作り込んだシリコンウェ
ハ上に、この溶液を回転塗布し、次いでホットプレート
を用いて９０℃で４分、１００℃で４分、順次加熱して
乾燥し、１８μｍ厚の被膜を得た。さらに、２００℃で
３０分、３５０℃で３０分、順次加熱することによりポ
リイミド前駆体を硬化させて、ポリイミド膜を得た。得
られたポリイミド膜の膜厚は１０μｍであった。このポ
リイミド膜のボンディングパッド部およびスクライブ領
域を、実施例７と同様にして除去し、さらに、実施例７
と同様の手順により、半導体装置であるＤＲＡＭを作製
した。
ハ上に、この溶液を回転塗布し、次いでホットプレート
を用いて９０℃で４分、１００℃で４分、順次加熱して
乾燥し、１８μｍ厚の被膜を得た。さらに、２００℃で
３０分、３５０℃で３０分、順次加熱することによりポ
リイミド前駆体を硬化させて、ポリイミド膜を得た。得
られたポリイミド膜の膜厚は１０μｍであった。このポ
リイミド膜のボンディングパッド部およびスクライブ領
域を、実施例７と同様にして除去し、さらに、実施例７
と同様の手順により、半導体装置であるＤＲＡＭを作製
した。
【０１９３】（３）剥離性の評価 つぎに、得られたＤＲＡＭの耐はんだリフロー剥離性を
評価した。８５℃、８５％の恒温、恒湿条件で２００時
間放置した後、２６０℃で１０秒間（はんだリフロー条
件）加熱し、超音波探照によって剥離の有無を評価した
ところ、ポリイミド膜と封止材樹脂との間に剥離が認め
られた。
評価した。８５℃、８５％の恒温、恒湿条件で２００時
間放置した後、２６０℃で１０秒間（はんだリフロー条
件）加熱し、超音波探照によって剥離の有無を評価した
ところ、ポリイミド膜と封止材樹脂との間に剥離が認め
られた。
【０１９４】（実施例８〜３４）化合物１の代わりに、
表２９に示すポリイミド前駆体を用い、実施例１と同様
にしてＤＲＡＭを作製した。本実施例８〜３４により得
られたＤＲＡＭは、半導体素子の表面保護膜として、そ
れぞれ、表２９に示したポリイミド前駆体を含むポリイ
ミド前駆体組成物を加熱硬化して得られるポリイミドの
膜を備えている。
表２９に示すポリイミド前駆体を用い、実施例１と同様
にしてＤＲＡＭを作製した。本実施例８〜３４により得
られたＤＲＡＭは、半導体素子の表面保護膜として、そ
れぞれ、表２９に示したポリイミド前駆体を含むポリイ
ミド前駆体組成物を加熱硬化して得られるポリイミドの
膜を備えている。
【０１９５】
【表２９】
【０１９６】なお、表２９において、「合成例番号」の
欄には、表に示したポリイミド前駆体を合成した合成例
の番号を示し、「剥離」の欄には、得られたＤＲＡＭを
８５℃、８５％の恒温、恒湿条件下で２００時間放置
後、２６０℃で、１０秒間（はんだリフロー条件）加熱
し、超音波探照によって評価した剥離の有無を示した。
表２９に示したように、いずれの実施例において得られ
たＤＲＡＭも、表面保護膜２と封止部材６との間に剥離
は認められず、信頼性の高い半導体装置であった。
欄には、表に示したポリイミド前駆体を合成した合成例
の番号を示し、「剥離」の欄には、得られたＤＲＡＭを
８５℃、８５％の恒温、恒湿条件下で２００時間放置
後、２６０℃で、１０秒間（はんだリフロー条件）加熱
し、超音波探照によって評価した剥離の有無を示した。
表２９に示したように、いずれの実施例において得られ
たＤＲＡＭも、表面保護膜２と封止部材６との間に剥離
は認められず、信頼性の高い半導体装置であった。
【０１９７】（実施例３５）つぎに、化合物２１を含
み、さらに感光剤により感光性を付与されたポリイミド
前駆体組成物を用いて半導体装置を作製し、剥離性につ
いて検討した。
み、さらに感光剤により感光性を付与されたポリイミド
前駆体組成物を用いて半導体装置を作製し、剥離性につ
いて検討した。
【０１９８】（１）半導体装置の作製 合成例８で合成した化合物２１の、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドンとキシレンとの８：２混合液の溶液（固形分濃
度２５ｗｔ％）に、ポリイミド前駆体１００重量部に対
して、メタクリル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エ
チルを３１．４重量部、ミヒラケトンを２．０重量部、
１，３−ジフェニル−１，２，３−プロパントリオン−
２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムを２．０重量
部、それぞれ加え、ポリイミド前駆体組成物を得た。こ
のポリイミド前駆体組成物を、素子領域および配線層を
作り込んだシリコンウェハ上に回転塗布し、次いでホッ
トプレートを用いて、９０℃で４分、１００℃で４分、
順次加熱して乾燥し、１８μｍ厚の感光性被膜を得た。
ロリドンとキシレンとの８：２混合液の溶液（固形分濃
度２５ｗｔ％）に、ポリイミド前駆体１００重量部に対
して、メタクリル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エ
チルを３１．４重量部、ミヒラケトンを２．０重量部、
１，３−ジフェニル−１，２，３−プロパントリオン−
２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムを２．０重量
部、それぞれ加え、ポリイミド前駆体組成物を得た。こ
のポリイミド前駆体組成物を、素子領域および配線層を
