JPH0810246B2

JPH0810246B2 - 半導体ｌｓｉ検査装置用プローブヘッドの製造方法

Info

Publication number: JPH0810246B2
Application number: JP63006785A
Authority: JP
Inventors: 博信沖野; 彰夫藤原; 豊秋庭; 進春日部; 和夫廣田; 正男三谷
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1988-01-18
Filing date: 1988-01-18
Publication date: 1996-01-31
Anticipated expiration: 2011-01-31
Also published as: JPH01184477A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、LSIに代表される半導体装置の検査装置用
プローブヘッド製造方法に係り、特に高密度多ピン化に
好適なプローブヘッド製造方法に関する。

〔従来の技術〕

半導体LSIの電極パッドに接触して電気信号を検査装
置に伝送するプローブヘッドとして、従来の装置は、例
えばテストプローブを形成するのに、予め準備されたプ
ローブピンを個別にプローブ構造体に設けた貫通孔に挿
入した構造のものである。また、プローブピンの先端部
は、電気的接触特性を向上させるため尖鋭化する必要が
あり、プローブピンをプローブ構造体に固着させた後、
切削、研磨により平坦面で得てエッチングによりその先
端を半球状もしくは円錐状に露出形成されている。な
お、この種の装置として関連するものには例えば特開昭
61−80067号が挙げられる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術は、プローブピンの高密度多ピン化の点
について配慮されておらず、プローブピンの組立性やピ
ン先端部位置の高精度化に技術的課題があった。つま
り、従来技術では貫通開孔を有するプローブ構造体にプ
ローブピンを個々に挿入して組立てるため、プローブピ
ンの高密度化、多ピン化に対して高精度な挿入組立技術
が必要となり、一定の限界がある。更に、挿入したプロ
ーブピンの先端部は、特に半導体ウエハの電極パッド
（はんだバンプ）に接触するピン先端部の場合、スプリ
ングレスで、ピン−パッド間の接触抵抗特性を確保する
ため一定のエリア（１チップ分）内で、高さ方向及び横
方向の位置を高精度でそろえる必要がある。従来技術で
は、プローブピンの先端部をエッチングにより形成して
いるが、特に先端部の位置について高精度化の必要性が
配慮されていない。

本発明の目的は、上記技術的課題を解決することにあ
り、プローブヘッド部のピン組立性を向上させると共
に、信頼性の高い高精度ピン立てを実現させるプローブ
ヘッドの製造方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

高精度多ピン化における上記目的のうち、まず組立性
向上については、配線基板の電極パッド部で例えばロウ
付けした導体シートをレジストマスクを用いてウエット
エッチング法によるアンダーカットを用いて選択エッチ
ングすることにより達成される。更に信頼性の高い高精
度ピン立ては、ピン先端部を導体シートの平坦面を用い
る構造とすることにより、また、ピンの基部周縁と配線
基板の露出部とを絶縁性保持体で覆う構造とすることに
より達成される。

次に本発明の半導体LSI検査装置用プローブヘッドの
製造方法について、その特徴点をさらに具体的に説明す
る。

つまり、本発明は、一方の面にピンプローブを植設固
定するための電極パッド列が、そしてその裏面には検査
装置に接続するための電極パッド列がそれぞれ形成さ
れ、しかも前記両面の電極パッド間が特定の配列関係で
電気的に相互に接続された配線基板を準備する工程；導
体シートの一方の面に前記配線基板のピンプローブを植
設固定するための電極パッド列に対応したパターンの電
極パッド列を形成する工程；前記両パッド列を対向させ
導体層を介して前記導体シートを前記配線基板に固定す
る工程；前記工程で固定された前記配線基板と導体シー
トとの間隙に絶縁性保持体を充てんし、固化する工程；
前記導体シートの他方の表面を所望により平滑に研磨し
たのち、前記導体シート表面に前記両電極パッド列の各
パッドと中心位置を同じくした円を含む多角形のマスク
パターンを形成する工程；前記マスクパターンをマスク
として上記導体シートを選択エッチングすることによ
り、上記電極パッド列に対応する円を含む多角形錐状の
尖鋭化したピン列を形成する工程；及び上記マスクを除
去する工程を有することを特徴とする半導体LSI検査装
置用プローブヘッドの製造方法から成る。

