JPH08115541A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH08115541A JPH08115541A JP7176554A JP17655495A JPH08115541A JP H08115541 A JPH08115541 A JP H08115541A JP 7176554 A JP7176554 A JP 7176554A JP 17655495 A JP17655495 A JP 17655495A JP H08115541 A JPH08115541 A JP H08115541A
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- recording medium
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10504—Recording
- G11B11/10508—Recording by modulating only the magnetic field at the transducer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10591—Details for improving write-in properties, e.g. Curie-point temperature
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低磁界で記録／消去ができ、再生信号のＣ／
Ｎ比が良好である書換え可能な光磁気記録媒体を提供す
る。 【構成】 透明基板上に第１誘電体層、光磁気記録層、
第２誘電体層及び反射層を積層した光磁気記録媒体であ
る。光磁気記録層がキュリー温度Ｔｃより５０℃低い温
度からキュリ−温度Ｔｃの温度領域で、飽和磁化Ｍｓと
保磁力Ｈｃの積が４×１０4erg/cm3以下であり、磁壁抗
磁力が１．０ＫＯｅ以下である。この記録媒体の補償温
度はキュリー温度Ｔｃより８０℃以上低い。 【効果】５０（Ｏｅ）程度の低磁界で磁界変調記録がで
きる。
Ｎ比が良好である書換え可能な光磁気記録媒体を提供す
る。 【構成】 透明基板上に第１誘電体層、光磁気記録層、
第２誘電体層及び反射層を積層した光磁気記録媒体であ
る。光磁気記録層がキュリー温度Ｔｃより５０℃低い温
度からキュリ−温度Ｔｃの温度領域で、飽和磁化Ｍｓと
保磁力Ｈｃの積が４×１０4erg/cm3以下であり、磁壁抗
磁力が１．０ＫＯｅ以下である。この記録媒体の補償温
度はキュリー温度Ｔｃより８０℃以上低い。 【効果】５０（Ｏｅ）程度の低磁界で磁界変調記録がで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外部磁界の下でレーザ
光を照射することによって情報を記録する光磁気記録媒
体に関し、より詳細には低磁界での記録・消去が可能な
光磁気記録媒体に関する。
光を照射することによって情報を記録する光磁気記録媒
体に関し、より詳細には低磁界での記録・消去が可能な
光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、種々のタイプの光情報記録媒体が
使用されている。このうち、光磁気ディスク等の情報の
書換えが可能な光磁気記録媒体の開発が盛んに行われて
いる。光磁気記録媒体は、典型的には、ポリカーボネー
ト等の透明基板上に第１誘電体層、希土類−遷移金属系
非晶質合金等の光磁気記録層、第２誘電体層及び反射層
を順次積層した構造を有する。光磁気記録媒体を記録す
る際には、レーザ光を光磁気記録層の垂直磁化膜に照射
して、記録したい部分を局部的に加熱するとともに、外
部磁界を印加して磁界方向に磁化を反転させることによ
ってビットを記録する。記録・消去の際には、一般に、
記録膜面上に２００〜４００（Ｏｅ）の磁界を印加する
ことが必要とされている。
使用されている。このうち、光磁気ディスク等の情報の
書換えが可能な光磁気記録媒体の開発が盛んに行われて
いる。光磁気記録媒体は、典型的には、ポリカーボネー
ト等の透明基板上に第１誘電体層、希土類−遷移金属系
非晶質合金等の光磁気記録層、第２誘電体層及び反射層
を順次積層した構造を有する。光磁気記録媒体を記録す
る際には、レーザ光を光磁気記録層の垂直磁化膜に照射
して、記録したい部分を局部的に加熱するとともに、外
部磁界を印加して磁界方向に磁化を反転させることによ
ってビットを記録する。記録・消去の際には、一般に、
記録膜面上に２００〜４００（Ｏｅ）の磁界を印加する
ことが必要とされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光磁気ディ
スクの記録／再生に使用するドライブヘッドの軽量化や
消費電力の省力化が要望されている。この要望に応える
ために低磁界強度での記録／消去が可能な光磁気記録媒
体を開発することが考えられる。特に、磁界変調記録方
式で情報を記録する場合、記録信号の変調周波数が高く
なると印加磁界強度が低下するために、１００（Ｏｅ）
程の低磁界であっても充分な磁界感度を有する高い光磁
気記録媒体が望ましい。
スクの記録／再生に使用するドライブヘッドの軽量化や
消費電力の省力化が要望されている。この要望に応える
ために低磁界強度での記録／消去が可能な光磁気記録媒
体を開発することが考えられる。特に、磁界変調記録方
式で情報を記録する場合、記録信号の変調周波数が高く
なると印加磁界強度が低下するために、１００（Ｏｅ）
程の低磁界であっても充分な磁界感度を有する高い光磁
気記録媒体が望ましい。
【０００４】本発明は、従来の光磁気記録媒体に比べて
一層低磁界で記録／消去ができる光磁気媒体を提供する
ことを目的とする。また、本発明は、低磁界で記録して
もＣ／Ｎ比が良好である光磁気記録媒体を提供すること
にある。
一層低磁界で記録／消去ができる光磁気媒体を提供する
ことを目的とする。また、本発明は、低磁界で記録して
