JPH08112684A - 深溶込形成方法及び該方法を用いた溶接方法 - Google Patents
深溶込形成方法及び該方法を用いた溶接方法Info
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- JPH08112684A JPH08112684A JP6247642A JP24764294A JPH08112684A JP H08112684 A JPH08112684 A JP H08112684A JP 6247642 A JP6247642 A JP 6247642A JP 24764294 A JP24764294 A JP 24764294A JP H08112684 A JPH08112684 A JP H08112684A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単に深溶込を得られるようにする。
【構成】 材料１０，１１上に形成した低融点金属盛込
部２０により、溶込形成用トーチ１３からの溶込形成用
ビームを集中させるようにして、材料１０，１１に幅が
狭くて深い溶込み、即ち、深溶込を形成させるようにす
る。
部２０により、溶込形成用トーチ１３からの溶込形成用
ビームを集中させるようにして、材料１０，１１に幅が
狭くて深い溶込み、即ち、深溶込を形成させるようにす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、深溶込形成方法及び該
方法を用いた溶接方法に関するものである。
方法を用いた溶接方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】材料を溶接する場合、図１１に示すよう
に、材料１，２の端面どうしを単純に突合せて、溶接ト
ーチ３から突合部４へ向けてアーク５を発生させること
が第一に考えられる。しかし、このようにした場合、図
１２に示すような広く浅い溶込６しか得ることができな
いので、材料１，２を溶接することはできない。
に、材料１，２の端面どうしを単純に突合せて、溶接ト
ーチ３から突合部４へ向けてアーク５を発生させること
が第一に考えられる。しかし、このようにした場合、図
１２に示すような広く浅い溶込６しか得ることができな
いので、材料１，２を溶接することはできない。
【０００３】そのため、図１３に示すように、予め材料
１，２の突合部４を欠いて開先７を形成しておき、該開
先７に対して肉盛を行わせることにより、材料１，２を
溶接することが一般的に行われている。
１，２の突合部４を欠いて開先７を形成しておき、該開
先７に対して肉盛を行わせることにより、材料１，２を
溶接することが一般的に行われている。
【０００４】尚、上記のように開先７を形成する場合、
開先７の奥部８を構成する材料１，２中に不純物として
微量に含まれるイオウ分の影響により、開先７の奥部８
が過剰に溶かされて、健全な裏波が形成されない可能性
があるため、必要に応じて、図１４に示すように、開先
７の奥部８にインサート材９を介在させ、先ずインサー
ト材９を適当な溶接条件で溶融して健全な裏波を形成さ
せてから、上記と同様に、開先７を肉盛して溶接する場
合もある。
開先７の奥部８を構成する材料１，２中に不純物として
微量に含まれるイオウ分の影響により、開先７の奥部８
が過剰に溶かされて、健全な裏波が形成されない可能性
があるため、必要に応じて、図１４に示すように、開先
７の奥部８にインサート材９を介在させ、先ずインサー
ト材９を適当な溶接条件で溶融して健全な裏波を形成さ
せてから、上記と同様に、開先７を肉盛して溶接する場
合もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法には、以下のような問題があった。
来の方法には、以下のような問題があった。
【０００６】即ち、単純に材料１，２の端部を突き合わ
せただけでは、深い溶込６が得られないため、材料１，
２にいちいち開先７を形成しなければならず、溶接など
の場合に手間が掛かっていた。
せただけでは、深い溶込６が得られないため、材料１，
２にいちいち開先７を形成しなければならず、溶接など
の場合に手間が掛かっていた。
【０００７】又、深い溶込６が得られないため、溶接ト
ーチ３を用いて材料１，２の溶断や穿孔、或いは、表面
肉盛などを行う場合にも充分な作業効率が得られなかっ
た。
ーチ３を用いて材料１，２の溶断や穿孔、或いは、表面
肉盛などを行う場合にも充分な作業効率が得られなかっ
た。
【０００８】本発明は、上述の実情に鑑み、簡単に深溶
