JPH08124615A - 電気部材の接続構造 - Google Patents
電気部材の接続構造Info
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- JPH08124615A JPH08124615A JP25776494A JP25776494A JPH08124615A JP H08124615 A JPH08124615 A JP H08124615A JP 25776494 A JP25776494 A JP 25776494A JP 25776494 A JP25776494 A JP 25776494A JP H08124615 A JPH08124615 A JP H08124615A
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- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 異方導電接着剤を用いてＩＣチップ等を基板
に接続する場合に、安価で接続信頼性の優れた接続構造
を提供する。 【構成】 第１の基板１５上に設けた導電性の突起１３
と、これとと相対峙する第２の基板１６上に設けた導電
性の突起１４の間に、絶縁性を有する接着剤中に変形性
を有する球状の核材の表面に導電層を有する導電性粒子
１１が分散された異方導電性接着剤を有し、前記第１の
基板と前記第２の基板の相対峙する突起間に１００×１
００μｍあたり１０個以上の導電性粒子１１が４０％以
上変形しながら導電性突起１３、１４と接触する。
に接続する場合に、安価で接続信頼性の優れた接続構造
を提供する。 【構成】 第１の基板１５上に設けた導電性の突起１３
と、これとと相対峙する第２の基板１６上に設けた導電
性の突起１４の間に、絶縁性を有する接着剤中に変形性
を有する球状の核材の表面に導電層を有する導電性粒子
１１が分散された異方導電性接着剤を有し、前記第１の
基板と前記第２の基板の相対峙する突起間に１００×１
００μｍあたり１０個以上の導電性粒子１１が４０％以
上変形しながら導電性突起１３、１４と接触する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気絶縁体表面から突
き出して設けた導電体を有する二つの電気部材、例え
ば、プリント配線板相互間又はプリント配線板と金バン
プを有するＩＣチップの電気的接続構造及び接続方法に
関するものである。
き出して設けた導電体を有する二つの電気部材、例え
ば、プリント配線板相互間又はプリント配線板と金バン
プを有するＩＣチップの電気的接続構造及び接続方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より集積回路類の配線基板への接
続、表示素子類と配線基板への接続などのように接続端
子が相対峙して細かいピッチで形成されている場合の接
続方法として、はんだ付けや導電性接着剤などの接続部
材による方法が広く用いられている。
続、表示素子類と配線基板への接続などのように接続端
子が相対峙して細かいピッチで形成されている場合の接
続方法として、はんだ付けや導電性接着剤などの接続部
材による方法が広く用いられている。
【０００３】最近では接続材料について検討が加えら
れ、例えば、特開昭５１−２０９４１号公報、特開昭５
１−２１１９２号公報、特開昭５１−１３５９３８号公
報などによれば、相対峙する回路間に金属粒子などの導
電性粒子と接着剤成分を含む異方導電性の接続部材層を
設け、加圧または加熱加圧手段を講じることによって回
路間の電気接続と同時に隣接回路間に絶縁性をを付与
し、相対峙する電極を接着固定することが提案されてい
る。
れ、例えば、特開昭５１−２０９４１号公報、特開昭５
１−２１１９２号公報、特開昭５１−１３５９３８号公
報などによれば、相対峙する回路間に金属粒子などの導
電性粒子と接着剤成分を含む異方導電性の接続部材層を
設け、加圧または加熱加圧手段を講じることによって回
路間の電気接続と同時に隣接回路間に絶縁性をを付与
