JPH07168020A - 光学補償シート及びその製造方法並びにそれを用いた液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】液晶表示装置の視覚特性を改善する光学補償シ
ートおよび、液晶表示装置を得る。また、該シートの着
色を低減させる。 【構成】少くとも１種のアゾベンゼン部および少くとも
１種のスチルベン又はベンジリデンアニリン部を含む高
分子から成る光学異方性を有する光学補償シートおよび
その製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学補償シート及びそ
の製造方法、並びにそれを用いた液晶表示素子に関し、
特に表示コントラスト及び表示色の視角特性を改善する
ために有用な光学補償シート及びそれを用いた液晶表示
素子に関する。また、それに用いる有用な高分子材料に
関する。

【０００２】

【従来の技術】ワープロやパソコン等の表示装置におい
て、ＣＲＴに代えて、薄型軽量、低消費電力という大き
な利点をもった液晶表示素子が小型の機器を中心に広く
用いられている。現在普及している液晶表示素子（以下
ＬＣＤと称す）の多くは、ねじれネマティック液晶を用
いている。このような液晶を用いた表示方式としては、
複屈折モードと旋光モードとの２つの方式に大別でき
る。

【０００３】複屈折モードを用いたＬＣＤは、液晶分子
配列のねじれ角が９０°以上ねじれたもので、急峻な電
気光学特性をもつため、薄膜トランジスタやダイオード
等の能動素子がなくても単純なマトリクス状の電極構造
のみで、時分割駆動により大容量の表示が得られる。し
かし、応答速度が数百ミリ秒と遅く、階調表示が困難と
いう欠点を持ち、能動素子を用いたＴＦＴ型、ＭＩＭ型
の表示性能を越えるまでにはいたらない。

【０００４】ＴＦＴ型やＭＩＭ型には、液晶分子の配列
状態が９０°ねじれた旋光モードの表示方式（ＴＮ型液
晶表示素子）が用いられている。この表示方式は、応答
速度が数十ミリ秒と速く、容易に白黒表示が得られ、高
い表示コントラストを示すことから他の方式のＬＣＤと
比較して最も有力な方式である。しかし、ねじれネマテ
ィック液晶を用いているために、見る方向によって表示
色や表示コントラストが変化するといった表示方式の原
理上生じる視角特性があり、ＣＲＴの表示性能を越える
までにはいたらない。

【０００５】特開平４−２２９８２８号、特開平４−２
５８９２３号公報などに見られるように、一対の偏光板
とＴＮ型液晶セルの間に、位相差フィルムを配置するこ
とによって視野角を拡大しようとする方法が提案されて
いる。

【０００６】上記特許公報で提案された位相差フィルム
は、液晶セルの表面に対して、垂直な方向に位相差がほ
ぼゼロのものであり、真正面からはなんら光学的な作用
を及ぼさず、傾けたときに位相差が発現し、液晶セルで
発現する位相差を補償しようというものである。しか
し、これらの方法によってもＬＣＤの視野角はまだ不十
分であり、更なる改良が望まれている。特に、車載用
や、ＣＲＴの代替として考えた場合には、現状の視野角
では全く対応できないのが実状である。また、特開平４
−３６６８０８号、特開平４−３６６８０９号、特開平
４−３６６８０８号公報には、光学軸が傾いたカイラル
ネマチチック液晶を位相差フィルムとして用いて視野角
を改良しているが、２層液晶方式となりコストが高く、
非常に重いものとなっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、液晶セル中
を伝搬する光の偏光状態が入射方向により異なることか
ら生じる狭い視野角特性を改善し、ＣＲＴに代替できる
ような広い視野角特性を、軽量且つ低コストで実現する
ことを課題とするものである。更にまたシートの着色の
低減を課題とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、高分子からな
る光学補償シートである。 (1) 一般式（１）および一般式（２）で表わされる基の
それぞれを少くとも一種ずつ部分構造として含む高分子
から成ることを特徴とする光学補償シート。 一般式（１） −Φ¹ −Ｎ＝Ｎ−Ａｒ¹ 式中、Φ¹ は１，４−フェニレンを形成するに必要な原
子群を表わす。Ａｒ¹はアリール基を表わす。

【０００９】一般式（２） −Φ² −（Ｗ¹ ＝Ｗ²)_m −Ａｒ² 式中、Φ² は１，４−フェニレンを形成するに必要な原
子群を表わす。Ａｒ²はアリール基を表わす。Ｗ¹ およ
びＷ² はＮまたはＣＨを表わす。但し、同時にＮである
ことはない。ｍは０または１を表わす。

【００１０】(2) 一般式（１）および一般式（２）で表
わされる基が、（メタ）アクリル酸由来のカルボニル基
にアミド結合またはエステル結合を介して連結されてい
ることを特徴とする前記（１）に記載の光学補償シー
ト。

【００１１】(3) 該高分子が一般式（３）で表わされる
ことを特徴とする前記（１）記載の光学補償シート。 一般式（３）

【００１２】

【化２】

【００１３】式中、Ｒ³¹、Ｒ³³およびＲ³⁴は同一でも異
ってもよく、水素原子およびメチルを表わす。Ｒ³²はア
ルキル基およびアリール基を表わす。Φ³¹およびΦ³²は
１，４−フェニレンを形成するに必要な原子群を表わ
す。Ａｒ³¹およびＡｒ³²はアリール基を表わす。Ｗ³¹お
よびＷ³²は同一でも異ってもよく、ＮおよびＣＨを表わ
すが、同時にＮであることはない。ｌ、ｎは２ないし２
０の整数を表わす。ｍ³は０または１を表わす。ｐ、ｑ
およびｒは含率を示すものであり、ｐは０ないし５０、
ｑは１５ないし９０、ｒは１０ないし８５の範囲にあ
る。但し、ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００である。

【００１４】(4) 光学補償シートが負の一軸性を有する
と共に光学軸がシート面に対して、直角以外の角度で交
わることを特徴とする前記（１）ないし（３）のいずれ
かに記載の光学補償シート。

【００１５】(5) シートに対して光を照射することによ
り、光学異方性を発現させることを特徴とする前記
（１）ないし（３）のいずれかに記載の光学補償シート
の製造方法。

【００１６】(6) シートに対して直線偏光を斜めに照射
することにより、光学軸の角度を制御することを特徴と
する前記（１）ないし（３）のいずれかに記載の光学補
償シートの製造方法。

【００１７】(7) ２枚の電極基板間に液晶を挟持してな
る液晶セルと、その両側に配置された２枚の偏光素子
と、該液晶セルと該偏光素子の間に前記（１）ないし
（３）のいずれかに記載の光学補償シートを少くとも一
枚配置した液晶表示素子。

【００１８】以下、図面を用いてＴＮ型液晶表示素子を
例にとり本発明を説明する。図１、図２は、液晶セルに
しきい値電圧以上の十分な電圧を印加した場合の液晶セ
ル中を伝搬する光の偏光状態を示したものである。コン
トラストの視野角特性には、特に電圧印加時の光の透過
率特性が大きく寄与するため、電圧印加時を例にとり説
明する。図１は、液晶セルに光が垂直に入射した場合の
光の偏光状態を示した図である。自然光Ｌ０が偏光軸Ｐ
Ａをもつ偏光板Ａに垂直に入射したとき、偏光板Ａを透
過した光は、直線偏光Ｌ１となるため、偏光板Ｂによっ
てほぼ完全にＬ１は遮断される。

