JPH08115928A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ペレットの熱応力によるクラックの発
生を防止する。 【構成】 半導体ペレット１の下面に応力緩衝層８、バ
リアメタル層９および接合メタル層１０が順次形成され
ている。応力緩衝層８は弾性係数が小さく、熱伝導性の
良い金属例えばＡｕやＡｇからなる。バリアメタル層９
は応力緩衝層８の金属の拡散を防ぎ、例えばＮｉやＴｉ
からなる。ペレット１は銅系材料からなるリードフレー
ムにおけるタブ１１上にボンディングされている。タブ
１１の表面にはＡｕめっきが施されている。 【効果】 ペレット１とタブ１１との熱膨張係数差によ
ってペレットに発生する熱応力は応力緩衝層８によって
低減されるため、ペレット１にクラックが発生するのが
防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、特に、半
導体ペレットをリードフレームにおけるタブやプリント
配線基板のパッド等のペレット取付部にボンディングす
る技術に関し、例えば、高出力の半導体装置や大型面実
装パッケージを用いた半導体集積回路装置に利用して有
効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程において、電子回
路が作り込まれている半導体ペレット（以下、ペレット
という。）をリードフレームのタブにボンディングする
技術として、ろう材を使用してペレットを接合する方法
と、接着剤（エポキシ系接着剤にＡｇ（銀）粉末が練入
されているＡｇペーストと呼ばれるもの等）を使用して
ペレットを接合する方法が知られている。

【０００３】上記ペレットボンディング方法のうち、ペ
レットの放熱性を重視する場合は、ペレットとの接続に
おける熱抵抗の低減を図るために、ろう材を使用したペ
レット接合法を採用することが好ましい。

【０００４】また、ペレットサイズの大きいペレットを
接合する場合は、ペレットの熱応力を緩和するために、
Ｐｂ−Ｓｎ（鉛−錫）合金はんだ等の低融点軟質金属の
ろう材や、接着剤を用いたペレット接合法を採用するこ
とが好ましい。

【０００５】ここで、高出力半導体装置においては、ペ
レットサイズが大きくなる上に、ペレットが発生する発
熱量が増える。そこで、高出力半導体装置においては、
効率良く放熱するために次の構造が提案されている。第
１に、ペレットの厚みを薄くして放熱経路を短くする構
造である。第２に、ペレットの下に熱伝導率の良いＡｕ
（金）めっきを施したプレーティットヒートシンク（以
下、ＰＨＳという。）構造を形成し、これをＡｕ−Ｓｎ
（金−錫）共晶層によって取付部にペレットボンディン
グする構造である。

【０００６】ところで、ペレットクラックは、ペレット
を接合する際の温度と半導体装置を使用する温度とが異
なるために発生する応力が原因である。そして、この応
力によって半導体装置を組み立てた直後にクラックが発
生することがある。また、半導体装置を使用中に、ペレ
ットの一部が極端に温度が上がった状況になると、周り
の温度差によりクラックが発生することがある。

【０００７】このため、上述したとおり、ペレットに発
生する熱応力を低減するために、低融点軟質金属のろう
材や接着剤を用いたペレット接合法を採用したり、ペレ
ットの厚みを厚くしたりする手段が採られている。

【０００８】一方、ペレットの熱抵抗を下げ、ペレット
で発生する熱を効率良く放熱するために、ペレットの厚
みを薄くしたり、ＰＨＳ構造を用いたりしている。

【０００９】なお、ペレットの厚みを薄くすることを述
べている例として、三菱電機技報、１９９３、Ｖｏｌ．
６７、Ｎｏ．１１、Ｐ５０〜５１、がある。また、ＰＨ
Ｓ構造について述べている例として、富士通半導体デー
タＢｏｏｋ、１９９０、ＧａＡｓＦＥＴ、Ｐ５７〜５９
がある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術においては、以下の問題があることを本発明者
は見い出した。

