JPH08122281A - 蛍光ｘ線分析装置 - Google Patents
蛍光ｘ線分析装置Info
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- JPH08122281A JPH08122281A JP25699994A JP25699994A JPH08122281A JP H08122281 A JPH08122281 A JP H08122281A JP 25699994 A JP25699994 A JP 25699994A JP 25699994 A JP25699994 A JP 25699994A JP H08122281 A JPH08122281 A JP H08122281A
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- rays
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 励起Ｘ線としてＷ−Ｌβ１線用いた蛍光分析
では検出が困難であった微量元素について、検出限界を
向上できる蛍光Ｘ線分析装置を提供する。 【構成】 蛍光Ｘ線分析装置１は、Ｗ（タングステン）
材料で構成された回転対陰極１１を備えるＸ線発生器１
０と、Ｘ線発生器１０から発生するＷの特性Ｘ線３から
Ｗ−Ｍα特性Ｘ線４を分離するための分光結晶１３およ
びコリメータ１４と、特性Ｘ線４がシリコンウエハ２に
入射して、シリコンウエハ２から発生する蛍光Ｘ線５を
検出するＸ線検出器２０と、前置増幅器２１、比例増幅
器２２、波高分析器２３およびデータ処理器２４などか
ら構成されている。
では検出が困難であった微量元素について、検出限界を
向上できる蛍光Ｘ線分析装置を提供する。 【構成】 蛍光Ｘ線分析装置１は、Ｗ（タングステン）
材料で構成された回転対陰極１１を備えるＸ線発生器１
０と、Ｘ線発生器１０から発生するＷの特性Ｘ線３から
Ｗ−Ｍα特性Ｘ線４を分離するための分光結晶１３およ
びコリメータ１４と、特性Ｘ線４がシリコンウエハ２に
入射して、シリコンウエハ２から発生する蛍光Ｘ線５を
検出するＸ線検出器２０と、前置増幅器２１、比例増幅
器２２、波高分析器２３およびデータ処理器２４などか
ら構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウエハ等の被
検物に励起Ｘ線を照射して、被検物から発生する蛍光Ｘ
線を、たとえばエネルギー分散方式（ＥＤＸ：Energy D
ispersiveX-ray spectrometer）で分析するための蛍光
Ｘ線分析装置に関する。
検物に励起Ｘ線を照射して、被検物から発生する蛍光Ｘ
線を、たとえばエネルギー分散方式（ＥＤＸ：Energy D
ispersiveX-ray spectrometer）で分析するための蛍光
Ｘ線分析装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、たとえば光学的に平滑な平面を有
するシリコンウエハなどの被検物に、低い入射角度でＸ
線を照射することによって、被検物の表面近傍に存在す
る元素からの蛍光Ｘ線を検出する全反射蛍光Ｘ線分析装
置（Total Reflection X−rayFluorescence）が知られ
ており、励起Ｘ線を被検物表面上で全反射させることに
よって、被検物の表面近傍のみの情報を高Ｓ／Ｎ比で得
ることができる。
するシリコンウエハなどの被検物に、低い入射角度でＸ
線を照射することによって、被検物の表面近傍に存在す
る元素からの蛍光Ｘ線を検出する全反射蛍光Ｘ線分析装
置（Total Reflection X−rayFluorescence）が知られ
ており、励起Ｘ線を被検物表面上で全反射させることに
よって、被検物の表面近傍のみの情報を高Ｓ／Ｎ比で得
ることができる。
【０００３】さらに、Ｘ線発生源の対陰極から発生する
特性Ｘ線を、分光結晶とスリットなどから成る分光手段
によって単一の特性Ｘ線を分離してから、被検物に照射