もＣ／Ｎ比が良好である光磁気記録媒体を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、キュリー温
度Ｔｃより５０℃低い温度からキュリー温度Ｔｃまでの
温度範囲において、光磁気記録層の飽和磁化Ｍｓと保磁
力Ｈｃの積を所定値以下に調整することによって、５０
（Ｏｅ）程度の低磁界強度でも良好な記録／消去ができ
る光磁気記録媒体を開発することに成功した。
度Ｔｃより５０℃低い温度からキュリー温度Ｔｃまでの
温度範囲において、光磁気記録層の飽和磁化Ｍｓと保磁
力Ｈｃの積を所定値以下に調整することによって、５０
（Ｏｅ）程度の低磁界強度でも良好な記録／消去ができ
る光磁気記録媒体を開発することに成功した。
【０００６】本発明に従えば、基板上に第１誘電体層、
光磁気記録層、第２誘電体層及び反射層を含む光磁気記
録媒体において、上記光磁気記録層が、キュリー温度Ｔ
ｃ〜（Ｔｃ−５０）℃の温度範囲において、飽和磁化Ｍ
ｓと保磁力Ｈｃの積として４×１０4erg/cm3以下の値を
有することを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
上記Ｍｓ×Ｈｃが上記の範囲内であると、低磁界で良好
な記録消去が可能となる。飽和磁化Ｍｓと保磁力Ｈｃの
積の一層好ましい範囲は、２×１０4erg/cm3以下であ
る。
光磁気記録層、第２誘電体層及び反射層を含む光磁気記
録媒体において、上記光磁気記録層が、キュリー温度Ｔ
ｃ〜（Ｔｃ−５０）℃の温度範囲において、飽和磁化Ｍ
ｓと保磁力Ｈｃの積として４×１０4erg/cm3以下の値を
有することを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
上記Ｍｓ×Ｈｃが上記の範囲内であると、低磁界で良好
な記録消去が可能となる。飽和磁化Ｍｓと保磁力Ｈｃの
積の一層好ましい範囲は、２×１０4erg/cm3以下であ
る。
【０００７】上記光磁気記録層が、キュリー温度Ｔｃ〜
（Ｔｃ−５０）℃の温度範囲において、磁壁抗磁力とし
て１．０ＫＯｅ以下の値を有することが好ましい。磁壁
抗磁力の一層好ましい範囲は０．５ＫＯｅ以下である。
（Ｔｃ−５０）℃の温度範囲において、磁壁抗磁力とし
て１．０ＫＯｅ以下の値を有することが好ましい。磁壁
抗磁力の一層好ましい範囲は０．５ＫＯｅ以下である。
【０００８】本明細書において「磁壁抗磁力」とは磁化
−磁界のヒステリシス曲線における初磁化曲線の飽和す
る磁界の大きさをいう。
−磁界のヒステリシス曲線における初磁化曲線の飽和す
る磁界の大きさをいう。
【０００９】本発明の光磁気記録媒体は、基板上に第１
誘電体層、光磁気記録層、第２誘電体層及び反射層を有
する。上記光磁気記録層は、キュリー温度Ｔｃ〜（Ｔｃ
−５０）℃の温度範囲において、飽和磁化Ｍｓと保磁力
Ｈｃの積として４×１０4erg/cm3以下の値を有する。光
磁気記録層にこのような特性を持たせるには、以下のよ
うな種々の方法を適用することができる。例えば、光磁
気記録層を２層の磁性層から構成することによってＭｓ
×Ｈｃの上記値を達成し得る。本発明の実施例に従い、
光磁気ディスクの光磁気記録層をＴｂＦｅＣｏ系第１磁
性層及びＴｂＦｅＣｏＮｂ系第２磁性層から構成するこ
とができる。この光磁気ディスクにおいて、第１磁性層
の膜厚が２００〜２３０オングストローム（本文中、Ａ
で表す）、第２磁性層の膜厚が３０〜５０Ａであること
が好ましい。
誘電体層、光磁気記録層、第２誘電体層及び反射層を有
する。上記光磁気記録層は、キュリー温度Ｔｃ〜（Ｔｃ
−５０）℃の温度範囲において、飽和磁化Ｍｓと保磁力
Ｈｃの積として４×１０4erg/cm3以下の値を有する。光
磁気記録層にこのような特性を持たせるには、以下のよ
うな種々の方法を適用することができる。例えば、光磁
気記録層を２層の磁性層から構成することによってＭｓ
×Ｈｃの上記値を達成し得る。本発明の実施例に従い、
光磁気ディスクの光磁気記録層をＴｂＦｅＣｏ系第１磁
性層及びＴｂＦｅＣｏＮｂ系第２磁性層から構成するこ
とができる。この光磁気ディスクにおいて、第１磁性層
の膜厚が２００〜２３０オングストローム（本文中、Ａ
で表す）、第２磁性層の膜厚が３０〜５０Ａであること
が好ましい。
【００１０】上記Ｍｓ×Ｈｃの値を得る別の方法とし
て、光磁気記録材料の成分及び組成を適宜選択してもよ
い。例えば、光磁気記録材料としてＴｂＧｄＦｅＣｏ系
合金、特にＧｄ／Ｔｂ＝０．１〜０．３のＴｂＧｄＦｅ
Ｃｏ系合金、ＴｂＦｅＣｏＰｔ系合金、特にＰｔが５〜
１０原子％のＴｂＦｅＣｏＰｔ系合金を選択し得る。ま
た、光磁気記録層は、通常、スパッタリング等のドライ
プロセスで形成するが、このスパッタリングの条件を、
スパッタ雰囲気ガス、圧力、バイアス電圧等を適宜調節
したり、スパッタ装置等を用いて第１誘電体膜成膜後に
その表面をＡｒ陽イオン等によりエッチングすることに
よってもＭｓ×Ｈｃの値を上記の値に調整することがで
きる。また、光磁気記録層をアニールすることによって
光磁気記録層の磁気異方性を低下させて上記のＭｓ×Ｈ
ｃの特性を得ることもできる。しかしながら、製造後の
光磁気記録媒体を高温でアニールすることはプラスチッ
ク基板に損傷を与えるので、例えば、スパッタ操作によ
り光磁気記録層を成膜している間に、基板を、例えば約
１２０℃までの温度で加熱することによってかかるアニ
ール処理を実行することができる。
て、光磁気記録材料の成分及び組成を適宜選択してもよ
い。例えば、光磁気記録材料としてＴｂＧｄＦｅＣｏ系
合金、特にＧｄ／Ｔｂ＝０．１〜０．３のＴｂＧｄＦｅ
Ｃｏ系合金、ＴｂＦｅＣｏＰｔ系合金、特にＰｔが５〜
１０原子％のＴｂＦｅＣｏＰｔ系合金を選択し得る。ま
た、光磁気記録層は、通常、スパッタリング等のドライ
プロセスで形成するが、このスパッタリングの条件を、
スパッタ雰囲気ガス、圧力、バイアス電圧等を適宜調節
したり、スパッタ装置等を用いて第１誘電体膜成膜後に
その表面をＡｒ陽イオン等によりエッチングすることに