込が得られるようにした深溶込形成方法及び該方法を用
いた溶接方法を提供することを目的とするものである。
込が得られるようにした深溶込形成方法及び該方法を用
いた溶接方法を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、材料における
ビーム照射部の上に低融点金属盛込部を形成し、ビーム
照射部へ向けて溶込形成用トーチから溶込形成用ビーム
を放射することにより、溶込形成用ビームを集中させ、
材料に深溶込を形成することを特徴とする深溶込形成方
法にかかるものである。
ビーム照射部の上に低融点金属盛込部を形成し、ビーム
照射部へ向けて溶込形成用トーチから溶込形成用ビーム
を放射することにより、溶込形成用ビームを集中させ、
材料に深溶込を形成することを特徴とする深溶込形成方
法にかかるものである。
【００１０】この場合において、低融点金属盛込部に使
用される低融点金属を、イオウ又はリンとしても良い。
用される低融点金属を、イオウ又はリンとしても良い。
【００１１】又、材料の端面どうしを直接突合せること
により、突合部に接合線を形成し、該接合線をビーム照
射部として、上記の方法を行うことにより、突合部に深
溶込を形成し、突合された材料を直接溶接することを特
徴とする溶接方法にかかるものである。
により、突合部に接合線を形成し、該接合線をビーム照
射部として、上記の方法を行うことにより、突合部に深
溶込を形成し、突合された材料を直接溶接することを特
徴とする溶接方法にかかるものである。
【００１２】更に、端面に低融点金属盛込部を形成した
材料どうしを直接突合せ、突合部に形成された接合線を
ビーム照射部として、溶込形成用トーチから溶込形成用
ビームを放射することにより、ビーム照射部に溶込形成
用ビームを集中させ、材料を直接溶接することを特徴と
する溶接方法にかかるものである。
材料どうしを直接突合せ、突合部に形成された接合線を
ビーム照射部として、溶込形成用トーチから溶込形成用
ビームを放射することにより、ビーム照射部に溶込形成
用ビームを集中させ、材料を直接溶接することを特徴と
する溶接方法にかかるものである。
【００１３】
【作用】本発明の作用は以下の通りである。
【００１４】材料上で、溶込形成用トーチからの溶込形
成用ビームを集中させるようにすれば、材料に幅が狭く
て深い溶込み、即ち、深溶込を形成することが可能とな
る。
成用ビームを集中させるようにすれば、材料に幅が狭く
て深い溶込み、即ち、深溶込を形成することが可能とな
る。
【００１５】具体的には、材料におけるビーム照射部の
上に低融点金属盛込部を形成し、ビーム照射部へ向けて
溶込形成用トーチから溶込形成用ビームを放射すれば、
低融点金属盛込部によって溶込形成用ビームが引寄せら
れるため、溶込形成用ビームが集中され、材料に深溶込
を形成することが可能となる。
上に低融点金属盛込部を形成し、ビーム照射部へ向けて
溶込形成用トーチから溶込形成用ビームを放射すれば、
低融点金属盛込部によって溶込形成用ビームが引寄せら
れるため、溶込形成用ビームが集中され、材料に深溶込
を形成することが可能となる。
【００１６】この際、低融点金属盛込部は、ビーム照射
部のエネルギーにより燃焼されてしまうが、燃え残った
僅かの低融点金属が、溶融した材料の下方への流動を促
進し、より深い溶込みを形成させる。
部のエネルギーにより燃焼されてしまうが、燃え残った
僅かの低融点金属が、溶融した材料の下方への流動を促
進し、より深い溶込みを形成させる。
【００１７】低融点金属は、最終的には完全に燃焼され
てしまうので、溶融部に影響を与えることがない。
てしまうので、溶融部に影響を与えることがない。
【００１８】この場合において、低融点金属盛込部に使
用される低融点金属を、イオウ又はリンとするのが適し
ている。
用される低融点金属を、イオウ又はリンとするのが適し
ている。
【００１９】そして、材料の端面どうしを直接突合せる
ことにより、突合部に接合線を形成し、該接合線をビー
ム照射部として、上記の方法を行うことにより、突合部
に深溶込が形成され、突合された材料が直接溶接され
る。
ことにより、突合部に接合線を形成し、該接合線をビー
ム照射部として、上記の方法を行うことにより、突合部
に深溶込が形成され、突合された材料が直接溶接され
る。
【００２０】又、材料の端面に直接低融点金属盛込部を
形成しても同様に材料を直接溶接することができる。
形成しても同様に材料を直接溶接することができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説
明する。
明する。
【００２２】図１〜図３は、本発明の第一の実施例であ
