JPH0798413A - 光学補償シート及びその製造方法およびそれを用いた液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】液晶表示装置の視覚特性を改善する光学補償シ
ートおよび、液晶表示装置を得る。また、該シートの耐
久性を向上させる。 【構成】少くとも１種の光異性化し得る官能基および少
くとも１種の架橋反応の可能な官能基が高分子鎖に結合
された化合物を有し、かつ光学異方性を有する光学補償
シートおよびその製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学補償シート及びそ
の製造方法、並びにそれを用いた液晶表示素子に関し、
特に表示コントラスト及び表示色の視角特性を改善する
ために有用な光学補償シート及びそれを用いた液晶表示
素子に関する。また、それに用いる有用な高分子材料に
関する。

【０００２】

【従来の技術】ワープロやパソコン等の表示装置におい
て、ＣＲＴに代えて、薄型軽量、低消費電力という大き
な利点をもった液晶表示素子が小型の機器を中心に広く
用いられている。現在普及している液晶表示素子（以下
ＬＣＤと称す）の多くは、ねじれネマティック液晶を用
いている。このような液晶を用いた表示方式としては、
複屈折モードと旋光モードとの２つの方式に大別でき
る。

【０００３】複屈折モードを用いたＬＣＤは、液晶分子
配列のねじれ角が９０°以上ねじれたもので、急峻な電
気光学特性をもつため、薄膜トランジスタやダイオード
等の能動素子がなくても単純なマトリクス状の電極構造
のみで、時分割駆動により大容量の表示が得られる。し
かし、応答速度が数百ミリ秒と遅く、階調表示が困難と
いう欠点を持ち、能動素子を用いたＴＦＴ型、ＭＩＭ型
の表示性能を越えるまでにはいたらない。

【０００４】ＴＦＴ型やＭＩＭ型には、液晶分子の配列
状態が９０°ねじれた旋光モードの表示方式（ＴＮ型液
晶表示素子）が用いられている。この表示方式は、応答
速度が数十ミリ秒と速く、容易に白黒表示が得られ、高
い表示コントラストを示すことから他の方式のＬＣＤと
比較して最も有力な方式である。しかし、ねじれネマテ
ィック液晶を用いているために、見る方向によって表示
色や表示コントラストが変化するといった表示方式の原
理上生じる視角特性があり、ＣＲＴの表示性能を越える
までにはいたらない。

【０００５】特開平４−２２９８２８号、特開平４−２
５８９２３号公報などに見られるように、一対の偏光板
とＴＮ型液晶セルの間に、位相差フィルムを配置するこ
とによって視野角を拡大しようとする方法が提案されて
いる。

【０００６】上記特許公報で提案された位相差フィルム
は、液晶セルの表面に対して、垂直な方向に位相差がほ
ぼゼロのものであり、真正面からはなんら光学的な作用
を及ぼさず、傾けたときに位相差が発現し、液晶セルで
発現する位相差を補償しようというものである。しか
し、これらの方法によってもＬＣＤの視野角はまだ不十
分であり、更なる改良が望まれている。特に、車載用
や、ＣＲＴの代替として考えた場合には、現状の視野角
では全く対応できないのが実状である。また、特開平４
−３６６８０８号、特開平４−３６６８０９号、特開平
４−３６６８０８号公報には、光学軸が傾いたカイラル
ネマチチック液晶を位相差フィルムとして用いて視野角
を改良しているが、２層液晶方式となりコストが高く、
非常に重いものとなっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、液晶セル中
を伝搬する光の偏光状態が入射方向により異なることか
ら生じる狭い視野角特性を改善し、ＣＲＴに代替できる
ような広い視野角特性を、軽量且つ低コストで実現する
ことを課題とするものである。更にまた、シートの耐久
性の向上を課題とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも一
種の光異性化物質を含むと共に光学異方性を有する光学
補償シートである。 （１） 光異性化し得る官能基および架橋反応の可能な
官能基が高分子鎖に結合された化合物を有し、かつ光学
異方性を有することを特徴とする光学補償シート。

【０００９】（２） 該化合物が一般式（１）で表わさ
れる高分子であることを特徴とする前記（１）記載の光
学補償シート。一般式（１）

【００１０】

【化５】

【００１１】式中、Ｒ¹ 、Ｒ³ およびＲ⁵ は同一でも異
ってもよく、水素原子およびメチルを表わす。Ｒ² はア
ルキル基およびアリール基を表わす。Ｒ⁴ は熱による架
橋反応の可能な官能基を含む基を表わす。Ｒ⁶ は光異性
化し得る官能基を含む基を表わす。Ｘ¹ 、Ｘ² およびＸ
³ は同一でも異ってもよく、酸素原子およびＮＲ⁷ を表
わす。Ｒ⁷ はアルキル基を表わす。ｐ、ｑおよびｒは含
率を示すものであり、ｐは０ないし５０、ｑは５ないし
７０、ｒは２５ないし９５の範囲にある。但し、ｐ＋ｑ
＋ｒ＝１００である。

【００１２】（３） 該化合物が一般式（２）で表わさ
れる高分子であることを特徴とする前記（１）記載の光
学補償シート。一般式（２）

【００１３】

【化６】

【００１４】式中、Ｒ¹¹、Ｒ¹³およびＲ¹⁵は同一でも異
ってもよく、水素原子およびメチルを表わす。Ｒ¹²はア
ルキル基およびアリール基を表わす。Ｘ¹¹およびＸ¹³は
同一でも異ってもよく、酸素原子およびＮＲ¹⁷を表わ
す。Ｒ¹⁷はアルキル基を表わす。Φ¹¹は１，４−フェニ
レンを形成するに必要な原子群を表わす。Ａｒ¹¹はアリ
ール基を表わす。Ｗ¹¹およびＷ¹²は同一でも異ってもよ
く、ＮおよびＣＨを表わす。ｎは２ないし２０の整数を
表わす。ｓ、ｔおよびｕは含率を示すものであり、ｓは
０ないし５０、ｔは５ないし７０、ｕは２５ないし９５
の範囲にある。但し、ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００である。

【００１５】（４） 光異性化し得る官能基が高分子鎖
に結合している一般式（３）で表わされる高分子を含
み、かつ光学異方性を有することを特徴とする光学補償
シート。一般式（３）