作り込んだシリコンウェハ上に回転塗布し、次いでホッ
トプレートを用いて、９０℃で４分、１００℃で４分、
順次加熱して乾燥し、１８μｍ厚の感光性被膜を得た。
【０１９９】この被膜に、ｉ線ステッパを用いて所定の
フォトマスクを介し、２０秒間紫外線照射した。露光
後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン４容、水１容からなる
現像液で現像し、ついでイソプロピルアルコ−ルでリン
スしてた。これにより、感光性被膜のうち、光の当たら
なかったボンディングパッド部とスクライブ領域との被
膜が除去され、所望のパターンのポリイミド前駆体膜が
得られた。これを、さらに２００℃で３０分、３５０℃
で３０分、順次加熱して硬化させ、所望のパターンのポ
リイミド膜である表面保護膜を得た。得られたポリイミ
ド膜の膜厚は１０μｍであった。
フォトマスクを介し、２０秒間紫外線照射した。露光
後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン４容、水１容からなる
現像液で現像し、ついでイソプロピルアルコ−ルでリン
スしてた。これにより、感光性被膜のうち、光の当たら
なかったボンディングパッド部とスクライブ領域との被
膜が除去され、所望のパターンのポリイミド前駆体膜が
得られた。これを、さらに２００℃で３０分、３５０℃
で３０分、順次加熱して硬化させ、所望のパターンのポ
リイミド膜である表面保護膜を得た。得られたポリイミ
ド膜の膜厚は１０μｍであった。
【０２００】次に、表面保護膜の形成されたシリコンウ
エハをスクライブ領域で切断し、表面保護膜を備える半
導体素子を得た。この半導体素子に、実施例７と同様に
して、接着部材を介して外部端子を接着し、ボンディン
グパッド部と外部端子との間に金線を配線し、さらにシ
リカ含有のエポキシ系封止材を用いて成型温度１８０
℃、成型圧力７０ｋｇ／ｃｍ2でモールドして、外部端
子を所定の形に折り曲げ、ＤＲＡＭの完成品を得た。
エハをスクライブ領域で切断し、表面保護膜を備える半
導体素子を得た。この半導体素子に、実施例７と同様に
して、接着部材を介して外部端子を接着し、ボンディン
グパッド部と外部端子との間に金線を配線し、さらにシ
リカ含有のエポキシ系封止材を用いて成型温度１８０
℃、成型圧力７０ｋｇ／ｃｍ2でモールドして、外部端
子を所定の形に折り曲げ、ＤＲＡＭの完成品を得た。
【０２０１】（２）剥離性の評価 本実施例１４により得られたＤＲＡＭは、半導体素子の
表面保護膜として、化合物２１（１００重量部）を含
み、さらに、炭素炭素二重結合を持つアミン化合物（メ
タクリル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル３
１．４重量部）、と、感光剤（ミヒラケトン（増感剤）
２．０重量部、および、１，３−ジフェニル−１，２，
３−プロパントリオン−２−（ｏ−エトキシカルボニ
ル）オキシム（増感助剤）２．０重量部）とを含むポリ
イミド前駆体組成物を加熱硬化させて得られるポリイミ
ドの膜を備えている。
表面保護膜として、化合物２１（１００重量部）を含
み、さらに、炭素炭素二重結合を持つアミン化合物（メ
タクリル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル３
１．４重量部）、と、感光剤（ミヒラケトン（増感剤）
２．０重量部、および、１，３−ジフェニル−１，２，
３−プロパントリオン−２−（ｏ−エトキシカルボニ
ル）オキシム（増感助剤）２．０重量部）とを含むポリ
イミド前駆体組成物を加熱硬化させて得られるポリイミ
ドの膜を備えている。
【０２０２】得られたＤＲＡＭを８５℃、８５％の恒
温、恒湿条件下で２００時間放置後、２６０℃、１０秒
間（はんだリフロー条件）加熱し、超音波探照によって
剥離の有無を評価したところポリイミド膜と封止材樹脂
との間に剥離は認められず、信頼性の高い半導体装置で
あった。
温、恒湿条件下で２００時間放置後、２６０℃、１０秒
間（はんだリフロー条件）加熱し、超音波探照によって
剥離の有無を評価したところポリイミド膜と封止材樹脂
との間に剥離は認められず、信頼性の高い半導体装置で
あった。
【０２０３】（実施例３６〜４１）化合物２１の代わり
に、表３０に示したポリイミド前駆体を用い、実施例３
９と同様にして、ＤＲＡＭを得た。本実施例３６〜４１
により得られたＤＲＡＭは、それぞれ、半導体素子の表
面保護膜として、化合物２２〜２６または２７と、さら
に、炭素炭素二重結合を持つアミン化合物と、感光剤と
を含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得られ
るポリイミドの膜を備えている。
に、表３０に示したポリイミド前駆体を用い、実施例３
９と同様にして、ＤＲＡＭを得た。本実施例３６〜４１
により得られたＤＲＡＭは、それぞれ、半導体素子の表
面保護膜として、化合物２２〜２６または２７と、さら
に、炭素炭素二重結合を持つアミン化合物と、感光剤と
を含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得られ
るポリイミドの膜を備えている。
【０２０４】
【表３０】
【０２０５】なお、表３０において、「合成例番号」の
欄には、表に示したポリイミド前駆体を合成した合成例