し、相対峙する電極を接着固定することが提案されてい
る。
【０００４】しかしながらこれらの方法においては、電
極間の導通は主として複数個の導電材料、多くの場合に
は金属粒子の接触によって得られるものであり、金属粒
子が剛直であるため粒子／電極間の接触面積が充分でな
くさらに接着剤成分と金属粒子の熱膨張係数の違いか
ら、温度変化に対する抵抗値変化が大きく接続部の信頼
性に劣る欠点を有していた。
極間の導通は主として複数個の導電材料、多くの場合に
は金属粒子の接触によって得られるものであり、金属粒
子が剛直であるため粒子／電極間の接触面積が充分でな
くさらに接着剤成分と金属粒子の熱膨張係数の違いか
ら、温度変化に対する抵抗値変化が大きく接続部の信頼
性に劣る欠点を有していた。
【０００５】我々は先に接触面積を充分に得ることで信
頼性を向上する方法として、高分子重合体よりなる核材
のほぼ全表面が導電性の金属薄層により実質的に被覆さ
れた導電性粒子と絶縁性接着剤よりなる電極の接続構造
体について提案した（特公平３−４０８９９号公報参
照）。この方法によれば、導電性の粒子は電極接続時の
加圧あるいは加熱加圧により電極面あるいは導電性粒子
相互間で適度に変形するため充分な接触面積が得られる
こと、および高分子核材は剛性や熱膨張収縮特性が金属
粒子に比べて接着剤の性質に極めて近いことなどによ
り、接続信頼性が著しく向上することを見出した。
頼性を向上する方法として、高分子重合体よりなる核材
のほぼ全表面が導電性の金属薄層により実質的に被覆さ
れた導電性粒子と絶縁性接着剤よりなる電極の接続構造
体について提案した（特公平３−４０８９９号公報参
照）。この方法によれば、導電性の粒子は電極接続時の
加圧あるいは加熱加圧により電極面あるいは導電性粒子
相互間で適度に変形するため充分な接触面積が得られる
こと、および高分子核材は剛性や熱膨張収縮特性が金属
粒子に比べて接着剤の性質に極めて近いことなどによ
り、接続信頼性が著しく向上することを見出した。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】我々は先願発明の信頼
性を保ちながら、さらに微細な電極の接続をすべく検討
の結果本発明に達したものであり、本発明は接続部の信
頼性の向上した微細電極の接続構造を提供するものであ
る。
性を保ちながら、さらに微細な電極の接続をすべく検討
の結果本発明に達したものであり、本発明は接続部の信
頼性の向上した微細電極の接続構造を提供するものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１の基板１
５上に設けた導電性の突起１３と、第２の基板１６上に
設けた導電性の突起１４とを相対峙させ、導電性の突起
１３、１４の間に絶縁性を有する接着剤中に変形性を有
する球状の核材の表面に導電層を有する導電性粒子１１
が分散された異方導電性接着剤１２を配し、前記相対峙
する突起間に１００×１００μｍあたり１０個以上の導
電性粒子１１が４０％以上変形して前記突起１３、１４
に接触していることを特徴とする電気部材の接続構造で
ある。
５上に設けた導電性の突起１３と、第２の基板１６上に
設けた導電性の突起１４とを相対峙させ、導電性の突起
１３、１４の間に絶縁性を有する接着剤中に変形性を有
する球状の核材の表面に導電層を有する導電性粒子１１
が分散された異方導電性接着剤１２を配し、前記相対峙
する突起間に１００×１００μｍあたり１０個以上の導
電性粒子１１が４０％以上変形して前記突起１３、１４
に接触していることを特徴とする電気部材の接続構造で
ある。
【０００８】本発明にかかる電極の接続構造を実施例を
示した図面を用いて以下に説明する。図１は接続部の構
造を示す断面模式図である。図１において導電性の突起
１３および１４の間に存在する導電性の粒子１１は加圧
あるいは加熱加圧により変形し、導電性の突起１３およ
び１４に接触している、導電性の粒子が変形することに
より充分な接触面積が得られる。電極間以外では導電性