【００１６】

【化７】

【００１７】式中、Ｒ²¹、Ｒ²³およびＲ²⁵は同一でも異
ってもよく、水素原子およびメチルを表わす。Ｒ²²はア
ルキル基およびアリール基を表わす。Ｒ²⁴は−Ｑ−Ｈを
含む基を表わす。ＱはＮＲ²⁷およびカルコゲン原子を有
するアルキレン基を表わす。Ｒ²⁶は光異性化し得る官能
基を含む基を表わす。Ｘ²¹、Ｘ²²およびＸ²³は同一でも
異ってもよく、酸素原子およびＮＲ²⁸を表わす。Ｒ²⁷は
アルキル基、アリール基および環状アミンを形成するに
必要な基を表わす。Ｒ²⁸はアルキル基を表わす。ａ、ｂ
およびｃは含率を示すものであり、ａは０ないし５０、
ｂは５ないし７０、ｃは２５ないし９５の範囲にある。
但し、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００である。

【００１８】（５） 一般式（３）のＲ²⁶が一般式
（４）で表わされることを特徴とする前記（４）記載の
光学補償シート。一般式（４）

【００１９】

【化８】

【００２０】式中、Φ³¹は１，４−フェニレンを形成す
るに必要な原子群を表わす。Ａｒ³¹はアリール基を表わ
す。Ｗ³¹およびＷ³²は同一でも異ってもよく、Ｎおよび
ＣＨを表わす。ｍは２ないし２０の整数を表わす。

【００２１】（６） 光学補償シートが負の一軸性を有
すると共に光学軸がシート面に対して、直角以外の角度
で交わることを特徴とする前記（１）ないし（５）のい
ずれかに記載の光学補償シート。

【００２２】（７） 少くとも１種の光異性化物質を含
むシートに対して光を照射することにより、光学異方性
を発現させることを特徴とする前記（１）ないし（５）
のいずれかに記載の光学補償シートの製造方法。

【００２３】（８） 少なくとも１種の光異性化物質を
含むシートに対して直線偏光を斜めに照射することによ
り、光学軸の角度を制御することを特徴とする前記
（１）ないし（５）のいずれかに記載の光学補償シート
の製造方法。

【００２４】（９） ２枚の電極基板間に液晶を挟持し
てなる液晶セルと、その両側に配置された２枚の偏光素
子と、該液晶セルと該偏光素子の間に前記（１）ないし
（５）のいずれかに記載の光学補償シートを少くとも一
枚配置した液晶表示素子。

【００２５】（１０） 少なくとも１種の一般式（２）
で表わされる高分子および少なくとも１種の一般式
（３）で表わされる高分子からなり、かつ一般式（３）
で表わされる高分子のＲ²⁶が一般式（４）で表わされる
ことを特徴とする高分子材料。

【００２６】以下、図面を用いてＴＮ型液晶表示素子を
例にとり本発明を説明する。図１、図２は、液晶セルに
しきい値電圧以上の十分な電圧を印加した場合の液晶セ
ル中を伝搬する光の偏光状態を示したものである。コン
トラストの視野角特性には、特に電圧印加時の光の透過
率特性が大きく寄与するため、電圧印加時を例にとり説
明する。図１は、液晶セルに光が垂直に入射した場合の
光の偏光状態を示した図である。自然光Ｌ０が偏光軸Ｐ
Ａをもつ偏光板Ａに垂直に入射したとき、偏光板Ａを透
過した光は、直線偏光Ｌ１となるため、偏光板Ｂによっ
てほぼ完全にＬ１は遮断される。

【００２７】ＴＮ型液晶セルに十分に電圧を印加した時
の液晶分子の配列状態を、概略的に１つの液晶分子で示
すと、ＬＣのようになる。液晶セル中の液晶分子ＬＣの
分子長軸が光の進路と平行な場合、入射面（光の進路に
垂直な面内）での屈折率の差が生じないので、液晶セル
中を伝搬する常光と異常光の位相差が生じずＬＣセルを
通過した直線偏光は液晶セルを透過しても直線偏光のま
ま伝搬する。偏光板Ｂの偏光軸ＰＢを偏光板Ａの偏光軸
ＰＡと垂直に設定すると、液晶セルを透過した直線偏光
は偏光板Ｂを透過することができず暗状態になる。

【００２８】図２は、液晶セルに光が斜めに入射した場
合の光の偏光状態を示した図である。入射光の自然光Ｌ
０が斜めに入射した場合偏光板Ａを透過した偏光光Ｌ１
は偏光板の特性により楕円偏光になることもあるが、ほ
ぼ直線偏光になる。この場合、液晶の屈折率異方性によ
り液晶セルの入射面において屈折率の差が生じ、液晶セ
ルを透過する光Ｌ２は楕円偏光して偏光板Ｂで遮断され
ない。この様に斜方入射においては暗状態での光の遮断
が不十分となり、コントラストの大幅な低下を招き好ま
しくない。

【００２９】本発明は、この様な斜方入射におけるコン
トラストの低下を防ぎ、視角特性を改善しようとするも
のである。図３に本発明による構成の一例を示す。偏光
板Ｂと液晶セルとの間に液晶セルの法線方向から傾いた
光学軸をもつ光学異方素子ＲＦが配置されている。この
光学異方素子ＲＦは光学軸に対して光が入射する角度が
大きくなる程大きく偏光する複屈折体である。この様な
構成の液晶表示素子に図２の場合と同様に光が斜方入射
し液晶セルを透過した楕円偏光した光Ｌ２は、光学異方
素子ＲＦを透過する時の位相遅延作用によって楕円偏光
が元の直線偏光に変調され、種々の斜方入射においても
同一な透過率が得られる視角依存性のない良好な液晶表
示素子が実現できる。

【００３０】本発明によって、液晶表示素子の視野角を
大幅に向上できたことについては以下のように推定され
る。ＴＮ−ＬＣＤの多くは、ノーマリーホワイトモード
が採用されている。このモードにおける視野角特性は、
視角を大きくすることに伴って、黒表示部からの光の透
過率が著しく増大し、結果としてコントラストの急激な
低下を招いていることになる。黒表示は電圧印加時の状
態であるが、この時には、ＴＮ型液晶セルは、光学軸
が、セルの表面に対する法線方向から若干傾いた正の一
軸性光学異方体とみなすことができる。又、中間階調の
場合にはその光学軸は更に、ＬＣセルの法線方向から傾
いていくものと思われる。液晶セルの光学軸が液晶セル
の表面に対する法線方向から傾いている場合、光学軸が
法線方向にある光学異方体では、その補償が不十分であ
ることが予想される。又、液晶セルが正の一軸性光学異
方体とみなせるのであれば、それを補償するためには負
の一軸性光学異方体が好ましい。このような理由から本
発明における、光学軸が法線方向から傾いた負の一軸性
光学異方体によって大幅な視野角特性が改善されたもの
と推定する。