【００１９】ＴＮ型液晶セルに十分に電圧を印加した時
の液晶分子の配列状態を、概略的に１つの液晶分子で示
すと、ＬＣのようになる。液晶セル中の液晶分子ＬＣの
分子長軸が光の進路と平行な場合、入射面（光の進路に
垂直な面内）での屈折率の差が生じないので、液晶セル
中を伝搬する常光と異常光の位相差が生じずＬＣセルを
通過した直線偏光は液晶セルを透過しても直線偏光のま
ま伝搬する。偏光板Ｂの偏光軸ＰＢを偏光板Ａの偏光軸
ＰＡと垂直に設定すると、液晶セルを透過した直線偏光
は偏光板Ｂを透過することができず暗状態になる。

【００２０】図２は、液晶セルに光が斜めに入射した場
合の光の偏光状態を示した図である。入射光の自然光Ｌ
０が斜めに入射した場合偏光板Ａを透過した偏光光Ｌ１
は偏光板の特性により楕円偏光になることもあるが、ほ
ぼ直線偏光になる。この場合、液晶の屈折率異方性によ
り液晶セルの入射面において屈折率の差が生じ、液晶セ
ルを透過する光Ｌ２は楕円偏光して偏光板Ｂで遮断され
ない。この様に斜方入射においては暗状態での光の遮断
が不十分となり、コントラストの大幅な低下を招き好ま
しくない。

【００２１】本発明は、この様な斜方入射におけるコン
トラストの低下を防ぎ、視角特性を改善しようとするも
のである。図３に本発明による構成の一例を示す。偏光
板Ｂと液晶セルとの間に液晶セルの法線方向から傾いた
光学軸をもつ光学異方素子ＲＦが配置されている。この
光学異方素子ＲＦは光学軸に対して光が入射する角度が
大きくなる程大きく偏光する複屈折体である。この様な
構成の液晶表示素子に図２の場合と同様に光が斜方入射
し液晶セルを透過した楕円偏光した光Ｌ２は、光学異方
素子ＲＦを透過する時の位相遅延作用によって楕円偏光
が元の直線偏光に変調され、種々の斜方入射においても
同一な透過率が得られる視角依存性のない良好な液晶表
示素子が実現できる。

【００２２】本発明によって、液晶表示素子の視野角を
大幅に向上できたことについては以下のように推定され
る。ＴＮ−ＬＣＤの多くは、ノーマリーホワイトモード
が採用されている。このモードにおける視野角特性は、
視角を大きくすることに伴って、黒表示部からの光の透
過率が著しく増大し、結果としてコントラストの急激な
低下を招いていることになる。黒表示は電圧印加時の状
態であるが、この時には、ＴＮ型液晶セルは、光学軸
が、セルの表面に対する法線方向から若干傾いた正の一
軸性光学異方体とみなすことができる。又、中間階調の
場合にはその光学軸は更に、ＬＣセルの法線方向から傾
いていくものと思われる。液晶セルの光学軸が液晶セル
の表面に対する法線方向から傾いている場合、光学軸が
法線方向にある光学異方体では、その補償が不十分であ
ることが予想される。又、液晶セルが正の一軸性光学異
方体とみなせるのであれば、それを補償するためには負
の一軸性光学異方体が好ましい。このような理由から本
発明における、光学軸が法線方向から傾いた負の一軸性
光学異方体によって大幅な視野角特性が改善されたもの
と推定する。

【００２３】以下、本発明について具体的に説明する。
前記一般式（１）および一般式（２）で表わされる基を
部分構造として含む高分子として本発明に用いられる高
分子の主鎖としては例えば、ポリスチレン、マロン酸ポ
リエステル、ポリアクリーレト、ポリメタアクリレー
ト、ポリシロキサン、ポリアクリルアミド、ポリメタア
クリルアミド、ポリオキシアルキレン、テレフタル酸ポ
リエステル、ポリアリルアミン、ポリジカルボン酸アミ
ド、ポリウレタン、ポリオキシフェニレン、ポリビニル
アルコール、ポリコ（塩化ビニリデン）（メタクリレー
ト）が挙げられる。

【００２４】前記一般式（１）および一般式（２）で表
わされる基を前記高分子主鎖に連結させるには、直接あ
るいは２価の基（いわゆる連結基）を用いることで可能
であるが、連結基としては、例えば以下のものが挙げら
れる。

【００２５】

【化３】

【００２６】以下、一般式（１）および一般式（２）に
ついて詳しく述べる。Φ¹ およびΦ² により形成される
１，４−フェニレンは、置換されていても縮環されてい
てもよく、具体例としては例えば下記のものが挙げられ
る。

【００２７】

【化４】

【００２８】Ａｒ¹ およびＡｒ² で表わされるアリール
基は、炭素数６ないし２５のものが挙げられ、好ましく
は炭素数６ないし１５、更に好ましくは炭素数６ないし
１１であり、置換基を有していてもよい。具体例として
は例えば、フェニル、２−メチルフェニル、３−ブロモ
フェニル、４−メトキシフェニル、４−フェニルフェニ
ル、３−メトキシカルボニルフェニル、４−シアノフェ
ニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−アントリルが
挙げられる。

【００２９】本発明における高分子として好ましいもの
は、前記一般式（１）および一般式（２）で表わされる
基が（メタ）アクリル酸由来のカルボニル基にアミド結
合またはエステル結合を介して連結されたもの、すなわ
ち（メタ）アクリル酸アミド誘導体または（メタ）アク
リル酸エステル誘導体を起源とする形で高分子鎖中に導
入されているものが挙げられる。具体例としては例えば
下記のものが挙げられる。

【００３０】

【化５】

【００３１】

【化６】

【００３２】

【化７】

【００３３】

【化８】

【００３４】更に好ましくは前記一般式（３）で表わさ
れる高分子である。以下、一般式（３）について詳しく
述べる。

【００３５】Ｒ³²で表わされるアルキル基としては炭素
数１ないし２０のものが挙げられ、好ましくは炭素数１
ないし１０、更に好ましくは炭素数１ないし６であり、
直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。具体例
としては例えば、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロ
ピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ｔ−ペンチル、
ヘキシル、シクロヘキシルが挙げられる。これらは置換
基を有していてもよく、たとえば２−メトキシエチル、
２−フェニルエチル、３−アセチルアミノプロピルが挙
げられる。

【００３６】Ｒ³²で表わされるアリール基は、前述のＡ
ｒ¹ およびＡｒ² と同義である。Φ ³¹およびΦ³²で表わ
される１，４−フェニレンを形成するに必要な原子群は
前述のΦ¹ およびΦ² と同義である。Ａｒ³¹およびＡｒ
³²で表わされるアリール基は前述のＡｒ¹ およびＡｒ²
と同義である。ｌおよびｍは２ないし２０の整数を表わ
すが好ましくは２ないし１２であり、更に好ましくは２
ないし８である。

【００３７】ｐの好ましい範囲は１０ないし４５、更に
好ましくは３０ないし４５である。ｑの好ましい範囲は
１５ないし７０、更に好ましくは１５ないし４５であ
る。ｒの好ましい範囲は２０ないし８５、更に好ましく
は２０ないし８０である。以下、本発明の一般式の化合
物につき具体例を示す。但し、本発明の範囲はこれらの
みに限定されるものではない。