の粒子は接着剤中に分散し圧力がかからないため変形す
ることなく、従って導電性の粒子の粒径や添加量を選択
することで隣接電極との絶縁性が充分に保たれる。用い
る基板としては、例えばガラス基板またはセラミック基
板、ポリイミド等のフィルム基板やガラスエポキシ基板
等の配線板の表面にＩＴＯ、Ａｌ、Ｎｉ、Ａｕ等の薄膜
電極やＣｕ箔や、Ａｇ、Ｎｉ等を含む導電性ペースト類
の電極を設けたものであり、これら電極の表面にはＳ
ｎ、Ａｕ、はんだ等の表面層を形成することもできる。
第２の基板としては、例えば半導体（以下ＩＣという）
チップ類のシリコン、ガリウムヒ素等がある。これらＩ
Ｃチップは例えばＡｌ等の電極上にＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、
はんだ等の突起電極を設けたものであり、これら電極の
表面にはＳｎ、Ａｕ、はんだ等の表面層を形成すること
もできる。酸化シリコン、ホウケイ酸ガラス、チッ化け
い素、チッ化アルミニウム、チッ化ホウ素、ポリイミ
ド、テフロン等の絶縁層が形成され電極部以外を覆って
いることが導電性の粒子とＩＣチップの素子との接触を
完全に防止できるので好ましい。また本発明の電極は基
板面より凸状であることが導電性の粒子と電極との接触
の点で好ましく、少なくとも一方の電極の高さは後述す
る導電性の粒子の径よりも大きな３μｍ以上が好まし
く、電極表面には凹凸があることから５μｍ以上がより
好ましい。電極の高さばらつきは導電性の粒子の粒径よ
りも小さい方が好ましく、導電性の粒子に均一に圧力を
加えるためには３μｍ以下がより好ましい。電極の大き
さは一辺が導電性の粒子の粒径の１０倍以上が好まし
い、その理由は微小電極上に導電性の粒子を存在させる
ためには、異方導電性接着剤中の導電性の粒子の配合量
を増やす必要がありコスト高となるからである。隣接す
る電極間隔は接着剤中に分散した導電性の粒子の接触に
よる絶縁性の劣化を防ぐためには導電粒子の径の４倍以
上が好ましく粒径のばらつき等があることから５倍以上
がさらに好ましい。導電性の粒子はポリスチレン等の高
分子の球状の核材にＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ、はんだ等の導電
層を設けたものであり、さらにＳｎ、Ａｕ、はんだ等の
表面層を形成することもできる。粒径は基板の電極の最
小の間隔よりも小さいことが必要で、電極の高さばらつ
きがある場合、高さばらつきよりも大きいことが好まし
く、また微小電極上に導電性の粒子を分散させるには小
さいほうが好ましく、３μｍ〜５μｍが好ましい。ま
た、加圧または加熱加圧により変形することが必要で、
相対峙する電極間に存在する導電性の粒子の数と変形量
を種々検討した結果、信頼性の優れた接続構造とするた
めには変形量は４０％以上で１００×１００μｍ2 につ
いて１０個以上が好ましく、接続抵抗値を低くするため
には１００×１００μｍ2 について２０個以上がさらに
好ましい。電極間に存在する導電粒子の数及び導電性の
粒子の変形による電極との接触面積は一方の基板が１μ
ｍ以下の薄膜電極を有する、例えばガラスなどの透明性
を有する基板を用いた場合基板下面より顕微鏡で観察す
ることにより計測できる。薄膜電極が透明性を有しない
場合干渉顕微鏡を用い導電性の粒子による突起を観察す
ることによ粒子数を計測することができる。両方の基板
が透明性を有しない場合、接続部分を剥離し各々の電極
上に存在する導電性の粒子と変形した粒子の変形面を顕
微鏡で観察、計測することができる。導電性の粒子の変
形量は図４に示すように導電性の粒子の直径ｄが電極間
の距離Ｌまで変化したときの変化量で 変形量＝（ｄ−ｄ’）／ｄ×１００ であらわす。変形性を有しない導電性粒子１１の直径ｄ
よりも小さい直径ｄ’の例えばシリカ粒子４０を用いる
ことで電極間の距離Ｌを制御できる。
示した図面を用いて以下に説明する。図１は接続部の構
造を示す断面模式図である。図１において導電性の突起
１３および１４の間に存在する導電性の粒子１１は加圧
あるいは加熱加圧により変形し、導電性の突起１３およ