よってもＭｓ×Ｈｃの値を上記の値に調整することがで
きる。また、光磁気記録層をアニールすることによって
光磁気記録層の磁気異方性を低下させて上記のＭｓ×Ｈ
ｃの特性を得ることもできる。しかしながら、製造後の
光磁気記録媒体を高温でアニールすることはプラスチッ
ク基板に損傷を与えるので、例えば、スパッタ操作によ
り光磁気記録層を成膜している間に、基板を、例えば約
１２０℃までの温度で加熱することによってかかるアニ
ール処理を実行することができる。
【００１１】上記Ｍｓ及びＨｃは、振動試料法によって
電磁誘導起電力を計測する装置を用い、ヒステリシス曲
線を測定すれば容易に求めることができる。従って、上
記方法でＭｓ×Ｈｃを調整する場合には、組成、基板加
熱温度、スパッタ条件等の因子を変更する毎に、Ｍｓ及
びＨｃ等を測定してそれらの因子を微妙に調整すること
によって、上記の所望の範囲のＭｓ×Ｈｃを達成するこ
とができる。この場合、Ｍｓ及びＨｃのいずれを変更し
てもよい。磁壁抗磁力は、上記のＭｓ及びＨｃの調整に
より変化するが、特に、スパッタガスの分圧比を調整し
たり、スパッタリング装置を用いて第１誘電体層成膜後
にその表面をＡｒ陽イオン等によりエッチングして第１
誘電体層の表面状態を調整することにより、１．０ＫＯ
ｅ以下に維持することができる。磁壁抗磁力は、上記ヒ
ステリシス曲線の初期磁化曲線から求めることができ
る。
電磁誘導起電力を計測する装置を用い、ヒステリシス曲
線を測定すれば容易に求めることができる。従って、上
記方法でＭｓ×Ｈｃを調整する場合には、組成、基板加
熱温度、スパッタ条件等の因子を変更する毎に、Ｍｓ及
びＨｃ等を測定してそれらの因子を微妙に調整すること
によって、上記の所望の範囲のＭｓ×Ｈｃを達成するこ
とができる。この場合、Ｍｓ及びＨｃのいずれを変更し
てもよい。磁壁抗磁力は、上記のＭｓ及びＨｃの調整に
より変化するが、特に、スパッタガスの分圧比を調整し
たり、スパッタリング装置を用いて第１誘電体層成膜後
にその表面をＡｒ陽イオン等によりエッチングして第１
誘電体層の表面状態を調整することにより、１．０ＫＯ
ｅ以下に維持することができる。磁壁抗磁力は、上記ヒ
ステリシス曲線の初期磁化曲線から求めることができ
る。
【００１２】本発明の光磁気記録媒体において、光磁気
記録層の補償温度Ｔcom は、光磁気記録層の垂直磁気異
方性を確保するという理由からキュリー温度Ｔｃよりも
８０℃以上低いことが好ましい。また、上記光磁気記録
層の補償温度Ｔcom は、記録磁区が外部磁界に対して安
定するという理由から、周囲温度、例えば、室温Ｔro om
よりも高いことが好ましい。補償温度Ｔcom は、例え
ば、光磁気記録層を希土類と遷移金属を含む合金から構
成した場合には、希土類と遷移金属の組成比を適宜調整
することによって変化させることができる。
記録層の補償温度Ｔcom は、光磁気記録層の垂直磁気異
方性を確保するという理由からキュリー温度Ｔｃよりも
８０℃以上低いことが好ましい。また、上記光磁気記録
層の補償温度Ｔcom は、記録磁区が外部磁界に対して安
定するという理由から、周囲温度、例えば、室温Ｔro om
よりも高いことが好ましい。補償温度Ｔcom は、例え
ば、光磁気記録層を希土類と遷移金属を含む合金から構
成した場合には、希土類と遷移金属の組成比を適宜調整
することによって変化させることができる。
【００１３】本発明の光磁気記録媒体は、低磁界で記録
できるために、高い変調周波数で磁界の極性が変化する
磁界変調記録に好適である。
できるために、高い変調周波数で磁界の極性が変化する
磁界変調記録に好適である。
【００１４】
【作用】光磁気記録媒体における情報の記録／消去過程
は、レーザー光照射下での媒体の局所的に加熱により媒
体の保磁力を低下しつつ、磁界を加えて媒体の磁化反転
を促すことで行われる。媒体はキュリー温度近傍に加熱
されるので、その温度領域での保磁力の大小が磁化反転
の困難さを決定する。また、記録温度近傍では飽和磁化
Ｍｓが小さい方が、外部磁界により磁区が容易に形成さ
れる。従って、光磁気媒体の保磁力と飽和磁化の温度特
性が、磁界変調記録方式で記録信号を記録する際の印加
磁界強度とＣ／Ｎ比に影響を与えることになる。
は、レーザー光照射下での媒体の局所的に加熱により媒
体の保磁力を低下しつつ、磁界を加えて媒体の磁化反転
を促すことで行われる。媒体はキュリー温度近傍に加熱
されるので、その温度領域での保磁力の大小が磁化反転
の困難さを決定する。また、記録温度近傍では飽和磁化
Ｍｓが小さい方が、外部磁界により磁区が容易に形成さ
れる。従って、光磁気媒体の保磁力と飽和磁化の温度特
性が、磁界変調記録方式で記録信号を記録する際の印加
磁界強度とＣ／Ｎ比に影響を与えることになる。
【００１５】本発明では、光磁気記録層として、キュリ
ー温度Ｔｃ近傍の温度領域で、飽和磁化Ｍｓと保磁力Ｈ
ｃの積が所定の値以下の値を有する磁性材料を選択する
ことで、低記録磁界での記録／消去を可能とした。ま
た、本発明の光磁気記録材料の光磁気記録材料は、磁化
のヒステリシスにおける初磁化曲線の傾きが急峻であ
る。
ー温度Ｔｃ近傍の温度領域で、飽和磁化Ｍｓと保磁力Ｈ
ｃの積が所定の値以下の値を有する磁性材料を選択する
ことで、低記録磁界での記録／消去を可能とした。ま
た、本発明の光磁気記録材料の光磁気記録材料は、磁化
のヒステリシスにおける初磁化曲線の傾きが急峻であ
る。
【００１６】本発明に従う光磁気ディスクと従来の光磁
気ディスクの再生信号のＣ／Ｎ比が飽和する記録磁界を
比較する。図３及び図１１は、ぞれぞれ、本発明の光磁
気ディスクと従来の光磁気ディスクに磁気変調方式でサ
ンプル信号を記録した場合の再生信号のＣ／Ｎ比と印加
した記録磁界との関係を示す。本実施例の光磁気ディス
クでは、図３に示したように、５０（Ｏｅ）の低い記録
磁界でＣ／Ｎ比が飽和していることがわかる。一方、従
来の光磁気ディスクでは、図１１に示したようにＣ／Ｎ
比が飽和値である４８ｄＢに達するのに２５０（Ｏｅ）
