JPH0812470A - セラミックス基板 - Google Patents
セラミックス基板Info
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- JPH0812470A JPH0812470A JP15116194A JP15116194A JPH0812470A JP H0812470 A JPH0812470 A JP H0812470A JP 15116194 A JP15116194 A JP 15116194A JP 15116194 A JP15116194 A JP 15116194A JP H0812470 A JPH0812470 A JP H0812470A
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
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-
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- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5022—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with vitreous materials
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- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
- C04B41/5035—Silica
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は表面が平滑で凹部が極めて少ないこ
とから、半導体産業における加熱源、搬送用、チャッキ
ング用治具として有用とされるセラミックス基板の提供
を目的とするものである。 【構成】 本発明のセラミックス基板は、セラミックス
基板表面の凹部にSiO2とAl2O3 との混合ペースト被覆層
を形成し、これを焼成、ガラス化したのち研磨し、その
表面を表面粗さＲａが 0.3μｍ以下のものとしてなるこ
とを特徴とするものである。
とから、半導体産業における加熱源、搬送用、チャッキ
ング用治具として有用とされるセラミックス基板の提供
を目的とするものである。 【構成】 本発明のセラミックス基板は、セラミックス
基板表面の凹部にSiO2とAl2O3 との混合ペースト被覆層
を形成し、これを焼成、ガラス化したのち研磨し、その
表面を表面粗さＲａが 0.3μｍ以下のものとしてなるこ
とを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックス基板、特に
は表面が平滑で凹部が極めて少ないために、半導体産業
における加熱源、搬送用、チャッキング用治具として有
用とされるセラミックス基板に関するものである。
は表面が平滑で凹部が極めて少ないために、半導体産業
における加熱源、搬送用、チャッキング用治具として有
用とされるセラミックス基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体産業においては、その加熱
源、搬送用、チャッキング用の治具として、このものが
接触させたシリコンウエーハとの熱コンタクトなどに有
利であることから、セラミックス基板を使用することが
一般的になってきている。しかし、このセラミックス基
板には脱粒が発生し、研磨した際に表面に凹部の欠陥を
生じ易く、この凹部がチャッキングや熱コンタクトを阻
げる原因になるという問題点があった。
源、搬送用、チャッキング用の治具として、このものが
接触させたシリコンウエーハとの熱コンタクトなどに有
利であることから、セラミックス基板を使用することが
一般的になってきている。しかし、このセラミックス基
板には脱粒が発生し、研磨した際に表面に凹部の欠陥を
生じ易く、この凹部がチャッキングや熱コンタクトを阻
げる原因になるという問題点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そのため、このセラミ
ックス基板についてはその凹部を極力小さくするため
に、精密研磨する技術などが見い出されているが、これ
はあまり大きな効果を与えるものではなかった。また、
これについてはこの凹部に金属ペーストを充填し、その
後これを焼成、焼付けしたのち研磨する方法が提案され
ている（特開平5-148067号公報参照）が、これには本来
絶縁物であるセラミックス表面が金属層を有してしまう
という新しい問題点も発生し、絶縁用途での使用ができ
ないという不利がある。
ックス基板についてはその凹部を極力小さくするため
に、精密研磨する技術などが見い出されているが、これ
はあまり大きな効果を与えるものではなかった。また、
これについてはこの凹部に金属ペーストを充填し、その
後これを焼成、焼付けしたのち研磨する方法が提案され
ている（特開平5-148067号公報参照）が、これには本来
絶縁物であるセラミックス表面が金属層を有してしまう
という新しい問題点も発生し、絶縁用途での使用ができ
ないという不利がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、問題点を解決したセラミックス基板に関するもので
あり、これはセラミックス基板表面に存在する凹部に、