そして、上記導体シートとしては、タングステン
（Ｗ），モリブデン（Mo），チタン（Ti），クロム（C
r），タンタル（Ta），ニオブ（Nb），ニッケル（Ni）
−銅（Cu）合金，ベリリウム（Be）−銅（Cu）合金及び
銅（Cu）から成る群のいずれか１種の金属から成り、マ
スクとしては前記導体シートの選択エッチングに耐え得
る金属もしくはホトレジストから成ることが望ましい。

また、上記両パッド列を対向させ導体層を介して前記
導体シートを前記配線基板に固定する工程においては、
あらかじめ両パッド上に例えば金（Au）のごとき金属ロ
ウ材を被覆形成しておき、ロウ付けにより両パッド列を
固定することが好ましい。

さらにまた、上記マスクパターンをマスクとして上記
導体シートを選択エッチングする工程におけるエッチン
グ処理法としては、ウエットエッチング法を用いてサイ
ドエッチングを行いながらエッチングするか、もしくは
ドライエッチングにより深さ方向に途中までエッチング
しておき、その後ウエットエッチング法によりサイドエ
ッチングを行いながらエッチングするか、またはウエッ
トエッチングによりサイドエッチングしておき、その後
ドライエッチングにより深さ方向のエッチングを行い所
望のピンプローブの高さの円を含む多角形錐状の尖鋭化
したピン列を形成することが好ましい。

また、前記導体シートの電極パッド列形成工程におい
ては、前記導体シートの一方の面に所定のパターンのマ
スクを形成して、前記導体シートを所望の深さ迄選択エ
ッチングすることにより、あらかじめ前記導体シートの
一方の面に凸部を形成してこれを電極パッドとすること
もできる。そして、この場合、必要に応じて、さらに上
記凸部を含めこの一方の面上に例えば銅のごとき金属薄
膜から成る良導体層を形成しておいてもよい。さらにま
た、上記のごとく、導体シートをエッチングして凸部を
形成する代りに平坦な導体シート上に例えば銅のごとき
金属薄膜からなる良導体層を形成しておき、この面に所
定のパターンマスクを形成して、前記良導体層を選択エ
ッチングすることにより前記良導体層から成る電極パッ
ド列としてもよい。さらにこのようにして得られた電極
パッドの上にニッケルメッキを施すことが好ましく、さ
らにはこのニッケルメッキの上に金メッキを施せばなお
好ましい。

上記電極パッド上のニッケルメッキ及び金メッキにつ
いては、対向する上記配線基板上の電極パッド上にも同
様に形成することが望ましい。

上記配線基板と導体シートとの間隙に絶縁性保持体を
充てん、固化する工程においては、前記絶縁性保持体と
して、流動性の有機高分子樹脂もしくは無機絶縁物を充
てんして、固化すればよい。このような有機高分子樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、
エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂などが実用的で、これ
を上記間隙に充てんし、加熱固化すればよい。無機絶縁
物としては、例えば、低融点ガラスを溶融し、これを上
記間隙に充てん、固化させるか、もしくは流動性シリカ
（エタノール等の有機溶媒にSiOが溶解したもの）を充
てんし、加熱固化することによりシリカ（SiO₂）を主成
分とする絶縁物を充てんしてもよい。

なお、前記導体シートの厚さは最終的に得られるピン
プローブの高さを決定することになるので、表面平坦化
の研磨量及び電極パッドの高さを考慮しつつ所望の厚さ
のものを使用する。また、材質としては、ピンプローブ
として或る程度の硬さ（剛性）と、導電性（低抵抗）と
耐脆性（もろくない）とを有しているものであればよ
く、一般には上記のものが適当である。ただし、銅を使
用する場合には、硬さがやや不足するので、ピンプロー
ブが形成された時点で、表面に例えばニッケル、クロム
等のメッキをして用いることが望ましい。その他、材質
により硬度が満足されている場合であっても、ピンの表
面酸化を防止するため防蝕を目的として周知の適当なメ
ッキ層を形成すると信頼性の高いものが得られるより好
ましい。

