JPH08115992A - 半導体素子用放熱部品用モリブデン角型キャップ及びその製造方法 - Google Patents
半導体素子用放熱部品用モリブデン角型キャップ及びその製造方法Info
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- JPH08115992A JPH08115992A JP6248965A JP24896594A JPH08115992A JP H08115992 A JPH08115992 A JP H08115992A JP 6248965 A JP6248965 A JP 6248965A JP 24896594 A JP24896594 A JP 24896594A JP H08115992 A JPH08115992 A JP H08115992A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 容易に製造でき且つ高精度な半導体素子用放
熱部品用モリブデン角型キャップ、及びその製造方法を
提供する。 【構成】 本発明のモリブデン角型キャップ２０は、底
面フラット部２１の平坦度が２５μｍ以下であり、底面
部Ｒが０．３ｍｍ以下である事を特徴とし、もう一つの
ものは、底面フラット部２１の全域の７０％以上の範囲
で平坦度が１０μｍ以下であり、底面部Ｒが０．７ｍｍ
以下である事を特徴とし、製造方法は、モリブデン板を
４５０〜８００℃で加熱し、該モリブデン板をブランク
無しで、１回のプレスで角型にした事を特徴とする。
熱部品用モリブデン角型キャップ、及びその製造方法を
提供する。 【構成】 本発明のモリブデン角型キャップ２０は、底
面フラット部２１の平坦度が２５μｍ以下であり、底面
部Ｒが０．３ｍｍ以下である事を特徴とし、もう一つの
ものは、底面フラット部２１の全域の７０％以上の範囲
で平坦度が１０μｍ以下であり、底面部Ｒが０．７ｍｍ
以下である事を特徴とし、製造方法は、モリブデン板を
４５０〜８００℃で加熱し、該モリブデン板をブランク
無しで、１回のプレスで角型にした事を特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子用放熱部品
として用いられるモリブデン角型キャップ及びその製造
方法に関するものである。
として用いられるモリブデン角型キャップ及びその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プレス絞り加工の技術は、古くから研究
されており、高速で、大量の加工に向いている為、賞用
されている。
されており、高速で、大量の加工に向いている為、賞用
されている。
【０００３】しかし、多くの事例は円筒絞りであり、モ
リブデンの高精度な角絞り加工は見当らない。
リブデンの高精度な角絞り加工は見当らない。
【０００４】角筒絞りは、四隅のそれぞれにおける１／
４円の円筒絞りと、四つの平らな直辺部の曲げ変形の組
み合わさったものと考えられ、ブランク寸法や型設計は
極めて複雑になり、実質的には勘に頼る所が多く、結果
として、特に底面フラット部の平坦度の良いものは得ら
れていなかった。
４円の円筒絞りと、四つの平らな直辺部の曲げ変形の組
み合わさったものと考えられ、ブランク寸法や型設計は
極めて複雑になり、実質的には勘に頼る所が多く、結果
として、特に底面フラット部の平坦度の良いものは得ら
れていなかった。
【０００５】もっとも、ここで課題としているのは、一
般的な円筒絞りにおける、深絞り性や立上がり部の欠
け、シワの解消ではなく、構造部品におけるカバーや放
熱性を必要とする半導体部品に用いるのに、底面フラッ
ト部の平坦度の良好な角絞りでの工業生産に値する物と
方法の開発である。
般的な円筒絞りにおける、深絞り性や立上がり部の欠
け、シワの解消ではなく、構造部品におけるカバーや放
熱性を必要とする半導体部品に用いるのに、底面フラッ
ト部の平坦度の良好な角絞りでの工業生産に値する物と
方法の開発である。
【０００６】又一方、放熱基板等高放熱性を求める半導
体部品にモリブデンが利用されている。この時この背景
はモリブデンの熱伝導率が１４３Ｗ／ｍ・ｋと高いにも
かかわらず熱膨張係数が５．１×１０-6／ｋと半導体素
子や周辺部材、例えばアルミナ（６．７×１０-6／
ｋ）、ＳｉＣ（４．７×１０-6／ｋ）、ＡｌＮ（４．４
×１０-6／ｋ）に近い為である。所謂セラミックＰＫＧ