る。
る。
【００２３】又、図中、１０，１１はステンレスや鋼な
どの材料、１２は材料１０，１１の端部どうしの突合部
などのビーム照射部、１３はビーム照射部１２へ向けて
配置された溶接トーチなどの溶込形成用トーチ、１４は
溶込形成用トーチ１３から放射されるアークなどの溶込
形成用ビーム、１５は溶接ワイヤ、１６はビーム照射部
１２に形成されたビード、１７は材料１０，１１に形成
された深溶込である。
どの材料、１２は材料１０，１１の端部どうしの突合部
などのビーム照射部、１３はビーム照射部１２へ向けて
配置された溶接トーチなどの溶込形成用トーチ、１４は
溶込形成用トーチ１３から放射されるアークなどの溶込
形成用ビーム、１５は溶接ワイヤ、１６はビーム照射部
１２に形成されたビード、１７は材料１０，１１に形成
された深溶込である。
【００２４】又、１８は溶込形成用トーチ１３の近傍に
配置された、図示しない吸引装置の吸引ノズル、１９は
材料１０，１１のビーム照射部１２の両側部に必要に応
じて配置されるヒータである。
配置された、図示しない吸引装置の吸引ノズル、１９は
材料１０，１１のビーム照射部１２の両側部に必要に応
じて配置されるヒータである。
【００２５】２０は材料１０，１１のビーム照射部１２
上にイオウやリンなどを盛込んで形成された低融点金属
盛込部である。
上にイオウやリンなどを盛込んで形成された低融点金属
盛込部である。
【００２６】本発明では、先ず、材料１０，１１の端部
どうしをぴったりと突合せた突合部をビーム照射部１２
とし、該ビーム照射部１２の上部に、粉状のイオウを水
ガラス（珪酸ナトリウム）や接着剤などのバインダーに
溶いて成るペーストを塗布するなどして低融点金属盛込
部２０を形成する。
どうしをぴったりと突合せた突合部をビーム照射部１２
とし、該ビーム照射部１２の上部に、粉状のイオウを水
ガラス（珪酸ナトリウム）や接着剤などのバインダーに
溶いて成るペーストを塗布するなどして低融点金属盛込
部２０を形成する。
【００２７】更に、作業効率を向上するため、必要に応
じて、ビーム照射部１２の両側部にヒータ１９を配置し
て、ビーム照射部１２を予熱する。
じて、ビーム照射部１２の両側部にヒータ１９を配置し
て、ビーム照射部１２を予熱する。
【００２８】しかる後に、低融点金属盛込部２０へ向け
てＴＩＧやＭＡＧなどの溶接トーチから成る溶込形成用
トーチ１３や吸引ノズル１８を配置し、溶込形成用トー
チ１３に溶接ワイヤ１５を送給しつつ、溶込形成用トー
チ１３からアークなどの溶込形成用ビーム１４を放射す
る。
てＴＩＧやＭＡＧなどの溶接トーチから成る溶込形成用
トーチ１３や吸引ノズル１８を配置し、溶込形成用トー
チ１３に溶接ワイヤ１５を送給しつつ、溶込形成用トー
チ１３からアークなどの溶込形成用ビーム１４を放射す
る。
【００２９】すると、材料１０，１１の上部に形成され
た低融点金属盛込部２０は溶込形成用ビーム１４の熱で
ほとんどが燃焼されてしまい、煙となって放散される。
た低融点金属盛込部２０は溶込形成用ビーム１４の熱で
ほとんどが燃焼されてしまい、煙となって放散される。
【００３０】このとき発生した煙は、必要に応じて、吸
引ノズル１８から吸引される。
引ノズル１８から吸引される。
【００３１】そして、低融点金属盛込部２０の燃焼と同
時に、溶込形成用ビーム１４のエネルギーにより、材料
１０，１１のビーム照射部１２が溶融されるが、このと
き、低融点金属であるイオウ分が溶込形成用ビーム１４
を引寄せるため、溶込形成用ビーム１４が集中され、且
つ、燃え残った微量のイオウ分が、材料１０，１１の溶
融を促進すると共に、溶融した材料１０，１１の垂直方
向の流動を促進する結果、図３に示すように、材料１
０，１１に幅が狭くて深い溶込み、即ち、深溶込１７が
形成される。
時に、溶込形成用ビーム１４のエネルギーにより、材料
１０，１１のビーム照射部１２が溶融されるが、このと
き、低融点金属であるイオウ分が溶込形成用ビーム１４
を引寄せるため、溶込形成用ビーム１４が集中され、且
つ、燃え残った微量のイオウ分が、材料１０，１１の溶
融を促進すると共に、溶融した材料１０，１１の垂直方
向の流動を促進する結果、図３に示すように、材料１
０，１１に幅が狭くて深い溶込み、即ち、深溶込１７が
形成される。
【００３２】ここで、イオウ分について説明すると、通
常、ステンレスや鋼などの材料１０，１１中には、微量
のイオウ分が含有されており、該イオウ分は材料１０，
１１の過剰な溶融を引起こすため、図１３に示すよう
に、開先７に対して溶接を行う場合に、材料１，２中の
イオウ分が原因となって健全な裏波ができなくなるの