【００３１】以下、本発明について具体的に説明する。
本発明における光異性化し得る官能基とは、光により立
体異性化または構造異性化を起こすものであり、好まし
くは、さらに別の波長の光または熱によってその逆異性
化を起こすものである。これらの光異性化し得る化合物
として一般的には、構造変化と共に可視域での色調変化
を伴うものは、フォトクロミック化合物としてよく知ら
れているものが多く、具体的には、アゾベンゼン系化合
物、ベンズアルドキシム系化合物、アゾメチン系化合
物、スチルベン系化合物、スピロピラン系化合物、スピ
ロオキサジン系化合物、フルギド系化合物、ジアリール
エテン系化合物、ケイ皮酸系化合物、レチナール系化合
物、ヘミチオインジゴ系化合物等が挙げられる。

【００３２】また、本発明の光異性化しうる官能基を有
する化合物は、光異性化基が主鎖中でも側鎖中でも同様
の機能を発揮できる。また、ポリマーはホモポリマーで
も、コーポリマーでも良く、コーポリマーの共重合比は
光異性化能、Ｔｇ等のポリマー物性を適切に調節すべく
適宜好ましい値で用いられる。また、これらの光異性化
しうる官能基を有する化合物が同時に後述する液晶化合
物であってもよい。すなわち、液晶化合物の分子中に光
異性化しうる官能基を含んでいてもよい。これらについ
ては、高分子、４１、（１２）、（１９９２年）ｐ８８
４、「クロミック材料と応用」（シーエムシー編）ｐ２
２１、「メカノケミストリー」（丸善編）ｐ２１、「高
分子論文集１４７巻１０号」（１９９１年）ｐ７７１等
にも具体的に記載されている。

【００３３】また、これらの光異性化し得る化合物は、
例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ア
リール基、複素環式基、シアノ基、カルボキシル基、カ
ルバモイル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキ
シカルボニル基、アシル基、ハロゲン原子、アミノ基、
アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アシルアミノ
基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニル
アミノ基、ウレイド基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アシルオキシ基アルキルスルホニルオキシ基、アリ
ールスルホニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチ
オ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、
スルホ基、スルファモイル基などの置換基を有していて
も良い。これらの置換基の置換位置は、光異性化分子の
長軸方向に置換することが好ましいが、特に制約はな
い。以下に、本発明に用いられる光異性化基を含む化合
物の例を低分子化合物の形として挙げる。しかし、本発
明の光異性化物質の構造は、特にこれらに限定されるも
のではない。

【００３４】

【化９】

【００３５】

【化１０】

【００３６】本発明における熱による架橋反応の可能な
官能基としては、例えば山下晋三、金子東助編、「架橋
剤ハンドブック」大成社（１９８１年刊）を参考にして
選ぶことができ、例えば、下記のものを挙げることがで
きる。しかし、本発明の範囲はこれらに限定されるもの
ではない。

【００３７】

【化１１】

【００３８】これらの官能基は高分子鎖に結合されて含
まれることが好ましい。本発明に用いられる高分子の主
鎖としては例えば、ポリスチレン、マロン酸ポリエステ
ル、ポリアクリーレト、ポリメタアクリレート、ポリシ
ロキサン、ポリアクリルアミド、ポリメタアクリルアミ
ド、ポリオキシアルキレン、テレフタル酸ポリエステ
ル、ポリアリルアミン、ポリジカルボン酸アミド、ポリ
ウレタン、ポリオキシフェニレン、ポリビニルアルコー
ル、ポリコ（塩化ビニリデン）（メタクリレート）が挙
げられる。

【００３９】本発明における光異性化基を前記高分子主
鎖に連結させるには、直接あるいは２価の基（いわゆる
連結基）を用いることで可能であるが、連結基として
は、例えば以下のものが挙げられる。

【００４０】

【化１２】

【００４１】更にこれらの官能基は同一の高分子鎖に結
合されていることが好ましく、特に前記一般式（１）ま
たは一般式（２）で表わされるものが好ましい。

【００４２】以下、一般式（１）および一般式（２）に
ついて詳しく述べる。Ｒ² およびＲ¹²で表わされるアル
キル基としては炭素数１ないし２０のものが挙げられ、
好ましくは炭素数１ないし１０、更に好ましくは炭素数
１ないし６であり、直鎖状、分岐状、環状のいずれであ
ってもよい。具体例としては例えば、メチル、エチル、
プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチ
ル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシルが挙げら
れる。これらは置換基を有していてもよく、例えば２−
メトキシエチル、２−フェニルエチル、３−アセチルア
ミノプロピルが挙げられる。

【００４３】Ｒ² およびＲ¹²で表わされるアリール基と
しては、炭素数６ないし２５のものが挙げられ、好まし
くは炭素数６ないし１５、更に好ましくは炭素数６ない
し１１であり、置換基を有していてもよい。具体例とし
ては例えば、フェニル、２−メチルフェニル、３−ブロ
モフェニル、４−メトキシフェニル、４−フェニルフェ
ニル、３−メトキシカルボニルフェニル、４−シアノフ
ェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−アントリル
が挙げられる。

【００４４】Ｒ⁴ で表わされる熱による架橋反応の可能
な官能基としては前述のものが挙げられるが中でも、エ
ポキシ基、イソシアナート基、アズラクトン基が好まし
く、とりわけ一般式（２）に示されたエポキシ基が好ま
しい。

【００４５】Ｒ⁶ で表わされる光異性化し得る官能基と
しては前述のものが挙げられるが、中でも一般式（２）
に示されたアゾ基、アゾメチン基、エテン基が好まし
い。Ｒ⁷ およびＲ¹⁷で示されるアルキル基は前述のＲ²
およびＲ¹²で表わされるアルキル基と同義である。

【００４６】Φ¹¹により形成される１，４−フェニレン
は、置換されていても縮環されていてもよく、具体例と
しては例えば下記のものが挙げられる。

【００４７】

【化１３】

【００４８】Ａｒ¹¹で表わされるアリール基は、Ｒ² お
よびＲ¹²で表わされるアリール基と同義である。ｎの好
ましい範囲は２ないし１２であり、より好ましくは２な
いし８である。ｐおよびｓの好ましい範囲は１０ないし
４５、更に好ましくは３０ないし４５である。ｑおよび
ｔの好ましい範囲は５ないし５０、更に好ましくは５な
いし２５である。ｒおよびｕの好ましい範囲は３０ない
し８５、更に好ましくは３０ないし６５である。

【００４９】熱による架橋反応の可能な官能基を架橋反
応せしめるには、それを促進せしめる官能基を有する化
合物を加えることが好ましい。かかる反応促進官能基と
しては、例えば前記ハンドブックを参考にして選ぶこと
ができ、例えば下記のものを挙げることができる。 −ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＳＨ、−ＮＨ₂ 、
＝Ｎ−ＯＨ しかし、本発明の範囲はこれらに限定されるものではな
い。