の磁界を記録時に印加する必要がある。
気ディスクの再生信号のＣ／Ｎ比が飽和する記録磁界を
比較する。図３及び図１１は、ぞれぞれ、本発明の光磁
気ディスクと従来の光磁気ディスクに磁気変調方式でサ
ンプル信号を記録した場合の再生信号のＣ／Ｎ比と印加
した記録磁界との関係を示す。本実施例の光磁気ディス
クでは、図３に示したように、５０（Ｏｅ）の低い記録
磁界でＣ／Ｎ比が飽和していることがわかる。一方、従
来の光磁気ディスクでは、図１１に示したようにＣ／Ｎ
比が飽和値である４８ｄＢに達するのに２５０（Ｏｅ）
の磁界を記録時に印加する必要がある。
【００１７】また、図１２（ａ）及び（ｂ）に、本発明
に従う光磁気ディスクと従来の光磁気ディスクの磁化の
ヒステリシスにおける初磁化曲線を示す。本発明に従う
光磁気ディスクでは、磁壁抗磁力が１．０ＫＯｅ以下で
あり、曲線の傾きが急峻であることがわかる（図１２
（ａ））。この初磁化特性の相違も低磁界での再生信号
のＣ／Ｎ比に影響を与えていると考えられる。
に従う光磁気ディスクと従来の光磁気ディスクの磁化の
ヒステリシスにおける初磁化曲線を示す。本発明に従う
光磁気ディスクでは、磁壁抗磁力が１．０ＫＯｅ以下で
あり、曲線の傾きが急峻であることがわかる（図１２
（ａ））。この初磁化特性の相違も低磁界での再生信号
のＣ／Ｎ比に影響を与えていると考えられる。
【００１８】
【実施例】本発明の光磁気記録媒体の実施例を以下に示
すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１９】実施例１ この実施例では、２層の光磁気記録層を有する光磁気デ
ィスクを製造する。最初に、アドレスピット等のプリピ
ット及び記録／再生光スポットを案内する案内溝が形成
されたポリカーボネート基板を射出成形により製造し
た。この基板は直径８６ｍｍ、厚さ１．２ｍｍである。
この基板の記録光照射側に紫外線硬化樹脂をスピン塗布
法によりハードコートを施した。この基板を、真空乾燥
炉中で８０℃にて１０-3Ｐａ圧力下で３時間乾燥させ
た。次に、この基板に複数の成膜室を有する連続スパッ
タ装置を用いて以下のような手順で記録層等を積層し
た。基板を第１成膜室に装着して、ターゲットとしてＳ
ｉＮターゲットを用いて、スパッタリングにより膜厚２
００オングストローム（Ａ）のＳｉＮ膜を形成した。ス
パッタガスとしてＡｒとＮ2 の混合ガスを０．２Ｐａの
圧力で用いた。次いで、基板を第２成膜室にトレーで搬
入して、Ｔｂ24.5Ｆｅ66.5Ｃｏ9 をターゲットとして
０．２Ｐａの圧力のＡｒガス中で膜厚２００ＡのＴｂ
24.5Ｆｅ66.5Ｃｏ9 磁性層を形成し、次の成膜室中で、
ターゲットとしてＴｂ20Ｆｅ66Ｃｏ12Ｎｂ2 を用いて
０．２Ｐａの圧力のＡｒガス中で膜厚５０ＡのＴｂ20Ｆ
ｅ66Ｃｏ12Ｎｂ2 磁性層を形成した。次の成膜室におい
て、第１成膜室と同様の条件で膜厚２００ＡのＳｉＮを
形成した。最後に、ＡｌＴｉ3 をターゲットとして５０
０Ａの厚さの反射層を形成した。このようにして積層さ
れたポリカーボネート基板をスパッタ装置から取り出
し、最上層に紫外線硬化樹脂を塗布した。
ィスクを製造する。最初に、アドレスピット等のプリピ
ット及び記録／再生光スポットを案内する案内溝が形成
されたポリカーボネート基板を射出成形により製造し
た。この基板は直径８６ｍｍ、厚さ１．２ｍｍである。
この基板の記録光照射側に紫外線硬化樹脂をスピン塗布
法によりハードコートを施した。この基板を、真空乾燥
炉中で８０℃にて１０-3Ｐａ圧力下で３時間乾燥させ
た。次に、この基板に複数の成膜室を有する連続スパッ
タ装置を用いて以下のような手順で記録層等を積層し
た。基板を第１成膜室に装着して、ターゲットとしてＳ
ｉＮターゲットを用いて、スパッタリングにより膜厚２
００オングストローム（Ａ）のＳｉＮ膜を形成した。ス
パッタガスとしてＡｒとＮ2 の混合ガスを０．２Ｐａの
圧力で用いた。次いで、基板を第２成膜室にトレーで搬
入して、Ｔｂ24.5Ｆｅ66.5Ｃｏ9 をターゲットとして
０．２Ｐａの圧力のＡｒガス中で膜厚２００ＡのＴｂ
24.5Ｆｅ66.5Ｃｏ9 磁性層を形成し、次の成膜室中で、
ターゲットとしてＴｂ20Ｆｅ66Ｃｏ12Ｎｂ2 を用いて
０．２Ｐａの圧力のＡｒガス中で膜厚５０ＡのＴｂ20Ｆ
ｅ66Ｃｏ12Ｎｂ2 磁性層を形成した。次の成膜室におい
て、第１成膜室と同様の条件で膜厚２００ＡのＳｉＮを
形成した。最後に、ＡｌＴｉ3 をターゲットとして５０
０Ａの厚さの反射層を形成した。このようにして積層さ
れたポリカーボネート基板をスパッタ装置から取り出
し、最上層に紫外線硬化樹脂を塗布した。
【００２０】こうして得られた光磁気ディスクの断面図
を図１に示す。この光磁気ディスクは、ポリカーボネー
ト基板１上に、ＳｉＮ第１誘電体層２、Ｔｂ24.5Ｆｅ
66.5Ｃｏ9 第１磁気記録層３、Ｔｂ20Ｆｅ66Ｃｏ12Ｎｂ
2 第２磁気記録層４、ＳｉＮ第２誘電体層５、ＡｌＴｉ
3 反射層６及び保護層７を有している。上記のスパッタ
操作において、第１及び第２誘電体層のＳｉＮターゲッ
トの代わりにＳｉＯを用い、Ａｒ／Ｎ2 混合スパッタガ
スの代わりにＡｒ／Ｏ2 混合ガスを使用することもでき
る。
を図１に示す。この光磁気ディスクは、ポリカーボネー
ト基板１上に、ＳｉＮ第１誘電体層２、Ｔｂ24.5Ｆｅ
66.5Ｃｏ9 第１磁気記録層３、Ｔｂ20Ｆｅ66Ｃｏ12Ｎｂ
2 第２磁気記録層４、ＳｉＮ第２誘電体層５、ＡｌＴｉ
3 反射層６及び保護層７を有している。上記のスパッタ
操作において、第１及び第２誘電体層のＳｉＮターゲッ
トの代わりにＳｉＯを用い、Ａｒ／Ｎ2 混合スパッタガ
スの代わりにＡｒ／Ｏ2 混合ガスを使用することもでき
る。
【００２１】上記のようにして得られた光磁気ディスク
の光磁気記録層の保磁力Ｈｃ及び飽和磁化Ｍｓを種々の
温度にて測定した。保磁力Ｈｃ及び飽和磁化Ｍｓは振動
試料法によるヒステリシス曲線を求めて測定した。得ら
れた結果を図２に示す。この光磁気ディスクの光磁気記