で、図１４に示すように、開先７にわざわざインサート
材９を介在させた状態で予め裏波を形成させてやるなど
して、イオウ分の影響を排除するようにしている。
常、ステンレスや鋼などの材料１０，１１中には、微量
のイオウ分が含有されており、該イオウ分は材料１０，
１１の過剰な溶融を引起こすため、図１３に示すよう
に、開先７に対して溶接を行う場合に、材料１，２中の
イオウ分が原因となって健全な裏波ができなくなるの
で、図１４に示すように、開先７にわざわざインサート
材９を介在させた状態で予め裏波を形成させてやるなど
して、イオウ分の影響を排除するようにしている。
【００３３】このように、溶接などの分野においては、
イオウ分は邪魔物として扱われているが、発想を転換
し、上記のようにイオウ分による材料１０，１１の過剰
な溶込みを積極的に利用するようにしたところ、材料１
０，１１に深溶込１７を形成することが可能となった。
尚、イオウ分は最終的には完全に燃焼されることになる
ので影響は残らない。
イオウ分は邪魔物として扱われているが、発想を転換
し、上記のようにイオウ分による材料１０，１１の過剰
な溶込みを積極的に利用するようにしたところ、材料１
０，１１に深溶込１７を形成することが可能となった。
尚、イオウ分は最終的には完全に燃焼されることになる
ので影響は残らない。
【００３４】このように深溶込１７が得られるようにな
ると、通常の厚さの材料１０，１１であれば、開先を設
けずに溶接を行うことができるようになり、又、厚い材
料１０，１１で開先を設けなければならない場合でも、
溶接の必要パス数を大幅に減少して作業を効率化するこ
とができるようになり、更に、図４に示すような、中程
度の厚さの材料２１，２２の場合には、材料２１，２２
を裏返して深溶込１７を２度形成させることにより、開
先を設けずに溶接を行うことができるようになる。
ると、通常の厚さの材料１０，１１であれば、開先を設
けずに溶接を行うことができるようになり、又、厚い材
料１０，１１で開先を設けなければならない場合でも、
溶接の必要パス数を大幅に減少して作業を効率化するこ
とができるようになり、更に、図４に示すような、中程
度の厚さの材料２１，２２の場合には、材料２１，２２
を裏返して深溶込１７を２度形成させることにより、開
先を設けずに溶接を行うことができるようになる。
【００３５】又、接合する材料１０，１１，２１，２２
をヒータ１９で予熱することにより、より深い深溶込１
７を得ることができる。
をヒータ１９で予熱することにより、より深い深溶込１
７を得ることができる。
【００３６】又、溶断や穿孔、表面肉盛などに適用する
場合でも、効率的に作業を行うことが可能となる。
場合でも、効率的に作業を行うことが可能となる。
【００３７】図５は、本発明の第二の実施例であり、材
料１０，１１の端面に低融点金属盛込部２０’を形成
し、低融点金属盛込部２０’どうしを突合せるようにし
た以外は、前記実施例と同様の構成を備えており、同様
の作用・効果を得ることができる。
料１０，１１の端面に低融点金属盛込部２０’を形成
し、低融点金属盛込部２０’どうしを突合せるようにし
た以外は、前記実施例と同様の構成を備えており、同様
の作用・効果を得ることができる。
【００３８】尚、この場合、必要に応じて材料１０，１
１の突合部の上にも低融点金属盛込部２０を形成するよ
うにしても良い。
１の突合部の上にも低融点金属盛込部２０を形成するよ
うにしても良い。
【００３９】図６は、本発明の第三の実施例であり、材
料１０，１１の端面の間にインサート材２４を介在させ
た以外は、前記各実施例と同様の構成を備えており、同
様の作用・効果を得ることができる。
料１０，１１の端面の間にインサート材２４を介在させ
た以外は、前記各実施例と同様の構成を備えており、同
様の作用・効果を得ることができる。
【００４０】図７は、本発明の第四の実施例であり、溶
込形成用ビーム１４としてレーザービームを照射するレ
ーザートーチなどの溶込形成用トーチ１３を用いた以外
は、前記各実施例と同様の構成を備えており、同様の作
用・効果を得ることができる。
込形成用ビーム１４としてレーザービームを照射するレ
ーザートーチなどの溶込形成用トーチ１３を用いた以外
は、前記各実施例と同様の構成を備えており、同様の作
用・効果を得ることができる。
【００４１】図８は、本発明の第五の実施例であり、溶
込形成用ビーム１４として電子ビームを照射する電子ビ
ームトーチなどの溶込形成用トーチ１３を用いた以外
は、前記各実施例と同様の構成を備えており、同様の作
用・効果を得ることができる。