【００５０】反応促進化合物としては上記官能基を２個
以上有する分子であることが好ましい。高分子であるこ
とがより好ましく、高分子主鎖および連結基については
前述のものが有用である。光異性化基を有する高分子と
の相溶性の観点からは、前記一般式（３）で表わされる
化合物を用いることが好ましい。

【００５１】以下、一般式（３）について詳しく述べ
る。Ｒ²²は一般式（１）のＲ² と同義であり前述の通り
である。Ｑとしては酸素原子を有するアルキレン基が好
ましく、アルキレン基としては炭素数２ないし１０、好
ましくは２ないし６のポリメチレンである。Ｒ²⁶は一般
式（１）のＲ⁶ と同義であり前述の通りである。特に前
記一般式（４）で表わされることが好ましい。Ｒ²⁷で表
わされるアルキル基およびアリール基は一般式（１）の
Ｒ² の場合と同様であり、また形成される環状アミンと
しては、例えばピロリジン、ピペリジン、イミダゾー
ル、ピラゾール、トリアゾールが挙げられる。

【００５２】Ｒ²⁸は一般式（１）のＲ⁷ と同義であり前
述の通りである。ａの好ましい範囲は１０ないし４５、
更に好ましくは３０ないし４５である。ｂの好ましい範
囲は５ないし５０、更に好ましくは５ないし２５であ
る。ｃの好ましい範囲は３０ないし８５、更に好ましく
は３０ないし６５である。Φ³¹、Ａｒ³¹およびｍはそれ
ぞれ一般式（２）のΦ¹¹、Ａｒ¹¹およびｎと同義であり
前述の通りである。一般式（２）で表わされる高分子
と、一般式（３）で表わされる高分子のうち特にＲ²⁶が
一般式（４）で表わされる高分子を混合して用いること
が好ましい。混合比は１／３〜３／１の範囲が好まし
く、特に４／５〜５／４の範囲が好ましい。以下、本発
明の一般式の化合物につき具体例を示す。但し、本発明
の範囲はこれらのみに限定されるものではない。

【００５３】

【化１４】

【００５４】

【化１５】

【００５５】

【化１６】

【００５６】

【化１７】

【００５７】

【化１８】

【００５８】

【化１９】

【００５９】以下に、これらの化合物の合成例を示す。 合成例１（化合物Ａ−１の合成） １）４−（４−シアノフェニルアゾ）フェノールの合成 フェノール１８５．１ｇ（１．９７mol)、ＮａＯＨ２５
６．１ｇ（６．３６mol)および水１．２リットルを温度
計および攪拌機を備えた５リットル三ッ口フラスコに入
れ０℃に冷却した。これにｐ−シアノアニリン２３２．
５ｇ（１．９７mol)、濃硫酸１０５ml（１．９７mol)お
よび水０．５リットルにＮａＮＯ₂ １４９．４ｇ（２．
１７mol)と水０．７リットルとからなる溶液を滴下する
ことにより調製された、ジアゾニウム塩を滴下した。滴
下終了後、０℃で１時間攪拌した。反応混合物を塩酸で
中和し、生じた結晶を濾取し水洗、風乾により目的の化
合物を得た。収量４１７ｇ（収率９５％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して、以下の結果を
得た。 δ５．４０（１Ｈ、ｂｒｓ）、６．９８（２Ｈ、ｄ）、
７．８０（２Ｈ、ｄ）、７．９２（２Ｈ、ｄ）、７．９
５（２Ｈ、ｄ）

【００６０】２）６−〔４−（４−シアノフェニルア
ゾ）フェノキシ〕−１−ヘキサノールの合成 前記フェノール誘導体６．０７ｇ（０．０２７mol)、６
−クロロ−１−ヘキサノール３．７ml（０．０３３mo
l)、炭酸カリウム、およびＤＭＦ５０mlを還流冷却管を
備えた２００mlのメスフラスコに入れ、４時間１００℃
で加熱した。反応混合物を室温まで放冷し、氷水に注ぎ
生じた結晶を濾取し水洗、風乾により目的の化合物を得
た。収量７．４５ｇ（収率８５％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して、以下の結果を
得た。 δ１．３５−１．９５（８Ｈ、ｍ）、３．７０（２Ｈ、
ｑ）、４．０８（２Ｈ、ｔ）、７．０２（２Ｈ、ｄ）、
７．８０（２Ｈ、ｄ）、７．９５（４Ｈ、ｄ）

【００６１】３）６−〔４−（４−シアノフェニルア
ゾ）フェノキシ〕−１−ヘキサノイル＝メタクリラート
の合成 前記ヒドロキシ誘導体９．１２ｇ（０．０２８mol)、ト
リエチルアミン７．８mlおよびアセトニトリル７０mlと
温度計および攪拌機を備えた３００ml三ッ口フラスコに
入れ０℃に冷却した。これに塩化メタクリロイル４．１
ml（０．０４２mol)とアセトニトリル７mlとからなる溶
液を５℃以下で滴下した。滴下終了後０℃で１時間攪拌
した。反応混合物を氷水に注ぎ生じた沈澱を濾取し、水
洗した。風乾後、再結晶（ＥｔＯＨ：acetone ＝６：
１）を行い目的物を得た。収量７．１２ｇ（収率６５
％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して、以下の結果を
得た。 δ１．４−１．９（８Ｈ、ｍ）、１．９５（３Ｈ、
ｓ）、４．０５（２Ｈ、ｔ） ４．１７（２Ｈ、ｔ）、５．５５（１Ｈ、ｓ）、６．１
０（１Ｈ、ｓ）、７．０１（２Ｈ、ｄ）、７．７９（２
Ｈ、ｄ）、７．９４（４Ｈ、ｄ）

【００６２】４）Ａ−１の合成 ａ）前記アゾモノマー２．７４ｇ（７．０mmol）、メチ
ルアクリレート０．５ml（５．６mmol）、グリシジルア
クリレート０．１８ｇ（１．４mmol）、アゾビスイソブ
チロニトリル（ＡｌＢＮ）０．１１ｇ（０．７mmol）お
よび１，２−ジメトキシエタン１３mlを還流冷却管を備
えた５０mlナスフラスコに入れ、窒素雰囲気下２日間７
０℃で加熱した。室温まで放冷した後、ｎ−ヘキサンを
加えた。デカンテーションにより上澄を除き、残査にジ
クロロメタンを加えた後、ｎ−ヘキサンを加えた。再び
デカンテーションにより上澄を除き、再度同様の操作を
行った。樹脂状物を吸引乾燥し、目的物を得た。収量
２．８６ｇ（８４％）