【００３８】

【化９】

【００３９】

【化１０】

【００４０】

【化１１】

【００４１】

【化１２】

【００４２】

【化１３】

【００４３】

【化１４】

【００４４】これらの化合物は、重合可能な単量体分子
を合成し、それを高分子化する方法に従って合成するこ
とができる。高分子化反応は、例えば溶液重合法、沈殿
重合法、懸濁重合法、プラズマ重合法、蒸着重合法など
の方法で行うことができ、好ましくは溶液重合法であ
る。重合の開始において重合開始剤を用いることができ
る。目的の重合反応に適当な重合開始剤の選択について
は、日本化学会編、新実験化学講座１９巻、高分子化学
（Ｉ）第２章（丸善、１９７８年）を参照とすることに
より可能である。好ましくはラジカル重合開始剤であ
る。本発明の高分子の合成は、前記新実験化学講座１９
巻および日本化学会編、第４版実験化学講座２８巻、高
分子合成（丸善、１９９２年）を参考にして行なうこと
ができる。

【００４５】以下に、これらの化合物の合成例を具体的
に示す。 合成例１（化合物１の合成） １）４−（４−シアノフェニルアゾ）フェノールの合成 フェノール１８５．１ｇ（１．９７mol)、ＮａＯＨ２５
６．１ｇ（６．３６mol)および水１．２リットルを温度
計および攪拌機を備えた５リットル三ッ口フラスコに入
れ０℃に冷却した。これにｐ−シアノアニリン２３２．
５ｇ（１．９７mol)、濃硫酸１０５ml（１．９７mol)お
よび水０．５リットルにＮａＮＯ₂ １４９．４ｇ（２．
１７mol)と水０．７リットルとからなる溶液を滴下する
ことにより調製された、ジアゾニウム塩を滴下した。滴
下終了後、０℃で１時間攪拌した。反応混合物を塩酸で
中和し、生じた結晶を濾取し水洗、風乾により目的の化
合物を得た。収量４１７ｇ（収率９５％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して、以下の結果を
得た。 δ５．４０（１Ｈ、ｂｒｓ）、６．９８（２Ｈ、ｄ）、
７．８０（２Ｈ、ｄ）、７．９２（２Ｈ、ｄ）、７．９
５（２Ｈ、ｄ）

【００４６】２）６−〔４−（４−シアノフェニルア
ゾ）フェノキシ〕−１−ヘキサノールの合成 前記フェノール誘導体６．０７ｇ（０．０２７mol)、６
−クロロ−１−ヘキサノール３．７ml（０．０３３mo
l)、炭酸カリウム、およびＤＭＦ５０mlを還流冷却管を
備えた２００mlのメスフラスコに入れ、４時間１００℃
で加熱した。反応混合物を室温まで放冷し、氷水に注ぎ
生じた結晶を濾取し水洗、風乾により目的の化合物を得
た。収量７．４５ｇ（収率８５％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して、以下の結果を
得た。 δ１．３５−１．９５（８Ｈ、ｍ）、３．７０（２Ｈ、
ｑ）、４．０８（２Ｈ、ｔ）、７．０２（２Ｈ、ｄ）、
７．８０（２Ｈ、ｄ）、７．９５（４Ｈ、ｄ）

【００４７】３）６−〔４−（４−シアノフェニルア
ゾ）フェノキシ〕−１−ヘキサノイル＝メタクリラート
の合成 前記ヒドロキシ誘導体９．１２ｇ（０．０２８mol)、ト
リエチルアミン７．８mlおよびアセトニトリル７０mlと
温度計および攪拌機を備えた３００ml三ッ口フラスコに
入れ０℃に冷却した。これに塩化メタクリロイル４．１
ml（０．０４２mol)とアセトニトリル７mlとからなる溶
液を５℃以下で滴下した。滴下終了後０℃で１時間攪拌
した。反応混合物を氷水に注ぎ生じた沈澱を濾取し、水
洗した。風乾後、再結晶（ＥｔＯＨ：acetone ＝６：
１）を行い目的物を得た。収量７．１２ｇ（収率６５
％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して、以下の結果を
得た。 δ１．４−１．９（８Ｈ、ｍ）、１．９５（３Ｈ、
ｓ）、４．０５（２Ｈ、ｔ）、４．１７（２Ｈ、ｔ）、
５．５５（１Ｈ、ｓ）、６．１０（１Ｈ、ｓ）、７．０
１（２Ｈ、ｄ）、７．７９（２Ｈ、ｄ）、７．９４（４
Ｈ、ｄ）

【００４８】４）４−（４−シアノベンジリデンアミ
ノ）フェノールの合成 ｐ−アミノフェノール１０．９ｇ（０．１ｍｏｌ）、ｐ
−シアノベンズアルデヒド１３．１ｇ（０．１ｍｏｌ）
およびＥｔＯＨ７０mlを還流冷却管を備えた３００mlの
ナスフラスコに入れ、１０分間加熱還流した。反応混合
物を室温まで放冷し、生じた結晶を濾取、洗浄（ＥｔＯ
Ｈ）することにより目的の化合物を得た。収量１９．０
ｇ（収率８６％） ＤＭＳＯ−ｄ₆ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して、以下の結
果を得た。 δ６．８５（２Ｈ、ｄ）、７．２８（２Ｈ、ｄ）、７．
９５（２Ｈ、ｄ）、８．０７（２Ｈ、ｄ）、８．７５
（１Ｈ、ｓ）、９．６８（１Ｈ、ｓ）

【００４９】５）６−〔４−（４−シアノベンジリデン
アミノ）フェノキシ〕−１−ヘキサノールの合成 前記フェノール誘導体６．６６ｇ（０．０３ｍｏｌ）、
６−クロロ−１−ヘキサノール４．１ml（０．０３６ｍ
ｏｌ）、炭酸カリウム、およびＤＭＦ５０mlを還流冷却
管を備えた２００mlのナスフラスコに入れ、４時間１５
０℃で加熱した。反応混合物を室温まで放冷し、氷水に
注ぎ生じた結晶を濾取し水洗、風乾し、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにより目的の化合物を得た。収量
５．２ｇ（収率５４％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して、以下の結果を
得た。 δ１．３−１．９（８Ｈ、ｍ）、３．３６（２Ｈ、
ｔ）、４．００（２Ｈ、ｔ）、６．９７（２Ｈ、ｄ）、
７．２８（２Ｈ、ｄ）、７．７５（２Ｈ、ｄ）、８．０
０（２Ｈ、ｄ）、８．５２（１Ｈ、ｓ）

【００５０】６）６−〔４−（４−シアノベンジリデン
アミノ）フェノキシ〕−１−ヘキシル＝メタアクリラー
トの合成 前記ヒドロキシ誘導体４．６７ｇ（１５ｍｍｏｌ）、ト
リエチルアミン６．１mlおよびジクロロメタン２５mlと
温度計および攪拌機を備えた１００ml三ッ口フラスコに
入れ０℃に冷却した。これに塩化メタクリロイル２．８
ml（３０ｍｍｏｌ）とジクロロメタン３mlからなる溶液
を５℃以下で滴下した。滴下終了後０℃で１時間攪拌し
た。反応混合物をジクロロメタンで希釈し、飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液で洗浄した。有機溶媒を減圧留去し
た後、洗浄（ヘキサン＝２：１）を行ない目的物を得
た。収量２．４８ｇ（収率４４％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して、以下の結果を
得た。 δ１．４−１．９（８Ｈ、ｍ）、１．９５（３Ｈ、
ｓ）、４．００（２Ｈ、ｔ）、４．１８（２Ｈ、ｔ）、
４．１８（２Ｈ、ｔ）、５．５５（１Ｈ、ｓ）、６．１
０（１Ｈ、ｓ）、６．９５（２Ｈ、ｄ）、７．３０（２
Ｈ、ｄ）、７．７５（２Ｈ、ｄ）、８．００（２Ｈ、
ｄ）、８．５５（１Ｈ、ｓ）

