JPH0797587B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
Method for manufacturing semiconductor deviceInfo
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- JPH0797587B2 JPH0797587B2 JP62057284A JP5728487A JPH0797587B2 JP H0797587 B2 JPH0797587 B2 JP H0797587B2 JP 62057284 A JP62057284 A JP 62057284A JP 5728487 A JP5728487 A JP 5728487A JP H0797587 B2 JPH0797587 B2 JP H0797587B2
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- H01L2224/11—Manufacturing methods
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に付着強度を
向上させためっき法による金属バンプの製造方法に関す
る。The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing metal bumps by a plating method with improved adhesion strength.
（従来の技術） 近年、半導体素子を搭載する各種電子機器の小型化、低
コスト化が要求されており、これに伴いコントロール用
・駆動用半導体素子の高密度化が必要とされている。(Prior Art) In recent years, there has been a demand for miniaturization and cost reduction of various electronic devices having a semiconductor element mounted thereon, and accordingly, high density of control / driving semiconductor elements is required.
このような要求にともない、半導体素子の実装技術とし
ては、小型化、低コスト化の可能な種々のワイヤレスボ
ンディング法が注目されている。In response to such demands, various wireless bonding methods capable of downsizing and cost reduction have attracted attention as semiconductor element mounting technologies.
例えばフィルムキャリア実装方式−TAB（Tape Automate
d Bonding）方式は、半導体素子の電極上に外部取出し
用突起電極、いわゆるバンプを形成しておき、これをテ
ープ上のフィンガーリードに接合する方式である。For example, film carrier mounting method-TAB (Tape Automate
The d Bonding) method is a method in which external extraction protruding electrodes, so-called bumps, are formed on the electrodes of the semiconductor element, and the bumps are bonded to the finger leads on the tape.
従来、このようなTAB方式の半導体装置は例えば次のよ
うにして製造されている。Conventionally, such a TAB semiconductor device is manufactured as follows, for example.
まず、半導体基板の表面にアルミニウム層を形成し、こ
のアルミニウム層に選択的に陽極酸化を施し、アルミニ
ウムからなる電極と酸化アルミニウムからなる絶縁部と
で構成された配線層を形成する。次いで、この配線層の
表面にリンケイ酸ガラスや窒化シリコン等からなる保護
膜を形成し、この保護膜に電極に通じるコンタクトホー
ルを穿設する。次いで、保護膜の表面および電極の露出
表面にクロム等からなる付着金属層を形成し、さらにそ
の上に銅等からなるバリヤメタル層を形成する。次に、
このバリヤメタル層の表面に感光性樹脂層を形成し、こ
の感光性樹脂層に電極に通じるコンタクトホールをフォ
トリソグラフィにより穿設する。そして、このコンタク
トホールよりバリヤメタル層に接続するAu等からなる金
属バンプをめっき法等により形成し、この後残余の感光
性樹脂層を溶解し、次いで金属バンプをマスクとして付
着金属層およびバリヤメタル層の不要な部分を除去して
完成する。First, an aluminum layer is formed on the surface of a semiconductor substrate, and the aluminum layer is selectively anodized to form a wiring layer composed of an electrode made of aluminum and an insulating portion made of aluminum oxide. Next, a protective film made of phosphosilicate glass, silicon nitride, or the like is formed on the surface of this wiring layer, and a contact hole communicating with the electrode is formed in this protective film. Next, an adhesion metal layer made of chromium or the like is formed on the surface of the protective film and the exposed surface of the electrode, and a barrier metal layer made of copper or the like is further formed thereon. next,
A photosensitive resin layer is formed on the surface of the barrier metal layer, and a contact hole communicating with the electrode is formed in the photosensitive resin layer by photolithography. Then, a metal bump made of Au or the like connected to the barrier metal layer from this contact hole is formed by a plating method or the like, and then the remaining photosensitive resin layer is melted, and then the metal bump is used as a mask to remove the deposited metal layer and the barrier metal layer. Complete by removing unnecessary parts.