【００６３】ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定したと
ころ、アクリレートおよびメタクリレート基由来のビニ
ルプロトン（δ５．６−６．５ppm)が消失しシグナルが
ブロード化していた。重合反応が進行し、高分子化した
ことが明らかである。エポキサイド（δ２．５−３．３
ppm)、−ＯＣＨ₃ （δ３．６ppm)および−Ｏ−ＣＨ₂−
（δ４．０ppm)由来のシグナル強度より、ｓ：ｔ：ｕ比
を求めたところ、その値は３５：９：５６であった。Ｇ
ＰＣにより測定したスチレン換算重量平均分子量は２
５，０００であった。ＤＳＣで測定したＴｇは３２℃で
あった。

【００６４】ｂ）前記アゾモノマー２．３５ｇ（６．０
mmol）、メチルアクリレート０．２７ml（３．０mmo
l）、グリシジルアクリレート０．７７ｇ（６．０mmo
l）、ＡｌＢＮ ０．１０ｇ（０．６mmol）および１，
２−ジメトキシエタン２０mlを還流冷却管を備えた５０
mlナスフラスコに入れ、窒素雰囲気下２日間、７０℃で
加熱した。室温まで放冷した後、合成例１と同様の操作
を行い目的物を得た。収量２．２７ｇ（６７％）

【００６５】ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定したと
ころ、アクリレートおよびメタクリレート基由来のビニ
ルプロトン（δ５．６−６．５ppm)が消失し、シグナル
がブロード化していた。重合反応が進行し、高分子化し
たことが明らかである。エポキサイド（δ２．５−３．
３ppm)、−ＯＣＨ₃ （δ３．６ppm)および−Ｏ−ＣＨ ₂
−（δ４．０ppm)由来のシグナル強度より、ｓ：ｔ：ｕ
比を求めたところ、その値は２２：２４：５４であっ
た。ＧＰＣにより測定したスチレン換算重量平均分子量
は１９，０００であった。ＤＳＣで測定したＴｇは４５
℃であった。

【００６６】前記アゾモノマー２．３５ｇ（６．０mmo
l）、グリシジルアクリレート１．２８ｇ（１０mmo
l）、ＡｌＢＮ ０．１０ｇ（０．６mmol）および１，
２−ジメトキシエタン２０mlを還流冷却管を備えた５０
mlナスフラスコに入れ、窒素雰囲気下２日間、７０℃で
加熱した。室温まで放冷した後、合成例１と同様の操作
を行い目的物を得た。収量２．２０ｇ（６１％）

【００６７】ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定したと
ころ、アクリレートおよびメタクリレート基由来のビニ
ルプロトン（δ５．６−６．５ppm)が消失し、シグナル
がブロード化していた。重合反応が進行し、高分子化し
たことが明らかである。エポキサイド（δ２．５−３．
３ppm)および−Ｏ−ＣＨ₂ −（δ４．０ppm)由来のシグ
ナル強度より、ｓ：ｔ：ｕ比を求めたところ、その値は
０：４５：５５であった。ＧＰＣにより測定したスチレ
ン換算重量平均分子量は１７，０００であった。ＤＳＣ
で測定したＴｇは４６℃であった。

【００６８】合成例２（化合物Ｂ−１の合成） 前記アゾモノマー２．７４ｇ（７．０mmol）、メチルア
クリレート０．５０ml（５．６mmol）、ヒドロキシエチ
ルアクリレート０．１６ｇ（１．４mmol）、ＡｌＢＮ
０．１１ｇ（０．７mmol）および１，２−ジメトキシエ
タン１３mlを還流冷却管を備えた５０mlナスフラスコに
入れ、窒素雰囲気下３日間、７０℃で加熱した。室温ま
で放冷した後、合成例１と同様の操作を行い目的物を得
た。収量２．９３ｇ（８７％）

【００６９】ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定したと
ころ、アクリレートおよびメタクリレート基由来のビニ
ルプロトン（δ５．６−６．５ppm)が消失し、シグナル
がブロード化していた。重合反応が進行し、高分子化し
たことが明らかである。−ＯＣＨ₃ （δ３．６ppm)、−
ＣＨ₂ −ＯＨ−（δ３．８ppm)および、−Ｏ−ＣＨ₂−
（δ４．０ppm)由来のシグナル強度より、ａ：ｂ：ｃ比
を求めたところ、その値は３４：１２：５４であった。
ＧＰＣにより測定したスチレン換算重量平均分子量は２
７，０００であった。ＤＳＣにより測定したＴｇは３５
℃であった。

【００７０】本発明における負の一軸性とは、光学異方
性を有するシートの３軸方向屈折率をその値が小さい順
にｎα、ｎβ、ｎγとしたとき、ｎα＜ｎβ＝ｎγの関
係を有するものである。従って光学軸方向の屈折率が最
も小さいという特性を有するものである。ただし、ｎβ
とｎγの値は厳密に等しい必要はなく、ほぼ等しければ
十分である。具体的には、｜ｎβ−ｎγ｜／｜ｎβ−ｎ
α｜≦０．２であれば実用上問題ない。又、ＴＦＴ、Ｔ
Ｎ型液晶セルの視野角特性を大幅に改良する条件として
は、光学軸はシート面の法線方向から５度〜５０度傾い
ていることが好ましく、１０度〜４０度がより好まし
く、１０度〜３０度が最も好ましい。更に、シートの厚
さをＤとしたとき、１００≦（ｎβ−ｎα）×Ｄ≦４０
０ｎｍの条件を満足することが好ましい。

【００７１】次に、光学補償シートの製法について説明
する。まず最初に、光異性化物質を少なくとも一種含む
シートを形成する。本発明におけるシートは一般にシー
トと称されるもの以外に、フイルム、膜状物、板状物、
他の支持体上の塗布膜等の多くの形態のものを含む。厚
さは好ましくは、３００μｍ以下であり、１００μｍが
より好ましく、２０μｍ以下が最も好ましい。シートの
形成方法は特に制限はなく、一般的に知られている溶液
流延法、溶融製膜法、塗布法などが好適に利用される。
また、本発明におけるシートは、光異性化物質のみで形
成されていても、他の素材と混合されていてもよい。た
だし、形成されたシートの光透過率は好ましくは７０％
以上、更に好ましくは８５％以上である。

【００７２】シートの形成を塗布法で行う場合、少なく
とも一種の光異性化物質を含む溶液を作製し光透過率が
７０％以上の支持体上にワイヤーバー、ギーサなどを使
ったコーターで塗布をすることが可能である。この場
合、支持体素材は光透過率が良好であることに加えて、
光学的等方性に近いことが好ましい。従って、ゼオネッ
クス（日本ゼオン）、ＡＲＴＯＮ（日本合成ゴム）、フ
ジタック（富士写真フイルム）などの商品名で売られて
いる固有複屈折値が小さい素材から形成された支持体上
に塗布することが好ましい。しかし、ポリカーボネー
ト、ポリアリレート、ポリスルホン等の固有複屈折値が
大きい素材であっても製膜時に分子配向を抑制すること
によって光学的等方向的な支持体を形成することも可能
であり、それらも好適に利用できる。