の部品にも用いられている。しかし特に半導体部品は需
要増に伴ない激的なコストダウンが求められ、又当然そ
の為に各種部品の組み合せによる性能確保に傾注してい
るのが実体と言える。
体部品にモリブデンが利用されている。この時この背景
はモリブデンの熱伝導率が１４３Ｗ／ｍ・ｋと高いにも
かかわらず熱膨張係数が５．１×１０-6／ｋと半導体素
子や周辺部材、例えばアルミナ（６．７×１０-6／
ｋ）、ＳｉＣ（４．７×１０-6／ｋ）、ＡｌＮ（４．４
×１０-6／ｋ）に近い為である。所謂セラミックＰＫＧ
の部品にも用いられている。しかし特に半導体部品は需
要増に伴ない激的なコストダウンが求められ、又当然そ
の為に各種部品の組み合せによる性能確保に傾注してい
るのが実体と言える。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の背景も以上の
出発点も係り更に又剛性のある材料としての魅力を生か
し角型キャップとしての要求も出つつある。しかし大量
にしかも高精度なモリブデン製角筒絞りによる角型キャ
ップは無い。しかも又再絞りせず得たい。
出発点も係り更に又剛性のある材料としての魅力を生か
し角型キャップとしての要求も出つつある。しかし大量
にしかも高精度なモリブデン製角筒絞りによる角型キャ
ップは無い。しかも又再絞りせず得たい。
【０００８】それ故に、本発明の課題は、容易に製造で
き且つ高精度な半導体素子用放熱部品用モリブデン角型
キャップ、及びその製造方法を提供する事にある。
き且つ高精度な半導体素子用放熱部品用モリブデン角型
キャップ、及びその製造方法を提供する事にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明によ
れば、モリブデン角筒絞りによって得られる半導体素子
用放熱部品用モリブデン角型キャップにおいて、底面フ
ラット部の平坦度が２５μｍ以下であり、底面部Ｒが
０．３ｍｍ以下である事を特徴とする半導体素子用放熱
部品用モリブデン角型キャップが得られる。
れば、モリブデン角筒絞りによって得られる半導体素子
用放熱部品用モリブデン角型キャップにおいて、底面フ
ラット部の平坦度が２５μｍ以下であり、底面部Ｒが
０．３ｍｍ以下である事を特徴とする半導体素子用放熱
部品用モリブデン角型キャップが得られる。
【００１０】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の半導体素子用放熱部品用モリブデン角型キャップに
おいて、素板としてのモリブデン板の厚みが０．７ｍｍ
以上２．２ｍｍ以下のものが使用され、底板と立上がり
部の偏肉が４％以下である事を特徴とする半導体素子用
放熱部品用モリブデン角型キャップが得られる。
載の半導体素子用放熱部品用モリブデン角型キャップに
おいて、素板としてのモリブデン板の厚みが０．７ｍｍ
以上２．２ｍｍ以下のものが使用され、底板と立上がり
部の偏肉が４％以下である事を特徴とする半導体素子用
放熱部品用モリブデン角型キャップが得られる。
【００１１】請求項３記載の発明によれば、請求項１記
載の半導体素子用放熱部品用モリブデン角型キャップに
おいて、外表皮にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉの一種以上を
めっき或いは蒸着した事を特徴とする半導体素子用放熱
部品用モリブデン角型キャップが得られる。
載の半導体素子用放熱部品用モリブデン角型キャップに
おいて、外表皮にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉの一種以上を
めっき或いは蒸着した事を特徴とする半導体素子用放熱
部品用モリブデン角型キャップが得られる。
【００１２】請求項４記載の発明によれば、モリブデン
角筒絞りによって得られる半導体素子用放熱部品用モリ
ブデン角型キャップにおいて、底面フラット部の全域の
７０％以上の範囲で平坦度が１０μｍ以下であり、底面
部Ｒが０．７ｍｍ以下である事を特徴とする半導体素子
用放熱部品用モリブデン角型キャップが得られる。
角筒絞りによって得られる半導体素子用放熱部品用モリ
ブデン角型キャップにおいて、底面フラット部の全域の
７０％以上の範囲で平坦度が１０μｍ以下であり、底面
部Ｒが０．７ｍｍ以下である事を特徴とする半導体素子
用放熱部品用モリブデン角型キャップが得られる。
【００１３】請求項５記載の発明によれば、半導体用放