そして、フィルムキャリア上のリード端子とこの半導体
装置の金属バンプとを一括して熱圧着により接合し、イ
ンナーリードボンディングが完成する。Then, the lead terminals on the film carrier and the metal bumps of the semiconductor device are bonded together by thermocompression bonding, and inner lead bonding is completed.
（発明が解決しようとする問題点） しかしながらこのような従来の方法により製造された半
導体装置は、フィルムキャリアに形成されたリード端子
と金属バンプとのボンディング後のリード引張試験にお
いて、半導体基板と金属バンプとの間で破壊が生じやす
いという問題があった。この破壊は主にアルミニウムか
らなる電極と付着金属層との間における剥離によって生
じており、またバリヤメタル層と金属バンプとの間にお
いても発生している。(Problems to be Solved by the Invention) However, a semiconductor device manufactured by such a conventional method has a semiconductor substrate and a metal in a lead tensile test after bonding a lead terminal formed on a film carrier and a metal bump. There was a problem that breakage easily occurs between the bumps. This breakdown is caused mainly by peeling between the electrode made of aluminum and the attached metal layer, and also between the barrier metal layer and the metal bump.
このように従来の方法により製造した半導体装置は、半
導体基板と金属バンプとの間の剥離に対する強度が弱
く、これはインナーリードボンディング後の半導体装置
の信頼性を大幅に低下させる原因となっている。As described above, the semiconductor device manufactured by the conventional method has a weak strength against peeling between the semiconductor substrate and the metal bump, which causes a great decrease in reliability of the semiconductor device after inner lead bonding. .
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
ので、フィルムキャリアに形成されているリード端子と
のボンディング後のリード引張り試験において、半導体
基板と金属バンプとの間で剥離を生じることなく、信頼
性を大幅に向上させた半導体装置を製造する方法を提供
することを目的とする。The present invention has been made to solve such a problem, and in a lead tension test after bonding with a lead terminal formed on a film carrier, peeling occurs between a semiconductor substrate and a metal bump. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device having significantly improved reliability.
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明の半導体装置の製造方法は、（イ）電極の形成さ
れた半導体基板上に保護膜を形成する工程と、（ロ）前
記電極上の保護膜に開口部を穿設する工程と、（ハ）こ
の開口部および前記保護膜上に導電層を形成する工程
と、（ニ）この導電層上に感光性樹脂層を形成する工程
と、（ホ）前記電極上の感光性樹脂層に開口部を穿設す
る工程と、（ヘ）この開口部にめっき法により金属バン
プを形成する工程と、（ト）残余の前記感光性樹脂層と
不要の前記導電層を除去する工程とを有する半導体装置
の製造方法において、 前記（ヘ）の工程のめっき法による金属バンプの形成開
始時にストライクめっきを施し、かつ少なくとも前記
（ハ）の導電層を形成する工程の後に、好ましくは前記
（ヘ）の工程により金属バンプを形成した後に熱処理を
施すことを特徴としている。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention comprises: (a) a step of forming a protective film on a semiconductor substrate having electrodes formed thereon; A step of forming an opening in the upper protective film; (c) a step of forming a conductive layer on the opening and the protective film; and (d) a step of forming a photosensitive resin layer on the conductive layer. And (e) a step of forming an opening in the photosensitive resin layer on the electrode, (f) a step of forming a metal bump in the opening by a plating method, and (g) the remaining photosensitive resin. In a method of manufacturing a semiconductor device having a layer and a step of removing the unnecessary conductive layer, strike plating is performed at the start of forming the metal bumps by the plating method of the step (f), and at least the conductivity of the (c) is provided. After the step of forming the layer, preferably It is characterized by a heat treatment after forming the metal bumps by step.