【００７３】負の一軸性であって、光学軸がシート法線
方向から傾斜した屈折率特性は、具体的には、光異性化
物質を少なくとも一種含むシートに直線偏光をシート面
に対して斜入射で照射することによって発現させること
ができる。かつ、斜入射角度を制御することで光学軸を
任意に制御することが可能である。このことを更に詳細
に説明すると、光異性化物質を少なくとも一種含むシー
ト内に直線偏光が伝搬するとき、偏光の振動方向に光学
軸が形成されることが判明した。これは、偏光軸に直交
する面内にどの方向にもほぼ均一に光異性化能を有する
部分が放射状に配列しているものと予想される。また、
その光学軸の方向はあくまでシート内での伝搬方向に対
する振動方向であって、シートに入射する直線偏光の振
動方向とは異なるが、入射直線偏光の伝搬方向とシート
内での伝搬方向はスネルの屈折の法則にしたがっている
ため、入射直線偏光の伝搬方向を制御することによって
光軸の方向制御が可能である。

【００７４】本発明の光異性化物質の直線偏光による再
配向化の過程については、以下の様に考えられる。すな
わち、本発明における光異性化物質とは、光により立体
異性化または構造異性化を起こすものであり、好ましく
は、別の波長の光または熱によってその逆異性化を起こ
すものである。アゾ色素を例に取ると、光照射及び熱に
よってシス−トランスの異性化が頻繁に繰り返される。
その照射光が直線偏光の場合、その振動方向に吸収軸を
もった配向状態にあるアゾ基はその光を吸収し、異性化
を繰り返すが、その過程で偶然に光の振動方向に対し、
垂直方向またはそれに近い方向に配向したアゾ基は殆ど
あるいは全く光を吸収できなくなるため、ほぼその位置
で配向が固定されることになる。これが再配向化の過程
である。

【００７５】具体例として、光異性化物質がアゾベンゼ
ンの場合について説明する。図４に示すようにトランス
形アゾベンゼン（Ａ）の光吸収軸とほぼ一致した直線偏
光が照射されると光異性化によりシス形（Ｂ）になる。
（Ｂ）は熱の作用により（Ａ）または（Ｃ）のトランス
形に変化する。（Ｃ）の吸収軸は直線偏光とほぼ直交す
るため（Ｃ）は光の作用を受けなくなり安定化する。安
定化する位置は直線偏光の軸に対して直交する平面内な
らどの部分も等しく可能性があるため偏光軸が光軸と一
致する光学異方体となる。また、主鎖方向より側鎖のア
ゾベンゼンの光吸収軸の方向が屈折率が大きいため負の
一軸性になるものと思われる。

【００７６】つまり、統計的に等方的な配向状態にある
アゾ色素を含むシートに直線偏光を照射すると、時間と
共に直線偏光の振動方向に対して垂直な方向に配向する
アゾ基が増加する。この再配向化の方向とは、直線偏光
の振動方向に対して垂直な平面であり、該平面内ではア
ゾ基はランダムな配向状態（面配向状態）にある。この
再配向後のシートは、入射直線偏光の振動方向に直交す
る面にアゾ基が面配向するために、その垂直方向（光の
振動方向）は低い複屈折性、すなわち負の一軸性が誘起
されると考えられる。

【００７７】直線偏光の光源に関しては、光異性化が起
こる波長が素材によって異なるが、波長領域が広い水銀
ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ等は好適に利
用できる。また、照射直線偏光強度（照度）は、光異性
化物質による量子化収率や照射時のシート温度などに大
きく影響するためそれぞれのシートの特性に応じて適宜
選定することが好ましいが、可視光強度としては、５０
０ルクス以上が好ましく５０００ルクス以上が更に好ま
しい。偏光照射時のシート温度に関しては、シートを形
成しているポリマーのＴｇ（ガラス転移点）より極端に
低い温度域での照射では、分子運動が抑制されているた
め、光異性化が抑制され、複屈折が発現しにくい。ま
た、Ｔｇよりかなり高い温度域では、分子の熱運動によ
る緩和の寄与が大きくなるため複屈折が発現しにくくな
る。そのため、偏光照射時のシート温度は、Ｔｇ近傍、
具体的には、（Ｔｇ−３０℃）＜（照射時のシート温
度）＜（Ｔｇ＋５０℃）が好ましい。

【００７８】本発明においては、光照射によって得られ
た光学特性の耐久性を向上させるために、架橋反応の可
能な官能基を分子間あるいは分子内で反応させる事が好
ましく、分子配向後に反応させる事が更に好ましい。

【００７９】また、光異性化物質は化学的な不活性化処
理によって、光学異方体の耐久特性を向上させることが
できる。

【００８０】光異性化物質は光の吸収によって異性化を
起こすものである。そのため、既に所望の光学特性が得
られたシートにおいても光が照射する環境下にあって
は、さらに異性化が進行し、光学特性が経時的に変化す
ることが有り得る。そのような現象を防ぐために、光を
吸収する部分即ち、アゾ基、イミノ基、ビニル基などの
共役鎖構造部分を、酸化、還元、反応による解裂等によ
って分解、あるいはシート外への溶出などによって化学
的に不活性化し耐久性能を向上することができる。以下
実施例によって詳細に説明する。

【００８１】

【実施例】

実施例１ スチレン換算重量平均分子量が約２万５千の化合物Ａ−
１を塩化メチレンに溶解し、２０重量％溶液とした。該
溶液をドクターブレードでガラス板上に塗布し、厚さ５
μｍのシートを得た。該シートに、図５に示す偏光照射
装置を用いて油浴中において直線偏光を照射し、光学補
償シートを得た。そのときの条件は以下の通りである。 油（屈折率＝１．５２） ：４５℃ 光学補償シートへの光の入射角θ：８０° 光学補償シート面での照度 ：２００００ルクス 照射時間 ：１時間 偏光照射前のシートおよび偏光照射後の光学補償シート
について３軸方向屈折率及び光軸のシート法線方向から
の傾き角度をエリプソメーターＡＥＰ−１００（島津製
作所製）を用い透過モードでのレターデーションの角度
依存性を求めその値から最適な３軸方向屈折率と光軸の
方向を計算によって求めた。結果を表１に示す。

【００８２】実施例２ 光学補償シートへの光の入射角を５０°、照射時間を１
５分とした点を除いて実施例１と同様の操作を行い光学
補償板を作製し、実施例１と同様に３軸方向屈折率と光
軸の方向を求め、その結果を表１に示す。