熱部品用モリブデン角型キャップの製造方法において、
モリブデン板を４５０〜８００℃で加熱し、該モリブデ
ン板をブランク無しで、１回のプレスで角型にした事を
特徴とする半導体用放熱部品用モリブデン角型キャップ
の製造方法が得られる。
熱部品用モリブデン角型キャップの製造方法において、
モリブデン板を４５０〜８００℃で加熱し、該モリブデ
ン板をブランク無しで、１回のプレスで角型にした事を
特徴とする半導体用放熱部品用モリブデン角型キャップ
の製造方法が得られる。
【００１４】
【実施例】先ず、本発明の実施例の概要について説明す
る。
る。
【００１５】モリブデンは難加工性高融点金属の１つと
言える。従来の円筒絞りでは、モリブデンを単に４００
℃程に加熱し、雄型雌型を充分ルーズ（片側金型径差；
板厚＋２００〜３００μｍ以上）の状態で、大径のブラ
ンク（素板の周縁部であって、板押え等で押え付けられ
る部分）をつけて絞っていた。しかし、板厚１ｍｍ以上
のモリブデンは、高精度に絞るには大変困難である。又
ブランクを付けると立上がり部の少ない角絞りでは立上
がり部のシワが防ぎにくいばかりか材料歩留が低下し、
大量・低廉品には不向きとなる。加えて偏肉も発生し易
い。
言える。従来の円筒絞りでは、モリブデンを単に４００
℃程に加熱し、雄型雌型を充分ルーズ（片側金型径差；
板厚＋２００〜３００μｍ以上）の状態で、大径のブラ
ンク（素板の周縁部であって、板押え等で押え付けられ
る部分）をつけて絞っていた。しかし、板厚１ｍｍ以上
のモリブデンは、高精度に絞るには大変困難である。又
ブランクを付けると立上がり部の少ない角絞りでは立上
がり部のシワが防ぎにくいばかりか材料歩留が低下し、
大量・低廉品には不向きとなる。加えて偏肉も発生し易
い。
【００１６】そこで、本発明の半導体素子用放熱部品用
モリブデン角型キャップでは、図２に示すように、角型
キャップの製品内側寸法と同じ外径寸法を有する雄型１
に対し、素板２の板厚Ｔより５０μｍ程度片側で大き目
な雌型３を用意し、ブランクは止め、製品寸法より微か
に大き目なサイズのモリブデン板を素板２とし、素板自
体は圧延加工品の全圧延率の１０％以上をクロス圧延し
たものとした。
モリブデン角型キャップでは、図２に示すように、角型
キャップの製品内側寸法と同じ外径寸法を有する雄型１
に対し、素板２の板厚Ｔより５０μｍ程度片側で大き目
な雌型３を用意し、ブランクは止め、製品寸法より微か
に大き目なサイズのモリブデン板を素板２とし、素板自
体は圧延加工品の全圧延率の１０％以上をクロス圧延し
たものとした。
【００１７】このことにより、立上がり部のシワ、欠け
なしで絞れる金型及び素材の設計となる。但し半導体部
品でＴ３．０ｍｍ以上のモリブデン板を使用する例はほ
とんど無く、実質的にはＴ２．５ｍｍ以下のもので利便
を図っている（そこで開発も３ｍｍを越えたものは実施
していない。）。
なしで絞れる金型及び素材の設計となる。但し半導体部
品でＴ３．０ｍｍ以上のモリブデン板を使用する例はほ
とんど無く、実質的にはＴ２．５ｍｍ以下のもので利便
を図っている（そこで開発も３ｍｍを越えたものは実施
していない。）。
【００１８】尚、雄型１は押し込み端部を極僅かにへこ
ませておくのも有効で、凹Ｒ３０００〜６０００が良
い。
ませておくのも有効で、凹Ｒ３０００〜６０００が良
い。
【００１９】素板２を加熱する事は従来の円筒絞りと同
様に行なうが、板厚１ｍｍ以上の素板２では４５０〜８
００℃、望ましくは５００〜７００℃に加熱し、加工ま
での瞬時にも冷却・放冷のない様に周囲雰囲気を気をつ
ける事と雌型３の肩Ｒも、少なくとも０．２〜０．３ｍ
ｍ以上施こし、雄型１の押圧スピードも速やかに行なう
事で、素板にササクレも生じさせない効果がある。
様に行なうが、板厚１ｍｍ以上の素板２では４５０〜８
００℃、望ましくは５００〜７００℃に加熱し、加工ま
での瞬時にも冷却・放冷のない様に周囲雰囲気を気をつ
ける事と雌型３の肩Ｒも、少なくとも０．２〜０．３ｍ
ｍ以上施こし、雄型１の押圧スピードも速やかに行なう
事で、素板にササクレも生じさせない効果がある。
【００２０】以上の様にして得られたモリブデン角型キ
ャップは、図１に示すように、底面フラット部２１の平
坦度が２５μｍ以下と成った。また、偏肉の割合は、立
上がり部２２の厚みをＡ、底板２３の厚みをＢとする
と、（Ｂ−Ａ／Ｂ）×１００（％）で求められるが、こ