【００５１】７）１の合成 前記モノマー１．１７ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、アゾモノ
マー１．１７ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、アクリル酸メチル
０．５４ml（６．０ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニ
トリル（ＡＩＢＮ）０．１０ｇ（０．６ｍｍｏｌ）およ
び１，２−ジメトキシエタン２０mlを還流冷却管を備え
た５０mlナスフラスコに入れ窒素雰囲気下３日間７０℃
で加熱した。室温まで放冷した後、ｎ−ヘキサンを加え
た。再びデカンテーションにより上澄みを除き、再度同
様の操作を行なった。樹脂状物を吸引濾過し、目的物を
得た。収量２．０２ｇ（収率７０％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定したところ、アクリ
レートおよびメタクリレート基由来のビニルプロトン
（δ５．６−６．５ｐｐｍ）が消失しシグナルがブロー
ド化していた。重合反応が進行し、高分子化したことが
明らかである。−Ｏ−ＣＨ₃ （δ３．６ｐｐｍ）、Ｎ＝
ＣＨ−（δ８．５ｐｐｍ）およびアゾベンゼンの芳香族
プロトン（δ７．６−８．０ｐｐｍ）由来のシグナル強
度より、ｐ：ｑ：ｒ比を求めたところ、その値は４４：
３２：２４であった。ＧＰＣにより測定したスチレン換
算重量平均分子量は２１，０００であった。ＤＳＣで測
定したＴｇは４５℃であった。

【００５２】合成例２ ２の合成 １）４−ヒドロキシ−４′−ニトロスチルベンの合成 ４−ヒドロキシベンズアルデヒド１２．２ｇ（０．１ｍ
ｏｌ）、４−ニトロフェニル酢酸１８．１ｇ（０．１ｍ
ｏｌ）およびピペリジン８．０mlを１００mlのフラスコ
に秤量し、１００℃に加熱した油浴にて１時間加熱攪拌
した後、１４０℃で更に２時間加熱した。放冷後、酢酸
エチルを加え、得られた結晶を濾取した。粗結晶をアセ
トニトリルとメタノールの混合溶媒より再結晶し目的物
を得た。収量１５．８ｇ（収率６５．６％）

【００５３】２）４−（６−ヒドロキシヘキシルオキ
シ）−４′−ニトロスチルベンの合成 合成例１−５）と同様に行ない８８％の収率で目的物を
得た。ＤＭＳＯ−ｄ₆ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して以下
の結果を得た。 δ１．２〜１．６（６Ｈ、ｍ）、１．７２（２Ｈ、
ｍ）、３．４０（２Ｈ、ｄｄ）、３．９８（２Ｈ、
ｔ）、４．３３（１Ｈ、ｔ）、６．９９（２Ｈ、ｄ）、
７．２６（１Ｈ、ｄ）、７．４９（１Ｈ、ｄ）、７．６
０（２Ｈ、ｄ）、７．８１（２Ｈ、ｄ）、８．２０（２
Ｈ、ｄ）

【００５４】３）４−（６−ヒドロキシヘキシルオキ
シ）−４′−ニトロスチルベンのメタアクリラートの合
成 ヒドロキシ体２．５ｇ（７．３ｍｍｏｌ）、トリエチル
アミン３．２mlおよびモレキュラーシーブにて一夜乾燥
したＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７５mlをフラスコに
秤量し、寒剤にて冷却しながらこれに０〜５℃になるよ
う塩化メタクリル１．５３ｇ（１４．６ｍｍｏｌ）とア
セトニトリル５mlとからなる溶液を滴下した。滴下終了
後氷冷下更に１時間攪拌した。反応混合物を氷水に注
ぎ、酢酸エチルにて抽出し無水硫酸ナトリウムにて乾燥
した。溶媒を減圧留去し、酢酸エチルとｎ−ヘキサンと
の混合溶媒にて結晶化させ濾取した。収量２．０３ｇ
（収率６８．０％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して以下の結果を得
た。 δ１．３〜１．９（８Ｈ、ｍ）、１．９５（３Ｈ、
ｓ）、４．００（２Ｈ、ｔ）、４．１５（２Ｈ、ｔ）、
５．５３（１Ｈ、ｓ）、６．０９（１Ｈ、ｓ）、６．９
０（２Ｈ、ｄ）、６．９８（１Ｈ、ｄ）、７．２１（１
Ｈ、ｄ）、７．４５（２Ｈ、ｄ）、７．５５（２Ｈ、
ｄ）、８．２０（２Ｈ、ｄ）

【００５５】４）２の合成 前記モノマー０．５０ｇ（１．２２ｍｍｏｌ）、アゾモ
ノマー０．４８ｇ（１．２２ｍｏｌ）、アクリル酸メチ
ル０．２２ml（２．４４ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチ
ロニトリル（ＡＩＢＮ）０．０４ｇ（０．２４ｍｍｏ
ｌ）および１，２−ジメトキシエタン７mlを還流冷却管
を備えた５０mlナスフラスコに入れ窒素雰囲気下２日間
７０℃で加熱した。室温まで放冷した後、ｎ−ヘキサン
を加えた。再びデカンテーションにより上澄みを除き、
再度同様の操作を行なった。樹脂状物を吸引濾過し、目
的物を得た。収量０．８６ｇ（収率７２％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定したところ、アクリ
レートおよびメタクリレート基由来のビニルプロトン
（δ５．６−６．５ｐｐｍ）が消失しシグナルがブロー
ド化していた。重合反応が進行し、高分子化したことが
明らかである。−Ｏ−ＣＨ（δ３．６ｐｐｍ）、スチル
ベンの芳香族プロトン（δ８．１５ｐｐｍ）およびアゾ
ベンゼンの芳香族プロトン（δ７．６−８．０ｐｐｍ）
由来のシグナル強度より、ｐ：ｑ：ｒ比を求めたとこ
ろ、その値は45：29：26であった。ＧＰＣにより測定し
たスチレン換算重量平均分子量は２３，０００であっ
た。ＤＳＣで測定したＴｇは４７℃であった。

【００５６】合成例３ ３の合成 １）４−ヒドロキシ−４′−シアノスチルベンの合成 （４−シアノベンジル）トリフェニルホスホニウムクロ
ライド１４．８５ｇ（３５．９ｍｍｏｌ）、１８−クラ
ウン−６０．４８ｇ（１．８ｍｍｏｌ）および乾燥ＴＨ
Ｆ３０mlを還流冷却管を備えた１００mlの三ッ口フラス
コに入れ、２０分間室温で攪拌した後、０℃に冷却し、
ｔ−ブトキシカリウム６．０５ｇ（５３．９ｍｍｏｌ）
を加え３０分間攪拌した。次に、５０℃に加熱し、ｐ−
シアノベンズアルデヒド４．３８ｇ（３５．９ｍｍｏ
ｌ）と乾燥ＴＨＦ１０mlからなる溶液を滴下した。滴下
終了後５０℃で３時間攪拌した。反応混合物をセライト
で濾過し、濾液を酢酸エチルで抽出した。有機溶媒を減
圧留去した後、ジクロロメタンを加え、生じた結晶を濾
取することにより目的の化合物を得た。収量２．５２ｇ
（収率３２％） ＤＭＳＯ−ｄ₆ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して、以下の結
果を得た。 δ６．８０（２Ｈ、ｄ）、７．１０（１Ｈ、ｓ）、７．
４０（１Ｈ、ｓ）、７．５０（２Ｈ、ｄ）、７．７２
（２Ｈ、ｄ）、７．８１（２Ｈ、ｄ）、９．７３（１
Ｈ、ｓ）