【００８３】実施例３ 光学補償シートへの光の入射角を２０°とした点を除い
て実施例２と同様の操作を行い光学補償板をを作製し、
実施例１と同様に３軸方向屈折率と光軸の方向を求め、
その結果を表１に示す。

【００８４】実施例４ 実施例１の化合物Ａ−１−ａ）およびスチレン換算分子
量が２万７千の化合物Ｂ−１を重量比で１：１の割合と
し、塩化メチレンに溶解し２０％溶液とした。該溶液を
ドクターブレードでガラス板上に塗布し、厚さ５μｍの
シートを得た。油浴の油の温度を１６０°、照射時間を
４０分とした点を除いて実施例１と同様の条件で直線偏
光を該シートに照射し、光学補償シートを作製し、実施
例１と同様に３軸方向屈折率と光軸の方向を求め、その
結果を表１に示す。

【００８５】実施例５ 実施例４の化合物Ｂ−１を用いて、実施例１と同様の操
作を行なった。結果を表１に示す。

【００８６】比較例１ スチレン換算重量平均分子量が約２万のポリカーボネー
トを塩化メチレンに溶解し、２０重量％溶液とした。該
溶液をドクターブレードでガラス板上に塗布し、厚さ１
５μｍのシートを得た。実施例１と同様の条件で直線偏
光を該シートに照射し光学補償シートを作製し、実施例
１と同様に３軸方向屈折率と光軸の方向を求め、その結
果を表１に示す。

【００８７】比較例２ スチレン換算重量平均分子量が約２万のポリカーボネー
トを塩化メチレンに溶解し、２５重量％溶液とした。該
溶液をドクターブレードでガラス板上に塗布し、厚さ１
７４μｍのシートを得た。該シートを１６０℃で圧縮成
形することで厚さ１５０μｍの光学補償シートを作製
し、実施例１と同様に３軸方向屈折率と光軸の方向を求
め、その結果を表１に示す。

【００８８】比較例３ 重量平均分子量が約１２万のポリスチレンを塩化メチレ
ンに溶解し、２５重量％溶液とした。該溶液をドクター
ブレードでガラス板上に塗布し、厚さ９０μｍのシート
を得た。該シートを１１５℃で延伸倍率４５％の一軸延
伸することで厚さ７４μｍの光学補償シートを作製し、
実施例１と同様に３軸方向屈折率と光軸の方向を求め、
その結果を表１に示す。

【００８９】比較例４ グリシジルアクリレートを含まず、メチルアクリレート
と前記アゾモノマーを４７：５３の比で含有するスチレ
ン換算重量平均分子量が２０，０００のポリマーを用
い、実施例１と同様に光学補償シートを作成し、同様に
屈折率等を求めた。結果を表１に示す。

【００９０】

【表１】

【００９１】また入射角と光軸の傾斜角の間には下記の
式１の関係があることも判明した。これは入射直線偏光
がスネルの法則に従っていること及び光軸と偏光軸が一
致することを裏づけている。

【００９２】

【数１】

【００９３】実施例６ 液晶の異常光と常光の屈折率の差と液晶セルのギャップ
サイズの積が４７０ｎｍでねじれ角が９０度のＴＮ型液
晶セルに実施例及び比較例で得た光学補償シートを装着
し、液晶セルに対して０Ｖ／５Ｖの３０Ｈｚ短形波を与
えた場合のコントラストの角度依存性を視野角測定装置
（ＬＣＤ−５０００（大塚電子製））によって測定し
た。コントラスト１０の位置を視野角と定義し、上下左
右の視野角を求めた。結果を表２に示す。なお、この測
定におけるＴＮ型液晶セルの偏光板の偏光軸、液晶セル
のラビング軸、光学補償シートの光軸の方向を、図６に
示す。

【００９４】

【表２】

【００９５】実施例７ 実施例６で作製したＬＣＤを８０℃恒温槽中で強制テス
トを行った後、実施例６と同様に上下左右の視野角を求
めた。結果を表３に示す。表３よりわかるように本発明
の補償シートは耐久性に優れていることがわかる。

【００９６】

【表３】

【００９７】

【発明の効果】本発明によれば、ＴＮ型液晶表示素子の
視野角特性が改善され、視認性に優れる高品位表示素子
を提供することができる。また、本発明をＴＦＴやＭＩ
Ｎなどの３端子、２端子の能動素子を用いたアクティブ
マトリックス液晶表示素子に応用しても同様に優れた効
果が得られる。また、耐久性にも優れている。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のＴＮ型液晶表示素子の構成図と表示面に
垂直に光が入射する場合の光の透過状態を説明する図で
ある。

【図２】従来のＴＮ型液晶表示素子の構成図と表示図に
斜めに光が入射する場合の光の透過状態を説明する図で
る。

【図３】本発明の液晶表示素子の構成の実施例を説明す
る図である。

【図４】光異性化物質の偏光による再配列メカニズムを
示す図である。

【図５】光異性化物質を塗布したガラス基板に偏光を照
射する装置の図である。

【図６】本実施例に使用した液表示素子の構成を説明す
る図である。

【符号の説明】

Ａ、Ｂ…偏光板 ＰＡ、ＰＢ…偏光軸 ＲＦ…光学異方性素子 Ｌ０…入射光 Ｌ１…偏光板Ａを通過した直線偏光 Ｌ２…ＴＮ型液晶セルを通過した偏光（主に楕円偏光） ＬＣ…ＴＮ型液晶セル内の液晶を説明したもの θ…直線偏光入射角度

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成６年１月７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４０】

【化１２】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５７】

【化１８】

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６６】ｃ）前記アゾモノマー２．３５ｇ（６．０
mmol）、グリシジルアクリレート１．２８ｇ（１０mmo
l）、ＡｌＢＮ ０．１０ｇ（０．６mmol）および１，
２−ジメトキシエタン２０mlを還流冷却管を備えた５０
mlナスフラスコに入れ、窒素雰囲気下２日間、７０℃で
加熱した。室温まで放冷した後、合成例１と同様の操作
を行い目的物を得た。収量２．２０ｇ（６１％）