【００１１】すなわち、ろう材を使用したペレット接合
法の場合、ペレットとリードフレーム等との間における
熱膨張係数差により発生する熱応力によって、ペレット
にクラックが発生することがある。さらに、ＰＨＳ構造
を用いた場合、ＰＨＳ構造に用いるＡｕめっきとＡｕ−
Ｓｎ合金との間で金属間化合物を作ることがあり、ヒー
トシンクとして用いるＡｕめっきの厚さが変動する。こ
れは、ＰＨＳ構造に用いるＡｕが拡散するために起こる
現象であり、ろう材クワレと呼ばれている。この現象の
ため、ワイヤ・ボンディングの際にペレットの高さが安
定せず、組み立て作業性および放熱性に問題を生じるこ
とがあった。

【００１２】他方、接着剤を使用した場合は、使用する
接着剤の熱伝導率が比較的悪いことによりペレットの放
熱性が悪くなる問題がある。

【００１３】本発明の目的は、ペレットの放熱性および
組立作業性を確保しつつ、ペレットのクラックの発生を
確実に防止することができる半導体装置を提供すること
にある。

【００１４】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【００１６】すなわち、半導体ペレットとペレット取付
部との間には、半導体ペレットに発生する熱応力を吸収
できる金属で形成された応力緩衝層と、この応力緩衝層
を形成する金属の拡散を防ぐバリアメタル層とが介装さ
れている。

【００１７】

【作用】前記した手段によれば、半導体ペレットとペレ
ット取付部との熱膨張係数差によってペレットに発生す
る熱応力を、応力緩衝層で吸収できるため、ペレットに
クラックが発生するのを防止することができる。すなわ
ち、例えば、取付部側が熱により膨張した場合、その膨
張に追従して応力緩衝層が膨張することによって取付部
側の膨張による応力が吸収され、ペレットへの取付部側
の膨張の影響が低減されるので、ペレットに作用する応
力が低減される。

【００１８】また、バリアメタル層によって、応力緩衝
層を形成する金属の拡散を防ぐことができるため、応力
緩衝層の厚みを一定に維持することができる。

【００１９】

【実施例】図１は本発明の一実施例を示し、（ａ）はＭ
ＥＳ・ＦＥＴ（メタルセミコンダクタ・ＦＥＴ）におけ
るペレットの縦断面図、（ｂ）はリードフレームにおけ
るタブの縦断面図、（ｃ）はＭＥＳ・ＦＥＴにおけるペ
レットがリードフレームにおけるタブにボンディングさ
れた状態を示す縦断面図である。

【００２０】本実施例において、本発明に係る半導体装
置は、ＭＥＳ・ＦＥＴとして構成されている。このＭＥ
Ｓ・ＦＥＴのペレット１は、ＧａＡｓのような化合物半
導体から形成されており、図１（ａ）に示されているよ
うに、ペレット２の上部に形成されたソース領域２と、
ドレイン領域３と、両領域２、３の間に形成されたチャ
ネル領域４と、ソース領域２上に形成されたソース電極
５と、ドレイン領域３上に形成されたドレイン電極６
と、チャネル領域４上に形成されたゲート電極７とを備
えている。

【００２１】ソース領域２、ドレイン領域３およびチャ
ネル領域４には、例えば、ｎ形不純物のＳｉ（シリコ
ン）が注入（ドーピング）されている。ソース電極５お
よびドレイン電極６は、例えばＭｏ−Ａｕ（モリブデン
−金）合金から形成されており、それぞれソース領域
２、ドレイン領域３とオーミック接続されている。ゲー
ト電極７は、例えばＡｌ（アルミニウム）から形成され
ており、チャネル領域４とショットキー接続されてい
る。

【００２２】そして、本実施例においては、ペレット１
の下面に応力緩衝層８、バリアメタル層９、および接合
メタル層１０が順次、被着されている。

【００２３】応力緩衝層８は、弾性係数が小さく、か
つ、熱伝導性の良い金属、例えばＡｇ（銀）から形成さ
れており、その厚みは５０〜１００μｍであり、ペレッ
ト１の厚みと同程度の厚みを有している。バリアメタル
層９は、応力緩衝層８と接合メタル層１０との間におけ
る金属拡散を防止できる金属、例えばＮｉ（ニッケル）
から形成されており、その厚みは１〜２μｍである。接
合メタル層１０は、例えばＡｕ−Ｇｅ（金−ゲルマニウ
ム）から形成されており、その厚みは２〜３μｍであ
る。