【００５７】２）４−（６−ヒドロキシヘキシルオキ
シ）−４′−シアノスチルベンの合成 前記フェノール誘導体３．０９ｇ（１４．０ｍｍｏ
ｌ）、６−クロロ−１−ヘキサノール１．９ml（１６．
８ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム、およびＤＭＦ２０mlを還
流冷却管を備えた１００mlのナスフラスコに入れ、５時
間１５０℃で加熱した。反応混合物を室温まで放冷し、
氷水に注ぎ生じた結晶を濾取し水洗、風乾し、再結晶
（イソプロパノール）により目的の化合物を得た。収量
３．３６ｇ（収率７５％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して、以下の結果を
得た。 δ１．３−１．９（８Ｈ、ｍ）、３．６５（２Ｈ、
ｔ）、３．９８（２Ｈ、ｔ）、６．９０（２Ｈ、ｄ）、
６．９５（１Ｈ、ｓ）、７．１５（１Ｈ、ｓ）、７．４
５（２Ｈ、ｄ）、７．５５（２Ｈ、ｄ）、７．６２（２
Ｈ、ｄ）

【００５８】３）４−（６−ヒドロキシヘキシルオキ
シ）−４′−シアノスチルベンのメタクリラートの合成 前記ヒドロキシ誘導体３．１３ｇ（９．７５ｍｍｏ
ｌ）、トリエチルアミン２．７mlおよびジクロロメタン
２０mlと温度計および攪拌機を備えた１００ml三ッ口フ
ラスコに入れ０℃に冷却した。これに塩化メタクリロイ
ル１．４３ml（１４．６ｍｍｏｌ）とジクロロメタン３
mlからなる溶液を５℃以下で滴下した。滴下終了後０℃
で１時間攪拌した。反応混合物をジクロロメタンで希釈
し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。有機溶
媒を減圧留去した後、再結晶（アセトニトリル）を行な
い目的物を得た。収量２．７７ｇ（収率７３％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して、以下の結果を
得た。 δ１．４−１．９（８Ｈ、ｍ）、１．９５（３Ｈ、
ｓ）、４．００（２Ｈ、ｔ）、４．１７（２Ｈ、ｔ）、
５．５５（１Ｈ、ｓ）、６．１０（１Ｈ、ｓ）、６．９
０（２Ｈ、ｄ）、６．９５（１Ｈ、ｓ）、７．１５（１
Ｈ、ｓ）、７．４７（２Ｈ、ｄ）、７．５５（２Ｈ、
ｄ）、７．６１（２Ｈ、ｄ）

【００５９】４）３の合成 前記モノマー０．５８ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、アゾモノ
マー０．５９ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、アクリル酸メチル
０．２７ml（３．０ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニ
トリル（ＡＩＢＮ）０．０７ｇ（０．３ｍｍｏｌ）およ
び１，２−ジメトキシエタン７mlを還流冷却管を備えた
５０mlナスフラスコに入れ窒素雰囲気下２日間７０℃で
加熱した。室温まで放冷した後、ｎ−ヘキサンを加え
た。再びデカンテーションにより上澄みを除き、再度同
様の操作を行なった。樹脂状物を吸引濾過し、目的物を
得た。収量１．１８ｇ（収率８２％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定したところ、アクリ
レートおよびメタクリレート基由来のビニルプロトン
（δ５．６−６．５ｐｐｍ）が消失しシグナルがブロー
ド化していた。重合反応が進行し、高分子化したことが
明らかである。−Ｏ−ＣＨ₃ （δ３．６ｐｐｍ）、スチ
ルベンの芳香族プロトン（δ７．３−７．６ｐｐｍ）お
よびアゾベンゼンの芳香族プロトン（δ７．６−８．０
ｐｐｍ）由来のシグナル強度より、ｐ：ｑ：ｒ比を求め
たところ、その値は４４：２６：３０であった。ＧＰＣ
により測定したスチレン換算重量平均分子量は４９、０
００であった。ＤＳＣで測定したＴｇは６１℃であっ
た。

【００６０】合成例４ ６の合成 １）６−〔４−（４−シアノフェニル）フェノキシ〕ヘ
キシル＝メタアクリラートの合成 合成例１−５）と同様に合成したヒドロキシ誘導体２．
９５ｇ（１０ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン４．２mlお
よびジクロロメタン２０mlと温度計および攪拌機を備え
た１００ml三ッ口フラスコに入れ０℃に冷却した。これ
に塩化メタクリロイル１．５ml（１５ｍｍｏｌ）とジク
ロロメタン３mlからなる溶液を５℃以下で滴下した。滴
下終了後０℃で１時間攪拌した。反応混合物をジクロロ
メタンで希釈し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄
した。有機溶媒を減圧留去した後、再結晶（ＥｔＯＨ）
を行ない目的物を得た。収量２．９５ｇ（収率８１％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して、以下の結果を
得た。 δ１．４−１．９（８Ｈ、ｍ）、１．９５（３Ｈ、
ｓ）、４．０３（２Ｈ、ｔ）、４．１７（２Ｈ、ｔ）、
５．５５（１Ｈ、ｓ）、６．１０（１Ｈ、ｓ）、６．９
８（２Ｈ、ｄ）、７．５０（２Ｈ、ｄ）、７．６２（２
Ｈ、ｄ）、７．７０（２Ｈ、ｄ）

【００６１】２）６の合成 前記モノマー０．７３ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、アゾモノ
マー０．７８ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、アクリル酸メチル
０．３６ml（４．０ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニ
トリル（ＡＩＢＮ）０．０７ｇ（０．４ｍｍｏｌ）およ
び１，２−ジメトキシエタン１５mlを還流冷却管を備え
た５０mlナスフラスコに入れ窒素雰囲気下２日間７０℃
で加熱した。室温まで放冷した後、ｎ−ヘキサンを加え
た。再びデカンテーションにより上澄みを除き、再度同
様の操作を行なった。樹脂状物を吸引濾過し、目的物を
得た。収量１．４１ｇ（収率７５％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定したところ、アクリ
レートおよびメタクリレート基由来のビニルプロトン
（δ５．６−６．５ｐｐｍ）が消失しシグナルがブロー
ド化していた。重合反応が進行し、高分子化したことが
明らかである。−Ｏ−ＣＨ₃ （δ３．６ｐｐｍ）、ビフ
ェニルの芳香族プロトン（δ７．４−７．７ｐｐｍ）お
よびアゾベンゼンの芳香族プロトン（δ７．７−８．０
ｐｐｍ）由来のシグナル強度より、ｐ：ｑ：ｒ比を求め
たところ、その値は４３：２６：３１であった。ＧＰＣ
により測定したスチレン換算重量平均分子量は２６，０
００であった。ＤＳＣで測定したＴｇは３５℃であっ
た。

【００６２】本発明における負の一軸性とは、光学異方
性を有するシートの３軸方向屈折率をその値が小さい順
にｎα、ｎβ、ｎγとしたとき、ｎα＜ｎβ＝ｎγの関
係を有するものである。従って光学軸方向の屈折率が最
も小さいという特性を有するものである。ただし、ｎβ
とｎγの値は厳密に等しい必要はなく、ほぼ等しければ
十分である。具体的には、｜ｎβ−ｎγ｜／｜ｎβ−ｎ
α｜≦０．２であれば実用上問題ない。又、ＴＦＴ、Ｔ
Ｎ型液晶セルの視野角特性を大幅に改良する条件として
は、光学軸はシート面の法線方向から５度〜５０度傾い
ていることが好ましく、１０度〜４０度がより好まし
く、１０度〜３０度が最も好ましい。更に、シートの厚
さをＤとしたとき、１００≦（ｎβ−ｎα）×Ｄ≦４０
０ｎｍの条件を満足することが好ましい。