するモノクロ全反射蛍光Ｘ線分析装置（特願平１−２７
２１２４号）が提案されており、励起Ｘ線の単色化によ
ってバックグランドノイズが低減されて、微量元素の検
出限界が向上するため、特に、ＩＣ用の半導体ウエハ上
の微量元素汚染検出の分野で急速に普及している。
特性Ｘ線を、分光結晶とスリットなどから成る分光手段
によって単一の特性Ｘ線を分離してから、被検物に照射
するモノクロ全反射蛍光Ｘ線分析装置（特願平１−２７
２１２４号）が提案されており、励起Ｘ線の単色化によ
ってバックグランドノイズが低減されて、微量元素の検
出限界が向上するため、特に、ＩＣ用の半導体ウエハ上
の微量元素汚染検出の分野で急速に普及している。
【０００４】シリコンウエハ上の汚染物質のうち、特
に、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｎａなどの元素が
重要な分析対象であり、これらの元素に対する検出感度
を最大に設定するために、従来はＷ（タングステン）か
ら成る対陰極を備えたＸ線発生源を用いており、Ｗの特
性Ｘ線のうち、Ｌβ１線（９．６７１ｋｅＶ）が励起Ｘ
線として使用されている。その理由として、（ａ）寿命
やＸ線放射特性などの見地から、対陰極用の材料として
Ｗが一般に広く用いられており、しかも大電力を印加す
ることが可能である、（ｂ）Ｗ−Ｌβ１線は、ＺｎのＫ
吸収端（９．６６０ｋｅＶ）より高く、しかもＷと同様
に高寿命な対陰極材料、たとえばＭｏ、Ａｇ、Ｒｈの主
要な特性Ｘ線のうち最も低いエネルギーを有するため、
分析対象元素を励起する励起効率が優れている、等が挙
げられる。
に、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｎａなどの元素が
重要な分析対象であり、これらの元素に対する検出感度
を最大に設定するために、従来はＷ（タングステン）か
ら成る対陰極を備えたＸ線発生源を用いており、Ｗの特
性Ｘ線のうち、Ｌβ１線（９．６７１ｋｅＶ）が励起Ｘ
線として使用されている。その理由として、（ａ）寿命
やＸ線放射特性などの見地から、対陰極用の材料として
Ｗが一般に広く用いられており、しかも大電力を印加す
ることが可能である、（ｂ）Ｗ−Ｌβ１線は、ＺｎのＫ
吸収端（９．６６０ｋｅＶ）より高く、しかもＷと同様
に高寿命な対陰極材料、たとえばＭｏ、Ａｇ、Ｒｈの主
要な特性Ｘ線のうち最も低いエネルギーを有するため、
分析対象元素を励起する励起効率が優れている、等が挙
げられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
集積回路の高密度化に伴い、シリコンウエハの表面汚染
の管理が重要視される傾向にあるため、微量元素の検出
限界をより向上させた分析手法が要求されている。
集積回路の高密度化に伴い、シリコンウエハの表面汚染
の管理が重要視される傾向にあるため、微量元素の検出
限界をより向上させた分析手法が要求されている。
【０００６】従来のＷを用いたＸ線発生源では、Ｗ−Ｌ
β１線がシリコンウエハに入射すると、汚染物質から発
生する蛍光Ｘ線と同時に、ウエハ基板から非常に大きな
蛍光Ｘ線（Ｓｉ−Ｋα：１．７３９ｋｅＶ）が発生す
る。そのため、このＳｉ−Ｋα線に隣接する特性Ｘ線
（Ａｌ−Ｋα：１．４８６ｋｅＶ）を持つアルミニウム
の付着量がごく微量である場合、信号のピークが小さく
なって両者を分離して検出することが困難である。
β１線がシリコンウエハに入射すると、汚染物質から発
生する蛍光Ｘ線と同時に、ウエハ基板から非常に大きな
蛍光Ｘ線（Ｓｉ−Ｋα：１．７３９ｋｅＶ）が発生す
る。そのため、このＳｉ−Ｋα線に隣接する特性Ｘ線
（Ａｌ−Ｋα：１．４８６ｋｅＶ）を持つアルミニウム
の付着量がごく微量である場合、信号のピークが小さく
なって両者を分離して検出することが困難である。
【０００７】また、Ｓｉ−Ｋα線のピークから低エネル
ギー側には、検出器が電荷を完全に収集できないことに
起因する大きなバックグランドノイズが発生し、アルミ