録層のキュリー温度Ｔｃは２１０℃であり、補償温度は
室温より高い９０℃であることがわかった。Ｍｓ×Ｈｃ
は、キュリー温度である２１０℃より５０℃低い１６０
℃の温度においても約１．９×１０4erg/cm3であった。
また、磁壁抗磁力は、図１２(a) に示したヒステリシス
曲線より０．３５ＫＯｅであることがわかった。
の光磁気記録層の保磁力Ｈｃ及び飽和磁化Ｍｓを種々の
温度にて測定した。保磁力Ｈｃ及び飽和磁化Ｍｓは振動
試料法によるヒステリシス曲線を求めて測定した。得ら
れた結果を図２に示す。この光磁気ディスクの光磁気記
録層のキュリー温度Ｔｃは２１０℃であり、補償温度は
室温より高い９０℃であることがわかった。Ｍｓ×Ｈｃ
は、キュリー温度である２１０℃より５０℃低い１６０
℃の温度においても約１．９×１０4erg/cm3であった。
また、磁壁抗磁力は、図１２(a) に示したヒステリシス
曲線より０．３５ＫＯｅであることがわかった。
【００２２】得られた光磁気ディスクに、サンプル信号
を、線速７．５ｍ／ｓ、記録周波数５．８５ＭＨｚ、デ
ューティー比５０％、記録パワー６ｍＷの条件下で、磁
界変調方式で種々の磁界強度にて記録した。この信号を
再生パワー１．５ｍＷで再生して各磁界強度で記録した
信号のＣ／Ｎ比を測定した。記録磁界に対するＣ／Ｎ比
を図３に示す。図３より、再生信号のＣ／Ｎ比は、記録
磁界が約５０（Ｏｅ）の低磁界で飽和することがわか
る。一般に、記録された情報、すなわち形成された磁区
は再生時の温度上昇によって記録情報が劣化する場合が
あるが、本実施例の光磁気ディスクでは補償温度を室温
以上にすることでかかる劣化が防止されていると考えら
れる。
を、線速７．５ｍ／ｓ、記録周波数５．８５ＭＨｚ、デ
ューティー比５０％、記録パワー６ｍＷの条件下で、磁
界変調方式で種々の磁界強度にて記録した。この信号を
再生パワー１．５ｍＷで再生して各磁界強度で記録した
信号のＣ／Ｎ比を測定した。記録磁界に対するＣ／Ｎ比
を図３に示す。図３より、再生信号のＣ／Ｎ比は、記録
磁界が約５０（Ｏｅ）の低磁界で飽和することがわか
る。一般に、記録された情報、すなわち形成された磁区
は再生時の温度上昇によって記録情報が劣化する場合が
あるが、本実施例の光磁気ディスクでは補償温度を室温
以上にすることでかかる劣化が防止されていると考えら
れる。
【００２３】実施例２ 第１磁性層のＴｂ24.5Ｆｅ66.5Ｃｏ9 層の膜厚を２２０
Ａ、第２磁性層のＴｂ20Ｆｅ66Ｃｏ12Ｎｂ2 層の膜厚を
３０Ａとした以外は、実施例１と同様にして光磁気ディ
スクを作製した。上記のようにして得られた光磁気ディ
スクの光磁気記録層の保磁力Ｈｃ及び飽和磁化Ｍｓを実
施例１と同様にして種々の温度にて測定した。得られた
結果を図４に示す。この光磁気ディスクの光磁気記録層
のキュリー温度Ｔｃは２１０℃であり、補償温度は室温
より高い８０℃であることがわかった。Ｍｓ×Ｈｃは、
キュリー温度である２１０℃より５０℃低い１６０℃の
温度において、約１．８×１０4erg/cm3であった。ま
た、ヒステリシス曲線より磁壁抗磁力は０．４０ＫＯｅ
であることがわかった。
Ａ、第２磁性層のＴｂ20Ｆｅ66Ｃｏ12Ｎｂ2 層の膜厚を
３０Ａとした以外は、実施例１と同様にして光磁気ディ
スクを作製した。上記のようにして得られた光磁気ディ
スクの光磁気記録層の保磁力Ｈｃ及び飽和磁化Ｍｓを実
施例１と同様にして種々の温度にて測定した。得られた
結果を図４に示す。この光磁気ディスクの光磁気記録層
のキュリー温度Ｔｃは２１０℃であり、補償温度は室温
より高い８０℃であることがわかった。Ｍｓ×Ｈｃは、
キュリー温度である２１０℃より５０℃低い１６０℃の
温度において、約１．８×１０4erg/cm3であった。ま
た、ヒステリシス曲線より磁壁抗磁力は０．４０ＫＯｅ
であることがわかった。
【００２４】得られた光磁気ディスクに、実施例１と同
様にしてデューティー比５０％のサンプル信号を磁界変
調方式で磁界強度を変化させながら記録した。この信号
を実施例１と同一条件下で再生して各磁界強度で記録し
た信号のＣ／Ｎ比を測定した。記録磁界に対するＣ／Ｎ
比を図５に示す。図５より再生信号のＣ／Ｎ比は、記録
磁界が約５０（Ｏｅ）の低磁界で飽和することがわか
る。
様にしてデューティー比５０％のサンプル信号を磁界変
調方式で磁界強度を変化させながら記録した。この信号
を実施例１と同一条件下で再生して各磁界強度で記録し
た信号のＣ／Ｎ比を測定した。記録磁界に対するＣ／Ｎ
比を図５に示す。図５より再生信号のＣ／Ｎ比は、記録
磁界が約５０（Ｏｅ）の低磁界で飽和することがわか
る。
【００２５】比較例 光磁気記録層として膜厚２５０ＡのＴｂ25.5Ｆｅ62.5Ｃ
ｏ12磁性層のみを設け、第２磁性層を設けなかった以外
は、実施例１と同様にして光磁気ディスクを製造した。
上記のようにして得られた光磁気ディスクの光磁気記録
層の保磁力Ｈｃ及び飽和磁化Ｍｓを実施例１と同様にし
て種々の温度にて測定した。得られた結果を図１０に示
す。この光磁気ディスクの光磁気記録層のキュリー温度
Ｔｃは２２０℃であり、補償温度は１００℃であること
がわかった。Ｍｓ×Ｈｃは、キュリー温度である２２０
℃より５０℃低い１７０℃の温度において、約７．０×
１０4erg/cm3であった。
ｏ12磁性層のみを設け、第２磁性層を設けなかった以外
は、実施例１と同様にして光磁気ディスクを製造した。
上記のようにして得られた光磁気ディスクの光磁気記録
層の保磁力Ｈｃ及び飽和磁化Ｍｓを実施例１と同様にし
て種々の温度にて測定した。得られた結果を図１０に示
す。この光磁気ディスクの光磁気記録層のキュリー温度
Ｔｃは２２０℃であり、補償温度は１００℃であること
がわかった。Ｍｓ×Ｈｃは、キュリー温度である２２０
℃より５０℃低い１７０℃の温度において、約７．０×
１０4erg/cm3であった。
【００２６】得られた光磁気ディスクに、実施例１と同
様にしてサンプル信号を磁界変調方式で磁界強度を変化
させながら記録した。この信号を実施例１の同一条件下