び１４に接触している、導電性の粒子が変形することに
より充分な接触面積が得られる。電極間以外では導電性
の粒子は接着剤中に分散し圧力がかからないため変形す
ることなく、従って導電性の粒子の粒径や添加量を選択
することで隣接電極との絶縁性が充分に保たれる。用い
る基板としては、例えばガラス基板またはセラミック基
板、ポリイミド等のフィルム基板やガラスエポキシ基板
等の配線板の表面にＩＴＯ、Ａｌ、Ｎｉ、Ａｕ等の薄膜
電極やＣｕ箔や、Ａｇ、Ｎｉ等を含む導電性ペースト類
の電極を設けたものであり、これら電極の表面にはＳ
ｎ、Ａｕ、はんだ等の表面層を形成することもできる。
第２の基板としては、例えば半導体（以下ＩＣという）
チップ類のシリコン、ガリウムヒ素等がある。これらＩ
Ｃチップは例えばＡｌ等の電極上にＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、
はんだ等の突起電極を設けたものであり、これら電極の
表面にはＳｎ、Ａｕ、はんだ等の表面層を形成すること
もできる。酸化シリコン、ホウケイ酸ガラス、チッ化け
い素、チッ化アルミニウム、チッ化ホウ素、ポリイミ
ド、テフロン等の絶縁層が形成され電極部以外を覆って
いることが導電性の粒子とＩＣチップの素子との接触を
完全に防止できるので好ましい。また本発明の電極は基
板面より凸状であることが導電性の粒子と電極との接触
の点で好ましく、少なくとも一方の電極の高さは後述す
る導電性の粒子の径よりも大きな３μｍ以上が好まし
く、電極表面には凹凸があることから５μｍ以上がより
好ましい。電極の高さばらつきは導電性の粒子の粒径よ
りも小さい方が好ましく、導電性の粒子に均一に圧力を
加えるためには３μｍ以下がより好ましい。電極の大き
さは一辺が導電性の粒子の粒径の１０倍以上が好まし
い、その理由は微小電極上に導電性の粒子を存在させる
ためには、異方導電性接着剤中の導電性の粒子の配合量
を増やす必要がありコスト高となるからである。隣接す
る電極間隔は接着剤中に分散した導電性の粒子の接触に
よる絶縁性の劣化を防ぐためには導電粒子の径の４倍以
上が好ましく粒径のばらつき等があることから５倍以上
がさらに好ましい。導電性の粒子はポリスチレン等の高
分子の球状の核材にＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ、はんだ等の導電
層を設けたものであり、さらにＳｎ、Ａｕ、はんだ等の
表面層を形成することもできる。粒径は基板の電極の最
小の間隔よりも小さいことが必要で、電極の高さばらつ
きがある場合、高さばらつきよりも大きいことが好まし
く、また微小電極上に導電性の粒子を分散させるには小
さいほうが好ましく、３μｍ〜５μｍが好ましい。ま
た、加圧または加熱加圧により変形することが必要で、
相対峙する電極間に存在する導電性の粒子の数と変形量
を種々検討した結果、信頼性の優れた接続構造とするた
めには変形量は４０％以上で１００×１００μｍ2 につ
いて１０個以上が好ましく、接続抵抗値を低くするため
には１００×１００μｍ2 について２０個以上がさらに
好ましい。電極間に存在する導電粒子の数及び導電性の
粒子の変形による電極との接触面積は一方の基板が１μ
ｍ以下の薄膜電極を有する、例えばガラスなどの透明性
を有する基板を用いた場合基板下面より顕微鏡で観察す
ることにより計測できる。薄膜電極が透明性を有しない
場合干渉顕微鏡を用い導電性の粒子による突起を観察す
ることによ粒子数を計測することができる。両方の基板
が透明性を有しない場合、接続部分を剥離し各々の電極
上に存在する導電性の粒子と変形した粒子の変形面を顕
微鏡で観察、計測することができる。導電性の粒子の変
形量は図４に示すように導電性の粒子の直径ｄが電極間
の距離Ｌまで変化したときの変化量で 変形量＝（ｄ−ｄ’）／ｄ×１００ であらわす。変形性を有しない導電性粒子１１の直径ｄ
よりも小さい直径ｄ’の例えばシリカ粒子４０を用いる
ことで電極間の距離Ｌを制御できる。
【０００９】接着剤は液状もしくは加熱時に液状となる