ニウムやナトリウム等の軽元素の微量検出を困難にして
いる。
ギー側には、検出器が電荷を完全に収集できないことに
起因する大きなバックグランドノイズが発生し、アルミ
ニウムやナトリウム等の軽元素の微量検出を困難にして
いる。
【０００８】さらに、Ｗ−Ｌβ１線（９．６７１ｋｅ
Ｖ）は、アルミニウムやナトリウム等のＫ吸収端のエネ
ルギーから大きく離れているため、蛍光Ｘ線の励起効率
が悪い。
Ｖ）は、アルミニウムやナトリウム等のＫ吸収端のエネ
ルギーから大きく離れているため、蛍光Ｘ線の励起効率
が悪い。
【０００９】本発明の目的は、励起Ｘ線としてＷ−Ｌβ
１線用いた蛍光分析では検出が困難であった微量元素に
ついて、その検出限界を格段に向上できる蛍光Ｘ線分析
装置を提供することである。
１線用いた蛍光分析では検出が困難であった微量元素に
ついて、その検出限界を格段に向上できる蛍光Ｘ線分析
装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｗ（タングス
テン）材料で構成された陽極を有するＸ線発生手段と、
前記Ｘ線発生手段が発生するＸ線のうち、Ｗ−Ｍα特性
Ｘ線（１．７７４ｋｅＶ）を分離するためのＸ線回折手
段と、前記Ｘ線回折手段で分離された特性Ｘ線をシリコ
ンウエハに照射して、シリコンウエハの汚染物質から発
生する蛍光Ｘ線を検出するためのＸ線検出手段とを備え
ることを特徴とする蛍光Ｘ線分析装置である。また本発
明は、汚染物質として、アルミニウムやナトリウムを分
析対象とすることを特徴とする。また本発明は、シリコ
ンウエハ表面で全反射するようにＸ線を照射し、シリコ
ンウエハから全反射以外の方向に発生する蛍光Ｘ線を検
出することを特徴とする。
テン）材料で構成された陽極を有するＸ線発生手段と、
前記Ｘ線発生手段が発生するＸ線のうち、Ｗ−Ｍα特性
Ｘ線（１．７７４ｋｅＶ）を分離するためのＸ線回折手
段と、前記Ｘ線回折手段で分離された特性Ｘ線をシリコ
ンウエハに照射して、シリコンウエハの汚染物質から発
生する蛍光Ｘ線を検出するためのＸ線検出手段とを備え
ることを特徴とする蛍光Ｘ線分析装置である。また本発
明は、汚染物質として、アルミニウムやナトリウムを分
析対象とすることを特徴とする。また本発明は、シリコ
ンウエハ表面で全反射するようにＸ線を照射し、シリコ
ンウエハから全反射以外の方向に発生する蛍光Ｘ線を検
出することを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明に従えば、励起Ｘ線として使用されるＷ
−Ｍα特性Ｘ線（１．７７４ｋｅＶ）は、ウエハ基板を
構成するシリコンのＫ吸収端（１．８４０ｋｅＶ）より
エネルギーが低いため、シリコンの蛍光Ｘ線が発生しな
くなる。また、Ｗ−Ｍα特性Ｘ線は、アルミニウムのＫ
吸収端（１．５６０ｋｅＶ）、ナトリウムのＫ吸収端
（１．０７１ｋｅＶ）等より、僅かに高エネルギー側に
位置するため、蛍光Ｘ線の励起効率が格段に高くなる。
その結果、アルミニウム、ナトリウム等の軽元素に対し
て、主なバックグランドノイズの要因となっていたＳｉ
−Ｋα線が抑制され、分析対象元素の信号が良好に分離
可能になり、感度および信号Ｓ／Ｎ比を格段に向上させ
ることができる。
−Ｍα特性Ｘ線（１．７７４ｋｅＶ）は、ウエハ基板を
構成するシリコンのＫ吸収端（１．８４０ｋｅＶ）より
エネルギーが低いため、シリコンの蛍光Ｘ線が発生しな
くなる。また、Ｗ−Ｍα特性Ｘ線は、アルミニウムのＫ
吸収端（１．５６０ｋｅＶ）、ナトリウムのＫ吸収端
（１．０７１ｋｅＶ）等より、僅かに高エネルギー側に
位置するため、蛍光Ｘ線の励起効率が格段に高くなる。
その結果、アルミニウム、ナトリウム等の軽元素に対し
て、主なバックグランドノイズの要因となっていたＳｉ
−Ｋα線が抑制され、分析対象元素の信号が良好に分離
可能になり、感度および信号Ｓ／Ｎ比を格段に向上させ
ることができる。
【００１２】また、Ｗ−Ｍα特性Ｘ線を分離するための
Ｘ線回折手段を備えることによって、バックグランドノ