【００６３】次に、光学補償シートの製法について説明
する。まず最初に、本発明の高分子を少なくとも一種含
むシートを形成する。本発明におけるシートは一般にシ
ートと称されるもの以外に、フイルム、膜状物、板状
物、他の支持体上の塗布膜等の多くの形態のものを含
む。厚さは好ましくは、３００μｍ以下であり、１００
μｍがより好ましく、２０μｍ以下が最も好ましい。シ
ートの形成方法は特に制限はなく、一般的に知られてい
る溶液流延法、溶融製膜法、塗布法などが好適に利用さ
れる。また、本発明におけるシートは、本発明の高分子
のみで形成されていても、他の素材例えば特願平５−２
４２９６９に開示された高分子と混合されていてもよ
い。ただし、形成されたシートの光透過率は好ましくは
７０％以上、更に好ましくは８５％以上である。

【００６４】本発明の高分子を溶液とする場合には、大
気圧下の沸点３０℃ないし１００℃の溶媒を用いること
が好ましく、例えば脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、
アルコール、エーテル、エステル、ハロゲン化炭化水素
ケトンから選ぶことができる。更に好ましくは前記沸点
３０℃ないし８０℃のものが好ましく、特にエーテルお
よびハロゲン化炭化水素が好ましい。

【００６５】シートの形成を塗布法で行う場合、本発明
の高分子を含む溶液を作製し光透過率が７０％以上の支
持体上にワイヤーバー、ギーサなどを使ったコーターで
塗布をすることが可能である。この場合、支持体素材は
光透過率が良好であることに加えて、光学的等方性に近
いことが好ましい。従って、ゼオネックス（日本ゼオ
ン）、ＡＲＴＯＮ（日本合成ゴム）、フジタック（富士
写真フイルム）などの商品名で売られている固有複屈折
値が小さい素材から形成された支持体上に塗布すること
が好ましい。しかし、ポリカーボネート、ポリアリレー
ト、ポリスルホン等の固有複屈折値が大きい素材であっ
ても製膜時に分子配向を抑制することによって光学的等
方向的な支持体を形成することも可能であり、それらも
好適に利用できる。

【００６６】負の一軸性であって、光学軸がシート法線
方向から傾斜した屈折率特性は、具体的には、光異性化
物質を少なくとも一種含むシートに直線偏光をシート面
に対して斜入射で照射することによって発現させること
ができる。かつ、斜入射角度を制御することで光学軸を
任意に制御することが可能である。このことを更に詳細
に説明すると、本発明の高分子を少なくとも一種含むシ
ート内に直線偏光が伝搬するとき、偏光の振動方向に光
学軸が形成されることが判明した。これは、偏光軸に直
交する面内にどの方向にもほぼ均一に光異性化能を有す
る部分が放射状に配列しているものと予想される。ま
た、その光学軸の方向はあくまでシート内での伝搬方向
に対する振動方向であって、シートに入射する直線偏光
の振動方向とは異なるが、入射直線偏光の伝搬方向とシ
ート内での伝搬方向はスネルの屈折の法則にしたがって
いるため、入射直線偏光の伝搬方向を制御することによ
って光軸の方向制御が可能である。

【００６７】本発明の高分子の直線偏光による再配向化
の過程については、以下の様に考えられる。すなわち、
本発明における光異性化物質とは、光により立体異性化
または構造異性化を起こすものであり、好ましくは、別
の波長の光または熱によってその逆異性化を起こすもの
である。アゾ色素を例に取ると、光照射及び熱によって
シス−トランスの異性化が頻繁に繰り返される。その照
射光が直線偏光の場合、その振動方向に吸収軸をもった
配向状態にあるアゾ基はその光を吸収し、異性化を繰り
返すが、その過程で偶然に光の振動方向に対し、垂直方
向またはそれに近い方向に配向したアゾ基は殆どあるい
は全く光を吸収できなくなるため、ほぼその位置で配向
が固定されることになる。これが再配向化の過程であ
る。

【００６８】具体例として、光異性化物質がアゾベンゼ
ンの場合について説明する。図４に示すようにトランス
形アゾベンゼン（Ａ）の光吸収軸とほぼ一致した直線偏
光が照射されると光異性化によりシス形（Ｂ）になる。
（Ｂ）は熱の作用により（Ａ）または（Ｃ）のトランス
形に変化する。（Ｃ）の吸収軸は直線偏光とほぼ直交す
るため（Ｃ）は光の作用を受けなくなり安定化する。安
定化する位置は直線偏光の軸に対して直交する平面内な
らどの部分も等しく可能性があるため偏光軸が光軸と一
致する光学異方体となる。また、主鎖方向より側鎖のア
ゾベンゼンの光吸収軸の方向が屈折率が大きいため負の
一軸性になるものと思われる。

【００６９】つまり、統計的に等方的な配向状態にある
アゾ色素を含むシートに直線偏光を照射すると、時間と
共に直線偏光の振動方向に対して垂直な方向に配向する
アゾ基が増加する。この再配向化の方向とは、直線偏光
の振動方向に対して垂直な平面であり、該平面内ではア
ゾ基はランダムな配向状態（面配向状態）にある。この
再配向後のシートは、入射直線偏光の振動方向に直交す
る面にアゾ基が面配向するために、その垂直方向（光の
振動方向）は低い複屈折性、すなわち負の一軸性が誘起
されると考えられる。

【００７０】直線偏光の光源に関しては、光異性化が起
こる波長が素材によって異なるが、波長領域が広い水銀
ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ等は好適に利
用できる。また、照射直線偏光強度（照度）は、光異性
化物質による量子化収率や照射時のシート温度などに大
きく影響するためそれぞれのシートの特性に応じて適宜
選定することが好ましいが、可視光強度としては、５０
０ルクス以上が好ましく５０００ルクス以上が更に好ま
しい。偏光照射時のシート温度に関しては、シートを形
成しているポリマーのＴｇ（ガラス転移点）より極端に
低い温度域での照射では、分子運動が抑制されているた
め、光異性化が抑制され、複屈折が発現しにくい。ま
た、Ｔｇよりかなり高い温度域では、分子の熱運動によ
る緩和の寄与が大きくなるため複屈折が発現しにくくな
る。そのため、偏光照射時のシート温度は、Ｔｇ近傍、
具体的には、（Ｔｇ−３０℃）＜（照射時のシート温
度）＜（Ｔｇ＋５０℃）が好ましい。

【００７１】本発明においては、光照射によって得られ
た光学特性の耐久性を向上させるために、架橋反応の可
能な官能基を分子間あるいは分子内で反応させる事が好
ましく、分子配向後に反応させる事が更に好ましい。

【００７２】また、光異性化物質は化学的な不活性化処
理によって、光学異方体の耐久特性を向上させることが
できる。

【００７３】光異性化物質は光の吸収によって異性化を
起こすものである。そのため、既に所望の光学特性が得
られたシートにおいても光が照射する環境下にあって
は、さらに異性化が進行し、光学特性が経時的に変化す
ることが有り得る。そのような現象を防ぐために、光を
吸収する部分即ち、アゾ基、イミノ基、ビニル基などの
共役鎖構造部分を、酸化、還元、反応による解裂等によ
って分解、あるいはシート外への溶出などによって化学
的に不活性化し耐久性能を向上することができる。以下
実施例によって詳細に説明する。