で再生して各磁界強度で記録した信号のＣ／Ｎ比を測定
した。記録磁界に対するＣ／Ｎ比を図１１に示す。図１
１より再生信号のＣ／Ｎ比が飽和する磁界は、約２５０
（Ｏｅ）であり実施例１及び２で得られた光磁気ディス
クよりかなり高いことがわかった。
様にしてサンプル信号を磁界変調方式で磁界強度を変化
させながら記録した。この信号を実施例１の同一条件下
で再生して各磁界強度で記録した信号のＣ／Ｎ比を測定
した。記録磁界に対するＣ／Ｎ比を図１１に示す。図１
１より再生信号のＣ／Ｎ比が飽和する磁界は、約２５０
（Ｏｅ）であり実施例１及び２で得られた光磁気ディス
クよりかなり高いことがわかった。
【００２７】実施例３ この実施例では、光磁気記録層（磁性層）を１層とした
光磁気ディスクを製造する。光磁気記録層を以下のよう
にして製造した以外は、実施例１と同様にして光磁気デ
ィスクを製造した。光磁気記録層は、ターゲットとして
Ｔｂ24Ｆｅ67Ｃｏ9 を用い、０．２Ｐａの圧力のＡｒガ
ス中で、スパッタ投入パワー２．５ｋＷ、バイアス電圧
０Ｖとして成膜した。バイアス電圧は、通常、Ａｒイオ
ンにより自己バイアスとして＋数百ボルトかかっている
が、これを補償するように電圧をかけてバイアス電圧を
０Ｖとした。形成された光磁気記録層の膜厚は、２５０
Ａであった。
光磁気ディスクを製造する。光磁気記録層を以下のよう
にして製造した以外は、実施例１と同様にして光磁気デ
ィスクを製造した。光磁気記録層は、ターゲットとして
Ｔｂ24Ｆｅ67Ｃｏ9 を用い、０．２Ｐａの圧力のＡｒガ
ス中で、スパッタ投入パワー２．５ｋＷ、バイアス電圧
０Ｖとして成膜した。バイアス電圧は、通常、Ａｒイオ
ンにより自己バイアスとして＋数百ボルトかかっている
が、これを補償するように電圧をかけてバイアス電圧を
０Ｖとした。形成された光磁気記録層の膜厚は、２５０
Ａであった。
【００２８】得られた光磁気ディスクの光磁気記録層の
保磁力Ｈｃ、飽和磁化Ｍｓ及びそれらの積を実施例１と
同様にして求め、図６に示した。この光磁気ディスクの
光磁気記録層のキュリー温度Ｔｃは２００℃であり、補
償温度は室温より高い８０℃であることがわかった。Ｍ
ｓ×Ｈｃは、キュリー温度である２００℃より５０℃低
い１５０℃の温度において、約３．５×１０4erg/cm3で
あった。また、ヒステリシス曲線より磁壁抗磁力は０．
６０ＫＯｅであることがわかった。
保磁力Ｈｃ、飽和磁化Ｍｓ及びそれらの積を実施例１と
同様にして求め、図６に示した。この光磁気ディスクの
光磁気記録層のキュリー温度Ｔｃは２００℃であり、補
償温度は室温より高い８０℃であることがわかった。Ｍ
ｓ×Ｈｃは、キュリー温度である２００℃より５０℃低
い１５０℃の温度において、約３．５×１０4erg/cm3で
あった。また、ヒステリシス曲線より磁壁抗磁力は０．
６０ＫＯｅであることがわかった。
【００２９】また、この光磁気ディスクに実施例１と同
様にしてサンプル信号を記録して記録磁界に対するＣ／
Ｎ比の関係を調べた。結果を図７に示す。実線はバイア
ス電圧を０Ｖとした場合、破線は自己バイアスのみの場
合を示す。図７より再生信号のＣ／Ｎ比は、記録磁界が
約９０（Ｏｅ）の低磁界で飽和することがわかる。
様にしてサンプル信号を記録して記録磁界に対するＣ／
Ｎ比の関係を調べた。結果を図７に示す。実線はバイア
ス電圧を０Ｖとした場合、破線は自己バイアスのみの場
合を示す。図７より再生信号のＣ／Ｎ比は、記録磁界が
約９０（Ｏｅ）の低磁界で飽和することがわかる。
【００３０】実施例４ 光磁気記録層を以下のようにして成膜した以外は、実施
例１と同様にして光磁気ディスクを製造した。ターゲッ
トとしてＴｂ24Ｆｅ67Ｃｏ9 を用い、０．２Ｐａの圧力
のＡｒガス中で、ランプヒータを用いて基板を加熱しな
がら、２５０Ａの膜厚で成膜した。ランプは、基板が光
磁気記録層形成用の成膜室に搬入直後からスパッタ中も
含めて９０秒間の間、照射させた。このときの基板の最
高温度が約８０℃であることをサーモラベルで確認し
た。
例１と同様にして光磁気ディスクを製造した。ターゲッ
トとしてＴｂ24Ｆｅ67Ｃｏ9 を用い、０．２Ｐａの圧力
のＡｒガス中で、ランプヒータを用いて基板を加熱しな
がら、２５０Ａの膜厚で成膜した。ランプは、基板が光
磁気記録層形成用の成膜室に搬入直後からスパッタ中も
含めて９０秒間の間、照射させた。このときの基板の最
高温度が約８０℃であることをサーモラベルで確認し
た。
【００３１】得られた光磁気ディスクの光磁気記録層の
保磁力Ｈｃ、飽和磁化Ｍｓ及びそれらの積を実施例１と
同様にして求め、図８に示した。この光磁気ディスクの
光磁気記録層のキュリー温度Ｔｃは２００℃であり、補
償温度は室温より高い８０℃であることがわかった。Ｍ
ｓ×Ｈｃは、キュリー温度である２００℃より５０℃低
い１５０℃の温度において、約２．４×１０4erg/cm3で
あった。また、ヒステリシス曲線より磁壁抗磁力は０．
５０ＫＯｅであることがわかった。
保磁力Ｈｃ、飽和磁化Ｍｓ及びそれらの積を実施例１と
同様にして求め、図８に示した。この光磁気ディスクの
光磁気記録層のキュリー温度Ｔｃは２００℃であり、補
償温度は室温より高い８０℃であることがわかった。Ｍ
ｓ×Ｈｃは、キュリー温度である２００℃より５０℃低
い１５０℃の温度において、約２．４×１０4erg/cm3で
あった。また、ヒステリシス曲線より磁壁抗磁力は０．
５０ＫＯｅであることがわかった。
【００３２】また、この光磁気ディスクに実施例１と同
様にしてサンプル信号を記録して記録磁界に対するＣ／
Ｎ比の関係を調べた。結果を図９に示す。図９より再生
信号のＣ／Ｎ比は、記録磁界が約６０（Ｏｅ）の低磁界
で飽和することがわかる。
様にしてサンプル信号を記録して記録磁界に対するＣ／
Ｎ比の関係を調べた。結果を図９に示す。図９より再生
信号のＣ／Ｎ比は、記録磁界が約６０（Ｏｅ）の低磁界
で飽和することがわかる。
【００３３】本発明の光磁気ディスクが低磁界で良好な
記録消去ができる理由は明確ではないが、実施例１の光