ことが必要である。さらに熱または光等で反応するエポ
キシ、アクリル樹脂等の反応性樹脂が好ましい。
ことが必要である。さらに熱または光等で反応するエポ
キシ、アクリル樹脂等の反応性樹脂が好ましい。
【００１０】
【作用】本発明によれば、相対峙する微細電極間の多数
の接続を一括して行え、導電性の粒子が変形することに
より充分な接触面積をもって電極と接触し導通径路を形
成し、その導通径路を複数形成することで、接続信頼性
の優れた微細電極の電気的接続が行なえる。
の接続を一括して行え、導電性の粒子が変形することに
より充分な接触面積をもって電極と接触し導通径路を形
成し、その導通径路を複数形成することで、接続信頼性
の優れた微細電極の電気的接続が行なえる。
【００１１】
実施例１ 図１は本発明に関する基板間の接続部の断面図である。
フィルム状基板同士の接続に適用した場合を示す。ポリ
イミドのフィルム１５上に表面にＳｎ層を有するＣｕの
突起１３（高さ＝１５μｍ、面積＝１５０μｍ□）を複
数設けたフィルム状基板とポリイミドのフィルム１６上
に表面にＡｕ層を有するＣｕの突起１４（高さ＝１５μ
ｍ、面積＝１５０μｍ□）との間に接着剤１２中に高分
子核体の表面にＡｕ層を形成した１０μｍの導電粒子１
１を分散した異方導電接着剤を配置し１８０℃、２ＭＰ
ａ、２０ｓの条件で加熱、加圧し固定する。この時相対
峙する電極間の導電粒子は変形しながら電極と接触し電
気的な接続を行なうことができた。導電粒子の変形の影
響を調べるため、前記接続条件では変形しない絶縁性の
シリカ粒子を接着剤中に分散した。相対峙する電極間隔
は図４に示すようにシリカ粒子４０の粒径で保持される
ので導電粒子１１とシリカ粒子４０の粒径から変形量を
求めた。電極上の導電粒子の数が１０個の時の高温高湿
信頼性の結果を図５に示す。変形量４０％以上としたと
き接続抵抗は安定していた。変形量２０％以上で導電粒
子の表面層の割れが観察されるので、簡易的には導電粒
子の割れが充分であることや粒子と電極の接触面積を測
定することで確認できる。
フィルム状基板同士の接続に適用した場合を示す。ポリ
イミドのフィルム１５上に表面にＳｎ層を有するＣｕの
突起１３（高さ＝１５μｍ、面積＝１５０μｍ□）を複
数設けたフィルム状基板とポリイミドのフィルム１６上
に表面にＡｕ層を有するＣｕの突起１４（高さ＝１５μ
ｍ、面積＝１５０μｍ□）との間に接着剤１２中に高分
子核体の表面にＡｕ層を形成した１０μｍの導電粒子１
１を分散した異方導電接着剤を配置し１８０℃、２ＭＰ
ａ、２０ｓの条件で加熱、加圧し固定する。この時相対
峙する電極間の導電粒子は変形しながら電極と接触し電
気的な接続を行なうことができた。導電粒子の変形の影
響を調べるため、前記接続条件では変形しない絶縁性の
シリカ粒子を接着剤中に分散した。相対峙する電極間隔
は図４に示すようにシリカ粒子４０の粒径で保持される
ので導電粒子１１とシリカ粒子４０の粒径から変形量を
求めた。電極上の導電粒子の数が１０個の時の高温高湿
信頼性の結果を図５に示す。変形量４０％以上としたと
き接続抵抗は安定していた。変形量２０％以上で導電粒
子の表面層の割れが観察されるので、簡易的には導電粒
子の割れが充分であることや粒子と電極の接触面積を測
定することで確認できる。
【００１２】実施例２ 図２にガラス基板とＩＣチップの接続に適用した場合を
示す。ＩＣチップ上に形成した電極２３（高さ＝１５μ
ｍ、面積＝４０μｍ□）を複数設けたＩＣチップとガラ
ス基板２６上に表面にＡｕ層を有するＮｉの薄膜電極
（高さ＝０．３μｍ、面積＝４０μｍ□）との間に接着
剤２２中に高分子核体の表面にＡｕ層を形成した５μｍ
の導電粒子１１を分散した異方導電接着剤を配置し１８
０℃、２ＭＰａ、２０ｓの条件で加熱、加圧し固定す
る。この時相対峙する電極間の導電粒子は変形しながら
電極と接触し電気的な接続を行うことができた。前記接
続条件で接続した場合変形量は４０％以上となってい
た。この場合の高温高湿信頼性試験の結果を図６に示す
電極上の導電粒子の数が１０個以上で接続抵抗は安定し