（作 用） 本発明の半導体装置の製造方法において、めっき法によ
り金属バンプを形成する工程の開始時にストライクめっ
きを施すことにより、導電層の最上層、例えばパラジウ
ム等のバリヤメタル層と金属バンプとの付着強度が向上
し、また少なくとも導電層を形成する工程の後に熱処理
を施すことによりアルミニウム等からなる電極と導電層
の最下層、例えばクロムやチタン等からなる付着金属層
との間の付着強度、および導電層間の付着強度が向上
し、よって半導体基板と金属バンプ間の特に剥離に対す
る強度が著しく向上する。(Operation) In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, strike plating is performed at the start of the step of forming a metal bump by a plating method, so that the uppermost layer of the conductive layer, for example, a barrier metal layer such as palladium and the metal bump are formed. The adhesion strength is improved, and at least the adhesion strength between the electrode made of aluminum or the like and the lowermost layer of the conductive layer by performing heat treatment after the step of forming the conductive layer, for example, the adhesion metal layer made of chromium or titanium, Further, the adhesion strength between the conductive layers is improved, and thus the strength particularly against peeling between the semiconductor substrate and the metal bump is significantly improved.
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
本発明の方法によりTAB実装方式用の半導体装置を製造
した例について説明する。An example of manufacturing a semiconductor device for the TAB mounting method by the method of the present invention will be described.
第１図（Ａ）に示すように、予め表面に図示を省略した
絶縁層が形成されている半導体基板１を使用して、この
半導体基板１の表面に厚さ約１μｍのアルミニウム層を
形成し、このアルミニウム層に選択的に陽極酸化を施し
てアルミニウムからなる電極2aと酸化アルミニウムから
なる絶縁部2bとで構成されている配線層２を形成する。
このとき電極2aと絶縁部2bとはほぼ同等の厚さとする。
次いで、この配線層２の表面にリンケイ酸ガラスや窒化
ケイ素等の保護膜３を例えばCVD法により厚さ約１μｍ
程度に形成する。As shown in FIG. 1 (A), a semiconductor substrate 1 having an insulating layer (not shown) formed on its surface is used, and an aluminum layer having a thickness of about 1 μm is formed on the surface of the semiconductor substrate 1. The aluminum layer is selectively anodized to form a wiring layer 2 including an electrode 2a made of aluminum and an insulating portion 2b made of aluminum oxide.
At this time, the electrode 2a and the insulating portion 2b have almost the same thickness.
Then, a protective film 3 of phosphosilicate glass, silicon nitride or the like is formed on the surface of the wiring layer 2 by, for example, a CVD method to a thickness of about 1 μm.
Form to a degree.
次に同図（Ｂ）に示すように、配線層２の電極2a上の保
護膜３に電極2aに通じる開口部を例えばフォトリソグラ
フィにより形成する。Next, as shown in FIG. 3B, an opening communicating with the electrode 2a is formed in the protective film 3 on the electrode 2a of the wiring layer 2 by, for example, photolithography.
次に同図（Ｃ）に示すように、保護膜３の表面および電
極2aの露出表面にクロムやチタン等からなる付着金属層
４を形成し、この付着金属層４の表面に銅、パラジウム
またはニッケル−パラジウム合金等からなるバリヤメタ
ル層５を形成する。この付着金属層４とバリヤメタル層
５の形成は、例えばスパッタ法により真空装置の真空を
破ることなく連続して行なう。なお、付着金属層４およ
びバリヤメタル層５は、後述する金バンプ７のめっき法
による形成時の導電層となるものであり、またアルミニ
ウムからなる電極2aと金バンプ７との接着力強化のため
のものであり、両層の合計の厚さは0.5〜１μｍの範囲
が好ましい。Next, as shown in FIG. 3C, an adhesion metal layer 4 made of chromium, titanium or the like is formed on the surface of the protective film 3 and the exposed surface of the electrode 2a, and copper, palladium or A barrier metal layer 5 made of nickel-palladium alloy or the like is formed. The adhesion metal layer 4 and the barrier metal layer 5 are continuously formed by, for example, a sputtering method without breaking the vacuum of the vacuum device. The adhered metal layer 4 and the barrier metal layer 5 serve as conductive layers when the gold bumps 7 are formed by a plating method, which will be described later, and are used for strengthening the adhesive force between the electrodes 2a made of aluminum and the gold bumps 7. The total thickness of both layers is preferably in the range of 0.5 to 1 μm.