上記マスクパターンとしては、円、楕円、その他三
角、四角、五角などいずれの多角形のものでもよい。材
質も金属は勿論、一般に用いられているホトレジスト
（感光性レジスト）でもよく、いずれにしても導体シー
トをエッチングする際に十分にマスク作用をするもので
あればよく、周知の技術で十分に対応可能である。金属
マスクの場合は、導体シート上にCVD（Ｃhemical Ｖapo
r Ｄeposition），スパッタリング、その他周知の薄膜
形成技術（一般の蒸着を含む）でマスク材となる薄膜を
形成しておき、この薄膜にホトレジスト膜（紫外線のみ
ならず、電子線、Ｘ線で感光するものを含む）を形成
し、所望のマスクを介して露光し、現像、エッチングす
ることにより容易に目的とする金属マスクパターンを導
体シート上に形成することができる。微細なパターンを
形成する場合には、紫外線よりはＸ線、Ｘ線よりは電子
線に感光するレジストを用いればよいことは周知のとお
りである。また、レジストの解像度からすれば一般にネ
ガ型よりもポジ型の方が優れている。

〔作用〕

配線基板の電極パッド部で平坦面を有するように導体
層、例えばロウ付けにより固定した導体シートを、上記
平坦面にピン形成用のマスクパターンを形成した後ウエ
ットエッチング法を用いて一括形成することができるの
で、高密度多ピン化においてプローブヘッド部のピン組
立性を向上させることができる。

更に、ピン先端部となる導体シートの平坦面にピン形
成用のマスクパターンを形成し、上記電極パッド部の中
央に位置する部分に微小なフラット面が残るようにアン
ダーカットを行うことにより、ピン先端部の高さ方向バ
ラツキを導体シートの平坦面と同レベルにすることがで
き、かつ横方向バラツキをマスクパターンの寸法精度に
近いレベルにもっていくことができるので、プローブヘ
ッド部の高精度ピン立てを実現させることができる。

特に本発明プローブヘッドの特徴点は前述のとおり、
プローブピンの肉太の基部（少なくとも電極パッドのロ
ウ付け固定部）周縁から配線基板の露出部全面にわた
り、絶縁性保持体で覆われている点にあるが、この絶縁
性保持体の作用は、ピンの根元と配線基板との結合をよ
り安定に補強する作用と共に隣接する多数のピン間の絶
縁性を高める作用をも有し、ピンプローブの信頼性を高
める上で重要である。また、製造プロセスの上でもこの
絶縁性保持体は重要な役割を果す。すなわち、導体シー
トと配線基板とを相互の電極パッドで固定した際に形成
されるパッド周辺の間隙に、この絶縁性保持体を充てん
固化することにより、電極パッドのみでの固定をさらに
補強し導体シートが安定に配線基板に固定される。した
がって、その後の導体シート表面の平坦化のための研磨
時には、電極パッドに加わる力を低減し、固定面全体で
支えることができ、さらにピン形成時の導体シートのエ
ッチング時には、ピン基部及びパッド周縁を保護する作
用をも有する。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。
第１図は、本発明の一実施例となる多層配線基板１上に
多ピンを形成するための製造プロセスを工程順に示した
ものである。

第１図（ａ）は、給電層と信号層（入出力）と接地層
とを有する多層配線基板１、導体シート２のメタライズ
工程後を示す。多層配線基板１は、湿式厚膜セラミック
基板であり、両面に形成したタングステン系の電極パッ
ド部3,4に各々ニッケルメッキ5,6、金メッキ7,8を施し
ている。

一方、導体シート２は、タングステンを材質とし、片
側の面に上記した電極パッド部３に対応する位置に所望
のパターンによりニッケルメッキ９、金メッキ10を施し
ている。ここで電極パッド部３は、多層配線基板１の内
部配線（図示せず）により拡大された電極パッド部４と
電気的に接続されている。