【００２４】上記応力緩衝層８、バリアメタル層９およ
び接合メタル層１０はウエハの段階で形成される。すな
わち、ＧａＡｓウエハの主面上に各ペレット毎に電子回
路が作り込まれた後に、ウエハの裏面に応力緩衝層８、
バリアメタル層９および接合メタル層１０が順次、形成
される。この場合、応力緩衝層８はめっき法により形成
され、バリアメタル層９および接合メタル層１０はそれ
ぞれスパッタリング法により形成される。上記各層８、
９、１０を形成されたウエハはダイシング工程におい
て、各ペレットに分断される。

【００２５】ペレット１はペレット・ボンディング工程
において、ペレット・ボンディング装置（図示せず）が
使用されて、リードフレームにおけるタブ１１上にボン
ディングされる。

【００２６】リードフレームは銅系素材から形成されて
いる。図１（ｂ）に示されているように、タブ１１の表
面にはＮｉ等から形成されたバリアメタル層１２を介し
てＡｕめっきから形成された接合メタル層１３が形成さ
れている。バリアメタル層１２の厚みは１〜２μｍであ
り、接合メタル層１３の厚みは２〜３μｍである。

【００２７】ペレットボンディング作業においては、リ
ードフレームのタブ１１の上にペレット１が接合メタル
層１０を下に向けて配され、それらの間にＡｕ−Ｓｎ
（金−錫）の合金箔（厚さ２０μｍ以下）から形成され
たろう材１４が介装された状態で、ペレット１がタブ１
１に加熱圧着される。

【００２８】以上のようにして、リードフレームのタブ
１１の上にペレット１がボンディングされた後、ワイヤ
・ボンディング工程、樹脂封止工程、切断成形工程を経
て、ＭＥＳ・ＦＥＴは製品として完成されて行く。

【００２９】次に作用を説明する。前記構成にかかるＭ
ＥＳ・ＦＥＴは出荷前に抜き取り検査を実施される。抜
き取り検査としては温度サイクル試験や熱衝撃試験を含
む環境試験が実施される。また、ＭＥＳ・ＦＥＴがプリ
ント配線基板等に実装される際、はんだディップ処理や
リフローはんだ処理によってＭＥＳ・ＦＥＴは加熱され
る。このような環境試験または実装時に熱ストレスが前
記構成に係るＭＥＳ・ＦＥＴに加えられた場合、ペレッ
ト１とタブ１１との熱膨張係数差により、ペレット１に
熱応力が発生する。

【００３０】しかし、本実施例においては、ペレット１
とタブ１１との間に応力緩衝層８が形成されていること
により、ペレット１に作用する熱応力が応力緩衝層８に
よって低減されるため、ペレット１にクラックが発生す
るのが防止される。例えば、タブ１１が伸びた場合、そ
の伸びに追従して応力緩衝層８が伸びることによってタ
ブ１１の伸びによる応力が吸収され、ペレット１への影
響が低減されるので、ペレット１にかかる応力が低減さ
れる。

【００３１】また、応力緩衝層８と接合メタル層１０と
の間にバリアメタル層９が形成されていることにより、
応力緩衝層８と接合メタル層１０との間で金属が拡散す
るのが防止される。その結果、応力緩衝層８の厚さは予
め設定された値に維持されているため、ワイヤ・ボンデ
ィングの際にペレットの高さが変わることによるワイヤ
・ボンディング作業の不良等が発生しない。また、応力
緩衝層８の高さは予め設定した値に維持されるため、応
力緩衝層８自体の放熱性能も所期の値に維持することが
できる。

【００３２】前記実施例によれば、次の効果が得られ
る。 ペレットとタブとの間に応力緩衝層が形成されてい
ることにより、ペレットとタブとの熱膨張係数差によっ
てペレットに発生する熱応力が応力緩衝層によって低減
されるため、ペレットにクラックが発生するのが防止さ
れる。