込形成用ビーム１４として電子ビームを照射する電子ビ
ームトーチなどの溶込形成用トーチ１３を用いた以外
は、前記各実施例と同様の構成を備えており、同様の作
用・効果を得ることができる。
【００４２】以下に、本発明の効果を確認するために行
った実験の結果を示す。
った実験の結果を示す。
【００４３】先ず、材料１０として、板厚１２ｍｍのス
テンレス鋼板（ＳＵＳ３１６）を用意する。
テンレス鋼板（ＳＵＳ３１６）を用意する。
【００４４】該ステンレス鋼板の成分は、Ｃが０．０１
５％、Ｓｉが０．６５％、Ｍｎが１．５５％、Ｐが０．
０２９％、Ｓが０．００１％、Ｎｉが１２．６２％、Ｃ
ｒが１７．４９％、Ｍｏが２．６４％、Ｎが０．０９％
である。
５％、Ｓｉが０．６５％、Ｍｎが１．５５％、Ｐが０．
０２９％、Ｓが０．００１％、Ｎｉが１２．６２％、Ｃ
ｒが１７．４９％、Ｍｏが２．６４％、Ｎが０．０９％
である。
【００４５】又、用意した水ガラスの成分は、ＳｉＯ2
が３６〜３８％、Ｎａ０が１７〜１８％、Ｆｅが最大
０．０２％、水分が最大０．０１％である。
が３６〜３８％、Ｎａ０が１７〜１８％、Ｆｅが最大
０．０２％、水分が最大０．０１％である。
【００４６】イオウＳは、純度９７％のものを使用す
る。
る。
【００４７】そして、図９に示すように、ステンレス鋼
板を未塗布領域２７と塗布領域２８に区分けし、塗布領
域２８には、水ガラス１００グラム中に、イオウがそれ
ぞれ０．５グラム，１グラム，３グラム，５グラム、均
一に分布するように良く混合した４種類の低融点金属盛
込部２０を塗布形成し、２４時間自然乾燥した後、乾燥
炉で１５０℃で２時間水分除去処理を行った。
板を未塗布領域２７と塗布領域２８に区分けし、塗布領
域２８には、水ガラス１００グラム中に、イオウがそれ
ぞれ０．５グラム，１グラム，３グラム，５グラム、均
一に分布するように良く混合した４種類の低融点金属盛
込部２０を塗布形成し、２４時間自然乾燥した後、乾燥
炉で１５０℃で２時間水分除去処理を行った。
【００４８】そして、３２０Ａの溶接電流、７ｃｍ／ｍ
ｉｎの溶接速度で、未塗布領域２７から塗布領域２８に
かけてＴＩＧ溶接トーチを一直線上に移動させた。
ｉｎの溶接速度で、未塗布領域２７から塗布領域２８に
かけてＴＩＧ溶接トーチを一直線上に移動させた。
【００４９】その結果、図１０に示すように、塗布領域
２８の１０ｍｍ程度手前からアークが偏る現象が見ら
れ、塗布領域２８ではアークの拡がりがほぼ１／３とな
って溶接ビード１６の幅が狭まり、アークが集中される
のが確認された。
２８の１０ｍｍ程度手前からアークが偏る現象が見ら
れ、塗布領域２８ではアークの拡がりがほぼ１／３とな
って溶接ビード１６の幅が狭まり、アークが集中される
のが確認された。
【００５０】上記実験の結果得られた溶込みの深さは、
未塗布領域２７ではほぼ５．５〜６．０ｍｍ、水ガラス
１００グラム中にイオウを０．５グラム混入したものは
９．０ｍｍ、１グラム混入したものは１２．５ｍｍ、３
グラム混入したものは１２．５ｍｍ、５グラム混入した
ものは１２．０ｍｍとなり、イオウ分の存在によって深
溶込みが得られることが実際に確認された。
未塗布領域２７ではほぼ５．５〜６．０ｍｍ、水ガラス
１００グラム中にイオウを０．５グラム混入したものは
９．０ｍｍ、１グラム混入したものは１２．５ｍｍ、３
グラム混入したものは１２．５ｍｍ、５グラム混入した
ものは１２．０ｍｍとなり、イオウ分の存在によって深
溶込みが得られることが実際に確認された。
【００５１】又、実験後のビーム照射部をＸ線分析装置
で定性分析した所、溶接部からはイオウＳは検出されな
かった。
で定性分析した所、溶接部からはイオウＳは検出されな
かった。
【００５２】従って、ビーム照射後の材料には、イオウ
Ｓの影響がほとんど残らないことが確認された。
Ｓの影響がほとんど残らないことが確認された。
【００５３】尚、本発明は、上述の実施例にのみ限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内に
おいて種々変更を加え得ることは勿論である。
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内に
おいて種々変更を加え得ることは勿論である。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜請求項
４記載の発明によれば、簡単に深溶込を得ることがで
き、溶接などに適用することが可能となるという優れた
効果を奏し得る。
４記載の発明によれば、簡単に深溶込を得ることがで
き、溶接などに適用することが可能となるという優れた