第１図（ｂ）は、多層配線基板１と導体シート２のロ
ウ付け工程を示す。多層配線基板１の電極パッド部３の
ニッケルメッキ５を介して形成した金メッキ７と導体シ
ート２上のニッケルメッキ９を介して形成した金メッキ
10を、対応するパターンが上下重なるように対向位置合
わせした後、加熱圧着することにより金（Au）−金（A
u）のロウ付け部11を形成する。特に、導体シート２の
ロウ付け部11を形成していない反対面は、加熱圧着時に
平坦面12を得ている。この導体シート２に形成される平
坦面12は、ロウ付け後の後述する絶縁性保持体の形成後
に研磨等により更に平坦度を向上させることができる。

第１図（ｃ）は、ロウ付け部11の間隙に絶縁性の保持
体100としてポリイミド樹脂を充てん固化した工程及び
導体シート２の平坦面12上へのメタルマスク13の形成工
程後を示す。

この絶縁性保持体100の充てん固化する工程として
は、上記間隙にポリイミド樹脂液を充てんし、例えば35
0℃に加熱することにより容易に固化することができ
る。また、ポリイミド樹脂液の代りに例えば流動性シリ
カを充てんし、加熱すればSiO₂を主成分とする絶縁物を
容易に充てん、固化することができる。

次に、マスク13の形成工程としては、タングステン
（Ｗ）の導体シート２の平坦面12上に銅を一様に蒸着す
る。次に、その上に感光性レジストをスピンナーで塗布
し、所望のパターンを石英マスク等を用いて露光、現象
する。なお、この例ではレジストとして東京応化（株）
製、商品名OMR−83ネガ型紫外線レジストを使用し、露
光は400nm付近の紫外線照射で行った。次に、感光部の
レジストを除去し、過硫酸アンモニウム系水溶液により
銅膜をエッチングし、銅のメタルマスク13が形成され
る。このメタルマスク13の形状は、通常円形パターンが
用いるが、後工程におけるピン先端部形状を制御するた
め、角形他種々の形状をとる。また、メタルマスク13
は、ピン立ての条件から通常多層配線基板１上に形成し
た電極パッド部３の位置と中心軸14が一致するように形
成される。

第１図（ｄ）は、導体シート２の選択エッチング工程
後を示す。タングステンの導体シート２を、銅のメタル
マスク13を形成した面から、水酸化カリウム（KOH）と
赤血塩〔K₃Fe（CN）_６〕の混合系水溶液によりウエット
エッチングを行う。この時、アンダーカット（サイドエ
ッジ、側面腐食ともいう）を積極的に利用し、かつ制御
することにより、メタルマスク13の中央下部に導体シー
ト２の微小なフラット面15を形成すると同時に、導体シ
ート２をロウ付け部11の近傍を残して除去する。この結
果、多層配線基板１のロウ付け部11上に、先端部に微小
なフラット面15を有する尖鋭化したピン16が、メタルマ
スク13を残した状態で形成される。ここで、ピン16を垂
直に立てるためには、メタルマスク13とロウ付け部11の
中心軸14を一致させる必要がある。

第１図（ｅ）は、ピン16の先端部に残ったメタルマス
ク13を除去した工程後を示す。銅のメタルマスク13は、
過硫酸アンモニウム系水溶液により取り除かれる。これ
により、多層配線基板１上に多ピンを形成する製造プロ
セスが基本的に完了し、目的とするプローブヘッドから
得られる。ピン16の材質として、タングステンの導体シ
ート２を用いたが、メタルマスク13やロウ付け部11をエ
ッチングしない水溶液を選択することにより、他の金属
を使用することができる。例えば、導体シート２に銅を
使用した場合には、メタルマスク13にクロムを用いる。
この時、銅、クロムのエッチング液は、各々過硫酸アン
モニウム系水溶液、フェリシアン化カリウム系水溶液を
用いる。また、ピン16の表面に金やロジュームのメッキ
皮膜を形成することにより、半導体ウエハ（チップ）の
電極パッド（はんだバンプ）とピン16との電気的な接触
特性を安定にし、かつ向上させることができる。