SiO2と Al2O3の混合ペーストからなる被覆層を形成し、
焼成、ガラス化したのち研磨し、その表面を表面粗さＲ
ａが 0.3μｍ以下のものとしてなることを特徴とするも
のである。
利、問題点を解決したセラミックス基板に関するもので
あり、これはセラミックス基板表面に存在する凹部に、
SiO2と Al2O3の混合ペーストからなる被覆層を形成し、
焼成、ガラス化したのち研磨し、その表面を表面粗さＲ
ａが 0.3μｍ以下のものとしてなることを特徴とするも
のである。
【０００５】すなわち、本発明者らはセラミックス基板
の凹部に金属ペーストを充填する不利を解決すべく、こ
れをSiO2と Al2O3との混合ペーストとしたところ、この
ものは絶縁性であるので、このセラミックス基板を絶縁
用途にも使用することができることを見出すと共に、こ
の表面を研磨してこの表面粗さを 0.3μｍ以下とすれば
SiO2層などの半導体層との密着も十分なものとなるし、
耐蝕性、耐熱性も優れたものになるということを確認し
て本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述する。
の凹部に金属ペーストを充填する不利を解決すべく、こ
れをSiO2と Al2O3との混合ペーストとしたところ、この
ものは絶縁性であるので、このセラミックス基板を絶縁
用途にも使用することができることを見出すと共に、こ
の表面を研磨してこの表面粗さを 0.3μｍ以下とすれば
SiO2層などの半導体層との密着も十分なものとなるし、
耐蝕性、耐熱性も優れたものになるということを確認し
て本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述する。
【０００６】
【作用】本発明はセラミックス基板に関するものであ
り、これは上記したようにセラミックス基板表面の凹部
にSiO2と Al2O3との混合ペーストからなる被膜層を形成
し、これを焼成し、ガラス化してから研磨して、その表
面を表面粗さＲａが 0.3μｍ以下としたものであるが、
これによればSiO2と Al2O3との混合ペーストが絶縁性の
ものであることから、このセラミックス基板を絶縁用途
に使用することができるし、このものは表面粗さが 0.3
μｍ以下とされているので半導体層との密着性がよく、
したがって半導体分野への適用に有利性が与えられる。
り、これは上記したようにセラミックス基板表面の凹部
にSiO2と Al2O3との混合ペーストからなる被膜層を形成
し、これを焼成し、ガラス化してから研磨して、その表
面を表面粗さＲａが 0.3μｍ以下としたものであるが、
これによればSiO2と Al2O3との混合ペーストが絶縁性の
ものであることから、このセラミックス基板を絶縁用途
に使用することができるし、このものは表面粗さが 0.3
μｍ以下とされているので半導体層との密着性がよく、
したがって半導体分野への適用に有利性が与えられる。
【０００７】本発明のセラミックス基板はアルミナ、窒
化アルミニウム、窒化けい素、窒化ほう素、熱分解窒化
ほう素などからなるものとされるが、このセラミックス
基板にはその表面の凹部にSiO2と Al2O3との混合ペース
トを塗布し、これを加熱してガラス化したのち研磨し
て、その表面粗さＲａが 0.3μｍ以下のものとされる。
ここに使用するSiO2と Al2O3との混合ペーストはSiO2粉
末と Al2O3粉末とを混合してペースト状としたものとす
ればよく、この混合ペーストをセラミックス基板に塗布
すれば、このペーストがセラミックス基板の凹部に充填
されるので、凹部が極端に少ないものになる。
化アルミニウム、窒化けい素、窒化ほう素、熱分解窒化
ほう素などからなるものとされるが、このセラミックス
基板にはその表面の凹部にSiO2と Al2O3との混合ペース
トを塗布し、これを加熱してガラス化したのち研磨し
て、その表面粗さＲａが 0.3μｍ以下のものとされる。
ここに使用するSiO2と Al2O3との混合ペーストはSiO2粉
末と Al2O3粉末とを混合してペースト状としたものとす
ればよく、この混合ペーストをセラミックス基板に塗布
すれば、このペーストがセラミックス基板の凹部に充填
されるので、凹部が極端に少ないものになる。
【０００８】この凹部に充填されたペーストは、ついで
これを 1,200〜 1,500℃に加熱するとガラス状に固化さ
れるので、これをダイヤモンド粒子などを研磨材として
研磨すれば、その表面粗さを 0.3μｍ以下のものとする
ことができるので、このセラミックス基板はSiO2層など
の半導体層との密着性のよいものとなり、耐蝕性、耐熱
性も優れたものとなるので、このものは半導体産業にお
ける加熱用ヒーター、搬送用の静電チャック、チャッキ
ング用などの治具として有利に使用することができる。
これを 1,200〜 1,500℃に加熱するとガラス状に固化さ
れるので、これをダイヤモンド粒子などを研磨材として
研磨すれば、その表面粗さを 0.3μｍ以下のものとする
ことができるので、このセラミックス基板はSiO2層など
の半導体層との密着性のよいものとなり、耐蝕性、耐熱
性も優れたものとなるので、このものは半導体産業にお
ける加熱用ヒーター、搬送用の静電チャック、チャッキ
ング用などの治具として有利に使用することができる。
【０００９】なお、このセラミックス基板については上
記したセラミックス材単体からなるものであってもよい
が、このセラミックス基板はアルミナ、窒化アルミニウ
ム、窒化けい素、窒化ほう素、熱分解ほう素、サイアロ