イズの原因となる散乱線が極めて少なく、かつＸ線強度
が強いＷ−Ｍα線が得られる。
Ｘ線回折手段を備えることによって、バックグランドノ
イズの原因となる散乱線が極めて少なく、かつＸ線強度
が強いＷ−Ｍα線が得られる。
【００１３】さらに、シリコンウエハ表面で全反射する
ようにＸ線を照射し、シリコンウエハから全反射以外の
方向に発生する蛍光Ｘ線を検出することによって、シリ
コンウエハの表面近傍だけを分析することが可能にな
り、特に表面の汚染元素の特定が容易になる。
ようにＸ線を照射し、シリコンウエハから全反射以外の
方向に発生する蛍光Ｘ線を検出することによって、シリ
コンウエハの表面近傍だけを分析することが可能にな
り、特に表面の汚染元素の特定が容易になる。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明の一実施例である蛍光Ｘ線分
析装置１の構成を示すブロック図である。この蛍光Ｘ線
分析装置１は、金属製基体の表面にＷ（タングステン）
から成るＸ線発生層が形成され、または全体がＷで形成
された回転対陰極（回転陽極）１１および電子線を発生
するフィラメント１２などから成るＸ線発生器１０と、
Ｘ線発生器１０から発生するＷの特性Ｘ線３からＷ−Ｍ
αの特性Ｘ線４を分離するための分光結晶１３およびコ
リメータ１４、１５と、特性Ｘ線４がシリコンウエハ２
に入射し、その表面で全反射してスリット１６を通過し
たＸ線の強度を計測するためのシンチレーションカウン
タなどのＸ線カウンタ１７と、シリコンウエハ２から発
生した蛍光Ｘ線５を検出するためのリチウムドリフト型
Ｓｉ検出器などのＸ線検出器２０と、Ｘ線検出器２０か
ら出力される電荷パルスの時間積分値を波高に持つ階段
状の電圧パルスに変換する前置増幅器２１と、前置増幅
器２１から出力される電圧パルスの立上がり幅に比例し
た波高を有するパルスに波形整形するための比例増幅器
２３と、比例増幅器２３から出力される各波高値の計数
率を測定する波高分析器２３と、波高分析器２３で測定
されたデータを処理して磁気ディスクに格納したり、画
面表示や印刷を行うデータ処理器２４と、シリコンウエ
ハ２の三次元位置および配向を決める移動テーブルを駆
動するためのテーブル駆動部２５と、データ処理部２４
からの指令に基づいてテーブル駆動部２５を制御する制
御部２６などから構成されている。
析装置１の構成を示すブロック図である。この蛍光Ｘ線
分析装置１は、金属製基体の表面にＷ（タングステン）
から成るＸ線発生層が形成され、または全体がＷで形成
された回転対陰極（回転陽極）１１および電子線を発生
するフィラメント１２などから成るＸ線発生器１０と、
Ｘ線発生器１０から発生するＷの特性Ｘ線３からＷ−Ｍ
αの特性Ｘ線４を分離するための分光結晶１３およびコ
リメータ１４、１５と、特性Ｘ線４がシリコンウエハ２
に入射し、その表面で全反射してスリット１６を通過し
たＸ線の強度を計測するためのシンチレーションカウン
タなどのＸ線カウンタ１７と、シリコンウエハ２から発
生した蛍光Ｘ線５を検出するためのリチウムドリフト型
Ｓｉ検出器などのＸ線検出器２０と、Ｘ線検出器２０か
ら出力される電荷パルスの時間積分値を波高に持つ階段
状の電圧パルスに変換する前置増幅器２１と、前置増幅
器２１から出力される電圧パルスの立上がり幅に比例し
た波高を有するパルスに波形整形するための比例増幅器
２３と、比例増幅器２３から出力される各波高値の計数
率を測定する波高分析器２３と、波高分析器２３で測定
されたデータを処理して磁気ディスクに格納したり、画
面表示や印刷を行うデータ処理器２４と、シリコンウエ
ハ２の三次元位置および配向を決める移動テーブルを駆
動するためのテーブル駆動部２５と、データ処理部２４
からの指令に基づいてテーブル駆動部２５を制御する制
御部２６などから構成されている。
【００１５】分光結晶１３としては、ＬｉＦ、黄玉石、
Ｓｉ、ＮａＣｌ、方解石、Ｇｅ、α−石英、黒鉛、Ｉｎ
Ｓｂ、ペンタエリトリトールや基板にＳｉ層とＷ層が交