磁気ディスクではキュリー温度近傍で異方性エネルギー
を小さくなっているものと考えられる。実施例２の光磁
気ディスクでは、Ｃｏ−Ｃｒの微細な多結晶系では、結
晶粒間での交換定数が小さくなり、その結果、磁化反転
にいわゆる一斉回転型の寄与が加わり、その影響でＴｂ
ＦｅＣｏ層の磁化反転を生じさせる核となる部分の生成
が促進されるのではないかと考えられる。いずれにして
も実施例の光磁気ディスクでは異方性定数や交換定数が
減少したことで高温での磁壁エネルギーが下がり、磁壁
の磁界に対する応答性が良くなっている。一般に高温領
域での異方性エネルギーが小さい場合、記録された磁区
の形状が不規則になるとされているが本発明ではその影
響を防止する目的で補償温度を室温より高いところに設
け、キュリー温度より５０℃程度低い温度から室温まで
非常に大きな保磁力及ピンニングサイトを持たせて磁区
形状の規則性を保持させている。
記録消去ができる理由は明確ではないが、実施例１の光
磁気ディスクではキュリー温度近傍で異方性エネルギー
を小さくなっているものと考えられる。実施例２の光磁
気ディスクでは、Ｃｏ−Ｃｒの微細な多結晶系では、結
晶粒間での交換定数が小さくなり、その結果、磁化反転
にいわゆる一斉回転型の寄与が加わり、その影響でＴｂ
ＦｅＣｏ層の磁化反転を生じさせる核となる部分の生成
が促進されるのではないかと考えられる。いずれにして
も実施例の光磁気ディスクでは異方性定数や交換定数が
減少したことで高温での磁壁エネルギーが下がり、磁壁
の磁界に対する応答性が良くなっている。一般に高温領
域での異方性エネルギーが小さい場合、記録された磁区
の形状が不規則になるとされているが本発明ではその影
響を防止する目的で補償温度を室温より高いところに設
け、キュリー温度より５０℃程度低い温度から室温まで
非常に大きな保磁力及ピンニングサイトを持たせて磁区
形状の規則性を保持させている。
【００３４】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、１００（Ｏ
ｅ）以下の低磁界での記録／消去が可能である。従っ
て、本発明の光磁気記録媒体は、特に、磁界の極性が高
速でスイッチングされる磁界変調記録方式による記録に
好適である。また、本発明の光磁気記録媒体は、光磁気
ディスク用の記録装置の小型化及び省エネルギー化に貢
献する。
ｅ）以下の低磁界での記録／消去が可能である。従っ
て、本発明の光磁気記録媒体は、特に、磁界の極性が高
速でスイッチングされる磁界変調記録方式による記録に
好適である。また、本発明の光磁気記録媒体は、光磁気
ディスク用の記録装置の小型化及び省エネルギー化に貢
献する。
【図１】実施例１で得られた光磁気ディスクの部分断面
図を示す。
図を示す。
【図２】実施例１の光磁気ディスクの保磁力Ｈｃ、飽和
磁化Ｍｓ及びそれらの積Ｈｃ×Ｍｓの温度特性を示すグ
ラフである。
磁化Ｍｓ及びそれらの積Ｈｃ×Ｍｓの温度特性を示すグ
ラフである。
【図３】実施例１の光磁気ディスクを磁界変調記録で記
録した場合のＣ／Ｎ比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
録した場合のＣ／Ｎ比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
【図４】実施例２の光磁気ディスクの保磁力Ｈｃ、飽和
磁化Ｍｓ及びそれらの積Ｈｃ×Ｍｓの温度特性を示すグ
ラフである。
磁化Ｍｓ及びそれらの積Ｈｃ×Ｍｓの温度特性を示すグ
ラフである。
【図５】実施例２の光磁気ディスクを磁界変調記録で記
録した場合のＣ／Ｎ比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
録した場合のＣ／Ｎ比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
【図６】実施例３の光磁気ディスクの保磁力Ｈｃ、飽和
磁化Ｍｓ及びそれらの積Ｈｃ×Ｍｓの温度特性を示すグ
ラフである。
磁化Ｍｓ及びそれらの積Ｈｃ×Ｍｓの温度特性を示すグ
ラフである。
【図７】実施例３の光磁気ディスクを磁界変調記録で記
録した場合のＣ／Ｎ比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
録した場合のＣ／Ｎ比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
【図８】実施例４の光磁気ディスクの保磁力Ｈｃ、飽和
磁化Ｍｓ及びそれらの積Ｈｃ×Ｍｓの温度特性を示すグ
ラフである。
磁化Ｍｓ及びそれらの積Ｈｃ×Ｍｓの温度特性を示すグ
ラフである。
【図９】実施例４の光磁気ディスクを磁界変調記録で記
録した場合のＣ／Ｎ比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
録した場合のＣ／Ｎ比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
【図１０】比較例の光磁気ディスクの保磁力Ｈｃ、飽和
磁化Ｍｓ及びそれらの積Ｈｃ×Ｍｓの温度特性を示すグ
ラフである。
磁化Ｍｓ及びそれらの積Ｈｃ×Ｍｓの温度特性を示すグ
ラフである。
【図１１】比較例の光磁気ディスクを磁界変調記録で記
録した場合のＣ／Ｎ比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
録した場合のＣ／Ｎ比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
【図１２】１６０℃における磁化ヒステリシスの初磁化
曲線を示し、（ａ）は実施例１の光磁気ディスクで測定
した曲線であり、（ｂ）は比較例の光磁気ディスクで測
定した曲線である。
曲線を示し、（ａ）は実施例１の光磁気ディスクで測定
した曲線であり、（ｂ）は比較例の光磁気ディスクで測
定した曲線である。
１ ポリカーボネート基板 ２ 第１誘電体層 ３ 第１磁気記録層 ４ 第２磁気記録層 ５ 第２誘電体層 ６ 反射層 ７ 保護層