ン、窒化アルミニウム／窒化ほう素のコンポジットなど
からなる絶縁体層と、Ａｇ−Ｐｔ、炭素などからなる抵
抗体層とを積層してなるヒーターであってもよいし、こ
れはまたこの種の絶縁体層とこれらの同種の化合物など
からなる誘導体層とを積層した静電チャックであっても
よく、これらについても上記のようにその表面をSiO2と
Al2O3との混合ペーストを塗布し、加熱して焼成、ガラ
ス化し、研磨して表面粗さを 0.3μｍ以下のものとすれ
ば、これらも半導体産業用に有利に使用できるという有
利性が与えられる。
記したセラミックス材単体からなるものであってもよい
が、このセラミックス基板はアルミナ、窒化アルミニウ
ム、窒化けい素、窒化ほう素、熱分解ほう素、サイアロ
ン、窒化アルミニウム／窒化ほう素のコンポジットなど
からなる絶縁体層と、Ａｇ−Ｐｔ、炭素などからなる抵
抗体層とを積層してなるヒーターであってもよいし、こ
れはまたこの種の絶縁体層とこれらの同種の化合物など
からなる誘導体層とを積層した静電チャックであっても
よく、これらについても上記のようにその表面をSiO2と
Al2O3との混合ペーストを塗布し、加熱して焼成、ガラ
ス化し、研磨して表面粗さを 0.3μｍ以下のものとすれ
ば、これらも半導体産業用に有利に使用できるという有
利性が与えられる。
【００１０】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例、比較例 Al2O3粉末92重量％とSiO2粉末６重量％および MgO粉末
２重量％との混合物 100重量部に、ブチラール樹脂８重
量部、トリクロロエチレン80重量部、エタノール25重量
部および可塑剤としてのフタル酸ジオクチルを10重量部
添加し、ボールミルで40時間混練してスラリーを作成し
たのち、脱泡機にかけて溶剤を一部飛散させて粘度が 3
0,000cpsのものとした。
２重量％との混合物 100重量部に、ブチラール樹脂８重
量部、トリクロロエチレン80重量部、エタノール25重量
部および可塑剤としてのフタル酸ジオクチルを10重量部
添加し、ボールミルで40時間混練してスラリーを作成し
たのち、脱泡機にかけて溶剤を一部飛散させて粘度が 3
0,000cpsのものとした。
【００１１】ついで、このスラリーをドクターブレード
で厚さが 1.0mmのグリーンシートを作り、これから直径
160mmφの円板１枚を切り出し、この円板をＮ2 ＋Ｈ2
混合ガス雰囲気中において 1,650℃で４時間焼成して A
l2O3基板を作成した。つぎに、この Al2O3基板をダイヤ
モンド粒子で２時間研磨したのち、この基板上にSiO2と
Al2O3の混合ペーストを塗布し、これをアルゴン気流中
において 1,450℃で焼成してこれに厚さ 100μｍのSiO2
被膜を形成し、この基板をダイヤモンド粒子で研磨した
ところ、このものは表面粗さが 0.1μｍ以下のものとな
った。
で厚さが 1.0mmのグリーンシートを作り、これから直径
160mmφの円板１枚を切り出し、この円板をＮ2 ＋Ｈ2
混合ガス雰囲気中において 1,650℃で４時間焼成して A
l2O3基板を作成した。つぎに、この Al2O3基板をダイヤ
モンド粒子で２時間研磨したのち、この基板上にSiO2と
Al2O3の混合ペーストを塗布し、これをアルゴン気流中
において 1,450℃で焼成してこれに厚さ 100μｍのSiO2
被膜を形成し、この基板をダイヤモンド粒子で研磨した
ところ、このものは表面粗さが 0.1μｍ以下のものとな
った。
【００１２】したがって、この基板上にＳｉウエーハを
載置し、真空チャンバー内で下記の方法でパーティクル
チェックの測定を行なったところ、リファレンスのＳｉ
ウエーハとの差は生じなかったが、比較のために平滑化
処理を行なわなかった Al2O3基板についてパーティクル
チェックを行なったところ、リファレンスと比較して80
個もの増加が認められた。「基板異物検査装置」［信越
エンジニアリング（株）製］にて装置に基板をセット
し、波長 632.8nmのレーザー光を直線に当て、レーザー
光の分散状態によって異物をチェックしその個数をカウ
ントした。（異物等があると、レーザー光が分散する）
載置し、真空チャンバー内で下記の方法でパーティクル
チェックの測定を行なったところ、リファレンスのＳｉ
ウエーハとの差は生じなかったが、比較のために平滑化
処理を行なわなかった Al2O3基板についてパーティクル
チェックを行なったところ、リファレンスと比較して80
個もの増加が認められた。「基板異物検査装置」［信越
エンジニアリング（株）製］にて装置に基板をセット
し、波長 632.8nmのレーザー光を直線に当て、レーザー
光の分散状態によって異物をチェックしその個数をカウ
ントした。（異物等があると、レーザー光が分散する）
【００１３】
【発明の効果】本発明のセラミックス基板はセラミック
ス基板表面の凹部にSiO2と Al2O3との混合ペースト被膜
層を形成し、これを焼成、ガラス化したのち研磨して、
その表面の表面粗さＲａを 0.3μｍ以下のものとしてな
るものであるが、このものにはこのペースト被膜層が絶
縁性なのでこれを絶縁用途に使用することができるし、
これは表面粗さＲａが 0.3μｍ以下なので処理すべき半
導体層との密着性が十分なものとなるし、耐蝕性、耐熱
性もすぐれたものとなるので半導体産業用に有用とされ
るという有利性をもつものである。
ス基板表面の凹部にSiO2と Al2O3との混合ペースト被膜
層を形成し、これを焼成、ガラス化したのち研磨して、