第２図は、本発明の他の実施例となる多層配線基板上
に多ピンを形成するための製造プロセスを工程順に示し
たものである。

第２図（ａ）はプロービングヘッド形成材料（導体シ
ート）２上にマスク30の形成工程後を示す。まず、基体
シート２の多層配線基板１と接続する側を平坦化した後
に多層配線基板１上の電極パッド部３と中心位置を同じ
くしたマスク30を形成する。マスク30としてはメタルマ
スクでもよいし、感光性レジストをマスクとしてもよ
い。例えば、導体シート２の材質としてタングステンを
用いた場合、マスク30として例えば銅を用いる場合は平
坦面の上に銅を蒸着し、その上に感光性レジストを塗布
し、所望のパターン（望ましくは、多層配線基板上の電
極パッド３と類似の形状を露光、現像後、不要な部分を
除去し、レジストをマスクとして銅膜を過硫酸アンモニ
ウム系水溶液により選択的にエッチングし、銅のマスク
30が形成される。

第２図（ｂ）は第２図（ａ）を垂直方向に異方性の強
いドライまたはウエットエッチングを行い、平坦面40
（電極パッドとなるところ）を形成する選択エッチング
工程後の導体シートを示す。例えば、タングステンを導
体シート２として用い、銅をマスク30として用いた場
合、マスク30を形成した面から、垂直方向に異方性の強
いドライまたはウエットエッチングを行う。例えば、ド
ライエッチングではエッチング用ガスとして、CF₄＋O₂
等を用いる。また、ウエットエッチングでは水酸化カリ
ウム（KOH）と赤血塩〔K₃Fe（CN）_６〕の混合系水溶液
を用いた電解エッチング等を用いる。

第２図（ｃ）はエッチングされた導体シート２上にパ
ッド保護用導電層50の形成工程後を示す。まずマスク30
を除去後、パッド保護用導電層50として、例えば銅を蒸
着する（なお、この工程は省略してもよい）。

第２図（ｄ）は多層配線基板１、導体シート２のメタ
ライズ工程後を示す。多層配線基板１は、湿式厚膜セラ
ミック基板であり、両面に形成したタングステン系の電
極パッド部3,4に各々ニッケルメッキ5,6、金メッキ7,6
を施している。

一方、導体シート２はエッチングされた面に上記した
電極パッド部３に対応する位置40に所望のパターンによ
りニッケルメッキ９、金メッキ10を施している。ここで
電極パッド部３は、多層配線基板１の内部配線により拡
大された電極パッド部４と電気的に接続されている。

第２図（ｅ）は、多層配線基板１と導体シート２のロ
ウ付け工程及びマスク13の形成工程後を示す。多層配線
基板１の電極パッド部３上に形成した金メッキ７と、導
体シート２上に形成した金メッキ10を、対応するパター
ンが上下重なるように位置合わせした後、加熱圧着する
ことによりAu−Auのロウ付け部11を形成する。この時、
ロウ付け部11の間隙に絶縁性の保持体100を前記第１図
（ｃ）と同様の方法で充てんしておく。保持体を構成す
る材料としては例えばSiO₂等を用いる。特に、導体シー
ト２のロウ付け部11を形成していない面は、加熱圧着時
に平坦面12を得ている。この導体シート２に形成される
平坦面12は、ロウ付け後研磨等により更に平滑度を向上
させることができる。

次にこの平坦面12上にマスク13を形成する。マスク13
としてはメタルマスクでもよいし、感光性レジストをマ
スクとしても良い。例えば銅をマスク13に用いた場合
は、平坦面12の上に銅を蒸着し、その上に感光性レジス
トを塗布し、所望のパターンを露光、現像後、不要な部
分を除去し、レジストをマスクとして銅膜を過硫酸アン
モニウム系水溶液によりエッチングし、銅のマスク13が
形成される。なおピン立ての条件から通常電極パッド部
３とマスク13の中心軸は一致するように形成される。