互に複数堆積したＳｉＷ人工累積膜などが用いられ、Ｘ
線の入射方向と特定の結晶面の配向を選択することによ
って、特定の波長を持つＸ線だけを一定方向に回折また
は反射させる働きを有する。さらに、Ｘ線検出器２０お
よび前置増幅器２１は、暗電流や熱雑音の影響を回避す
るため、液体窒素などの冷却手段によって室温より極め
て低い温度に保たれている。また、空気によるＸ線散乱
の影響によって、散乱Ｘ線によるバックグランドの増大
や、空気中のアルゴンの特性Ｘ線の発生を防止するた
め、励起Ｘ線または蛍光Ｘ線が通過する空間は、０．１
Ｔｏｒｒ以下の真空に保たれることが好ましい。
Ｓｉ、ＮａＣｌ、方解石、Ｇｅ、α−石英、黒鉛、Ｉｎ
Ｓｂ、ペンタエリトリトールや基板にＳｉ層とＷ層が交
互に複数堆積したＳｉＷ人工累積膜などが用いられ、Ｘ
線の入射方向と特定の結晶面の配向を選択することによ
って、特定の波長を持つＸ線だけを一定方向に回折また
は反射させる働きを有する。さらに、Ｘ線検出器２０お
よび前置増幅器２１は、暗電流や熱雑音の影響を回避す
るため、液体窒素などの冷却手段によって室温より極め
て低い温度に保たれている。また、空気によるＸ線散乱
の影響によって、散乱Ｘ線によるバックグランドの増大
や、空気中のアルゴンの特性Ｘ線の発生を防止するた
め、励起Ｘ線または蛍光Ｘ線が通過する空間は、０．１
Ｔｏｒｒ以下の真空に保たれることが好ましい。
【００１６】次に、この動作について説明する。Ｘ線発
生器１０において、フィラメント１２から発生した電子
線が回転対陰極１１に入射すると、Ｗの特性Ｘ線である
Ｌα線（８．３９６ｋｅＶ）、Ｌβ１線（９．６７１ｋ
ｅＶ）、Ｌβ２線（９．９６０ｋｅＶ）およびＭα線
（１．７７４ｋｅＶ）ならびに白色Ｘ線が発生する。こ
のような特性Ｘ線３が、たとえばＬｉＦから成る分光結
晶１３に角度θで入射すると、結晶面（２００）でたと
えばＷ−Ｍα線だけが角度θで反射して分離される。こ
うして、励起Ｘ線が単色化されることによって、バック
グランドを構成する散乱線強度の低減化を図ることがで
きる。分離されたＷ−Ｍα特性Ｘ線４は、コリメータ１
４、１５を通過して、シリコンウエハ２に極めて低い角
度、たとえば０．１度以下の角度で入射する。こうし
て、シリコンウエハ２の表面近傍に存在する元素、特に
表面汚染元素のうち、たとえばＷ−Ｍα線より低いＫ吸
収端を有する元素、たとえばＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、
Ａｌ、Ｎａが励起されて、各元素に特有の蛍光Ｘ線５が
発生する。
生器１０において、フィラメント１２から発生した電子
線が回転対陰極１１に入射すると、Ｗの特性Ｘ線である
Ｌα線（８．３９６ｋｅＶ）、Ｌβ１線（９．６７１ｋ
ｅＶ）、Ｌβ２線（９．９６０ｋｅＶ）およびＭα線
（１．７７４ｋｅＶ）ならびに白色Ｘ線が発生する。こ
のような特性Ｘ線３が、たとえばＬｉＦから成る分光結
晶１３に角度θで入射すると、結晶面（２００）でたと
えばＷ−Ｍα線だけが角度θで反射して分離される。こ
うして、励起Ｘ線が単色化されることによって、バック
グランドを構成する散乱線強度の低減化を図ることがで
きる。分離されたＷ−Ｍα特性Ｘ線４は、コリメータ１
４、１５を通過して、シリコンウエハ２に極めて低い角
度、たとえば０．１度以下の角度で入射する。こうし
て、シリコンウエハ２の表面近傍に存在する元素、特に
表面汚染元素のうち、たとえばＷ−Ｍα線より低いＫ吸
収端を有する元素、たとえばＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、
Ａｌ、Ｎａが励起されて、各元素に特有の蛍光Ｘ線５が
発生する。
【００１７】シリコンウエハ２の汚染元素から発生した
蛍光Ｘ線５は、Ｘ線検出器２０で検出されて、Ｘ線光子
のエネルギーに応じた電子・正孔対に変換されるため、
その出力信号の強さは、検出したＸ線光子のエネルギー
に比例する。したがって、Ｘ線検出器２０の出力信号の