の番号を示し、「剥離」の欄には、得られたＤＲＡＭを
８５℃、８５％の恒温、恒湿条件下で２００時間放置
後、２６０℃で、１０秒間（はんだリフロー条件）加熱
し、超音波探照によって評価した剥離の有無を示した。
表３０に示したように、いずれの実施例において得られ
たＤＲＡＭも、表面保護膜２と封止部材６との間に剥離
は認められず、信頼性の高い半導体装置であった。
欄には、表に示したポリイミド前駆体を合成した合成例
の番号を示し、「剥離」の欄には、得られたＤＲＡＭを
８５℃、８５％の恒温、恒湿条件下で２００時間放置
後、２６０℃で、１０秒間（はんだリフロー条件）加熱
し、超音波探照によって評価した剥離の有無を示した。
表３０に示したように、いずれの実施例において得られ
たＤＲＡＭも、表面保護膜２と封止部材６との間に剥離
は認められず、信頼性の高い半導体装置であった。
【０２０６】（実施例４２）合成例１５で合成された化
合物２８のＮ−メチル−２−ピロリドンとキシレンとの
８：２混合液の溶液（固形分濃度２５ｗｔ％）に、ポリ
イミド前駆体１００重量部に対して、メタクリル酸２−
（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチルを３１．４重量部、
２，６−ジ（ｐ−アジドベンザル）−ヒドロキシシクロ
ヘキサノンを７．２重量部、さらに加え、ポリイミド前
駆体組成物を得た。このポリイミド前駆体組成物を用
い、実施例３９と同様にしてＤＲＡＭを作製した。
合物２８のＮ−メチル−２−ピロリドンとキシレンとの
８：２混合液の溶液（固形分濃度２５ｗｔ％）に、ポリ
イミド前駆体１００重量部に対して、メタクリル酸２−
（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチルを３１．４重量部、
２，６−ジ（ｐ−アジドベンザル）−ヒドロキシシクロ
ヘキサノンを７．２重量部、さらに加え、ポリイミド前
駆体組成物を得た。このポリイミド前駆体組成物を用
い、実施例３９と同様にしてＤＲＡＭを作製した。
【０２０７】本実施例４６により得られたＤＲＡＭは、
半導体素子の表面保護膜として、化合物２８（１００重
量部）と、炭素炭素二重結合を持つアミン化合物（メタ
クリル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル３１．
４重量部）と、感光剤（２，６−ジ（ｐ−アジドベンザ
ル）−ヒドロキシシクロヘキサノン（増感剤）７．２重
量部）とを含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させ
て得られるポリイミドの膜を備えている。
半導体素子の表面保護膜として、化合物２８（１００重
量部）と、炭素炭素二重結合を持つアミン化合物（メタ
クリル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル３１．
４重量部）と、感光剤（２，６−ジ（ｐ−アジドベンザ
ル）−ヒドロキシシクロヘキサノン（増感剤）７．２重
量部）とを含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させ
て得られるポリイミドの膜を備えている。
【０２０８】得られたＤＲＡＭを８５℃、８５％の恒
温、恒湿条件下で２００時間放置後、２６０℃、１０秒
間（はんだリフロー条件）加熱し、超音波探照によって
剥離の有無を評価したところポリイミド膜と封止材樹脂
との間に剥離は認められず、信頼性の高い半導体装置で
あった。
温、恒湿条件下で２００時間放置後、２６０℃、１０秒
間（はんだリフロー条件）加熱し、超音波探照によって
剥離の有無を評価したところポリイミド膜と封止材樹脂
との間に剥離は認められず、信頼性の高い半導体装置で
あった。
【０２０９】（実施例４３〜４８）化合物２８の代わり
に、表３１に示したポリイミド前駆体を用い、実施例４
６と同様にして、ＤＲＡＭを得た。本実施例４３〜４８
により得られたＤＲＡＭは、それぞれ、半導体素子の表
面保護膜として、化合物２９〜３３または３４と、炭素
炭素二重結合を持つアミン化合物と、感光剤とを含むポ
リイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得られるポリイ
ミドの膜を備えている。
に、表３１に示したポリイミド前駆体を用い、実施例４
６と同様にして、ＤＲＡＭを得た。本実施例４３〜４８
により得られたＤＲＡＭは、それぞれ、半導体素子の表
面保護膜として、化合物２９〜３３または３４と、炭素
炭素二重結合を持つアミン化合物と、感光剤とを含むポ
リイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得られるポリイ
ミドの膜を備えている。
【０２１０】
【表３１】
【０２１１】なお、表３１において、「合成例番号」の
欄には、表に示したポリイミド前駆体を合成した合成例
の番号を示し、「剥離」の欄には、得られたＤＲＡＭを
８５℃、８５％の恒温、恒湿条件下で２００時間放置
後、２６０℃で、１０秒間（はんだリフロー条件）加熱
し、超音波探照によって評価した剥離の有無を示した。
表３１に示したように、いずれの実施例において得られ
たＤＲＡＭも、表面保護膜２と封止部材６との間に剥離
は認められず、信頼性の高い半導体装置であった。