の場合、４％以下と成った。更に、底面部Ｒは０．３ｍ
ｍ以下と成った。
ャップは、図１に示すように、底面フラット部２１の平
坦度が２５μｍ以下と成った。また、偏肉の割合は、立
上がり部２２の厚みをＡ、底板２３の厚みをＢとする
と、（Ｂ−Ａ／Ｂ）×１００（％）で求められるが、こ
の場合、４％以下と成った。更に、底面部Ｒは０．３ｍ
ｍ以下と成った。
【００２１】本発明は、深絞りに係るものではないの
で、モリブデン角型キャップの立上がり部は、最終製品
で所望しているサイズより僅かに大きいだけである為、
絞った後、砥石等で研磨し、底面部と平行に加工する事
で周辺部品との組み合せを有利にする事ができる。
で、モリブデン角型キャップの立上がり部は、最終製品
で所望しているサイズより僅かに大きいだけである為、
絞った後、砥石等で研磨し、底面部と平行に加工する事
で周辺部品との組み合せを有利にする事ができる。
【００２２】又このキャップの外表皮にＡｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｎｉの一種以上をめっき或いは蒸着することによ
り、ろう付性、はんだ付性の向上が図れる。
ｕ、Ｎｉの一種以上をめっき或いは蒸着することによ
り、ろう付性、はんだ付性の向上が図れる。
【００２３】次に本発明の実施例を更に具体的に説明す
る。
る。
【００２４】実施例１ 圧延により得られるモリブデン板において、全圧延率の
１０％をクロス圧延で処理した、Ｔ１．３２ｍｍ×□３
３．６ｍｍの打抜き素板を水素雰囲気の加熱炉で７７０
℃に加熱する。
１０％をクロス圧延で処理した、Ｔ１．３２ｍｍ×□３
３．６ｍｍの打抜き素板を水素雰囲気の加熱炉で７７０
℃に加熱する。
【００２５】図３に示すように、雄型１の押圧部断面
は、一辺が３０ｍｍの正方形を呈し、肩Ｒは０．３Ｒ、
絞り後の製品の外周に当る立上がりＲは１．５Ｒ、更に
押圧面１０に凹Ｒ５０００のヘコミ加工を施こしてお
く。
は、一辺が３０ｍｍの正方形を呈し、肩Ｒは０．３Ｒ、
絞り後の製品の外周に当る立上がりＲは１．５Ｒ、更に
押圧面１０に凹Ｒ５０００のヘコミ加工を施こしてお
く。
【００２６】一方、雌型の内径は、３３．５ｍｍであ
る。また、雌型の肩Ｒは０．２Ｒつけるが、これは製品
のＲ精度のためでなく、製品の外皮のキズを考慮しての
ものである。又雄型に対応する立上がりＲはＲ２．５と
した。
る。また、雌型の肩Ｒは０．２Ｒつけるが、これは製品
のＲ精度のためでなく、製品の外皮のキズを考慮しての
ものである。又雄型に対応する立上がりＲはＲ２．５と
した。
【００２７】先述の素板は、予熱されたカーボン分散さ
れた鉱物油（潤滑油）に浸された後速やかに１３ＴＯＮ
／ｃｍ2 で雄・雌型により角筒絞りした。この時モリブ
デン板の温度は４５０℃であった。
れた鉱物油（潤滑油）に浸された後速やかに１３ＴＯＮ
／ｃｍ2 で雄・雌型により角筒絞りした。この時モリブ
デン板の温度は４５０℃であった。
【００２８】絞り後、半完成品のキャップを酸でエッチ
ングし、立上がり部を砥石で研磨し立上を３．０ｍｍに
調整した。
ングし、立上がり部を砥石で研磨し立上を３．０ｍｍに
調整した。
【００２９】出来たキャップは底面部Ｒ＝０．２５ｍ
ｍ、底板板厚１．３２ｍｍ、立上がり部板厚１．２９ｍ
ｍ（偏肉２．３％）で、底面フラット部の平坦度は２０
μｍであった。割れ、欠け、ササクレもなく外観も良好
な、高精度なモリブデン角型キャップが得られた。この
キャップに電解めっきでＮｉ２μｍを施こした。
ｍ、底板板厚１．３２ｍｍ、立上がり部板厚１．２９ｍ
ｍ（偏肉２．３％）で、底面フラット部の平坦度は２０
μｍであった。割れ、欠け、ササクレもなく外観も良好
な、高精度なモリブデン角型キャップが得られた。この
キャップに電解めっきでＮｉ２μｍを施こした。
【００３０】このキャップは、半導体素子を具備させる
放熱基板としても有効に利用できる上、本発明によるも
のは大量生産に対し、複雑な装置を用いずに、基本的に
量産に向いている絞り方法によりモリブデン角型キャッ
プが得られた。更に偏肉が小さい事で、キャップの立上
がり端部を周辺部材と接合したい場合、ほぼ板厚そのも
のが有効な接合面積となる為この点でも優れた角型キャ
ップである。
放熱基板としても有効に利用できる上、本発明によるも
のは大量生産に対し、複雑な装置を用いずに、基本的に
量産に向いている絞り方法によりモリブデン角型キャッ
プが得られた。更に偏肉が小さい事で、キャップの立上