効果を奏し得る。
【図１】本発明の第一の実施例の斜視図である。
【図２】図１の概略正面図である。
【図３】図２の作動図である。
【図４】材料が厚い場合の作動図である。
【図５】本発明の第二の実施例の正面図である。
【図６】本発明の第三の実施例の正面図である。
【図７】本発明の第四の実施例の正面図である。
【図８】本発明の第五の実施例の正面図である。
【図９】本発明の効果を調べるために行った実験の様子
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図１０】図９の実験により得られた溶接ビードの様子
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図１１】従来の溶接を開先を形成しないで行う場合の
正面図である。
正面図である。
【図１２】図１１の作動図である。
【図１３】従来の溶接を開先を形成して行う場合の正面
図である。
図である。
【図１４】図１３の開先にインサート材を介在させた場
合の正面図である。
合の正面図である。
１０，１１，２１，２２ 材料 １２ 突合部（ビーム照射部、接合線） １３ 溶込形成用トーチ １４ 溶込形成用ビーム １７ 深溶込 ２０，２０’ 低融点金属盛込部
Claims (4)
- 【請求項１】 材料におけるビーム照射部の上に低融点
金属盛込部を形成し、ビーム照射部へ向けて溶込形成用
トーチから溶込形成用ビームを放射することにより、溶
込形成用ビームを集中させ、材料に深溶込を形成するこ
とを特徴とする深溶込形成方法。 - 【請求項２】 低融点金属盛込部に使用される低融点金
属が、イオウ又はリンである請求項１記載の深溶込形成
方法。 - 【請求項３】 材料の端面どうしを直接突合せることに
より、突合部に接合線を形成し、該接合線をビーム照射
部として、請求項１又は２の方法を行うことにより、突
合部に深溶込を形成し、突合された材料を直接溶接する
ことを特徴とする溶接方法。 - 【請求項４】 端面に低融点金属盛込部を形成した材料
どうしを直接突合せ、突合部に形成された接合線をビー
ム照射部として、溶込形成用トーチから溶込形成用ビー
ムを放射することにより、ビーム照射部に溶込形成用ビ
ームを集中させ、材料を直接溶接することを特徴とする
溶接方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6247642A JPH08112684A (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | 深溶込形成方法及び該方法を用いた溶接方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6247642A JPH08112684A (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | 深溶込形成方法及び該方法を用いた溶接方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08112684A true JPH08112684A (ja) | 1996-05-07 |
Family
ID=17166537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6247642A Pending JPH08112684A (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | 深溶込形成方法及び該方法を用いた溶接方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08112684A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100567599B1 (ko) * | 1998-12-17 | 2006-10-24 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 용접판의 변형을 방지하는 용접방법 및 그러한 용접방법을 수행하기 위해 이용되는 용접장치 |
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-
1994
- 1994-10-13 JP JP6247642A patent/JPH08112684A/ja active Pending
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