ていた。また、隣接する電極間隔を１０〜１００μｍと
した時の隣接電極間の絶縁抵抗の測定結果を図７に示
す。２０μｍ以上で充分な絶縁性が得られた。
示す。ＩＣチップ上に形成した電極２３（高さ＝１５μ
ｍ、面積＝４０μｍ□）を複数設けたＩＣチップとガラ
ス基板２６上に表面にＡｕ層を有するＮｉの薄膜電極
（高さ＝０．３μｍ、面積＝４０μｍ□）との間に接着
剤２２中に高分子核体の表面にＡｕ層を形成した５μｍ
の導電粒子１１を分散した異方導電接着剤を配置し１８
０℃、２ＭＰａ、２０ｓの条件で加熱、加圧し固定す
る。この時相対峙する電極間の導電粒子は変形しながら
電極と接触し電気的な接続を行うことができた。前記接
続条件で接続した場合変形量は４０％以上となってい
た。この場合の高温高湿信頼性試験の結果を図６に示す
電極上の導電粒子の数が１０個以上で接続抵抗は安定し
ていた。また、隣接する電極間隔を１０〜１００μｍと
した時の隣接電極間の絶縁抵抗の測定結果を図７に示
す。２０μｍ以上で充分な絶縁性が得られた。
【００１３】実施例３ 図３はフィルム状基板とＩＣチップの接続に適用した場
合を示す。図３は接続部の断面図でありポリイミドのフ
ィルム３６上に表面にＳｎ層を有するＣｕの突起３４
（高さ＝１５±２μｍ、面積＝４０μｍ□）を複数設け
たフィルム状基板とシリコン基板３５上に形成したＳｉ
Ｏ2 等の絶縁膜３７（厚さ＝２μｍ、開口面積＝８０μ
ｍ□）で囲まれた複数のＡｌの電極３３を設けたＩＣチ
ップとの間に接着剤１２中に高分子核体の表面にＡｕ層
を形成した５μｍの導電粒子１１を分散した異方導電接
着剤を配置し１８０℃、２ＭＰａ、２０ｓの条件で加
熱、加圧し固定する。Ｃｕ突起３４は突起状でありＡｌ
電極２３上の絶縁膜３７の開口部より小面積かつ絶縁膜
３７の膜厚よりも高く、開口部で相対峙するＡｌ電極２
３との間に存在する導電粒子が変形し充分な接触面積を
もって両電極に接触し基板間の電気的接続がなされる。
少なくとも一方の電極は突起状でなくとも接続が可能で
ありＩＣチップに突起のない場合でも接続は可能であっ
た。
合を示す。図３は接続部の断面図でありポリイミドのフ
ィルム３６上に表面にＳｎ層を有するＣｕの突起３４
（高さ＝１５±２μｍ、面積＝４０μｍ□）を複数設け
たフィルム状基板とシリコン基板３５上に形成したＳｉ
Ｏ2 等の絶縁膜３７（厚さ＝２μｍ、開口面積＝８０μ
ｍ□）で囲まれた複数のＡｌの電極３３を設けたＩＣチ
ップとの間に接着剤１２中に高分子核体の表面にＡｕ層
を形成した５μｍの導電粒子１１を分散した異方導電接
着剤を配置し１８０℃、２ＭＰａ、２０ｓの条件で加
熱、加圧し固定する。Ｃｕ突起３４は突起状でありＡｌ
電極２３上の絶縁膜３７の開口部より小面積かつ絶縁膜
３７の膜厚よりも高く、開口部で相対峙するＡｌ電極２
３との間に存在する導電粒子が変形し充分な接触面積を
もって両電極に接触し基板間の電気的接続がなされる。
少なくとも一方の電極は突起状でなくとも接続が可能で
ありＩＣチップに突起のない場合でも接続は可能であっ
た。
【００１４】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明は電気回
路の形成された基板とＩＣチップの接続のように微細な
多電極の接続を簡便かつ高信頼性となるように電気的、
機械的に接続可能とするものである。
路の形成された基板とＩＣチップの接続のように微細な
多電極の接続を簡便かつ高信頼性となるように電気的、
機械的に接続可能とするものである。
【図１】本発明の一実施例であるフィルム状基板同士の
接続状態を示す断面図である。
接続状態を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例であるガラス基板とＩＣチッ
プの接続状態を示す断面図である。
プの接続状態を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施例であるフィルム状基板とＩＣ
チップの接続状態を示す断面図である。
チップの接続状態を示す断面図である。