【００３３】 ペレットがタブにろう材で接合される
ため、良好な放熱特性を得ることができる。

【００３４】 応力緩衝層と接合メタル層との間にバ
リアメタル層が形成されていることにより、応力緩衝層
と接合メタル層との間で金属が拡散するのが防止され
る。その結果、応力緩衝層の厚さは予め設定された値に
維持されているため、ワイヤ・ボンディングの際にペレ
ットの高さが変わることによるワイヤ・ボンディング作
業の不良等が発生しない。また、応力緩衝層自体の放熱
性能も所期の値に維持することができる。

【００３５】 上記により、タブの熱膨張係数の大
きさを従来よりも広い範囲で選定できるため、タブの材
質の選択範囲を広げることができる。

【００３６】 上記により、安価でかつ熱伝導率の
良い材料を使用することが可能となり、半導体装置の価
格を低減することができる。

【００３７】 上記により、半導体装置の熱抵抗を
低減することができる。

【００３８】図２および図３は本発明の別の実施例２を
示す。本実施例２における半導体装置も、ＭＥＳ・ＦＥ
Ｔとして構成されている。このＭＥＳ・ＦＥＴのペレッ
ト１も、ＧａＡｓのような化合物半導体から形成されて
おり、図２（ａ）に示されているように、ソース領域
２、ドレイン領域３、およびチャネル領域４と、ソース
電極５、ドレイン電極６、およびゲート電極７とが上記
実施例１で説明したペレットと同じように形成されてい
る。そして、本実施例２においては、ペレット１の下面
に直接、接合メタル層１０が被着されている。

【００３９】このペレット１の下面には図２（ｂ）に示
されている応力緩衝部材８Ａが接合される。応力緩衝部
材８Ａは、薄い板形状に形成された応力緩衝層８と、そ
の表裏面にそれぞれ形成されているバリアメタル層９
と、表裏面のバリアメタル層９上にそれぞれ形成されて
いる接合メタル層１０とから構成されている。応力緩衝
層８は、弾性係数が小さく、かつ、熱伝導性の良い金
属、例えばＡｇからなり、その厚みが５０〜１００μｍ
の薄板に形成されており、ペレット１の厚みと同じ厚み
を有している。バリアメタル層９は、応力緩衝層８と接
合メタル層１０との間における金属拡散を防ぐ金属、例
えばＮｉから形成されており、その厚みは１〜２μｍで
ある。接合メタル層１０は、例えばＡｕ−Ｇｅから形成
されており、その厚みは２〜３μｍである。応力緩衝層
８は金属箔から形成され、バリアメタル層９および接合
メタル層１０はそれぞれスパッタリングにより形成され
る。

【００４０】上記応力緩衝部材８Ａは、ボンディング工
程において、ペレット・ボンディング装置（図示せず）
が使用されて、ペレット１の裏面に接合される。このボ
ンディング作業においては、応力緩衝部材８Ａの上にペ
レット１が接合メタル層１０を下に向けて配され、それ
らの間にＡｕ−Ｓｎの合金箔（厚さ２０μｍ以下）から
なるろう材１４が介装された状態で、ペレット１と応力
緩衝部材８Ａとが図２（ｃ）に示されているように加熱
圧着される。

【００４１】上記のようにしてペレット１の下面に応力
緩衝部材８Ａが接合された後に、ペレット１はペレット
・ボンディング工程において、ペレット・ボンディング
装置（図示せず）が使用されてリードフレームにおける
タブ１１上に図３に示されているようにボンディングさ
れる。

【００４２】図３（ｂ）に示されているリードフレーム
は、上記実施例１において図１（ｂ）に示したものと同
じである。そして、ペレットボンディング作業において
は、リードフレームのタブ１１上に上記応力緩衝部材８
Ａが接合されたペレット１（図３（ａ）参照）が接合メ
タル層１０を下に向けて配され、それらの間にＡｕ−Ｓ
ｎの合金箔（厚さ２０μｍ以下）からなるろう材１４が
介装された状態で、ペレット１および応力緩衝部材８Ａ
の組立体とタブ１１とが加熱圧着される。