がり端部を周辺部材と接合したい場合、ほぼ板厚そのも
のが有効な接合面積となる為この点でも優れた角型キャ
ップである。
【００３１】実施例２ 実施例１と同様な方法で得たＴ１．０５ｍｍ×□４４．
２１ｍｍのモリブデン板を７００℃に加熱した。
２１ｍｍのモリブデン板を７００℃に加熱した。
【００３２】雄型の肩Ｒは０．３Ｒ、立上がりＲは１．
３Ｒ、雌型の肩Ｒは０．２Ｒ、立上がりＲは２．３Ｒと
した。雄型断面は、一辺が４０ｍｍの正方形を呈する。
３Ｒ、雌型の肩Ｒは０．２Ｒ、立上がりＲは２．３Ｒと
した。雄型断面は、一辺が４０ｍｍの正方形を呈する。
【００３３】実施例１と同様に素板であるモリブデン板
を潤滑油に浸した後、速やかに１０ＴＯＮ／ｃｍ2 で金
型絞り加工した。この時のモリブデン板の温度は、４１
０℃であった。立上は３．０ｍｍに調整した。
を潤滑油に浸した後、速やかに１０ＴＯＮ／ｃｍ2 で金
型絞り加工した。この時のモリブデン板の温度は、４１
０℃であった。立上は３．０ｍｍに調整した。
【００３４】出来たキャップは底面部Ｒ＝０．３ｍｍ、
底板板厚１．０５ｍｍ、立上がり部板厚１．０１ｍｍ
（偏肉３．８％）で、底面フラット部の平坦度は１５μ
ｍであり、割れ、欠け、ササクレもなく高精度なモリブ
デン角型キャップが得られた。このキャップに電解めっ
きでＣｕ３μｍを施こした。
底板板厚１．０５ｍｍ、立上がり部板厚１．０１ｍｍ
（偏肉３．８％）で、底面フラット部の平坦度は１５μ
ｍであり、割れ、欠け、ササクレもなく高精度なモリブ
デン角型キャップが得られた。このキャップに電解めっ
きでＣｕ３μｍを施こした。
【００３５】図４に示すように、以上の様にして得られ
たモリブデン角型キャップ２０の凹部２４に、□３８ｍ
ｍのＡｌ４を圧入し、立上がり部２２より外に出たＡｌ
４の部分にスリット４０を入れフィン４１を形成した
（凹部２４に圧入するものは、Ｃｕでも良い）。
たモリブデン角型キャップ２０の凹部２４に、□３８ｍ
ｍのＡｌ４を圧入し、立上がり部２２より外に出たＡｌ
４の部分にスリット４０を入れフィン４１を形成した
（凹部２４に圧入するものは、Ｃｕでも良い）。
【００３６】モリブデン角型キャップ２０の外底部２５
は、Ｉｅ素子を搭載しても良く、しかもＡｌフィン４１
により直接外部への放熱を可能にした放熱基板（半導体
素子用放熱部品の一種）とすることが可能である。
は、Ｉｅ素子を搭載しても良く、しかもＡｌフィン４１
により直接外部への放熱を可能にした放熱基板（半導体
素子用放熱部品の一種）とすることが可能である。
【００３７】実施例２は、実施例１と同様に高精度で、
大量生産の可能なモリブデン角型キャップとなった。
大量生産の可能なモリブデン角型キャップとなった。
【００３８】実施例３ 実施例１において、図５に示すように、雄型押圧面の中
心部に深さ０．１５ｍｍのヘコミ部１０ａを設け、即ち
雄型１の外周部に幅１ｍｍのヒール部（ｈｅｅｌ）１１
を保有する様にしてプレス加工した。出来たキャップ２
０は、底面部Ｒ＝０．２５ｍｍ、底板板厚１．３５ｍ
ｍ、立上がり板厚１．２９ｍｍで、底面フラット部２１
の中心部平坦度は２２μｍであった。尚、雄型のヘコミ
部１０ａの深さは、０．１５ｍｍに限らず、０．０５〜
０．１５ｍｍの範囲が適する。
心部に深さ０．１５ｍｍのヘコミ部１０ａを設け、即ち
雄型１の外周部に幅１ｍｍのヒール部（ｈｅｅｌ）１１
を保有する様にしてプレス加工した。出来たキャップ２
０は、底面部Ｒ＝０．２５ｍｍ、底板板厚１．３５ｍ
ｍ、立上がり板厚１．２９ｍｍで、底面フラット部２１
の中心部平坦度は２２μｍであった。尚、雄型のヘコミ
部１０ａの深さは、０．１５ｍｍに限らず、０．０５〜
０．１５ｍｍの範囲が適する。
【００３９】実施例４ 実施例４は実施例３と略同一で、実施例３において、雄
型のヒール部寸法を０．１０ｍｍとし、底面部Ｒを０．
７ｍｍにした所、モリブデン角型キャップ２０の底面フ
ラット部２１の中心部平坦度が、１０μｍ以下に達成し
た。この１０μｍ以下の平坦度を有する領域は、底面フ
ラット部２１の中心部を中心にして、底面フラット部全
域の７０％以上にも達した。
型のヒール部寸法を０．１０ｍｍとし、底面部Ｒを０．
７ｍｍにした所、モリブデン角型キャップ２０の底面フ
ラット部２１の中心部平坦度が、１０μｍ以下に達成し
た。この１０μｍ以下の平坦度を有する領域は、底面フ
ラット部２１の中心部を中心にして、底面フラット部全