その表面の表面粗さＲａを 0.3μｍ以下のものとしてな
るものであるが、このものにはこのペースト被膜層が絶
縁性なのでこれを絶縁用途に使用することができるし、
これは表面粗さＲａが 0.3μｍ以下なので処理すべき半
導体層との密着性が十分なものとなるし、耐蝕性、耐熱
性もすぐれたものとなるので半導体産業用に有用とされ
るという有利性をもつものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保田 芳宏 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミックス基板表面に存在する凹部
に、SiO2と Al2O3の混合ペーストからなる被覆層を形成
し、焼成、ガラス化したのち研磨し、その表面を表面粗
さＲａが 0.3μｍ以下のものとしてなることを特徴とす
るセラミックス基板。 - 【請求項２】 セラミックス基板が少なくとも絶縁体層
と抵抗体層とからなるヒーターである請求項１に記載し
たセラミックス基板。 - 【請求項３】 セラミックス基板が少なくとも絶縁体層
と誘電体層とからなる静電チャックである請求項１に記
載したセラミックス基板。 - 【請求項４】 絶縁体層と誘電体層が酸化アルミニウ
ム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、熱分解窒化ほう
素、窒化けい素、サイアロン、窒化アルミニウム／窒化
ほう素コンポジットのうちの少なくとも１種とされる請
求項３に記載したセラミックス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15116194A JPH0812470A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | セラミックス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15116194A JPH0812470A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | セラミックス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0812470A true JPH0812470A (ja) | 1996-01-16 |
Family
ID=15512676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15116194A Pending JPH0812470A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | セラミックス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812470A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001179578A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハ研磨方法及びウェーハ研磨装置 |
| JP2010047433A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Ferrotec Ceramics Corp | 表面処理セラミックス部材およびその製造方法 |
| JP2011162422A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Ferrotec Ceramics Corp | 表面処理セラミックス部材およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-07-01 JP JP15116194A patent/JPH0812470A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001179578A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハ研磨方法及びウェーハ研磨装置 |
| WO2001047664A1 (fr) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede et dispositif de polissage de tranche |
| US6764392B2 (en) | 1999-12-28 | 2004-07-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer polishing method and wafer polishing device |
| JP2010047433A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Ferrotec Ceramics Corp | 表面処理セラミックス部材およびその製造方法 |
| JP2011162422A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Ferrotec Ceramics Corp | 表面処理セラミックス部材およびその製造方法 |
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