【００４３】リードフレームのタブ１１の上にペレット
１がボンディングされた後、ワイヤ・ボンディング工
程、樹脂封止工程、切断成形工程を経てＭＥＳ・ＦＥＴ
が製品として完成されて行く。本実施例２においても、
ペレット１とタブ１１との間には応力緩衝層８が介設さ
れているため、上記実施例１と同様の作用効果が奏され
る。しかも、本実施例２においては、応力緩衝層８がペ
レット１と別体の応力緩衝部材８Ａとして構成されてい
るため、ウエハ工程後に応力緩衝層８をペレット１に付
設することができる。

【００４４】図４および図５は本発明のさらに別の実施
例３を示し、混成集積回路に用いられる。上記実施例２
では、応力緩衝部材８Ａをペレット１に接合した後に、
ペレット１をタブ１１の上にボンディングしたが、本実
施例３では、応力緩衝部材８Ａがプリント配線基板のパ
ッド上に予め接合されている。

【００４５】図４（ａ）に示す応力緩衝部材８Ａは、上
記実施例２において図２（ｂ）に示したものと同じであ
る。図４（ｂ）に示すプリント配線基板２０の上に形成
されているペレット取付部としてのパッド２１は銅材か
ら形成されており、パッド２１の表面にはＮｉ等から形
成されたバリアメタル層１２を介してＡｕめっきから形
成された接合メタル層１３が形成されている。バリアメ
タル層１２の厚みは１〜２μｍであり、接合メタル層１
３の厚みは２〜３μｍである。

【００４６】上記応力緩衝部材８Ａはプリント配線基板
２０におけるパッド２１上に、Ａｕ−Ｓｎの合金箔（厚
さ２０μｍ以下）から形成されているろう材１４が介装
された状態で、ボンディング装置（図示せず）が使用さ
れて加熱圧着される。

【００４７】そして、ペレット・ボンディング工程にお
いて、プリント配線基板２０において応力緩衝部材８Ａ
が接合されているパッド２１上にはペレット１が、ペレ
ット・ボンディング装置（図示せず）が使用されて図５
に示されているように接合される。

【００４８】ペレット・ボンディング作業においては、
パッド２１表面の応力緩衝部材８Ａの上にペレット１が
接合メタル層１０を下に向けて配され、それらの間にＡ
ｕ−Ｓｎの合金箔（厚さ２０μｍ以下）からなるろう材
１４が介装された状態で、ペレット１とプリント配線基
板２１とが加熱圧着される。

【００４９】パッドにペレット１がボンディングされた
後に、ワイヤ・ボンディング工程、樹脂封止工程等を経
てＭＥＳ・ＦＥＴが製品として完成されて行く。本実施
例３においても、上記実施例１と同様の作用効果が奏さ
れる。また、応力緩衝部材８Ａがプリント配線基板２０
に付設されるため、プリント配線基板２０にペレット１
を応力緩衝層８を介して直接的に実装することができ
る。

【００５０】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。

【００５１】例えば、ゲート電極は、Ｔｉ（チタン）、
Ｐｌ（プラチナ）およびＡｕを下層から順に積層してな
る積層金属等によって構成してもよいし、ＷＳｉ₂ （タ
ングステンシリサイド）等のようなシリサイドによって
構成してもよい。

【００５２】応力緩衝層は、弾性係数が小さく、かつ、
熱伝導性の良い金属であればよく、Ａｕ等で形成しても
よい。

【００５３】また、応力緩衝層の厚みはペレットの厚さ
以上の厚さを有しているのが好ましく、ペレットの厚さ
の１０倍程度までとするのが望ましい。

【００５４】バリアメタル層は、応力緩衝層と接合メタ
ル層との間における金属拡散を防ぐ金属であればよく、
Ｔｉ（チタン）等で形成してもよい。

【００５５】接合メタル層は、例えばＡｕ−Ｓｎ合金等
で形成してもよい。

【００５６】ろう材はＡｕ−Ｇｅ等でもよい。

【００５７】タブおよびパッド等のペレット取付部に被
着するめっきはＡｇめっき等でもよい。

【００５８】応力緩衝層を形成する手段としては、めっ
き法を使用するに限らず、物理的蒸着法や化学的蒸着法
等を使用してもよい。また、バリアメタル層や接合メタ
ル層は、スパッタリング法を使用するに限らず、他の物
理的蒸着法や化学的蒸着法、あるいはめっき法等を使用
してもよい。