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８１】

【実施例】 実施例１ スチレン換算重量平均分子量が約２万５千の化合物Ａ−
１ａ）を塩化メチレンに溶解し、２０重量％溶液とし
た。該溶液をドクターブレードでガラス板上に塗布し、
厚さ５μｍのシートを得た。該シートに、図５に示す偏
光照射装置を用いて油浴中において直線偏光を照射し、
光学補償シートを得た。そのときの条件は以下の通りで
ある。 油（屈折率＝１．５２） ：４５℃ 光学補償シートへの光の入射角θ：８０° 光学補償シート面での照度 ：２００００ルクス 照射時間 ：１時間 偏光照射前のシートおよび偏光照射後の光学補償シート
について３軸方向屈折率及び光軸のシート法線方向から
の傾き角度をエリプソメーターＡＥＰ−１００（島津製
作所製）を用い透過モードでのレターデーションの角度
依存性を求めその値から最適な３軸方向屈折率と光軸の
方向を計算によって求めた。結果を表１に示す。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９３】実施例６ 液晶の異常光と常光の屈折率の差と液晶セルのギャップ
サイズの積が４７０ｎｍでねじれ角が９０度のＴＮ型液
晶セルに実施例及び比較例で得た光学補償シートを装着
し、液晶セルに対して０Ｖ／５Ｖの３０Ｈｚ矩形波を与
えた場合のコントラストの角度依存性を視野角測定装置
（ＬＣＤ−５０００（大塚電子製））によって測定し
た。コントラスト１０の位置を視野角と定義し、上下左
右の視野角を求めた。結果を表２に示す。なお、この測
定におけるＴＮ型液晶セルの偏光板の偏光軸、液晶セル
のラビング軸、光学補償シートの光軸の方向を、図６に
示す。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９７】

【発明の効果】本発明によれば、ＴＮ型液晶表示素子の
視野角特性が改善され、視認性に優れる高品位表示素子
を提供することができる。また、本発明をＴＦＴやＭＩ
Ｍなどの３端子、２端子の能動素子を用いたアクティブ
マトリックス液晶表示素子に応用しても同様に優れた効
果が得られる。また、耐久性にも優れている。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光異性化し得る官能基および架橋反応の
   可能な官能基が高分子鎖に結合された化合物を有し、か
   つ光学異方性を有することを特徴とする光学補償シー
   ト。
2. 【請求項２】 該化合物が一般式（１）で表わされる高
   分子であることを特徴とする請求項１記載の光学補償シ
   ート。一般式（１） 【化１】 式中、Ｒ¹ 、Ｒ³ およびＲ⁵ は同一でも異ってもよく、
   水素原子およびメチルを表わす。Ｒ² はアルキル基およ
   びアリール基を表わす。Ｒ⁴ は熱による架橋反応の可能
   な官能基を含む基を表わす。Ｒ⁶ は光異性化し得る官能
   基を含む基を表わす。Ｘ¹ 、Ｘ² およびＸ³ は同一でも
   異ってもよく、酸素原子およびＮＲ⁷ を表わす。Ｒ⁷ は
   アルキル基を表わす。ｐ、ｑおよびｒは含率を示すもの
   であり、ｐは０ないし５０、ｑは５ないし７０、ｒは２
   ５ないし９５の範囲にある。但し、ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００
   である。
3. 【請求項３】 該化合物が一般式（２）で表わされる
   高分子であることを特徴とする請求項１記載の光学補償
   シート。一般式（２） 【化２】 式中、Ｒ¹¹、Ｒ¹³およびＲ¹⁵は同一でも異ってもよく、
   水素原子およびメチルを表わす。Ｒ¹²はアルキル基およ
   びアリール基を表わす。Ｘ¹¹およびＸ¹³は同一でも異っ
   てもよく、酸素原子およびＮＲ¹⁷を表わす。Ｒ¹⁷はアル
   キル基を表わす。Φ¹¹は１，４−フェニレンを形成する
   に必要な原子群を表わす。Ａｒ¹¹はアリール基を表わ
   す。Ｗ¹¹およびＷ¹²は同一でも異ってもよく、Ｎおよび
   ＣＨを表わす。ｎは２ないし２０の整数を表わす。ｓ、
   ｔおよびｕは含率を示すものであり、ｓは０ないし５
   ０、ｔは５ないし７０、ｕは２５ないし９５の範囲にあ
   る。但し、ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００である。
4. 【請求項４】 光異性化し得る官能基が高分子鎖に結合
   している一般式（３）で表わされる高分子を含み、かつ
   光学異方性を有することを特徴とする光学補償シート。
   一般式（３） 【化３】 式中、Ｒ²¹、Ｒ²³およびＲ²⁵は同一でも異ってもよく、
   水素原子およびメチルを表わす。Ｒ²²はアルキル基およ
   びアリール基を表わす。Ｒ²⁴は−Ｑ−Ｈを含む基を表わ
   す。ＱはＮＲ²⁷およびカルコゲン原子を有するアルキレ
   ン基を表わす。Ｒ²⁶は光異性化し得る官能基を含む基を
   表わす。Ｘ²¹、Ｘ²²およびＸ²³は同一でも異ってもよ
   く、酸素原子およびＮＲ²⁸を表わす。Ｒ²⁷はアルキル
   基、アリール基および環状アミンを形成するに必要な基
   を表わす。Ｒ²⁸はアルキル基を表わす。ａ、ｂおよびｃ
   は含率を示すものであり、ａは０ないし５０、ｂは５な
   いし７０、ｃは２５ないし９５の範囲にある。但し、ａ
   ＋ｂ＋ｃ＝１００である。
5. 【請求項５】 一般式（３）のＲ²⁶が一般式（４）で表
   わされることを特徴とする請求項４記載の光学補償シー
   ト。一般式（４） 【化４】 式中、Φ³¹は１，４−フェニレンを形成するに必要な原
   子群を表わす。Ａｒ³¹はアリール基を表わす。Ｗ³¹およ
   びＷ³²は同一でも異ってもよく、ＮおよびＣＨを表わ
   す。ｍは２ないし２０の整数を表わす。
6. 【請求項６】 光学補償シートが負の一軸性を有すると
   共に光学軸がシート面に対して、直角以外の角度で交わ
   ることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載
   の光学補償シート。
7. 【請求項７】 少くとも１種の光異性化物質を含むシー
   トに対して光を照射することにより、光学異方性を発現
   させることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに
   記載の光学補償シートの製造方法。
8. 【請求項８】 少なくとも１種の光異性化物質を含むシ
   ートに対して直線偏光を斜めに照射することにより、光
   学軸の角度を制御することを特徴とする請求項１ないし
   ５のいずれかに記載の光学補償シートの製造方法。
9. 【請求項９】 ２枚の電極基板間に液晶を挟持してなる
   液晶セルと、その両側に配置された２枚の偏光素子と、
   該液晶セルと該偏光素子の間に請求項１ないし４のいず
   れかに記載の光学補償シートを少くとも一枚配置した液
   晶表示素子。
10. 【請求項１０】 少なくとも１種の一般式（２）で表わ
    される高分子および少なくとも１種の一般式（３）で表
    わされる高分子からなり、かつ一般式（３）で表わされ
    る高分子のＲ²⁶が一般式（４）で表わされることを特徴
    とする高分子材料。