【図４】本発明で検討した導電粒子の変形量の制御方法
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図５】実施例１で検討した高温高湿接続信頼性試験結
果を示す図である。
果を示す図である。
【図６】実施例１で検討した絶縁抵抗の評価結果を示す
図である。
図である。
【図７】実施例２で検討した高温高湿接続信頼性試験結
果を示す図である。
果を示す図である。
１１ 導電性の粒子 １２ 接着剤 １３ 導電性の突起（Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ） １４ 導電性の突起（Ｃｕ／Ｓｎ） １５、１６ ポリマー基板 ２３ Ａｕ電極 ２４ Ｎｉ／Ａｕ薄膜電極 ２４ ＩＣチップ ２５ シリコン基板 ２６ ガラス基板 ３３ Ａｌ電極 ３４ Ｃｕ電極 ３５ シリコン基板 ３６ ポリマー基板 ３７ 絶縁層 ４０ シリカ粒子 ４１ 導電層 ４２ 高分子核体
フロントページの続き (72)発明者 太田 共久 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の基板上に設けた導電性の突起と、
第２の基板上に設けた導電性の突起とを相対峙させ、導
電性の突起の間に絶縁性を有する接着剤中に変形性を有
する球状の核材の表面に導電層を有する導電性の粒子が
分散された異方導電性接着剤を配し、前記相対峙する突
起間に１００×１００μｍあたり１０個以上の導電性の
粒子が４０％以上変形して前記突起に接触していること
を特徴とする電気部材の接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25776494A JPH08124615A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 電気部材の接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25776494A JPH08124615A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 電気部材の接続構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124615A true JPH08124615A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17310777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25776494A Pending JPH08124615A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 電気部材の接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08124615A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103515351A (zh) * | 2012-06-21 | 2014-01-15 | 英飞凌科技股份有限公司 | 器件接触、电器件封装件以及制造电器件封装件的方法 |
-
1994
- 1994-10-24 JP JP25776494A patent/JPH08124615A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103515351A (zh) * | 2012-06-21 | 2014-01-15 | 英飞凌科技股份有限公司 | 器件接触、电器件封装件以及制造电器件封装件的方法 |
| CN103515351B (zh) * | 2012-06-21 | 2016-05-18 | 英飞凌科技股份有限公司 | 器件接触、电器件封装件以及制造电器件封装件的方法 |
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