欄には、表に示したポリイミド前駆体を合成した合成例
の番号を示し、「剥離」の欄には、得られたＤＲＡＭを
８５℃、８５％の恒温、恒湿条件下で２００時間放置
後、２６０℃で、１０秒間（はんだリフロー条件）加熱
し、超音波探照によって評価した剥離の有無を示した。
表３１に示したように、いずれの実施例において得られ
たＤＲＡＭも、表面保護膜２と封止部材６との間に剥離
は認められず、信頼性の高い半導体装置であった。
【０２１２】（実施例４９）合成例２で合成された化合
物６のＮ−メチル−２−ピロリドンとキシレンとの８：
２混合液の溶液（固形分濃度２５ｗｔ％）に、ポリイミ
ド前駆体１００重量部に対して、メタクリル酸３−
（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルを２０．０重量
部、２，６−ジ（ｐ−アジドベンザル）−４−カルボキ
シシクロヘキサノンを５．０重量部、さらに加え、ポリ
イミド前駆体組成物を得た。このポリイミド前駆体組成
物を用い、実施例３９と同様にしてＤＲＡＭを作製し
た。
物６のＮ−メチル−２−ピロリドンとキシレンとの８：
２混合液の溶液（固形分濃度２５ｗｔ％）に、ポリイミ
ド前駆体１００重量部に対して、メタクリル酸３−
（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルを２０．０重量
部、２，６−ジ（ｐ−アジドベンザル）−４−カルボキ
シシクロヘキサノンを５．０重量部、さらに加え、ポリ
イミド前駆体組成物を得た。このポリイミド前駆体組成
物を用い、実施例３９と同様にしてＤＲＡＭを作製し
た。
【０２１３】本実施例５３により得られたＤＲＡＭは、
半導体素子の表面保護膜として、化合物６（１００重量
部）と、炭素炭素二重結合を持つアミン化合物（メタク
リル酸３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピル２０．
０重量部）と、感光剤（２，６−ジ（ｐ−アジドベンザ
ル）−４−カルボキシシクロヘキサノン（増感剤）５．
０重量部）とを含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化
させて得られるポリイミドの膜を備えている。
半導体素子の表面保護膜として、化合物６（１００重量
部）と、炭素炭素二重結合を持つアミン化合物（メタク
リル酸３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピル２０．
０重量部）と、感光剤（２，６−ジ（ｐ−アジドベンザ
ル）−４−カルボキシシクロヘキサノン（増感剤）５．
０重量部）とを含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化
させて得られるポリイミドの膜を備えている。
【０２１４】得られたＤＲＡＭを８５℃、８５％の恒
温、恒湿条件下で２００時間放置後、２６０℃、１０秒
間（はんだリフロー条件）加熱し、超音波探照によって
剥離の有無を評価したところポリイミド膜と封止材樹脂
との間に剥離は認められず、信頼性の高い半導体装置で
あった。
温、恒湿条件下で２００時間放置後、２６０℃、１０秒
間（はんだリフロー条件）加熱し、超音波探照によって
剥離の有無を評価したところポリイミド膜と封止材樹脂
との間に剥離は認められず、信頼性の高い半導体装置で
あった。
【０２１５】（実施例５０〜５８）化合物６の代わり
に、表３２に示したポリイミド前駆体を用い、実施例５
３と同様にして、ＤＲＡＭを得た。本実施例５０〜５８
により得られたＤＲＡＭは、それぞれ、半導体素子の表
面保護膜として、表３２に示したポリイミド前駆体と、
炭素炭素二重結合を持つアミン化合物と、感光剤とを含
むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得られるポ
リイミドの膜を備えている。
に、表３２に示したポリイミド前駆体を用い、実施例５
３と同様にして、ＤＲＡＭを得た。本実施例５０〜５８
により得られたＤＲＡＭは、それぞれ、半導体素子の表
面保護膜として、表３２に示したポリイミド前駆体と、
炭素炭素二重結合を持つアミン化合物と、感光剤とを含
むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得られるポ
リイミドの膜を備えている。
【０２１６】
【表３２】
【０２１７】なお、表３２において、「合成例番号」の
欄には、表に示したポリイミド前駆体を合成した合成例
の番号を示し、「剥離」の欄には、得られたＤＲＡＭを
８５℃、８５％の恒温、恒湿条件下で２００時間放置
後、２６０℃で、１０秒間（はんだリフロー条件）加熱
し、超音波探照によって評価した剥離の有無を示した。
表３２に示したように、いずれの実施例において得られ
たＤＲＡＭも、表面保護膜２と封止部材６との間に剥離
は認められず、信頼性の高い半導体装置であった。
欄には、表に示したポリイミド前駆体を合成した合成例
の番号を示し、「剥離」の欄には、得られたＤＲＡＭを
８５℃、８５％の恒温、恒湿条件下で２００時間放置
後、２６０℃で、１０秒間（はんだリフロー条件）加熱
し、超音波探照によって評価した剥離の有無を示した。
表３２に示したように、いずれの実施例において得られ
たＤＲＡＭも、表面保護膜２と封止部材６との間に剥離
は認められず、信頼性の高い半導体装置であった。