次に同図（Ｄ）に示すように、バリヤメタル層５の表面
に、金属バンプ形成時のめっき用マスクとなる感光性樹
脂層６を形成する。この実施例ではフィルムフォトレジ
ストを使用してバリヤメタル層５の表面に貼り合せた。
なお、この感光性樹脂層６の厚さは、25〜50μｍの厚さ
の範囲で所望の金属バンプの厚さと同等またはそれ以上
の厚さにすることが好ましく、これによりめっき時の面
積が一定となり、安定した金属バンプが得られる。Next, as shown in FIG. 3D, a photosensitive resin layer 6 serving as a plating mask for forming metal bumps is formed on the surface of the barrier metal layer 5. In this example, a film photoresist was used to bond to the surface of the barrier metal layer 5.
The thickness of the photosensitive resin layer 6 is preferably equal to or greater than the thickness of the desired metal bump in the thickness range of 25 to 50 μm, so that the area during plating is constant. Therefore, a stable metal bump can be obtained.
次に、感光性樹脂膜６の電極2aの上方に対応する位置、
すなわち所望の金属バンプのパターンに応じたマスクを
用いて感光性樹脂膜６を露光する。そしてこの露光部分
を溶解除去して開口部を形成し、同図（Ｅ）に示す構造
を得る。Next, a position corresponding to above the electrode 2a of the photosensitive resin film 6,
That is, the photosensitive resin film 6 is exposed by using a mask corresponding to a desired metal bump pattern. Then, the exposed portion is dissolved and removed to form an opening, thereby obtaining the structure shown in FIG.
次に同図（Ｆ）に示すように、この感光性樹脂層６の開
口部を通じてバリヤメタル層５に接続するようにめっき
法により金バンプ７を感光性樹脂膜６の厚さ以下になる
ようにめっき条件を設定して形成する。このめっき工程
において、めっきの初期電流を通常のめっき電流の２〜
５倍の過電流にして数秒間通電することにより、密着性
のよい均一なごく薄いめっき面を形成する、いわゆるス
トライクめっきを施す。このストライクめっきの条件
は、電流密度を1.0〜2.0A/dm2の範囲内でその後の通常
条件のめっき時の電流密度より２〜５倍程度高く設定
し、その時間はめっき開始後より15秒以内が好ましい。
このストライクめっきの電流密度が1.0A/dm2未満である
とこのストライクめっきによる密着性向上の効果があま
り得られず、2.0A/dm2を超えるとめっき焼けの原因とな
ったり、得られる金バンプ７の形状が、例えば周辺部が
中央部より盛上ってしまうような異常な形状になりやす
い。また、ストライクめっきの時間が15秒を超えても同
様に金バンプの形状異常を生じやすい。そして、このス
トライクめっきを上記条件内で施した後、引続き電流密
度0.3〜1.0A/dm2の範囲で所望の厚さまでめっきを行な
い金バンプ７を完成させる。Next, as shown in FIG. 6F, the gold bumps 7 are formed to have a thickness equal to or less than the thickness of the photosensitive resin film 6 by a plating method so as to connect to the barrier metal layer 5 through the opening of the photosensitive resin layer 6. It is formed by setting the plating conditions. In this plating process, the initial plating current is set to 2 to the normal plating current.
By applying an overcurrent of 5 times and energizing for several seconds, so-called strike plating is performed to form a uniform and thin plating surface with good adhesion. The condition of this strike plating is to set the current density within the range of 1.0 to 2.0 A / dm 2 to about 2 to 5 times higher than the current density at the time of plating under the normal conditions thereafter, and the time is 15 seconds after the start of plating. It is preferably within.