【００７４】

【実施例】

実施例１ 合成例１の化合物１を塩化メチレンに溶解し、２０重量
％溶液とした。該溶液をドクターブレードでガラス板上
に塗布し、厚さ５μｍのシートを得た。該シートに、図
５に示す偏光照射装置を用いて油浴中において直線偏光
を照射し、光学補償シートを得た。そのときの条件は以
下の通りである。 油（屈折率＝１．５２） ：４５℃ 光学補償シートへの光の入射角θ：８０° 光学補償シート面での照度 ：２００００ルクス 照射時間 ：１時間 偏光照射前のシートおよび偏光照射後の光学補償シート
について３軸方向屈折率及び光軸のシート法線方向から
の傾き角度をエリプソメーターＡＥＰ−１００（島津製
作所製）を用い透過モードでのレターデーションの角度
依存性を求めその値から最適な３軸方向屈折率と光軸の
方向を計算によって求めた。結果を表１に示す。

【００７５】実施例２ 合成例２の化合物２を用い実施例１と同様の操作を行な
い光学補償板を作製し、３軸方向屈折率と光軸の方向を
求めた。結果を表１に示す。

【００７６】実施例３ 合成例３の化合物３を用い実施例１と同様の操作を行な
い光学補償板を作成し、３軸方向屈折率と光軸の方向を
求めた。結果を表１に示す。

【００７７】実施例４ 合成例４の化合物６を用い実施例１と同様の操作を行な
い光学補償板を作成し、３軸方向屈折率と光軸の方向を
求めた。結果を表１に示す。

【００７８】実施例５ 光学補償シートへの光の入射角を５０°、照射時間を１
５分とした点を除いて実施例１と同様の操作を行い光学
補償板を作製し、実施例１と同様に３軸方向屈折率と光
軸の方向を求めた。その結果を表１に示す。

【００７９】実施例６ 光学補償シートへの光の入射角を２０°とした点を除い
て実施例２と同様の操作を行い光学補償板をを作製し、
実施例１と同様に３軸方向屈折率と光軸の方向を求め
た。その結果を表１に示す。

【００８０】比較例１ スチレン換算重量平均分子量が約２万のポリカーボネー
トを塩化メチレンに溶解し、２０重量％溶液とした。該
溶液をドクターブレードでガラス板上に塗布し、厚さ１
５μｍのシートを得た。実施例１と同様の条件で直線偏
光を該シートに照射し光学補償シートを作製し、実施例
１と同様に３軸方向屈折率と光軸の方向を求め、その結
果を表１に示す。

【００８１】比較例２ スチレン換算重量平均分子量が約２万のポリカーボネー
トを塩化メチレンに溶解し、２５重量％溶液とした。該
溶液をドクターブレードでガラス板上に塗布し、厚さ１
７４μｍのシートを得た。該シートを１６０℃で圧縮成
形することで厚さ１５０μｍの光学補償シートを作製
し、実施例１と同様に３軸方向屈折率と光軸の方向を求
め、その結果を表１に示す。

【００８２】比較例３ 重量平均分子量が約１２万のポリスチレンを塩化メチレ
ンに溶解し、２５重量％溶液とした。該溶液をドクター
ブレードでガラス板上に塗布し、厚さ９０μｍのシート
を得た。該シートを１１５℃で延伸倍率４５％の一軸延
伸することで厚さ７４μｍの光学補償シートを作製し、
実施例１と同様に３軸方向屈折率と光軸の方向を求め
た。その結果を表１に示す。

【００８３】比較例４ スチレン換算分子量が約２万５千の化合物Ａを用い実施
例１と同様の操作を行ない光学補償板を作成し、３軸方
向屈折率と光軸の方向を求めた。結果を表１に示す。

【００８４】

【化１５】

【００８５】比較例５ スチレン換算分子量が約２万５千の化合物Ａと化合物Ｂ
との等重量混合物を用い実施例１と同様の操作を行ない
光学補償板を作成し、３軸方向屈折率と光軸の方向を求
めた。結果を表１に示す。

【００８６】

【化１６】

【００８７】比較例６ 比較例５において化合物Ｂを化合物Ｃに替え、同様の操
作を行なった。結果を表１に示す。

【００８８】

【化１７】

【００８９】比較例７ 比較例５において化合物Ｂを化合物Ｄに替え、同様の操
作を行なった。結果を表１に示す。

【００９０】

【表１】

【００９１】

【化１８】

【００９２】実施例７ 実施例１〜４および比較例４〜７で得られた光学補償板
の４７０ｎｍでの吸光度を測定した。結果を表２に示
す。

【００９３】

【表２】

【００９４】また入射角と光軸の傾斜角の間には下記の
式１の関係があることも判明した。これは入射直線偏光
がスネルの法則に従っていること及び光軸と偏光軸が一
致することを裏づけている。

【００９５】

【数１】

【００９６】実施例８ 液晶の異常光と常光の屈折率の差と液晶セルのギャップ
サイズの積が４７０ｎｍでねじれ角が９０度のＴＮ型液
晶セルに実施例及び比較例で得た光学補償シートを装着
し、液晶セルに対して０Ｖ／５Ｖの３０Ｈｚ矩形波を与
えた場合のコントラストの角度依存性を視野角測定装置
（ＬＣＤ−５０００（大塚電子製））によって測定し
た。コントラスト１０の位置を視野角と定義し、上下左
右の視野角を求めた。結果を表３に示す。なお、この測
定におけるＴＮ型液晶セルの偏光板の偏光軸、液晶セル
のラビング軸、光学補償シートの光軸の方向を、図６に
示す。

【００９７】

【表３】

【００９８】

【発明の効果】本発明によれば、ＴＮ型液晶表示素子の
視野角特性および着色が改善され、視認性に優れる高品
位表示素子を提供することができる。また、本発明をＴ
ＦＴやＭＩＭなどの３端子、２端子の能動素子を用いた
アクティブマトリックス液晶表示素子に応用しても同様
に優れた効果が得られる。また、耐久性にも優れてい
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のＴＮ型液晶表示素子の構成図と表示面に
垂直に光が入射する場合の光の透過状態を説明する図で
ある。

【図２】従来のＴＮ型液晶表示素子の構成図と表示図に
斜めに光が入射する場合の光の透過状態を説明する図で
る。

【図３】本発明の液晶表示素子の構成の実施例を説明す
る図である。

【図４】光異性化物質の偏光による再配列メカニズムを
示す図である。

【図５】光異性化物質を塗布したガラス基板に偏光を照
射する装置の図である。

【図６】本実施例に使用した液表示素子の構成を説明す
る図である。

【符号の説明】

Ａ、Ｂ…偏光板 ＰＡ、ＰＢ…偏光軸 ＲＦ…光学異方性素子 Ｌ０…入射光 Ｌ１…偏光板Ａを通過した直線偏光 Ｌ２…ＴＮ型液晶セルを通過した偏光（主に楕円偏光） ＬＣ…ＴＮ型液晶セル内の液晶を説明したもの θ…直線偏光入射角度

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成６年５月１３日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００６