【０２１８】（実施例５９）合成例２３で合成された化
合物３６のＮ−メチル−２−ピロリドンとキシレンとの
８：２混合液の溶液（固形分濃度２５ｗｔ％）に、ポリ
イミド前駆体１００重量部に対して、アクリル酸２−
（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチルを５０．０重量部、
ミヒラケトンを２．０重量部、３，３’，４，４’−テ
トラ（ｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノ
ンを５．０重量部、さらに加え、ポリイミド前駆体組成
物を得た。このポリイミド前駆体組成物を用い、実施例
３９と同様にしてＤＲＡＭを作製した。
合物３６のＮ−メチル−２−ピロリドンとキシレンとの
８：２混合液の溶液（固形分濃度２５ｗｔ％）に、ポリ
イミド前駆体１００重量部に対して、アクリル酸２−
（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチルを５０．０重量部、
ミヒラケトンを２．０重量部、３，３’，４，４’−テ
トラ（ｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノ
ンを５．０重量部、さらに加え、ポリイミド前駆体組成
物を得た。このポリイミド前駆体組成物を用い、実施例
３９と同様にしてＤＲＡＭを作製した。
【０２１９】本実施例６５により得られたＤＲＡＭは、
半導体素子の表面保護膜として、化合物６（１００重量
部）と、炭素炭素二重結合を持つアミン化合物（アクリ
ル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル５０．０重
量部）と、感光剤（ミヒラケトン（増感剤）２．０重量
部および３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルベル
オキシカルボニル）ベンゾフェノン（増感助剤）５．０
重量部）とを含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化さ
せて得られるポリイミドの膜を備えている。
半導体素子の表面保護膜として、化合物６（１００重量
部）と、炭素炭素二重結合を持つアミン化合物（アクリ
ル酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル５０．０重
量部）と、感光剤（ミヒラケトン（増感剤）２．０重量
部および３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルベル
オキシカルボニル）ベンゾフェノン（増感助剤）５．０
重量部）とを含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化さ
せて得られるポリイミドの膜を備えている。
【０２２０】得られたＤＲＡＭを８５℃、８５％の恒
温、恒湿条件下で２００時間放置後、２６０℃、１０秒
間（はんだリフロー条件）加熱し、超音波探照によって
剥離の有無を評価したところポリイミド膜と封止材樹脂
との間に剥離は認められず、信頼性の高い半導体装置で
あった。
温、恒湿条件下で２００時間放置後、２６０℃、１０秒
間（はんだリフロー条件）加熱し、超音波探照によって
剥離の有無を評価したところポリイミド膜と封止材樹脂
との間に剥離は認められず、信頼性の高い半導体装置で
あった。
【０２２１】（実施例６０〜７０）化合物３６の代わり
に、表３３に示したポリイミド前駆体を用い、実施例６
５と同様にして、ＤＲＡＭを得た。本実施例６０〜７０
により得られたＤＲＡＭは、それぞれ、半導体素子の表
面保護膜として、表３３に示したポリイミド前駆体と、
炭素炭素二重結合を持つアミン化合物と、感光剤とを含
むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得られるポ
リイミドの膜を備えている。
に、表３３に示したポリイミド前駆体を用い、実施例６
５と同様にして、ＤＲＡＭを得た。本実施例６０〜７０
により得られたＤＲＡＭは、それぞれ、半導体素子の表
面保護膜として、表３３に示したポリイミド前駆体と、
炭素炭素二重結合を持つアミン化合物と、感光剤とを含
むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得られるポ
リイミドの膜を備えている。
【０２２２】
【表３３】
【０２２３】なお、表３３において、「合成例番号」の
欄には、表に示したポリイミド前駆体を合成した合成例
の番号を示し、「剥離」の欄には、得られたＤＲＡＭを
８５℃、８５％の恒温、恒湿条件下で２００時間放置
後、２６０℃で、１０秒間（はんだリフロー条件）加熱
し、超音波探照によって評価した剥離の有無を示した。
表３３に示したように、いずれの実施例において得られ
たＤＲＡＭも、表面保護膜２と封止部材６との間に剥離
は認められず、信頼性の高い半導体装置であった。
欄には、表に示したポリイミド前駆体を合成した合成例
の番号を示し、「剥離」の欄には、得られたＤＲＡＭを
８５℃、８５％の恒温、恒湿条件下で２００時間放置
後、２６０℃で、１０秒間（はんだリフロー条件）加熱
し、超音波探照によって評価した剥離の有無を示した。
表３３に示したように、いずれの実施例において得られ