If the current density of this strike plating is less than 1.0 A / dm 2 , the effect of improving the adhesiveness due to this strike plating cannot be obtained so much, and if it exceeds 2.0 A / dm 2 , it may cause burnt plating or cause The bumps 7 are likely to have an abnormal shape, for example, the peripheral portion is higher than the central portion. Further, even if the strike plating time exceeds 15 seconds, the shape of the gold bump is likely to be abnormal. Then, after performing the strike plating within the above conditions, the gold bumps 7 are completed by subsequently plating to a desired thickness within a current density range of 0.3 to 1.0 A / dm 2 .
次に、残余の感光性樹脂膜６を溶剤により除去した後、
金バンプ７をマスクとして付着金属層４とバリヤメタル
層５の不要な部分を、エッチングにより除去して同図
（Ｇ）に示すような構造を得る。Next, after removing the remaining photosensitive resin film 6 with a solvent,
Using the gold bumps 7 as a mask, unnecessary portions of the adhered metal layer 4 and the barrier metal layer 5 are removed by etching to obtain a structure as shown in FIG.
この後、この金バンプ７の形成された半導体装置に熱処
理を施し、アルミニウムからなる電極2aとクロムやチタ
ン等からなる付着金属層４との付着強度を向上させて半
導体装置を完成させる。この熱処理の条件としては、不
活性ガス雰囲気中、例えばフォーミングガス中において
350℃〜500℃の温度の範囲で、15〜45分間程度行なうこ
とが好ましい。熱処理の温度が350℃未満であると熱処
理の効果が十分に得られず、500℃を超えると半導体基
板上の他の配線回路やアルミニウムからなる電極に悪影
響をおよぼす恐れがある。Thereafter, the semiconductor device having the gold bumps 7 formed thereon is subjected to heat treatment to improve the adhesion strength between the electrode 2a made of aluminum and the adhesion metal layer 4 made of chromium, titanium or the like to complete the semiconductor device. The conditions for this heat treatment are as follows: in an inert gas atmosphere, for example, in forming gas.
It is preferable that the temperature is in the range of 350 ° C to 500 ° C for about 15 to 45 minutes. If the temperature of the heat treatment is less than 350 ° C, the effect of the heat treatment cannot be sufficiently obtained, and if it exceeds 500 ° C, other wiring circuits on the semiconductor substrate and electrodes made of aluminum may be adversely affected.
このようにして得た半導体装置の金バンプの剥離強度テ
ストを行なったところ、その結果は第１表に示す通りで
あった。なお、表中の比較例は本発明との比較のために
掲げたもので、比較例１はストライクめっきおよび熱処
理を両方とも施さないで金バンプを形成したものであ
り、比較例２はストライクめっきのみ施したものであ
る。When the peel strength test of the gold bumps of the semiconductor device thus obtained was conducted, the results were as shown in Table 1. The comparative examples in the table are provided for comparison with the present invention. Comparative example 1 is a gold bump formed without performing both strike plating and heat treatment, and comparative example 2 is strike plating. Only given.
なお、表中の剥離強度は、各々100個ずつ試験を行ない
その平均値で示した。 The peel strengths in the table are shown as the average value of 100 pieces tested.
第１表からも明らかなように、この実施例により形成し
た半導体装置の金バンプは、比較例１の従来法により形
成した金バンプに比べて、約1.9〜2.6倍もの強度を有し
ており、またストライクめっきのみ施した比較例２の金
バンプでも比較例１に比べて約1.4倍の強度を有してい
た。As is clear from Table 1, the gold bumps of the semiconductor device formed by this example have a strength of about 1.9 to 2.6 times that of the gold bump formed by the conventional method of Comparative Example 1. Also, the gold bump of Comparative Example 2 which was subjected only to strike plating had a strength about 1.4 times that of Comparative Example 1.