域の７０％以上にも達した。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、複雑な装置を用いず
に、高精度な半導体素子用放熱部品用モリブデン角型キ
ャップを得ることができる。また、本発明のモリブデン
角型キャップは、底面フラット部の平坦度が高いので、
半導体素子用放熱部品として大変優れた放熱特性を発揮
する。更に、本発明の製造方法によれば、複雑な装置を
用いずに、高精度な半導体素子用放熱部品用モリブデン
角型キャップを大量に製造することができる。従って、
半導体素子用放熱部品用モリブデン角型キャップの製造
コストを大幅に引き下げることができる。
に、高精度な半導体素子用放熱部品用モリブデン角型キ
ャップを得ることができる。また、本発明のモリブデン
角型キャップは、底面フラット部の平坦度が高いので、
半導体素子用放熱部品として大変優れた放熱特性を発揮
する。更に、本発明の製造方法によれば、複雑な装置を
用いずに、高精度な半導体素子用放熱部品用モリブデン
角型キャップを大量に製造することができる。従って、
半導体素子用放熱部品用モリブデン角型キャップの製造
コストを大幅に引き下げることができる。
【図１】本発明の実施例の概要を示す断面図である。
【図２】図１に示すモリブデン角型キャップの製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例１における雄型の要部の構成略
図である。
図である。
【図４】本発明の実施例２のモリブデン角型キャップを
用いた半導体素子用放熱基板の断面図である。
用いた半導体素子用放熱基板の断面図である。
【図５】本発明の実施例３のモリブデン角型キャップ及
びその製造装置の断面図である。
びその製造装置の断面図である。
【図６】本発明の実施例４のモリブデン角型キャップの
断面図である。
断面図である。
１ 雄型 ２ 素板（モリブデン板） ３ 雌型 ２０ モリブデン角型キャップ ２１ 底面フラット部 ２２ 立上がり部 ２３ 底板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/373 (72)発明者 土井 良彦 東京都台東区東上野五丁目24番８号 東京 タングステン株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 モリブデン角筒絞りによって得られる半
導体素子用放熱部品用モリブデン角型キャップにおい
て、底面フラット部の平坦度が２５μｍ以下であり、底
面部Ｒが０．３ｍｍ以下である事を特徴とする半導体素
子用放熱部品用モリブデン角型キャップ。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子用放熱部品用
モリブデン角型キャップにおいて、素板としてのモリブ
デン板の厚みが０．７ｍｍ以上２．２ｍｍ以下のものが
使用され、底板と立上がり部の偏肉が４％以下である事
を特徴とする半導体素子用放熱部品用モリブデン角型キ
ャップ。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体素子用放熱部品用
モリブデン角型キャップにおいて、外表皮にＡｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｎｉの一種以上をめっき或いは蒸着した事を
特徴とする半導体素子用放熱部品用モリブデン角型キャ
ップ。 - 【請求項４】 モリブデン角筒絞りによって得られる半
導体素子用放熱部品用モリブデン角型キャップにおい
て、底面フラット部の全域の７０％以上の範囲で平坦度
が１０μｍ以下であり、底面部Ｒが０．７ｍｍ以下であ
る事を特徴とする半導体素子用放熱部品用モリブデン角
型キャップ。 - 【請求項５】 半導体用放熱部品用モリブデン角型キャ
ップの製造方法において、モリブデン板を４５０〜８０
０℃で加熱し、該モリブデン板をブランク無しで、１回
のプレスで角型にした事を特徴とする半導体用放熱部品