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上に第１誘電体層、光磁気記録層、
第２誘電体層及び反射層を含む光磁気記録媒体におい
て、 上記光磁気記録層が、キュリー温度Ｔｃ〜（Ｔｃ−５
０）℃の温度範囲において、飽和磁化Ｍｓと保磁力Ｈｃ
の積として４×１０4erg/cm3以下の値を有することを特
徴とする上記光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 上記光磁気記録層が、キュリー温度Ｔｃ
〜（Ｔｃ−５０）℃の温度範囲において、磁壁抗磁力と
して１．０ＫＯｅ以下の値を有することを特徴とする請
求項１の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 上記光磁気記録層が、キュリー温度Ｔｃ
〜（Ｔｃ−５０）℃の温度範囲において、飽和磁化Ｍｓ
と保磁力Ｈｃの積として２×１０4erg/cm3以下の値を有
し且つ磁壁抗磁力として０．５ＫＯｅ以下の値を有する
ことを特徴とする請求項１または２の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 上記光磁気記録層の補償温度Ｔcom が、
キュリー温度Ｔｃよりも８０℃以上低いことを特徴とす
る請求項１から３のいずれか一項の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 上記光磁気記録層の補償温度Ｔcom が、
周囲温度よりも高いことを特徴とする請求項１〜４のい
ずれか一項の光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 上記光磁気記録層が、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ
系第１磁性層及びＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｂ系第２磁性層
から構成されていることを特徴とする請求項１〜５のい
ずれか一項の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 第１磁性層の膜厚が２００〜２３０Ａで
あり且つ第２磁性層の膜厚が３０〜５０Ａであることを
特徴とする請求項６の光磁気記録媒体。 - 【請求項８】 上記光磁気記録層が、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ
系磁性層であり且つ基板を加熱しながらスパッタ法によ
り成膜されてなることを特徴とする請求項１〜５のいず
れか一項の光磁気記録媒体。 - 【請求項９】 基板の加熱温度が、８０℃〜１２０℃で
あることを特徴とする請求項８の光磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 磁界変調方式で記録再生されることを
特徴とする請求項１〜９のいずれか一項の光磁気記録媒
体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7176554A JPH08115541A (ja) | 1994-08-24 | 1995-06-20 | 光磁気記録媒体 |
| US08/518,889 US5598399A (en) | 1994-08-24 | 1995-08-24 | Magneto-optical recording medium having multiple magnetic layers for magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-222417 | 1994-08-24 | ||
| JP22241794 | 1994-08-24 | ||
| JP7176554A JPH08115541A (ja) | 1994-08-24 | 1995-06-20 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08115541A true JPH08115541A (ja) | 1996-05-07 |
Family
ID=26497421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7176554A Withdrawn JPH08115541A (ja) | 1994-08-24 | 1995-06-20 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5598399A (ja) |
| JP (1) | JPH08115541A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7227827B2 (en) | 2000-03-13 | 2007-06-05 | Optware Corporation | Optical information recording apparatus, optical information reproducing apparatus, optical information recording/reproducing apparatus, and optical information recording medium |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5815484A (en) * | 1995-12-28 | 1998-09-29 | Hide And Seek Technologies L.L.C. | Copy protectable optical media device and methodology therefor |
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