また、第２図はこの実施例の金バンプの硬度と熱処理温
度の関係を示したグラフであるが、同図からも明らかな
ように、本発明における熱処理は、金バンプの硬度をさ
げる効果も有している。このように金バンプの硬度がさ
がることによって、金バンプのインナーリードボンディ
ングの際の加圧力を従来の20〜30％減で十分ボンディン
グでき、これにより保護膜や半導体基板上に形成する絶
縁層、例えばSiO2層に発生するクラックも著しく減少し
た。Further, FIG. 2 is a graph showing the relationship between the hardness of the gold bumps and the heat treatment temperature in this example. As is clear from the figure, the heat treatment of the present invention also has the effect of reducing the hardness of the gold bumps. Have By reducing the hardness of the gold bumps in this manner, the pressure applied during inner lead bonding of the gold bumps can be sufficiently reduced by 20 to 30% compared with the conventional method, and thus the protective film and the insulating layer formed on the semiconductor substrate can be formed. For example, the cracks generated in the SiO 2 layer were also significantly reduced.
そして、このようにして得た半導体装置を個々に切断し
た後、フィルムキャリアに形成されているリード端子と
熱圧着により接合し、インナーリードボンディングを完
成させた後、リード引張試験を行なったところ、すべて
リード破断であり、半導体基板と金バンプ間での剥離は
生ぜず、きわめて信頼性に優れた半導体装置が得られ
た。Then, after individually cutting the semiconductor devices obtained in this manner, the lead terminals formed on the film carrier are joined by thermocompression bonding, and after completing inner lead bonding, a lead tensile test is performed, All were lead breakages, peeling between the semiconductor substrate and the gold bumps did not occur, and a semiconductor device with extremely excellent reliability was obtained.
すなわちこの実施例によれば、金属バンプのめっきによ
る形成開始時にストライクめっきを施すことによって、
バリヤメタル層と金属バンプとの間の付着力が向上し、
かつ金属バンプ形成後に熱処理を施すことによって、ア
ルミニウムの電極と付着金属層との間の付着力が向上す
る。また、付着金属層とバリヤメタル層との間は、真空
装置内で連続的に形成しているので十分な強度を有して
おり、これらにより半導体基板と金属バンプ間の剥離に
対する強度が著しく向上した半導体装置が得られる。ま
た、金属バンプの形成後に熱処理を施すことにより、金
属バンプの硬度がさがり、ボンディング性にも優れたも
のが得られる。That is, according to this embodiment, by performing strike plating at the start of forming the metal bump by plating,
The adhesion between the barrier metal layer and the metal bumps is improved,
Further, by performing heat treatment after forming the metal bumps, the adhesion between the aluminum electrode and the adhesion metal layer is improved. In addition, since the adhesion metal layer and the barrier metal layer are continuously formed in a vacuum device, they have sufficient strength, which significantly improves the strength against peeling between the semiconductor substrate and the metal bump. A semiconductor device is obtained. Further, by performing heat treatment after forming the metal bumps, the hardness of the metal bumps can be reduced, and excellent bonding properties can be obtained.
なお、この実施例では熱処理を金属バンプ形成後に行な
ったが、電極と付着金属層との間の付着力強化という目
的だけであれば、金属バンプ形成前で導電層を形成した
後に行なっても十分にその効果が得られる。In this example, the heat treatment was performed after forming the metal bumps, but for the purpose of strengthening the adhesive force between the electrode and the attached metal layer, it is sufficient to perform the heat treatment after forming the conductive layer before forming the metal bumps. The effect is obtained.
［発明の効果］ 以上説明したように本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、金属バンプ形成のためのめっき工程の開始時にス
トライクめっきを施し、かつ少なくとも導電層を形成す
る工程の後に熱処理を施すことによって、半導体基板と
金属バンプ間の剥離に対する強度が著しく向上し、これ
によりインナーリードボンディング後において信頼性に
優れたものが得られる。[Effects of the Invention] As described above, according to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, strike plating is performed at the start of the plating step for forming metal bumps, and heat treatment is performed at least after the step of forming the conductive layer. By applying it, the strength against peeling between the semiconductor substrate and the metal bump is remarkably improved, whereby a product having excellent reliability after inner lead bonding can be obtained.