用モリブデン角型キャップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6248965A JP2753958B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 半導体素子用放熱部品用モリブデン角型キャップ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6248965A JP2753958B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 半導体素子用放熱部品用モリブデン角型キャップ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08115992A true JPH08115992A (ja) | 1996-05-07 |
| JP2753958B2 JP2753958B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=17186033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6248965A Expired - Lifetime JP2753958B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 半導体素子用放熱部品用モリブデン角型キャップ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2753958B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1443546A2 (en) * | 2003-01-28 | 2004-08-04 | Hitachi Ltd. | Working method of metal material and semiconductor apparatus fabricated by the method |
| JP2017535947A (ja) * | 2014-10-31 | 2017-11-30 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 非磁性パッケージをシールするための蓋および方法 |
| JP2018098599A (ja) * | 2016-12-12 | 2018-06-21 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動子、モジュール部品及びそれらの製造方法 |
-
1994
- 1994-10-14 JP JP6248965A patent/JP2753958B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1443546A2 (en) * | 2003-01-28 | 2004-08-04 | Hitachi Ltd. | Working method of metal material and semiconductor apparatus fabricated by the method |
| EP1443546A3 (en) * | 2003-01-28 | 2009-05-06 | Hitachi Ltd. | Working method of metal material and semiconductor apparatus fabricated by the method |
| JP2017535947A (ja) * | 2014-10-31 | 2017-11-30 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 非磁性パッケージをシールするための蓋および方法 |
| JP2018098599A (ja) * | 2016-12-12 | 2018-06-21 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動子、モジュール部品及びそれらの製造方法 |
| US10938370B2 (en) | 2016-12-12 | 2021-03-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator unit, module component, and manufacturing method for same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2753958B2 (ja) | 1998-05-20 |
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