第２図（ｆ）は導体シート２の選択エッチング工程終
了後を示す。例えば、タングステンを導体シート２とし
て用い、銅をマスク13として用いた場合、マスク13を形
成した面から、水酸化カリウム（KOH）と赤血塩〔K₃Fe
（CN）_６〕の混合系水溶液を用いた電解エッチング等を
行う。この電解エッチングの条件を制御することによ
り、アンダーカット（サイドエッジ、側面腐食ともい
う）を積極的に利用し、マスク13の中央下部に導体シー
ト２の微小なフラット面15を形成すると同時に、ピン形
状が所望の円を含む多角形錐状となる様に導体シート２
を電極パッド部となる平坦面40近傍を残して除去する。
この時、第２図（ｃ）の工程を行った場合、パッド保護
用導電層50が露出するがエッチング液によりエッチング
されない材料、この場合は例えば銅を用いることによ
り、ロウ付け部11をエッチングから保護することができ
る。なお第２図（ｃ）の工程を省略した場合は、保持体
100によりロウ付け部11をエッチングから保護する。こ
の結果、パッド保護用導電層50の上に先端部に微小なフ
ラット面15を有する尖鋭化したピン16がマスク13を残し
た状態で形成される。

なお、ピンを形成するための、この導体シートのエッ
チングは、上記のようなエッチング液を用いたウエット
エッチングのみによらず、異方性エッチングに優れたド
ライエッチング法を組合わせることにより、エッチング
の精度とスピードアップを図ることができる。

第２図（ｇ）はマスク13とパッド保護用導電層50の露
出部分を除去した工程後を示す。これら両方とも材質と
して銅を使用した場合、過硫酸アンモニウム系水溶液に
より同時に除去することができる。これにより、ピン16
が電気的に分離される。なお第２図（ｃ）の工程を行わ
ない場合には、ピン16は第２図（ｆ）の工程後に電気的
に分離されている。次に、保持体100の露出部分をロウ
付け部11の近傍の深さまでエッチングし、溝17を形成す
る。なお、この保持体100のエッチングは深さ方向にエ
ッチング速度の大きな異方性エッチング、例えばドライ
エッチングを使用することが望ましい。これにより導体
シート２を対向する電極パッド部３側から選択エッチン
グしない前述の第１図の実施例に比べて、プローブ径に
対するピン先端部の高さの割合を大幅に向上することが
できる。この時、ロウ付け部11は保持体100によりエッ
チングから保護されている。なおピン16の材質として
は、タングステン以外の前述したほかの材料でもかまわ
ない。例えば、銅を使用する場合、パッド保護用導電層
50とマスク13としてクロムを用いる。この場合、クロム
のエッチング液はフェリシアン化カリウム系水溶液を用
いればよい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、配線基板の電極パッド部に高密度な
多ピンを一括形成することができるのでピン立つの組立
性を大幅に向上させる効果がある。

更に、ピン先端部の高さ方向バラツキを導体シートの
平坦面と同レベルにでき、かつ横方向バラツキをマスク
パターンの寸法精度に近いレベルにもっていくことがで
きるので、プローブヘッド部のピン先端部位置精度を大
幅に向上させる効果がある。