たＤＲＡＭも、表面保護膜２と封止部材６との間に剥離
は認められず、信頼性の高い半導体装置であった。
【０２２４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
側鎖に極性置換基を有するポリイミド前駆体から形成さ
れたポリイミド膜を用いることにより、はんだ付け実装
時の封止部材の剥離およびクラックの発生を防止するこ
とができる。
側鎖に極性置換基を有するポリイミド前駆体から形成さ
れたポリイミド膜を用いることにより、はんだ付け実装
時の封止部材の剥離およびクラックの発生を防止するこ
とができる。
【図１】 本発明の半導体装置の一例である樹脂封止型
のダイナミックランダムアクセスメモリを示す断面図で
ある。
のダイナミックランダムアクセスメモリを示す断面図で
ある。
【図２】 本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す
説明図である。
説明図である。
【図３】 本発明の半導体装置の一例である樹脂封止型
の個別トランジスタ装置を示す断面図である。
の個別トランジスタ装置を示す断面図である。
１…半導体素子、２…表面保護膜、３…外部端子、４…
接着部材、５…金線、６…封止部材、７…ボンディング
パッド部、８…スクライブ領域、９…素子領域と配線層
とを作り込んだシリコンウェハ、６１…基板、６２…ベ
ース、６３…エミッタ、６４…ＳｉＯ2層、６５…導体
層、６６…表面保護膜、６７…金配線、６８…封止部
材、７０…外部端子、７１…個別トランジスタ素子。
接着部材、５…金線、６…封止部材、７…ボンディング
パッド部、８…スクライブ領域、９…素子領域と配線層
とを作り込んだシリコンウェハ、６１…基板、６２…ベ
ース、６３…エミッタ、６４…ＳｉＯ2層、６５…導体
層、６６…表面保護膜、６７…金配線、６８…封止部
材、７０…外部端子、７１…個別トランジスタ素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31 (72)発明者 吉川 治彦 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 小原 功 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (15)
- 【請求項１】表面保護膜を備える半導体素子と、外部と
の導通のための外部端子と、樹脂からなる封止部材とを
備える樹脂封止型半導体装置において、 上記表面保護膜は、下記一般式（化１）により表される
繰返し単位を５モル％以上有するポリイミド前駆体を含
むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得られるポ
リイミドからなることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。 【化１】 （ただし、Ｒ1は３価または４価の芳香族基、Ｒ2は４個
以上の炭素を含む４価の有機基、Ｘは、−ＣＯＯ−、−
ＣＯ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＮ
Ｈ−、−ＮＨ−、−ＮＲ5−、−ＣＨ2Ｏ−のうちの少な
くともいずれかの基、Ｔは１５個以下の炭素を含む１価
の有機基を、それぞれ表し、ｐは１または２である。ま
た、Ｒ5は炭素数５個以下のアルキル基である。） - 【請求項２】請求項１において、 上記ポリイミド前駆体は、下記一般式（化１）により表
される第１の繰返し単位と、下記一般式（化２）により
表される第２の繰返し単位とからなり、一分子中に存在
する第１の繰返し単位の数をｎとし、第２の繰返し単位
の数をｍとするとき、ｎ＝５〜１００、ｍ＝０〜９５、
ｎ＋ｍ＝１００であることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 【化１】 【化２】 （ただし、Ｒ1は３価または４価の芳香族基、Ｒ2および
Ｒ3は４個以上の炭素を含む４価の有機基、Ｒ4は４個以
上の炭素を含む２価の有機基、Ｘは、−ＣＯＯ−、−Ｃ
Ｏ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ
−、−ＮＨ−、−ＮＲ5−、−ＣＨ2Ｏ−のうちの少なく
ともいずれかの基、Ｔは１５個以下の炭素を含む１価の
有機基を、それぞれ表し、ｐは１または２である。ま
た、Ｒ5は炭素数５個以下のアルキル基である。） - 【請求項３】請求項１において、 上記ポリイミド前駆体組成物は、 上記ポリイミド前駆体１００重量部と、 炭素−炭素二重結合を持つアミン化合物１〜４００重量
部と、 感光剤０.１〜３０重量部とを含むことを特徴とする樹
脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】請求項１において、 上記Ｔは、下記一般式群（化７）のいずれかの構造式に
より表されることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 【化７】 - 【請求項５】半導体素子表面の少なくとも一部に、下記
一般式（化１）で表される繰返し単位を５モル％以上有
するポリイミド前駆体を含むポリイミド前駆体組成物か
らなるポリイミド前駆体膜を加熱硬化させて得られるポ
リイミドからなる保護膜を形成する保護膜形成工程と、 【化１】 （ただし、Ｒ1は３価または４価の芳香族基、Ｒ2は４個