強さを測定することによって、蛍光Ｘ線５のエネルギー
スペクトルを得ることが可能となる。
蛍光Ｘ線５は、Ｘ線検出器２０で検出されて、Ｘ線光子
のエネルギーに応じた電子・正孔対に変換されるため、
その出力信号の強さは、検出したＸ線光子のエネルギー
に比例する。したがって、Ｘ線検出器２０の出力信号の
強さを測定することによって、蛍光Ｘ線５のエネルギー
スペクトルを得ることが可能となる。
【００１８】次の前置増幅器２１は、入出力間に静電容
量による負帰還回路を備え、入力電荷パルスの時間積分
値を波高に持つ階段状の電圧パルスに変換する。次の比
例増幅器２２は、雑音除去のためのたとえばガウシアン
型のフィルタと、短時間に２つ以上のＸ線光子が入射す
るパイルアップを除去するパイルアップリジェクタなど
を備え、前置増幅器２１の電圧パルスの立上がり幅に比
例した波高を有するパルス信号に変換する。次の波高分
析器２３は、たとえばウイルキンソン型Ａ／Ｄ変換器を
備え、入力パルスの波高値に比例した数のクロックパル
スに変換し、クロックパルスの数に対応した特定のチャ
ネル毎に計数を行ってメモリに格納する。そして、メモ
リに蓄えられたデータが、データ処理器２４によって横
軸にチャネル（エネルギー）、縦軸に計数値を示すエネ
ルギースペクトルに変換される。こうして、得られたエ
ネルギースペクトルを分析することによって、シリコン
ウエハ２の特定領域に関する元素組成が判明するととも
に、テーブル駆動部２５によってシリコンウエハ２を走
査することによってシリコンウエハ２の汚染マップを作
成することができる。
量による負帰還回路を備え、入力電荷パルスの時間積分
値を波高に持つ階段状の電圧パルスに変換する。次の比
例増幅器２２は、雑音除去のためのたとえばガウシアン
型のフィルタと、短時間に２つ以上のＸ線光子が入射す
るパイルアップを除去するパイルアップリジェクタなど
を備え、前置増幅器２１の電圧パルスの立上がり幅に比
例した波高を有するパルス信号に変換する。次の波高分
析器２３は、たとえばウイルキンソン型Ａ／Ｄ変換器を
備え、入力パルスの波高値に比例した数のクロックパル
スに変換し、クロックパルスの数に対応した特定のチャ
ネル毎に計数を行ってメモリに格納する。そして、メモ
リに蓄えられたデータが、データ処理器２４によって横
軸にチャネル（エネルギー）、縦軸に計数値を示すエネ
ルギースペクトルに変換される。こうして、得られたエ
ネルギースペクトルを分析することによって、シリコン
ウエハ２の特定領域に関する元素組成が判明するととも
に、テーブル駆動部２５によってシリコンウエハ２を走
査することによってシリコンウエハ２の汚染マップを作
成することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、シ
リコンウエハの汚染元素を蛍光Ｘ線で分析する場合、Ｗ
−Ｌβ１線を励起Ｘ線として使用したものと比べて、シ
リコンウエハ基板の影響を回避でき、しかも蛍光Ｘ線の
変換効率が高くなる。したがって、分析するＸ線スペク
トルでのバックグランドやノイズ線の影響が少なくな
り、アルミニウムやナトリウムなどの微量元素の検出限
界を向上させることができる。
リコンウエハの汚染元素を蛍光Ｘ線で分析する場合、Ｗ
−Ｌβ１線を励起Ｘ線として使用したものと比べて、シ
リコンウエハ基板の影響を回避でき、しかも蛍光Ｘ線の
変換効率が高くなる。したがって、分析するＸ線スペク
トルでのバックグランドやノイズ線の影響が少なくな
り、アルミニウムやナトリウムなどの微量元素の検出限
界を向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例である蛍光Ｘ線分析装置１の
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【符号の説明】 １ 蛍光Ｘ線分析装置 ２ シリコンウエハ ３、４ 特性Ｘ線 ５ 蛍光Ｘ線 １０、１０ａ Ｘ線発生器 １１ 回転対陰極 １２ フィラメント １３ 分光結晶 １４、１５ コリメータ １６ スリット １７ Ｘ線カウンタ ２０ Ｘ線検出器 ２１ 前置増幅器 ２２ 比例増幅器 ２３ 波高分析器 ２４ データ処理器 ２５ テーブル駆動部 ２６ 制御部