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００６】上記特許公報で提案された位相差フィルム
は、液晶セルの表面に対して、垂直な方向に位相差がほ
ぼゼロのものであり、真正面からはなんら光学的な作用
を及ぼさず、傾けたときに位相差が発現し、液晶セルで
発現する位相差を補償しようというものである。しか
し、これらの方法によってもＬＣＤの視野角はまだ不十
分であり、更なる改良が望まれている。特に、車載用
や、ＣＲＴの代替として考えた場合には、現状の視野角
では全く対応できないのが実状である。また、特開平４
−３６６８０８号、特開平４−３６６８０９号、特開平
４−３６６８０８号公報には、光学軸が傾いたカイラル
ネマチック液晶を位相差フィルムとして用いて視野角を
改良しているが、２層液晶方式となりコストが高く、非
常に重いものとなっている。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２５】

【化３】

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３２】

【化７】

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５８】３）４−（６−ヒドロキシヘキシルオキ
シ）−４′−シアノスチルベンのメタクリラートの合成 前記ヒドロキシ誘導体３．１３ｇ（９．７５ｍｍｏ
ｌ）、トリエチルアミン２．７mlおよびジクロロメタン
２０mlを温度計および攪拌機を備えた１００ml三ッ口フ
ラスコに入れ０℃に冷却した。これに塩化メタクリロイ
ル１．４３ml（１４．６ｍｍｏｌ）とジクロロメタン３
mlからなる溶液を５℃以下で滴下した。滴下終了後０℃
で１時間攪拌した。反応混合物をジクロロメタンで希釈
し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。有機溶
媒を減圧留去した後、再結晶（アセトニトリル）を行な
い目的物を得た。収量２．７７ｇ（収率７３％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して、以下の結果を
得た。 δ１．４−１．９（８Ｈ、ｍ）、１．９５（３Ｈ、
ｓ）、４．００（２Ｈ、ｔ）、４．１７（２Ｈ、ｔ）、
５．５５（１Ｈ、ｓ）、６．１０（１Ｈ、ｓ）、６．９
０（２Ｈ、ｄ）、６．９５（１Ｈ、ｓ）、７．１５（１
Ｈ、ｓ）、７．４７（２Ｈ、ｄ）、７．５５（２Ｈ、
ｄ）、７．６１（２Ｈ、ｄ）

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６０】合成例４ ６の合成 １）６−〔４−（４−シアノフェニル）フェノキシ〕ヘ
キシル＝メタアクリラートの合成 合成例１−５）と同様に合成したヒドロキシ誘導体２．
９５ｇ（１０ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン４．２mlお
よびジクロロメタン２０mlを温度計および攪拌機を備え
た１００ml三ッ口フラスコに入れ０℃に冷却した。これ
に塩化メタクリロイル１．５ml（１５ｍｍｏｌ）とジク
ロロメタン３mlからなる溶液を５℃以下で滴下した。滴
下終了後０℃で１時間攪拌した。反応混合物をジクロロ
メタンで希釈し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄
した。有機溶媒を減圧留去した後、再結晶（ＥｔＯＨ）
を行ない目的物を得た。収量２．９５ｇ（収率８１％） ＣＤＣｌ₃ 中で ¹Ｈ−ｎｍｒを測定して、以下の結果を
得た。 δ１．４−１．９（８Ｈ、ｍ）、１．９５（３Ｈ、
ｓ）、４．０３（２Ｈ、ｔ）、４．１７（２Ｈ、ｔ）、
５．５５（１Ｈ、ｓ）、６．１０（１Ｈ、ｓ）、６．９
８（２Ｈ、ｄ）、７．５０（２Ｈ、ｄ）、７．６２（２
Ｈ、ｄ）、７．７０（２Ｈ、ｄ）

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００７９】実施例６ 光学補償シートへの光の入射角を２０°とした点を除い
て実施例２と同様の操作を行い光学補償板を作製し、実
施例１と同様に３軸方向屈折率と光軸の方向を求めた。
その結果を表１に示す。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のＴＮ型液晶表示素子の構成図と表示面に
垂直に光が入射する場合の光の透過状態を説明する図で
ある。

【図２】従来のＴＮ型液晶表示素子の構成図と表示図に
斜めに光が入射する場合の光の透過状態を説明する図で
ある。

【図３】本発明の液晶表示素子の構成の実施例を説明す
る図である。

【図４】光異性化物質の偏光による再配列メカニズムを
示す図である。

【図５】光異性化物質を塗布したガラス基板に偏光を照
射する装置の図である。

【図６】本実施例に使用した液晶表示素子の構成を説明
する図である。

【符号の説明】 Ａ、Ｂ…偏光板 ＰＡ、ＰＢ…偏光軸 ＲＦ…光学異方性素子 Ｌ０…入射光 Ｌ１…偏光板Ａを通過した直線偏光 Ｌ２…ＴＮ型液晶セルを通過した偏光（主に楕円偏光） ＬＣ…ＴＮ型液晶セル内の液晶を説明したもの θ…直線偏光入射角度

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（１）および一般式（２）で表わ
   される基のそれぞれを少くとも一種ずつ部分構造として
   含む高分子から成ることを特徴とする光学補償シート。 一般式（１） −Φ¹ −Ｎ＝Ｎ−Ａｒ¹ 式中、Φ¹ は１，４−フェニレンを形成するに必要な原
   子群を表わす。Ａｒ¹はアリール基を表わす。 一般式（２） −Φ² −（Ｗ¹ ＝Ｗ²)_m −Ａｒ² 式中、Φ² は１，４−フェニレンを形成するに必要な原
   子群を表わす。Ａｒ²はアリール基を表わす。Ｗ¹ およ
   びＷ² はＮまたはＣＨを表わす。但し、同時にＮである
   ことはない。ｍは０または１を表わす。
2. 【請求項２】 一般式（１）および一般式（２）で表わ
   される基が、（メタ）アクリル酸由来のカルボニル基に
   アミド結合またはエステル結合を介して連結されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の光学補償シート。
3. 【請求項３】 該高分子が一般式（３）で表わされるこ
   とを特徴とする請求項１記載の光学補償シート。 一般式（３） 【化１】 式中、Ｒ³¹、Ｒ³³およびＲ³⁴は同一でも異ってもよく、
   水素原子およびメチルを表わす。Ｒ³²はアルキル基およ
   びアリール基を表わす。Φ³¹およびΦ³²は１，４−フェ
   ニレンを形成するに必要な原子群を表わす。Ａｒ³¹およ
   びＡｒ³²はアリール基を表わす。Ｗ³¹およびＷ³²は同一
   でも異ってもよく、ＮおよびＣＨを表わすが、同時にＮ
   であることはない。ｌ、ｎは２ないし２０の整数を表わ
   す。ｍ³は０または１を表わす。ｐ、ｑおよびｒは含率
   を示すものであり、ｐは０ないし５０、ｑは１５ないし
   ９０、ｒは１０ないし８５の範囲にある。但し、ｐ＋ｑ
   ＋ｒ＝１００である。
4. 【請求項４】 光学補償シートが負の一軸性を有すると
   共に光学軸がシート面に対して、直角以外の角度で交わ
   ることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載
   の光学補償シート。
5. 【請求項５】 シートに対して光を照射することによ
   り、光学異方性を発現させることを特徴とする請求項１
   ないし３のいずれかに記載の光学補償シートの製造方
   法。
6. 【請求項６】 シートに対して直線偏光を斜めに照射す
   ることにより、光学軸の角度を制御することを特徴とす
   る請求項１ないし３のいずれかに記載の光学補償シート
   の製造方法。
7. 【請求項７】 ２枚の電極基板間に液晶を挟持してなる
   液晶セルと、その両側に配置された２枚の偏光素子と、
   該液晶セルと該偏光素子の間に請求項１ないし３のいず
   れかに記載の光学補償シートを少くとも一枚配置した液
   晶表示素子。