【００５９】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＭＥＳ
・ＦＥＴに適用した場合について主に説明したが、それ
に限定されるものではなく、半導体装置全般に適用する
ことができる。

【００６０】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００６１】半導体ペレットに発生する熱応力を吸収で
きる金属で形成された応力緩衝層と、この応力緩衝層を
形成する金属の拡散を防ぐバリアメタル層とが、半導体
ペレットとペレット取付部との間に介装されていること
により、ペレットにクラックが発生するのを防止するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるＭＥＳ・ＦＥＴを示
し、（ａ）はＭＥＳ・ＦＥＴにおけるペレットの縦断面
図、（ｂ）はリードフレームにおけるタブの縦断面図、
（ｃ）はＭＥＳ・ＦＥＴにおけるペレットがリードフレ
ームにおけるタブにボンディングされた状態を示す縦断
面図である。

【図２】本発明の別の実施例であるＭＥＳ・ＦＥＴを示
し、（ａ）はＭＥＳ・ＦＥＴにおけるペレットの縦断面
図、（ｂ）は応力緩衝部材の縦断面図、（ｃ）は応力緩
衝部材がＭＥＳ・ＦＥＴにおけるペレットにボンディン
グされた状態を示す縦断面図である。

【図３】（ａ）は応力緩衝部材がＭＥＳ・ＦＥＴにおけ
るペレットにボンディングされた状態を示す縦断面図、
（ｂ）はリードフレームにおけるタブの縦断面図、
（ｃ）は応力緩衝部材がボンディングされたペレットが
リードフレームにおけるタブにボンディングされた状態
を示す縦断面図である。

【図４】本発明のさらに別の実施例である混成集積回路
装置に使用されるプリント配線基板を示し、（ａ）は応
力緩衝部材の縦断面図、（ｂ）はプリント配線基板の縦
断面図、（ｃ）は応力緩衝部材がプリント配線基板のパ
ッド上にボンディングされた状態を示す縦断面図であ
る。

【図５】その混成集積回路装置の主要部を示し、（ａ）
はＭＥＳ・ＦＥＴにおけるペレットの縦断面図、（ｂ）
は図４の（ｃ）と同じ図、（ｃ）はＭＥＳ・ＦＥＴにお
けるペレットが、応力緩衝部材がボンディングされたプ
リント配線基板のパッド上にボンディングされた状態を
示す縦断面図である。

【符号の説明】

１…半導体ペレット、２…ソース領域、３…ドレイン領
域、４…チャネル領域、５…ソース電極、６…ドレイン
電極、７…ゲート電極、８…応力緩衝層、８Ａ…応力緩
衝部材、９…バリアメタル層、１０…接合メタル層、１
１…タブ（ペレット取付部）、１２…バリアメタル層、
１３…接合メタル層、１４…ろう材、２０…プリント配
線基板、２１…パッド（パッド取付部）。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子回路が作り込まれている半導体ペレ
   ットがペレット取付部にボンディングされている半導体
   装置において、 前記半導体ペレットに発生する熱応力を吸収できる金属
   で形成された応力緩衝層と、この応力緩衝層を形成する
   金属の拡散を防ぐバリアメタル層とが、前記半導体ペレ
   ットとペレット取付部との間に介装されていることを特
   徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 電子回路が作り込まれている半導体ペレ
   ットがペレット取付部にボンディングされている半導体
   装置の製造方法において、 各ペレット毎に電子回路が作り込まれているウエハの裏
   面に応力緩衝層、バリアメタル層が形成される工程と、
   ウエハを各ペレット毎に分断する工程と、ペレット取付
   部に分断されたペレットを応力緩衝層のバリアメタル層
   側でボンディングする工程とを備えていることを特徴と
   する半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 電子回路が作り込まれている半導体ペレ
   ットがペレット取付部にボンディングされている半導体
   装置の製造方法において、 各ペレット毎に電子回路が作り込まれているウエハを各
   ペレット毎に分断する工程と、前記ペレットをペレット
   取付部に応力緩衝部材を介装してボンディングする工程
   とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方
   法。