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｗ（タングステン）材料で構成された陽
極を有するＸ線発生手段と、 前記Ｘ線発生手段が発生するＸ線のうち、Ｗ−Ｍα特性
Ｘ線を分離するためのＸ線回折手段と、 前記Ｘ線回折手段で分離された特性Ｘ線をシリコンウエ
ハに照射して、シリコンウエハの汚染物質から発生する
蛍光Ｘ線を検出するためのＸ線検出手段とを備えること
を特徴とする蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項２】 汚染物質として、アルミニウムやナトリ
ウムを分析対象とすることを特徴とする請求項１記載の
蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項３】 シリコンウエハ表面で全反射するように
Ｘ線を照射し、シリコンウエハから全反射以外の方向に
発生する蛍光Ｘ線を検出することを特徴とする請求項１
記載の蛍光Ｘ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25699994A JPH08122281A (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25699994A JPH08122281A (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08122281A true JPH08122281A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17300320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25699994A Pending JPH08122281A (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08122281A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001165875A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-06-22 | Gemetec Ges Fuer Messtechnik & Technologie Mbh | 大型ウエーハ表面用検出器 |
| JP2006053012A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Technos Kenkyusho:Kk | 蛍光ｘ線分析装置 |
-
1994
- 1994-10-21 JP JP25699994A patent/JPH08122281A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001165875A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-06-22 | Gemetec Ges Fuer Messtechnik & Technologie Mbh | 大型ウエーハ表面用検出器 |
| JP2006053012A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Technos Kenkyusho:Kk | 蛍光ｘ線分析装置 |
| JP4537149B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2010-09-01 | 株式会社リガク | 蛍光ｘ線分析方法 |
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