以上の炭素を含む４価の有機基、Ｘは、−ＣＯＯ−、−
ＣＯ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＮ
Ｈ−、−ＮＨ−、−ＮＲ5−、−ＣＨ2Ｏ−のうちの少な
くともいずれかの基、Ｔは１５個以下の炭素を含む１価
の有機基を、それぞれ表し、ｐは１または２である。ま
た、Ｒ5は炭素数５個以下のアルキル基である。） 上記保護膜を備える半導体素子を外部端子に搭載する素
子搭載工程と、 上記外部端子上に搭載した半導体素子を、樹脂で封止す
る封止工程とを備えることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置の製造方法。 - 【請求項６】請求項５において、 上記保護膜形成工程は、 一以上の半導体素子領域と、該半導体素子領域どうしを
互いに隔てるスクライブ領域とを備えるシリコンウェハ
の、表裏一方の面の少なくとも一部に、上記保護膜を形
成する工程と、 上記スクライブ領域を切断して、上記半導体素子領域ど
うしを乖離させ、上記保護膜を備える半導体素子を形成
する工程とを備えることを特徴とする樹脂封止型半導体
装置の製造方法。 - 【請求項７】請求項５において、 上記ポリイミド前駆体は、下記一般式（化１）により表
される第１の繰返し単位と、下記一般式（化２）により
表される第２の繰返し単位とからなり、一分子中に存在
する第１の繰返し単位の数をｎとし、第２の繰返し単位
の数をｍとするとき、ｎ＝５〜１００、ｍ＝０〜９５、
ｎ＋ｍ＝１００であることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置の製造方法。 【化１】 【化２】 （ただし、Ｒ1は３価または４価の芳香族基、Ｒ2および
Ｒ3は４個以上の炭素を含む４価の有機基、Ｒ4は４個以
上の炭素を含む２価の有機基、Ｘは、−ＣＯＯ−、−Ｃ
Ｏ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ
−、−ＮＨ−、−ＮＲ5−、−ＣＨ2Ｏ−のうちの少なく
ともいずれかの基、Ｔは１５個以下の炭素を含む１価の
有機基を、それぞれ表し、ｐは１または２である。ま
た、Ｒ5は炭素数５個以下のアルキル基である。） - 【請求項８】請求項５において、 上記ポリイミド前駆体組成物は、 上記ポリイミド前駆体１００重量部と、 炭素−炭素二重結合を持つアミン化合物１〜４００重量
部と、 感光剤０.１〜３０重量部とを含むことを特徴とする樹
脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】請求項５において、 上記Ｔは、下記一般式群（化７）のいずれかの構造式に
より表されることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
製造方法。 【化７】 - 【請求項１０】半導体素子の表面を保護する表面保護膜
において、 下記一般式（化１）により表される繰返し単位を５モル
％以上有するポリイミド前駆体を含むポリイミド前駆体
組成物を加熱硬化させて得られるポリイミドからなるこ
とを特徴とする表面保護膜。 【化１】 （ただし、Ｒ1は３価または４価の芳香族基、Ｒ2は４個
以上の炭素を含む４価の有機基、Ｘは、−ＣＯＯ−、−
ＣＯ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＮ
Ｈ−、−ＮＨ−、−ＮＲ5−、−ＣＨ2Ｏ−のうちの少な
くともいずれかの基、Ｔは１５個以下の炭素を含む１価
の有機基を、それぞれ表し、ｐは１または２である。ま
た、Ｒ5は炭素数５個以下のアルキル基である。） - 【請求項１１】請求項１０において、 上記ポリイミド前駆体は、下記一般式（化１）により表
される第１の繰返し単位と、下記一般式（化２）により
表される第２の繰返し単位とからなり、一分子中に存在
する第１の繰返し単位の数をｎとし、第２の繰返し単位
の数をｍとするとき、ｎ＝５〜１００、ｍ＝０〜９５、
ｎ＋ｍ＝１００であることを特徴とする表面保護膜。 【化１】 【化２】 （ただし、Ｒ1は３価または４価の芳香族基、Ｒ2および
Ｒ3は４個以上の炭素を含む４価の有機基、Ｒ4は４個以
上の炭素を含む２価の有機基、Ｘは、−ＣＯＯ−、−Ｃ
Ｏ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ
−、−ＮＨ−、−ＮＲ5−、−ＣＨ2Ｏ−のうちの少なく
ともいずれかの基、Ｔは１５個以下の炭素を含む１価の
有機基を、それぞれ表し、ｐは１または２である。ま
た、Ｒ5は炭素数５個以下のアルキル基である。） - 【請求項１２】請求項１０において、 上記ポリイミド前駆体組成物は、 上記ポリイミド前駆体１００重量部と、 炭素−炭素二重結合を持つアミン化合物１〜４００重量
部と、 感光剤０.１〜３０重量部とを含むことを特徴とする表
面保護膜。 - 【請求項１３】請求項１０において、 上記Ｔは、下記一般式群（化７）のいずれかの構造式に
より表されることを特徴とする表面保護膜。 【化７】 - 【請求項１４】請求項１において、 上記半導体素子は、半導体集積回路素子であることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項１５】請求項１において、 上記半導体素子は、個別トランジスタ素子であることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置。