第１図は本発明の一実施例の工程を示す図、第２図は本
発明の実施例における熱処理温度と金バンプの硬度との
関係を示すグラフである。 １……半導体基板 ２……配線層 2a……電極 ３……保護膜層 ４……付着金属層 ５……バリヤメタル層 ６……感光性樹脂層 ７……金バンプFIG. 1 is a diagram showing a process of one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a graph showing a relationship between a heat treatment temperature and a hardness of a gold bump in the embodiment of the present invention. 1 ... Semiconductor substrate 2 ... Wiring layer 2a ... Electrode 3 ... Protective film layer 4 ... Adhesive metal layer 5 ... Barrier metal layer 6 ... Photosensitive resin layer 7 ... Gold bump
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中野 博隆 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜金属工場内 (56)参考文献 特開 昭59−67655（ＪＰ，Ａ) 特公 昭56−4636（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭60−27758（ＪＰ，Ｂ２) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Hirotaka Nakano 8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Inside the Yokohama Metal Factory of Toshiba Corporation (56) Reference JP-A-59-67655 (JP, A) JP Sho 56-4636 (JP, B2) Japanese Patent Sho 60-27758 (JP, B2)
Claims (5)
護膜を形成する工程と、（ロ）前記電極上の保護膜に開
口部を穿設する工程と、（ハ）この開口部および前記保
護膜上に導電層を形成する工程と、（ニ）この導電層上
に感光性樹脂層を形成する工程と、（ホ）前記電極上の
感光性樹脂層に開口部を穿設する工程と、（ヘ）この開
口部にめっき法により金属バンプを形成する工程と、
（ト）残余の前記感光性樹脂層と不要の前記導電層を除
去する工程とを有する半導体装置の製造方法において、 前記（ヘ）の工程のめっき法による金属バンプの形成開
始時にストライクめっきを施し、かつ少なくとも前記
（ハ）の導電層を形成する工程の後に熱処理を施すこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。1. A process of forming a protective film on a semiconductor substrate having an electrode formed thereon, (b) A process of forming an opening in the protective film on the electrode, and (c) This opening. And a step of forming a conductive layer on the protective film, (d) a step of forming a photosensitive resin layer on the conductive layer, and (e) forming an opening in the photosensitive resin layer on the electrode. A step, and (f) a step of forming a metal bump in this opening by a plating method,
(G) In a method of manufacturing a semiconductor device having a step of removing the remaining photosensitive resin layer and the unnecessary conductive layer, strike plating is performed at the start of forming the metal bump by the plating method of the step (F). And a method of manufacturing a semiconductor device, wherein heat treatment is performed at least after the step (c) of forming the conductive layer.
バンプを形成した後に施すことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the heat treatment is performed after the metal bumps are formed by the step (f).
始後15秒以内であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項記載の半導体装置の製造方法。3. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the strike plating time is within 15 seconds after the start of plating.
〜2.0A/dm2の範囲であり、かつ前記ストライクめっき後
のめっき時の電流密度が0.3〜1.0A/dm2であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか
１項記載の半導体装置の製造方法。4. The current density during the strike plating is 1.0
To 2.0 A / dm 2 , and the current density during plating after the strike plating is 0.3 to 1.0 A / dm 2 , any one of claims 1 to 3. 2. A method of manufacturing a semiconductor device according to item 1.
て350℃〜500℃の範囲の温度により施すことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか１項記
載の半導体装置の製造方法。5. The semiconductor according to claim 1, wherein the heat treatment is performed in an inert gas atmosphere at a temperature in the range of 350 ° C. to 500 ° C. Device manufacturing method.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP62057284A JPH0797587B2 (en) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP62057284A JPH0797587B2 (en) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | Method for manufacturing semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH0797587B2 true JPH0797587B2 (en) | 1995-10-18 |
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ID=13051240
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- 1987-03-12 JP JP62057284A patent/JPH0797587B2/en not_active Expired - Fee Related
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