更にまた、プローブピンの肉太の基部周縁から配線基
板の露出部全面にわたり、絶縁性保持体で覆われ保護さ
れているので、ピン補強安定化が図られていると共に、
隣接するピン間の絶縁性を高め信頼性の向上が図られて
いる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の多ピンを形成するための
製造プロセスを示す工程順の断面図、第２図は、本発明
の異なる実施例の製造プロセスを示す工程順の断面図で
ある。図において、１……多層配線基板、２……導体シート 11……ロウ付け部、13……メタルマスク 15……微小なフラット面、16……ピン 100……絶縁性保持体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者春日部進神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者廣田和夫神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者三谷正男神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一方の面にピンプローブを植設固定するた
めの電極パッド列が、そしてその裏面には検査装置に接
続するための電極パッド列がそれぞれ形成され、しかも
前記両面の電極パッド間が特定の配列関係で電気的に相
互に接続された配線基板を準備する工程；導体シートの
一方の面に前記配線基板のピンプローブを植設固定する
ための電極パッド列に対応したパターンの電極パッド列
を形成する工程；前記両パッド列を対向させ導体層を介
して前記導体シートを前記配線基板に固定する工程；前
記工程で固定された前記配線基板と導体シートとの間隙
に絶縁性保持体を充てんし、固化する工程；前記導体シ
ートの他方の表面を所望により平滑に研磨したのち、前
記導体シート表面に前記両電極パッド列の各パッドと中
心位置を同じくした円を含む多角形のマスクパターンを
形成する工程；前記マスクパターンをマスクとして上記
導体シートを選択エッチングすることにより、上記電極
パッド列に対応する円を含む多角形錐状の尖鋭化したピ
ン列を形成する工程；及び上記マスクを除去する工程を
有することを特徴とする半導体LSI検査装置用プローブ
ヘッドの製造方法。
【請求項２】上記導体シートがタングステン（Ｗ），モ
リブデン（Mo），チタン（Ti），クロム（Cr），タンタ
ル（Ta），ニオブ（Nb），ニッケル（Ni）−銅（Cu）合
金，ベリリウム（Be）−銅（Cu）合金及び銅（Cu）から
成る群のいずれか１種の金属から成り、マスクとして前
記導体シートの選択エッチングに耐え得る金属もしくは
ホトレジストから成ることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体LSI検査装置用プローブヘッドの製
造方法。
【請求項３】上記両パッド列を対向させ導体層を介して
前記導体シートを前記配線基板に固定する工程におい
て、あらかじめ両パッド上に金属ロウ材を被覆形成して
おき、ロウ付けにより両パッド列を固定することを特徴
とする特許請求の範囲第１項もしくは第２項記載の半導
体LSI検査装置用プローブヘッドの製造方法。
【請求項４】上記ロウ材として金（Au）を用いることを
特徴とする特許請求の範囲第３項記載の半導体LSI検査
装置用プローブヘッドの製造方法。
【請求項５】上記マスクパターンをマスクとして上記導
体シートを選択エッチングする工程におけるエッチング
処理として、ウエットエッチング法を用いてサイドエッ
チングを行いながらエッチングするか、もしくはドライ
エッチングにより深さ方向に途中までエッチングしてお
き、その後ウエットエッチング法によりサイドエッチン
グを行いながらエッチングするか、またはウエットエッ
チングによりサイドエッチングしておき、その後ドライ
エッチングにより深さ方向のエッチングを行い所望のピ
ンプローブの高さの円を含む多角形錐状の尖鋭化したピ
ン列を形成することを特徴とする特許請求の範囲第１
項、第２項、第３項もしくは第４項記載の半導体LSI検
査装置用プローブヘッドの製造方法。
【請求項６】前記導体シートの電極パッド列形成工程に
おいて、前記導体シートの一方の面に所定のパターンの
マスクを形成して、前記導体シートを所望の深さ迄選択
エッチングすることにより、あらかじめ前記導体シート
の一方の面に凸部を形成してこれを電極パッドとするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、第３
項、もしくは第４項記載の半導体LSI検査装置用プロー
ブヘッドの製造方法。
【請求項７】上記配線基板と導体シートとの間隙に絶縁
性保持体を充てん、固化する工程において、前記絶縁性
保持体として、流動性の有機高分子樹脂もしくは無機絶
縁物を充てん固化することを特徴とする特許請求の範囲
第６項記載の半導体LSI検査装置用プローブヘッドの製
造方法。
【請求項８】上記有機高分子樹脂として、ポリイミド樹
脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂
のいずれか一者を上記間隙に充てんし、加熱固化するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の半導体LSI
検査装置用プローブヘッドの製造方法。
【請求項９】上記無機絶縁物として、低融点ガラスを溶
融し、これを上記間隙に充てん、固化させるか、もしく
は流動性シリカを充てんし、加熱固化することによりシ
リカ（SiO₂）を主成分とする絶縁物を充てんすることを
特徴とする特許請求の範囲第７項記載の半導体LSI検査
装置用プローブヘッドの製造方法。