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|---|---|---|---|
| JP20093695A JP3514884B2 (ja) | 1994-08-31 | 1995-08-07 | 表面保護膜、樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20730694 | 1994-08-31 | ||
| JP6-207306 | 1994-08-31 | ||
| JP20093695A JP3514884B2 (ja) | 1994-08-31 | 1995-08-07 | 表面保護膜、樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124917A true JPH08124917A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3514884B2 JP3514884B2 (ja) | 2004-03-31 |
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|---|---|---|---|
| JP20093695A Expired - Fee Related JP3514884B2 (ja) | 1994-08-31 | 1995-08-07 | 表面保護膜、樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001015682A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型電子装置 |
| US6441416B1 (en) | 1997-01-22 | 2002-08-27 | Hitachi, Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication |
| JP2016048362A (ja) * | 2014-08-25 | 2016-04-07 | Jsr株式会社 | 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
-
1995
- 1995-08-07 JP JP20093695A patent/JP3514884B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441416B1 (en) | 1997-01-22 | 2002-08-27 | Hitachi, Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication |
| US6465827B2 (en) | 1997-01-22 | 2002-10-15 | Hitachi, Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication |
| US6525359B2 (en) | 1997-01-22 | 2003-02-25 | Hitachi, Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication |
| US6617630B2 (en) | 1997-01-22 | 2003-09-09 | Hitachi, Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication |
| US6657245B2 (en) | 1997-01-22 | 2003-12-02 | Hitachi, Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication |
| US7064368B2 (en) | 1997-01-22 | 2006-06-20 | Renesas Technology Corp. | Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication |
| US7521744B2 (en) | 1997-01-22 | 2009-04-21 | Renesas Technology Corp. | Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication |
| JP2001015682A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型電子装置 |
| JP2016048362A (ja) * | 2014-08-25 | 2016-04-07 | Jsr株式会社 | 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
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| JP3514884B2 (ja) | 2004-03-31 |
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